JP2009270167A - Plating apparatus and plating method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、矩形平板状で、広い表面積を持つ、例えば薄型テレビ用スクリーン(ディスプレイパネル)に用いられるガラス基板の表面に、銅等の金属膜をそのほぼ全面に亘って均一な膜厚で成膜するのに使用されるめっき装置およびめっき方法に関する。 The present invention is a rectangular flat plate having a large surface area, for example, a surface of a glass substrate used for a thin TV screen (display panel), and a metal film such as copper is formed on the entire surface with a uniform film thickness. The present invention relates to a plating apparatus and a plating method used for film formation.
例えば、矩形平板状のガラス基板の表面に電解めっきや無電解めっきで金属膜をめっきするめっき装置としては、複数枚のガラス基板をバスケットに入れ、ガラス基板の表面をバスケットと共に洗浄槽で洗浄し、しかる後、ガラス基板をバスケットと共にめっき槽内のめっき液に浸漬させて、ガラス基板の表面に金属膜を成膜するようにしたものが一般的に知られている。 For example, as a plating apparatus for plating a metal film on the surface of a rectangular flat glass substrate by electrolytic plating or electroless plating, a plurality of glass substrates are placed in a basket and the surface of the glass substrate is washed together with the basket in a washing tank. Thereafter, it is generally known that a glass substrate is immersed in a plating solution in a plating tank together with a basket to form a metal film on the surface of the glass substrate.
出願人は、特願2007−167171として、ガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して鉛直に保持する基板ホルダを用いてめっきを行うめっき装置及びめっき方法を提案した。このめっき装置及び方法により、ガラス基板に対するシーケンス制御された自動めっきが可能となる。 The applicant has proposed, as Japanese Patent Application No. 2007-167171, a plating apparatus and a plating method for performing plating using a substrate holder that holds a glass substrate between the end faces of the glass substrate and holds the glass substrate vertically. This plating apparatus and method enables sequence-controlled automatic plating on a glass substrate.
また、矩形平板状の基板を基板ホルダで挟んで保持し、被めっき面を鉛直にして基板ホルダで保持した基板をめっき液中に浸漬させ、基板の被めっき面と対向する位置に配置されるアノードと基板の被めっき面(カソード)との間に電圧を印加して該被めっき面に金属膜(めっき膜)を成膜するようにした電解めっき装置が一般的に知られている。更に、搬送ローラでガラス基板を搬送しながらめっきを行うめっき装置も知られている。 In addition, the rectangular flat substrate is held between the substrate holders, and the substrate held by the substrate holder is immersed in the plating solution with the surface to be plated vertical, and is disposed at a position facing the surface to be plated of the substrate. An electroplating apparatus is generally known in which a voltage is applied between an anode and a surface to be plated (cathode) of a substrate to form a metal film (plating film) on the surface to be plated. Furthermore, a plating apparatus that performs plating while transporting a glass substrate with a transport roller is also known.
近年、例えば薄型テレビ用スクリーン(ディスプレイパネル)の製造工程においては、ガラス基板表面に金属膜をめっきする工程が用いられ、例えば1500×1300mmといった、広い表面積を有する矩形平板状のガラス基板のほぼ全面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で連続して成膜することが求められている。このようなガラス基板のサイズは年々大型化されている。しかし、このように、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に従来の方法で金属膜を成膜するには以下のような課題があった。 In recent years, for example, in the manufacturing process of a screen for a flat-screen television (display panel), a process of plating a metal film on the surface of the glass substrate is used. In addition, it is required to continuously form a metal film having a uniform thickness by a series of operations. The size of such a glass substrate is increasing year by year. However, there are the following problems in forming a metal film on the surface of a rectangular flat glass substrate having a large area as described above by a conventional method.
(1)ガラス基板を該ガラス基板の端辺を挟んで基板ホルダで保持するようにすると、ガラス基板の撓みを考慮した基板ホルダを用意する必要があり、基板ホルダに対する高い組立精度が要求され、その結果、めっきされた製品は高価なものとなる。
(2)ガラス基板の表裏を反転させたり、水平姿勢を垂直姿勢に変えたりするようにすると、大型の姿勢転換機構が必要であり、装置自体が大型化してしまう。
(1) When the glass substrate is held by the substrate holder across the edge of the glass substrate, it is necessary to prepare a substrate holder in consideration of the bending of the glass substrate, and high assembly accuracy with respect to the substrate holder is required, As a result, the plated product is expensive.
(2) If the front and back of the glass substrate are reversed or the horizontal posture is changed to the vertical posture, a large posture changing mechanism is required, and the device itself becomes large.
(3)ガラス基板を垂直に保持し下降させてめっき槽内のめっき液中に浸漬させるようにした場合、ガラス基板を急速に下降させすると、めっき液の抵抗によりガラス基板が割れる恐れがあるので、ガラス基板を急速に下降させることはできない。しかも、基板をめっき液に浸漬するためにガラス基板を下降させる距離も長くなるので、ガラス基板を下降させる時間が長くかかり、スプープットの低下につながる。また、めっき前処理などの際に基板を処理液から引き上げる途中で基板が乾いてしまう恐れもある。 (3) If the glass substrate is held vertically and lowered and immersed in the plating solution in the plating tank, if the glass substrate is rapidly lowered, the glass substrate may break due to the resistance of the plating solution. The glass substrate cannot be lowered rapidly. In addition, since the distance to which the glass substrate is lowered in order to immerse the substrate in the plating solution also becomes long, it takes a long time to lower the glass substrate, leading to a decrease in the throughput. In addition, the substrate may be dried while the substrate is pulled up from the processing solution during plating pretreatment.
一般に、ガラス基板のような被処理基板は、被処理面(被めっき面)を上向きにして装置内に搬入されるため、そのままの姿勢、つまり被処理面を上向きにしたのまま、装置内を搬送し処理することができれば複雑な姿勢転換機構を設けることなく装置を小型化できる。 In general, a substrate to be processed such as a glass substrate is loaded into the apparatus with the surface to be processed (surface to be plated) facing upward, so that the inside of the apparatus remains in the same position, that is, with the surface to be processed facing upward. If it can be conveyed and processed, the apparatus can be miniaturized without providing a complicated posture changing mechanism.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面(被めっき面)に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができ、しかもスループットを向上させながら、狭いスペース内に設置できようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances. A metal film having a uniform film thickness is formed on a substrate surface (surface to be plated) such as a rectangular flat glass substrate having a large surface area while preventing damage to the substrate. It is an object of the present invention to provide a plating apparatus and a plating method that can be formed in a series of operations and can be installed in a narrow space while improving throughput.
請求項1に記載の発明は、被めっき面を上向きにして基板を水平な状態で搬送する基板搬送ユニットと、該基板搬送ユニットに隣接して配置されためっきユニットを有し、前記めっきユニットは、めっき液を保持するめっき槽と、前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置である。 The invention according to claim 1 includes a substrate transport unit that transports a substrate in a horizontal state with a surface to be plated facing upward, and a plating unit that is disposed adjacent to the substrate transport unit, and the plating unit includes: A plating tank for holding a plating solution, and a plate that is disposed above the plating tank, is held vertically with the surface to be plated facing upward, and is immersed in the plating solution in the plating tank together with the substrate so as to be movable up and down. A holding base, a substrate transfer mechanism that receives a substrate from the substrate transfer unit and transfers the substrate to a predetermined position on the holding base, and a fluid that forms a fluid film by supplying a fluid to the surface of the holding base when the substrate is transferred A plating apparatus having a film forming section.
これにより、保持ベースの表面に液体等の流体を供給して流体膜(液膜)を形成し、この流体膜(液膜)の上を滑るようにして、保持ベース上の所定の位置に基板を移送して保持ベースで保持することができる。これによって、基板の端面を強い力で挟んだり基板の一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、基板が損傷することを防止しつつ、基板をめっきユニット内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベースで保持することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。 As a result, a fluid such as a liquid is supplied to the surface of the holding base to form a fluid film (liquid film), and the substrate is slid over the fluid film (liquid film) at a predetermined position on the holding base. Can be transferred and held on a holding base. This prevents the substrate from being damaged by pinching the end face of the substrate with a strong force or adsorbing a part of the substrate to apply an excessive force to the substrate or applying a strong frictional force to the substrate. However, the substrate can be smoothly moved to a predetermined position in the plating unit and held by the holding base. In addition, the apparatus can be reduced in size and throughput can be improved by moving the substrate horizontally and carrying out the plating process on the substrate while moving the substrate horizontally with the surface to be plated facing upward.
なお、保持ベースにコロを設け、このコロの回転に伴って、基板が保持ベース上をスムーズに移動できるようにすることも考えられるが、保持ベースにコロのような突起物があると、基板を保持ベースで保持する際に基板に局所的な応力がかかる。また仮にコロを必要に応じて保持ベース内部に引っ込めるための機構を備えたとしても、基板と共にめっき液に浸漬させる保持ベースとしては、そのような複雑な構造は好ましくない。特に摺動部がめっき液中にあると、めっき液成分である、例えば銅のような析出物が発生し、析出物が摺動面にはさまって動作不良が起きてしまい、連続して使用することが困難となる。 It is also possible to provide a roller on the holding base so that the substrate can move smoothly on the holding base as the roller rotates. However, if there are protrusions like a roller on the holding base, When the substrate is held by the holding base, local stress is applied to the substrate. Further, even if a mechanism for retracting the roller into the holding base as necessary is provided, such a complicated structure is not preferable as the holding base that is immersed in the plating solution together with the substrate. In particular, when the sliding part is in the plating solution, precipitates such as copper, which is a component of the plating solution, are generated. It becomes difficult.
請求項2に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液に電解めっき液を使用した電解めっきユニットで、前記保持ベースの上方には、前記保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとを内部に備え、前記保持ベースと一体に上下動するプロセスユニットが配置されていることを特徴とする請求項1記載のめっき装置である。 According to a second aspect of the present invention, the plating unit is an electrolytic plating unit that uses an electrolytic plating solution as a plating solution. A process unit is provided, which includes a cathode contact that contacts a surface to be plated and an anode disposed above the substrate in parallel with the substrate and moves up and down integrally with the holding base. Item 2. The plating apparatus according to Item 1.
このように、保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとをプロセスユニット内に配置し、プロセスユニットを保持ベースに対して下降させた後、プロセスユニットと保持ベースを一体に下降させて、保持ベースで保持した基板、及びプロセスユニット内のアノードをめっき槽内のめっき液(電解めっき液)中に浸漬させることで、電解めっきが可能となる。 In this way, the cathode contact that is lowered relative to the holding base and contacts the surface to be plated and the anode that is disposed above the substrate and parallel to the substrate are disposed in the process unit. Is lowered with respect to the holding base, the process unit and the holding base are lowered integrally, and the substrate held by the holding base and the anode in the process unit are placed in the plating solution (electrolytic plating solution) in the plating tank. By soaking, electrolytic plating becomes possible.
請求項3に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、該カソード接点の自重が接触圧力となることを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
請求項4に記載の発明は、前記プロセスユニットには、めっき液に接液しないめっき槽上部に位置して、前記カソード接点の接触圧力を一定に保つばねが備えられていることを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
A third aspect of the present invention is the plating apparatus according to the second aspect, wherein the cathode contact of the process unit has its own weight as a contact pressure.
The invention according to claim 4 is characterized in that the process unit is provided with a spring that is located above the plating tank that does not come into contact with the plating solution and that keeps the contact pressure of the cathode contact constant. The plating apparatus according to claim 2.
請求項5に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、接触圧力を変えることが可能であることを特徴とする請求項2記載のめっき装置である。
請求項6に記載の発明は、前記プロセスユニットには、前記カソード接点と前記アノードとの間に位置して、前記アノードまたは被めっき面と垂直に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項2乃至5のいずれかに記載のめっき装置である。
The invention according to claim 5 is the plating apparatus according to claim 2, wherein the contact pressure of the cathode contact of the process unit can be changed.
The invention according to claim 6 is characterized in that the process unit is provided with a shielding plate positioned between the cathode contact and the anode and perpendicular to the anode or the surface to be plated. A plating apparatus according to any one of claims 2 to 5.
請求項7に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液として無電解めっき液を使用した無電解めっきユニットであることを特徴とする請求項1記載のめっき装置である。
この場合、所定位置に基板を保持した保持ベースを基板と共にめっき液(無電解めっき液)中に浸漬させるだけで、基板の被めっき面にめっき(無電解めっき)を行うことができる。
The invention according to claim 7 is the plating apparatus according to claim 1, wherein the plating unit is an electroless plating unit using an electroless plating solution as a plating solution.
In this case, plating (electroless plating) can be performed on the surface to be plated of the substrate simply by immersing the holding base holding the substrate in a predetermined position together with the substrate in a plating solution (electroless plating solution).
請求項8に記載の発明は、前記保持ベースは、水平面に対してチルト自在であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、保持ベースを水平面に対してチルト自在となし、保持ベースを水平面に対して所定の角度チルトさせた状態で基板と共にめっき液中に浸漬させることで、この浸漬時に生じる液抵抗を小さくすることができる。
The invention according to claim 8 is the plating apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the holding base is tiltable with respect to a horizontal plane.
In this way, the holding base is tiltable with respect to the horizontal plane, and the holding base is immersed in the plating solution together with the substrate while being tilted at a predetermined angle with respect to the horizontal plane, thereby reducing the liquid resistance generated during the immersion. can do.
請求項9に記載の発明は、前記基板移送機構は、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニットを備え、各コンベアユニットには、互いに近接した時に基板の端面に接触しながら回転する複数のローラが備えられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板の端面に接触しながら回転する複数のローラを介して、基板を確実に移送することができる。
According to a ninth aspect of the present invention, the substrate transfer mechanism includes a pair of conveyor units that are movable in directions close to each other, and each conveyor unit rotates while contacting the end face of the substrate when close to each other. The plating apparatus according to claim 1, further comprising a roller.
Thereby, a board | substrate can be reliably conveyed via the several roller rotated while contacting the end surface of a board | substrate.
請求項10に記載の発明は、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間には、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構が配置されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに直接移送できない場合に、基板受渡し機構を経由させることで、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに移送することができる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a substrate delivery mechanism for delivering a substrate between the substrate conveyance unit and the plating unit between the substrate conveyance unit and the plating unit. The plating apparatus according to claim 1, wherein the plating apparatus is characterized in that
Accordingly, when the substrate cannot be directly transferred from the substrate transfer unit to the plating unit, the substrate can be transferred from the substrate transfer unit to the plating unit by passing through the substrate transfer mechanism.
請求項11に記載の発明は、前記流体膜形成部は、前記保持ベースの表面に形成した流体供給溝と該流体供給溝に連通する流体供給ラインからなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のめっき装置である。
流体としては、液体が好ましく使用されるが、気体または液体と気体を混合させた気液混合体等を使用しても良い。
According to an eleventh aspect of the present invention, the fluid film forming section includes a fluid supply groove formed on a surface of the holding base and a fluid supply line communicating with the fluid supply groove. The plating apparatus according to any one of the above.
A liquid is preferably used as the fluid, but a gas or a gas-liquid mixture in which a liquid and a gas are mixed may be used.
請求項12に記載の発明は、前記保持ベースは、真空吸着によって基板を保持することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項13に記載の発明は、前記保持ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のめっき装置である。
保持ベースは、例えば塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド(PPS)樹脂等の樹脂からなる。
The invention according to
A thirteenth aspect of the present invention is the plating apparatus according to any one of the first to twelfth aspects, wherein the holding base has flexibility.
The holding base is made of a resin such as a vinyl chloride resin, a fluorine resin, or a polyphenylene sulfide (PPS) resin.
請求項14に記載の発明は、保持ベース上に水平に保持した基板の被めっき面にめっき前処理を行う前処理ユニットと、保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置である。 According to the fourteenth aspect of the present invention, there is provided a pretreatment unit for performing pre-plating treatment on a surface to be plated of a substrate held horizontally on a holding base, and plating of a substrate after pre-plating treatment held horizontally on the holding base. A plating unit that performs plating on the surface, and a substrate transfer unit that transfers the substrate while maintaining the level and transfers one of the pretreatment unit and one of the holding base substrates of the plating unit, between the substrate and the holding base In the plating apparatus, the substrate is transferred from the substrate transport unit to at least one of the pretreatment unit and the plating unit in a state where a fluid film is formed on the substrate.
請求項15に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。 According to a fifteenth aspect of the present invention, the substrate is transferred to a predetermined position on the upper surface of the holding base in a state where the substrate is kept horizontal and a fluid film is formed on the upper surface of the holding base, and the holding base is lowered to lower the holding base. Is immersed in the electrolytic plating solution together with the substrate, and the cathode contact and the anode are simultaneously lowered to bring the cathode contact into contact with the surface to be plated, and the anode is immersed in the electrolytic plating solution, and between the cathode and the anode. A plating method is characterized in that a voltage is applied to perform electrolytic plating on a surface to be plated of a substrate.
請求項16に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。 According to a sixteenth aspect of the present invention, the substrate is moved to a predetermined position on the upper surface of the holding base while the substrate is kept horizontal and a fluid film is formed on the upper surface of the holding base, and the holding base is lowered to lower the holding base. It is a plating method characterized by immersing in an electroless plating solution together with a substrate to perform electroless plating on a surface to be plated of the substrate.
本発明によれば、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面(被めっき面)に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。 According to the present invention, a metal film having a uniform film thickness is formed on a substrate surface (surface to be plated) such as a rectangular flat glass substrate having a large surface area by a series of operations while preventing damage to the substrate. be able to. In addition, the apparatus can be reduced in size and throughput can be improved by moving the substrate horizontally and carrying out the plating process on the substrate while moving the substrate horizontally with the surface to be plated facing upward.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の例では、矩形平板状のガラス基板の表面にめっきによって金属膜を成膜する例を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following example, a metal film is formed on the surface of a rectangular flat glass substrate by plating.
図1は、本発明の実施形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。図1に示すように、このめっき装置は、例えばディスプレイ製造工場に設置されたガラス基板搬送機器からガラス基板を受取ってめっき装置の内部に搬入するロードユニット10と、めっき装置内でめっき処理を行ったガラス基板Wをガラス基板搬送機器等に受渡すアンロードユニット12を備えており、このロードユニット10とアンロードユニット12は、互いに対向する位置に所定間隔離間して配置されている。
FIG. 1 is a layout view showing the overall configuration of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this plating apparatus receives, for example, a glass substrate from a glass substrate transfer device installed in a display manufacturing factory and carries it into the plating apparatus, and performs a plating process in the plating apparatus. An unload
ロードユニット10は、第1基板搬送ユニット14a、第2基板搬送ユニット14b、第1インライン洗浄ユニット16a、第3基板搬送ユニット14c、第4基板搬送ユニット14d、第5基板搬送ユニット14e及び第6基板搬送ユニット14fを直列に連結した第1基板搬送処理ライン18aの第1基板搬送ユニット14aに直列に接続されている。アンロードユニット12は、第7基板搬送ユニット14g、第8基板搬送ユニット14h、第9基板搬送ユニット14i、第10基板搬送ユニット14j、第2インライン洗浄ユニット16b、インライン乾燥ユニット20及び基板搬送機構22を直列に連結した第2基板搬送処理ライン18bの該基板搬送機構22に直列に接続されている。
The
第1基板基板搬送ライン18aと第2基板搬送処理ライン18bとの間に位置して、2台の前処理ユニット24a,24bと、4台のめっきユニット26a〜26dが配置されている。このめっき装置では、第1前処理ユニット24aで脱脂等のめっき前洗浄(第1めっき前処理)を行い、第2前処理ユニット24bで酸による洗浄等の活性化処理(第2めっき前処理)を行う。めっきユニット26a〜26dは、この例では、全て同一のめっき処理を行う電解めっきユニットからなり、各ガラス基板に対して1台のめっきユニットが使用され、スループットを考慮して、4台のめっきユニットが備えられている。
Two
次に、このめっき装置におけるガラス基板の流れについて説明する。先ず、ガラス基板搬送機器等から被処理面(被めっき面)を上向きにした水平状態で受取られたガラス基板は、ロードユニット10で受取られて、第1基板搬送ユニット14aに搬送される。そして、ガラス基板は、進行方向を変えられて第1前処理ユニット24aに搬送され、ここで脱脂等の第1めっき前処理が行われた後、第1基板搬送ユニット14aに戻される。次に、ガラス基板は、第2基板搬送ユニット14bに搬送され、前述と同様にして、第2前処理ユニット24bに搬送されて、ここで活性化等の第2めっき前処理が行われた後、第2基板搬送ユニット14bに戻される。
Next, the flow of the glass substrate in this plating apparatus will be described. First, a glass substrate received in a horizontal state with a surface to be processed (surface to be plated) facing upward from a glass substrate transfer device or the like is received by the
そして、ガラス基板は、第1インライン洗浄ユニット16aにおいて、第1インライン洗浄ユニット16aに沿って、第2基板搬送ユニット14bから第3基板搬送ユニット14cに向けて搬送されながら洗浄される。洗浄後のガラス基板は、めっきユニット26a〜26dのいずれか1つのめっきユニットでめっき処理されて、第2基板搬送処理ライン18bに搬送される。例えば第3基板搬送ユニット14cから第1めっきユニット26aに搬送され、ここでめっき処理が行われた後、第10基板搬送ユニット14jに搬送される。
Then, the glass substrate is cleaned in the first
めっき後のガラス基板は、第2インライン洗浄ユニット16bにおいて、第2インライン洗浄ユニット16bに沿って、第10基板搬送ユニット14jからインライン乾燥ライン20に向けて搬送されながら洗浄される。更に、インライン乾燥ライン20において、インライン乾燥ライン20に沿って、インライン乾燥ライン20から搬送ユニット22に向けて搬送されながら乾燥される。そして、基板搬送機構22を通過して、アンロードユニット20からガラス基板搬送機器等に受渡される。
The plated glass substrate is cleaned in the second
ロードユニット10は、図示しないが、ガラス基板を乗せたアームがめっき装置内に進入し停止した後、搬送ローラを有する昇降機が上昇し、ガラス基板をアームから受取る構造となっている。昇降機が上昇端で停止した後、搬送ローラが回転し、ガラス基板を隣に設置された基板搬送ユニット14aに送る。アンロードユニット12は、この逆の動作で、めっき装置内に進入したアームにガラス基板を受渡す。
Although not shown in the figure, the
インライン洗浄ユニット16a,16bは、図示しないが、ガラス基板が流れる搬送ラインの上部及び下部に設置したシャワーヘッドを有し、このシャワーノズルよりガラス基板に向けて純水を吹付ることで、ガラス基板の表裏に残るめっき液を洗い流す。シャワーを流した状態でガラス基板を送るため、ガラス基板の全面を洗浄することができる。
Although not shown, the in-
インライン乾燥ユニット20は、エアーナイフを用いたものであり、ローラコンベアで移動するガラス基板の表裏両面に向けてエアーナイフからエアーを吹付ことでガラス基板を乾燥する。
The in-
図1に示すように、ロードユニット10とアンロードユニット12を互いに並行した位置に置くことにより、ディスプレイ製造工場等に設置されたガラス基板搬送機器の移動距離が短くなり、更には、めっき処理前の貯留位置にめっき後のガラス基板を戻すことが容易になる。
As shown in FIG. 1, by placing the
図2は、図1において、互いに隣接した位置に配置される、第3基板搬送ユニット14c、第1めっきユニット26a及び第10基板搬送ユニット14jを示す平面図で、図3は、図2の縦断正面図(図1のA−A線断面図)である。なお、基板搬送ユニット14a〜14jは、全て同じ構成であるので、ここでは、基板搬送ユニット14cについてのみ説明し、他の基板搬送ユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。また、めっき装置26a〜26dにあっても、全て同じ構成であるので、ここでは、めっきユニット26aについてのみ説明して、他のめっきユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。
2 is a plan view showing the third
なお、図1には省略してあるが、図2及び図3に示すように、第3基板搬送ユニット14cと第1めっきユニット26aとの間には第1基板受渡し機構28aが、第1めっきユニット26aと第10基板搬送ユニット14jとの間には第2基板受渡し機構28bがそれぞれ配置されている。これは、他の基板搬送ユニットとめっきユニットとの関係にあっても同様である。基板受渡し機構28a,28bは、同一構成であるので、基板受渡し機構28aのみ説明し、基板受渡し機構28bにあっては、同一符号を付して説明を省略する。
Although not shown in FIG. 1, as shown in FIGS. 2 and 3, a first
図2及び図3に示すように、第3基板搬送ユニット14cには、第1基板搬送処理ライン18aに沿った搬送方向Aにガラス基板Wを搬送する複数の第1搬送ローラ30が、該搬送方向Aに沿った所定のピッチで配置されている。ガラス基板Wは、この第1搬送ローラ30の駆動(回転)に伴って、搬送ローラ30上を搬送方向Aに沿って所定位置まで搬送される。更に、ガラス基板Wの通過を検知する検知センサ32と、ガラス基板Wを所定の位置に停止させる上下動自在なストッパ34が備えられている。これにより、ガラス基板Wが第1搬送ローラ30上を搬送されて検知センサ32上を通過したことを検知センサ32で検知した時に、ストッパ34を上昇させ、第1搬送ローラ30の駆動を停止させて、ガラス基板Wを第3基板搬送ユニット14c上の所定の位置に機械的に停止させる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the third
なお、第1めっきユニット26aでめっき処理を行うことなく、例えば第2めっきユニット26bでめっき処理を行うときには、第3基板搬送ユニット14cのストッパ34を上昇させることなくガラス基板を通過させ、第4基板搬送ユニット14dのストッパを上昇させて、ガラス基板を第4基板搬送ユニット14d上の所定の位置に停止させる。
For example, when the plating process is performed by the
第1搬送ローラ30と互い干渉しない位置に位置して、ガラス基板Wの停止位置の下方には、第3基板搬送ユニット14cに隣接するめっきユニット26aに向かう搬送方法Bにガラス基板を搬送する複数の第2搬送ローラ36が、該搬送方向Bに沿った所定のピッチで配置されている。なお、図2では、第2搬送ローラを省略している。この第2搬送ローラ36は、ベースに取付けたシリンダ(図示せず)の作動に伴って、第1搬送ローラ30の下方の待避位置と、第1搬送ローラ30の上方の図3に示す搬送位置との間を上下動する。
A plurality of glass substrates are transported to a transport method B directed to the
これにより、ガラス基板Wを第3基板搬送ユニット14c上の所定位置に機械的に停止させた後、第2搬送ローラ36を上昇させることで、ガラス基板Wを第2搬送ローラ36で掬い上げて第1搬送ローラ30から受取り、第2搬送ローラ36を駆動(回転)させてガラス基板Wを搬送方向Bに搬送する。
As a result, the glass substrate W is mechanically stopped at a predetermined position on the third
基板受渡し機構28aは、該基板受渡し機構28aを経由させて、ガラス基板Wを第3基板搬送ユニット14cからめっきユニット26aに搬送するためのもので、ガラス基板Wの搬送方向Bに沿って所定のピッチで配置された、複数(図示では3個)の搬送ローラ38から構成されている。この搬送ローラ38は、第3基板搬送ユニット14cの搬送位置に位置する第2搬送ローラ36と同一高さレベルに配置されている。これにより、基板受渡し機構28aは、第3基板搬送ユニット14cの第2搬送ローラ36から送られてくるガラス基板Wを受取り、搬送ローラ38の駆動(回転)に伴って、ガラス基板Wを搬送方向Bに搬送して、めっきユニット26aに受渡す。
The
めっきユニット26aは、内部にめっき液(電解めっき液)Qを保持するめっき槽40と、めっき槽40の上方に配置された矩形平板状の保持ベース42とを有しており、ガラス基板Wの搬送方向Bに沿って保持ベース42を挟んだ位置に、入口搬送ローラ44と出口搬送ローラ46が基板受渡し機構28aと同一高さレベル位置に配置されている。入口搬送ローラ44と出口搬送ローラ46の側外方には、ガラス基板Wの端面に接触してガラス基板Wの進行方向に対する左右のずれを防止するする各一対のガイド板48が配置されている。
The
これにより、基板受渡し機構28aから送られてくる基板を入口搬送ローラ44で受取り、基板移送機構を介して、保持ベース42上の所定の位置に搬送する。そして、めっきユニット26aでのめっき処理を終了した後に、保持ベース42で保持したガラス基板Wを、コンベアユニット50を介して、出口搬送ローラ46に搬送し、基板受渡し機構28bで受取って、第10基板搬送ユニット14jの第2搬送ローラ36に搬送する。
As a result, the substrate delivered from the
保持ベース42は、例えば、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド(PPS)樹脂等の樹脂によって、僅かに可撓性を有するように構成されている。ガラス基板Wの搬送方向Bと直交する方向に沿って保持ベース42を挟んだ位置には、基板移送機構を構成する、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニット50,50が備えられている、この各コンベアユニット50は、エアシリンダ52の作動によって移動する移動プレート54が備えられ、この移動プレート54の互いに対向する長辺に沿って、複数(図示では4個)の回転ローラ56が回転自在に支承されている。更に、移動プレート54の第10基板搬送ユニット14j側の端部には、ガラス基板Wの保持ベース42に対する位置決めを行うストッパ58が鉤状に内方に突出して連接されている(図4参照)。このストッパ58の近傍に位置して、ガラス基板Wが所定の位置に達したことを検知する検知センサ(図示せず)が配置されている。
The holding
図4及び図5に示すように、保持ベース42の上面には、直線状に延びる真空吸着溝42aと液体供給溝(流体供給溝)42bが、この例では、交互かつ平行に設けられている。そして、真空吸着溝42aは、その両端に設けた貫通孔を通して、真空ライン62に接続され、液体供給溝42bは、その両端に設けた貫通孔を通して、例えば純水等の液体を供給する液体供給ライン(流体供給ライン)64に接続されている。この液体供給溝(流体供給溝)42b及び液体供給ライン(流体供給ライン)64によって、保持ベース42の表面(上面)に、例えば純水等の流体を供給して薄い液膜(流体膜)を形成する液膜形成部(流体膜形成部)が構成されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, on the upper surface of the holding
なお、この例では、保持ベース42の上面に、純水等の液体を供給して、薄い液膜を形成するようにした例を示しているが、液体の代わりに、気体(エアー)や液体(純水)と気体(エアー)とを混合させた気液混合体を使用して、保持ベース42の上面に、気体等からなる薄い流体膜を形成するようにしてもよい。
In this example, a liquid such as pure water is supplied to the upper surface of the holding
基板受渡し機構28aを経由して、ガラス基板Wをめっきユニット26aの保持ベース42上の所定位置に搬送する時には、先ずエアシリンダ52を作動させ、コンベアユニット50の移動プレート54を互いに近接した位置に移動させて、回転ローラ56を回転させる。更に、液体供給ライン(流体供給ライン)64から液体供給溝(流体供給溝)42bに純水等の液体(流体)を供給して、保持ベース42の表面(上面)に純水等の液体(流体)からなる薄い液膜(液体膜)を形成する。これにより、入口搬送ローラ44から保持ベース42の上方に向けて送られてきたガラス基板Wは、その両端面において、互いに対向する位置に配置されて回転ローラ56に挟まれた状態で接触し、この回転ローラ56の回転により、保持ベース42上を搬送方向Bに沿って搬送される。この時、保持ベース42の表面上には薄い液膜(流体膜)が形成されており、このためガラス基板Wは液膜上を滑るように移動する。
When the glass substrate W is transported to a predetermined position on the holding
そして、ガラス基板Wの進行方向前方の端面がストッパ58に当接してガラス基板Wが停止したことを検知センサで検知した時に回転ローラ56の回転及び液体の供給を停止し、これによって、ガラス基板Wを保持ベース42上の所定位置に停止させる。そして、真空ライン62を通して、真空吸着溝42aを真空引きすることで、ガラス基板Wを保持ベース42上の所定位置に吸着保持する。
Then, the rotation of the
このように、保持ベース42の表面に液体等の流体を供給して液膜等の流体膜を形成し、この流体膜(液膜)の上を滑るようにして、保持ベース42上の所定位置にガラス基板Wを移送して保持ベース42で保持することで、ガラス基板Wの端面を強い力で挟んだりガラス基板Wの一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、ガラス基板Wが損傷することを防止しつつ、ガラス基板Wをめっきユニット26a内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベース42で保持することができる。
In this manner, a fluid film such as a liquid film is formed on the surface of the holding
めっき終了後は、上記とほぼ逆の動作で、保持ベース42でのガラス基板Wの保持を解き、保持ベース42の表面に液体を供給して薄い液膜(流体膜)を形成しながら、ガラス基板Wを保持ベース42から基板受渡し機構28bに向けて送り出す。
After the end of plating, the glass substrate W is released from holding by the holding
保持ベース42は、矩形状の保持フレーム70の下端に固定されており、この保持フレーム70は、この上方に位置する矩形状の昇降フレーム72に垂下支持されている。つまり、保持フレーム70は、その一方の辺側において、ヒンジ74を介して回動自在に昇降フレーム72に連結され、保持フレーム70の他方の辺側と昇降フレーム72との間にはチルト用エアシリンダ76が配置されている。これにより、チルト用エアシリンダ76の作動に伴って、図6に示すように、保持フレーム70全体がヒンジ74を中心に傾動して、保持ベース42が水平面に対してチルトするようになっている。
The holding
更に、保持ベース42の上方に位置して、プロセスユニット80が配置され、このプロセスユニット80は、保持フレーム70の上枠体82に取付けた昇降用エアリンダ84のロッドに連結されている。これによって、プロセスユニット80は、昇降用エアシリンダ84の駆動に伴って、保持ベース42に対して相対的に昇降し、また、昇降フレーム72の昇降に伴って、保持フレーム70及びプロセスユニット80が一体に昇降するようになっている。このように、昇降フレーム72は、保持フレーム70及びプロセスユニット80の全ての重量を支えており、更に、下記のように、保持ベース42をガラス基板Wと共にめっき液から引き上げる力もかかる。このため、この例では、昇降フレーム72の四隅に、一端にカウンターウェート86を設けたチェーン88の他端を連結し、昇降用モータ90の駆動に伴って、チェーン88を引上げ・引下げることで、バランスを取りながら、少ない動力で、昇降フレーム72を保持フレーム70及びプロセスユニット80と一体に昇降させるようにしている。
Further, a
プロセスユニット80は、図7及び図8に示すように、保持ベース42を固定した状態でプロセスユニット80を下降させた時に、保持ベース42で保持したガラス基板Wの両側周縁部に接触して電給する棒状の複数のカソード接点92と、保持ベース42を固定した状態でプロセスユニット80を下降させ、更に保持ベース42を固定した状態でプロセスユニット80と一体に下降させた時に、めっき槽40内のめっき液Qに浸漬されてガラス基板Wの上方を覆う位置に配置される矩形状のアノード94と、ガラス基板Wとアノード94との間に上下に配置される矩形枠状のアノードマスク96及び中間マスク98と、カソード接点92と平行に該該カソード接点92の内側を覆うよう配置した第1の遮蔽板300とを有している。アノード94として、この例では、不溶解アノードを使用している。
As shown in FIGS. 7 and 8, when the
カソード接点92は、給電部302から延びる配線304に電気的に接続されており、カソード接点92自体がめっきされないように、めっき槽40内のめっき液Qに接液する部分おけるガラス基板Wとの接触面以外は樹脂等で被覆されている。カソード接点92のガラス基板Wとの接触面は、平坦な銅金属の面に金めっきを施して構成されて、ガラス基板Wと接触した時に接触面の全面が当たるようになっている。このとき、カソード接点92とガラス基板Wの接触圧力を一定の範囲に保たなければならないが、ガラス基板Wの厚さばらつきがあるため、ばねでカソード接点92に荷重を掛けることが考えられる。しかし、ばねを樹脂で被覆して、ガラス基板Wとともにめっき槽40内のめっき液Q中に浸漬させると、繰り返しの使用により被覆が剥がれ、そこからめっきが進行して、ばねの表面にめっきが析出するおそれがある。
The
そこでこの例では、ガラス基板Wを水平に設置し、カソード接点92をガラス基板Wに上から当てることで、カソード接点92自体の自重でこの荷重(接触圧力)を得るようにしている。荷重が不足する場合には、カソード接点92に錘を付ければ良い。なお、めっき槽40内のめっき液Qに接触しな位置にばねを配置し、このばねを介してカソード接点92の荷重(接触圧力)をコントロールするようにしてもよく、この場合、ばねの表面にめっきが析出することを防止することができる。
Therefore, in this example, the glass substrate W is installed horizontally, and the
更に、この例では、めっき槽40内のめっき液Qに接触しない位置にエアシリンダ306を配置し、このエアシリンダ306でカソード接点92の接触圧力をコントロールするようにしている。なお、このエアシリンダ306を省略してもよいことは勿論である。
Further, in this example, an
この例では、カソード接点92と、ガラス基板W及びアノード94が対面するめっき液間に第1の遮蔽板300を入れている。これにより、電場が必要な範囲を超えて広がることを抑えられる。一般的には、カソード接点の接触面周りにめっきが厚くつく傾向があるが、このように、第1の遮蔽板300を用いることにより、カソード接点92の周りにめっきが厚く付くことが抑えられ、必要とされる被めっき面に成膜されるめっき膜の面内均一性が高く保てるという利点がある。この第1の遮蔽板300はアノード94の設置位置より高い位置、即ち、液面より上までカソード接点92を覆っている。
In this example, the
この実施例においては、カソード接点92は棒状であり、ガラス基板Wの向かい合う2辺にそって平行に設置される。第1の遮蔽板300は、カソード接点92に平行に、カソード接点92とアノード94の間を遮るように設置される。第1の遮蔽板300とガラス基板Wとの間には、カソード接点92の接触面周りにめっきが厚くつくことを抑えるため、Oリング(図示せず)が設けられている。更に、カソード接点92より外側とカソード接点92を設けない基板の向かい合う2辺を取り囲むように、第2の遮蔽板308が設置されている。この第2の遮蔽板308は、カソード接点92をサポートする役目も果たしている。第2の遮蔽板308の下端にも、Oリング(図示せず)が設けられている。第2の遮蔽板308のカソード接点92を設けないガラス基板Wの向かい合う2辺には、図7に示すように、めっき液をガラス基板Wとアノード94の間の空間に導入する、側面開口部310が設けられている。さらに、めっき時において、めっき液に、側面開口部から入り、対向する側面開口部から出る流れが生じるようにしても良い。保持ベース42の四隅にはフレーム70が設けられ、保持ベース42はフレーム70により吊り下げられる。
In this embodiment, the
次に、このめっきユニット26aによるめっき処理について説明する。
先ず、前述のようにして、保持ベース42上の所定位置にガラス基板Wを吸着保持する。次に、昇降用エアシリンダ84を作動させて、プロセスユニット80を下降させ、カソード接点92を保持ベース42で保持したガラス基板Wの周縁部に接触させる。次に、チルト用エアシリンダ76を作動させて、図6に示すように、保持フレーム70をプロセスユニット80と共に、例えば角度θだけ傾動させ、これによって、保持ベース42を水平面に対して角度θだけチルトさせる。
Next, the plating process by the
First, as described above, the glass substrate W is sucked and held at a predetermined position on the holding
この状態で、昇降用モータ90を駆動して、昇降フレーム72を保持フレーム70及びプロセスユニット80と一体に下降させ、プロセスユニット80のアノード94をめっき槽40内のめっき液(電解めっき液)Q中に浸漬させる。そして、チルト用エアシリンダ76を逆作動させて、保持ベース42を水平に戻し、カソード接点92とアノード94との間にめっき電圧を印加して、ガラス基板Wの表面をカソードとした電解めっきを所定時間行う。
In this state, the elevating
この時に下降速度は、例えば10mm/sec程度であり、下降速度を遅くすることで、めっき液の飛び跳ね等を防止することができる。また、下降時に保持ベース42を水平面に対してチルトさせることで、下降時の液抵抗を少なくすることができる。
At this time, the descending speed is, for example, about 10 mm / sec. By slowing down the descending speed, it is possible to prevent the plating solution from jumping. Further, by tilting the holding
所定時間のめっきを行った後、カソード接点92及びアノード94を電源から切離し、前述と同様にして、保持ベース42を水平面に対してチルトさせた後、昇降用モータ90を逆駆動して、昇降フレーム72を保持フレーム70及びプロセスユニット80と一体に上昇させて、保持ベース42をガラス基板Wと共にめっき槽40内のめっき液から引き上げる。そして、昇降用エアシリンダ84を逆作動させ、プロセスユニット80を上昇させて、保持ベース42を開放させる。
After plating for a predetermined time, the
このめっきユニット26aは、めっき液として無電解めっき液を使用することで、無電解めっきユニットとしても使用できる。このように無電解めっきユニットとして使用する場合、プロセスユニット及び該プロセスユニットに付帯する昇降機構等は不要となる。無電解めっきユニットとして使用する場合には、前述のようにして、保持ベース42上の所定位置にガラス基板Wを吸着保持し、必要に応じて、保持ベース42を水平面に対してチルトさせた状態で、保持ベース42をガラス基板Wと共に下降させて、めっき槽40内のめっき液(無電解めっき液)中に浸漬させることで、ガラス基板Wの表面に無電解めっきを行うことができる。
The
図9は、前処理ユニット24aの系統図を示す。前処理ユニット24bも、使用する前処理液(薬液)が異なるだけで前処理ユニット26aとほぼ同様な構成である。
FIG. 9 shows a system diagram of the
前処理ユニット24aは、めっき装置26aとほぼ同様な構成の保持ベース100と、この保持ベース100の上方に上下動自在に配置されたシャワーノズル102を有している。そして、ガラス基板Wは、前述のめっき装置26aとほぼ同様な動作で保持ベース100上の所定位置に保持された後、ガラス基板Wの表面に向けてシャワーノズル102から薬液(前処理液)を噴射することで、ガラス基板Wの表面の薬液による処理(前処理)を行うように構成されている。
The
ここで、前処理ユニット24a内の液体の流れについて説明する。ガラス基板Wの前処理に用いられた薬液は、保持ベース100の周りに設けられた樋104で受けられて薬液供給タンク106に溜められる。薬液供給タンク106に溜められた薬液は、ポンプ108で送液され、フィルタ110、流量計112を通って、再びシャワーノズル102から保持ベース100で保持されたガラス基板Wの表面に供給される。樋104と薬液供給タンク106との間には、2つの切換バルブ114a,114bが設けられている。薬液を流している時には、薬液供給タンク11に繋がる切換バルブ114aを開き、薬液を薬液供給タンク106に戻して、ガラス基板に再び供給する。前処理が終了した後、純水ライン116の切換バルブ118を開き、流量計112を経て、保持ベース100で保持されたガラス基板Wの表面に純水を供給してガラス基板Wの表面を純水で洗浄する。この洗浄に使用された純水は、排水ラインに繋がる切換バルブ114bを開くことで、排水ラインに排水される。
Here, the flow of the liquid in the
次に、ガラス基板Wを保持ベース100上に吸着保持する真空ライン120について説明する。真空を作るイジェクタ122は、閉止バルブ124、圧力センサ126、気水分離槽128を経て保持ベース100に接続される。ガラス基板Wを処理している間は真空吸着を切ることもできるるが、操作の途中で真空ライン120に液が入ってくることがあるため、気水分離槽128で薬液を捕集する必要がある。また、この真空ライン120には、圧縮空気供給ライン130も接続されており、切換バルブ132を開くことにより、真空を破壊したり、ガラス基板の離脱時にガラス基板の背面から空気を流してガラス基板を浮上させたりすることができる。
Next, the
図10は、本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。このめっき装置は、電解めっきユニットと無電解ユニットを組合せて、ガラス基板の表面に電解めっきと無電解めっきの2段のめっき、または一方のめっきを選択的に行うようにしたものであり、互いに対向する位置に、ロードユニット200とアンロードユニット202を有している。
FIG. 10 is a layout view showing the overall configuration of a plating apparatus according to another embodiment of the present invention. This plating apparatus combines an electroplating unit and an electroless unit, and selectively performs two steps of electroplating and electroless plating on the surface of the glass substrate, or one of the plating. A
ロードユニット200は、第1基板搬送ユニット204a、第2基板搬送ユニット204b、第3基板搬送ユニット204c、第2電解めっき前処理ユニット206b及び第4基板搬送ユニット204dを直列に連結した第1基板搬送処理ライン108aの第1基板搬送ユニット204aに直列に接続されている。アンロードユニット202は、第5基板搬送ユニット204e、第1インライン洗浄ユニット210a、第6基板搬送ユニット204f、第7基板搬送ユニット204g、第2インライン洗浄ユニット210b及びインライン乾燥ユニット212を直列に連結した第2基板搬送処理ライン208bの該インライン乾燥ユニット212に直列に接続されている。
The
第1基板基板搬送ライン208aと第2基板搬送処理ライン208bとの間に位置して、無電解めっき前処理ユニット214、無電解めっきユニット216、第1電解めっき前処理ユニット206及び電解めっきユニット218が配置されている。
The electroless
このめっき装置において、無電解めっきを行うときには、第1基板搬送ユニット204a、無電解めっき前処理ユニット214、第2基板搬送ユニット204b、無電解めっきユニット216、第7基板搬送ユニット204g、第2インライン洗浄ユニット210b及びインライン乾燥ユニット212を使用する。
In this plating apparatus, when performing electroless plating, the first
電解めっきを行うときには、第1基板搬送ユニット204a、第2基板搬送ユニット204b、第3基板搬送ユニット204c、第1電解めっき前処理ユニット206a、第2電解めっき前処理ユニット206b、第4基板搬送ユニット204d、第5基板搬送ユニット204e、第1インライン洗浄ユニット210a、第6基板搬送ユニット204f、第7基板搬送ユニット204g、第2インライン洗浄ユニット210b及びインライン乾燥ユニット212を使用する。
When performing electroplating, the first
そして、無電解めっき及び電解めっきの2段のめっきを行うときには、全てのユニットを使用するのであり、これにより、種々のめっきに柔軟に対応することができる。 And when performing two-stage plating of electroless plating and electrolytic plating, all the units are used, so that various plating can be flexibly handled.
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。 Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.
10 ロードユニット
12 アンロードユニット
14a〜14j 基板搬送ユニット
16a,16b インライン洗浄ユニット
18a,18b 基板搬送処理ライン
20 インライン乾燥ユニット
22 基板搬送機構
24a,24b 前処理ユニット
26a〜26d めっきユニット
28a,28b 基板受渡し機構
30 第1搬送ローラ
34 ストッパ
36 第2搬送ローラ
38 搬送ローラ
40 めっき槽
42,100 保持ベース
42a 真空吸着溝
42b 液体供給溝(流体供給溝)
44 入口搬送ローラ
46 出口搬送ローラ
50 コンベアユニット
52 エアリンダ
54 移動プレート
56 回転ローラ
58 ストッパ
60 検知センサ
62,120 真空ライン
64 液体供給ライン(流体供給ライン)
70 保持フレーム
72 昇降フレーム
74 ヒンジ
76 チルト用エアシリンダ
80 プロセスユニット
84 昇降用エアシリンダ
86 カウンターウェート
88チェーン
90 昇降用モータ
92 カソード接点
94 アノード
96 アノードマスク
98 中間マスク
102 シャワーノズル
DESCRIPTION OF
44
70
Claims (16)
前記めっきユニットは、
めっき液を保持するめっき槽と、
前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、
前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、
前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置。 A substrate transport unit that transports the substrate in a horizontal state with the surface to be plated facing upward, and a plating unit disposed adjacent to the substrate transport unit;
The plating unit is
A plating tank for holding a plating solution;
A holding base that is disposed above the plating tank, is held vertically with the surface to be plated facing upward, and is immersed in a plating solution in the plating tank together with the substrate;
A substrate transfer mechanism for receiving a substrate from the substrate transfer unit and transferring it to a predetermined position on the holding base;
A plating apparatus comprising: a fluid film forming unit configured to supply a fluid to the surface of the holding base during the substrate transfer to form a fluid film.
保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、
水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、
基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置。 A pre-treatment unit that performs pre-plating treatment on the surface to be plated of the substrate held horizontally on the holding base;
A plating unit that performs plating on the surface to be plated of the substrate after pre-plating treatment that is horizontally held on the holding base;
A substrate transport unit that transports the substrate in a state of being maintained horizontally and transports one holding base substrate of the pretreatment unit and the plating unit;
A plating apparatus for transferring a substrate from the substrate transfer unit to at least one of the pretreatment unit and the plating unit in a state where a fluid film is formed between the substrate and a holding base.
前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、
前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。 The substrate is transferred to a predetermined position on the upper surface of the holding base while the substrate is kept horizontal and a fluid film is formed on the upper surface of the holding base.
The holding base is lowered and the holding base is immersed in the electrolytic plating solution together with the substrate. At the same time, the cathode contact and the anode are lowered to bring the cathode contact into contact with the surface to be plated and the anode is immersed in the electrolytic plating solution. ,
A plating method, wherein a voltage is applied between the cathode and the anode to perform electrolytic plating on a surface to be plated.
前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。 The substrate is transferred to a predetermined position on the upper surface of the holding base while the substrate is kept horizontal and a fluid film is formed on the upper surface of the holding base.
A plating method, wherein the holding base is lowered and the holding base is immersed in an electroless plating solution together with the substrate to perform electroless plating on the surface to be plated.
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