JP2009545887A - リソグラフィを実行するための方法及びシステム、物体を互いに位置合わせする方法、並びに非マーキング位置合わせ特徴を有するナノインプリント用モールド - Google Patents
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Abstract
リソグラフィを実行する方法は、リソグラフィツール50の一部及び基板10の一部の画像60と、更なるリソグラフィツール30の一部及び基板10の一部のさらなる画像(28)を用いて、リソグラフィツール50のための変位ベクトル74を計算することを含む。物体を位置合わせする方法は、第1の物体10に近接して第2の物体30を位置決めすること、及び第2の物体30の表面上の特徴32及び第1の物体10の表面上の特徴18を図示する第1の画像38を取得することを含む。更なる物体50が第1の物体10に近接して位置決めされるときに、更なる物体50の表面上の特徴52及び第1の物体10の表面上の特徴18を図示する更なる画像60が取得される。更なる画像60は第1の画像38と比較される。インプリントモールド30、50は、インプリントモールド30、50のインプリント表面上に少なくとも1つの非マーキング基準特徴32、52を含む。
Description
本発明は、包括的には、たとえば、フォトリソグラフィ、インプリントリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、コンタクトリソグラフィ、及びシャドーマスクを利用する高精度堆積システムのようなリソグラフィ技法に関する。より詳細には、本発明は、基板及びリソグラフィツール(たとえば、フォトリソグラフィマスク、インプリントモールド、ナノインプリントモールド及びシャドーマスク等)を位置合わせするための方法及びシステムに関する。
たとえば、フォトリソグラフィ、インプリントリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ及びコンタクトリソグラフィのようなリソグラフィ技法及び方法を用いて、マイクロスケール(すなわち、約100μm未満)またはナノスケール(すなわち、約100ナノメートル未満)の寸法を有する特徴を含む構造を製造することができる。そのような構造は、たとえば、集積回路、センサ、発光ダイオード及びナノ構造を含む。リソグラフィ技法では、層毎に処理することによって、多層構造が製造される。
簡潔に言うと、フォトリソグラフィでは、基板の上方にフォトレジストの層が設けられ、フォトレジストの層の上方に、選択的にパターニングされたマスクまたはレチクルが位置合わせされる。フォトレジスト材料の層の選択されたエリアを、パターニングされたマスクまたはレチクルを通じて、電磁放射に曝露することができ、それによって、フォトレジスト材料の層の選択されたエリアにおいて化学的変換、物理的変換、または化学的且つ物理的な変換を引き起こすことができる。後続の現像ステップにおいて、電磁放射に曝露されたフォトレジスト材料の層の選択されたエリア、またはマスク若しくはレチクルによって電磁放射から遮蔽されたフォトレジスト材料の層の他のエリアのいずれかが、下層を成す基板から除去される。このようにして、マスクまたはレチクル内の選択されたパターンを、フォトレジスト材料の層にポジ画像またはネガ画像として転写することができる。
その後、フォトレジスト材料のパターニングされた層を通じて、下層を成す基板をさらに処理することができ(たとえば、材料を除去する、堆積する、ドープする等)、それによって、下層を成す基板内に、またはその基板上に選択的にパターニングされた(選択的にパターニングされたマスクまたはレチクルに対応する)層が形成される。その後、必要に応じて、さらになるマスクまたはレチクルを用いて、既に形成されている選択的にパターニングされた層の上方に、さらなる選択的にパターニングされた層を形成することができる。
下層を成す基板に対して各層を位置決めするために、基板、及びマスクまたはレチクルは典型的には、位置合わせ特徴またはマークを付けられる。各マスクまたはレチクルが下層を成す基板の上方に位置決めされると、マスクまたはレチクルを通じてフォトレジスト材料の層を電磁放射に曝露する前に、マスクまたはレチクル上の位置合わせ特徴を、基板上の位置合わせ特徴と位置合わせすることができる。
インプリントリソグラフィ(ナノインプリントリソグラフィを含む)では、変形可能な材料(たとえば、未硬化のメチルメタクリレート(MMA)等)の層を基板の上方に設けることができる。その後、変形可能な材料の層の上方に、インプリントモールドの選択的にパターニングされた表面を位置合わせし、変形可能な材料の層の中に圧入することができ、それによって、インプリントモールドの選択的にパターニングされた表面のパターンが変形可能な材料の層に転写される。変形可能な材料を硬化させて、変形可能な材料の層内に形成されるパターンを固化することができる。変形可能な材料の層内に形成されるパターンは、変形可能な材料の層内に複数の相対的により厚い領域及び相対的により薄い領域を含むことがある。
その後、変形可能な材料のパターニングされた層の相対的により薄い領域が実質的に除去され、下層を成す基板の上方にパターンを形成する変形可能な材料の層の相対的により厚い領域の部分が残されるまで、変形可能な材料のパターニングされた層の少なくとも一部をエッチングするか、または別の方法で除去することができる。このようにして、インプリントモールド内の選択されたパターンを、変形可能な材料の層に転写することができる。
その後、変形可能な材料のパターニングされた層を通じて、下層を成す基板をさらに処理することができ(たとえば、材料を除去する、堆積する、ドープする等)、それによって、下層を成す基板内に、またはその基板上に選択的にパターニングされた(選択的にパターニングされたインプリントモールドに対応する)層が形成される。その後、必要に応じて、さらなるインプリントモールドを用いて、既に形成されている選択的にパターニングされた層の上方に、さらなる選択的にパターニングされた層を形成することができる。
フォトリソグラフィの場合と同様に、下層を成す基板に対して各層を位置決めするために、基板及びインプリントモールドは典型的には、位置合わせ特徴またはマークを付けられる。各インプリントモールドが下層を成す基板の上方に位置決めされると、下層を成す基板の表面上の変形可能な材料の層内にインプリントモールドを圧入する前に、インプリントモールド上の位置合わせ特徴が、基板上の位置合わせ特徴と位置合わせされる。
一態様では、本発明はリソグラフィを実行する方法を含む。この方法は、リソグラフィツールの少なくとも一部、及び基板の少なくとも一部を図示する画像と、さらなるリソグラフィツールの少なくとも一部、及び基板の少なくとも一部を図示するさらなる画像とを用いて、リソグラフィツールのための変位ベクトルを計算することを含む。
別の態様では、本発明は、物体を互いに位置合わせする方法を含む。この方法は、その物体の表面上に或る特徴を有する第1の物体を設けることを含む。その表面上に或る特徴を有する第2の物体が、第1の物体に近接して位置決めされ、第1の物体の表面上の特徴と、第2の物体の表面上の特徴とを図示する第1の画像が取得される。その表面上に或る特徴を有する少なくとも1つのさらなる物体が、第1の物体に近接して位置決めされ、第1の物体の表面上の特徴と、少なくとも1つのさらなる物体の表面上の特徴とを図示する、さらなる画像が取得される。
さらに別の態様では、本発明はインプリントモールドを含み、このインプリントモールドは、インプリント表面上に少なくとも1つの非マーキング位置合わせ特徴を有する。いくつかの実施の形態では、少なくとも1つの位置合わせ特徴は、デバイス特徴がインプリント表面から突出する実質的に均一な距離よりも短い距離だけ、インプリント表面から延在することができる。
本明細書は、本発明と見なされるものを特に指摘し、明確に特許請求する特許請求の範囲で終わるが、本発明の利点は、添付の図面と合わせて以下の本発明の説明を読むときに、その説明から、より容易に確認することができる。
本発明は、リソグラフィによって構造及びデバイスを製造するために用いることができる方法及びシステムを含む。一例であって、限定はしないが、本明細書において説明される方法及びシステムは、たとえば、本発明の譲受人に譲渡される、Chenに対する米国特許第6,432,740号において記載されているような、インプリントリソグラフィ工程及びナノインプリントリソグラフィ工程において用いることができる。本明細書において説明される方法及びシステムはまた、フォトリソグラフィ工程、コンタクトリソグラフィ工程、及びシャドーマスクを利用する高精度堆積工程において用いることもできる。
たとえば、フォトリソグラフィシステム及びナノリソグラフィシステムのようなリソグラフィシステムは、本発明の教示を具現化する方法を実行するように構成することができ、それゆえ、本発明の教示を具現化することができる。図1は、本発明の教示を具現化するリソグラフィシステム100のブロック図である。図に示されるように、リソグラフィシステム100は、位置決めシステム102と、画像形成システム40と、処理システム104と、制御システム106とを備えることができる。位置決めシステム102は、基板に対してリソグラフィツールを位置決めするために、リソグラフィツール(図1には示されない)、基板(図1には示されない)、またはリソグラフィツール及び基板の両方を動かすように構成することができる。実施形態によっては、位置決めシステム102は、複数のリソグラフィツール及び基板を動かすように構成されることもある。処理システム104は、たとえば、基板の上方に材料を堆積すること、基板から材料を除去すること、基板内または基板上に材料をドープすること等によって、リソグラフィツールを用いて基板を処理するように構成することができる。
一例であって、限定はしないが、画像形成システム40は、光学顕微鏡システム、X線システム、またはリソグラフィツールの少なくとも一部及び基板の一部の画像を取得することができる任意の他の画像形成システムまたはデバイスを含むことができる。位置決めシステム102は、たとえば、基板を支持するように構成される可動ステージ(図示せず)を備えることができる。位置決めシステム102は、可動ステージを動かすように構成されるステージアクチュエータデバイス(図示せず)をさらに備えることができる。そのようなステージアクチュエータデバイスは、たとえば、市販されているステッパまたは圧電アクチュエータを含むことができる。可動ステージに加えて(または、可動ステージの代替として)、位置決めシステム102は、リソグラフィツールを支持するように構成される可動ツール支持デバイスを備えることができる。そのような可動ツール支持デバイスも、上記で説明されたように、市販されているアクチュエータを用いて動かすことができる。
制御システム106は、少なくとも1つの電子信号プロセッサデバイス107(たとえば、デジタル信号プロセッサ(DSP)デバイス)と、少なくとも1つのメモリデバイス108(たとえば、ランダムアクセスメモリ(RAM)(たとえば、スタティックRAM(SRAM)、ダイナミックRAM(DRAM)、同期DRAM(SDRAM)等)を含むデバイス)とを備えることができる。一例であって、制御システム106は、デスクトップコンピュータまたはノートブックコンピュータのような、コンピュータシステムまたはコンピュータデバイスを含んでも、含まなくてもよいが、これらに限定されない。さらなる実施形態では、制御システム106は、構造的及び電気的の両面からリソグラフィシステム100に統合される、市販のプログラマブルロジックコントローラまたは特注の制御システム106を含むことができる。
図1に示されるように、リソグラフィシステム100の制御システム106は、位置決めシステム102及び画像形成システム40の両方と電気的に通信するように構成することができる。この構成では、制御システム106は、位置決めシステム102を制御すると共に、位置決めシステム102から情報を受信するように構成することができる。たとえば、位置決めシステム102は、リソグラフィツール、基板、またはリソグラフィツール及び基板の両方の位置を検知または検出すると共に、電気信号によって、位置に関する情報を制御システム106に中継するように構成される、1つまたは複数のセンサを含むことができる。同様に、制御システム106は、画像形成システム40を制御すると共に、画像形成システム40から情報を受信するように構成することができる。たとえば、画像形成システム40は、デジタル画像(たとえば、以下でさらに詳細に説明されるように、基準画像及び位置合わせ画像)を解析するために、その画像を電気信号によって制御システム106に送信するように構成することができる。さらなる実施形態では、制御システム106は、無線技術(たとえば、電磁放射を介して送信される信号)を用いて、位置決めシステム102、画像形成システム40、または位置決めシステム102及び画像形成システム40の両方と通信するように構成することができる。
リソグラフィシステム100は少なくとも1つの入力デバイス110をさらに備えることができ、このデバイスは、リソグラフィシステム100を使用する人物によって、制御システム106に情報を入力するために、または制御システム106にコマンドを与えるために用いられることができる。一例であって、入力デバイス110は、コンピュータキーボード、キーパッド、タッチパッド、タッチスクリーン、ポインティングデバイス(たとえば、マウス)、または制御システム106に情報を入力するか、またはコマンドを与えるための任意の他の手段を含むことができるが、これらに限定されない。さらに、リソグラフィシステム100は、少なくとも1つの出力デバイス112をさらに備えることができ、この出力デバイスは、制御システム106からユーザに情報を出力するように構成することができる。一例であって、出力デバイス112は、画像表示装置(たとえば、モニタまたは画面等)、プリンタ、可聴音若しくは警報を生成するように構成されるデバイス、または制御システム106によってユーザに情報を出力するための任意の他の手段を含むことができるが、これらに限定はされない。
図1に示されるように、入力デバイス110及び出力デバイス112のうちの少なくとも一方は、破線116によって表されるように、制御システム106に構造的に統合されることがある。一例として、制御システム106は、プログラマブルロジックコントローラを含むことができ、入力デバイス110は、プログラマブルロジックコントローラのキーパッドまたはタッチパッドを含むことができ、出力デバイス110は、プログラマブルロジックコントローラの液晶ディスプレイ(LCD)画面を含むことができる。そのようなプログラマブルロジックコントローラは市販されている。
本発明のいくつかの実施形態では、「独立型」の一体型システムを提供するために、リソグラフィシステム100の実質的に全ての構成要素が、構造的に、単一の構造的なフレームまたはハウジングに組み込まれるか、またはそれと統合されることができる。本発明の他の実施形態では、リソグラフィシステム100の1つまたは複数の構成要素が、リソグラフィシステム100の他の構成要素から離れて配置されることができる。そのような場合には、たとえば、電磁放射を用いて電線または無線を介して電気的に通信することによって、離れた構成要素間に通信を確立することができる。
上記で述べられたように、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、位置決めシステム102及び画像形成システム40を用いて本発明の教示を具現化する方法を実行するように構成することができる。言い換えると、リソグラフィシステム100、そして特にその制御システム106は、コンピュータプログラムの制御下で、1つまたは複数の論理シーケンスを実行するように構成することができ、それによって、リソグラフィシステム100は、本発明の教示を具現化する方法を実行する。
一例であって、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、1つまたは複数の論理シーケンスを実行するように構成することができ、それらの論理シーケンスのうちの1つが図2に示される論理シーケンスを含み得るが、これらに限定されない。図2に示される論理シーケンスは、本発明の教示を具現化する方法を例示及び説明するためのフローチャートとして用いることもできる。
本発明の教示を具現化する方法は、図1及び図3〜図18を合わせて参照しながら、図2に示される論理シーケンスを参照して説明される。
図3は、本発明の教示を具現化する方法及びシステムを用いて、リソグラフィによって、その上に、またはその中に構造またはデバイスを製造することができる基板10を示す。基板10は、たとえば、シリコン、ガリウムヒ素、若しくはインジウムリン、ガラス、又はシリコン・オン・グラス(SOG)基板、シリコン・オン・セラミック(SOC)基板若しくはシリコン・オン・サファイア(SOS)基板のような、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)タイプの基板のウェハ全体またはウェハの一部を含むことがあるが、これらに限定されない。基板10上に構造またはデバイスをリソグラフィによって製造するために、少なくとも1つの基準特徴18を、基板10の表面11上に形成されるか、または他の方法で設けることができる。
本明細書における例示及び説明を容易にするためだけに、基準特徴18は図3において三角形として示される。しかしながら、基準特徴18は、任意の形状または自由に選択した形状を有することができるものと考えられる。いくつかの実施形態では、基準特徴18は、基板10の表面11上に自然発生する特徴とすることができる。さらなる実施形態では、基準特徴18は、基板10の表面11上に形成される人為的な特徴とすることができる。たとえば、フォトリソグラフィ法及びインプリントリソグラフィ法を含む、当該技術分野において既知である種々の方法を用いて、基板10の表面11上に基準特徴18を形成することができる。さらなる方法では、基準特徴18は任意の形状を有することができ、基板の表面11上に、或る領域を引っ掻くか、削り取るか、打ち抜くか、または着色することによって、基板10の表面11上に形成することができる。基板10の表面11上に基準特徴18を形成するために用いることができるナノインプリント工程の一例が、図4〜図8を参照しながら以下で説明される。
図4を参照すると、実質的に剥き出しの基板10を配設することができ、基板10の表面11上に、変形可能な材料20の層を堆積するか、または別の方法で設けることができる。変形可能な材料20の層は、たとえば、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)の薄い層を含むことができる。変形可能な材料20の薄い層は、たとえば、スピンコーティング工程を用いて、基板10の表面11に被着することができる。
図5を参照すると、基板10及び変形可能な材料12の層の上方に、ナノインプリントモールド12を配置することができる。突出部14が、ナノインプリントモールド12のインプリント表面16から延在することがある。突出部14は、基板10の表面11上に形成される基準特徴18(図3)の断面サイズ及び形状に対応する断面サイズ及び形状を有することができる。
図6を参照すると、ナノインプリントモールド12上の突出部14を、変形可能な材料20の層の中に少なくとも部分的に圧入して、変形可能な材料20の層の中に対応する凹部22を形成することができる。図7に示されるように、その後、ナノインプリントモールド12を除去することができる。いくつかの実施形態では、変形可能な材料20の層は硬化性であることがあり、ナノインプリントモールド12を変形可能な材料20の層から除去する前に、または除去した後に、変形可能な材料20を硬化させることができる。
ナノインプリントモールド12が変形可能な材料20の層から除去された後に、図8に示されるように、下層を成す基板10の表面11上の領域24が変形可能な材料20の層を貫通して露出するまで、エッチング工程を用いて、変形可能な材料20を、その露出した表面から、またはその露出した表面においてエッチングして除去することができる。
図9を参照すると、変形可能な材料20の層の露出した表面、及び下層を成す基板10の表面11上の露出した領域24(図8)の上方に、基板10の表面11上に基準特徴18を形成するために用いられる材料26を堆積することができる。材料26は、たとえば、金属材料、セラミック材料、半導体材料、または高分子材料を含むことがあるが、これらに限定されない。1つの特定の実施形態では、材料26はシリカを含むことがある。材料26は、たとえば、化学気相成長(CVD)または物理気相成長(PVD)のような、当該技術分野において知られている種々の技法を用いて堆積することができる。その後、変形可能な材料20の層の残りの部分を、基板10の表面11から(その上に堆積した材料26と共に)除去することができ、基板10の表面11上に堆積した材料26が残され、材料26は、基板10の表面11上に基準特徴18(図3)を形成する。
図4〜図9を参照しながらこれまでに説明されたナノインプリント工程は、単に、基板10の表面11上に基準特徴18を形成するために用いることができる1つの方法の一例として述べられる。基板10の表面11上に特徴を形成するための種々の他の方法が当該技術分野において知られており(さらなるナノインプリント法を含む)、そのうちのいずれかを本発明において用いることができる。
基板10の表面11上に1つまたは複数の基準特徴18を設けた後に、以下でさらに詳細に説明されるように、本発明の教示を具現化する方法及びシステムを用いて、基板10の表面11上に、デバイスまたは構造をリソグラフィによって製造することができる。
図1、図2及び図10を合わせて参照すると、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、位置決めシステム102を用いて基板10に近接して第1のナノインプリントモールド30を位置決めし、且つ画像形成システム40を用いて、基板10の表面11上の基準特徴18の少なくとも一部、及び第1のナノインプリントモールド30のナノインプリント表面31上のモールド位置合わせ特徴32の少なくとも一部とを含むか、または図示する基準画像38を取得するように構成することができる。
図10を参照すると、基板10の表面11の上方に、ナノインプリントモールド30を配置することができる。ナノインプリントモールド30は、モールド位置合わせ特徴32と、突出部34の形をとる複数のデバイス特徴とを含むことができ、それらは、基板10の表面11上に形成されるデバイスまたは構造の特徴または構成要素を形成するように構成される。図11は、基板10の表面11の上方に位置決めされるナノインプリントモールド30の断面図である。図に示されるように、モールド位置合わせ特徴32及び複数の突出部34は、ナノインプリントモールド30のナノインプリント表面31から延在することができる。
基板10及びナノインプリントモールド30が図10及び図11に示される相対位置にあるとき、リソグラフィシステム100の画像形成システム40を用いて、基準画像38(図10)を取得することができる。基準画像38はデジタル画像であり(またはデジタル画像に変換することができ)、そのデジタル画像は、後の時点で使用するために、メモリデバイス108のような、リソグラフィシステム100の制御システム106の内部または取外し可能メモリ構成要素(たとえば、内部または外部ハードドライブのリードオンリーメモリ(ROM)、内部コンピュータランダムアクセスメモリ(RAM)、たとえば、コンパクトディスク(CD)、デジタル多用途ディスク(DVD)、またはフラッシュメモリモジュールのような取外し可能記憶媒体)に格納することができる。一例であって、限定はしないが、基準画像38は、図10に示される破線によって囲まれる領域を含むことがある。基準画像38は、基準特徴18の少なくとも一部と、モールド位置合わせ特徴32の少なくとも一部とを図示することがある。図10に示されるように、基準特徴18及びモードル位置合わせ特徴32はそれぞれ、基準画像38の中に、その全体が図示されることがある。
図11に示されるように、いくつかの実施形態では、画像形成システム40は、ナノインプリントモールド30の、基板10がある側と反対の側から、基準画像38を取得することができる。さらに、ナノインプリントモールド30のモールド位置合わせ特徴32は、ナノインプリントモールドのナノインプリント表面31上に配置することができ、ナノインプリントモールド30は、画像形成システム40と、基板10の表面11上の基準特徴18との間に配置することができる。そのような構成では、画像形成システム40がナノインプリントモールド30を通じて基準特徴18及びモールド位置合わせ特徴32を「視認」できるようにするために、ナノインプリントモールド30は画像形成システム40に対して透過性を有することができる。
一例であって、限定はしないが、画像形成システム40は光学顕微鏡システムを含むことがあり、ナノインプリントモールド30は、可視光(たとえば、電磁スペクトルの可視領域にある電磁放射)に対して実質的に透過性を有することができる。さらなる実施形態では、画像形成システム40は、X線システムを含むことがあり、ナノインプリントモールド30は、X線(たとえば、電磁スペクトルのX線領域内の電磁放射)に対して実質的に透過性を有することができる。そのような構成において、基準特徴18とモールド位置合わせ特徴32との相対位置を、基準画像38を用いて特定することができる。
図12Aに示されるさらなる実施形態では、ナノインプリントモールド30は、基板10の表面11の或る領域が画像形成システム40に対して露出するように、構成または位置決めすることができる。言い換えると、ナノインプリントモールド30は、画像形成システム40と、基板10の一部との間に配置されないことができる。図12Aに示されるように、基準特徴18は、画像形成システム40に対して露出している基板10の表面11の領域上に設けることができ、モールド位置合わせ特徴32は、ナノインプリントモールド30の背面36上に設けることができる。そのような構成では、ナノインプリントモールド30は、画像形成システム40に対して透過性を有する必要はない。しかしながら、画像形成システム40によって取得される任意の画像内の基準特徴18及びモールド位置合わせ特徴32の両方の合焦度を最適にするために、画像形成システム40と基準特徴18との間の距離と、画像形成システム40とモールド位置合わせ特徴32との間の距離との間の差を最小限にすることが望ましいことがある。
図12Bに示されるさらなる実施形態では、ナノインプリントモールド30は、背面36とナノインプリント表面31との間に、その中を貫通して延在する開口部35を含むことができる。この構成では、ナノインプリントモールド30のモールド位置合わせ特徴32は、開口部35内のナノインプリントモールド30の1つまたは複数の側壁37を含むことができる。基板10上の基準特徴18は、ナノインプリントモールド30を貫通して延在する開口部35を通じて画像形成システム40に対して露出している基板10の表面11の領域上に設けることができる。そのような構成では、ナノインプリントモールド30は、画像形成システム40に対して透過性を有する必要はなく、画像形成システム40を用いて、基板10上の基準特徴18(開口部35を通じて画像形成システム40から見ることができる)、及びモールド位置合わせ特徴32(開口部35内のナノインプリントモールド30の1つまたは複数の側壁37によって画定される)の両方を図示する画像を取得することができる。さらなる実施形態では、モールド位置合わせ特徴32(図12Aに示される特徴等)を図12Bに示されるナノインプリントモールド30の背面36上に設けることができ、画像形成システム40を用いて、基板10上の基準特徴18(開口部35を通じて画像形成システム40から見ることができる)、及びナノインプリントモールド30の背面36上のモールド位置合わせ特徴32の両方を図示する画像を取得することができる。
再び図2を参照すると、基準画像38(図10)を取得及び格納した後に、リソグラフィシステム100(図1)は、プログラムの制御下で、第1のナノインプリントモールド30で基板100を処理するように構成することができる。たとえば、ナノインプリントモールド30を用いて、基板10の表面11上に形成されるデバイスまたは構造の複数の特徴を形成することができる。ナノインプリントモールド30を用いて基板10の表面11上にデバイスまたは構造の複数の特徴を形成するとき、ナノインプリントモールド30と基板10との間の相対的な動きは、基板10の表面11に対して実質的に垂直である方向への動きに実質的に制限することができる。その際、モールド30を用いて基板10上でインプリントした後に、基準画像38は、基板10上の特徴の相対的な位置決めを厳密に表すことができる。結果として、基準画像38から情報を抽出することができ、その情報を用いて、以下に説明されるように、基板10の表面11上にナノインプリントモールド30を用いて形成される特徴を、1つまたは複数のさらなるナノインプリントモールドを用いて、上に重なる層内に後に形成されるさらなる特徴と正確に位置合わせすることができる。
上記のように、基準画像38は、ナノインプリントモールド30を用いて基板10の表面11上にデバイスまたは構造の複数の特徴を形成する前に取得することができる。本発明のさらなる実施形態では、基準画像38は、ナノインプリントモールド30を用いて基板10の表面11上にデバイスまたは構造の複数の特徴を形成した後に、またはナノインプリントモールド30を用いて基板10の表面11上にデバイスまたは構造の複数の特徴を形成している間に取得することができる。そこから情報を抽出することができ、且つ基板10上に形成される特徴(ナノインプリントモールド30または任意の他のツールを用いる)を、上に重なる層内に後に形成されるさらなる特徴(1つまたは複数のさらなるナノインプリントモールドまたは他のツールを用いる)と正確に位置合わせするために用いることができる任意の基準画像38を、本発明に従って用いることができる。
図13は、ナノインプリントモールド30を用いて、基板10の表面11上、表面11内、または表面11の上方に形成される第1の組のデバイス特徴44を含む。一例であって、限定はしないが、基板10の表面11上、表面11内、または表面11の上方に複数の集積回路が製造されることがあり、デバイス特徴44は、導電線またはトレース、導電性パッド、導電性バイア、及び集積回路の能動部品(たとえば、トランジスタ等)の構成要素または部分のうちの1つまたは複数を含むことがある。デバイス特徴44(及び基準特徴18)は、本明細書において例示及び説明するのを容易にするために、大きく拡大され、単純にされている。実際には、デバイス特徴44(及び基準特徴18)は、基板10に対して極めて小さいことがある。さらに、デバイス特徴44は、基板10の表面11の広い部分にわたって形成されことがあり、図13に示されるように、相対的に小さなエリアだけにわたって形成されるわけではない。
図13に示されるように、本発明のいくつかの実施形態では、基板10は、ナノインプリントモールド30(図10及び図11)のモールド位置合わせ特徴32によって一切マークを付けられなくてもよい。再び図11を参照すると、本発明のいくつかの実施形態では、ナノインプリントモールド30のモールド位置合わせ特徴32は、ナノインプリントモールド30のナノインプリント表面31から第1の距離D1だけ延在することができ、突出部34は、ナノインプリントモールド30のナノインプリント表面31から第2の距離D2だけ延在することができる。図11に示されるように、第1の距離D1は、第2の距離D2よりも短いことがある。一例であって、限定はしないが、第2の距離D2に対する第1の距離D1の比は約0.5未満にすることができる。より詳細には、第2の距離D2に対する第1の距離D1の比は約0.3未満にすることができる。この構成では、基板10上にモールド位置合わせ特徴32に対応するマークを形成することなく、ナノインプリントモールド30を用いて、基板10を処理することができる。詳細には、第2の距離D2と第1の距離D1との間の差(すなわち、D2−D1)よりも短い距離だけ、変形可能な材料の層の中に突出部34を圧入することができる。したがって、突出部34が変形可能な材料の層に圧入されるときに、モールド位置合わせ特徴32は、変形可能な材料の層の中に圧入されないことがある。さらに、インプリント工程において、モールド位置合わせ特徴32が、変形可能な材料の層に圧入される場合であっても、変形可能な材料の層内に形成される対応する凹部または圧痕は、突出部34によって形成される凹部または圧痕に対して相対的に浅くすることができる。結果として、後続の処理中に、モールド位置合わせ特徴32によって形成される相対的に浅い凹部または圧痕は、結果として、基板10の表面11内、表面11上、または表面11の上方において、対応する特徴を形成しないことがある。
システムが、基板に対してさらなるリソグラフィツールを正確に位置合わせする能力は、以下でさらに詳細に説明されるように、ナノインプリントモールドまたは他のリソグラフィツールを用いて基板10が処理されるときに、基板10にマークを付けないように構成されるナノインプリントモールドまたは他のリソグラフィツールを用いることによって高めることができる。
さらなるナノインプリントモールドまたは他のリソグラフィツールを用いて、さらなるデバイス特徴が形成されるときに、画像形成システム40を用いて取得される基準画像38を用いて、さらなるデバイス特徴と下層を成すデバイス特徴44との適切な位置合わせを確実にすることができる。
図14と共に、再び図1及び図2を参照すると、第1のナノインプリントモールド30で基板10を処理した後に、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、位置決めシステム102を用いて基板10に対してさらなるナノインプリントモールド50を位置決めし、画像形成システム40を用いて位置合わせ画像60を取得するように構成することができる。位置合わせ画像60は、基板10の表面11上の基準特徴18の少なくとも一部、及びさらなるリソグラフィツール50の表面上の位置合わせ特徴52の少なくとも一部を含むか、または図示することができる。
たとえば、さらなるナノインプリントモールド50は、図14に示されるように、基板10の上方に位置決めされることがある。さらなるナノインプリントモールド50は、モールド位置合わせ特徴52と、突出部54の形をとる複数の設計特徴とを含むことができ、それらの特徴は、ナノインプリントモールド30の上記で説明されたモールド位置合わせ特徴32及び突出部34と実質的に同じである。いくつかの実施形態では、さらなるナノインプリントモールド50の本体は、ナノインプリントモールド30の本体のサイズ及び形状と実質的に同一であるサイズ及び形状を有することができる。
最初に、さらなるナノインプリントモールド50は、下層を成す基板10と実質的にしか位置合されないことがある。基準画像38及び図11との関連で上記で説明されたのと実質的に同じようにして、画像形成システム40を用いて、位置合わせ画像60を取得することができる。さらなる実施形態では、位置合わせ画像60は、さらなる画像形成システム(図示せず)を用いて取得することができる。位置合わせ画像60は、「生の」(すなわち、制御システム106のランダムアクセスメモリに格納されている)画像とすることができるか、または位置合わせ画像60は、基準画像38との関連で上記で説明されたように、メモリデバイス108のような、制御システム106のメモリ内に「格納される」ことができる。位置合わせ画像60は、基板10上の基準特徴18の少なくとも一部、及びさらなるナノインプリントモールド50上のモールド位置合わせ特徴52の少なくとも一部を含むことがある。画像形成システム40を用いて、基準画像38及び各位置合わせ画像60を取得するときに、画像形成システム40によって、同様の、または実質的に同一の合焦度が達成されることを確実にすることが必要とされるか、または望まれることがある。
リソグラフィシステム100の画像形成システム40を用いて取得される種々の画像において、基板10の表面11上の基準特徴18の外観が変化しないことを確実にすることが必要とされるか、または望まれることがある。したがって、第1のナノインプリントモールド30または任意のさらなるナノインプリントモールド50を用いて、基板10が処理されるときに、基板10の表面11上の基準マーク18は決して影響を及ぼされず、変更もされないようにすることができる。たとえば、第1のナノインプリントモールド30または任意のさらなるナノインプリントモールド50を用いて基板10を処理するときに、基準マーク18の上方に堆積されるいかなる材料も、基板10の上方に任意の後続のナノインプリントモールドを位置決めし、さらなる位置合わせ画像60を取得し、後続のナノインプリントモールドを用いて基板10を処理する前に、除去することができる。
いくつかの実施形態では、さらなるナノインプリントモールド50上のモールド位置合わせ特徴52は、第1のナノインプリントモールド30上のモールド位置合わせ特徴32と実質的に同一にすることができ、モールド位置合わせ特徴52及びモールド位置合わせ特徴32は、ナノインプリントモールド50及びナノインプリントモールド30上のそれぞれ実質的に同一の位置に設けることができる。しかしながら、そのようにする必要はなく、いくつかの実施形態では、モールド位置合わせ特徴52は、モールド位置合わせ特徴32とは、少なくとも1つの面において異なることがある。さらに、モールド位置合わせ特徴52及びモールド位置合わせ特徴32は、ナノインプリントモールド50及びナノインプリントモールド30上のそれぞれ異なる位置に設けられることがある。そのような場合には、その差は、個々のナノインプリントモールド毎に、少なくとも初期の位置合わせのために十分に、インプリント表面(基板10上にデバイス特徴を形成するように構成される表面)上のモールド位置合わせ特徴及び突出部の相対位置がわかっている限り、ナノインプリントモールドを位置合わせするときに考慮に入れることができる。いくつかの実施形態では、モールド位置合わせ特徴32が基板10の表面上にマークを付けるように構成される場合には、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52は、ナノインプリントモールド30及びナノインプリントモールド50上のそれぞれ異なる位置に設けることができる。この構成では、モールド位置合わせ特徴32によって基板10上に形成される任意のマークは、位置合わせ画像60内のモールド位置合わせ特徴52の特定を妨げる可能性を小さくすることができる。
再び図1及び図2を参照すると、位置合わせ画像60(図14)を取得した後に、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、位置合わせ画像60を基準画像38と比較し、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされるか否かを判定するように構成することができる。
たとえば、位置合わせ画像60(図14)を、先行して取得された基準画像38(図10)と合わせて用いて、突出部54が、基板10の表面11内、表面11上、または基板の表面11の上方に先行して形成された下層を成すデバイス特徴44と正確に位置合わせされるか否かを判定することができる。突出部54が、下層を成すデバイス特徴44と正確に位置合わせされない場合には、以下でさらに詳細に説明されるように、位置合わせ画像60及び基準画像38を用いて、突出部54と下層を成すデバイス特徴44との間の相対的な横方向の変位(または位置合わせ不良)の大きさ及び方向を求めることができる。たとえば、リソグラフィシステム100の制御システム106を用いて、基準画像38及び位置合わせ画像60を用いて1つまたは複数のアルゴリズムを実行し、突出部54と先行して形成された下層を成すデバイス特徴44とを正確に位置合わせすることができる。そのようなアルゴリズムは、変位検知及び推定(DSE)アルゴリズムを含むことがあり、詳細には、ナノスケール変位検知及び推定(nDSE)アルゴリズムを含むことがある。そのようなアルゴリズムは、たとえば、画像相互相関アルゴリズム、位相遅延検出アルゴリズム、または他の変位検知アルゴリズム及び推定アルゴリズムを含むことがある。
画像相互相関アルゴリズムの一例は、最近傍ナビゲーションアルゴリズムである。最近傍ナビゲーションアルゴリズムでは、制御システム106は、プログラムの制御下で、ピクセル毎の相関関数に近似するか又は等しい画像相互相関または比較関数を用いて、変位を計算するように構成することができる。最近傍ナビゲーションアルゴリズムは、変位を計算する際に、非常に短い相関距離を使用する。最近傍ナビゲーションアルゴリズムのさらなる詳細は、Ertel他の「SUBSTRATE ADVANCE MEASUREMENT SYSTEM USING CROSS-CORRELATION OF LIGHT SENSOR ARRAY SIGNALS」と題する米国特許第5,149,980号、及びBeausoleil他の「NAVIGATION SYSTEM FOR HANDHELD SCANNER」と題する米国特許第6,195,475号において見いだすことができ、それらの特許のそれぞれの内容は、参照により、その全体が本明細書に援用される。これらの特許のそれぞれは、本発明の譲受人に譲渡される。
位相遅延検出アルゴリズム(及び他の類似の位相相関法)では、制御システム106は、プログラムの制御下で、画像を周波数空間内で処理し、位相遅延と変位とを等価であるとして変位を計算するように構成することができる。
さらなる実施形態では、制御システム106は、プログラムの制御下で、基準特徴18及びモールド位置合わせ特徴32、52からの、エッジ及び中心線のような、幾何学的抽出量を計算するように構成することができる。これらの実施形態では、制御システム106は、プログラムの制御下で、幾何学的抽出量を用いて変位を計算するように構成することができる。
基準画像38及び位置合わせ画像60を用いて、突出部54と先行して形成された下層を成すデバイス特徴44とを正確に位置合わせする方法の一例として、制御システム106を用いて、ナノインプリントモールド50のための変位ベクトルを計算することができる。本明細書において用いられるときに、用語「変位ベクトル」は、ナノインプリントモールド50の突出部54と、先行して形成されたデバイス特徴44とを、より正確に位置合わせするために、ナノインプリントモールド50が動かされることがある距離及び方向の任意の図示表現、数値表現及び数式を意味する。
制御システム106を用いて、ナノインプリントモールド50のための変位ベクトルを計算することができる態様の一例を図15〜図17を参照しながら説明することができる。図15は、基準画像38の上方に置かれる位置合わせ画像60を例示する。図15に示されるように、位置合わせ画像60内の位置合わせ特徴18の位置は、基準画像38内の位置合わせ特徴18の位置とは異なることがある。同様に、位置合わせ画像60内のモールド位置合わせ特徴52の位置は、基準画像38内のモールド位置合わせ特徴32の位置とは異なることがある。さらなる方法では、位置合わせ画像60内の位置合わせ特徴18の位置は、基準画像38内の位置合わせ特徴18の位置と重なり合う、すなわち同じにすることができる。
図16を参照すると、コンピュータデバイスを用いて、基準画像38及び位置合わせ画像60のそれぞれに対して1つまたは複数のアルゴリズムを実行し、基準画像38内の基準特徴18の位置を表す点62、基準画像38内のモールド位置合わせ特徴32の位置を表す点64、位置合わせ画像60内の基準特徴18の位置を表す点66、及び位置合わせ画像60内のモールド位置合わせ特徴52の位置を表す点68を特定することができる。点62と点66との間で第1のベクトル70を定義することができ、点64と点68との間で第2のベクトル72を定義することができる。図17を参照すると、第1のベクトル70から第2のベクトル72を減算することによって、図17において表されるように、ナノインプリントモールド50のための変位ベクトル74を得ることができる。
点62、64、66及び68は、基準マーク18、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52のそれぞれが、少なくとも1つの明確に定義される幾何学的特徴(たとえば、明らかな中心点、エッジ等)を有するときに求めることができることは理解されたい。さらなる実施形態及び方法では、基準マーク18、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52のうちの1つまたは複数が、実質的に任意の形状または特徴を含むことがある。そのような場合には、上記の第1のベクトル70及び第2のベクトル72は、当該技術分野において知られている変位検知技法を用いて導出することができ、それによって、第1のベクトル70及び第2のベクトル72を導出するのに、点62、64、66及び68を特定する必要がなくなる。基準マーク18、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52がそれぞれ少なくとも1つの明確に定義される幾何学的特徴を有するときでも、そのような変位検知技法を用いることができるものと考えられる。
変位ベクトル74は、ナノインプリントモールド50の突出部54と、先行して形成された下層を成すデバイス特徴44とを、より正確に位置合わせするために、ナノインプリントモールド50(図14)が基板10に対して動かされる(または基板10がナノインプリントモールド50に対して動かされる)ことができる距離及び方向を表す。
さらなる実施形態では、制御システム106は、基準画像38及び位置合わせ画像60内の基準特徴18及びモールド位置合わせ特徴32、52の位置を直に解析及び比較しないこともある。いくつかの実施形態では、制御システム106は、プログラムの制御下で、基準画像38及び位置合わせ画像60のそれぞれの実質的にフィールド全体を処理及び解析するアルゴリズムを実行するように構成することができる。制御システム106は、プログラムの制御下で、アルゴリズムの各反復の間に、基板10とさらなるナノインプリントモールド50との間の相対位置を少しずつ調整し、基準画像38と位置合わせ画像60との間の最も高い相関を与える構成または相対位置を「捜し求める」ように構成することができる。制御システム106は、包括的な所定のパターンにおいて、各反復の間に、基板10とさらなるナノインプリントモールド50との間の相対位置を調整するように構成することができる。代替的に、相関の所定の許容できるレベルが達成されるまでのみ、制御システム106は、各反復の間に、基準画像38と位置合わせ画像60との間の相関の度合いを高める可能性がある方向移動を求めるアルゴリズムを実行するように構成することができる。
基準画像38を位置合わせ画像60と比較するために用いることができ、且つその間の位置合わせを改善するために、基板10及びさらなるナノインプリントモールド50のうちの一方または両方を動かすことができる方向及び距離を求めるために用いることができる任意の方法又はアルゴリズムを、本明細書において上記で説明された方法のような、本発明の教示を具現化する方法において用いることができる。
基準画像38を各位置合わせ画像60と比較するときに、基準画像38(図10)と各位置合わせ画像60(図14)との間の任意の大域的なオフセットは、無視するか、減算して除去するか、または最小限に抑えることができるものと考えられる。たとえば、各位置合わせ画像60を基準画像38と比較するときに、制御システム106によって実行されるアルゴリズムは、基準画像38と各位置合わせ画像60との間の任意の大域的なオフセットを特定し、上記で説明されたベクトル解析を実行して変位ベクトル74を求めるときに、第1のベクトル70及び第2のベクトル72(図17)のうちの一方または両方から大域的なオフセットを減算するように構成することができる。付加的に、または代替的に、各位置合わせ画像60を取得する直前に必要に応じて、画像形成システム40の位置及び向きを調整して、基準画像38と各位置合わせ画像60との間の大域的なオフセットを低減するか、または最小限に抑えることができる。言い換えると、基準画像38及び位置合わせ画像60の両方のマーク18が同じ位置にくるまで、またはモールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52の両方がそれぞれ、基準画像38及び位置合わせ画像60の両方において同じ位置にくるまで、またはマーク18が同じ位置に、且つモールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52が同じ位置にくるまで、画像形成システム40、ナノインプリントモールド50及び基板10のうちの少なくとも1つを動かすことができる。さらなる各ナノインプリントモールド50の位置合わせの精度は、基準画像38と各位置合わせ画像60との間の大域的なオフセットを最小限に抑えることによって高めることができる。
再び図1及び図2を参照すると、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされるか否かを判定した後に、リソグラフィシステム100の制御システム106は、プログラムの制御下で、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされない場合には、基板10に対するさらなるナノインプリントモールド50の位置を調整し、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされる場合には、基板10をさらなるナノインプリントモールド50で処理するように構成することができる。
たとえば、再び図14を参照すると、ナノインプリントモールド50が適切に位置決めされない場合には、リソグラフィシステム100の制御システム106は、位置決めシステム102を用いて、変位ベクトル74(図17)に対応する方向において、且つ対応する距離だけ、基板10に対してナノインプリントモールド50の位置を動かすか、または調整することができる(または、ナノインプリントモールド50に対して基板10を動かすことができる)。
図18は、変位ベクトル74(図17)に対応する方向において、且つ対応する距離だけ、基板10に対してナノインプリントモールド50の位置を動かした後に(または、ナノインプリントモールド50に対して基板10を動かした後に)基板10の上方に位置決めされるナノインプリントモールド50を示す。図14及び図18を比較することによってわかるように、変位ベクトル74(図17)に従って、ナノインプリントモールド50及び基板10の相対位置を調整した後に、ナノインプリントモールド50の突出部54を、先行して形成された下層を成すデバイス特徴44と、より正確に位置合わせすることができる。
図2に示されるように、基板10に対してさらなるナノインプリントモールド50の位置を調整した後に、別の位置合わせ画像(図14に示される位置合わせ画像60に類似の画像)を取得し、基準画像38と比較して、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされるか否かを判定することができる。この工程は、さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされるまで、必要に応じて繰り返すことができる。このようにして、さらなるナノインプリントモールド50に関して位置合わせの所定の許容できるレベルが達成されるまで、位置決めシステム102が基板10に対してさらなるナノインプリントモールド50の位置を調整するのに応じて、リソグラフィシステム100の位置決めシステム102にフィードバックを与えるために、位置合わせ測定を繰り返し行なうことができる。さらなるナノインプリントモールド50が適切に位置合わせされると、リソグラフィシステム100の制御システム106(図1)は、さらなるナノインプリントモールド50を用いて、基板10を処理するように構成することができる。
引き続き図2を参照すると、基板10をさらなるナノインプリントモールド50で処理した後に、さらなる特徴層が基板10内に、基板上10に、または基板10の上方に形成されることになるか否かを判定することができる。基板10の表面11上のデバイスまたは構造(たとえば、集積回路等)の製造を完了するために、特徴44の第1の層上に、複数の特徴層を、層毎の加工において製造することができる。複数の特徴層を含むデバイスまたは構造の適切な製造を確実にするために、各特徴層が下層を成す1つまたは複数の特徴層と正確に位置合わせされることを確実にすることが必要とされるか、または望ましいことがある。
さらなる特徴層が基板10の上方に形成される場合には、上記で説明されたシーケンスの少なくとも一部を繰り返すことができる。たとえば、基板10に対して、さらなるナノインプリントモールド50(図14)と実質的に同じであるまたさらなるナノインプリントモールド(図示せず)を位置決めすることによって、シーケンスを処理ボックス80で開始して、繰り返すことができる。
本発明のいくつかの実施形態では、ナノインプリントモールドを用いて所定の数の特徴層を形成した後に、基準画像38(図10)をリフレッシュすることが望ましいことがある。言い換えると、「R」個の特徴層(ただし、Rは1より大きな任意の整数である)を形成した後に、基準画像38をリフレッシュすることが望ましいことがある。そのような状況では、制御システム106は、プログラムの制御下で、整数カウンタを保持するように構成することができる。一例であって、限定はしないが、そのような整数カウンタは最初に、0または任意の数に設定することができる。図2に示されるように、基板をさらなる各ナノインプリントモールド(リソグラフィツール)で処理した後に、整数カウンタをインクリメントすることができる(たとえば、0から1に、1から2に、2から3に、等)。整数カウンタをインクリメントした後に、さらなる特徴層が基板10内、基板10上、または基板10の上方に形成されるか否かを判定することができる。さらなる特徴層が形成される場合には、式(C MOD R)が0に等しいか否かを判定することができる。ただし、Rは基準画像をリフレッシュする前に形成される選択された数の層であり、Cは整数カウンタの整数値である。本明細書において用いられるときに、式(C MOD R)は、CをRで割ったときの余りを意味する。一例として、(4)つの特徴層を形成した後に基準画像をリフレッシュすることが望まし場合には、Rは(4)であり、カウンタが(4)の整数倍になる度に、式(C MOD R)が0に等しくなるであろう。そのような各状況では、基板10に対して次のナノインプリントモールド(リソグラフィツール)を位置決めし、基板10上の基準特徴18の少なくとも一部、及び基板10に対して位置決めされる特定のナノインプリントモールド上の位置合わせ特徴の少なくとも一部を含む新たな基準画像38を取得することによって、シーケンスを処理ボックス82で開始して、繰り返すことができる。その後、上記で説明されたように、そのシーケンスを続けることができる。
さらなる実施形態では、ナノインプリントモールドを用いて多数の特徴層が形成される工程の種々の選択された段階において、基準画像38をリフレッシュすることが望ましいことがある。たとえば、多層構造において、或る層のデバイス特徴を、第1の層(基準画像38を取得した直後に形成された層)内のデバイス特徴に対して位置合わせすることよりも、隣接する層のデバイス特徴に対して位置合わせすることのほうが相対的に重大であることがある。したがって、必要に応じて、または所望によって、製造工程の種々の間隔において基準画像38がリフレッシュされることがある。
状況によっては、基板10と、その上に形成されるデバイス特徴44の第1の層との間の正確な位置合わせは重大でないこともあるものと考えられる。そのような状況では、デバイス特徴44、54の種々の層間の正確な位置合わせだけが重大であることがある。そのような場合、基準特徴18は、第1の層のデバイス特徴44のうちの1つまたは複数を含むことがある。
本発明のいくつかの実施形態では、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52はそれぞれ、図15に示されるように、単純な幾何学的形状を有することがある。本発明のいくつかの実施形態では、さらなるナノインプリントモールド50上のモールド位置合わせ特徴52は、第1のナノインプリントモールド30上のモールド位置合わせ特徴32とは異なるが、相補的であることがある。一例であって、限定はしないが、第1のナノインプリントモールド30上のモールド位置合わせ特徴32は枠を含むことがあり、さらなるナノインプリントモールド50(及び基板10を処理するために用いられる任意の他のさらなるナノインプリントモールド)上のモールド位置合わせ特徴52は十字を含むことがある。そのような構成では、基準画像38は、基準特徴18、及びモールド位置合わせ特徴32を設ける枠を含むことがあり、位置合わせ画像60は、基準特徴18、及びモールド位置合わせ特徴52を設ける十字を含むことがある。基準画像38及び位置合わせ画像60を比較するとき、さらなるナノインプリントモールド50を位置合わせするために制御システム106によって実行されるアルゴリズムは、十字(モールド位置合わせ特徴52)を枠(モールド位置合わせ特徴32)の中心に配置するように構成することができる。これらのさらなる実施形態のうちのいくつかでは、モールド位置合わせ特徴32を設ける枠は、基板10の表面上にマークを付けるように構成することができる。言い換えると、基板10を第1のナノインプリントモールド30で処理した後に、基板10上に枠を形成することができる。そのような構成では、制御システム106は、プログラムの制御下で、さらなる各ナノインプリントモールドの十字(モールド位置合わせ特徴52)を、第1のナノインプリントモールド30のモールド位置合わせ特徴32によって基板上に形成される枠の中心に配置するように構成することができる。そのような実施形態では、アルゴリズムは、単純な画像相互相関工程の代わりに、またはそれに加えて、幾何学的抽出工程(たとえば、エッジ検出工程)または形状当てはめ工程を実行するように構成することができる。
モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52のために、十字及び枠の構成を使用する必要はなく、所定の中心を有する任意のパターンまたは形を用いることができる。さらに、制御システム106が、アルゴリズム、及び特定されたパターンまたは形を用いて、パターンまたは形の位置及び向きを決定することができる場合には、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52のために、所定の中心を持たないパターンまたは形を用いることもできる。さらなる実施形態では、モールド位置合わせ特徴32及びモールド位置合わせ特徴52の形状は、同一でなくても、または相補的でなくてもよく、モールド位置合わせ特徴52は、モールド位置合わせ特徴32の形とは異なる形を有することができる。
さらに、本発明は、基板10上の単一の基準特徴18、第1のナノインプリントモールド30上の単一のモールド位置合わせ特徴32、及びさらなるナノインプリントモールド50上の単一のモールド位置合わせ特徴52を用いて説明されてきたが、複数の対応する基準特徴及びモールド位置合わせ特徴を用いて、基板とリソグラフィツールとの間の回転方向の位置合わせを容易にするか、または改善することができるものと考えられる。さらなる実施形態では、画像(たとえば、基準画像38と位置合わせ画像60との)間の相対的な回転(たとえば、極座標位相相関)を求めることができるアルゴリズムを用いて、回転方向の位置合わせを容易にするか、または改善することができる。いくつかの方法では、基板10の表面11に対して実質的に平行である平面内の並進方向の位置合わせを確立する前に、許容できる回転方向の位置合わせを確立することが必要とされるか、または望まれることがある。
上記で説明されたように、基板10上の基準特徴18及び各リソグラフィツール上の各位置合わせ特徴(たとえば、ナノインプリントモールド30上のモールド位置合わせ特徴32及びナノインプリントモールド50上のモールド位置合わせ特徴52)は、自然に、または人為的に形成することができ、任意のランダムな形状または所定の形状を有することができる。リソグラフィシステム100(図1)が各リソグラフィツールを正確に位置合わせする能力は、基板上のそれぞれ対応する基準特徴の位置に近接して、それぞれのリソグラフィツール上の位置合わせ特徴を設けることによって改善することができる。
いくつかの実施形態では、1つのリソグラフィツール上の各位置合わせマークは、画像形成システム40によって取得される画像において基板上の個々の基準マークと係合して見えるように位置決めすることができる。たとえば、図19に示されるように、基板上の基準マーク120及びリソグラフィツール上の対応する位置合わせマーク122はそれぞれ、複数の係合する特徴または突出部124を含むことができる。またさらなる実施形態では、リソグラフィツール上の各位置合わせマークは、画像形成システム40によって取得される画像において、基板上の基準マークに対して相補的な位置に現れるように位置決めすることができる。たとえば、図20に示されるように、基板上の基準マーク130は環状を有することができ、リソグラフィツール上の対応する位置合わせマーク132も環状を有することができる。リソグラフィツール上の環状の位置合わせマーク132は、環状の基準マークの直径よりも大きな直径を有することができ、それによって、位置合わせマーク132を支持するリソグラフィツールが基準マークを支持する基板と適切に位置合わせされるときに、位置合わせマーク132及び基準マーク130は、画像形成システム40によって取得される画像において同心円状に配置されているように見える。
リソグラフィツールを基板と位置合わせする方法、より詳細には、そのようなリソグラフィツール上の特徴と、そのような基板上に先行して形成された特徴とを位置合わせする方法が、主にナノインプリントリソグラフィツール及び方法との関連で、本明細書において説明されてきた。本明細書においてこれまでに説明された方法は、リソグラフィツールが基板と位置合わせされなければならない任意の他のタイプのリソグラフィツール及び方法と共に用いることができることは理解されたい。たとえば、本明細書においてこれまでに説明された方法は、フォトリソグラフィ用マスク及びレチクルを、その上に1つまたは複数の構造またはデバイス(たとえば、集積回路等)が形成されている下層を成す基板と位置合わせするために用いることができる。
位置合わせ画像を基準画像と比較することによって、本明細書において記述される方法及びシステムは、製造される層毎に層と基板が位置合わせされるのとは対照的に、製造される層毎に層間での位置合わせを提供することができる。本明細書において記述される方法及びシステムは、処理によって引き起こされる従来の位置合わせマークの変化(多くの場合、ウェハによって引き起こされるシフト(WIS)と呼ばれる)に起因すると考えられる計測学的な誤差を克服する手段を提供することができる。このようにして、本明細書において記述される方法及びシステムは、既知の方法及びシステムに対して、隣接する層内の特徴間の改善された位置合わせを提供することができる。
本明細書において記述される方法は、たとえば、走査型電子顕微鏡(SEM)または透過型電子顕微鏡(TEM)のような外部ツールまたはシステムを用いて、本明細書において記述される方法及びシステムを用いて基板上に形成されるデバイス特徴の位置合わせを検証することによってさらに改善することができる。リソグラフィシステムによって引き起こされる系統的な誤差(たとえば、位置合わせ後の横方向のシフト)及び/または計測システム若しくは方法によって引き起こされる系統的な誤差を特定することができる。変位ベクトル74(図17)を選択的に変更することによって、外部検証によって特定される系統的な誤差を相殺することができる。このようにして、本明細書において記述されるシステム及び方法の位置合わせ精度をさらに高めることができる。
これまでの説明は数多くの詳細を含むが、これらの詳細は、本発明の範囲を制限するものと解釈されるべきではなく、単に、特定の典型的な実施形態を提供するものと見なされるべきである。同じように、本発明の精神または範囲から逸脱しない、本発明の他の実施形態も考案することができる。それゆえ、本発明の範囲は、これまでの説明によってではなく、添付の特許請求の範囲及びその法的な均等物によってのみ指示及び制限される。特許請求の範囲の意味及び範囲内に入る、本明細書において開示されるような、本発明に対する全ての追加、削除及び変更は、本発明によって包含される。
Claims (10)
- リソグラフィを実行する方法であって、
リソグラフィツール(50)の少なくとも一部、及び基板(10)の少なくとも一部を図示する位置合わせ画像(60)と、別のリソグラフィツール(30)の少なくとも一部、及び前記基板(10)の少なくとも一部を図示する基準画像(38)とを用いて、前記リソグラフィツール(50)のための変位ベクトル(74)を計算することを含むことを特徴とする方法。 - 前記位置合わせ画像(60)は、前記リソグラフィツール(50)の表面上の位置合わせ特徴(52)と、前記基板(10)の表面上の基準特徴(18)とを図示し、前記基準画像(38)は、前記別のリソグラフィツール(30)の表面上の位置合わせ特徴(32)と、前記基板(10)の前記表面上の前記基準特徴(18)とを図示することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 変位ベクトル(74)を計算することは、
前記基準画像(38)内の前記基板(10)の前記表面上の前記特徴(18)と、前記位置合わせ画像(60)内の前記基板(10)の前記表面上の前記特徴(18)との間の相対位置を定義する第1のベクトル(70)を計算すること、
前記基準画像(38)内の前記別のリソグラフィツール(30)の前記表面上の前記特徴(32)と、前記位置合わせ画像(60)内の前記リソグラフィツール(50)の前記表面上の前記特徴(52)との間の相対位置を定義する第2のベクトル(72)を計算すること、
前記第1のベクトル(70)及び前記第2のベクトル(72)のうちの一方から、前記第1のベクトル(70)及び前記第2のベクトル(72)の少なくとも他方を減算することを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記変位ベクトル(74)を計算することは、コンピュータシステムを用いて、画像相互相関アルゴリズムまたは位相遅延検出アルゴリズムを実行することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記変位ベクトル(74)に応答して、前記基板(10)に対する前記リソグラフィツール(50)の位置を調整することをさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板(10)に近接して複数のさらなるリソグラフィツール(50)を順次に位置決めすることであって、前記複数のさらなるリソグラフィツール(50)のさらなるリソグラフィツール(50)の各々は、その表面上に位置合わせ特徴(52)を有する、順次に配置すること、
複数のさらなる位置合わせ画像(60)を順次に取得することであって、前記複数のさらなる位置合わせ画像のうちのさらなる位置合わせ画像(60)の各々は、前記基板(10)の前記表面上の前記基準特徴(18)と、前記複数のさらなるリソグラフィツール(50)のうちの1つのさらなるリソグラフィツール(50)の表面上の位置合わせ特徴(52)とを図示する取得することをさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の方法。 - リソグラフィシステム(100)であって、
位置決めシステム(102)と、
画像形成システム(40)と、
前記位置決めシステム(102)及び前記画像形成システム(40)を選択的に制御するように構成される制御システム(106)であって、前記制御システム(106)は、プログラムの制御下で、少なくとも前記位置決めシステム(102)及び前記画像形成システム(40)を用いて、請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の方法を実行するように構成される制御システムとを備えることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 前記画像形成システム(40)は光学顕微鏡を含むことを特徴とする請求項7に記載のリソグラフィシステム。
- 前記リソグラフィシステム(100)は、フォトリソグラフィシステムまたはインプリントリソグラフィシステムを含むことを特徴とする請求項7又は8に記載のリソグラフィシステム。
- 前記リソグラフィシステム(100)は、インプリントリソグラフィシステムを含み、前記インプリントリソグラフィシステムは少なくとも1つのインプリントモールド(30)を含み、前記インプリントモールドは、
インプリント表面(31)と、
前記インプリント表面(31)から実質的に均一な距離だけ突出する複数のデバイス特徴(34)と、
前記インプリント表面(31)上の少なくとも1つの非マーキング位置合わせ特徴(32)であって、前記非マーキング位置合わせ特徴(32)は、前記インプリント表面(31)から、前記実質的に均一な距離よりも短い距離だけ延在する、少なくとも1つの非マーキング位置合わせ特徴(32)とを含むことを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィシステム。
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