JP2010062358A - 抵抗可変電子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】段差部102を備えた基板101と、段差部102を含めた基板101の上に形成されたグラフェン層103と、所定の接触圧でグラフェン層103に接触してこの上を移動可能とされているプローブ105と、グラフェン層103に接続する共通電極104とを備える。グラフェン層103においては、段差部102の凹部の側の平坦部131と、段差部102の凹部より平坦部131の側に形成されるバリア領域132と、段差部102に形成される注入領域133と、段差部102の凸部の側の平坦部134とを備える。
【選択図】 図1
Description
始めに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における抵抗可変電子素子の構成を模式的に示す斜視図である。この抵抗可変電子素子は、段差部102を備えた基板101と、段差部102を含めた基板101の上に形成されたグラフェン層103と、所定の接触圧でグラフェン層103に接触してこの上を移動可能とされているプローブ105と、グラフェン層103に接続する共通電極104とを備える。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。上述では、プローブの走査(動作)により素子における電流のスイッチを行っているが、本発明における電流スイッチ現象の本質は、数層グラフェン層の段差領域からのキャリアの注入である。ここで、この段差領域に電極を設けることで、上述した各現象を電気的に行わせることができる。
Claims (4)
- 段差部を備えた基板と、
前記段差部を含めた前記基板の上に形成されたグラフェン層と、
前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入する電子注入手段と、
前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層における電流を検出する電流検出手段
を備えることを特徴とする抵抗可変電子素子。 - 請求項1記載の抵抗可変電子素子において、
前記グラフェン層に接触した状態で、前記前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の間を移動可能とされたプローブと、
前記グラフェン層に接続した電極と
を備え、
前記電子注入手段は、前記グラフェン層の前記段差部に接触した前記プローブと前記電極との間に電圧を印加することで、前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入し、
前記電流検出手段は、前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層に接触する前記プローブと、前記電極との間の電流を検出する
ことを特徴とする抵抗可変電子素子。 - 請求項1記載の抵抗可変電子素子において、
前記グラフェン層の前記段差部に接続する第1電極と、
前記段差部の凸部の側の平坦部および前記段差部の凹部の側の平坦部の少なくとも一方の前記グラフェン層に、互いに離間して接続する第2電極および第3電極と
を少なくとも備え、
前記電子注入手段は、前記第1電極に電圧を印加することで、前記グラフェン層の前記段差部における領域に電子を注入し、
前記電流検出手段は、前記第2電極と前記第3電極との間の電流を検出する
ことを特徴とする抵抗可変電子素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の抵抗可変電子素子において、
前記グラフェン層は、1〜10層のグラフェンから構成されたものである
ことを特徴とする抵抗可変電子素子。
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