JP2010021166A - Plasma processing device - Google Patents

Plasma processing device Download PDF

Info

Publication number
JP2010021166A
JP2010021166A JP2008177489A JP2008177489A JP2010021166A JP 2010021166 A JP2010021166 A JP 2010021166A JP 2008177489 A JP2008177489 A JP 2008177489A JP 2008177489 A JP2008177489 A JP 2008177489A JP 2010021166 A JP2010021166 A JP 2010021166A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
plasma
shielding plate
formed
plate
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008177489A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Hiyama
真 檜山
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
株式会社日立国際電気
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing device with a hardly deformable shield plate attaining processing cost reduction.
SOLUTION: An asher device 10 includes a plasma source section 430 generating plasma, a susceptor 459 mounting a wafer 600 and two layers of non-metal shield plates 510, 540 disposed between the plasma source section 430 and the susceptor 459. Hole parts 512 and 542 are respectively formed in the shield plates 510, 540 and are disposed not to overlap on each other when viewed from the direction of the plasma source section 430. The hole parts 512 and 542 are disposed to deviate from each other by a half pitch.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体基板等の被処理基板を、プラズマ処理するプラズマ処理装置に関し、例えば、反応性ガスを放電させ、プラズマ化させることにより得られる反応性を有する反応種によって、被処理基板の表面の所定の薄膜を除去するドライアッシングや、ドライエッチングをする工程に用いられる装置に関する。 The present invention, a substrate to be processed, such as, for example, a semiconductor substrate, relates to a plasma processing apparatus for plasma processing, for example, a reactive gas is discharged, the reactive species having a reactive obtainable by plasma, the substrate to be processed and dry ashing for removing a predetermined thin film on the surface, an apparatus for use in the step of dry etching.

例えば、ドライアッシングを行うプラズマ処理装置であって、気密な処理室内に被処理基板を装填し、処理室の上部に設けられたプラズマ源に原料ガスを供給しながら高周波電力を印加し、プラズマを発生させ、プラズマ中で生成される反応性活性種(ラジカル)によって被処理基板上のレジストを酸化、気化してレジストを除去するプラズマ処理装置が知られている。 For example, a plasma processing apparatus for performing dry ashing, loading a substrate to be processed in an airtight processing chamber, a high-frequency power is applied while supplying the raw material gas into a plasma source provided on the upper portion of the processing chamber, the plasma is generated, oxidizing the resist on the substrate to be processed by reactive active species generated in the plasma (radicals), a plasma processing apparatus for removing the resist is known to vaporize. このようなプラズマ処理装置では、レジストが有機膜であるため、一般にO や、O を主体としたガスが用いられる。 In such a plasma processing apparatus, since the resist is an organic film, typically O 2 or a gas composed mainly of O 2 is used.

プラズマ中では、電気的に中性のラジカルの他に、電荷を持った電子(自由電子)とイオンとが同時に生成される。 In the plasma, in addition to the radical of electrically neutral, electrons having charge with (free electrons) and ions are generated simultaneously. そして、これらの電子とイオンとが処理基板の表面に到達すると、処理基板が帯電し、該処理基板を用いて製造されるデバイスの不良原因となる。 When the these electrons and ions reach the surface of the treated substrate, substrate is charged, the failure cause of devices fabricated using the substrate. ここで、基板の帯電を防止するためには、プラズマを生成するプラズマソース部分と基板を処理する処理室とを隔離し、ラジカルのみが処理基板の表面に到達するような遮蔽板を設けることが望ましい。 Here, in order to prevent charging of the substrate, that separates the processing chamber for processing a plasma source portion and the substrate for generating a plasma, providing a shielding plate such that only radicals reach the surface of the substrate desirable.
従来、遮蔽板は、例えば、アルミ等の導電性材料に複数の貫通孔を形成したものが用いられ、これらの貫通孔径を小さくすることで、自由電子、イオンを遮蔽する効果を得ることができた。 Conventionally, the shielding plate, for example, those having a plurality of through-holes in the conductive material such as aluminum is used, by reducing these through-pore diameter can be obtained free electrons, the effect of shielding the ion It was.

しかしながら、従来のプラズマ処理装置では、一つの遮蔽板で、自由電子等を遮蔽しつつ、ラジカルを処理室へ供給するものであるため、小径の多数の孔を遮蔽板に形成する必要があり、遮蔽板の加工費が高額となるとの問題点があった。 However, in the conventional plasma processing apparatus, one of the shielding plate, while shielding the free electrons or the like, because it supplies a radical into the processing chamber, it is necessary to form a number of holes of small diameter in the shielding plate, there is a problem with the processing cost of the shielding plate is expensive. また、十分な遮蔽の効果を得るために、遮蔽板の材料として導電性を有する金属を用いる必要があるため、熱耐性を得にくく、遮蔽板内において温度差が生じると、遮蔽板に熱変形が生じやすいとの問題があった。 Further, in order to obtain the effect of sufficiently shielding, it is necessary to use a metal having conductivity as a material of the shielding plate, difficult to obtain heat resistance, the temperature difference in the shielding plate occurs, thermal deformation to shield there was a problem with the prone.

本発明の目的は、加工費を低減することができ、変形が生じにくい遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供することにある。 An object of the present invention, it is possible to reduce processing costs, it is to provide a modified plasma processing apparatus having a hardly occurs shield.

本発明は、プラズマを生成するプラズマ生成部と、被処理基板を載置する載置部と、前記プラズマ生成部と前記載置部との間に設けられ、少なくとも2層の非金属性の遮蔽板と、を有するプラズマ処理装置である。 The present invention comprises a plasma generating unit for generating plasma, a mounting portion for mounting a substrate to be processed, is provided between the plasma generating part and the mounting section, at least two layers a non-metallic shield is a plasma processing apparatus having a plate, a.

本発明によれば、加工費を低減することができ、変形が生じにくい遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the processing cost, can provide a modified plasma processing apparatus having a hardly occurs shield.

次に、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 本発明の実施例においては、プラズマ処理装置として用いられ、半導体製造装置として用いられるアッシャ装置により、半導体装置の製造方法が実現される。 In the embodiment of the present invention, used as the plasma processing apparatus, the ashing device used as a semiconductor manufacturing device, a manufacturing method of the semiconductor device can be realized.
図1は、本発明の適用される実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略横断面図であり、図2は、本発明の適用される実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an ashing apparatus according to the applied embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic for explaining an ashing apparatus according to the applied embodiment of the present invention it is a longitudinal sectional view.

図1、図2に示されるように、アッシャ装置10は、EFEM(Equipment Front End Module)100と、ロードロックチャンバ部200と、トランスファーモジュール部300と、アッシング処理がなされる処理室として用いられるプロセスチャンバ部400とを備えている。 Figure 1, as shown in FIG. 2, the process of ashing apparatus 10 includes a EFEM (Equipment Front End Module) 100, a load lock chamber 200, a transfer module 300, is used as a processing chamber for ashing process is performed and a chamber portion 400.

EFEM100は、FOUP(Front Opening Unified Pod)110、120、及びFOUP110、120それぞれからロードロックチャンバへウエハを搬送する第1の搬送部である大気搬送ロボット130を備える。 EFEM100 includes a FOUP (Front Opening Unified Pod) 110,120, and FOUP110,120 atmospheric transfer robot 130 is a first conveying unit that conveys the wafer to the load lock chamber from each.
FOUPには、例えば、25枚のウエハが搭載され、大気搬送ロボット130のアーム部が、FOUPから例えば5枚ずつウエハを抜き出す。 The FOUP, for example, is equipped with a 25 wafers, the arm portion of the atmospheric transfer robot 130, extract the wafers from the FOUP example five sheets. ここで、ウエハは、被処理基板として用いられている。 Here, the wafer is used as a substrate to be processed.

ロードロックチャンバ部200は、ロードロックチャンバ250、260と、FOUPから搬送されたウエハ600(図3参照)をロードロックチャンバ250、260内でそれぞれ保持するバッファユニット210、220とを備えている。 The load lock chamber 200 includes a load lock chamber 250 and 260, and a buffer unit 210 and 220 for holding each wafer 600 which has been conveyed from the FOUP (see FIG. 3) in the load lock chambers 250 and 260. バッファユニット210、220は、ボート211、221と、その下部のインデックスアセンブリ212、222とを備えている。 Buffer units 210 and 220 includes a boat 211 and 221, and the index assembly 212 and 222 thereunder. ボート211(221)と、その下部のインデックスアセンブリ212(222)は、図1中に矢印214、224で示される方向である、θ軸を中心とした方向に同時に回転する。 A boat 211 (221), the index assembly 212 thereunder (222) is a direction indicated by arrows 214 and 224 in FIG. 1, rotated simultaneously in the direction around the θ axis.

トランスファーモジュール部300は、搬送室として用いられるトランスファーモジュール310を備えており、先述のロードロックチャンバ250、260は、ゲートバルブ311、312を介して、トランスファーモジュール310に取り付けられている。 Transfer module unit 300 includes a transfer module 310 for use as a transfer chamber, the foregoing load lock chambers 250, 260 via a gate valve 311 and 312 are attached to the transfer module 310. トランスファーモジュール310には、第2の搬送部として用いられる真空アームロボットユニット320が設けられている。 The transfer module 310, the vacuum arm robot unit 320 to be used as the second conveying unit is provided.

プロセスチャンバ部400は、処理室として用いられるプラズマ処理ユニット410、420を有している。 The process chamber 400 includes a plasma processing unit 410 and 420 for use as a processing chamber. プラズマ処理ユニット410、420は、ゲートバルブ313、314を介してトランスファーモジュール310に取り付けられている。 The plasma processing unit 410, 420 is attached to the transfer module 310 through a gate valve 313 and 314.

図3には、プラズマ処理ユニット410の詳細が示されている。 3 shows the details of the plasma processing unit 410 is shown. 尚、先述のプラズマ処理ユニット420は、プラズマ処理ユニット410と同じ構成である。 The plasma processing unit 420 of the foregoing has the same configuration as the plasma processing unit 410.
プラズマ処理ユニット410は、半導体基板や半導体素子に乾式処理でアッシングを施す高周波無電極放電型のプラズマ処理ユニットである。 The plasma processing unit 410 is a high-frequency electrodeless discharge type plasma processing unit ashing a dry process on a semiconductor substrate or a semiconductor device. プラズマ処理ユニット410は、プラズマを生成するためのプラズマソース部430、半導体基板などのウエハ600を収容する処理室445、プラズマソース部430(特に共振コイル432)に高周波電力を供給する高周波電源444、及び高周波電源444の発振周波数を制御する周波数整合器446を備えている。 The plasma processing unit 410, the plasma source 430 for generating a plasma processing chamber 445 for accommodating the wafer 600 such as a semiconductor substrate, supplying high frequency power to the plasma source 430 (in particular, the resonance coil 432) the high-frequency power supply 444, and a frequency matching device 446 for controlling the oscillation frequency of the high frequency power source 444.

また、プラズマ処理ユニット420は、架台として用いられる水平なベースプレート448を有し、ベースプレート448の上部に前記のプラズマソース部430を配置し、ベースプレート448の下部に処理室445を配置して構成される。 The plasma processing unit 420 has a horizontal base plate 448 to be used as a platform, the plasma source 430 is disposed on top of the base plate 448, constituted by arranging the processing chamber 445 at the bottom of the base plate 448 . また、共振コイル432と外側シールド452とで、螺旋共振器が構成される。 Further, in the resonance coil 432 and the outer shield 452, helical resonator is constructed.

プラズマソース部430は、減圧可能に構成され且つプラズマ用の反応ガスが供給され、反応容器431と、反応容器の外周に巻回された共振コイル432と、共振コイル432の外周に配置され且つ電気的に接地された外側シールド452とから構成される。 Plasma source 430, the vacuum can be configured and the reaction gas for plasma is supplied, and the reaction vessel 431, the resonant coil 432 wound around the outer periphery of the reaction vessel, is disposed on the outer periphery of the resonance coil 432 and electrically specifically constructed from grounded outer shield 452 Metropolitan.

反応容器431は、通常、高純度の石英硝子やセラミックスにて円筒状に形成された所謂チャンバである。 The reaction vessel 431 is typically a so-called chamber formed in a cylindrical shape in a high purity quartz glass or ceramic. 反応容器431は、通常、軸線が垂直になるように配置され、トッププレート454及び処理室445によって上下端が気密に封止される。 The reaction vessel 431 is typically positioned such that the axis line is perpendicular, the upper and lower ends by a top plate 454 and the processing chamber 445 is hermetically sealed. 反応容器431の下方の処理室445の底面には、複数(例えば4本)の支柱461によって支持されるサセプタ459が設けられ、サセプタ459には、サセプタテーブル411及びサセプタ上のウエハを加熱する基板加熱部463が具備される。 The bottom surface of the lower processing chamber 445 of the reaction vessel 431, a plurality (e.g., four) susceptor 459 supported by pillars 461 are provided, and the susceptor 459 to heat the wafer on the susceptor table 411 and the susceptor substrate heating unit 463 is provided.

サセプタ459の下方に、排気板465が配設される。 Below the susceptor 459, the exhaust plate 465 is disposed. 排気板465は、ガイドシャフト467を介して底板469に支持され、底板469は処理室445の下面に気密に設けられる。 Exhaust plate 465 is supported on the bottom plate 469 through the guide shaft 467, the bottom plate 469 is provided hermetically on the lower surface of the processing chamber 445. 昇降基板471が、ガイドシャフト467をガイドとして昇降自在に動くように設けられる。 Lifting the substrate 471 is provided so as to move freely up and down the guide shaft 467 as a guide. 昇降基板471は、少なくとも3本のリフターピン413を支持している。 Lifting the substrate 471 supports at least three lifter pins 413.

リフターピン413は、サセプタ459を貫通する。 The lifter pin 413, through the susceptor 459. そして、リフターピン413の頂には、ウエハ600を支持するウエハ支持部414が設けられている。 Then, on the top of the lifter pin 413, wafer support 414 for supporting the wafer 600 is provided.
ウエハ支持部414は、サセプタ459の中心方向に延出している。 Wafer support 414, extends toward the center of the susceptor 459. リフターピン413の昇降によって、ウエハ600をサセプタテーブル411に載置し、あるいはサセプタテーブル411から持ち上げることができる。 The lifting of the lifter pin 413, the wafer 600 is placed on the susceptor table 411, or can be lifted from the susceptor table 411. 底板469を経由して、昇降駆動部(図示略)の昇降シャフト473が昇降基板471に連結されている。 Via bottom plate 469, the lift shaft 473 of the elevation drive unit (not shown) is connected to the lift base 471. 昇降駆動部が昇降シャフト473を昇降させることで、昇降基板471とリフターピン413を介して、ウエハ支持部414が昇降する。 By elevating driving unit vertically moving the lifting shaft 473, via the lift base 471 and the lifter pin 413, wafer support 414 moves up and down.

サセプタ459と排気板465の間に、バッフルリング458が設けられる。 Between the susceptor 459 and the exhaust plate 465, baffle ring 458 is provided. バッフルリング458、サセプタ459、排気板465で第一排気室474が形成される。 Baffle ring 458, susceptor 459, first exhaust chamber 474 is formed in the exhaust plate 465. 円筒状のバッフルリング458は、通気孔が多数均一に設けられている。 Cylindrical baffle ring 458 is provided uniformly many vents. 従って、第一排気室474は、処理室445と仕切られ、また通気孔によって、処理室445と連通している。 Therefore, the first exhaust chamber 474 is partitioned and the processing chamber 445, also by the vent holes, in communication with the processing chamber 445.

排気板465に、排気連通孔475が設けられる。 An exhaust plate 465, an exhaust passage 475 is provided. 排気連通孔475によって、第一排気室474と第二排気室476が連通される。 By the exhaust communicating hole 475, a first exhaust chamber 474 second exhaust chamber 476 is communicated with. 第二排気室476には、排気管480が連通されており、排気管480には排気装置479が設けられている。 The second exhaust chamber 476, an exhaust pipe 480 is communicated with an exhaust device 479 is provided in the exhaust pipe 480.

反応容器431の上部のトッププレート454には、ガス供給ユニットから伸長され、且つ所要のプラズマ用の反応ガスを供給するためのガス供給管455が、ガス導入口433を介して付設されている。 The top plate 454 the top of the reaction vessel 431 is extended from the gas supply unit, and the required gas supply pipe 455 for supplying the reaction gas for plasma, are attached through a gas inlet 433. ガス供給ユニットは、ガスの流量を制御する機能を持ち、具体的には流量制御部であるマスフローコントローラ477及び開閉弁478を有している。 Gas supply unit has a function of controlling the flow rate of the gas, in particular it has a mass flow controller 477 and closing valve 478 which is a flow rate control unit. マスフローコントローラ477及び開閉弁478を制御することで、ガスの供給量を制御する。 By controlling the mass flow controller 477 and closing valve 478 controls the supply amount of the gas.

また、反応容器431内には、反応ガスを反応容器431の内壁に沿って流れるようにするための略円板形で、石英からなるバッフル板460が設けられている。 Further, the reaction vessel 431, a substantially disc-shaped in order that the reaction gas flows along the inner wall of the reaction vessel 431, baffle plate 460 made of quartz is provided. 尚、流量制御部及び排気装置479によって供給量、排気量を調整することにより、処理室445の圧力が調整される。 Incidentally, the amount supplied by the flow control unit and the exhaust unit 479, by adjusting the exhaust rate, the pressure of the process chamber 445 is adjusted.

尚、本装置は、以上の構成に限らず、次のようにしてサセプタを支持しても良い。 Note that the present apparatus is not limited to the above configuration, it may support the susceptor as follows.
すなわち、サセプタ下面中心部に、柱状の第二のサセプタ支持部を設け、サセプタ459を支持し、サセプタ支持部の内側にヒータや、ヒータに電力を供給するヒータ線等が格納するように構成しても良い。 That is, the susceptor bottom surface center portion, the second susceptor support portion of the pillar is provided to support the susceptor 459, a heater or on the inside of the susceptor support portion, configured to heater wire for supplying electric power to the heater to store and it may be. このような構成とすることにより、各線がプラズマや処理ガスにさらされることがないため、サセプタの耐性を向上させることができる。 With such a configuration, since there is never each line is exposed to plasma or the process gas, it is possible to improve the resistance of the susceptor.

共振コイル432は、所定の波長の定在波を形成するため、一定波長モードで共振するように巻径、巻回ピッチ、巻数が設定される。 Resonant coil 432, to form a standing wave having a predetermined wavelength, winding diameter to resonate at a fixed wavelength mode, the winding pitch, number of turns is set. すなわち、共振コイル432の電気的長さは、高周波電源444から供給される電力の所定周波数における1波長の整数倍(1倍、2倍、…)又は半波長もしくは1/4波長に相当する長さに設定される。 That is, the electrical length of the resonant coil 432, 1 integer multiple of the wavelength at the predetermined frequency of the power supplied from the high frequency power source 444 (1-fold, 2-fold, ...) or the length corresponding to a half wavelength or a quarter wavelength It is set to be.
例えば、1波長の長さは、13.56MHzの場合約22メートル、27.12MHzの場合約11メートル、54.24MHzの場合約5.5メートルになる。 For example, the length of one wavelength is about 22 meters For 13.56 MHz, about 11 m For 27.12 MHz, is about 5.5 m when the 54.24MHz.
共振コイル432は、絶縁性材料にて平板状に形成され且つベースプレート448の上端面に鉛直に立設された複数のサポートによって支持される。 Resonant coil 432 is supported by a plurality of support that is vertically erected on the upper end surface of the formed in a plate shape and the base plate 448 by an insulating material.

共振コイル432の両端は電気的に接地されるが、共振コイル432の少なくとも一端は、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に当該共振コイルの電気的長さを微調整するため、可動タップ462を介して接地される。 Although both ends of the resonance coil 432 is electrically grounded, at least one end of the resonance coil 432, to fine-tune the electrical length of the resonant coil when changing the first time or the processing conditions of the installation of the device It is grounded via a movable tap 462. 図3中の符号464は他方の固定グランドを示す。 Code 464 in FIG. 3 shows the other fixed ground. さらに、装置の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に共振コイル432のインピーダンスを微調整するため、共振コイル432の接地された両端の間には、可動タップ466によって給電部が構成される。 Further, for finely adjusting the impedance of the resonance coil 432 when changing the first time or the processing conditions of the installation of the device, between the grounded ends of the resonant coil 432, the feeding portion is constituted by a movable tap 466 that.

すなわち、共振コイル432は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え且つ高周波電源444から電力供給される給電部を各グランド部の間に備え、しかも、少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされ、そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。 That is, the resonant coil 432 is provided with a feeding section for electrical ground part that is grounded and provided at both ends will be powered from a high frequency power source 444 between the ground portion, moreover, at least one of the ground portion, positioning It is a possible variable ground unit and power supply unit is a position-adjustable variable power source. 共振コイル432が可変式グランド部及び可変式給電部を備えている場合には、後述するように、プラズマソース部430の共振周波数及び負荷インピーダンスを調整するにあたり、より一層簡便に調整することができる。 When the resonance coil 432 and a variable ground part and variable feed section, as described later, when adjusting the resonance frequency and load impedance of the plasma source 430 can be adjusted more easily .

外側シールド452は、共振コイル432の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイル432との間に形成するために設けられる。 The outer shield 452 is configured to shield the leakage of electromagnetic waves to the outside of the resonance coil 432 is provided a capacitive component necessary for constituting the resonance circuit in order to form between the resonant coil 432. 外側シールド452は、一般的には、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料を使用して円筒状に形成される。 The outer shield 452 is generally an aluminum alloy, using a conductive material such as copper or a copper alloy is formed into a cylindrical shape. 外側シールド452は、共振コイル432の外周から、例えば5〜150mm程度隔てて配置される。 The outer shield 452 is disposed from the outer periphery of the resonance coil 432, for example, spaced about 5 to 150 mm.

高周波電源444の出力側にはRFセンサ468が設置され、進行波、反射波等をモニタしている。 The output side of the high-frequency power source 444 is installed RF sensor 468, which monitors the traveling wave, the reflected wave or the like. RFセンサ468によってモニタされた反射波電力は、周波数整合器446に入力される。 Reflected power monitored by the RF sensor 468 is input to the frequency matching device 446. 周波数整合器446は、反射波が最小となるよう周波数を制御する。 Frequency matching device 446 controls the frequency so that the reflected wave is minimized.

また、アッシャ装置10は、制御部として用いられるコントローラ470を有する。 Moreover, ashing apparatus 10 includes a controller 470 which is used as a control unit.
コントローラ470は、単に高周波電源444のみを制御するものではなく、アッシャ装置10全体の制御を行っている。 The controller 470, rather than simply controls only the high-frequency power supply 444, control is performed of the entire ashing apparatus 10. コントローラ470には、表示部であるディスプレイ472が接続されている。 The controller 470, the display 472 is connected is a display unit. ディスプレイ470は、例えば、RFセンサ468による反射波のモニタ結果等、アッシャ装置10に設けられた各種検出部で検出されたデータ等を表示する。 Display 470 may, for example, a monitor results of the reflected wave by the RF sensor 468, and displays the detected data or the like by the various detection unit provided in the ashing apparatus 10.

以上のように構成されたアッシャ装置10では、ロードロックチャンバ250、260へウエハ600が搬送され、ロードロックチャンバ250、260内が真空引き(真空置換)され、ロードロックチャンバ250、260から、トランスファーモジュール310を経て、ウエハ600がプラズマ処理ユニット410、420へと搬送され、プラズマ処理ユニット410、420でウエハ600からレジストの除去がなされ(除去工程)、レジストの除去がなされたウエハ600が、トランスファーモジュール310を経て再びロードロックチャンバ250、260へ搬送される。 In ashing apparatus 10 configured as described above, the transfer wafer 600 to the load lock chamber 250 and 260, the load lock chambers 250 and 260 is evacuated (vacuum-substituted), from the load lock chamber 250 and 260, transfer through the module 310, the wafer 600 is transported to the plasma treatment unit 410 and 420, the plasma processing unit 410, 420 removed from the wafer 600 of the resist is performed by (removing step), the wafer 600 which resist removal has been performed, the transfer through the module 310 is again conveyed to the load lock chamber 250 and 260.

この際、大気搬送ロボット130が矢印131で示すθ軸方向に回転し、バッファユニット210、220のボート211、221にウエハを搭載する。 At this time, the atmospheric transfer robot 130 is rotated in the θ-axis direction indicated by the arrow 131, for mounting the wafer boat 211 and 221 of the buffer unit 210 and 220. このとき、ボート211、221のZ軸230方向の動作により、ボート211、221は、大気搬送ロボット130から25枚のウエハ600を受け取る。 At this time, the Z-axis 230 direction of movement of the boat 211 and 221, the boat 211 and 221 receives the wafer 600 of 25 sheets from the atmospheric transfer robot 130. 25枚のウエハを受け取った後、ボート211、221の最下層にあるウエハがトランスファーモジュール部300の高さ位置に合うよう、ボート211、221をZ軸230方向に動作させる。 After receiving the 25 wafers so that wafers at the lowest layer of the boat 211 and 221 fit to the height position of the transfer module 300, to operate the boat 211 and 221 in the Z-axis 230 direction.

ロードロックチャンバ250、260においては、ロードロックチャンバ250、260内にバッファユニット210、220によって保持されているウエハ600を、真空アームロボットユニット320のフィンガー321に搭載する。 In the load lock chamber 250 and 260, the wafer 600 held by the buffer unit 210 and 220 in the load lock chamber 250 and 260, mounted on the finger 321 of the vacuum arm robot unit 320. θ軸325方向で真空アームロボットユニット320を回転し、さらにY軸326方向にフィンガーを延伸し、プラズマ処理ユニット410、420内のサセプタテーブル411上に移載する。 Rotating the vacuum arm robot unit 320 in θ-axis 325 direction, further finger extends in the Y-axis 326 direction, and transferred onto the susceptor table 411 in the plasma processing unit 410, 420.

ウエハ600を、フィンガー321からサセプタテーブル411、421へ移載するには、真空アームロボットユニット320のフィンガー321とリフターピン413との協働により、ウエハ600をサセプタテーブル411上に移載する。 The wafer 600, to transfer from the fingers 321 to the susceptor table 411 and 421, the fingers 321 and the lifter pin 413 in cooperation with the vacuum arm robot unit 320, transfers the wafer 600 on the susceptor table 411. また、逆の動作により、処理が終了したウエハ600をサセプタテーブル411から、真空アームロボットユニット320によって、ロードロックチャンバ250内のバッファユニット210にウエハ600を移載する。 Further, the reverse operation, the process from the susceptor table 411 of the wafer 600 has ended, the vacuum arm robot unit 320, transfers the wafer 600 in the buffer unit 210 in the load lock chamber 250.

プラズマ処理ユニット410においては、ウエハ600を搭載したフィンガー321が、処理室445に進入する。 In the plasma processing unit 410, the finger 321 provided with a wafer 600 enters the processing chamber 445. リフターピン413が上昇する。 Lifter pin 413 is raised. フィンガー321は、上昇されたリフターピン413にウエハ600を載置する。 Finger 321 places the wafer 600 in the lifter pin 413 is raised.

そして、搬送されたウエハ600を、室温に保持されたウエハ600を載置した後、アッシングガスを、ガス供給管433からプラズマソース部430に供給する。 Then, it supplies the wafer 600 that has been conveyed, after placing the wafer 600 held at room temperature, the ashing gas, the gas supply pipe 433 to the plasma source 430. アッシングガスは酸素、水素、水、アンモニア、四フッ化炭素(CF )等がある。 Ashing gas is oxygen, hydrogen, water, ammonia, carbon tetrafluoride (CF 4) or the like. ガス供給後、高周波電源444が、共振コイル432に電力を供給する。 After the gas supply, a high frequency power source 444 supplies power to the resonance coil 432.

そして、共振コイル432内部に励起される誘導磁界によって自由電子を加速し、ガス分子と衝突させることでガス分子を励起してプラズマを生成する。 Then, it accelerated free electrons by an induced magnetic field excited inside the resonance coil 432 to excite the gas molecules by colliding with gas molecules to generate a plasma. このようにして、プラズマ化されたアッシングガスにより、アッシング処理を行う。 In this way, the plasma has been ashed gas, ashing processing.

ここで、プラズマ生成時や、プラズマ処理中に処理条件を変動した場合(ガス種を増やす等)など、ガス流量やガス混合比、圧力が変化する場合がある。 Here, when the plasma generation and, for example, if you change the process conditions during the plasma treatment (such as increasing the gas species), in some cases the gas flow rate and gas mixture ratio, the pressure changes. このため、高周波電源444の負荷インピーダンスが変動してしまうことがある。 Therefore, there is the load impedance of the RF power supply 444 fluctuates. このような場合でも、周波数整合器446を有するため、ガス流量やガス混合比、圧力の変化にすぐに追従して高周波数電源444の発信周波数を整合することができる。 Even in this case, since it has a frequency matching device 446 can be matched gas flow rate and gas mixture ratio, to follow immediately the change in the pressure oscillation frequency of the high frequency power supply 444.

具体的には次の動作が行われる。 The following operations are performed in particular.
プラズマ生成時、共振コイル432の共振周波数に収束される。 During plasma generation, it is converged to the resonance frequency of the resonance coil 432. このとき、RFセンサ468が共振コイル432からの反射波をモニタし、モニタされた反射波のレベルを周波数整合器446に送信する。 At this time, RF sensor 468 monitors the reflected waves from the resonant coil 432, and transmits the level of the monitored reflected wave to the frequency matching device 446. 周波数整合器446は、反射波電力がその反射波が最小となるよう、高周波電源444の発信周波数を調整する。 Frequency matching device 446, so that the reflected power is the reflected wave is minimized, to adjust the oscillation frequency of the high frequency power source 444.

以上のように構成され、動作する本発明の実施形態に係るアッシャ装置10では、プラズマソース部430でガスをプラズマ化する際に、電気的に中性のラジカルの他に、電荷を持った電子(自由電子)とイオンとが同時に生成される。 Configured as described above, in the ashing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention operating, when plasma gas in the plasma source 430, in addition to the radical of electrically neutral, with a charge electrons (free electrons) and the ions are generated simultaneously. そして、これらの電子とイオンとがウエハ600にの表面に到達すると、ウエハ600が帯電し、ウエハ600を用いて製造されるデバイスの不良が生じる原因となる。 Then, with these electrons and ions reaches a surface of the wafer 600, the wafer 600 is charged, causing the failure of the device occurs manufactured using the wafer 600.

そこで、本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置10では、プラズマソース部430で生成される自由電子等によりウエハ600が帯電することにより生じるウエハ600の帯電を抑制するために、プラズマ処理ユニット410の構成に独自の工夫を施している。 Therefore, in the ashing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention, in order to wafer 600 to suppress charging of the wafer 600 caused by charging by the free electrons and the like generated by the plasma source 430, a plasma treatment unit 410 is subjected to its own twist on the configuration of the.
以下、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理ユニット410について説明する。 The following describes a plasma processing unit 410 according to the first embodiment of the present invention. 尚、本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置10は、先述の本発明の適用される実施形態に独自の工夫を施したもであり、特に説明をする部分以外は、前述の本発明の適用される実施形態と構成、動作ともに同一である。 Incidentally, asher apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention has also been subjected to its own devising the applicable previous embodiments of the present invention, except the portion particularly the description, the invention described above applied embodiment and configuration are the same in operation both.

図4には、本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置10が有するプラズマ処理ユニット410が示されている。 Figure 4 shows the plasma processing unit 410 having the ashing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention.
本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理ユニット410は、先述の本発明が適用される実施形態に係るプラズマ処理装置410が有する構成に加えて、遮蔽板510、540を有している。 Plasma processing unit 410 according to the first embodiment of the present invention, in addition to the components included in the plasma processing apparatus 410 according to the embodiment described above of the present invention is applied, and a shielding plate 510,540. 尚、この第1の実施形態においては、遮蔽板510、遮蔽板540と2枚の遮蔽板が用いられ、遮蔽板が2層となっているが、遮蔽板は少なくとも2枚あり、少なくとも2層となっていれば良い。 Incidentally, in this first embodiment, the shielding plate 510, the shield plate 540 and the two shielding plates are used, but the shielding plate has a two-layer, the shielding plate is at least two, at least two layers it is sufficient that a.

遮蔽板510、540は、それぞれが、例えば石英、石英ガラス、SiC(炭化珪素)、無アルカリガラス等からなり、非金属性である。 Shield 510,540 are each, for example, quartz, quartz glass, SiC (silicon carbide), made of alkali-free glass or the like, which is non-metallic. このため、例えばアルミニウム等の金属を遮蔽板として用いた場合と比較して耐熱性が得られやすく、例えば中央部が集中的に加熱されたとしても、遮蔽板内での温度分布が生じにくく熱変形が生じにくいため、金属を用いた場合と比較して機械的強度を維持することが容易となる。 Thus, for example, a metal such as aluminum easily heat resistance can be obtained as compared with the case of using as a shielding plate, for example, even the central portion is heated intensively, hardly occurs a temperature distribution in the shielding plate heat the deformation is less likely to occur, it is easy to maintain mechanical strength as compared with the case of using a metal.

また、遮蔽板510、540は、耐プラズマ性を有している。 Further, the shielding plate 510,540 has a plasma resistance. ここで、耐プラズマ性とは、例えばアルミニウム等の金属と比較して、プラズマによって劣化しにくいことをいう。 Here, the plasma resistance, for example in comparison with metals such as aluminum, means that hardly deteriorated by plasma.

遮蔽板510、遮蔽板540は、遮蔽板510の下方に遮蔽板540が配置されるように、プラズマを生成するプラズマソース部430と、被処理基板として用いられるウエハ600が載置される載置部として用いられるサセプタ459との間に設けられている。 Shielding plate 510, the shielding plate 540, as the shielding plate 540 is disposed below the shielding plate 510, a plasma source 430 for generating plasma, placed the wafer 600 to be used as a target substrate is placed It is provided between the susceptor 459 to be used as a part. 具体的には、遮蔽板540の上方にスペーサー548を介して遮蔽板510が重ねられ、重ねられた状態の遮蔽板510、スペーサー548、及び遮蔽板540が、アダプタ544によって重力方向下方から支持されている。 Specifically, the shield plate 510 via the spacer 548 is superimposed over the shield plate 540, the shield plate 510 in the state superimposed, spacers 548, and the shielding plate 540 is supported from the direction of gravity downwards by the adapter 544 ing.

スペーサー548は、リング形状を有し、略円形からなる遮蔽板540の上向きの面の縁部と、略円形からなる遮蔽板510の下向きの面の縁部とに接触している。 The spacer 548 has a ring shape, is in contact with the edge of the upwardly facing surface of the shielding plate 540 made of substantially circular, and the edge of the downward face of the shielding plate 510 made of substantially circular. このため、遮蔽板540と遮蔽板510とは略平行な状態となり、遮蔽板540と遮蔽板510との間には、スペーサー548の厚さの相当する隙間(ギャップ)が形成される。 Therefore, it is substantially parallel to the shielding plate 540 and shielding plate 510, between the shielding plate 540 and shielding plate 510, corresponding to the gap thickness of the spacer 548 (gap) is formed.
アダプタ544は、リング形状であり、ベースプレート488に装着されている。 Adapter 544 is ring-shaped, it is mounted on the base plate 488. さらにアダプタ544は内側に張り出すようにリム部546を有し、リム部546に遮蔽板540、スペーサー548、及び遮蔽板540が載置される。 Furthermore the adapter 544 has a rim portion 546 so as to protrude inward, the shield plate 540 to the rim portion 546, spacers 548, and the shielding plate 540 is placed.

図5(a)には遮蔽板510が、図5(b)には遮蔽板540が示されている。 The shielding plate 510 in FIG. 5 (a) is shown the shield plate 540 in Figure 5 (b).
図5(a)に示されるように、遮蔽板510には、遮蔽板510の上方の面から下方の面に貫通するように複数の孔部512が形成されている。 As shown in FIG. 5 (a), the shielding plate 510, a plurality of holes 512 are formed so as to penetrate the surface of the lower from the upper surface of the shielding plate 510. 孔部512は、それぞれが略直線形であり、略スリット状であって、所定のピッチPで略平行に配置されている。 Holes 512 are each a is substantially linear, a substantially slit-shaped, are arranged substantially parallel to a predetermined pitch P.
また、図5(b)に示されるように、遮蔽板540には、遮蔽板540の上方の面から下方の面に貫通するように複数の孔部542が形成されている。 Further, as shown in FIG. 5 (b), the shielding plate 540, a plurality of holes 542 are formed so as to penetrate the surface of the lower from the upper surface of the shielding plate 540. 孔部542は、それぞれが略直線形であり、略スリット状であって、孔部512のピッチと同じピッチであるピッチPで略平行に配置されている。 Holes 542 are each a is substantially linear, a substantially slit-shaped, are arranged substantially parallel to a pitch P which is the same pitch as the pitch of the hole 512.

孔部512、孔部542は、それぞれが、例えばレーザ加工により形成される。 Hole 512, hole 542, respectively, for example, formed by laser processing.

図6には、プラズマ処理ユニット410に装着された状態の遮蔽板510、遮蔽板540の断面が拡大して示されている。 Figure 6 is a shielding plate 510 in a state of being mounted in the plasma processing unit 410, the cross-section of the shielding plate 540 is shown enlarged. 遮蔽板510の厚さt1は、例えば、3.5mmであり、遮蔽板510の厚さt2は、t1と同じ厚さであり、例えば略3.5でmmある。 The thickness t1 of the shield plate 510 is, for example, 3.5 mm, thickness t2 of the shield plate 510 is the same thickness as t1, for example mm substantially 3.5. ここで、遮蔽板510、540が厚すぎると、自由電子とともにラジカルも失活してまうため、他の諸条件を満たす限り、遮蔽板510、540の厚さは薄いことが望ましい。 Here, when the shield plate 510,540 is too thick, since Mau and also deactivate radicals with free electrons, other long as various conditions are satisfied, the thickness of the shielding plate 510,540 thin desirably.

尚、遮蔽板510と厚さt1と遮蔽板542の厚さt2とは、必ずしも同じ厚さであることを要しない。 Note that need not be the thickness t2 of the shield plate 510 and the thickness t1 and the shielding plate 542 is not necessarily the same thickness. 遮蔽板510と遮蔽板540とのギャップGは、略5.0mmである。 Gap G between the shielding plate 510 and shielding plate 540 is approximately 5.0 mm. ギャップGは、先述のスペーサー548を、厚さの異なるものに交換することで調整することができる。 Gap G can be adjusted by the spacer 548 described above is replaced with thicknesses different.
また、孔部512のピッチPと、孔部542のピッチPとは、ともに、例えば略19mmである。 Further, the pitch P of the hole 512, the pitch P of the hole 542, together, for example, approximately 19 mm.
また、孔部512、孔部542の幅Lは、ともに略2mmである。 The width L of the hole 512, hole 542, are both approximately 2 mm.

また、図6に示されるように、孔部512、孔部542は、それぞれ、遮蔽板510、540の上向きの面及び下向きの面と直行するように形成されている。 Further, as shown in FIG. 6, the hole 512, hole 542, respectively, are formed so as to orthogonal to the upwardly facing surface and the downward surface of the shielding plate 510,540. また、孔部512と孔部542とはプラズマ生成部として用いられるプラズマソース部430の方向(図6における上方)から見て、重ならないように配置されている。 Further, when viewed from the direction of the plasma source 430 to be used as a plasma generation unit and the hole portion 512 and the hole 542 (top in FIG. 6), are arranged so as not to overlap.

また、孔部512と孔部542とは、ピッチPに対して、互いに半ピッチ(0.5P)ずれるように配置されている。 Further, the hole 512 and the hole 542, the pitch P, are arranged so as to each other shifted by a half pitch (0.5P). すなわち、互いに隣接する孔部512a、512aの中間の位置に、孔部542aが配置されるようになっている。 That is, the adjacent holes 512a, an intermediate position 512a, so that the hole portion 542a is disposed is another.

以上のように孔部512及び孔部542を、互いに半ピッチずれるように配置することで、プラズマソース部430からウエハ600に到達するガス流路が屈折し、直線的にプラズマソース部430からウエハ600に到達するガス流路がなくなる。 The hole 512 and the hole 542 as described above, by arranging to be shifted half a pitch from each other, refracted gas channel arriving from the plasma source 430 to the wafer 600, the wafer linearly from the plasma source 430 gas channel is eliminated to reach 600. このため、プラズマソース部430から生成された荷電粒子は、ウエハ600に到達する前に、遮蔽板510及び遮蔽板540のいずれかの表面に衝突し、失活することで、再結合し中性となり電荷を失う。 Therefore, the charged particles generated from the plasma source 430, before reaching the wafer 600, impinges on one surface of the shielding plate 510 and shielding plate 540, by deactivating, recombined and neutralized lose the next charge.

図6に点線で示す矢印Aは、遮蔽板510、遮蔽板540にぞれぞれ形成された孔部512、孔部542の、遮蔽板510に形成された孔部512aのプラズマソース部430側の面510aのエッジE1と、孔部512aのプラズマソース部430と逆側の面510bのエッジE2とを結ぶ線が、遮蔽板510のプラズマソース部430と逆側に隣接する遮蔽板540の孔部542が形成されていない部分にぶつかる様子を示している。 Arrow A shown by a dotted line in FIG. 6, the shield plate 510, holes 512 are formed, respectively, respectively in the shield plate 540, the holes 542, plasma source 430 side of the hole 512a formed in the shielding plate 510 the edge E1 of the surface 510a, a line connecting the edge E2 faces 510b of the plasma source 430 and the opposite side of the hole 512a is a hole of the shield plate 540 adjacent to the opposite side and the plasma source 430 of the shield 510 It shows a state in which hit the portion where part 542 is not formed.
孔部512及び孔部542の形状及び配置を、上述のように階段状に定めることにより、プラズマソース部430から面510a、510bに対して角度をもって孔部512aを通過して来た電荷粒子が、遮蔽板540の上向きの面に衝突することになる。 The shape and arrangement of the holes 512 and the holes 542, by determining stepwise as described above, the surface from the plasma source unit 430 510a, the charged particles came through the hole portion 512a at an angle to 510b , it will collide with the upwardly facing surface of the shielding plate 540.

図7には、遮蔽板510、540の変形例が示されている。 Figure 7 shows a modification of the shielding plate 510,540.
孔部512、542は、遮蔽板510、540の上向きの面及び下向きの面と直行するように形成することに替え、図7に示されるように、遮蔽板510、540の上向きの面及び下向きの面に対して角度を有するように形成しても良い。 Holes 512,542 may instead be formed so as to orthogonal to the upwardly facing surface and the downward surface of the shielding plate 510,540, as shown in FIG. 7, upwardly facing surface and downwardly of the shielding plate 510,540 surface may be formed at an angle with respect to the.

図8には、本発明の第2の実施形態に係るアッシャ装置10のプラズマ処理ユニット410が有する遮蔽板510、540が示されている。 Figure 8 is shielding plates 510,540 is shown a plasma processing unit 410 of the ashing apparatus 10 according to the second embodiment of the present invention has.
先述の第1の実施形態においては、孔部512、孔部542は、それぞれが略直線状に、所定のピッチPで形成されていた。 In the first embodiment previously described, the holes 512, holes 542, each with substantially straight, has been formed at a predetermined pitch P. これに対して、この第2の実施形態では、孔部512及び孔部542は、それぞれ、中心角が略90度である略円弧形状を有し、半径の異なる同心円状の一部となるように配置されている。 In contrast, in this second embodiment, the hole 512 and the hole 542, respectively, the central angle has a substantially arc shape is approximately 90 degrees, so that a part of different radii concentric It is located in.
また、遮蔽板510と遮蔽板540とは、プラズマソース部430からの方向(図4おける上方向)から見て、互いに半径方向に隣接する孔部512、512の間の位置に、孔部542が配置されるようになっている。 Further, the shielding plate 510 and shielding plate 540, as viewed from a direction (FIG. 4 definitive upward) from the plasma source unit 430, a position between the holes 512 and 512 radially adjacent to each other, the hole portion 542 There has to be placed.

この第2の実施形態においては、遮蔽板510及び遮蔽板540が略点対称構造であるため、遮蔽板510及び遮蔽板540の中央付近と外周部での孔部512、孔部542のピッチや、孔部512、孔部542の幅を変化させることで、遮蔽板510、540内における開口率を、点対称を維持しながら調整をすることができる。 In the second embodiment, since the shielding plate 510 and shielding plate 540 is substantially point symmetrical structure, holes 512 in the central area and the peripheral portion of the shielding plate 510 and shielding plate 540, Ya pitch of the hole 542 , the hole 512, by changing the width of the hole 542, the opening ratio in the shielding plate 510,540 may be adjusted while maintaining the point symmetry.

以上のように、本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置10と、本発明の第2の実施形態に係るアッシャ装置10とによれば、2枚の遮蔽板を使用することで、遮蔽板を1枚を使用する場合と比較して、それぞれの遮蔽板に形成する孔部の数を減らしつつ、荷電粒子を遮蔽する効果を維持することができる。 As described above, the ashing apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention, according to the asher apparatus 10 according to the second embodiment of the present invention, the use of two shielding plates, shielding compared to using a single plate, while reducing the number of holes to be formed in each of the shielding plate, it is possible to maintain the effect of shielding the charged particles.

本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に付記した事項も含まれる。 The present invention is characterized by what has been claimed, also include further matters appended to the next.

〔付記1〕 [Appendix 1]
プラズマを生成するプラズマ生成部と、 A plasma generator for generating plasma,
被処理基板を載置する前記載置部と、 And the mounting section for mounting a substrate to be processed,
前記プラズマ生成部と載置部との間に設けられた少なくとも2層の非金属性の遮蔽板と、 And non-metallic shield of at least two layers provided between the mounting portion and said plasma generating portion,
を有するプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus having a.

〔付記2〕 [Appendix 2]
前記少なくとの2層の遮蔽板はそれぞれ孔部が形成され、一の遮蔽板に形成された孔部と、他の遮蔽板に形成された孔部とは、前記プラズマ生成部の方向から見て重ならないように配置されている付記1記載のプラズマ処理装置。 Shield of two layers of the said at least the hole portions are formed respectively, and the hole formed in one of the shielding plate, a hole portion formed in the other shielding plate viewed from the direction of the plasma generating unit Appendix are arranged so as not to overlap Te 1 plasma processing apparatus according.

〔付記3〕 [Appendix 3]
前記少なくとも2層の遮蔽板にぞれぞれ形成された孔部は、所定のピッチに形成されたスリットからなり、一の遮蔽板に形成されたスリットと、該遮蔽板に隣接する遮蔽板に形成されたスリットとは、半ピッチずれるように配置されている付記2記載のプラズマ処理装置。 Holes formed, respectively, respectively the shielding plate of the at least two layers consists of slits formed in a predetermined pitch, a slit formed on one of the shielding plate, the shielding plate adjacent to the shield plate and a slit formed in, the appendix 2, wherein being arranged to be shifted a half pitch plasma processing apparatus.

〔付記4〕 [Appendix 4]
前記少なくとも2層の遮蔽板にぞれぞれ形成された孔部は、一の遮蔽板に形成された孔部の前記プラズマ生成部側の面のエッジと、該孔部の前記プラズマ生成部と逆側の面のエッジとを結ぶ線が、前記一の遮蔽板の前記プラズマ生成部と逆側に隣接する他の遮蔽板の孔部が形成されていない部分にぶつかる付記1乃至3いずれか記載のプラズマ処理装置。 Hole portion formed, respectively, respectively to shield at least two layers, an edge surface of the plasma generating portion side of the hole formed in one of the shielding plate, and the plasma generating portion of the hole portion line connecting the edges of the opposite side of the face, Appendix 1 to 3, wherein any one run into the hole is not formed part of the other shielding plate adjacent to the plasma generating part and the opposite side of the one shielding plate of the plasma processing apparatus.

〔付記5〕 [Appendix 5]
前記遮蔽板は、耐熱性、及び耐プラズマ性を有する付記1記載のプラズマ処理装置。 The shielding plate, heat resistance, and a plasma processing apparatus according to Supplementary Note 1, further comprising a plasma resistance.

〔付記6〕 [Appendix 6]
前記遮蔽板は、石英又はSiCからなる付記1記載のプラズマ処理装置。 The shielding plate plasma processing apparatus according to Supplementary Note 1, wherein made of quartz or SiC.

〔付記7〕 [Appendix 7]
酸素含有ガスを供給する供給部と、 A supply unit for supplying an oxygen-containing gas,
前記供給された酸素含有ガスをプラズマ化するプラズマ生成部と、 A plasma generation unit for plasma the supplied oxygen-containing gas,
被処理基板を載置する載置部と、 A mounting portion for mounting a substrate to be processed,
前記プラズマ生成部と前記載置部との間に設けられた少なくとも2層の非金属性の遮蔽板と、 And non-metallic shield of at least two layers provided between the plasma generating part and the mounting section,
を有するアッシング装置。 Ashing apparatus having a.

〔付記8〕 [Appendix 8]
気密な放電室内に反応ガスを供給し、高周波電力により前記反応ガスを放電、プラズマ化して得られる反応性活性種によって、前記放電室の下部に接続された処理室内の処理基板を処理する半導体処理装置であって、 Airtight discharge chamber to the reaction gas supply, discharging the reaction gas by the high frequency power, by reactive active species obtained by plasma, semiconductor processing for processing a substrate of the connected processing chamber at the bottom of the discharge chamber an apparatus,
プラズマを生成する放電部と処理基板との間に2枚の遮蔽板を設け、その2枚の遮蔽板にそれぞれ形成されたスリット状の孔を流路として、反応性活性種を処理基板表面に供給することを特徴とする半導体製造装置。 The two shielding plates between the discharge portion and the substrate to generate a plasma is provided, the two shielding plates respectively formed a slit-shaped hole as a flow path, a reactive active species to the handle substrate surface the semiconductor manufacturing apparatus characterized by feeding.

〔付記9〕 [Appendix 9]
前記の2枚の遮蔽板にそれぞれ形成されたスリット状の孔を、互いに半ピッチずつ、ずらして配置することで、荷電粒子が前記放電部から処理基板表面に直線的に到達する流路を塞ぎ、処理基板への荷電粒子の入射を防ぐことを特徴とする半導体処理装置。 The two shielding plates each formed slit-shaped hole of the, by half a pitch from each other, by staggered, block the flow path the charged particles are linearly reach the substrate surface from said discharge portion a semiconductor processing apparatus, characterized in that to prevent the incidence of the charged particles to the substrate.

〔付記10〕 [Appendix 10]
前記スリット状の孔は、前記2枚の遮蔽板にそれぞれ複数が形成され、略直線形状であり、少なくとも一方の遮蔽板に形成される複数の前記スリット状の孔が、互いに略平行になるように配置されていること特徴とする付記9又は10記載の半導体処理装置。 It said slit-shaped holes, each of the plurality on two shielding plates are formed, a substantially linear shape, so that a plurality of the slit-like holes formed in at least one of the shielding plates, substantially parallel to each other the semiconductor processing apparatus according to Supplementary note 9 or 10, wherein being disposed on.

〔付記11〕 [Appendix 11]
前記スリット状の孔は、前記2枚の遮蔽板にそれぞれ複数が形成され、略円弧形状を有し、少なくとも一方の遮蔽板に形成される複数の前記スリット状の孔が、半径の異なる同心円の円弧の一部となるように配置されていることを特徴とする付記9又は10記載の半導体処理装置。 The slit-shaped opening, the plurality each of the two shielding plates are formed, has a substantially arc shape, a plurality of the slit-like holes formed in at least one of the shielding plates, having different radii of concentric circles that it is arranged to be part of the arc semiconductor processing device according to note 9, wherein.

〔付記12〕 [Appendix 12]
前記2枚の遮蔽板の距離を一定に保つスペーサーをさらに有する付記8乃至12記載の半導体製造装置。 The semiconductor manufacturing apparatus further comprises Appendix 8 to 12, wherein the spacer to maintain the distance of the two shielding plates constant.

〔付記13〕 [Appendix 13]
前記2枚の遮蔽板の少なくとも一方は石英硝子からなり、温度の不均一性による変形、割れに対する機械的強度が確保されるとともに、反応性ガスに対する化学的耐性を併せ持つことを特徴とする付記8乃至12記載の半導体製造装置。 At least one of the two shield plates is made of quartz glass, deformation due to non-uniformity of the temperature, the mechanical strength is secured to cracking, Appendix, characterized in that both the chemical resistance to reactive gas 8 to 12 semiconductor manufacturing apparatus according.

〔付記14〕 [Appendix 14]
前記2枚の遮蔽板の少なくとも一方は、Si(珪素)、又はSiC(炭化珪素)からなり、温度の不均一性による変形、割れに対する機械的強度が確保されるとともに、反応性ガスに対する化学的耐性を併せ持つことを特徴とする付記8乃至12記載の半導体製造装置。 At least one of the two shield plates is made Si (silicon), or SiC (silicon carbide), deformation due to non-uniformity of the temperature, the mechanical strength is secured to cracking, chemical to reactive gases the semiconductor manufacturing device according to note 8 to 12, wherein in that both the resistance.

以上述べたように、本発明は、例えば半導体基板等の被処理基板を、プラズマ処理するプラズマ処理装置に適用することができ、例えば、反応性ガスを高周波を用いて放電させ、プラズマ化させることにより得られる反応性を有する反応種によって、被処理基板の表面の所定の薄膜を除去するドライアッシングや、ドライエッチングをする工程に用いられる装置に適用することができる。 As described above, the present invention, a substrate to be processed, such as, for example, a semiconductor substrate, can be applied to a plasma processing apparatus for plasma processing, for example, a reactive gas is discharged using a high frequency, thereby plasma the reactive species having a reactivity obtained, it is possible to apply and dry ashing for removing a predetermined thin film on the surface of the substrate, the apparatus used in the step of dry etching.

本発明の適用される実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略横断面図である。 It is a schematic cross-sectional view for explaining an ashing apparatus according to the applied embodiment of the present invention. 本発明の適用される実施形態に係るアッシャ装置を説明するための概略縦断面図である。 It is a schematic longitudinal sectional view for explaining the ashing apparatus according to the applied embodiment of the present invention. 本発明の適用される実施形態に係るアッシャ装置が有するプラズマ処理ユニットを説明するための概略縦断面図である。 It is a schematic longitudinal sectional view for explaining a plasma processing unit ashing apparatus has according to the applied embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置が有するプラズマ処理ユニットの概略縦断面図である。 Is a schematic longitudinal sectional view of a plasma processing unit ashing apparatus has according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置のプラズマ処理ユニット内に設けられた遮蔽板を示し、図5(a)は上側に設けられた遮蔽板を示す平面図であり、図5(b)は下側に設けられた遮蔽板を示す平面図である。 Shows a first embodiment shielding plate provided in a plasma processing unit of the asher apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 (a) is a plan view showing a shielding plate provided on the upper side, FIG. 5 (b ) is a plan view showing a shielding plate provided on the lower side. 本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置のプラズマ処理ユニット内に設けられた遮蔽板の一部分を拡大して示す断面図である。 A portion of the shielding plate provided in a plasma processing unit of the asher apparatus according to a first embodiment of the present invention is a cross-sectional view showing an enlarged. 本発明の第1の実施形態に係るアッシャ装置のプラズマ処理ユニット内に設けられた遮蔽板の変形例の一部分を拡大して示す断面図である。 Is a sectional view showing an enlarged part of a modification of the shielding plate provided in a plasma processing unit of the asher apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係るアッシャ装置のプラズマ処理ユニット内に設けられた遮蔽板を示し、図8(a)は上側に設けられた遮蔽板を示す平面図であり、図8(b)は下側に設けられた遮蔽板を示す平面図である。 It shows a second embodiment shielding plate provided in a plasma processing unit of the asher apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 (a) is a plan view showing a shielding plate provided on the upper side, FIG. 8 (b ) is a plan view showing a shielding plate provided on the lower side.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 アッシャ装置400 プロセスチャンバ部410 プラズマ処理ユニット411 サセプタテーブル430 プラズマソース431 反応容器432 共振コイル433 ガス導入口444 高周波電源445 処理室448 ベースプレート459 サセプタ461 支柱463 基板加熱部510 遮蔽板512 孔部540 遮蔽板542 孔部548 スペーサー600 ウエハ 10 asher apparatus 400 process chamber section 410 plasma processing unit 411 susceptor table 430 plasma source 431 reaction vessel 432 resonant coil 433 gas inlet 444 high-frequency power source 445 processing chamber 448 base plate 459 susceptor 461 posts 463 substrate heating unit 510 shield plate 512 holes 540 shielding plate 542 holes 548 spacer 600 wafers

Claims (3)

  1. プラズマを生成するプラズマ生成部と、 A plasma generator for generating plasma,
    被処理基板を載置する載置部と、 A mounting portion for mounting a substrate to be processed,
    前記プラズマ生成部と前記載置部との間に設けられた少なくとも2層の非金属性の遮蔽板と、 And non-metallic shield of at least two layers provided between the plasma generating part and the mounting section,
    を有するプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus having a.
  2. 前記少なくとの2層の遮蔽板はそれぞれ孔部が形成され、一の遮蔽板に形成された孔部と、他の遮蔽板に形成された孔部とは、前記プラズマ生成部の方向から見て重ならないように配置されている請求項1記載のプラズマ処理装置。 Shield of two layers of the said at least the hole portions are formed respectively, and the hole formed in one of the shielding plate, a hole portion formed in the other shielding plate viewed from the direction of the plasma generating unit the plasma processing apparatus arranged to have claim 1 so as not to overlap Te.
  3. 前記少なくとも2層の遮蔽板にぞれぞれ形成された孔部は、所定のピッチに形成されたスリットからなり、一の遮蔽板に形成されたスリットと、該遮蔽板に隣接する遮蔽板に形成されたスリットとは、半ピッチずれるように配置されている請求項2記載のプラズマ処理装置。 Holes formed, respectively, respectively the shielding plate of the at least two layers consists of slits formed in a predetermined pitch, a slit formed on one of the shielding plate, the shielding plate adjacent to the shield plate and a slit formed in, according to claim 2, characterized in that is arranged to be shifted a half pitch plasma processing apparatus.
JP2008177489A 2008-07-08 2008-07-08 Plasma processing device Pending JP2010021166A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008177489A JP2010021166A (en) 2008-07-08 2008-07-08 Plasma processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008177489A JP2010021166A (en) 2008-07-08 2008-07-08 Plasma processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010021166A true true JP2010021166A (en) 2010-01-28

Family

ID=41705812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008177489A Pending JP2010021166A (en) 2008-07-08 2008-07-08 Plasma processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010021166A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822246B2 (en) 2009-02-10 2014-09-02 Panasonic Corporation Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149788A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Aqua Science Kk Remote plasma device
JP2009016453A (en) * 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149788A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Aqua Science Kk Remote plasma device
JP2009016453A (en) * 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822246B2 (en) 2009-02-10 2014-09-02 Panasonic Corporation Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6755150B2 (en) Multi-core transformer plasma source
US5543688A (en) Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method
US5683537A (en) Plasma processing apparatus
US6727654B2 (en) Plasma processing apparatus
US20020002947A1 (en) Inductive coupling plasma processing apparatus
US20070068625A1 (en) Method and system for controlling radical distribution
JP2005277369A (en) Focus ring and plasma processing apparatus
JP2001230239A (en) Apparatus and method for treating
US8152925B2 (en) Baffle plate and substrate processing apparatus
JPH09115895A (en) Plasma treatment apparatus
JPH08227800A (en) Plasma treatment device, and plasma treatment method
JPH09283498A (en) Vacuum treatment device
CN102054649A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2010238981A (en) Plasma processing apparatus
JP2003086577A (en) Plasma processing device
JP2004537839A (en) The antenna structure of an inductively coupled plasma generator
JP2008172168A (en) Plasma treatment apparatus, plasma treatment method, and storage medium
US7845310B2 (en) Wide area radio frequency plasma apparatus for processing multiple substrates
US7088047B2 (en) Inductively coupled plasma generator having low aspect ratio
CN1614746A (en) Helical resonator type plasma processing apparatus
JP2003203869A (en) Plasma treatment device
JP2007142363A (en) Processor
US20040163595A1 (en) Plasma processing apparatus
US20110094997A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20110061813A1 (en) Plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110701

A521 Written amendment

Effective date: 20120823

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121227

A02 Decision of refusal

Effective date: 20130430

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02