JP2009170733A - Exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、原版の回路パターンを基板に投影露光する露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus that projects and exposes a circuit pattern of an original on a substrate.
原版の回路パターンを基板に投影露光する半導体露光装置は、前工程で露光したパターンの上に次工程のパターンを重ねて露光する必要がある。
また、像を正確に結像させるために原版は投影光学系の物体面、基板は投影光学系の像面位置に正確に合わせる必要がある。
この位置合わせのために、原版は、位置合わせ機構を有する原版ステージ上に搭載され、基板は、位置合わせ機構を有する基板ステージ上に搭載される。
しかし、この原版ステージおよび基板ステージの駆動ストロークにも装置の大きさ等により制限がある。
このため原版ステージ、基板ステージそのものの位置が投影光学系から大きくずれると、ステージ駆動では原版、基板を、それぞれ所定の位置に合わせることが出来ない状態となる。
A semiconductor exposure apparatus that projects and exposes a circuit pattern of an original onto a substrate needs to be exposed by superimposing a pattern in the next process on the pattern exposed in the previous process.
Further, in order to accurately form an image, it is necessary to accurately match the original plate with the object plane of the projection optical system and the substrate with the image plane position of the projection optical system.
For this alignment, the original is mounted on an original stage having an alignment mechanism, and the substrate is mounted on a substrate stage having an alignment mechanism.
However, the driving stroke of the original stage and the substrate stage is also limited by the size of the apparatus.
For this reason, if the positions of the original stage and the substrate stage are greatly deviated from the projection optical system, the original and the substrate cannot be adjusted to predetermined positions by stage driving.
従来の半導体露光装置は、原版ステージおよび投影光学系が搭載される構造体は同一構造体であり、また、基板ステージも原版ステージと投影光学系が搭載される定盤を支持している構造体に搭載されていた。
このため、例えば、床面が経時変化により組立時と異なった状態となり、部分的に高さが変化する場合も、原版ステージと基板ステージと投影光学系の位置関係は一定に保たれるため、特に不都合は生じなかった。
但し、露光装置の組立時に投影光学系の物体面に原版を合わせこむための原版ステージの位置合わせ工程は高い精度が要求されるため従来から調整に多くの時間を費やしていた。
また、特開2006−49644号公報(特許文献1)において、原版に対して基板を位置決めする基板ステージの駆動を制御するステージ制御部は、基板ステージの制御パラメータなどを液浸条件に基づいて変更する液浸露光装置が提案されている。
For this reason, for example, even when the floor surface is in a different state due to aging and the height partially changes, the positional relationship between the original stage, the substrate stage, and the projection optical system is kept constant. There was no particular inconvenience.
However, the alignment process of the original stage for aligning the original with the object plane of the projection optical system at the time of assembling the exposure apparatus requires a high degree of accuracy, so that much time has conventionally been spent for adjustment.
Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-49644 (Patent Document 1), a stage control unit that controls driving of a substrate stage that positions a substrate with respect to an original plate changes control parameters of the substrate stage based on immersion conditions. An immersion exposure apparatus has been proposed.
近年、半導体素子の高集積化に伴い半導体露光装置に要求される解像力が、より高くなり、投影光学系の開口比(NA)も0.9以上を必要とされ、投影レンズの大型化(物体面と像面間長さの増加、大口径化)が進んでいる。
そのため、1カ所の投影光学系のレンズ支持構造でのレンズの振動による解像性能の劣化に対する敏感度は大きくなり、微細化に影響を生じさせる。
一方、生産効率向上のため一定時間に処理できる基板枚数、即ち、スループットの向上が要求されている。
現在の半導体露光装置は原版と基板を同期させて駆動させながら原版のパターンを基板に露光する、いわゆるスキャン露光方式が主流となっている。
スループット向上のためには原版ステージ、基板ステージの駆動速度向上が効果的であるため原版ステージおよび基板ステージの高速化が図られてきた。
この原版ステージ、基板ステージ共に駆動する際の反力を打ち消すためのカウンターマスを配置している。
しかし、部品精度の影響などによりこのカウンターマスで100%反力を打ち消すことは出来ない。
ステージの速度が増せば加速度も増し、それに伴い反力も増し、それに伴いカウンターマスで消すことができない漏れ反力も比例して増える。
反力は構造体を伝わり投影光学系に入ると解像性能を劣化させ、解像性能だけでなく振動により投影光学系の像が揺らぐことにより像の位置ずれも生じさせる。
In recent years, with the higher integration of semiconductor elements, the resolving power required for a semiconductor exposure apparatus has become higher, the projection optical system has an aperture ratio (NA) of 0.9 or more, and the projection lens has increased in size (objects). The increase in the length between the surface and the image surface and the increase in the diameter are progressing.
For this reason, the sensitivity to the deterioration of the resolution performance due to the vibration of the lens in the lens support structure of one projection optical system is increased, which affects the miniaturization.
On the other hand, in order to improve production efficiency, it is required to improve the number of substrates that can be processed in a fixed time, that is, throughput.
In the current semiconductor exposure apparatus, a so-called scan exposure method in which the pattern of the original is exposed onto the substrate while the original and the substrate are driven in synchronization is the mainstream.
In order to improve the throughput, it is effective to improve the driving speed of the original stage and the substrate stage, so that the speed of the original stage and the substrate stage has been increased.
A counter mass for canceling the reaction force when driving both the original stage and the substrate stage is arranged.
However, 100% reaction force cannot be canceled by this counter mass due to the influence of parts accuracy.
As the stage speed increases, the acceleration increases, and the reaction force increases accordingly, and the leakage reaction force that cannot be erased by the counter mass increases accordingly.
When the reaction force propagates through the structure and enters the projection optical system, the resolution performance deteriorates, and not only the resolution performance but also the image of the projection optical system fluctuates due to vibration, thereby causing an image position shift.
上記のように振動に対する投影光学系の敏感度は近年増している為ますます振動の影響を大きく受ける。
これを防ぐために近年では、原版ステージや基板ステージのような振動源となり得るユニットを、投影光学系と別構造体で支持する構成が採用されてきている。
この構成であれば原版ステージ、基板ステージの振動が直に投影光学系に伝わることは無く、伝わるとすれば、両構造体を支えている床を介して伝わる。
しかし、その振動伝達量はステージと投影光学系が同一構造体に搭載された場合に比べて極めて小さくなる。
このように振動伝達の面では原版ステージ、基板ステージ、投影光学系を独立に支持する構成は極めて有利である。
しかし、一方、原版、基板ステージと投影光学系の位置合わせという観点では極めて不利となる。
両者が同一構造体上に搭載されている場合、露光装置の設置後に床面形状が経時変化を起こしても、同一構造体上に搭載された原版ステージと投影光学系や照明光学系、基板ステージと投影光学系の位置関係は一定に保たれていた。
しかし、この独立に支持する構成の場合、支持構造体が床のそれぞれ異なる箇所に設置されているため、床の平面形状が経時変化することにより、投影光学系と原版、基板ステージの姿勢がそれぞれ異なる方向、量だけ変化する。この結果、それぞれの位置関係が変化することとなる。
原版ステージ、基板ステージに、その経時変化分吸収できるような充分な駆動ストロークがあれば問題ないが、通常そのような大きなストロークを確保することは困難である。
As described above, since the sensitivity of the projection optical system to vibration has increased in recent years, it is greatly affected by vibration.
In order to prevent this, in recent years, a configuration has been adopted in which a unit that can be a vibration source such as an original stage or a substrate stage is supported by a separate structure from the projection optical system.
With this configuration, the vibrations of the original stage and the substrate stage are not directly transmitted to the projection optical system, and if they are transmitted, they are transmitted through the floor supporting both structures.
However, the amount of vibration transmission is extremely small compared to the case where the stage and the projection optical system are mounted on the same structure.
As described above, in terms of vibration transmission, a configuration in which the original stage, the substrate stage, and the projection optical system are independently supported is extremely advantageous.
However, this is extremely disadvantageous from the viewpoint of alignment of the original plate, the substrate stage and the projection optical system.
When both are mounted on the same structure, even if the floor shape changes over time after the exposure apparatus is installed, the original stage mounted on the same structure, the projection optical system, the illumination optical system, and the substrate stage The positional relationship between the projection optical system and the projection optical system was kept constant.
However, in the case of this independent support structure, since the support structures are installed at different locations on the floor, the plane shape of the floor changes with time, so that the attitude of the projection optical system, the original, and the substrate stage are respectively Change in different directions and amounts. As a result, each positional relationship changes.
Although there is no problem if the original stage and the substrate stage have sufficient drive strokes that can absorb the change over time, it is usually difficult to ensure such a large stroke.
また、原版ステージと同一構造体に搭載されている照明光学系などは元々位置合わせ用の駆動機構を有しないユニットであるため投影光学系との位置ずれはテレセン度の劣化に直結し、露光像面に対する基板のフォーカス方向位置ずれにより像のシフトが発生する。このため正確なパターン重ね合わせ露光が困難となる。
また、投影光学系を通して像面を観察するためのスコープであるTTR顕微鏡も原版ステージと同一構造体に搭載されている場合があり、この場合もTTR顕微鏡の位置ずれは、観察マークシフトあるいは観察したいマークが計測視野に入ってこない場合がある。
そこで、本発明は、原版ステージ、基板ステージの位置を合わせによる振動が投影光学系へ伝わることを低減し、床の形状の経時的な変化の影響を低減し、安定した露光性能を維持する露光装置を提供することを目的とする。
In addition, the illumination optical system mounted on the same structure as the original stage is a unit that originally does not have a positioning drive mechanism, so the positional deviation from the projection optical system is directly related to the deterioration of the telecentricity, and the exposure image The shift of the image occurs due to the displacement of the substrate in the focus direction with respect to the surface. For this reason, accurate pattern overlay exposure becomes difficult.
In addition, a TTR microscope, which is a scope for observing an image plane through a projection optical system, may be mounted on the same structure as the original stage. In this case as well, the position shift of the TTR microscope may be an observation mark shift or observation. The mark may not enter the measurement field of view.
Therefore, the present invention reduces exposure of vibration due to alignment of the original stage and the substrate stage to the projection optical system, reduces the influence of changes in the floor shape over time, and maintains stable exposure performance. An object is to provide an apparatus.
上記課題を達成するための本発明の露光装置は、光源からの露光光により照明光学系を介して原版を照明し、前記原版に形成されたパターンを投影光学系を介して基板に投影露光する露光装置であって、前記原版を搭載する原版ステージと、前記照明光学系および前記原版ステージを支持する第1の構造体と、前記第1の構造体と床との間に前記原版ステージの位置を調整する第1の位置調整機構と、を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an exposure apparatus of the present invention illuminates an original via an illumination optical system with exposure light from a light source, and projects and exposes a pattern formed on the original onto a substrate via a projection optical system. An exposure apparatus comprising: an original stage on which the original is mounted; a first structure that supports the illumination optical system and the original stage; and a position of the original stage between the first structure and the floor And a first position adjusting mechanism for adjusting.
本発明によれば、原版ステージ、基板ステージの位置を合わせによる振動が投影光学系へ伝わることを低減し、床の形状の経時的な変化の影響を低減し、安定した露光性能を維持する。 According to the present invention, it is possible to reduce the vibration caused by the alignment of the original stage and the substrate stage from being transmitted to the projection optical system, to reduce the influence of the temporal change in the shape of the floor, and to maintain stable exposure performance.
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1の概略構成図を参照して、本発明の実施例1の露光装置を説明する。
図示されない光源からの露光光により照明光学系9を介して原版1を照明する。
さらに、原版1に形成されたパターンを投影光学系13を介して基板14に投影露光する露光装置である。
原版1は、半導体回路パターンが描かれるものである。原版ステージ2は、原版1を搭載し、保持するステージである。
計測定盤3に保持されているレーザー干渉計4にて、原版ステージ2上に設けられたバーミラーBM1にレーザーを当て、レーザー干渉計4自身が有する基準光と反射光の干渉により、原版ステージ2は位置計測されている。
レーザー干渉計4を複数配置することにより、X,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向が計測され、この計測値を基に原版ステージ2はX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωzに駆動、位置決め制御される。
原版ステージ2は、粗動部分、微動部分など複数の駆動部により構成される場合もあるが、本実施例では説明の簡略化のために単純化する。
原版ステージ2は、第1の構造体である原版ステージ定盤7によって支持されている。原版ステージ定盤7には、他に原版1を照明する照明光学系9が搭載されている。
原版ステージ定盤7はベースフレーム6により支持され、ベースフレーム6は床8に設置されている。
ベースフレーム6と原版ステージ定盤7の間に原版ステージ2の位置を調整する駆動ユニット、すなわち、原版ステージ定盤7の位置を調整する駆動ユニットから成る第1の位置調整機構である原版ステージアジャスタ10が介在され搭載されている。
原版ステージ定盤7と鏡筒定盤11の位置関係を6軸方向計測するための定盤間センサ12が設けられ、この測定値を基に原版ステージアジャスタ10を駆動し、原版ステージ定盤7の位置決めをする。
With reference to the schematic block diagram of FIG. 1, the exposure apparatus of Example 1 of this invention is demonstrated.
The original 1 is illuminated through the illumination
Further, the exposure apparatus projects and exposes the pattern formed on the original 1 onto the
The original 1 is one on which a semiconductor circuit pattern is drawn. The
A laser is applied to the bar mirror BM1 provided on the
By arranging a plurality of
The
The
The original
A master stage adjuster which is a first position adjusting mechanism comprising a drive unit for adjusting the position of the
An
投影光学系13は、原版1に描画された半導体回路パターンを基板14上に投影露光し、鏡筒定盤11によって保持されている。
鏡筒定盤11と計測定盤3は不図示の撓みかわし機構により連結されていて両者の位置関係は常に一定に保たれている。
レーザー干渉計15は、投影光学系13の原版1の近傍と計測定盤3間のX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向を計測する手段である。
鏡筒マウント16は、鏡筒定盤11と投影光学系13との間に位置し、投影光学系13を不図示の加速度計信号または変位センサによりX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωzに除振および制振する手段である。
これにより、鏡筒定盤11の変形や振動が投影光学系13に伝わるのを防ぐ。
ベースフレーム5と鏡筒定盤11の間には床8からの振動を除振・制振するために鏡筒定盤マウント17が配置されている。
マーク位置計測用顕微鏡18は、計測定盤3に支持され、基板14上に描かれたマーク位置を計測する手段である。
レーザー干渉計19は、投影光学系13の基板14の近傍と計測定盤3間のX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向を計測する手段である。
The projection
The lens
The
The lens barrel mount 16 is positioned between the lens
This prevents deformation and vibration of the lens
A lens
The mark
The
基板14は、基板ステージ20に搭載され、保持されている。
計測定盤3に取り付けられたレーザー干渉計21から基板ステージ20上に設けられたバーミラーBM2にレーザーを当て、基板ステージ20のX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向の測定を行う。
この測定値を基に不図示の演算、制御部により、基板ステージ20はX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向に駆動、位置決め制御される。
原版ステージ2と同様に、基板ステージ20も粗動部、微動部などによって構成される場合があるが、本実施例では説明の簡略化のために単純化している。
基板ステージ20は、第2の構造体である基板ステージ定盤22に支持され、基板ステージ定盤22は計測定盤3から定盤間センサ23によりX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向の定盤間の距離が計測されている。
原版ステージ定盤7と同様に、基板ステージ定盤22にも位置を調整できる駆動ユニットから成る第2の位置調整機構である基板ステージアジャスタ24が設けられる。
これにより、定盤間センサ23の値を基に基板ステージ定盤22と計測定盤3が一定の位置関係になるように駆動、調整される。
フォーカスセンサ25は、投影光学系13と基板14の間の距離を計測する手段で、計測定盤3に取り付けられる。
投影光学系13と、原版ステージ2または基板ステージ20の位置関係を計測する計測手段は、渦電流センサ、静電容量センサなどの原点検知機能付きレーザー干渉計から成り、絶対位置を計測するセンサである。
レーザー干渉計4、15、19、21からビーム26a,26bが照射される。
The
A laser is applied to the bar mirror BM2 provided on the
The
Similar to the
The
Similar to the original
As a result, the substrate
The
The measuring means for measuring the positional relationship between the projection
基板14は、不図示の基板搬送装置により基板ステージ20に搬送され、マーク位置計測用顕微鏡18は前工程で基板14上に露光された位置決め用マークを観察する。
これにより半導体用回路パターンの描画位置、配列を求め、さらにフォーカスセンサ25により投影光学系13の焦点位置に基板14を基板ステージ20により移動、配置する。
その後に先に計測した配列に従って、原版1上の回路パターンを投影光学系13を介して基板14上の前工程で焼き付けられたパターンに正確に重なるよう露光する。
このため、基板ステージ20をレーザー干渉計21の計測値を元に不図示演算、制御部で演算された値に基づきX,Y,Z方向およびωx、ωy、ωz方向に、駆動しながら前工程で焼き付けられたパターンの個数分、繰り返し露光する。
この時、投影光学系13が揺れる量を、原版1側、基板14側のレーザー干渉計15、19で、それぞれ計測し、この値を原版ステージ2、基板ステージ20の駆動量に加味することにより投影光学系13の揺れ分による像ずれを消去する。
露光の終了後、基板14は基板ステージ20から不図示の基板搬送装置により露光装置外に搬出され露光工程が終了する。
The
Thus, the drawing position and arrangement of the semiconductor circuit pattern are obtained, and the
Thereafter, in accordance with the previously measured arrangement, the circuit pattern on the original 1 is exposed so as to accurately overlap the pattern printed in the previous step on the
For this reason, the pre-process while driving the
At this time, the amount of shaking of the projection
After the exposure is completed, the
近年の本実施例1のような露光装置では投影光学系13の収差性能保証領域を小さくするという都合上、限られた露光領域を使い原版1と基板14の同期を取りながら移動させつつ、原版1のパターンを基板14に露光するというスキャン露光方式を採用している。
このスキャン露光方式の場合露光している最中に、原版ステージ2と基板ステージ20が駆動するので、それぞれの原版ステージ2、基板ステージ2には駆動時に発生する反力を消去する機構が設けられている。
しかし、製造誤差などにより、これら反力キャンセル機構により全面的に反力を消去することは困難で、これらの消去できない反力が漏れるため、原版ステージ2および基板ステージ20が駆動することにより振動源となる。
図1の本実施例1の構成では、振動が伝達することで影響を受け易い鏡筒定盤11、計測定盤3と、この振動源となる原版ステージ2および基板ステージ20は分離されていて、直に振動は伝わらない構造となっている。
このため振動による投影光学系13の性能劣化や振動によるレーザー干渉計4、15、19、21の計測値ゆらぎなどが生じ難く、安定して投影光学系13の性能を維持しつつ高精度に位置決めされた像を基板14に露光することができる。
In recent exposure apparatuses such as the first embodiment, for the purpose of reducing the aberration performance guarantee area of the projection
In the case of this scanning exposure method, since the
However, it is difficult to erase the reaction force entirely by these reaction force canceling mechanisms due to manufacturing errors and the like, and these reaction forces that cannot be erased leak. Therefore, the
In the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1, the lens
For this reason, performance degradation of the projection
しかし、振動源である原版ステージ2および基板ステージ20を分離しただけでは、別な課題が発生する場合がある。
図2に示される本発明の参考例は、図1に示される本発明の実施例1の第1の位置調整機構である原版ステージアジャスタ10、第2の位置調整機構である基板ステージアジャスタ24を有しない露光装置である。
この図2に示される本発明の参考例において、床8の面が経時的に変化した場合の状態が模式的に示される。
図1に示される本発明の実施例1と同一の符号をつけ説明を省く。
図2に示される本発明の参考例のように床8が装置荷重の影響などにより形状変化を起こし、その形状変化の度合いが場所により異なるような場合には、投影光学系13と原版ステージ2、照明光学系9、基板ステージ20の位置関係がずれてしまう。
原版ステージ2、基板ステージ20の、それぞれのステージストロークが充分に確保されていれば、上記位置ずれを原版ステージ2、基板ステージ20で補正することも可能である。
しかし、実際にはステージストロークはサイズの制約や消費電力の制約上ある程度限られる。
このため、床8の経時的な変化量によってはステージストロークで補正することができない。
一方、照明光学系9も原版ステージ2と同様に原版ステージ定盤7に支持されているため、投影光学系13と照明光学系9の光軸がずれる。
このため、投影光学系13の結像性能劣化や投影光学系13の像面に対して基板14がずれることにより生じる像ずれ量が大きくなり、正しい位置に像を露光することができなくなる。
従って、正しい位置に像を露光するため、原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24を駆動させて、投影光学系13と原版ステージ2との間および投影光学系13と基板ステージ20との間の位置関係の変化を一定量以下に保つ。
However, another problem may occur only by separating the
The reference example of the present invention shown in FIG. 2 includes an
In the reference example of the present invention shown in FIG. 2, a state in which the surface of the
The same reference numerals as those of the first embodiment of the present invention shown in FIG.
In the case where the
If the stage strokes of the
However, the stage stroke is actually limited to some extent due to size restrictions and power consumption restrictions.
For this reason, the stage stroke cannot be corrected depending on the amount of change of the
On the other hand, since the illumination
For this reason, the image formation amount of the projection
Therefore, in order to expose the image at the correct position, the
図3は、図1に示される本発明の実施例1の床8の面形状が経時的に変化した場合の状態を模式的に示される。
図3に示されるように床8の面形状が経時的に変化した場合、その変位量を原版1側の定盤間センサ12、基板14側の定盤間センサ23で検知することができる。
この検知した変位量が無くなるように第1の位置調整機構である原版ステージアジャスタ10および第2の位置調整機構である基板ステージアジャスタ24を駆動した状態が図3に示される。
床8が変形してベースフレーム6の位置が変化しているが、原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24が、その変化分を吸収する方向に6軸駆動する。
これにより、原版ステージ定盤7および基板ステージ定盤22は投影光学系13に対して一定の位置関係を維持している。
駆動は手動と自動とに分けられ、床8の面形状変化の速度が非常に遅く、原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24の両方による位置補正の機会が非常に少ない場合は、両方のアジャスタまたは片方のアジャスタは手動による駆動でもよい。
この場合、定盤間センサ12、23の計測値を見ながら計測値が、装置設置時の値になるように一定期間毎またはずれ量が許容値を越えた際に手動調整する。
調整はX、Y、Z、ωx、ωy、ωzの6軸のうちずれを生じた軸に関して行う。
また、地震や通常稼動状態以外のイレギュラーな作業を行った場合にも調整を行う必要が生じる場合もある。
手動の場合このように定期メンテナンスや地震時の装置復帰時などに原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24の位置調整を行う必要が生じる。
この際には、装置の稼動を止める必要があり、手動方式にはこのような煩わしさがある。
しかし、長期間に亘り調整の必要が無い場合には、コストを考慮して原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24のいずれか、または両方を手動にする場合も有る。
FIG. 3 schematically shows a state where the surface shape of the
As shown in FIG. 3, when the surface shape of the
FIG. 3 shows a state in which the
Although the
Thereby, the original
The drive is divided into manual and automatic, the speed of the surface shape change of the
In this case, while observing the measurement values of the
The adjustment is performed with respect to the axis in which deviation occurs among the six axes of X, Y, Z, ωx, ωy, and ωz.
Moreover, it may be necessary to make adjustments when an irregular work other than an earthquake or a normal operation state is performed.
In the case of manual operation, it is necessary to adjust the positions of the
At this time, it is necessary to stop the operation of the apparatus, and the manual method has such annoyance.
However, if there is no need for adjustment over a long period of time, one or both of the
一方、床8の経時的な変化量が大きく、頻繁に原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24の駆動を行う必要が有る場合は、装置稼動率に影響を及ぼすことになるため自動調整が好ましい。
この場合、原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24にアクチュエータを搭載し、定盤間センサ12、23の計測値を基に不図示の制御部によりこれらアクチュエータを駆動することになる。
駆動の方法としては定盤間センサ12、23の値が常に設置された時の値になるように常時アクチュエータを制御する方法、センサの計測値があらかじめ決めておいたある一定値以上ずれた場合に初めて制御をかけて設置時の状態に戻るようにする方法等がある。
第1の位置調整機構である原版ステージアジャスタ10、第2の位置調整機構である基板ステージアジャスタ24の駆動方式は、所定の駆動精度、コストに見合う方式で、空圧駆動機構、油圧駆動機構、ピエゾ素子駆動機構、モーター駆動機構のいずれかから成る。
具体的な駆動方式の例としては、ベロフラム内の気体の圧力を変化させることにより6軸の位置を変化させる空圧方式、ピストン内に作動油を流出入させることにより位置を変化させる油圧方式が適用される。
また、ギヤを組み合わせることによりモーターや手動回転軸の回転量を水平、鉛直、傾きに変えるギヤ方式、ピエゾ素子を用いて位置を変化させる方法などが適用される。
上記のベロフラム方式の場合は空気バネによる除振の効果を併せ持ち、第1の位置調整機構である原版ステージアジャスタ10、第2の位置調整機構である基板ステージアジャスタ24への振動を緩和する除振機能も付加される。
On the other hand, when the amount of change over time of the
In this case, actuators are mounted on the
As a driving method, a method in which the actuators are constantly controlled so that the values of the
The driving method of the
Specific examples of driving systems include a pneumatic system that changes the position of the six axes by changing the pressure of the gas in the bellophram, and a hydraulic system that changes the position by flowing hydraulic oil into and out of the piston. Applied.
In addition, a gear system that changes the amount of rotation of the motor or the manual rotation shaft into horizontal, vertical, and tilt by combining gears, a method of changing the position using a piezo element, and the like are applied.
In the case of the above-described belofram system, vibration isolation is achieved by the effect of vibration isolation by the air spring, and the vibration isolation to the
図1に示される本発明の実施例1においては、原版ステージ定盤7上には原版ステージ2と照明光学系9の2つの機能しか搭載されていない。
しかし、図4に示される変形例においては、投影光学系13を通して基板14の計測を行うTTR(throughthereticle)顕微鏡27が搭載される。
TTR顕微鏡27の機能としては、原版1上と基板14上のマークを重ね合わせて観察しその位置合わせずれ量を計測すること、投影光学系13の結像面を基板ステージ20を上下に振りながら探すこと、投影光学系13の収差計測を行うなどの機能を有する。
TTR顕微鏡27を使用する際には、照明光学系9の照明領域に光学部品を入れ込むので露光動作は出来ないため、通常の露光時ではなく定期的な装置の原点出し、位置計測のキャリブレーション用に用いられる。
TTR顕微鏡27を搭載可能とするためには、投影光学系13とTTR顕微鏡27の相対位置ずれが常にTTR計測に許容されるずれ量以内に入っていなければならない。
このためより細かい精度で原版ステージアジャスタ10を制御する必要が生じる。
場合によっては鏡筒定盤11に原版ステージ定盤が追従するような制御が必要となる。
以上のように図1の本発明の実施例1において、床8の面形状が変化した場合にも、投影光学系13に対して原版ステージ、基板ステージ、照明光学系の位置関係の変化を一定量以下に保ち、位置関係がずれることなく維持できる。
このため、原版ステージ、照明光学系、基板ステージを投影光学系に対して正しい位置に維持させ、安定した原版、基板の位置あわせ精度を維持し、より微細な回路パターンを位置ずれなく、より均一な線幅で投影露光できる。
投影光学系13への原版1の位置合わせ工程に時間がかかるという従来からの課題も、本実施例1の駆動機構の駆動ストロークを充分に確保し、パーツの適切な精度管理により解決できる。
つまり、メカパーツの部品精度を管理することにより、単純に組上げただけの状態で投影光学系13と原版ステージ2の位置関係をある一定値以下のずれ量に収める。
In the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, only two functions of the
However, in the modified example shown in FIG. 4, a TTR (throughtherthetic)
As a function of the
When the
In order to be able to mount the
For this reason, it is necessary to control the
In some cases, it is necessary to perform control such that the original stage surface plate follows the lens
As described above, in the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, even when the surface shape of the
For this reason, the original stage, illumination optical system, and substrate stage are maintained at the correct positions with respect to the projection optical system, and the original original and substrate alignment accuracy is maintained, and finer circuit patterns are more uniform and without misalignment. Projection exposure is possible with a wide line width.
The conventional problem that it takes a long time to align the original 1 with the projection
In other words, by managing the component accuracy of the mechanical parts, the positional relationship between the projection
次に、本発明の実施例2を説明する。
図1の本実施例1においては、例えば、原版1側の定盤間センサ12で計測している位置と、投影光学系13上部との間または原版ステージ2との間が経時的な変化により変形した場合は、その変形による位置ずれは検知できない。
このため、原版ステージアジャスタ10では、その変形による位置ずれを除去することが出来ない。
この場合、合わせる必要があるのは投影光学系13上部と原版1であるため定盤間センサ12を、合わせたい対象の近くに配置することが重要となる。
この配置が可能であれば、定盤間センサ12は原版1に近い位置と投影光学系13の上部間を計測することが望ましい。
原版ステージアジャスタ10のための定盤間位置計測機能と、原版ステージ2の位置制御を行うレーザー干渉計4と、投影光学系13の位置計測を行う干渉計15の機能を併せ持った構成は、以下の配置の場合がある。
すなわち、投影光学系13の上部から、直に、原版ステージ2を制御するセンサを配置する場合である。
この構成は、計測誤差低減やコストの観点から有利となるが、このような構成を6軸全てに用いるのは困難である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment of FIG. 1, for example, the position measured by the
For this reason, the
In this case, since it is necessary to match the upper part of the projection
If this arrangement is possible, it is desirable that the
The configuration having the functions of the inter-plate position measuring function for the
That is, a sensor for controlling the
This configuration is advantageous from the viewpoint of measurement error reduction and cost, but it is difficult to use such a configuration for all six axes.
原版ステージ2は基板ステージ20に比べてX方向の駆動ストロークは極めて小さい為基板ステージ20よりも上記センサの配置が容易である。
X方向の他に高さ方向の駆動ストロークも極めて小さいため原版ステージ2に関して言えば6軸の内、X、Z、ωx、ωy、ωzの5軸の制御用センサが比較的容易に投影光学系13上に配置可能となる。
Y方向には数百ミリの範囲で原版ステージ2が駆動するためこの駆動量に対応するために投影光学系13上部に数百ミリのスパンのセンサ設置用構造体を設けなければならない。
充分な剛性を維持しながら設置しなければならず重量増加につながることとなる。
また、これだけのスパンを駆動するステージの位置計測を行うセンサとなるとレーザー干渉計以外に適当なセンサが無いこととなる。
従ってレーザー干渉計用のレーザーヘッドを投影光学系に搭載する必要が生じる。レーザーヘッドは熱源となるため投影光学系に搭載することは好ましくない。
以上のことを考慮すると投影光学系13上にセンサを設けて原版ステージ2の位置を制御する場合、Y軸だけはこのような構成をとることは困難である。
Since the
Since the driving stroke in the height direction in addition to the X direction is extremely small, the control sensor for the five axes X, Z, ωx, ωy, and ωz among the six axes in the
Since the
It must be installed while maintaining sufficient rigidity, leading to an increase in weight.
In addition, when a sensor for measuring the position of a stage that drives such a span is used, there is no suitable sensor other than a laser interferometer.
Therefore, it becomes necessary to mount a laser head for the laser interferometer in the projection optical system. Since the laser head serves as a heat source, it is not preferable to mount the laser head on the projection optical system.
In consideration of the above, when a sensor is provided on the projection
図5に示される本発明の実施例2は、投影光学系13にセンサを配置してY軸を除く5軸の原版ステージ2の位置制御を行う。
図5は、図1の本実施例1の露光装置の左側面図で、図1の本実施例1と異なる部分のみを書き出した図であり、不図示の部分は図1と同じ構成で、図1と同じの機能を持つ構成に関しては、図1と同じ符号をつけて説明を省略する。
センサ28は、投影光学系13から原版ステージ2のX方向基準面を計測するセンサである。
センサ28には、原点検知機能を持った小型のレーザー干渉計を用いることが好ましい。
小型レーザー干渉計から成るセンサ28は、光源からレーザー光をファイバーで導光し通常のレーザー干渉計と同様の原理で対象物の位置測定を行うが、通常のレーザー干渉計のように大きな計測レンジを持つことが出来ない。
しかし、原版ステージ2のX方向やZ方向のように駆動量が極めて小さい部分の計測に用いるのであれば問題無く計測可能である。
小型レーザー干渉計から成るセンサをY方向にずらした位置に、もう1個配置することによりωzを計測することができ、このセンサは、ωz計測用小型レーザー干渉計29である。
同様の小型レーザー干渉計をZ方向計測用に3箇所配置することにより原版ステージ2のZ方向の変位とωx、ωyを計測することができ、このセンサは、Z計測用小型レーザー干渉計30であり、投影光学系13上に設ける。
さらに、そのY軸上にずれた場所にωx計測用小型レーザー干渉計31を配置しX軸上にずれた場所にωy計測用小型レーザー干渉計32を設ける。
これらの配置により原版ステージ2のY軸を除く5軸の位置制御に用いる位置計測を投影光学系13から直に行うことが可能となる。
このセンサ配置であれば図1に示されるように計測定盤3から投影光学系13位置をレーザー干渉計15によって計測し、その計測値を基に原版ステージ2をレーザー干渉計4の計測値を基に制御するというような複雑な計測系や演算処理が必要無くなる。
このため精度の面でもコストの面でも有利となる。
In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 5, a sensor is disposed in the projection
FIG. 5 is a left side view of the exposure apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1, in which only portions different from the first embodiment shown in FIG. 1 are written. The portions not shown are the same as those shown in FIG. The components having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG.
The sensor 28 is a sensor that measures the X-direction reference plane of the
The sensor 28 is preferably a small laser interferometer having an origin detection function.
The sensor 28 composed of a small laser interferometer guides laser light from a light source through a fiber and measures the position of an object on the same principle as a normal laser interferometer, but has a large measurement range like a normal laser interferometer. I can't have.
However, if it is used for measuring a portion where the driving amount is extremely small, such as the X direction or the Z direction of the
Ωz can be measured by arranging another sensor composed of a small laser interferometer at a position shifted in the Y direction. This sensor is a small laser interferometer 29 for ωz measurement.
Displacement in the Z direction of the
Furthermore, a small laser interferometer 31 for ωx measurement is disposed at a position shifted on the Y axis, and a
With these arrangements, the position measurement used for the position control of the five axes excluding the Y axis of the
In this sensor arrangement, as shown in FIG. 1, the position of the projection
This is advantageous both in terms of accuracy and cost.
次に、図5の本実施例2における原版ステージアジャスタ10の制御方法に関して説明する。
小型レーザー干渉計28〜31の計測レンジは大きくとることは困難である。
従って、装置組立後や装置電源を入れた直後など原版ステージ2の位置が不定になっている状態では、最初に定盤間センサ12の計測値を基に鏡筒定盤11に対して原版ステージ2位置を原版ステージアジャスタ10によって調整する。
ここまでの動作は実施例1と同一で、この状態で、小型レーザー干渉計28〜31の計測レンジに入るので計測可能となる。
Y方向に関してはこの状態で位置調整が完了となるが他の5軸に関しては小型レーザー干渉計28〜31を用いて微調整を行う。
微調整を行うにあたり原版ステージ2の位置が原版ステージ定盤7に対して不定の状態では小型レーザー干渉計の計測値をもとに原版ステージ定盤7の位置調整を行う事は出来ない。
小型レーザー干渉計28〜31は原版ステージ2の位置を測定しているので測定対象の原版ステージ2の位置が不定な状態では、その測定値は意味を有しないためである。
よって、最初に原版ステージ2を原版ステージ定盤7に対してあらかじめ決められた位置に位置決めする必要がある。
この位置はできるだけ原版ステージ2の6軸駆動ストロークの中心であることが好ましい。
または小型レーザー干渉計28〜31の計測レンジ内であればストローク中心から偏った場所でもよいが、この場合、偏り量が予め判明していて、その分を考慮して基板ステージ定盤7の位置を基板ステージアジャスタ10で調整することが好ましい。
Next, a control method of the
It is difficult to increase the measurement range of the small laser interferometers 28 to 31.
Therefore, when the position of the
The operation up to this point is the same as that of the first embodiment, and in this state, the measurement is possible because it enters the measurement range of the small laser interferometers 28 to 31.
With respect to the Y direction, the position adjustment is completed in this state, but the other five axes are finely adjusted using the small laser interferometers 28-31.
In performing fine adjustment, if the position of the
This is because the small laser interferometers 28 to 31 measure the position of the
Therefore, it is necessary to first position the
This position is preferably the center of the 6-axis drive stroke of the
Alternatively, the position may be deviated from the center of the stroke as long as it is within the measurement range of the small laser interferometers 28 to 31, but in this case, the amount of deviation is known in advance, and the position of the substrate
原版ステージ2を原版ステージ定盤7に対して位置決めする計測手段としては、渦電流センサ28〜31、静電容量センサのような原点検知機能付きレーザー干渉計等の絶対位置を計測するセンサを用いてもよい。
さらに、フォトセンサ、その他近接センサのように物体が一定の位置に来た際に反応するようなセンサを用いてもよく、場合によってはメカニカルな突き当てによる位置出しでもよい。
図5の本実施例2では、Z方向はメカニカルな突き当て、X方向は近接スイッチ33を配置して位置決めを行う。
以上の手段により原版ステージ2が原版ステージ定盤7に対して位置決めされた状態で小型レーザー干渉計28〜31の値を計測する。
小型レーザー干渉計28〜31の値があらかじめ決められた値になるように原版ステージアジャスタ10を駆動する。
実施例1と同様に床8の経時的な変化の速度が充分に遅い場合、原版ステージアジャスタ10は手動でもよい。
しかし、調整頻度や調整必要時間によってはアクチュエータを用いた自動駆動機構により、小型レーザー干渉計28〜31の計測値が所定の値となるように駆動させることが好ましい。
この時の目標値とする小型レーザー干渉計の値はあらかじめ投影光学系の組立調整の際等に求めておく。
小型レーザー干渉計28〜31には原点検知機能が内蔵されているため絶対距離測定器として用いることができる。
また、上記のように、この際に原版ステージ2の位置が駆動ストロークの中心ではなく、ずれ量が判明している場合はそのずれ量分、原版ステージアジャスタ10の調整量をずらす。
以上により投影光学系13に対して正確に原版ステージ2即ち原版1の位置を合わせることが出来る。
基板ステージ20は、原版ステージ2と異なりX方向に大きな駆動ストロークを有する。
このため、全ストロークにわたり本実施例2のように投影光学系13からステージ位置を、直接測定する小型レーザー干渉計用計測ミラーを基板ステージ20上に配置することは困難である。
しかし、限られた範囲であれば配置可能なため、本実施例2の原版ステージ2同様の位置決め手段を基板ステージアジャスタ24にて行うことが可能である。
As a measuring means for positioning the
Further, a sensor that reacts when an object comes to a certain position, such as a photo sensor or other proximity sensor, may be used, and in some cases, the position may be determined by mechanical abutment.
In the second embodiment of FIG. 5, positioning is performed by mechanical abutment in the Z direction and a
The values of the small laser interferometers 28 to 31 are measured in a state where the
The
As in the first embodiment, when the rate of change of the
However, depending on the frequency of adjustment and the time required for adjustment, it is preferable to drive the measurement values of the small laser interferometers 28 to 31 to a predetermined value by an automatic drive mechanism using an actuator.
The value of the small laser interferometer as the target value at this time is obtained in advance when assembling and adjusting the projection optical system.
Since the small laser interferometers 28 to 31 have a built-in origin detection function, they can be used as an absolute distance measuring device.
Further, as described above, when the position of the
As described above, the position of the
Unlike the
For this reason, it is difficult to arrange on the substrate stage 20 a small laser interferometer measuring mirror that directly measures the stage position from the projection
However, since it can be arranged within a limited range, positioning means similar to the
実施例1、実施例2共に原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24は、組立時の位置合わせ、床8の面の経時的な変化によるずれを補正するためだけでなく、露光する際にステージ位置を故意に変化させる必要が有る場合にも使用可能である。
例えば、投影光学系13の焦点深度を見かけ上増やすための手段として原版ステージ2、基板ステージ20をωxに傾けた状態でスキャン露光を行うことが行われる場合がある。
この場合、この際に必要なステージ駆動ストロークを、全てそれぞれの原版ステージ2、基板ステージ20内で有することは機構のサイズ、消費電力、コストの観点で好ましくない。
この際に、この傾け量分を原版ステージアジャスタ10、基板ステージアジャスタ24を用いて傾けることにより、原版ステージ2、基板ステージ20はコンパクトに低消費電力、低コストで製作可能となる。
また、実施例1および実施例2共に原版ステージアジャスタ10を同一の位置に配置しているが、この場所に限定されるものではなく、例えば基板ステージアジャスタ24のように床8の面に置くこともできる。
また、装置内配置の都合によっては照明光学系9に専用のアジャスト機構を設けてもよい。
この場合、照明光学系9から鏡筒定盤11の位置を計測する定盤間センサが必要となる。
同様にTTR顕微鏡27を搭載した変形例の露光装置の場合TTR顕微鏡27の下に独立したアジャスト機構を設けてもよい。
In both the first and second embodiments, the
For example, as a means for apparently increasing the depth of focus of the projection
In this case, it is not preferable from the viewpoint of the size, power consumption, and cost of the mechanism to have all the stage drive strokes required in this case in the
At this time, the
In addition, although the
Further, a dedicated adjustment mechanism may be provided in the illumination
In this case, an inter-plate sensor for measuring the position of the lens
Similarly, in the case of a modified exposure apparatus equipped with the
次に、図6及び図7を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図6は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ3(ウェハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。
ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, a semiconductor chip manufacturing method will be described as an example.
The method comprises the steps of exposing a wafer using an exposure apparatus and developing the wafer, and specifically comprises the following steps.
In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed.
In step 2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern.
In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer using the mask and the wafer by the above exposure apparatus using the lithography technique.
Step 5 (assembly) is referred to as a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in
In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in
Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
図7は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ13(電極形成)では、ウェハに電極を形成する。
ステップ14(イオン打込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。
ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 7 is a detailed flowchart of the wafer process in
In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized.
In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer.
In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer.
In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer.
In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer.
Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus to expose a circuit pattern on the mask onto the wafer.
In step 17 (development), the exposed wafer is developed.
In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed.
In step 19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed.
By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
BM1 原版ステージバーミラー BM2 基板ステージバーミラー
1 原版 2 原版ステージ
3 計測定盤 4 レーザー干渉計
5、6 ベースフレーム 7 原版ステージ定盤
8 床 9 照明光学系
10 原版ステージアジャスタ 11 鏡筒定盤
12 定盤間センサ 13 投影光学系
14 基板 15 レーザー干渉計
16 鏡筒マウント 17 鏡筒定盤マウント
18 マーク位置計測用顕微鏡 19 レーザー干渉計
20 基板ステージ 21 レーザー干渉計
22 基板ステージ定盤 23 定盤間センサ
24 基板ステージアジャスタ 25 基板ステージ定盤
26a,26b 干渉計ビーム 27 TTR顕微鏡
28 X計測用小型レーザー干渉計
29 ωz計測用小型レーザー干渉計
30 X方向計測用基板ステージ側レーザー干渉計
31 Z計測用小型レーザー干渉計
32 ωy計測用小型レーザー干渉計
33 近接センサ
BM1 Original stage bar mirror BM2 Substrate stage bar mirror 1
Claims (6)
前記原版を搭載する原版ステージと、
前記照明光学系および前記原版ステージを支持する第1の構造体と、
前記第1の構造体と床との間に前記原版ステージの位置を調整する第1の位置調整機構と、を有することを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus that illuminates an original through an illumination optical system with exposure light from a light source and projects and exposes a pattern formed on the original onto a substrate through a projection optical system,
An original stage on which the original is mounted;
A first structure that supports the illumination optical system and the original stage;
An exposure apparatus comprising: a first position adjusting mechanism that adjusts a position of the original stage between the first structure and a floor.
前記ベースフレームは床に設置されることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 A base frame that supports the first structure via the first position adjustment mechanism;
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the base frame is installed on a floor.
前記基板ステージを支持する第2の構造体と、
前記第2の構造体と前記床との間に前記基板ステージの位置を調整する第2の位置調整機構と、を有し、
前記投影光学系と前記基板ステージとの位置関係の変化を一定量以下に保つことを特徴とする請求項1または2記載の露光装置。 A substrate stage on which the substrate is mounted;
A second structure for supporting the substrate stage;
A second position adjusting mechanism for adjusting the position of the substrate stage between the second structure and the floor;
3. An exposure apparatus according to claim 1, wherein a change in a positional relationship between the projection optical system and the substrate stage is kept below a certain amount.
前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。 A step of exposing a substrate using the exposure apparatus according to claim 1;
And a step of developing the substrate.
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