JP2010061740A - 浮上変動量測定方法、磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 磁気ヘッドの浮上変動量を精度良く測定する浮上変動量測定方法及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における磁気ヘッドの浮上変動量測定方法であって、磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定ステップと、磁気記録媒体に記録された信号を読み出す読み出しステップと、読み出しステップにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定ステップと、予め測定された環境温度と信号値との関係を示す情報である関係情報と、温度測定ステップにより測定された環境温度である測定温度と、測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出ステップとを備える
【選択図】 図７

Description

本発明は磁気ヘッドの浮上変動量を測定する技術に関するものである。

従来、磁気記憶装置において、大気圧の変動、スライダへ異物が付着するような異常状態などを要因として、記憶媒体に対する磁気ヘッドの浮上量の変動が起こっていた。また、このような磁気ヘッドの浮上量の変動量（以下、浮上変動量）を磁気ヘッドからの読み出し信号レベルの変動量に基づいて計算できることが知られている。ｒをディスク半径位置（ｍ）、ｒｐｍをディスク回転数（／分）、ｆを信号周波数（Ｈｚ）、ＴＡＡ１を基準信号レベル（Ｖ）、ＴＡＡ２を読み出し信号レベル（Ｖ）とした場合、以下に示すワレスの式により磁気ヘッドの浮上変動量を求めることができる。

浮上変動量＝ｒ／ｆ×ｒｐｍ／６０×ｌｎＴＡＡ１／ＴＡＡ２

また、ワレスの式により、再生出力電圧に基づいて浮上変動量を算出する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
特開平０６−２２３５２３号公報

しかし、磁気ヘッドからの読み出し信号レベルの変動要因には、浮上変動量以外に書き込み時の温度変動、記憶媒体の磁気特性の温度変動があるため、浮上変動量を精度良く測定することができないという問題がある。

本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、磁気ヘッドの浮上変動量を精度良く測定する浮上変動量測定方法及び磁気記憶装置を提供することを目的としている。

上述した課題を解決するため、浮上変動量算出方法は、磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上変動量測定方法であって、前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定ステップと、前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す読み出しステップと、前記読み出しステップにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定ステップと、予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定ステップにより測定された環境温度である測定温度と、前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出ステップとを備える。

また、磁気記憶装置は、磁気記録媒体に信号を記録する装置であって、前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定部と、前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定部と、予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定部により測定された環境温度である測定温度と、前記測定部により測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出部とを備える。

本発明によれば、磁気ヘッドの浮上変動量を精度良く測定することができるという効果を奏する。

本発明は、読み出し信号レベルに基づく浮上変動量の算出において、磁気記憶媒体への書き込み時の温度変動、磁気記憶媒体における磁気特性の温度変動の影響を除外することにより、精度良い浮上変動量の測定を実現するものである。以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。

実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る磁気記憶装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。また、図２は、レベル測定部の構成を示す図である。

図１に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、プリアンプ１０、レベル温度補正部１１（算出部）、浮上変動量算出部１２（算出部）、記憶媒体としての磁気ディスク１３、ライトヘッド１４、リードヘッド１５（磁気ヘッド）、温度センサ１６（温度測定部）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１７を備えるものである。

また、プリアンプ１０は、リードアンプ１０１、ライトアンプ１０２、レベル測定部１０３（測定部）を備えるものである。

磁気ディスク１３は、本実施の形態における磁気記憶媒体であり、所定の記憶領域に後述する基準情報が記録されているものである。ライトヘッド１４は、磁気ディスク１３に記録信号を書き込む磁気ヘッドである。また、リードヘッド１５は、磁気ディスク１３に書き込まれた信号を再生信号として読み取る磁気ヘッドである。また、ライトアンプ１０２は、ライトヘッド１４による磁気ディスク１３への書き込み時に記録信号を増幅するものである。また、リードアンプ１０１は、リードヘッド１５による磁気ディスク１３からの読み出し時に再生信号（読み出し信号）を増幅するものである。また、レベル測定部１０３は、リードアンプ１０１により増幅された読み出し信号としてレベル測定するものである。また、温度センサ１６は、磁気記憶装置１の環境温度を測定するセンサである。なお、この温度センサ１６は磁気記憶装置１の外部に備えられていても良い。また、レベル温度補正部１１は、温度センサ１６により測定された環境温度と、磁気ディスク１３に記録された基準情報とに基づいて、レベル測定部１０３により測定された読み出し信号のレベルを補正するものである。また、浮上変動量算出部１２は、レベル温度補正部１１により補正された読み出し信号のレベルと、その他のパラメータとに基づいて、磁気ヘッド（ライトヘッド１４及びリードヘッド１５）の浮上変動量を算出するものである。なお、レベル温度補正部１１及び浮上変動量算出部１２による機能は、実質的にはＭＰＵ１７により実行される。

次に、レベル測定部の構成及び動作について説明する。図２は、レベル測定部の構成を示す図である。また、図３は、読み出し信号と略ピーク電圧の波形を示す図である。

図２に示すように、レベル測定部１０３は、ピークホールド回路１０３ａ及びＡ／Ｄ変換器１０３ｂからなる。ピークホールド回路１０３ａは、ダイオードＤ、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、コンデンサＣにより構成される回路である。このピークホールド回路１０３ａは、縦軸を電圧、横軸を時間とする図３に示す読み出し信号としての正弦波を、抵抗Ｒ１とコンデンサＣの時定数により放電して減衰する。結果として正弦波より、図３において破線の波形により示される略ピーク電圧が抽出される。この略ピーク電圧がＡ／Ｄ変換器によりデジタル値に変換されることによりレベル測定データが得られる。

なお、測定信号としての読み出し信号の周波数は、後述する磁気ディスク１３の抗磁力Ｈｃに基づく温度変化が高感度に現れるように、可能な限り高い周波数であることが望ましい。よって、本実施の形態においては、磁気ディスク１３に書き込まれたデータ部のプリアンブルに、パーシャル・レスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）方式のナイキスト周波数Ｆ１の１／２の周波数であるＦ２信号がレベル測定のための信号として用いられる。なお、このＦ２信号のレベル測定において、測定数を増やして平均化を行うことによって精度を上げることができる。また、Ｆ２信号のレベル測定は、プリアンブルに限らず、例えば、Ｆ２信号を書き込む専用のトラックを設け、レベル測定専用のフォーマットを施すことによっても実現可能である。また、測定信号はＦ２信号に限らず、同様の信号が複数箇所に書き込まれているような信号であれば良く、例えば、サーボ信号のプリアンブルであっても良い。

また、本発明は、本実施の形態における磁気ディスク１３のような磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃが温度により大きく変化する特性の利用により実現される。図４は、Ｈｃと温度との関係を示すグラフの一例である。また、図５は、Ｈｃの大きさと孤立波の半値幅との関係を示す図である。また、図６は、環境温度と読み出し信号のレベルとの関係を示すグラフの一例である。

図４に示すように、磁気ディスク１３のＨｃは温度が低い程大きくなり、温度が高い程小さくなる。また、Ｈｃの変化に対して、孤立波のレベルはほとんど変化しないが、孤立波の半値幅Ｐｗ５０は変化する。図５において、Ｐで示されるＨｃが大きい場合の孤立波２０２の半値幅Ｐｗ５０は、Ｑで示されＨｃが小さい場合の孤立波２０１の半値幅Ｐｗ５０よりも小さくなる。更に、半値幅Ｐｗ５０が小さくなる程、分解能が良くなり、高い周波数の信号レベルが大きくなる。これらのことから、図６に示すように、磁気記憶装置の環境温度が低いほど磁気記憶装置のＨｃが大きくなり、従って、読み出し信号としての高周波の信号レベルが大きくなる。

また、図６に示すような環境温度と読み出し信号のレベルとの関係は、磁気ディスク１３への信号書き込み時に、どの温度に対しても飽和記録が成されていれば、信号書き込みにおける温度による影響が除外でき、信号の読み出し時の温度のみで読み出し信号レベルが決まることにより見出された関係である。

本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、飽和記録により信号を磁気ディスク１３のプリアンブルに書き込むことによって、信号書き込み時の温度による影響を除外することができる。また、磁気記憶装置１において、予め飽和記録により書き込まれた信号の読み出し信号が環境温度別に測定され、その対応関係が基準情報（関係情報）として磁気ディスク１３に予め記録される。本実施の形態において、図６に示す環境温度と読み出し信号レベルとの関係を基準情報とする。この基準情報は、例えば恒温槽により常圧下において、複数の温度における読み出し信号レベルを測定し、内挿ないし外挿により作成される。なお、基準情報は、環境温度と読み出し信号レベルとが対応付けられたものであれば良い。

次に、本実施の形態に係る磁気記憶装置の動作について説明する。図７は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の動作を示すフローチャートである。なお、図７において、Ｆ２信号が磁気ディスクのデータ部のプリアンブルに予め書き込まれているものとする。

まず、プリアンブルに書き込まれたＦ２信号がリードヘッド１５により磁気ディスク１３から読み出され（読み出しステップ）、読み出された信号がリードアンプ１０１によって増幅される。このリードアンプ１０１により増幅されたＦ２信号がレベル測定部１０３により測定される（Ｓ１０１、測定ステップ）。また、測定と同タイミングにおいて、温度センサ１６により、磁気記憶装置１の環境温度が測定される（Ｓ１０２、温度測定ステップ）。

温度センサ１６により環境温度が測定されると、レベル温度補正部１１は、磁気ディスク１３に記録された基準情報を参照し、環境温度に対応する信号レベルを基準信号レベルとして決定する（Ｓ１０３、算出ステップ）。浮上変動量算出部１２は、基準信号レベルと、レベル測定部１０３により測定されたＦ２信号の信号レベルとに基づいて、磁気ヘッドの浮上変動量を算出する（Ｓ１０４、算出ステップ）。以下、具体的な算出例を示す。

レベル測定部１０３により測定されたＦ２信号の信号レベルが７５ｍＶ、温度センサ１６により測定された環境温度が１０℃である場合、基準情報による対応関係から基準信号レベルは８７ｍＶとなる。これらのレベル及びその他のパラメータに基づいて、上述したワレスの式の各変数に値を代入すると、ディスク半径位置ｒ＝３０×１０^-3（ｍ）、ｒｐｍ＝５４００（／分）、ｆ＝１３０×１０⁶（Ｈｚ）、ＴＡＡ１＝８７×１０^-3（Ｖ＠１０℃）、ＴＡＡ２＝７５×１０^-3（Ｖ）となり、浮上変動量＝＋３．０８×１０^-9ｍが算出される。

上述したように、本実施の形態によれば環境温度と読み出し信号から浮上変動量を得ることができ、磁気ヘッドの何らかの異常による浮上量の変動の有無を測定することが可能となる。また、浮上変動量に対して、所定の閾値（例えば、上限の閾値として２ｎｍ、下限の閾値として−１ｎｍ）を設定し、浮上変動量が閾値を越えることをトリガーとし、上位装置に対してエラーを表示させることも可能となる。

実施の形態２．
実施の形態１において、浮上変動量は、基準信号レベルが環境温度と読み出し信号レベルとの対応に基づいて決定され、基準信号レベルと磁気ディスク１３から読み出されたＦ２信号のレベルがワレスの式に代入されることにより算出された。本実施の形態においては、予め所定の環境温度における読み出し信号レベルを基準信号レベルとして固定し、測定信号として読み出したＦ２信号のレベルを補正することにより、浮上変動量を算出する。この算出方法の違いにより、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、基準情報の代わりに補正情報（関係情報）が磁気ディスク１３に記録されている点が実施の形態１とは異なり、他の構成においては同様である。よって、本実施の形態の説明として、構成についてはその説明を省略し、以下、図面を用いて補正情報、及び動作について説明する。図８は、環境温度と基準温度における信号レベルに対する比率との対応関係を示す図である。

本実施の形態において、測定信号としてのＦ２信号を補正するための情報として、図８に示すような補正情報が磁気ディスク１３に記録されている。この補正情報は、環境温度と、基準温度（２５℃）における信号レベルと他の温度における同一信号の信号レベルとの比率が予め算出された値とが対応付けられたものである。なお、この補正情報は、環境温度と基準温度における信号レベルに対する比率とが対応付けられたものであれば良い。

次に、本実施の形態に係る磁気記憶装置の動作について説明する。図９は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の動作を示すフローチャートである。なお、図９において、Ｆ２信号が磁気ディスクのデータ部のプリアンブルに予め書き込まれているものとする。

まず、プリアンブルに書き込まれたＦ２信号がリードヘッド１５により磁気ディスク１３から読み出され（読み出しステップ）、読み出された信号がリードアンプ１０１によって増幅される。このリードアンプ１０１により増幅されたＦ２信号がレベル測定部１０３により測定される（Ｓ２０１、測定ステップ）。また、測定と同タイミングにおいて、温度センサ１６により、磁気記憶装置１の環境温度が測定される（Ｓ２０２、温度測定ステップ）。

温度センサ１６により環境温度が測定されると、レベル温度補正部１１は、磁気ディスク１３に記録された補正情報を参照し、環境温度に対応する比率Ｋとレベル測定部１０３により測定されたＦ２信号のレベルとを乗算する（Ｓ２０３、算出ステップ）。浮上変動量算出部１２は、基準信号レベルと、レベル温度補正部１１により補正されたＦ２信号の信号レベルとに基づいて、磁気ヘッドの浮上変動量を算出する（Ｓ２０４、算出ステップ）。以下、具体的な算出例を示す。なお、本実施の形態において基準信号レベルは２５℃における信号レベルである９０ｍＶとする。

レベル測定部１０３により測定されたＦ２信号の信号レベルが１００ｍＶ、温度センサ１６により測定された環境温度が１０℃とすると、図６に示す補正情報からＫ＝０．９３となり、補正信号レベルは９３ｍＶとなる。補正信号レベル、基準信号レベル及びその他のパラメータに基づいて、上述したワレスの式の各変数に値を代入すると、ディスク半径位置ｒ＝３０×１０^-3（ｍ）、ｒｐｍ＝５４００（／分）、ｆ＝１３０×１０⁶（Ｈｚ）、ＴＡＡ１＝９０×１０^-3（Ｖ＠２５℃）、ＴＡＡ２＝９３×１０^-3（Ｖ＠１０℃）となり、浮上変動量＝−０．６８×１０^-9ｍが算出される。

上述したように、本実施の形態に係る磁気記憶装置によれば、所定の環境温度における信号レベルを基準信号レベルとし、この基準信号レベルとの比率と、測定した環境温度とに基づいてＦ２信号の信号レベルを補正し、基準信号レベルと補正信号レベルとに基づいて浮上変動量を算出することが可能となる。

なお、上述した実施の形態１及び２において、磁気記憶装置１は、読み出し信号に基づいて浮上変動量を算出しているが、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路による制御信号、または読み出し信号に対するフーリエ変換結果に基づいて浮上変動量を算出することもできる。以下、実施の形態３に制御信号に基づく浮上変動量算出方法を示し、実施の形態４にフーリエ変換結果に基づく浮上変動量算出方法を示す。

実施の形態３．
本実施の形態は、浮上変動量の算出が、読み出し信号に代わり、ＡＧＣ回路の制御信号に基づいてなされる点が実施の形態１及び２とは異なる。なお、本実施の形態において、浮上変動量の算出は上述した基準情報、補正情報のどちらに基づく方法であっても構わない。以下、実施の形態１及び２とは異なる構成及び動作について説明する。図１０は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。また、図１１は、ＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。

図１０に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、ＡＧＣ回路１８（測定部）、Ａ／Ｄ変換器１９（測定部）を備える点が実施の形態１及び２とは異なる。

図１１に示すように、ＡＧＣ回路部１８は、ＧＣＡ回路１８１、制御信号出力部１８２からなるものである。ＧＣＡ回路１８１は、制御信号出力部１８２が出力する制御信号に基づいて、再生信号（読み出し信号）のアンプゲインを調節し、この調節したアンプゲインにより読み出し信号を増幅して出力する。また、制御信号出力部１８２は、制御信号出力部１８２は、読み出し信号の信号レベルを一定にするための制御信号を作成して出力するものである。なお、制御信号出力部１８２による制御信号の作成については、特開昭５４−０９１１６５号公報に開示された方法を用いることができる。

また、Ａ／Ｄ変換部１９は、制御信号出力部１８２により出力された制御信号をデジタル値に変換するものである。

また、本実施の形態において、基準情報及び補正情報は、制御信号レベルと環境温度との関係が予め測定され、磁気ディスク１３に記録された情報である。また、レベル温度補正部１１及び浮上変動量算出部１２により、読み出し信号レベルに代わって制御信号レベルに基づいて、

ＴＡＡ１＝ａ×ｂｅｘｐ（Ｇ１）
ＴＡＡ２＝ａ×ｂｅｘｐ（Ｇ２）
ａ，ｂは、定数、Ｇ１，Ｇ２は、制御信号レベル

とすることにより、実施の形態１及び２と同様の方法により浮上変動量が算出される。

上述したように、本実施の形態によれば、読み出し信号の代わりにＡＧＣ回路１８による制御信号のレベル値に基づいて、浮上変動量を算出することができる。

実施の形態４．
本実施の形態は、浮上変動量の算出が、読み出し信号に対するフーリエ変換結果に基づいてなされる点が実施の形態１〜３とは異なる。なお、実施の形態３と同様に、本実施の形態において、浮上変動量の算出は基準情報、補正情報のどちらに基づく方法によりなされても構わない。以下、実施の形態１〜３と異なる構成及び動作について説明する。図１２は、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。

図１２に示すように、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、その構成において、サンプルタイミング発生器２０（測定部）、フーリエ変換演算部２１（測定部）を備える点が実施の形態１〜３とは異なる。また、本実施の形態に係る磁気記憶装置１は、Ａ／Ｄ変換器１９（測定部）を備える点が実施の形態１及び２とは異なる。なお、フーリエ変換演算部２２による機能は実質的にはＭＰＵ１７により実行される。

サンプルタイミング発生器２０は、所定のサンプルタイミングを出力するものである。Ａ／Ｄ変換器１９は、このサンプルタイミングに基づいて、ＡＧＣ回路から出力された再生信号（読み出し信号）をデジタル変換し、離散化されたデジタル・サンプリング値を出力する。なお、サンプル周波数は、読み出し信号としてのＦ２信号の周波数の２倍以上であれば良いが、本実施の形態においては、Ｆ２信号の周波数の４倍の周波数とする。また、サンプルタイミング発生器２０の動作は、例えば、特開２００４−７１０６０号公報に開示された方法に従って実施される。

また、フーリエ変換演算部２１は、Ａ／Ｄ変換器１９により出力されたデジタル・サンプリング値の信号をフーリエ変換して、Ｆ２の第一次基本波の振幅値を算出する。この振幅値の算出には、例えば、特開平９−３１２０７３号公報に開示された方法を用いる。すなわち、フーリエ変換演算部２２は、デジタル・サンプリング値により、Ｆ２信号成分の余弦係数及び正弦係数を演算し、これらの係数の二乗和の平方根を計算することによって、Ｆ２信号の振幅（第一次基本波の振幅）を算出する。

また、本実施の形態において、基準情報及び補正情報は、第一次基本波の振幅値と環境温度との関係が予め測定され、磁気ディスク１３に記録された情報である。また、レベル温度補正部１１及び浮上変動量算出部１２により、読み出し信号レベルに代わって振幅値に基づいて、実施の形態１または２と同様の方法により浮上変動量が算出される。

上述したように、本実施の形態によれば、読み出し信号の代わりに読み出し信号のフーリエ演算結果に基づいて、浮上変動量を算出することができる。

なお、上述した各実施の形態において、基本情報及び補正情報は、磁気ディスク１３に予め記録されているものとしたが、例えば、磁気記憶装置１に不揮発性メモリが備えられている場合、この不揮発性メモリに記録されていても構わない。

本発明は、その要旨または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、前述の実施の形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、何ら拘束されない。更に、特許請求の範囲の均等範囲に属する全ての変形、様々な改良、代替および改質は、全て本発明の範囲内のものである。

以上、本実施の形態によれば、以下の付記で示す技術的思想が開示されている。
（付記１） 磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上変動量測定方法であって、
前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定ステップと、
前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す読み出しステップと、
前記読み出しステップにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定ステップと、
予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定ステップにより測定された環境温度である測定温度と、前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出ステップと
を備える浮上変動量算出方法。
（付記２） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記記録された信号は所定の周波数の信号であることを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記３） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記関係情報は前記環境温度と該環境温度における信号値との対応を示す情報であり、
前記算出ステップは、前記関係情報において前記測定温度に対応する信号値と、前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記４） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記関係情報は前記環境温度と、所定の温度における信号値に対する比率との対応を示す情報であり、
前記算出ステップは、前記所定の温度における信号値と、前記関係情報において前記測定温度に対応する比率に基づいて補正された前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記５） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記測定ステップは、前記読み出しステップにより読み出された信号のレベル値を前記信号値とすることを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記６） 付記２に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記所定の周波数は、ナイキスト周波数の２分の１の周波数であることを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記７） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記読み出しステップは、前記磁気記録媒体における記録されたプリアンブルの信号を読み出すことを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記８） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記測定ステップは、前記読み出しステップにより読み出された信号のレベル値を一定にするための制御信号のレベル値を前記信号値とすることを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記９） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記測定ステップは、前記読み出しステップにより読み出された信号をフーリエ変換し、該フーリエ変換結果を前記信号値とすることを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記１０） 付記１に記載の浮上変動量算出方法であって、
前記算出ステップは、ワレスの式により浮上変動量を算出することを特徴とする浮上変動量算出方法。
（付記１１） 磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置であって、
前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定部と、
前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定部と、
予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定部により測定された環境温度である測定温度と、前記測定部により測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出部と
を備える磁気記憶装置。
（付記１２） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記記録された信号は所定の周波数の信号であることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１３） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記関係情報は前記環境温度と該環境温度における信号値との対応を示す情報であり、
前記算出部は、前記関係情報において前記測定温度に対応する信号値と、前記測定部により測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１４） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記関係情報は前記環境温度と、所定の温度における信号値に対する比率との対応を示す情報であり、
前記算出部は、前記所定の温度における信号値と、前記関係情報において前記測定温度に対応する比率に基づいて補正された前記測定部により測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１５） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記測定部は、前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベル値を前記信号値とすることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１６） 付記１２に記載の磁気記憶装置であって、
前記所定の周波数は、ナイキスト周波数の２分の１の周波数であることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１７） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記磁気ヘッドは、前記磁気記録媒体における記録されたプリアンブルの信号を読み出すことを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１８） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記測定部は、前記磁気ヘッドにより読み出された信号のレベル値を一定にするための制御信号のレベル値を前記信号値とすることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記１９） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記測定部は、前記磁気ヘッドにより読み出された信号をフーリエ変換し、該フーリエ変換結果を前記信号値とすることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記２０） 付記１１に記載の磁気記憶装置であって、
前記算出部は、ワレスの式により浮上変動量を算出することを特徴とする磁気記憶装置。

実施の形態１に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。 レベル測定部の構成を示す図である。 読み出し信号と略ピーク電圧の波形を示す図である。 Ｈｃと温度との関係を示すグラフの一例である。 Ｈｃの大きさと孤立波の半値幅との関係を示す図である。 環境温度と読み出し信号のレベルとの関係を示すグラフの一例である。 実施の形態１に係る磁気記憶装置の動作を示すフローチャートである。 環境温度と基準温度における信号レベルに対する比率との対応関係を示す図である。 実施の形態２に係る磁気記憶装置の動作を示すフローチャートである。 実施の形態３に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。 ＡＧＣ回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態４に係る磁気記憶装置の構成を示す図である。

符号の説明

１ 磁気記憶装置、１０ プリアンプ、１１ レベル温度補正部、１２ 浮上変動量算出部、１３ 磁気ディスク、１４ ライトヘッド、１５ リードヘッド、１６ 温度センサ、１７ ＭＰＵ。

Claims (6)

1. 磁気ヘッドにより磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置における前記磁気ヘッドの浮上変動量測定方法であって、
   前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定ステップと、
   前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す読み出しステップと、
   前記読み出しステップにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定ステップと、
   予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定ステップにより測定された環境温度である測定温度と、前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出ステップと
   を備える浮上変動量算出方法。
2. 請求項１に記載の浮上変動量算出方法であって、
   前記記録された信号は所定の周波数の信号であることを特徴とする浮上変動量算出方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の浮上変動量算出方法であって、
   前記関係情報は前記環境温度と該環境温度における信号値との対応を示す情報であり、
   前記算出ステップは、前記関係情報において前記測定温度に対応する信号値と、前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする浮上変動量算出方法。
4. 請求項１または請求項２に記載の浮上変動量算出方法であって、
   前記関係情報は前記環境温度と、所定の温度における信号値に対する比率との対応を示す情報であり、
   前記算出ステップは、前記所定の温度における信号値と、前記関係情報において前記測定温度に対応する比率に基づいて補正された前記測定ステップにより測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出することを特徴とする浮上変動量算出方法。
5. 磁気記録媒体に信号を記録する磁気記憶装置であって、
   前記磁気記憶装置の温度である環境温度を測定する温度測定部と、
   前記磁気記録媒体に記録された信号を読み出す磁気ヘッドと、
   前記磁気ヘッドにより読み出された信号に関係する値である信号値を測定する測定部と、
   予め測定された前記環境温度と前記信号値との関係を示す情報である関係情報と、前記温度測定部により測定された環境温度である測定温度と、前記測定部により測定された信号値とに基づいて、前記磁気ヘッドの浮上変動量を算出する算出部と
   を備える磁気記憶装置。
6. 請求項５に記載の磁気記憶装置であって、
   前記記録された信号は所定の周波数の信号であることを特徴とする磁気記憶装置。

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