JP2009182262A - フラッシュメモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】フラッシュメモリの隣接ワードライン間を埋め込む絶縁膜としてO3−TEOS膜が埋め込まれており、特にビットライン上の隣接ワードライン間が下地依存性を有するO3−TEOS膜109によってシームレスに埋め込まれていることを特徴としている。
【選択図】 図6
【解決手段】フラッシュメモリの隣接ワードライン間を埋め込む絶縁膜としてO3−TEOS膜が埋め込まれており、特にビットライン上の隣接ワードライン間が下地依存性を有するO3−TEOS膜109によってシームレスに埋め込まれていることを特徴としている。
【選択図】 図6
Description
本発明は、トレンチアイソレーション構造の素子分離領域を用いるフラッシュメモリ及びフラッシュメモリの製造方法に関する。
LSIの微細化は、高集積化による素子の性能向上(動作速度向上及び低消費電力化)と製造コストの抑制を目的として積極的に進められている。近年、量産レベルでも最小加工寸法が70nm以下のフラッシュメモリが生産されるようになっており、技術的難度は高まってきてはいるものの、今後も一層の微細化が進展していくことが予測されている。
フラッシュメモリでは、電気的に絶縁されたフローティングゲート電極に電荷を注入することによって情報を保持する。NAND型フラッシュメモリの場合、セル部のワードラインはほぼ最小加工寸法の間隙を空けて並んでいるために、ある選択されたフローティングゲートに電荷を注入する際に隣接する非選択フローティングゲートに電荷が注入されてしまう誤書き込みを抑制することが重要であるが、その難度は微細化に伴い増す一方である。
なぜなら、微細化に伴い隣接ワードライン間の寄生容量はおおまかには隣接ワードライン間距離に反比例して増大するためである。また、隣接ワードライン間の寄生容量については以下に記載するようなプロセス起因の増大要因もある。すなわち、隣接するワードライン(WL)間には通常段差被覆性に優れたLPCVDシリコン酸化膜が埋め込まれているが、LPCVDシリコン酸化膜で埋め込む場合、WL間溝中央部に成膜の合わせ目であるシームが残存している。このため、コントロールゲート電極となる多結晶シリコン膜表面を露出させ、シリサイデーションのための金属スパッタ前処理のウエットエッチング、あるいはドライエッチングを行う際に、上記シーム部にエッチャントが侵入し、WL間のシリコン酸化膜の中央部が溝状にエッチングされてしまう。
続いてワードラインの多結晶シリコンにシリサイデーションを行うことによりコントロールゲート電極を形成し、その表面をILD形成の際に保護するためにシリコン窒化膜で被覆する際にLPCVDシリコン酸化膜が上述のように溝状にエッチングされてしまった空隙にシリコン窒化膜が堆積してしまう。
シリコン窒化膜はシリコン酸化膜に比べて誘電率が約1.7倍と高いために隣接ワードライン間の寄生容量が増加してしまうという問題があった。ワードライン間の寄生容量がデバイス特性に与える影響は例えばKang氏等が報告している(非特許文献1参照)。このようなシリコン窒化膜の侵入は最小加工寸法が100nm以上のデバイスでは無視できる程度であったが、最小加工寸法が60nmをきるデバイスでは、デバイス動作に大きな影響を与えてしまう。
これは、エッチングによってシーム部が広がる幅は最小加工寸法に依存しないために、100nm以上の世代のデバイスに比べてワードライン間に侵入するシリコン窒化膜の量が無視できなくなってしまうためである。更にこのような寄生容量の問題は急激な素子の微細化のために、隣接するワードライン間の距離が微細化すると共にワードライン間の絶縁膜による埋め込み自体が困難になることとそもそも距離が近いために寄生容量が大きくなることとから微細化に伴い深刻化している。
2006年IEDM "Improving the Cell Characteristics Using Low-K Gate Spacer in 1Gb NAND Flash Memory"
2006年IEDM "Improving the Cell Characteristics Using Low-K Gate Spacer in 1Gb NAND Flash Memory"
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によると、半導体基板上にメモリセルのゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜と電荷蓄積層となる第一の導電体膜を積層して形成する工程と、前記第一の導電体膜、前記第一の絶縁膜、及び前記半導体基板をエッチングによって加工し、素子分離領域を形成するためのアイソレーション溝を形成する工程と、前記アイソレーション溝内に第二の絶縁膜を埋め込むことによってトレンチアイソレーションを形成する工程と、前記第一の導電体膜上に電極間絶縁膜となる第三の絶縁膜、及びコントロールゲートとなる第二の導電体膜を形成し、エッチングによって前記第二の導電体膜、前記第三の絶縁膜及び前記第一の導電体膜を加工して、一部の領域が前記コントロールゲートとして働くワードライン及び電荷蓄積層を形成する工程と、前記ワードライン及び電荷蓄積層の側面を酸化する後酸化工程と、隣接する前記ワードライン間におけるアクティヴエリア上の前記半導体基板の表面を露出させる工程と、隣接する前記ワードライン間における前記半導体基板の露出面上に、第四の絶縁膜として成膜時に下地選択性を示すO3−TEOS膜を埋め込む工程と、前記第四の絶縁膜上に第五の絶縁膜を埋め込むことで隣接する前記ワードライン間を埋め込む工程とを具備するフラッシュメモリの製造方法が提供される。
また、本発明の一態様によると、半導体基板上に積層して形成されたゲート絶縁膜、電荷蓄積層、電極間絶縁膜及びコントロールゲートを有するメモリセルと、前記半導体基板に形成されたトレンチアイソレーション構造の素子分離領域と、隣接するワードライン間のアクティヴエリア上にシームレスに埋め込まれた下地選択性を示すO3−TEOS膜と、前記隣接するワードライン間の前記O3−TEOS膜上に埋め込まれた第一の絶縁膜と、前記隣接するワードライン間における素子分離領域上を周囲から取り囲むように埋め込まれた第二の絶縁膜とを具備するフラッシュメモリが提供される。
本発明によれば、隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法が得られる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
[第一の実施形態]
本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ及びその製造方法について、図1(a),(b)乃至図7(a),(b)を用いて説明する。図1(a),(b)乃至図7(a),(b)において、それぞれ(a)図はワードライン方向に沿った断面図、(b)図はビットライン方向に沿った断面図である。本実施形態は、隣接ワードライン間を、下地選択性の強いO3−TEOS膜で埋め込んだあとに後酸化を行い、続いて下地選択性のないO3−TEOS膜で残った空隙部を埋め込む例である。
[第一の実施形態]
本発明の第一の実施形態に係るフラッシュメモリ及びその製造方法について、図1(a),(b)乃至図7(a),(b)を用いて説明する。図1(a),(b)乃至図7(a),(b)において、それぞれ(a)図はワードライン方向に沿った断面図、(b)図はビットライン方向に沿った断面図である。本実施形態は、隣接ワードライン間を、下地選択性の強いO3−TEOS膜で埋め込んだあとに後酸化を行い、続いて下地選択性のないO3−TEOS膜で残った空隙部を埋め込む例である。
本方式により、ワードライン間のスペースは、基板シリコン部から底上げされたような形状でシームレスに埋め込まれる。これによって、ワードライン間の埋め込み以降のウエット工程でO3−TEOSのシーム部がエッチングされてしまい、その空隙にシリコン窒化膜が侵入することにより寄生容量が増大するのを抑制することができる。
まず、図1(a),(b)に示すように、半導体基板(シリコン基板)101上にゲート絶縁膜となるシリコン熱酸窒化膜102を8nmの厚さ、フローティングゲート(電荷蓄積層)となるPドープ多結晶シリコン膜103を60nmの厚さ、CMPの研磨ストッパーとなるシリコン窒化膜(図示せず)を60nmの厚さに積層して形成する。次に公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術により、上記シリコン窒化膜、Pドープ多結晶シリコン膜103、シリコン熱酸窒化膜102、及び半導体基板101を順次加工して、トレンチアイソレーション(例えばSTI:Shallow Trench Isolation)を形成するためのエッチング深さが220nm程度のアイソレーション溝を形成する。次に公知の絶縁膜形成技術を用いて、上記アイソレーション溝を絶縁膜で埋め込み、シリコン窒化膜をストッパーとしてCMP技術により上記絶縁膜をアイソレーション溝内にのみ残存せしめることによりSTI104を形成する。
その後、反応性イオンエッチング等によって、STI104の高さを調節し、電極間絶縁膜(IPD)となるONO膜105を形成する。次にコントロールゲート電極(=ワードライン)となるPドープ多結晶シリコン膜106を形成し、公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術によりセル部以外のPドープ多結晶シリコン膜103上のONO膜105に開口部を設ける。更に、コントロールゲート電極(=ワードライン)となるPドープ多結晶シリコン膜107、ハードマスクとなるシリコン窒化膜108を形成する。
次に、図2(a),(b)に示すように、公知のリソグラフィ技術及びRIE技術によって、シリコン窒化膜108、Pドープ多結晶シリコン膜107、ONO膜106、及びPドープ多結晶シリコン膜103を順次加工して、コントロールゲート及びフローティングゲートを形成する。このとき、シリコン熱酸窒化膜102も加工して半導体基板101の表面がワードライン間に露出するようにする。
続いて、図3(a),(b)に示すように、下地選択性の強いO3−TEOS膜109を40nm程度の厚さに形成する。反応ガスとしてTEOS(tetraethoxysilane)とO3とを用い、下地選択性を強くするために450℃以下で成膜を行う。このような成膜温度では、O3−TEOS膜の成膜速度はSi上で一番速く、以下シリコン窒化膜上、シリコン熱酸化膜上、ドープト多結晶シリコン膜上の順に遅くなる(ドープト多結晶シリコン膜表面はO3−TEOS成膜時のO3によって瞬時に酸化されるためにO3−TEOSが成膜されにくい)。
従って、本実施形態のように、シリコン基板101の表面がワードライン間に露出した状態では、O3−TEOS膜はシリコン基板からボトムアップ形状で成膜されるため、ワードライン間のシリコン基板101上はシームレスに埋め込まれる。特にスペースの狭いセル部ではボトムアップ速度が速いのに対して、広いスペースの周辺回路部ではボトムアップはあまり行われない。但し、同じワードライン間でもSTI上は下地選択性の強いO3−TEOS膜の成膜速度が遅いために殆ど埋め込みは進行しない。
次に、高温で水素/酸素混合ガスによる後酸化を行い、ワードライン側面を下地選択性の強いO3−TEOS膜109越しに酸化してシリコン熱酸化膜110を形成する。これにより、加工ダメージを除去し、またフローティングゲート端部を酸化して丸めることで電界集中を緩和する。
次に、図4(a),(b)に示すように、O3−TEOS膜109とSTI104の露出面上に、下地依存性のないO3−TEOS膜111を約20nmの厚さに形成する。そして、このO3−TEOS膜111をゲート電極のサイドウォールスペーサーに用いてイオン注入を行い、周辺回路部の拡散層112を形成する。なお、本実施形態ではO3−TEOS膜を用いたが、これに変えてSiH4/N2O、あるいはSiH2Cl2/N2Oを用いるLPCVDで形成するHTO(High Temperature Oxide)膜、あるいはLPCVDで形成したTEOS膜等を用いることが可能である。
次に、下地依存性のないO3−TEOS膜113を用いて、O3−TEOS膜109及びO3−TEOS膜111で埋め残したワードライン間の空隙を完全に埋め込む。この時ワードライン間のSTI上は、周辺から取り囲むように埋め込まれるのでシームは中央部にのみ残存して図5(a),(b)に示すようになる。
続いて、図6(a),(b)に示すように、CMPによりO3−TEOS膜109,111,113を平坦化し、反応性イオンエッチングでシリコン窒化膜108及びO3−TEOS膜111,113をエッチバックして、Pドープ多結晶シリコン膜107の上部を露出させる。そして、適当なエッチング技術で上記Pドープ多結晶シリコン膜107の表面の酸化膜を除去したあとにコバルト膜をスパッタ形成し、シリサイデーションを行うことによりコバルトシリサイド膜114を形成する。次に、上記コバルトシリサイド膜114を保護するために、LPCVD法によりシリコン窒化膜115を形成する。
本実施形態の方法では、ワードライン間の埋め込み絶縁膜でシームの存在する場所はSTIの中央部のみであるために、寄生容量が問題になるような箇所(隣接ワードライン間)にシリコン窒化膜が侵入することは起こり得ない。従って、良好なデバイスの書き込み特性の確保が可能となる。
以降の工程では層間絶縁膜(ILD)116,117,118を形成し、配線119,120及びコンタクトプラグ121,122の形成を行うことになるが詳細は省略し、デバイスの最終構造のみを示す(図7(a),(b))。
本実施形態のように、下地依存性の強いO3−TEOS膜と下地依存性のないO3−TEOS膜を組み合わせて埋め込むことで、特に隣接ワードライン間をシームレスに埋め込み、シリコン窒化膜の侵入を抑制することができるので、書き込み特性の劣化なく、フラッシュメモリの更なる微細化が可能になる。
[第二の実施形態]
本発明の第二の実施形態に係るフラッシュメモリ及びその製造方法について、図8(a),(b)乃至図14(a),(b)を用いて説明する。図8(a),(b)乃至図14(a),(b)において、それぞれ(a)図はワードライン方向に沿った断面図、(b)図はビットライン方向に沿った断面図である。本実施形態は、上述した第一の実施形態とは異なり、MONOS型のフラッシュメモリに適用した例である。
本発明の第二の実施形態に係るフラッシュメモリ及びその製造方法について、図8(a),(b)乃至図14(a),(b)を用いて説明する。図8(a),(b)乃至図14(a),(b)において、それぞれ(a)図はワードライン方向に沿った断面図、(b)図はビットライン方向に沿った断面図である。本実施形態は、上述した第一の実施形態とは異なり、MONOS型のフラッシュメモリに適用した例である。
図8(a),(b)に示すように、半導体基板(シリコン基板)201上にゲート絶縁膜となるシリコン熱酸窒化膜202を4nmの厚さ、チャージトラップ膜(電荷蓄積層)となるシリコン窒化膜203を10nmの厚さ、チャージブロック膜となるアルミナ膜204を10nmの厚さ、ゲート電極となるPドープ多結晶シリコン膜205を30nmの厚さ、及びCMPストッパーとなるシリコン窒化膜(図示せず)を60nmの厚さに積層して形成する。次に公知のリソグラフィ技術及びエッチング技術により、上記シリコン窒化膜、Pドープ多結晶シリコン膜205、アルミナ膜204、シリコン窒化膜203、シリコン熱酸窒化膜202、及び半導体基板201を順次加工して、STIとなるエッチング深さ220nm程度のアイソレーション溝を形成する。
次に公知の絶縁膜形成技術を用いて上記アイソレーション溝を絶縁膜で埋め込み、シリコン窒化膜をストッパーとしてCMP技術により上記絶縁膜をアイソレーション溝内にのみ残存せしめることによりSTI206を形成する。その後、反応性イオンエッチング等によって、STI206の高さを調節し、コントロールゲート電極(=ワードライン)となるPドープ多結晶シリコン膜207、更にハードマスクとなるシリコン窒化膜208を形成する。
次に、図9(a),(b)に示すように、公知のリソグラフィ技術及びRIE技術によって、シリコン窒化膜208、Pドープ多結晶シリコン膜207、Pドープ多結晶シリコン膜205、アルミナ膜204、シリコン窒化膜203を順次加工して、ワードラインを形成する。次にプラズマ酸化により、上記Pドープ多結晶シリコン膜207及びPドープ多結晶シリコン膜205の側面を酸化してシリコン熱酸化膜209を形成し、特にPドープ多結晶シリコン膜205の下端部を丸め酸化する後酸化を行う。
次に、基板全面にHTO膜210を10nmの厚さに形成し、このHTO膜及び後酸化で形成されたシリコン熱酸化膜209をゲート電極のサイドウォールスペーサーに用いてイオン注入を行い、周辺回路部の拡散層211を形成する。続いて、反応性イオンエッチング技術で側壁残し加工を行ってワードライン側壁にのみ残存せしめると共に、上記シリコン熱酸窒化膜202を除去してワードライン間のアクティヴエリア上の半導体基板201表面を露出させると図10(a),(b)に示すようになる。
その後、図11(a),(b)に示すように、下地選択性の強いO3−TEOS膜212を形成する。成膜に際しては、反応ガスとしてTEOS(tetraethoxysilane)とO3とを用い、下地選択性を強くするために450℃以下で行う。このような成膜温度では、O3−TEOS膜の成膜速度はSi上で一番速く、以下シリコン窒化膜上、アルミナ上、シリコン熱酸化膜上、ドープト多結晶シリコン膜上の順に遅くなる(ドープト多結晶シリコン膜表面はO3−TEOS成膜時のO3によって瞬時に酸化されるためにO3−TEOSが成膜されにくい)。
従って、本実施形態のようにシリコン基板201がワードライン間に露出した状態では、O3−TEOS膜212はシリコン基板201からボトムアップ形状で成膜されるため、ワードライン間のシリコン基板201上はシームレスに埋め込まれる。但し、同じワードライン間でもSTI206上は下地選択性の強いO3−TEOS膜の成膜速度が遅いために殆ど埋め込みは進行しない。
次に、下地依存性のないO3−TEOS膜213を用いて、O3−TEOS膜212で埋め残したワードライン間の空隙を完全に埋め込む。このときワードライン間のSTI上は周辺から取り囲むように埋め込まれるのでシームは中央部にのみ残存して図12(a),(b)に示すようになる。
続いて、図13(a),(b)に示すように、CMPによりO3−TEOS膜213,212を平坦化し、反応性イオンエッチングでシリコン窒化膜209及びO3−TEOS膜213,212をエッチバックして、Pドープ多結晶シリコン膜208の上部を露出させる。引き続き、適当なエッチング技術で上記Pドープ多結晶シリコン膜208表面の酸化膜を除去したあとにニッケル白金合金膜をスパッタし、シリサイデーションを行うことによりニッケル白金シリサイド膜214を形成する。次にニッケル白金シリサイド膜214を保護するために、プラズマCVD法によりシリコン窒化膜215を形成する。
本実施形態の方法では、ワードライン間の埋め込み絶縁膜でシームの存在する場所はSTIの中央部のみであるために、寄生容量が問題になるような箇所(隣接ワードライン間)にシリコン窒化膜が侵入することは起こり得ない。従って、良好なデバイスの書き込み特性の確保が可能となる。
以降の工程では、層間絶縁膜(ILD)216,217,218を形成し、配線219,220及びコンタクトプラグ221,222形成を行うことになるが詳細は省略し、デバイスの最終構造のみを示す(図14(a),(b))。
本実施形態のように、下地依存性の強いO3−TEOS膜と下地依存性のないO3−TEOS膜を組み合わせて埋め込むことで、特に隣接ワードライン間をシームレスに埋め込み、シリコン窒化膜の侵入を抑制することができるので、書き込み特性の劣化なく、フラッシュメモリの更なる微細化が可能になる。
以上、2つの実施形態を例に取って示したが、本発明は上記各実施形態に示した組み合わせに限定されることなく、各実施形態に記載されたプロセスを適宜組み合わせても同様の効果を実現することが可能である。
上述したように、本発明の第一の態様に係るフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上にフラッシュメモリのメモリセルを形成するゲート絶縁膜、フローティングゲートとなる第一の導電体膜を積層して形成する工程と、反応性イオンエッチングによって前記積層された第一の導電体膜及びゲート絶縁膜、及び半導体基板を加工し、トレンチアイソレーション(例えばSTI:Shallow Trench Isolation)となるアイソレーション溝を形成する工程と、上記アイソレーション溝に第一の絶縁膜を埋め込むことによってSTIを形成する工程と、上記基板上に電極間絶縁膜となる第二の絶縁膜、及びコントロールゲートとなる第二の導電体膜を形成し、反応性イオンエッチングによって前記第二の導電体膜、第二の絶縁膜及び第一の導電体膜を加工してワードライン及びフローティングゲートを形成する工程、少なくともワードライン加工により露出したワードラインあるいはフローティングゲート側面を酸化する後酸化工程、及び前記ワードライン間のアクティヴエリア上の半導体基板表面を露出させる工程とを有し、ワードライン間に埋め込む第三の絶縁膜として、成膜時に下地選択性を示すO3−TEOS膜をシームレスに埋め込む工程と、前記下地選択性を示すO3−TEOS膜上に第四の絶縁膜を埋め込むことでワードライン間を完全に埋め込む。
更に、本発明の望ましい実施の態様としては、次のものがあげられる。
(a)前記ワードライン間のアクティヴエリア上の半導体基板表面を露出させる工程として、ワードラインを反応性イオンエッチングによって加工するときに前記ゲート絶縁膜も加工することで半導体基板表面を露出させる。
(b)前記後酸化工程として、ワードライン間に成膜時に下地選択性を示すO3−TEOS膜をシームレスに埋め込んだあとに、O3−TEOS膜を介してワードラインあるいはフローティングゲートの側面を酸化する。
(c)前記ワードライン間のアクティヴエリア上の半導体基板表面を露出させる工程として、ワードラインを反応性イオンエッチングによって加工し、後酸化を行ったあとに、反応性イオンエッチングによりアクティヴエリア上の半導体基板表面上のシリコン酸化膜を除去することにより行う。
本発明の第二の態様に係るフラッシュメモリは、隣接ワードライン間のアクティヴエリア上がO3−TEOS膜によってシームレスに埋め込まれ、隣接ワードライン間のSTI上が周囲から取り囲むように絶縁膜によって埋め込まれている。
上記のような製造方法並びに構成によれば、下記のような効果が得られる。
(1)下地選択性の強い条件でO3−TEOSを基板部のシリコンを露出させたアイソレーション溝上に形成することで隣接ワードライン間にシームやボイドを発生させることなくO3−TEOS膜を形成することができるので後工程のウエット工程で隣接ワードライン間がエッチングされて空隙が発生することを防ぐことができる。また前記空隙にシリコン窒化膜等が侵入してしまい、隣接ワードライン間の寄生容量が増大するのを抑制することができる。
(2)下地選択性の強い条件を用いることで、O3−TEOS膜を基板シリコンからボトムアップ形状で成長させることができ、O3−TEOS膜中のシームやボイドの発生を抑制することができる。従って、O3−TEOS膜の緻密化アニールで通常シームを消すために用いられる水蒸気酸化を採用する必要がなくなり、O3−TEOS膜の緻密化アニールを窒素などの不活性雰囲気中で行うことが可能である。これにより、従来のO3−TEOS膜の水蒸気酸化による緻密化アニール時に発生していた基板酸化によるフラッシュメモリ特性への悪影響発生を回避することができる。
(3)下地選択性の強い条件ではO3−TEOS膜を厚く形成することが困難であるが、第二の絶縁膜と組み合わせることで、下地選択性の強い条件でO3−TEOS膜を形成するプロセス時間の短縮をはかることができる。
また、上記(a)の製造方法によれば、アイソレーション溝形状を下地選択性の強いO3−TEOS膜によって埋め込みやすい形状にすることができるので、シームやボイドを発生させることなくO3−TEOS膜を形成することができる。
上記(b)の製造方法によれば、下地選択性の強いO3−TEOS膜を利用しながらも、ゲート電極のRIE加工で入ったダメージを一般的なダメージ除去手法である後酸化によって除去することが可能である。
上記(c)の製造方法によれば、ゲート電極のRIE加工で入ったダメージを一般的なダメージ除去手法である後酸化によって除去することができると共に、下地選択性の強いO3−TEOS膜を利用して隣接ワードライン間をシームやボイドを発生させることなく埋め込むことが可能である。
上述したように、本発明の各実施形態によれば、ワードライン間埋め込みにO3−TEOS膜を用い、下地の条件を整えO3−TEOS膜の成膜条件を低温の下地に対して強い選択性を有する条件を用いることで、隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供できる。これによって、非常に微細なワードラインを形成することが可能になるので、フラッシュメモリの一層の微細化による性能/集積度向上もできる。
以上、第一、第二の実施形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
101,201…半導体基板、102,202…シリコン熱酸窒化膜、103,106,107,205,207…Pドープ多結晶シリコン膜、108,115,208,215…シリコン窒化膜、209…HTO膜、111,211…拡散層、110,210…シリコン熱酸化膜、204…アルミナ膜、104,206…STI、105…ONO膜、109,112,113,212,213…O3−TEOS膜、114…コバルトシリサイド膜、214…ニッケル白金シリサイド膜、116,117,118,216,217,218…層間絶縁膜(ILD)、119,120,219,220…配線、121,122,221,222…コンタクトプラグ、301…ワードライン、302…LPCVDシリコン酸化膜、303…コントロールゲート電極、304…シリコン窒化膜。
Claims (5)
- 半導体基板上にメモリセルのゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜と電荷蓄積層となる第一の導電体膜を積層して形成する工程と、
前記第一の導電体膜、前記第一の絶縁膜、及び前記半導体基板をエッチングによって加工し、素子分離領域を形成するためのアイソレーション溝を形成する工程と、
前記アイソレーション溝内に第二の絶縁膜を埋め込むことによってトレンチアイソレーションを形成する工程と、
前記第一の導電体膜上に電極間絶縁膜となる第三の絶縁膜、及びコントロールゲートとなる第二の導電体膜を形成し、エッチングによって前記第二の導電体膜、前記第三の絶縁膜及び前記第一の導電体膜を加工して、一部の領域が前記コントロールゲートとして働くワードライン及び電荷蓄積層を形成する工程と、
前記ワードライン及び電荷蓄積層の側面を酸化する後酸化工程と、
隣接する前記ワードライン間におけるアクティヴエリア上の前記半導体基板の表面を露出させる工程と、
隣接する前記ワードライン間における前記半導体基板の露出面上に、第四の絶縁膜として成膜時に下地選択性を示すO3−TEOS膜を埋め込む工程と、
前記第四の絶縁膜上に第五の絶縁膜を埋め込むことで隣接する前記ワードライン間を埋め込む工程と
を具備することを特徴とするフラッシュメモリの製造方法。 - 前記半導体基板の表面を露出させる工程は、前記エッチングによって前記第二の導電体膜、前記第三の絶縁膜及び前記第一の導電体膜を加工するときに、更に前記エッチングを進行させて前記第一の絶縁膜も加工することで、前記半導体基板の表面を露出させるものであることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記後酸化工程は、隣接する前記ワードライン間に、前記第四の絶縁膜を埋め込んだあとに、前記第四の絶縁膜を介してワードライン及び電荷蓄積層の側面を酸化するものであることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 前記半導体基板の表面を露出させる工程は、前記エッチングによって前記第二の導電体膜、前記第三の絶縁膜及び前記第一の導電体膜を加工し、後酸化を行ったあとに、更にエッチングによりアクティヴエリア上の前記半導体基板の表面上に形成されたシリコン酸化膜を除去することにより行うものであることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの製造方法。
- 半導体基板上に積層して形成されたゲート絶縁膜、電荷蓄積層、電極間絶縁膜及びコントロールゲートを有するメモリセルと、
前記半導体基板に形成されたトレンチアイソレーション構造の素子分離領域と、
隣接するワードライン間のアクティヴエリア上にシームレスに埋め込まれた下地選択性を示すO3−TEOS膜と、
前記隣接するワードライン間の前記O3−TEOS膜上に埋め込まれた第一の絶縁膜と、
前記隣接するワードライン間における素子分離領域上を周囲から取り囲むように埋め込まれた第二の絶縁膜と
を具備することを特徴とするフラッシュメモリ。
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