JP2009515281A - フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、例えばエラー訂正が成功するまで、少なくとも一度、一つ以上の修正基準電圧を用いて、フラッシュメモリ・セルの再読み出しを行う。いくつかの実施例においては、エラー訂正が成功した後、当座の間フラッシュメモリ・セルにデータ(例えば、読み出したデータの信頼可能な値)を再書き込みすることなく、以降の読み出しリクエストを処理する。エラーを訂正した読み取りに関する基準電圧をメモリに記憶して、以降の読み出しリクエストに応答するときに読み出してもよい。いくつかの実施例においては、修正基準電圧は、予め定めた基準電圧である。代替的に、または追加的に、これらの修正基準電圧は、必要に応じ、例えばランダムに算出した値を用いて、あるいはエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて決定してもよい。
【選択図】図2
Description
フラッシュメモリ・デバイスは、長年知られている。典型的に、フラッシュメモリ・デバイス内の各メモリ・セルは、一ビットの情報を記憶する。フラッシュメモリ・セル内にビットを記憶する従来の方法は、メモリ・セルの二つの状態をサポートすることである。一つの状態が論理「0」を表し、そしてもう一つの状態が論理「1」を表す。
上記に説明したように、スレショルド電圧がそれらの初期値から離れてドリフトした場合、フラッシュ・セル、特にMBCフラッシュ・セルは、誤って読み取られることがある。もしスレショルド電圧ドリフト量が十分に大きい場合、読み取り処理は、セルの二つの状態間の境界線として用いる読み取り基準電圧の誤った側に、セルを見いだすことになる。フラッシュメモリから読み取ったデータ内のエラーを訂正するために、エラー訂正コード(ECC)を利用するのが一般的であるが、訂正能力は、典型的に、読み取られるデータのページ内の、ある一定のエラー回数に制限されているため、結局、累積エラー回数は、ECCメカニズムの訂正能力を超過することがある。
A.読み取り基準電圧を、それらのデフォルト値から、もう一セットの所定値へ変え、新しいセットの所定基準値を用いて読み取りを試みる。典型的に新しい値は、デフォルト値よりもいくぶん低い。セルのスレショルド電圧が、時間とともにより低い値へドリフトする(つまり、図1Aおよび1Bの左側へ移行する)と予想することは、フローティングゲートから電荷がリークした結果としてドリフチングが起こるのだから、合理的である。したがって、左側へ比較の「境界」を移行することは、ドリフト後の状態を相互に切り離す良い機会である。訂正基準値で読み取ってもエラーが発生する場合は、それらをECCメカニズムで処理できる。もし、それでもなお多くの訂正すべきエラーがあるなら、プロセスを繰り返す。すなわち、もう一セットの所定読み取り基準値を選択し、もう一回の読み取りおよび訂正を行う。多分、この反復プロセスはデータをうまく訂正できるので、エラーがないと仮定できる。一旦ここまで到達すれば、第二ステージへ移行する。
B.第一ステージから得たデータをセルへ書き戻すことによって、デフォルト読み取り基準値を用いて次に読み取るときに、現在の読み取りの場合ほど多くのエラーが発生しないようにする。
さて、本発明を、特定の実施例に関して説明する。本発明が開示の実施例に限定されないことは理解すべきである。また、添付の請求項の特定な発明を実施するのに、ここに開示する、フラッシュメモリのエラーから復旧するための方法、デバイスおよびコンピュータで読み取り可能なコードのすべての特徴が必要であるというわけではないことも理解すべきである。本発明を完全に可能なものにするために、種々の素子およびデバイスの特徴を説明する。また、プロセスまたは方法を説明する本開示を通して、方法のステップは、ステップが、他のステップが最初に実行されることに依存していることが文脈から明白である場合を除き、どの順序で実行しても、または同時に実行してもよい、ということも理解すべきである。
図3は、本発明の模範的な実施例によるフラッシュメモリ・デバイス50を表すブロック図である。フラッシュメモリ・デバイス50は、複数のフラッシュメモリ・セルおよびフラッシュ・コントローラ10を有するフラッシュメモリ30を含む。フラッシュ・コントローラ10は、フラッシュメモリ・セル30からデータを読み取るように作用し、また、オプションとして、フラッシュメモリ・セル30内へデータを書き込むように作用する。フラッシュ・デバイス50は、また、(図3に示すように)フラッシュ・コントローラ10の一部として、または別個のものとしてエラー検出訂正回路20を含む。フラッシュ・コントローラ10は、フラッシュ・デバイス50の外部から、例えば、ホスト・デバイス(図示せず)から受信した命令に従って、フラッシュメモリ30にアクセスしてもよい。
図4は、本発明の実施例としてのフラッシュ・デバイス50による、一つ以上の読み出しリクエストの処理を説明するフロー・チャートである。読み出しリクエストを受信した110後、フラッシュ・コントローラ10は、一セットの基準電圧を用いて、フラッシュメモリ30からデータ・ビットを読み取る112C(例えば、デフォルトの基準電圧あるいは他のセットの基準電圧。このため、各メモリ・セルは、それぞれの基準電圧を用いて読み取る)。ECCを用いて、読み取ったデータ・ビットの訂正を試みる114。エラー訂正が成功した場合116、コントローラ10は、訂正されたデータを送信することによって、読み出しリクエストへ(例えば、ホスト・デバイスに)応答してもよい118。読み出しリクエストに応答した118後、デバイス50は、次の読み出しリクエストを処理することができる。
データを再書き込みしないので、以降の読み出しリクエストを処理するときに、最初の読み出しリクエストの処理で遭遇したと同じデータエラーが、もう一度、発生する傾向にある(すなわち、メモリ・セルを、再書き込みデータで若返らせて、デフォルト電圧を用いたエラー訂正の失敗率を減少させなかったためである)。したがって、デバイスは、次の読み出しリクエストを処理する際に、もう一度、エラー訂正プロシージャ(例えば、図4で説明したプロシージャ)を利用する必要がある。
図5は、本発明の実施例としてのフラッシュ・デバイス50による、一つ以上の読み出しリクエストの処理を説明するフロー・チャートである。読み出しリクエストを受信した110後、フラッシュ・コントローラ10は、一セットの基準電圧を用いて、フラッシュメモリ30からデータ・ビットを読み取る112C(例えば、デフォルト基準電圧あるいは他の基準電圧セット。したがって、各メモリ・セルは、それぞれの基準電圧を用いて読み取る)。ECCを用いて、読み取ったデータ・ビットの訂正を試みる114。エラー訂正が成功した場合116、コントローラ10は、訂正されたデータを送信することによって、読み出しリクエストへ(例えば、ホスト・デバイスへ)応答してもよい118。読み出しリクエストに応答した118後、デバイス50は、次の読み出しリクエストを処理するよう作動可能である。
制限ではなく、図5は、図4の説明で上記に開示したことへの「改善」とみなしてよい。上記 図4の説明において、注目したことは、フラッシュメモリ・セルへデータを再書き込みしないので、(すなわち、時間のかかるフラッシュ書き込みオペレーションを避けるため)、以降の読み出しリクエストを処理するときに同じエラーに遭遇することになる(すなわち、再書き込みデータでメモリ・セルを若返らせて、デフォルト電圧を用いるエラー訂正の失敗の可能性を減少させることをしなかった)。
図4では、基準電圧の修正120のやり方に制限がないことに注目した。 図6においては、少なくとも一つの電圧を導き出す140、あるいは、特定な方法で(例えば、フラッシュ・コントローラ10のマイクロプロセッサを用いて)計算することを開示する。このセクションでは、一つ以上の基準電圧を導き出す、あるいは計算する140、二つの模範的なプロシージャを説明する。第一のプロシージャは、ECCモジュールが提供する情報によって、基準電圧を計算する140ことに関する。そして、第二のプロシージャは、ランダムに選択した電圧を用いて、基準電圧を導き出す140ことに関する。 図5あるい は図6に明示していないが、注意すべきことは、典型的に、データ回復後、フラッシュメモリ・セルへデータを再び書き込むことをしないことである。
いくつかの実施例(そして図6に例示するような例)においては、データ訂正に失敗したとき、ECCモジュールが提供する情報を有利に用いることができる。例えば、いくつかのECC方法は、訂正できないデータに関するエラーの重大度の指標を提供するように構成できる。この文脈におけるエラーの重大度は、典型的に、そのデータ内のエラー数を意味する。したがって、ECCモジュールには、正確なエラーは分からなくとも(しかも、それらの正確な数さえ分からなくとも)、エラー回数が大きいのか、あるいは小さいのかを示す情報は存在する。そのような情報を提供可能なECCモジュールを利用する場合、読み取り繰り返し数を減少させるように用いることができる。多数のエラーはスレショルド電圧の大規模なドリフトと相関があり、少数のエラーは小規模のドリフトと相関している、と予想することは合理的である。
エラー訂正中、所定値を用いるよりむしろ、少なくとも一つの基準電圧をランダムに導き出す140ことが望ましい多くのケースがある。例えば、もしBCHあるいはハミング符号などの、多くの単純なECCスキームでそうであるように、ECCモジュールがエラーの重大度に関する情報を提供できない場合、データ・ビットから導き出した情報に応じて、読み出し基準電圧を選択することも可能である。したがって、値をランダムに用いることが望ましいこともある。異なるページ間で潜在するドリフト量の変化が大きい場合は、ランダム・セレクションが所定の選択よりも有利であるかもしれない。ランダム・セレクションを用いることによって、読み出しオペレーション毎の読み取り繰り返し数を平均化できるため、システム内に設置した特定のフラッシュ・デバイスに依存することの少ない、より安定な性能を提供できるかもしれない。
修正電圧(すなわち、所定修正電圧、あるいは「新しく」計算した電圧)を用いて、データ・セルを再び読み出すエラー訂正プロシージャを説明する。
上記のように、本発明の実施例は、フラッシュメモリ・デバイスからデータを読み取るための方法に関する。いくつかの実施例は、本文で説明した方法によって、フラッシュメモリ・セルのアレイから読み出すように作動可能なフラッシュメモリ・コントローラを提供する。いくつかの本発明の実施例は、フラッシュメモリ・セルのアレイを、ここに開示の方法でアレイから読み出すフラッシュメモリ・コントローラと組み合わせるフラッシュメモリ・デバイスを提供する。
いくつかの実施例では、デバイスがECC失敗を示す(例えば、所定のサイズのデータ量毎の所定エラー数よりもエラーが多い)場合、「ECC失敗」イベントが発生する。しかし、これは本発明の限界ではない。例えば、ECCモジュールがエラー訂正成功を示す場合でも、実は、読み出したかなりの量のデータにおけるエラーの数および/あるいはタイプに関する代替の所定「エラー訂正失敗」基準によれば、「エラー訂正失敗」イベントが発生していることが分かることがある。
Claims (31)
- 複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステムにおいて、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、モジュールが前記エラーの訂正を成功させるまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットの再読み出しを行うこと、そして
d)メモリ・セルに前記データ・ビットを当座の間再書き込みすることなく、前記データ・ビットに対するステップ(a)、(b)および(c)を繰り返すことからなる、データを読み取る方法。 - 前記繰り返し前の最初の前記読み取りが、最初の読み出しリクエストに応答したものであり、そして前記繰り返しに関わる以降の読み取りが、以降の読み出しリクエストに応答したものである、請求項1の方法。
- 複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステムにおいて、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、モジュールが前記エラーの訂正を成功させるまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットの再読み出しを行うこと、
d)前記訂正の後に、モジュールが前記エラーの訂正に成功したときの少なくとも一つの読み出し基準電圧を記憶すること、
e)前記記憶の後に、前記記憶した少なくとも一つの読み出し基準電圧を読み出すこと、そして
g)前記読み出しの後、前記読み出した少なくとも一つの読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ることからなる、データを読み取る方法。 - 少なくとも一つの前記読み出した基準電圧が、揮発性メモリ内に記憶される、請求項3の方法。
- 少なくとも一つの前記読み出した基準電圧が、不揮発性メモリ内に記憶される、請求項3の方法。
- 少なくとも一つの前記読み出した基準電圧が、一つ以上のフラッシュメモリ・セル内に記憶される、請求項3の方法。
- 前記読み取ったデータ・ビットが、フラッシュコントローラを用いて読み取られ、そして少なくとも一つの前記読み出した基準電圧が、前記フラッシュコントローラ内に記憶される、請求項3の方法。
- 前記記憶の前の最初の前記読み取りが、最初の読み出しリクエストに応答したものであり、そして前記読み出した少なくとも一つの読み出し基準電圧を用いる以降の読み取りが、以降の読み出しリクエストに応答したものである、請求項3の方法。
- 複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステムにおいて、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した前記読み取り以降、少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を導き出すこと、そして
d)前記導き出した少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み出すことからなる、データを読み取る方法。 - 前記導き出した少なくとも一つの新しい電圧が、少なくとも部分的にエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて決定される、請求項9の方法。
- 前記導き出した少なくとも一つの新しい電圧が、少なくとも部分的にランダムに決定される、請求項9の方法。
- 複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステムにおいて、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正すること、そして
c)前記訂正の後、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み出すことからなる、データを読み取る方法。 - 前記訂正の後、かつ前記少なくとも一つの修正基準電圧を用いた前記読み出しの前に、複数のメモリ・セルが書き込まれることがない、請求項12の方法。
- 少なくとも一つの前記修正基準電圧は、少なくとも部分的にエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて導き出される、請求項12の方法。
- 前記訂正の前の最初の前記読み取りが、最初の読み出しリクエストに応答したものであり、そして前記訂正の後の前記以降の読み取りが、以降の読み出しリクエストに応答したものである、請求項12の方法。
- データ記憶のためのフラッシュメモリ・デバイスであって、
a)データ・ビットを記憶するための複数のフラッシュメモリ・セル、
b)前記データ・ビットにおけるエラーを検出して訂正するためのエラー検出訂正モジュール、そして
c)前記メモリ・セルから前記データ・ビットを読み取るためのコントローラからなり、
i)前記コントローラが、前記複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ることによって、最初の読み出しリクエストに応答するよう作動可能であり、そして前記エラー検出訂正モジュールが前記データ・ビットの訂正に失敗した場合、前記モジュールが前記エラーの訂正に成功するまで、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、データ・ビットの再読み出しを行うよう作動可能であり、また
ii)前記コントローラが、さらに、当座の間前記データ・ビットをメモリ・セルに再書き込みすることなく、以降の読み出しリクエストに対して前記応答を繰り返すよう作動可能である、フラッシュメモリ・デバイス。 - データ記憶のためのフラッシュメモリ・デバイスであって、
a)データ・ビットを記憶するための複数のフラッシュメモリ・セル、
b)前記データ・ビットにおけるエラーを検出して訂正するためのエラー検出訂正モジュール、そして
c)前記フラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み取るためのコントローラからなり、前記コントローラが、
i)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、
ii)前記エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、
iii)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、前記モジュールが前記エラーの訂正に成功するまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、前記複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットの再読み出しを行うこと、そして
iv)前記訂正の後に、モジュールが前記エラーの訂正に成功したときの少なくとも一つの読み出し基準電圧を記憶することによって、最初の読み出しリクエストに応答するよう作動可能であり、また、前記記憶の後、前記コントローラが、さらに、
i)前記記憶した少なくとも一つの読み出し基準電圧を読み出すこと、そして
ii)前記読み出しの後、前記読み出した少なくとも一つの読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ることによって、以降の読み出しリクエストに応答するよう作動可能である、フラッシュメモリ・デバイス。 - 前記コントローラが、揮発性メモリに、少なくとも一つの前記読み出し基準電圧を記憶するよう作動可能である、請求項17のデバイス。
- 前記コントローラが、不揮発性メモリに、少なくとも一つの前記読み出し基準電圧を記憶するよう作動可能である、請求項17のデバイス。
- 前記コントローラが、一つ以上の前記フラッシュメモリ・セルに、少なくとも一つの前記読み出し基準電圧を記憶するよう作動可能である、請求項17のデバイス。
- 前記コントローラが、前記コントローラ内に、少なくとも一つの前記読み出し基準電圧を記憶するよう作動可能である、請求項17のデバイス。
- データ記憶のためのフラッシュメモリ・デバイスであって、
a)データ・ビットを記憶するための複数のフラッシュメモリ・セル、
b)前記データ・ビットにおけるエラーを検出するためのエラー検出訂正モジュール、そして
c)前記フラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み取るためのコントローラからなり、前記コントローラが、
i)前記データ・ビットを複数のフラッシュメモリ・セルから読み取ること、
ii)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みること、
iii)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した前記読み取り以降、少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を導き出すこと、そして
iv)前記導き出した少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み出すことによって、読み出しリクエストに応答するよう作動可能である、フラッシュメモリ・デバイス。 - 前記コントローラが、少なくとも部分的にエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて前記少なくとも一つの新しい電圧を導き出すよう作動可能である、請求項22のデバイス。
- 前記コントローラが、少なくとも部分的にランダムに前記少なくとも一つの新しい電圧を導き出すよう作動可能である、請求項22のデバイス。
- データ記憶のためのフラッシュメモリ・デバイスであって、
a)データ・ビットを記憶するための複数のフラッシュメモリ・セル、
b)前記データ・ビットにおけるエラーを検出するためのエラー検出訂正モジュール、そして
c)前記フラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み取るためのコントローラからなり、前記コントローラが、
i)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取ること、そして
ii)前記エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正することによって、最初の読み出しリクエストに応答するよう作動可能であり、また、前記コントローラが、
iii)少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み出すことによって、以降の読み出しリクエストに応答するよう作動可能である、フラッシュメモリ・デバイス。 - 前記コントローラが、前記訂正の後、かつ前記少なくとも一つの修正基準電圧を用いる前記読み取りの前に、前記複数のメモリ・セルに書き込むことなく、前記最初の、そして前記以降の読み出しリクエストに応答するよう作動可能である、請求項25のデバイス。
- 前記コントローラが、少なくとも部分的に前記エラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて、少なくとも一つの前記修正基準電圧を導き出すよう作動可能である、請求項25のデバイス。
- コンピュータで読み込み可能なコードを持つコンピュータで読み取り可能な記憶メディアであって、前記コンピュータで読み込み可能なコードが前記コンピュータで読み取り可能な記憶メディア内に具現化されており、前記コンピュータで読み込み可能なコードが、複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステム内のデータを読み取るための命令からなり、前記命令が、
a)前記複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取る命令、
b)前記エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みる命令、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、モジュールが前記エラーの訂正に成功するまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットの再読み出しを行う命令、そして
d)当座の間前記データ・ビットをメモリ・セルに書き込み再書き込みせずに、ステップ(a)、(b)および(c)を繰り返す命令からなる、コンピュータで読み取り可能な記憶メディア。 - コンピュータで読み込み可能なコードを持つコンピュータで読み取り可能な記憶メディアであって、前記コンピュータで読み込み可能なコードが前記コンピュータで読み取り可能な記憶メディア内に具現化されており、前記コンピュータで読み込み可能なコードが、複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステム内のデータを読み取るための命令からなり、前記命令が、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取る命令、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みる命令、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、モジュールが前記エラーの訂正に成功するまで、少なくとも一度、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットの再読み出しを行う命令、
d)前記訂正の後、モジュールが前記エラーの訂正に成功したときの少なくとも一つの読み出し基準電圧を記憶する命令、
e)前記記憶の後、前記記憶した少なくとも一つの読み出し基準電圧を読み出す命令、そして
g)前記読み出しの後、前記読み出した少なくとも一つの読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取る命令からなる、コンピュータで読み取り可能な記憶メディア。 - コンピュータで読み込み可能なコードを持つコンピュータで読み取り可能な記憶メディアであって、前記コンピュータで読み込み可能なコードが前記コンピュータで読み取り可能な記憶メディア内に具現化されており、前記コンピュータで読み込み可能なコードが、複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステム内のデータを読み取るための命令からなり、前記命令が、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取る命令、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正しようと試みる命令、
c)エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した前記読み取り以降、少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を導き出す命令、そして
d)前記導き出した少なくとも一つの新しい読み出し基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み出す命令からなる、コンピュータで読み取り可能な記憶メディア。 - コンピュータで読み込み可能なコードを持つコンピュータで読み取り可能な記憶メディアであって、前記コンピュータで読み込み可能なコードが前記コンピュータで読み取り可能な記憶メディア内に具現化されており、前記コンピュータで読み込み可能なコードが、複数のフラッシュメモリ・セルおよびエラー検出訂正モジュールからなるシステム内のデータを読み取るための命令からなり、前記命令が、
a)複数のフラッシュメモリ・セルからデータ・ビットを読み取る命令、
b)エラー検出訂正モジュールを用いて、前記読み取ったデータ・ビットのエラーを訂正する命令、そして
c)前記訂正の後、少なくとも一つの修正基準電圧を用いて、複数のフラッシュメモリ・セルから前記データ・ビットを読み出す命令からなる、コンピュータで読み取り可能な記憶メディア。
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