JP2009266874A - 半導体結晶成長用基板および半導体結晶 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Siからなり、面方位が(111)または(111)と等価な面方位である半導体結晶成長用基板11の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分12と、鏡面な部分12の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分13とを形成する。この場合、荒れた部分13を周期的に形成し、荒れた部分13のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分13の中心間の寸法を5mmとし、荒れた部分13の幅を10μmとして、荒れた部分13が形成された周期xを5mmとし、また荒れた部分13と鏡面な部分12との面積比yを約0.004とする。
【選択図】図1
【解決手段】Siからなり、面方位が(111)または(111)と等価な面方位である半導体結晶成長用基板11の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分12と、鏡面な部分12の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分13とを形成する。この場合、荒れた部分13を周期的に形成し、荒れた部分13のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分13の中心間の寸法を5mmとし、荒れた部分13の幅を10μmとして、荒れた部分13が形成された周期xを5mmとし、また荒れた部分13と鏡面な部分12との面積比yを約0.004とする。
【選択図】図1
Description
本発明は窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を成長するための半導体結晶成長用基板および半導体結晶成長用基板に窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を形成した半導体結晶に関するものである。
基板上に窒化物系化合物半導体(たとえば、GaN、AlN、InN、BN、およびそれらの混晶)結晶からなる半導体層を形成した半導体結晶を製造するときには、窒化物系化合物半導体で構成された基板を用いることは困難である。このため、異種材料であるSi(シリコン)、サファイヤ、炭化シリコン等からなる基板に窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を形成している。しかしながら、この場合には基板と半導体層との格子定数、熱膨張係数の差によって、半導体層に格子歪みが発生して、マイクロクラック(ひび割れ)が生ずることがある。そこで、半導体層に発生する格子歪みを緩和することが考えられている。
図4は従来の基板に窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を形成した半導体結晶を示す図である。図に示すように、Siからなる基板1上にAlNからなる中間層2が形成され、中間層2上にAlGaInN結晶からなる半導体層3が形成されている。
この半導体結晶においては、基板1と半導体層3との間に中間層2が形成されているから、半導体層3に発生する格子歪みを緩和することができる。
特許第3352712号公報
しかし、このような半導体結晶においては、基板1が大口径となったとき、または半導体層3の厚さを大きくしたときには、中間層2によっては半導体層3に発生する格子歪みを緩和しきれなくなり、半導体層3に発生する歪み量が大きくなって、半導体層3にマイクロクラックが発生することがある。
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、格子歪みを効果的に緩和することができる半導体層を形成することができる半導体結晶成長用基板、半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和することができる半導体結晶を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明においては、窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を成長するための半導体結晶成長用基板において、上記半導体層を形成する表面に、鏡面な部分と、上記鏡面な部分よりも表面粗さが大きな荒れた部分とを形成する。
この場合、上記荒れた部分を周期的に形成してもよい。
この場合、上記荒れた部分のパターン形状を、ストライプ状、または四角形、三角形もくしは六角形の格子状としてもよい。
これらの場合、材料をSiとし、Siの面方位を(111)または(111)と等価な面方位としてもよい。
これらの場合、上記荒れた部分が形成された周期xを0<x≦10mmとし、上記荒れた部分と上記鏡面な部分との面積比yを0.0002≦y≦1とするのが望ましい。
また、半導体結晶成長用基板に窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を形成した半導体結晶において、上記の半導体結晶成長用基板に上記半導体層を形成する。
この場合、上記半導体層の材料をGaN結晶とし、上記半導体層の層厚を0.5μm以上としてもよい。
本発明に係る半導体結晶成長用基板においては、鏡面な部分上には半導体層の転位密度が小さい領域が形成され、荒れた部分上には半導体層の転位密度が大きい領域が形成されるから、格子歪みを効果的に緩和することができる半導体層を形成することができる。
また、本発明に係る半導体結晶においては、半導体層は転位密度が小さい領域と転位密度が大きい領域とを有するから、半導体層の格子歪みを効果的に緩和することができる。
また、荒れた部分を周期的に形成したときには、半導体層の転位密度が小さい領域、転位密度が大きい領域が周期的に形成されるので、格子歪みが集中するのを避けることができ、また半導体層に半導体素子を容易に形成することができる。
図1は本発明に係る半導体結晶成長用基板の半導体層を形成する表面を示す図である。図に示すように、Siからなり、面方位が(111)または(111)と等価な面方位である半導体結晶成長用基板11の半導体層を形成する表面に、鏡面な部分12と荒れた部分13とが形成されている。この鏡面な部分12は一般に用いられる半導体基板の表面状態のようにCMP研磨やウエットエッチングを施した凹凸の少ない表面状態を有する部分である。また、荒れた部分13の表面粗さは鏡面な部分12の表面粗さよりも大きい。すなわち、荒れた部分13の凹凸の程度は鏡面な部分12の凹凸の程度よりも大きい。また、荒れた部分13が周期的に形成されており、荒れた部分13のパターン形状は四角形の格子状である。また、荒れた部分13の中心間の寸法は5mmであり、荒れた部分13の幅は10μmである。したがって、荒れた部分13が形成された周期xは5mmであり、また荒れた部分13と鏡面な部分12との面積比(荒れた部分13の面積/鏡面な部分12の面積)yは約0.004である。
図2は本発明に係る半導体結晶を示す断面図である。図に示すように、半導体結晶成長用基板11上にAlNからなるバッファ層14が形成され、バッファ層14上にGaN結晶からなる半導体層15が形成されている。そして、バッファ層14には転位密度が小さい領域14aおよび転位密度が大きい領域14bが形成されている。また、半導体層15には転位密度が小さい領域15aおよび転位密度が大きい領域15bが形成されている。
つぎに、図2に示した半導体結晶の製造方法を図3により説明する。まず、図3(a)に示すように、半導体結晶成長用基板11の表面にフォトリソグラフィを用いてレジスト21を形成したのち、表面が荒れるエッチング条件で異方性ドライエッチング処理を行なう。つぎに、図3(b)に示すように、レジスト21を除去したのち、有機洗浄を行ない、さらにRCA法またはフッ酸溶液で洗浄することにより、半導体結晶成長用基板11の表面を清浄にする。この状態では、半導体結晶成長用基板11の表面は図1に示すようになる。つぎに、図3(c)に示すように、半導体結晶成長用基板11をMOCVD装置に装填し、水素雰囲気化で昇温してサーマルクリーニングを行なったのち、AlN結晶を成長させることにより、バッファ層14を形成する。この場合、半導体結晶成長用基板11の表面の凹凸が大きいときには、AlN結晶に多くの転位が発生するから、半導体結晶成長用基板11の鏡面な部分12上には転位密度が小さい領域14aが形成され、半導体結晶成長用基板11の荒れた部分13上には転位密度が大きい領域14bが形成される。つぎに、図3(d)に示すように、GaN結晶を成長させることにより、層厚が5μmの半導体層15を形成する。この場合、バッファ層14の転位密度が小さい領域14a上には転位密度が小さい領域15aが形成され、バッファ層14の転位密度が大きい領域14b上には転位密度が大きい領域15bが形成される。すなわち、半導体結晶成長用基板11の鏡面な部分12上には転位密度が小さい領域15aが形成され、半導体結晶成長用基板11の荒れた部分13上には転位密度が大きい領域15bが形成される。
ここで一般に、基板上に形成された半導体層の転位密度を小さくしたときには、基板と半導体層との格子定数、熱膨張係数の差から半導体層に生じる格子歪みが緩和しにくく、半導体層の厚さを大きくすると歪み量が増加し、ついには結晶が自らの応力に耐えきれなくなり、マイクロクラック(せん断)等の部分破壊が発生することがある。一方、半導体層の転位密度を大きくしたときには、転位によって格子歪みが分散しやすいから、半導体層の厚さを大きくしたとしても、歪みの蓄積が少なくなる。しかしながら、半導体層の転位密度を大きくしたときには、転位が意図しないキャリアトラップや非発光再結合中心として働いたり、大電流注入時の高ストレス化でブレークダウンのトリガーとなったりするため、光デバイス、電子デバイス等の半導体素子の性能に悪影響を及ぼし、具体的には半導体レーザーの寿命を著しく短くし、また高電子移動度電界トランジスタに寄生容量成分が発生して、動作速度が低下する。これに対して、半導体層15に転位密度が小さい領域15aと転位密度が大きい領域15bとを形成したときには、転位密度が大きい領域15bの転位によって格子歪みが分散しやすいから、半導体層15の歪みの蓄積が少なくなるとともに、転位密度が小さい領域15aに半導体素子を形成すれば、半導体素子の性能に悪影響を及ぼすことがない。
このように、半導体結晶成長用基板11に半導体層15を形成したときには、転位密度が小さい領域15aと転位密度が大きい領域15bとを有する半導体層15を形成することができる。そして、転位密度が小さい領域15aと転位密度が大きい領域15bとを有する半導体層15を有する半導体結晶においては、半導体層15の歪みの蓄積が少なくなるから、半導体結晶成長用基板11の口径を大きくし、また半導体層15の厚さを大きくしたとしても、マイクロクラックが発生するのを防止することができ、また転位密度が小さい領域15aに半導体素子を形成すれば、半導体素子の性能に悪影響を及ぼすことがない。たとえば、面方位が(111)であるSiからなる口径3インチの基板にGaNからなる5μmの半導体層を形成したときには、半導体層にマイクロクラックが発生する。これに対して、口径3インチの半導体結晶成長用基板11に5μmの半導体層15を形成したときには、半導体結晶成長用基板11の反りが20μm程度まで緩和され、しかもマイクロクラックの発生はない。また、荒れた部分13を周期的に形成しているから、半導体層15の転位密度が小さい領域15a、転位密度が大きい領域15bが周期的に形成されるので、格子歪みが集中するのを避けることができ、また半導体層15に半導体素子を容易に形成することができる。
なお、上述実施の形態においては、Siからなる半導体結晶成長用基板11を用いたが、サファイヤ、炭化シリコン等からなる半導体結晶成長用基板11を用いてもよい。
また、上述実施の形態においては、窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層がGaN結晶からなる半導体層15である場合について説明したが、半導体層の窒化物系化合物半導体結晶がAlGaN結晶、InGaN結晶等である場合にも、本発明を適用することができる。
また、上述実施の形態においては、表面が荒れるエッチング条件で異方性ドライエッチング処理を行なうことにより、荒れた部分13を形成したが、サンドブラスト処理、ナノプリンティング法またはCVDによるSi微粒子の堆積などにより荒れた部分を形成してもよい。すなわち、半導体結晶成長用基板の表面にナノ〜サブミクロンオーダーの起伏が形成できればよい。ただし、溝状になるまで深くエッチングしてしまうと、半導体層形成後のフォトリソグラフィ時にレジストが均一に表面を流動しないという問題が生ずるから、溝状にならないようにする必要がある。
また、上述実施の形態においては、荒れた部分13のパターン形状を四角形の格子状としたが、荒れた部分のパターン形状をストライプ状としてもよく、また三角形または六角形の格子状としてもよい。特に、面方位が(111)であるSiからなる半導体結晶成長用基板11を用いるときには、窒化物系化合物半導体の結晶構造であるウルツ鉱(wurtzite)構造、面方位が(111)であるSiの結晶構造であるダイヤモンド(diamond)構造を反映した六角形または三角形の格子状にすると、格子歪みが均一に拡散しやすいが、一方では半導体素子を形成するには通常四角形を基本構造としてパターンを敷き詰めるようにフォトリソグラフィを行なうため、荒れた部分のパターン形状を両者の兼ね合いが取れる四角形の格子状にするのが望ましい。
また、上述実施の形態においては、荒れた部分13が形成された周期xを5mmとしたが、荒れた部分が形成された周期xを0<x≦10mmとするのが望ましい。すなわち、荒れた部分が形成された周期xは短周期であるほど半導体層の転位密度が小さい領域の残留歪みが少なくて済み、また周期xを10mm以下にすれば、本発明の効果をより享受することができる。
また、上述実施の形態においては、荒れた部分13と鏡面な部分12との面積比yを約0.004としたが、荒れた部分と鏡面な部分との面積比yを0.0002≦y≦1とするのが望ましい。すなわち、面積比yが0.0002以上のときに本発明の効果をより享受することができ、また面積比yが1以下でないと、半導体層の利用効率が低下する。
また、上述実施の形態においては、GaNからなる半導体層15の層厚を5μmとしたが、GaNからなる半導体層の層厚が0.5μm以上の場合に本発明の効果をより享受することができる。
また、バッファ層14、半導体層15の成長には、V族原料の窒素原子の供給に優れる有機金属気相エピタキシ(MOVPE)法が好適であるが、本発明の主旨に反しない限りは分子線エピタキシ(MBE)法、ハロゲン化気相エピタキシ(HVPE)法などの結晶成長法を用いてもよい。
11…半導体結晶成長用基板
12…鏡面な部分
13…荒れた部分
15…半導体層
15a…転位密度が小さい領域
15b…転位密度が大きい領域
12…鏡面な部分
13…荒れた部分
15…半導体層
15a…転位密度が小さい領域
15b…転位密度が大きい領域
Claims (7)
- 窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を成長するための半導体結晶成長用基板において、上記半導体層を形成する表面に、鏡面な部分と、上記鏡面な部分よりも表面粗さが大きな荒れた部分とが形成されたことを特徴とする半導体結晶成長用基板。
- 上記荒れた部分が周期的に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体結晶成長用基板。
- 上記荒れた部分のパターン形状が、ストライプ状、または四角形、三角形もくしは六角形の格子状であることを特徴とする請求項2に記載の半導体結晶成長用基板。
- Siからなり、面方位が(111)または(111)と等価な面方位であることを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導体結晶成長用基板。
- 上記荒れた部分が形成された周期xが0<x≦10mmであり、上記荒れた部分と上記鏡面な部分との面積比yが0.0002≦y≦1であることを特徴とする請求項2、3または4に記載の半導体結晶成長用基板。
- 半導体結晶成長用基板に窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を形成した半導体結晶において、請求項1乃至5のいずれかに記載の上記半導体結晶成長用基板に上記半導体層を形成したことを特徴とする半導体結晶。
- 上記半導体層がGaN結晶からなり、上記半導体層の層厚が0.5μm以上であることを特徴とする請求項6に記載の半導体結晶。
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-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111214A patent/JP2009266874A/ja active Pending
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