JP2009289941A - 電子材料の洗浄方法及び保管方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明の洗浄方法で洗浄可能な電子材料は、材料、形状等において特に制限はない。従来の半導体製造で使用される種々の材料が含まれる。具体的にはSi、Ge,As、又はそれらの複合材料が挙げられる。本発明の方法は特にシリコンウエハの洗浄に好ましく使用できる。
本発明の洗浄液は、種々のガスによるマイクロバブルを含むヒドロキシ酸水溶液である。ここで使用される溶媒としての水は、対象となる洗浄工程に対して十分な清浄度を有するものであれば良く、特に限定するものではない。
マイクロバブルとは一般的に、直径がマイクロメータのオーダーである微細な泡を意味し、公知である(例えば上山智嗣、宮本誠著、「マイクロバブルの世界」、工業調査会出版(2006)参照)。特に直径のサイズで10〜数百μmの範囲である。特に、直径60μm以下の気泡は液中での浮上速度が遅く長時間存在するが、徐々に収縮し液中に溶解してしまうものもある。また、本発明は泡のサイズの分布の程度には特に限定されない。ほぼ単一の分布を有する微細な泡、種々のサイズの複数の分布を有する微細な泡をも含む。また処理工程の間に泡のサイズが変動する場合も含む。
本発明の超音波振動を付与するための超音波照射方法及び装置については特に制限はなく、公知の超音波照射方法、又は超音波照射装置を用いて洗浄液中に超音波を照射することができる。
本発明の洗浄方法はその洗浄液の温度については特に制限はないが、室温での実施の他に、加温することにより洗浄能力を高めることも可能である。加温することができる温度範囲はヒドロキシ酸の種類により異なるので特に限定することはないが、たとえばクエン酸の場合、加温装置により60〜100℃の範囲の温度で使用すると洗浄能力を高めることができる。加温装置は、洗浄液の中に設ける方法と、洗浄装置の外に設ける方法を使用可能である。加温装置は当該分野で通常使用されている装置をそのまま使用することが可能である。具体的には投げ込み式の石英被覆電熱線や循環ライン途中でハロゲンランプなどで加熱するいわゆるインラインヒーターなどが挙げられる。
本発明の洗浄方法で使用する洗浄液はさらに界面活性剤を含むことができる。界面活性剤の種類、添加量については特に制限は無く、当該分野において通常公知の界面活性剤を、電子材料の量や数、設置方法、洗浄液温度、洗浄時間、マイクロバブルのガス種や量、ヒドロキシ酸の種類と濃度、超音波照射等に基づいて適宜選択することができる。具体的には半導体洗浄の分野でよく使用されるアニオン系やノニオン系の界面活性剤が挙げられる。
洗浄方法については、洗浄槽に洗浄対象のシリコンウエハを浸漬する方法だけでなく、マイクロバブルを含む処理液をスプレーやシャワーにより吹き付けて枚葉処理する方法も可能である。
本発明の保管方法は、上で説明したクエン酸などのヒドロキシ酸水溶液中に、電子材料を漬けることで、汚れの固着や再汚染を防止する方法である。たとえば、シリコンウエハの製造工程では、ラップ後やポリッシュ後にウエハ表面に残った研磨剤は、ウエハ表面が乾燥してしまうと固着して除去が困難になるので、それを防ぐために水中保管して表面が濡れた状態を保つが、その液にクエン酸などのヒドロキシ酸を添加するとさらに固着しにくくなり、その後の洗浄工程での洗浄効果を高めることができる。さらにこのクエン酸などのヒドロキシ酸水溶液にマイクロバブルを導入することによって、さらに汚れが固着しにくくなり、その後の洗浄工程での洗浄効果を高めることができる。
0.25wt%、0.5wt%、1wt%、1.5wt%、2wt%の各濃度のクエン酸水溶液を調製した。液温は80℃とした。シリコンウエハ導入前に液中で5分間マイクロバブルを発生させ、発生を停止させてからシリコンウエハを導入した。
洗浄時間は10秒、20秒、30秒・・・と、10秒ずつ延長していき、各濃度の洗浄液で洗浄後のウエハの表面汚れが目視で完全に除去されているのが確認できるまでの時間を調べた。
シリコンウエハ導入前にマイクロバブルを発生させないこと以外は、実施例1と同様にして洗浄試験を行い、洗浄後のウエハの表面汚れが目視で完全に除去されているのが確認できるまでの時間を調べた。
1wt%のクエン酸水溶液を調製した。液温は80℃とした。シリコンウエハ導入前に液中で5分間マイクロバブルを発生させ、発生を停止させてからシリコンウエハを導入した。
洗浄時間は10秒、20秒、30秒・・・と、10秒ずつ延長していき、各濃度の洗浄液で洗浄後のウエハの表面汚れが目視で完全に除去されているのが確認できるまでの時間を調べた。以下の条件で超音波を照射するかしないかを選択する以外は実施例1、比較例1と同様にして行った。
比較例2−1:1wt%クエン酸/超音波なし/マイクロバブルなし
実施例2−1:1wt%クエン酸/超音波なし/マイクロバブルあり
比較例2−2:1wt%クエン酸/超音波あり/マイクロバブルなし
実施例2−2:1wt%クエン酸/超音波あり/マイクロバブルあり
結果を表1に示した。比較例2−1と比較例2−2との比較により、超音波を照射することによって洗浄能力が向上したことがわかるが、さらに実施例2−2との比較で、超音波照射に加えてマイクロバブルを添加することにより、いっそう洗浄能力が向上することがわかった。
クエン酸の代わりに、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸を使用したほかは、実施例1及び比較例1と同様の方法で洗浄試験及び評価を実施した。
実験手順
(1)ラッピング処理(表面に残渣付着)
試料:ラッピング処理したままの直径200mmシリコンウエハを用いた。ラッピング処理直後のウエハの表面には、ラップオイルの成分である防錆剤(シュレックECO#500)、分散剤(シュレック#600A−90)、研磨剤(フジミFO#1200MR)、及びシリコンの削りかすが残渣として付着している。
(2)液中保管
ラッピング処理直後のシリコンウエハの表面を乾燥させることなくすばやく保管液槽に導入する。洗浄工程への導入までの保管時間は30分、液温は20℃とした。
保管液:
比較例7−1:超純水/マイクロバブルなし
比較例7−2:1wt%クエン酸水溶液/マイクロバブルなし
実施例7:1wt%クエン酸水溶液/マイクロバブルあり
(3)洗浄
洗浄薬液:カストロールNo.200(0.1〜1wt%の水酸化カリウム+界面活性剤(2〜5wt%−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル))を20倍に希釈して使用した。
洗浄方法:洗浄槽内に薬液を50L入れ、液温20℃にて、25kHz、50Wの超音波を照射した。洗浄時間10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、60秒にて行い、その後連続して、超純水リンス槽へ移動する。
(4)リンス
超純水中で30秒間オーバーフローリンス。
(5)自然乾燥
(6)目視評価
各サンプルを目視にて観察し、ウエハ表面の残渣が完全に除去されるまでの時間を調べた。
図2からわかるように、保管液が超純水の場合よりもクエン酸水溶液の場合の方が短時間でウエハ表面の残渣を除去できるが、クエン酸水溶液にマイクロバブルを加えた方がさらに洗浄時間を短縮できる、すなわち、保管液にマイクロバブルを導入することによってウエハ表面の汚染の固着をより抑制できることがわかった。
Claims (3)
- ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする、電子材料の洗浄方法。
- 前記ヒドロキシ酸が、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸のいずれか、又はそれらの混合物であることを特徴とする、請求項1に記載の電子材料の洗浄方法。
- ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で保持することを特徴とする、シリコンウエハの保管方法。
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JP2008140445A JP2009289941A (ja) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | 電子材料の洗浄方法及び保管方法 |
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