JP2009256166A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 有機光学単結晶をアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶内部に損傷が生じた結晶の損傷を修復する方法。
2. 前記アニーリング処理を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する請求項１に記載の方法。
3. 前記アニーリング処理を、アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する請求項１または２に記載の方法。
4. 前記アニーリング処理を、磁場を作用させた条件のもとで行う請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウム誘導体からなる結晶である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
6. 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウムカチオン誘導体であるＤＡＳＴ、ＤＡＳＣおよびＭＣ−ＰＴＳ結晶からなる群から選択される少なくとも一つの結晶である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
7. 有機光学単結晶の結晶内部の損傷の有無を評価する方法において、有機光学単結晶に光を透過することにより得られる透過像解析工程により、有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
8. 前記透過像解析工程において、前記透過像データからＲＧＢ平均値を算出することを含む、請求項７に記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
9. 前記透過像解析工程において、前記有機光学単結晶の透過像と、レーザー照射前の有機光学単結晶の透過像とを比較することにより、前記有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価することを特徴とする、請求項７または８に記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
10. 前記透過像解析工程が、前記透過像データからＲＧＢ平均値を算出することを含み、
    前記有機光学単結晶のＲＧＢ平均値が、レーザー照射前の有機光学単結晶のＲＧＢ平均値よりも低い場合、前記有機光学単結晶が、レーザー照射後に損傷が発生した結晶であると判断する、請求項７〜９のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
11. 前記透過像解析工程において、更に、
    前記有機光学単結晶のＲＧＢ平均値が、レーザー照射前の有機光学単結晶のＲＧＢ平均値よりも低く、かつ、レーザー照射後でアニーリング処理前の有機光学単結晶のＲＧＢ平均値よりも高い場合、前記有機光学単結晶において、損傷が修復された結晶であると判断する、請求項７〜１０のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
12. 前記有機光学単結晶が、スチルバゾリウムカチオン誘導体であるＤＡＳＴ、ＤＡＳＣおよびＭＣ−ＰＴＳ結晶からなる群から選択される少なくとも一つの結晶であることを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の有機光学単結晶内部の損傷の有無を評価する方法。
13. 請求項１〜６のいずれかに記載された方法により結晶の損傷が修復された有機光学単結晶。
14. 請求項７〜１２のいずれかに記載された方法により結晶の損傷の有無が評価された有機光学単結晶。
15. 請求項１３または１４に記載された有機光学単結晶を、構成材料として含むことを特徴とする電気光学素子。
16. 前記電気光学素子が、テラヘルツ波発生用、テラヘルツ波検出用、高感度電界センサー用、高速光変調器用、電界プローブ用、電気光学サンプリング用、２次元電界マッピング用あるいは空間電界検出用のいずれかである請求項１５に記載の電気光学素子。
17. 有機光学単結晶の製造方法において、請求項１〜６のいずれかに記載の方法により、前記有機光学単結晶の損傷を修復する損傷修復工程を含むことを特徴とする有機光学単結晶の製造方法。
18. 有機光学単結晶の製造方法において、請求項７〜１２のいずれかに記載の方法により、前記有機光学単結晶の損傷の有無を評価する損傷評価工程を含むことを特徴とする有機光学単結晶の製造方法。