JP2010056458A - Method of manufacturing light emitting element - Google Patents

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Katsuaki Masaki
Takanori Yasuda
隆則 安田
克明 正木
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Kyocera Corp
京セラ株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a light emitting element in which adverse effect of environmental temperature variation in a fabricating process is small. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the light emitting element includes the processes of: (1) forming a plurality of first laminates; (2) forming a plurality of second laminates by laminating a metal body 5 and a second bonding portion 6 in order; (3) mounting the second laminates on the first laminates by heating; (4) removing a substrate 1 for growth; (5) removing a support substrate 4 to form a first electrode 5a; and (6) forming a second electrode 7 on an optical semiconductor element 2. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device.

近年、光半導体から構成される発光素子が開発されており、照明装置などの用途に用いられている。 Recently, the light emitting element and an optical semiconductor have been developed and used in applications such as lighting devices. このような発光素子としては、例えば、青色発光素子、紫外光発光素子などのIII族―V族系化合物半導体が挙げられる。 Examples of such a light-emitting element, for example, a blue light emitting element, and a Group III -V group compound semiconductor, such as ultraviolet light emitting element.

発光素子の開発とともに、発光素子の製造方法についても種々の方法が開発されており、例えば、成長用基板に発光素子を成長させたのち、発光素子を成長用基板から剥がして発光素子を作製する製造方法が開示されている(特許文献1参照)。 With the development of the light-emitting element, a method for manufacturing the light-emitting elements have been developed various methods, for example, after growing the light emitting element to the substrate for growth, to produce a light-emitting device peeling the light-emitting element from the growth substrate manufacturing process is disclosed (see Patent Document 1).
特開2001−244503号公報 JP 2001-244503 JP

しかしながら、特許文献1では、サファイアなどのウェハサイズの成長用基板上に光半導体層を形成し、金属などのウェハサイズの導電性基板を加熱により接合する工程を含むため、温度減少時に、成長用基板と導電性基板との熱膨張係数差の違いにより、成長用基板と導電性基板との間で歪みが生じる。 However, in Patent Document 1, for containing a step of an optical semiconductor layer formed on a growth substrate wafer sizes, such as sapphire, bonded by heating the conductive substrate wafer sizes, such as metal, during the temperature decrease, for growth the difference in thermal expansion coefficient difference between the substrate and the conductive substrate, the distortion between the growth substrate and the conductive substrate occurs. そのため、得られた発光素子は接合不良、半導体欠陥が発生する傾向があった。 Therefore, the light-emitting device obtained has poor bonding, the semiconductor defects tended to occur.

本発明の目的は、作製工程における温度変化に対して悪影響が小さい発光素子の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for producing a negative effect is small light emitting element with respect to temperature changes in a manufacturing process.

本発明は、(1)成長用基板上に、光半導体層と第1の接合部とを順次積層して第1の積層体を複数形成する工程と、(2)支持基板の、前記成長用基板と対向させたとき前記第1の接合部と対向する位置に、金属体と第2の接合部とを順次積層して第2の積層体を複数形成する工程と、(3)加熱することにより前記第1の接合部と前記第2の接合部とを接合させて前記第1の積層体に前記第2の積層体を実装する工程と、(4)前記成長用基板を除去する工程と、(5)前記支持基板を除去して前記金属体を露出させ、第1の電極とする工程と、(6)前記光半導体素子上に導電層を形成して第2の電極とする工程と、 The present invention (1) to the growth substrate, a step of forming a plurality of first laminate by sequentially laminating an optical semiconductor layer and the first joint portion, (2) a supporting substrate, for the growth at a position opposite to the first joint when brought into substrate and a counter, and a step of forming a plurality of second laminate by sequentially laminating a metal body and the second joining portion, (3) heating a step of mounting the first junction and the second junction and the second laminate on the first laminate by bonding a result, the step of removing the substrate (4) the growth , (5) the supporting substrate is removed to expose the metal body, comprising the steps of: a first electrode, a step of the second electrode to form a conductive layer (6) on the optical semiconductor element ,
を具備する発光素子の製造方法に関する。 The method of manufacturing a light emitting device having a.

前記工程(1)は、(1−1)前記成長用基板上に、前記第1の積層体のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長抑制マスクパターンを形成して、相互に分離された複数の前記成長用基板上に露出部を形成する工程と、(1−2)前記成長用基板上の露出部に、エピタキシャル成長によって前記第1の積層体を複数形成する工程と、 Wherein step (1) is, (1-1) the on the growth substrate, forming a growth suppression mask pattern with a material consisting of inert material to the epitaxial growth of the first laminate, separated from each other forming an exposed portion is a plurality of the growth substrate, a step of forming a plurality of the first laminate by (1-2) wherein the exposed portion of the growth substrate, epitaxial growth,
(1−3)前記成長抑制マスクパターンを除去する工程と、を含むことが好ましい。 (1-3) preferably contains a step of removing the growth suppression mask pattern.

前記成長用基板と前記第1の積層体が異種材料である場合、前記工程(4)において、レーザーリフトオフにより前記成長用基板を除去することが好ましい。 When the first laminate and the growth substrate is a different material, in the step (4), it is preferable to remove the growth substrate by laser lift-off.

前記金属体がCuであり、前記成長用基板がサファイアであることが好ましい。 Wherein the metal body is Cu, it is preferable that the growth substrate is a sapphire.

前記工程(2)において、前記支持基板と前記金属体との間に、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低い融点を有する第3の接合部を介して接合され、前記工程(5)において、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低く、前記第3の接合部の融点よりも高い温度に前記支持基板と前記金属体とを加熱することにより前記支持基板を除去することが好ましい。 In the step (2), wherein between the support substrate and the metal member are joined via a third joint having a melting point lower than that of the first junction and the second junction heating in said step (5), the first lower than the melting point of junction and the second junction, the third said support substrate to a temperature higher than the melting point of the junction between the said metal body it is preferred to removing the supporting substrate by.

本発明の発光素子の製造方法は、支持基板の、前記成長用基板と対向させたとき前記第1の接合部と対向する位置に、金属体と第2の接合部とを順次積層して第2の積層体を複数形成する工程を具備する。 Method of manufacturing a light emitting device of the present invention, the supporting substrate, at a position opposed to the first joint when the grown substrate and the opposing, first by sequentially laminating the metal body and the second junction comprising the step of forming a plurality of second laminated material. 前記工程によりウェハサイズではなく、発光素子サイズの金属体を用いることにより、金属体と光半導体層との接続面積が小さくなり、金属体と成長用基板との間の熱膨張率係数の差により発生する歪みを減少させることができるため、熱膨張係数差を気にせず熱伝導率の高い金属体材料を使用することができる。 Rather than the wafer size by the process, by using the metal body of the light-emitting element size, connection area between the metal body and the optical semiconductor layer is reduced, the difference in coefficient of thermal expansion coefficients between the growth substrate and the metal body it is possible to reduce the distortion generated, it is possible to use a high thermal conductivity metal material without worrying about the thermal expansion coefficient difference. また、加熱後の温度減少時に生じる金属体と成長用基板との間の歪みを抑制することができるため、半導体層のクラック発生を抑制し歩留まり良く発光素子を作製することができる。 Further, it is possible to suppress the distortion between the metal body that occurs during a temperature decrease after heating and the growth substrate can be manufactured with a high yield emitting device suppressing the generation of cracks semiconductor layer.

本発明の発光素子の製造方法において、工程(1)が、(1−1)前記成長用基板上に、前記光半導体層のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長抑制マスクパターンを形成して、相互に分離された前記成長用基板上に露出部を複数形成する工程と、(1−2)前記成長用基板上の複数の露出部に、エピタキシャル成長によって前記積層体を複数形成する工程と、(1−3)前記成長抑制マスクパターンを除去する工程と、を含むことが好ましい。 The method of manufacturing a light-emitting device of the present invention, step (1) is a (1-1) wherein the growth substrate, the growth suppression mask pattern with a material consisting of inert material to the epitaxial growth of the light semiconductor layer formed by the steps of forming a plurality of exposed portions are separated from each other the growth substrate, (1-2) a plurality of exposed portions of the growth substrate, forming a plurality of the laminate by epitaxial growth and step preferably contains a step of removing (1-3) the growth suppression mask pattern. これにより、複数の第1の積層体をまとめて形成することができる。 This makes it possible to form together a plurality of first stack.

本発明の発光素子の製造方法において、前記成長用基板と前記第1の積層体が異種材料である場合、前記工程(4)において、レーザーリフトオフにより前記成長用基板を除去することが好ましい。 The method of manufacturing a light-emitting device of the present invention, when the said growth substrate a first stack is different materials, in the step (4), it is preferable to remove the growth substrate by laser lift-off. これにより、成長用基板を容易に除去することが可能となる。 Thereby, it becomes possible to easily remove the growth substrate. 更にダイシングする必要無く素子を分離できる。 Further it can be separated without the need element dicing. 硬度が高くダイシング困難なサファイア基板をダイシングする必要が無く、またダイシングと比べて無駄になる素子領域も非常に少なくなる。 It is not necessary hardness dicing the high dicing difficult sapphire substrate and the element region is wasted as compared to the dicing becomes very small.

本発明の発光素子の製造方法において、前記金属体がCuであり、前記成長用基板がサファイアであることが好ましく、Cuの熱伝導率が高く、発光素子で発生した熱を効率良く外部に放熱できる。 The method of manufacturing a light-emitting device of the present invention, a said metal body is Cu, it is preferable that the growth substrate is a sapphire, high thermal conductivity of Cu, the heat generated in the light emitting element to the outside efficiently radiating it can. なおかつ前記金属体が発光素子サイズであるため、金属体と成長用基板との熱膨張率差が大きなCuとサファイアとであっても、温度減少時に半導体層のクラックの発生を低減できる。 For yet the metal body is a light-emitting element size, even in the thermal expansion coefficient difference large Cu and sapphire growth substrate and the metal member, it is possible to reduce the occurrence of cracks in the semiconductor layer when the temperature decreases.

前記工程(2)において、前記支持基板と前記金属体との間に、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低い融点を有する第3の接合部を介して接合され、前記工程(5)において、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低く、前記第3の接合部の融点よりも高い温度に前記支持基板と前記金属体とを加熱することにより前記支持基板を除去することが好ましい。 In the step (2), wherein between the support substrate and the metal member are joined via a third joint having a melting point lower than that of the first junction and the second junction heating in said step (5), the first lower than the melting point of junction and the second junction, the third said support substrate to a temperature higher than the melting point of the junction between the said metal body it is preferred to removing the supporting substrate by. これにより、第1の接合部および第2の接合部を密着させたまま、第1および第2の接合部への影響の小さい状態で支持基板のみを除去することができる。 Thus, it is possible to remain in close contact with the first joint portion and the second joint portion, removing the support substrate only in a small state influence of the first and second junction.

以下、図面を参照しながら本発明の発光素子の製造方法を詳細に説明する。 Hereinafter, detailed description of the method of manufacturing the light emitting device of the present invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の発光素子の製造方法の示す断面図である。 Figure 1 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the light emitting device of the present invention.

図1において、1は成長用基板、2は光半導体層、2aはバッファ層、2bは第1導電型(n型)の半導体層、2cは発光層、2dは第2導電型(p型)の半導体層、2eはテンプレート層、3は第1の接合部、4は支持基板、5は金属体(第1の電極)、6は第2の接合部、7は導電層(第2の電極)、8は発光素子、10は成長抑制マスクパターンをそれぞれ示す。 In Figure 1, 1 is a growth substrate, 2 is an optical semiconductor layer, 2a is a buffer layer, 2b semiconductor layer of a first conductivity type (n-type), 2c light emitting layer, 2d and the second conductivity type (p-type) the semiconductor layer, 2e template layer, the first joint 3, the supporting substrate 4, 5 metal body (first electrode), a second joint 6, 7 conductive layer (second electrode ) 8 emitting element, 10 indicates a growth inhibiting mask pattern, respectively.

本発明の発光素子の製造方法は、(1)成長用基板上に、光半導体層と第1の接合部とを順次積層して第1の積層体を複数形成する工程と、(2)支持基板の、前記成長用基板と対向させたとき前記第1の接合部と対向する位置に、金属体と第2の接合部とを順次積層して第2の積層体を複数形成する工程と、(3)加熱することにより前記第1の接合部と前記第2の接合部とを接合させて前記第1の積層体に前記第2の積層体を実装する工程と、(4)前記成長用基板を除去する工程と、(5)前記支持基板を除去して前記金属体を露出させ、第1の電極とする工程と、(6)前記光半導体素子上に導電層を形成して第2の電極とする工程と、を具備する。 The method of manufacturing the light emitting device of the present invention, (1) on the growth substrate, a step of forming a plurality of first laminate by sequentially laminating an optical semiconductor layer and the first joint portion, (2) support of the substrate, at a position opposed to the first joint when the grown substrate and a counter, and a step of forming a plurality of second laminate by sequentially laminating a metal body and the second joining portion, (3) a step of mounting the second laminate to the first joint portion and the second the first laminate and the joint by joining by heating, (4) for the growth removing the substrate, (5) the supporting substrate is removed to expose the metal body, comprising the steps of: a first electrode, (6) the optical second by forming a conductive layer on a semiconductor device a step of the electrodes comprises a.

以下にそれぞれの工程について説明する。 It will be described each step below.

(工程1) (Step 1)
工程1では、図1(a)に示すように、成長用基板1上に、光半導体層2と第1の接合部3とを順次積層して第1の積層体を複数形成する。 In step 1, as shown in FIG. 1 (a), on a growth substrate 1, forming a plurality of first laminate by sequentially laminating the light semiconductor layer 2 and the first joint portion 3.

成長用基板1は、光半導体層2を成長させることが可能な基板であればよい。 The growth substrate 1 may be any substrate that can grow a optical semiconductor layer 2. 具体的に、基板1としては、サファイア(Al )、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化亜鉛(ZnO),シリコンカーバイド(SiC)等が挙げられる。 Specifically, as the substrate 1, a sapphire (Al 2 O 3), gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (ZnO), include silicon carbide (SiC) or the like. 基板20aの厚みとしては、100μm〜1000μm程度である。 The thickness of the substrate 20a, is about 100 m to 1000 m.

光半導体層2としては、III族窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体などが挙げられる。 The optical semiconductor layer 2, III-nitride semiconductor, III-V compound semiconductor, such as group II-VI compound semiconductor can be mentioned. ここで、III族窒化物半導体とは、元素周期律表におけるIII族(13族)元素の窒化物から構成される半導体を意味する。 Here, the group III nitride semiconductor means a semiconductor consisting of Group III (group 13) nitrides of elements in the Periodic Table of the Elements. III族窒化物半導体は化学式Al x Ga y In 1-xy N(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)で表すことができる。 Group III nitride semiconductor can be represented by the formula Al x Ga y In 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1,0 ≦ y ≦ 1, x + y ≦ 1). III族窒化物半導体としては、例えば、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)、窒化インジウム(InN)などが挙げられる。 The group III nitride semiconductor, for example, gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), and the like indium nitride (InN).

図1(a)の場合、光半導体層2は、バッファ層2a、第1導電型の半導体層2b、発光層及2cおよび第2導電型の半導体層2dで構成される。 For FIG. 1 (a), the optical semiconductor layer 2, a buffer layer 2a, a first conductivity type semiconductor layer 2b, formed in the light emitting layer 及 2c and the second conductivity type semiconductor layer 2d.

バッファ層2aは、成長用基板1と光半導体層2との間の応力を緩和させるために好適に形成される。 Buffer layer 2a is preferably formed in order to relax the stress between the growth substrate 1 and the optical semiconductor layer 2. バッファ層2aは、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどの材料から構成される。 Buffer layer 2a is, for example, gallium nitride, and a material such as aluminum nitride. バッファ層2aの厚みは0.01〜0.2μm程度である。 The thickness of the buffer layer 2a is about 0.01 to 0.2 [mu] m.

第1導電型の半導体層2bとしては、n型の半導体層が挙げられる。 The first conductive type semiconductor layer 2b, n-type semiconductor layer and the like. 例えば、III族窒化物半導体層をn型とするには、元素周期律表においてIV族の元素であるSi等をドーパントとして窒化物半導体層に混入させればよい。 For example, a group III nitride semiconductor layer on the n-type, the Si or the like is an element of group IV in the periodic table of the elements it is sufficient mixed into the nitride semiconductor layer as a dopant. 第1導電型の半導体層2bの厚みは2〜3μm程度である。 The thickness of the first conductive type semiconductor layer 2b is about 2 to 3 [mu] m.

第2導電型の半導体層2dとしては、p型の窒化物半導体が挙げられる。 As the semiconductor layer 2d of the second conductivity type, and a p-type nitride semiconductor. 例えば、III族窒化物半導体層をp型とするには、元素周期律表においてII族の元素であるMg等をドーパントとして窒化物半導体層に混入させればよい。 For example, a group III nitride semiconductor layer on the p-type, the Mg and the like may be caused mixed into the nitride semiconductor layer as a dopant is an element of Group II in the periodic table of elements. 第2導電型の半導体層2dの厚みは200〜500nm程度である。 The thickness of the second conductive type semiconductor layer 2d is about 200 to 500 nm.

発光層2cは、第1導電型の半導体層2bと第2導電型の半導体層2dとの間に設けられる。 Emitting layer 2c is provided between the first conductive type semiconductor layer 2b and the semiconductor layer 2d of the second conductivity type. 発光層2cは、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とから成る量子井戸構造が複数回(例えば約3回)繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造(MQW)としてもよい。 Emitting layer 2c as a quantum well structure composed of a large barrier layer bandgap narrower well layer bandgap multiple times (e.g., about 3 times) regularly stacked multiple quantum well (MQW) structure it may be. なお、前記障壁層としては、In 0.01 Ga 0.99 N層などが挙げられる。 Incidentally, as the barrier layer, and the like In 0.01 Ga 0.99 N layer. また、井戸層としては、In 0.11 Ga 0.89 N層などが挙げられる。 As the well layer, and the like In 0.11 Ga 0.89 N layer. 障壁層の厚みは5〜15nm程度、井戸層の厚みは2〜10nm程度である。 The thickness of the barrier layer is about 5 to 15 nm, the thickness of the well layer is about 2 to 10 nm. 発光層2cの厚みは25〜150nm程度である。 The thickness of the light-emitting layer 2c is about 25~150Nm.

成長用基板1上における光半導体層2の成長方法としては、分子線エピタキシー(MBE;Molecular Beam Epitaxy)法、有機金属エピタキシー(MOVPE;Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法、ハイドライド気相成長(HVPE;Hydride Vapor Phase Epitaxy)、パルスレーザデポジション(PLD;Pulsed Laser deposition)法等が用いられる。 As a growth method of the optical semiconductor layer 2 in the growth substrate on 1, molecular beam epitaxy (MBE; Molecular Beam Epitaxy) method, an organometallic epitaxy (MOVPE; Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) method, a hydride vapor phase epitaxy (HVPE; Hydride® Vapor Phase Epitaxy), pulsed laser deposition (PLD; pulsed laser deposition) method and the like.

工程1において、光半導体層2上に第1の接合部3を形成する。 In step 1, to form a first joint portion 3 on the optical semiconductor layer 2. 第1の接合部3は真空蒸着法、スパッタリング法等の方法により設けられ、厚みは0.1〜10μm程度である。 The first joint portion 3 is a vacuum deposition method, provided by the method such as a sputtering method, the thickness is about 0.1 to 10 [mu] m. また、第1の接合部3は、Au−Snの合金、Pb−Sn合金などの材料により構成される。 The first joint section 3, an alloy of Au-Sn, composed of material such as Pb-Sn alloy.

工程1において、第1の積層体を複数形成する方法としては、作製した第1の積層体を分割する方法、マスクを形成し成長用基板1の領域を先に分割させ、その後に第1の積層体を成長させる方法などが挙げられる。 In step 1, as a method of forming a plurality of first laminate, a method of dividing the first laminate thus prepared was divided areas of the growth substrate 1 to form a mask first and then to the first a method of growing a laminate thereof. 作製した第1の積層体を分割する方法としては、例えば、ダイシング、分割する領域以外にエッチングマスクを形成した後にドライエッチングを行う方法などが挙げられる。 As a method of dividing the first laminated member produced, for example, dicing, a method of dry etching and the like after forming the etching mask in addition to the divided regions.

また、成長用基板1の領域を先に分割させ、その後に第1の積層体を成長させる方法の具体例は、以下の図2に示す。 Further, by dividing the area of ​​the growth substrate 1 above, specific examples of a method of growing a first laminate thereafter are shown in Figure 2 below.

まず、成長用基板1上に成長抑制マスクパターンを形成する(図2(a))。 First, a growth suppression mask pattern on a growth substrate 1 (FIG. 2 (a)). その際、バッファ層2a上にテンプレート層2eを成長させたのち、マスクを形成する領域だけエッチング等によりバッファ層2aおよびテンプレート層2eを除去しておく。 At that time, after the template layer 2e is grown on the buffer layer 2a, keep removing the buffer layer 2a and the template layer 2e by only etching area to form a mask. なぜなら成長用基板はテンプレート層と分離されるので、テンプレート層を分割しておかないとテンプレート層では各々の半導体層は繋がったままになってしまうからである。 Because since the growth substrate is separated from the template layer, If you do not divide the template layer a template layer since become remain connected each of the semiconductor layers. ここで、テンプレート層2eとは、成長抑制マスク10上には成長させないように、半導体層2bを選択的に成長させるために用いられる。 Here, the template layer 2e, on the growth inhibition mask 10 so as not to grow, it is used to selectively grow a semiconductor layer 2b. テンプレート層2eは、第1導電型の半導体層2bがバッファ層無しでエピタキシャル成長する材料であり、厚みは1〜5μm程度である。 Template layer 2e is a material in which the first conductivity type semiconductor layer 2b is epitaxially grown without a buffer layer, thickness of about 1 to 5 [mu] m.

成長抑制マスクパターン10は、III族窒化物半導体のエピタキシャル成長に対して不活性の材料から成る物質により形成される。 Growth suppression mask pattern 10 is formed by material consisting of inert material to a group III nitride semiconductor epitaxial growth. ここで、成長抑制マスクパターン10に使用される材料としては、具体的にはSiO 2 ,多結晶シリコンなどが挙げられる。 Examples of the materials used for the growth suppression mask pattern 10, specifically SiO 2, such as polycrystalline silicon. これらはIII族窒化物半導体のエピタキシャル成長に対して不活性である。 They are inert to the Group III nitride semiconductor epitaxial growth.

成長抑制マスクパターン10は、具体的に、蒸着、CVD等によりマスク材料を一面に成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングをすることにより形成される。 Growth suppression mask pattern 10, specifically, vapor deposition, after forming a mask material on a surface by CVD or the like, is formed by photolithography and etching.

成長抑制マスクパターン10を形成した後に、テンプレート層2e上に成長抑制マスクパターン10によって分離された、第1導電型の半導体層2bと、発光層2cと、第2導電型の半導体層2dと、を、エピタキシャル成長によって形成する(図2(b)参照)。 After forming the growth suppression mask pattern 10, separated by growth suppression mask pattern 10 on the template layer 2e, and the semiconductor layer 2b of the first conductivity type, a light emitting layer 2c, and the semiconductor layer 2d of the second conductivity type, and formed by epitaxial growth (see Figure 2 (b)).

そして、それらを形成したのちに、成長抑制マスクパターン10を除去させる(図2(c))。 Then, after forming them, thereby removing the growth suppression mask pattern 10 (FIG. 2 (c)). 具体的に、マスク材料がSiO の場合はフッ酸、多結晶シリコンの場合は硝酸及びフッ酸による混酸によるウェットエッチングをすることにより成長抑制マスクパターン10を除去する。 Specifically, if the mask material is SiO 2 in the case of hydrofluoric acid, polycrystalline silicon removing the growth suppression mask pattern 10 by wet etching using a mixed acid with nitric acid and hydrofluoric acid.

(工程2) (Step 2)
工程2では、図1(b)に示すように、支持基板4の、成長用基板1と対向させたとき第1の接合部3と対向する位置に、金属体5と第2の接合部6とを順次積層して第2の積層体を複数形成する。 In step 2, as shown in FIG. 1 (b), the supporting substrate 4, the growth substrate 1 and the counter is positioned facing the first connection portion 3 when allowed, metal member 5 and the second joint portion 6 DOO sequentially laminated to form a plurality of second laminate a.

支持基板4は、アルミナ、窒化アルミ等のセラミックや、ガラス、ステンレス等の金属、ガラスエポキシ基板などの材料により構成される。 Supporting substrate 4 is composed of alumina, ceramics or such as aluminum nitride, glass, metal such as stainless steel, a material such as a glass epoxy substrate. 支持基板4の材料は成長用基板1の材料と熱膨張係数が近いことが好ましい。 Material of the supporting substrate 4 is preferably a material having a thermal expansion coefficient of the growth substrate 1 is near. 支持基板4の厚みは0.5〜5mm程度である。 The thickness of the support substrate 4 is about 0.5 to 5 mm.

金属体5は、支持基板4上に、成長用基板1と対向させたとき第1の接合部3と対向する位置に複数作製される。 Metal body 5, on the supporting substrate 4, are a plurality fabricated at a position opposite to the first joint portion 3 when to face the growth substrate 1. 平面視したときの金属体5の面積は、光半導体層2を平面視したときの面積と等しい、またはそれ以上である。 Area of ​​the metal member 5 in a plan view is equal to the area when an optical semiconductor layer 2 in plan view, or more. このように、本発明の製造方法において金属体5は、チップサイズ(0.2〜5mm角程度)で使用される。 Thus, the metal body 5 in the production method of the present invention, is used in chip size (approximately 0.2~5mm angle).

金属体5の作製方法としては、例えば、支持基板上に、ウェハサイズの金属体を設けてそれらを接合したのち、ダイシングにより、チップサイズに分割する方法などが挙げられる。 As a manufacturing method of the metal body 5, for example, on a support substrate, after joining them by providing a metal body of the wafer size, by dicing, and a method of dividing the chip size.

金属体5としては、Cu−W合金などが挙げられるが、本発明の製造方法では、Cu単体から構成される金属体5を使用することが可能となる。 As the metal member 5 is such as Cu-W alloys, the production method of the present invention, it is possible to use the metal body 5 composed of Cu alone. 従来では、例えば、成長用基板1としてサファイア基板を用いた場合、金属体5としては熱膨張係数がサファイア基板と近いCu−W合金が用いられていた。 Conventionally, for example, the case of using a sapphire substrate as a growth substrate 1, the thermal expansion coefficient of the sapphire substrate and near Cu-W alloy has been used as the metal member 5. しかし、Cu−W合金は、熱伝導性が不十分であったため、より熱伝導性に優れるCu単体から構成される金属体5の使用が望まれていた。 However, Cu-W alloy, the thermal conductivity was insufficient, the use of constructed metal member 5 from Cu alone with more excellent thermal conductivity has been desired.

本発明では、チップサイズの金属体5を用いることで、金属体と光半導体層との接続面積が小さくなる。 In the present invention, by using the metal member 5 in the chip size, connection area between the metal body and the optical semiconductor layer is reduced. これにより、ウェハサイズの金属体の場合と比較して、金属体と成長用基板との間の熱膨張率係数の差により発生する歪みを減少させることができるため、金属体5として、Cu単体を用いることが可能となる。 Thus, as compared with the case of the metal body of the wafer size, it is possible to reduce the distortion generated by the difference in thermal expansion coefficient between the growth substrate and the metal body, the metal body 5, Cu alone it is possible to use.

第2の接合部6は、第1の接合部3と接合するための部位である。 The second joint portion 6 is a portion for connecting a first connection portion 3. 第2の接合部6はメッキ法、スパッタリング法、真空蒸着法などの方法により設けられ、厚みは1〜100μm程度である。 The second joint portion 6 plating method, a sputtering method, provided by a method such as a vacuum deposition method, the thickness is about 1 to 100 [mu] m. また、第2の接合部6はAn−Sn合金、Pb−Sn合金などの材料により構成される。 Also configured the second joint portion 6 An-Sn alloy, a material such as Pb-Sn alloy.

工程2において、支持基板4と金属体5との間には、第3の接合部が設けられることが好ましい。 In step 2, between the supporting substrate 4 and the metal body 5, it is preferable that the junction of the third are provided. これにより、支持基板4上に金属体5が十分に保持される。 Thus, the metal body 5 is sufficiently retained on the support substrate 4. 支持基板4と金属体5とは、150〜400℃に加熱することで行われる。 A supporting substrate 4 and the metal body 5 is carried out by heating it to 150 to 400 ° C..

第3の接合部の融点は、第1の接合部3および第2の接合部6の融点よりも低いことが好ましい。 The melting point of the third joint portion is preferably lower than the melting point of the first joint portion 3 and the second joint portion 6. このような第3の接合部としては、例えば、インジウム、スズ、鉛およびこれらの合金、UV硬化熱剥離接着剤などが挙げられる。 As the third junctions, such as indium, tin, lead and their alloys, such as UV curable thermal peeling adhesive.

第3の接合部の融点は、第1の接合部3および第2の接合部6の融点よりも低いことにより、後述する工程3において第1の接合部3と第2の接合部6とを接合させた後、温度が減少して接合部同士が凝固しても、第3の接合部は液体である期間が長い。 The melting point of the third joint, by lower than the melting point of the first joint portion 3 and the second joint portion 6, the first joint portion 3 in the step 3 to be described later and a second junction 6 after bonding, even solidified bonding portions decreased temperatures, the third junction long periods is a liquid. よって、金属体5と支持体4の間の熱膨張係数の相違があったとしても、第3の接合部が緩衝となり、熱膨張係数の影響を小さくすることができる。 Therefore, even if there is a difference in thermal expansion coefficient between the metal member 5 and the support 4, it is possible to joint the third is a buffer to reduce the effects of thermal expansion coefficient.

(工程3) (Step 3)
工程3は、加熱することにより第1の接合部3と第2の接合部6とを接合させて第1の積層体に第2の積層体を実装する工程をいう(図1(c)参照)。 Step 3 refers to the step of mounting the second laminate to the first joint portion 3 and the first laminate is bonded to the second joint portion 6 by heating (FIG. 1 (c) refer to ). 第1の接合部3と第2の接合部6とは、150〜400℃に加熱することで行われる。 A first joint portion 3 and the second joint portion 6, is carried out by heating to 150 to 400 ° C..

(工程4) (Step 4)
工程4において、成長用基板1を除去する。 In step 4, removing the growth substrate 1. 除去方法としては、レーザーリフトオフ(成長用基板1と光半導体層2とが異種材料の場合)、基板の研磨などが挙げられる。 As removal method (for the growth substrate 1 and the optical semiconductor layer 2 is dissimilar materials) laser lift-off, etc. polishing substrates. なかでもレーザー照射により簡易に成長用基板1を除去できるため、レーザーリフトオフが除去方法として好ましい。 Because it can remove the growth substrate 1 easily by inter alia the laser irradiation, the laser lift-off is preferred as a method for removing. また、工程3において、加熱された際に、そのサイクルの中でレーザーリフトオフを行うようにしてもよい。 In the step 3, when heated, may be performed with a laser lift-off in its cycle. この場合、成長用基板1が先に除去された状態で支持基板4が冷却されるので、熱応力の蓄積を防止することができる。 In this case, since the growth substrate 1 is a supporting substrate 4 in a state of being previously removed is cooled, it is possible to prevent build up of heat stress.

(工程5) (Step 5)
工程5において支持基板を除去して金属体5を露出させ、第1の電極とする。 The supporting substrate is removed to expose the metal member 5 in step 5, the first electrode. 除去方法としては、例えば、加熱により第3の接合部を融かし、光半導体層2を真空吸着する方法などの方法が挙げられる。 As removal method, for example, melt the third joint portion by heating, the optical semiconductor layer 2 and a method such as a method of vacuum suction. また、第3の接合部に、熱により剥離する接着剤を用いた場合は、工程3の熱処理で接着力が減少しているため、光半導体層2に粘着シートを貼り付けるだけで、光半導体層2は支持基板4から容易に除去される。 Further, the third joint, when using an adhesive that is peeled by heat, since the adhesive strength in the heat treatment of step 3 is reduced, only pasting the adhesive sheet to the optical semiconductor layer 2, an optical semiconductor layer 2 is easily removed from the supporting substrate 4.

とくに金属体5と支持基板4との間に第3の接合部を設けており、その第3の接合部の融点が、第1の接合部3および第2の接合部6の融点よりも低い場合、工程5において、第1の接合部3および第2の接合部6の融点よりも低く、第3の接合部の融点よりも高い温度に加熱することで、第1および第2の接合部への影響の小さい状態で支持基板のみを除去することができる。 In particular and by providing a third joint between the metal member 5 and the supporting substrate 4, the melting point of the third joint portion is lower than the melting point of the first joint portion 3 and the second joint portion 6 If, in step 5, the first lower than the melting point of the joint portion 3 and the second joint portion 6, by heating to a third temperature higher than the melting point of the junction of the first and second junction only the supporting substrate in a small state influence on can be removed.

(工程6) (Step 6)
工程6において、光半導体素子2上に導電層7を形成して第2の電極とする。 In step 6, a second electrode to form a conductive layer 7 on the optical semiconductor element 2.

導電層7は電流を素子全面に拡散させる為の導電部7aと、外部と電気的接触を取るパッド電極7bから構成される。 Conductive layer 7 and the conductive portion 7a for diffusing a current to the device over the entire surface, and a pad electrode 7b take external electrical contact. 導電部7aとしては、ITO、ZnOなどの透明導電膜材料、Ti, Al,Rhなどの金属材料が用いられる。 The conductive portion 7a, ITO, transparent conductive material such as ZnO, Ti, Al, a metal material such as Rh used.

導電層7aは、真空蒸着法、スパッタリング法などの方法により作製される。 Conductive layer 7a, a vacuum vapor deposition method, is manufactured by a method such as a sputtering method. また、導電層7aの厚みは約0.1〜5μmである。 The thickness of the conductive layer 7a is about 0.1 to 5 [mu] m. 導電層7aは必ずしも無くても良く、導電層7aによる光の吸収を抑えつつ電流拡散の効果を得る為に、例えば格子状にパターニングしてあっても良い。 Conductive layer 7a may be not necessarily, in order to obtain the effect of the current spreading while suppressing the absorption of light by the conductive layer 7a, it may be each other by patterning for example a grid.

次にワイヤーボンディングを行う為のパッド電極7bを形成する。 Then to form the pad electrode 7b for performing wire bonding. パッド電極7bは第1導電型の半導体層2bまたは導電部7aと接合できるように、例えば、チタン、またはチタンを下地層として金層を積層したものを用いる。 Pad electrode 7b, as can be bonded to the semiconductor layer 2b or conductive portion 7a of the first conductivity type, for example, used after the gold layer stacked titanium, or titanium as the underlying layer.

パッド電極7bは、真空蒸着法、スパッタリング法などの方法により形成される。 Pad electrode 7b, a vacuum vapor deposition method, is formed by a method such as a sputtering method. パッド電極7bの厚みは約0.5〜5μmである。 The thickness of the pad electrode 7b is about 0.5 to 5 [mu] m.

以上のように、工程1〜6を経ることにより、発光素子8を作製することができる。 As described above, by going through the steps 1 to 6, it is possible to fabricate a light emitting element 8.

なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。 The present invention is not limited to the embodiment described above, any way no problem is be variously modified within a scope not departing from the gist of the present invention.

(a)〜(e)は、本発明の発光素子の製造方法の一つの実施の形態を示す断面図である。 (A) ~ (e) is a cross-sectional view showing one embodiment of a method of manufacturing a light emitting device of the present invention. (a)〜(c)は、本発明の発光素子の製造方法の工程1の一つを示す断面図である。 (A) ~ (c) is a cross-sectional view showing one step 1 of the method for manufacturing the light emitting device of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1:成長用基板2:光半導体層2a:バッファ層2b:第1導電型(n型)の半導体層2c:発光層2d:第2導電型(p型)の半導体層2e:テンプレート層3:第1の接合部4:支持基板5:金属体(第1の電極) 1: Growth substrate 2: optical semiconductor layer 2a: Buffer layer 2b: a semiconductor layer 2c of a first conductivity type (n-type): light emitting layer 2d: a semiconductor layer 2e of the second conductivity type (p-type): Template layer 3: the first joint 4: supporting substrate 5: metal body (first electrode)
6:第2の接合部7:導電層(第2の電極) 6: the second joint portion 7: conductive layer (a second electrode)
7a:導電部7b:パッド電極8:発光素子10:成長抑制マスクパターン 7a: conductive portion 7b: pad electrode 8: light emitting device 10: Growth suppression mask pattern

Claims (5)

  1. (1)成長用基板上に、光半導体層と第1の接合部とを順次積層して第1の積層体を複数形成する工程と、 (1) on the growth substrate, a step of forming a plurality of first laminate an optical semiconductor layer and the first joint portion are sequentially laminated,
    (2)支持基板の、前記成長用基板と対向させたとき前記第1の接合部と対向する位置に、金属体と第2の接合部とを順次積層して第2の積層体を複数形成する工程と、 (2) a supporting substrate, at a position opposed to the first joint when the grown substrate and the counter, forming a plurality of second laminate by sequentially laminating a metal body and the second junction a step of,
    (3)加熱することにより前記第1の接合部と前記第2の接合部とを接合させて前記第1の積層体に前記第2の積層体を実装する工程と、 (3) a step of mounting the first junction and the second junction and the second laminate on the first laminate by joining by heating,
    (4)前記成長用基板を除去する工程と、 (4) removing the growth substrate,
    (5)前記支持基板を除去して前記金属体を露出させ、第1の電極とする工程と、 (5) the supporting substrate is removed to expose the metal body, comprising the steps of: a first electrode,
    (6)前記光半導体素子上に導電層を形成して第2の電極とする工程と、 (6) a step of the second electrode to form a conductive layer on the optical semiconductor element,
    を具備する発光素子の製造方法。 Method of fabricating a light emitting device having a.
  2. 前記工程(1)は、 Wherein step (1) is
    (1−1)前記成長用基板上に、前記第1の積層体のエピタキシャル成長に対して不活性な材料から成る物質により成長抑制マスクパターンを形成して、相互に分離された複数の前記成長用基板上に露出部を形成する工程と、 (1-1) wherein the growth substrate, the first to form a growth suppression mask pattern with a material consisting of inert material to the epitaxial growth of the stack, a plurality of the growth which are separated from each other forming an exposed portion on the substrate,
    (1−2)前記成長用基板上の露出部に、エピタキシャル成長によって前記第1の積層体を複数形成する工程と、 (1-2) on the exposed portion of the growth substrate, a step of forming a plurality of the first laminate by epitaxial growth,
    (1−3)前記成長抑制マスクパターンを除去する工程と、 (1-3) removing the growth suppression mask pattern,
    を含む請求項1記載の発光素子の製造方法。 Method of manufacturing a light emitting device according to claim 1 comprising a.
  3. 前記成長用基板と前記第1の積層体が異種材料である場合、前記工程(4)において、レーザーリフトオフにより前記成長用基板を除去する請求項1または2記載の発光素子の製造方法 When the first laminate and the growth substrate is a different material, in the step (4), the method of manufacturing the light emitting device according to claim 1 or 2 wherein removing the growth substrate by laser lift-off
  4. 前記金属体がCuであり、前記成長用基板がサファイアである請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子の製造方法。 Wherein a metal body is Cu, the method of manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 3 wherein the growth substrate is a sapphire.
  5. 前記工程(2)において、前記支持基板と前記金属体との間に、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低い融点を有する第3の接合部を介して接合され、 In the step (2), wherein between the support substrate and the metal member are joined via a third joint having a melting point lower than that of the first junction and the second junction ,
    前記工程(5)において、前記第1の接合部および前記第2の接合部の融点よりも低く、前記第3の接合部の融点よりも高い温度に前記支持基板と前記金属体とを加熱することにより前記支持基板を除去する請求項1乃至4のいずれか記載の発光素子の製造方法。 In the step (5), the first lower than the melting point of the joint and the second joint portion is heated and the third said support substrate to a temperature higher than the melting point of junction of the said metal body method of manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, removing the supporting substrate by.
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Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4778107B1 (en) * 2010-10-19 2011-09-21 有限会社ナプラ A light-emitting device, and a method of manufacturing
JP2012238795A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor element manufacturing method
WO2013074375A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
EP2631948A2 (en) 2012-02-21 2013-08-28 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8686542B2 (en) 2012-07-06 2014-04-01 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
KR20140053530A (en) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US8789573B2 (en) 2011-11-18 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9012930B2 (en) 2012-09-13 2015-04-21 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device providing graded brightness
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9511498B2 (en) 2012-09-07 2016-12-06 Apple Inc. Mass transfer tool
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity

Cited By (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4778107B1 (en) * 2010-10-19 2011-09-21 有限会社ナプラ A light-emitting device, and a method of manufacturing
CN102456827A (en) * 2010-10-19 2012-05-16 纳普拉有限公司 Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8766312B2 (en) 2010-10-19 2014-07-01 Napra Co., Ltd. Light-emitting device comprising vertical conductors and through electrodes and method for manufacturing the same
JP2012238795A (en) * 2011-05-13 2012-12-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor element manufacturing method
US9620478B2 (en) 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US9463613B2 (en) 2011-11-18 2016-10-11 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8552436B2 (en) 2011-11-18 2013-10-08 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode structure
US8558243B2 (en) 2011-11-18 2013-10-15 LuxVue Technology Corporation Micro device array for transfer to a receiving substrate
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
WO2013074374A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US10121864B2 (en) 2011-11-18 2018-11-06 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US10297712B2 (en) 2011-11-18 2019-05-21 Apple Inc. Micro LED display
WO2013074375A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US9831383B2 (en) 2011-11-18 2017-11-28 Apple Inc. LED array
US8789573B2 (en) 2011-11-18 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
EP2631948A2 (en) 2012-02-21 2013-08-28 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same
US8952415B2 (en) 2012-02-21 2015-02-10 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same
EP2631948A3 (en) * 2012-02-21 2014-01-22 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9895902B2 (en) 2012-05-08 2018-02-20 Apple Inc. Compliant micro device transfer head
US9370864B2 (en) 2012-05-08 2016-06-21 Apple Inc. Compliant micro device transfer head
US9505230B2 (en) 2012-05-08 2016-11-29 Apple Inc. Compliant micro device transfer head
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9000566B2 (en) 2012-07-06 2015-04-07 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US8686542B2 (en) 2012-07-06 2014-04-01 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US8945968B2 (en) 2012-09-06 2015-02-03 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9511498B2 (en) 2012-09-07 2016-12-06 Apple Inc. Mass transfer tool
US10183401B2 (en) 2012-09-07 2019-01-22 Apple Inc. Mass transfer tool
US9012930B2 (en) 2012-09-13 2015-04-21 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device providing graded brightness
US9240522B2 (en) 2012-09-13 2016-01-19 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device providing graded brightness
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
KR20140053530A (en) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
KR101969308B1 (en) * 2012-10-26 2019-04-17 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
US9484237B2 (en) 2013-06-04 2016-11-01 Apple Inc. Mass transfer system
US9570427B2 (en) 2013-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Method for integrating a light emitting device
US9876000B2 (en) 2013-06-17 2018-01-23 Apple Inc. Method for integrating a light emitting device
US9240397B2 (en) 2013-06-17 2016-01-19 LuxVue Technology Corporation Method for integrating a light emitting device
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US10256221B2 (en) 2013-06-17 2019-04-09 Apple Inc. Method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9865577B2 (en) 2013-06-18 2018-01-09 Apple Inc. LED display with wavelength conversion layer
US9599857B2 (en) 2013-06-18 2017-03-21 Apple Inc. LED display with wavelength conversion layer
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9379092B2 (en) 2013-07-08 2016-06-28 Apple Inc. Micro device with stabilization post
US9209348B2 (en) 2013-07-08 2015-12-08 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9620695B2 (en) 2013-07-08 2017-04-11 Apple Inc. Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9922966B2 (en) 2013-12-17 2018-03-20 Apple Inc. Display module and system applications
US9582036B2 (en) 2013-12-17 2017-02-28 Apple Inc. Display module and system applications
US10147711B2 (en) 2013-12-17 2018-12-04 Apple Inc. Display module and system applications
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US10183396B2 (en) 2014-05-08 2019-01-22 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US10150669B2 (en) 2014-06-12 2018-12-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate

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