JP2009123860A - Wafer automatic transfer apparatus, and wafer transfer method using the same - Google Patents

Wafer automatic transfer apparatus, and wafer transfer method using the same Download PDF

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Tsuyoshi Nakata
強 中田
Tadashi Ohashi
忠 大橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an automatic wafer transfer apparatus enhancing the productivity of an epitaxial wafer, and to provide a wafer transfer method using the same. <P>SOLUTION: The automatic wafer transfer apparatus is of an automatic wafer transfer apparatus for loading or unloading a wafer onto a susceptor of an epitaxial growth reactor and is characterized by having a movable arm, a wafer holding hand attached to the movable arm, a position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring a relative position between the wafer holding hand and the susceptor, and a distance sensor fixed to the wafer holding hand and measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor. This wafer transfer method is of a wafer transfer method using this wafer transfer apparatus. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法に関し、特にエピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置に関する。   The present invention relates to an automatic wafer transfer apparatus and a wafer transfer method using the same, and more particularly to an automatic wafer transfer apparatus for loading or unloading a wafer on a susceptor of an epitaxial growth apparatus.

バイポーラ、CMOSあるいはディスクリート等、さまざまな半導体デバイスの製造工程において、半導体ウェーハ(以下、単に「ウェーハ」ともいう)上に単結晶の半導体膜を成長させるエピタキシャル成長装置が用いられるようになっている。   In manufacturing processes of various semiconductor devices such as bipolar, CMOS, and discrete, an epitaxial growth apparatus for growing a single crystal semiconductor film on a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as “wafer”) has been used.

エピタキシャル成長を行うエピタキシャル成長装置には、縦型エピタキシャル成長装置(またはパンケーキ型装置、例えば、特許文献1、以下単に「縦型装置」ともいう)、バレル型エピタキシャル成長装置(またはシリンダー装置、例えば、特許文献2、以下単に「バレル型装置」ともいう)、枚葉装置等がある。この中で、縦型装置やバレル型装置は、多くの枚数のウェーハを一括して処理することが可能であることから量産性に優れているため、幅広くエピタキシャルウェーハの製造に用いられている。   Examples of the epitaxial growth apparatus that performs epitaxial growth include a vertical epitaxial growth apparatus (or pancake type apparatus, for example, Patent Document 1, hereinafter also simply referred to as “vertical apparatus”), a barrel type epitaxial growth apparatus (or cylinder apparatus, for example, Patent Document 2). Hereinafter, also simply referred to as “barrel type device”), a single wafer device, and the like. Among them, the vertical type apparatus and the barrel type apparatus are widely used for manufacturing epitaxial wafers because they can process a large number of wafers at a time and are excellent in mass productivity.

このような、エピタキシャル成長装置においては、サセプタに設けられた円形凹状の座ぐり(またはザグリ)にウェーハを載置することで半導体単結晶膜のエピタキシャル成長が行われる。そして、ウェーハのサセプタへのロード、アンロードは従来、手作業によって行われてきた。これは、サセプタにウェーハを載置する際に、自動移送装置を用いると、ウェーハや自動移送装置のウェーハ保持ハンドが、サセプタ表面や座ぐりの端部と衝突することによるウェーハの欠けや発塵による汚染を回避することが困難なことによる。また、ウェーハの欠けや発塵をある程度抑制できたとしても、ウェーハのサセプタに対する位置精度が悪く、ウェーハが座ぐり中心からずれたり、極端な場合は、座ぐりに収まらなかったりして、ウェーハ不良につながっていたことにもよる。   In such an epitaxial growth apparatus, the semiconductor single crystal film is epitaxially grown by placing the wafer on a circular concave counterbore (or counterbore) provided on the susceptor. Conventionally, loading and unloading of a wafer to a susceptor has been performed manually. This is because, when an automatic transfer device is used when placing a wafer on the susceptor, the wafer or the wafer holding hand of the automatic transfer device collides with the susceptor surface or the edge of the counterbore, thereby causing a chipping or dusting of the wafer. This is because it is difficult to avoid contamination. Even if chipping or dust generation of the wafer can be suppressed to some extent, the positional accuracy of the wafer with respect to the susceptor is poor, and the wafer may be displaced from the center of the counterbore. It depends on what was connected to.

このように、ウェーハのロード、アンロードを手作業で行うことが、エピタキシャルウェーハの生産性向上の阻害要因となっていた。また、作業者の熟練度の差異に起因する製品特性のばらつきも問題であった。
特開平8−250429号公報 特開平10−87394号公報
Thus, manual loading and unloading of wafers has been an impediment to improving the productivity of epitaxial wafers. In addition, variations in product characteristics due to differences in the skill levels of workers have also been a problem.
JP-A-8-250429 JP-A-10-87394

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、エピタキシャルウェーハの生産性を向上させる、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an automatic wafer transfer apparatus and a wafer transfer method using the same, which improve the productivity of epitaxial wafers. is there.

本発明の一態様のウェーハ自動移載装置は、エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置であって、可動アームと前記可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、前記ウェーハ保持ハンドに固定され、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、前記ウェーハ保持ハンドに固定され、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とする。   An automatic wafer transfer apparatus according to an aspect of the present invention is an automatic wafer transfer apparatus for loading or unloading a wafer on a susceptor of an epitaxial growth apparatus, a movable arm, a wafer holding hand attached to the movable arm, A position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring a relative position between the wafer holding hand and the susceptor; and a distance sensor fixed to the wafer holding hand and measuring a distance between the wafer holding hand and the susceptor. It is characterized by having.

ここで、前記エピタキシャル成長装置がバレル型エピタキシャル成長装置であって、前記ウェーハ保持ハンドに、前記ウェーハの接する部分がテーパ形状を有する1対のウェーハガイドを備えることが望ましい。   Here, it is preferable that the epitaxial growth apparatus is a barrel type epitaxial growth apparatus, and the wafer holding hand is provided with a pair of wafer guides having a tapered shape at a portion in contact with the wafer.

ここで、前記ウェーハガイドの前記ウェーハに接する部分がポリイミドであることが望ましい。   Here, it is preferable that a portion of the wafer guide that contacts the wafer is polyimide.

本発明の一態様のウェーハ移載方法は、上述の本発明の一態様のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法であって、前記ウェーハを前記ウェーハ保持ハンドに把持するステップと、前記位置センサと、前記サセプタ上のパターンを用いて、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに対して所望の位置に移動するステップと、前記距離センサを用いて、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測しながら、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに接近させるステップと、前記サセプタに設けられた座ぐりに前記ウェーハを載置するステップを有することを特徴とする。   A wafer transfer method according to an aspect of the present invention is a wafer transfer method using the above-described wafer automatic transfer apparatus according to an aspect of the present invention, the step of gripping the wafer by the wafer holding hand, Using a position sensor and a pattern on the susceptor to move the wafer holding hand to a desired position relative to the susceptor; and using the distance sensor to determine a distance between the wafer holding hand and the susceptor. While measuring, the method has a step of bringing the wafer holding hand closer to the susceptor and a step of placing the wafer on a spot facing provided on the susceptor.

本発明の一態様のウェーハ移載方法は、上述のウェーハガイドの備える本発明の一態様のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法であって、前記ウェーハを前記ウェーハ保持ハンドに保持するステップと、前記位置センサと、前記サセプタ上のパターンを用いて、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに対して所望の位置に移動するステップと、前記距離センサを用いて、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測しながら、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに接近させるステップと、前記サセプタに設けられた座ぐりに、前記ウェーハを、前記ウェーハガイド上をスライドさせて載置するステップを有することを特徴とする。   A wafer transfer method according to an aspect of the present invention is a wafer transfer method using the wafer automatic transfer apparatus according to an aspect of the present invention provided in the above-described wafer guide, and holds the wafer on the wafer holding hand. Moving the wafer holding hand to a desired position with respect to the susceptor using the position sensor and a pattern on the susceptor; and using the distance sensor, the wafer holding hand and the susceptor. Measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor, and placing the wafer on a counterbore provided on the susceptor by sliding on the wafer guide. It is characterized by.

本発明によれば、エピタキシャルウェーハの生産性を向上させる、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法を提供することが可能になる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the wafer transfer method and wafer transfer method using the same which improve the productivity of an epitaxial wafer.

以下、本発明に関するウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法についての実施の形態につき、添付図面に基づき説明する。   Embodiments of an automatic wafer transfer apparatus and a wafer transfer method using the same according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態のウェーハ自動移載装置は、エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置である。そして、可動アームと、この可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、このウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とする
(First embodiment)
The wafer automatic transfer apparatus according to the first embodiment of the present invention is an automatic wafer transfer apparatus for loading or unloading a wafer on a susceptor of an epitaxial growth apparatus. A movable arm, a wafer holding hand attached to the movable arm, a position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring a relative position between the wafer holding hand and the susceptor, and a wafer holding hand fixed to the wafer holding hand. It has a distance sensor that measures the distance between the hand and the susceptor.

本実施の形態においては、エピタキシャル成長装置が縦型装置である場合を例に説明する。   In the present embodiment, a case where the epitaxial growth apparatus is a vertical apparatus will be described as an example.

図2は、第1の実施の形態で用いられる縦型装置の断面図である。図2に示すように、この縦型装置60は、反応炉となる容積の大きな半球状の石英ベルジャー62の中に、回転式のディスク状のサセプタ64を有している。そして、このサセプタ64上に複数のウェーハ66が水平に配置される。反応ガスは、サセプタ64中心に設けられたガス供給管68のガス噴出孔70からサセプタ64上面に沿って、放射状に噴出される。そして、反応ガスおよび反応により生成された反応生成ガスは、サセプタ64外周の石英ベルジャー62下部に、例えば2箇所設けられた排気孔2から石英ベルジャー62外へ排出される。また、石英ベルジャー62の内部に設けられたコイル64による高周波誘導加熱でウェーハ66が加熱される。そして、ディスク状のサセプタ64が回転することにより、ウェーハ66の加熱およびウェーハ66への反応ガスの供給を均一化している。   FIG. 2 is a sectional view of the vertical apparatus used in the first embodiment. As shown in FIG. 2, the vertical apparatus 60 includes a rotating disk-shaped susceptor 64 in a hemispherical quartz bell jar 62 having a large volume serving as a reaction furnace. A plurality of wafers 66 are horizontally arranged on the susceptor 64. The reaction gas is ejected radially from the gas ejection hole 70 of the gas supply pipe 68 provided at the center of the susceptor 64 along the upper surface of the susceptor 64. Then, the reaction gas and the reaction product gas generated by the reaction are discharged out of the quartz bell jar 62 from, for example, two exhaust holes 2 provided below the quartz bell jar 62 on the outer periphery of the susceptor 64. Further, the wafer 66 is heated by high-frequency induction heating by a coil 64 provided inside the quartz bell jar 62. Then, the disk-shaped susceptor 64 rotates to uniformize the heating of the wafer 66 and the supply of the reaction gas to the wafer 66.

図3は、図2に示したような縦型装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするための本実施の形態のウェーハ自動移載装置の説明図である。本実施の形態のウェーハ自動移載装置10は、架台12上に可動アーム14が設けられている。そして、この可動アーム14の先端に、ウェーハ66を保持することが可能なウェーハ保持ハンド16が取り付けられている。   FIG. 3 is an explanatory diagram of the wafer automatic transfer apparatus according to the present embodiment for loading or unloading a wafer on the susceptor of the vertical apparatus as shown in FIG. In the wafer automatic transfer apparatus 10 of the present embodiment, a movable arm 14 is provided on a gantry 12. A wafer holding hand 16 capable of holding the wafer 66 is attached to the tip of the movable arm 14.

このウェーハ自動移載装置10は、ウェーハ受け渡しユニット40と縦型装置60のサセプタ64に、複数設けられた円形凹状の座ぐり68内との間で、ウェーハ66をロードまたはアンロードする。ここで、ウェーハ受け渡しユニット40には、ウェーハカセット42が載置され、ウェーハ受け渡し部44との間でウェーハ66の移動が可能となっている。   The automatic wafer transfer device 10 loads or unloads a wafer 66 between a wafer transfer unit 40 and a plurality of circular concave counterbore 68 provided on a susceptor 64 of a vertical device 60. Here, a wafer cassette 42 is placed on the wafer delivery unit 40, and the wafer 66 can be moved between the wafer delivery unit 44.

図1は、本実施の形態のウェーハ保持ハンドの説明図である。図1(a)が、側面図、図1(b)が正面図である。   FIG. 1 is an explanatory diagram of a wafer holding hand according to the present embodiment. FIG. 1A is a side view, and FIG. 1B is a front view.

ウェーハ保持ハンド16には、ウェーハ66を保持するための、3つの爪18設けられている。この爪18は、ウェーハ66を保持するために、それぞれ可動に設けられている。この爪18のウェーハ66に接する部分は、ウェーハ66を保持する動作の際に、ウェーハに損傷を与えないために、セラミックスや金属よりも弾性の高い材料、例えば、ポリイミドなどの樹脂でできていることが望ましい。   The wafer holding hand 16 is provided with three claws 18 for holding the wafer 66. The claws 18 are movably provided to hold the wafer 66. The portion of the claw 18 in contact with the wafer 66 is made of a material having higher elasticity than ceramics or metal, for example, a resin such as polyimide, so that the wafer 66 is not damaged during the operation of holding the wafer 66. It is desirable.

なお、ここでは、ウェーハを保持する機構として、爪18を用いているが、例えば、ウェーハ面を吸着することで保持する機構を適用してもかまわない。   Here, the claw 18 is used as the mechanism for holding the wafer. However, for example, a mechanism for holding the wafer surface by suction may be applied.

また、ウェーハ保持ハンド16には、このウェーハ保持ハンド16に固定され、ウェーハ保持ハンド16とサセプタとの相対位置をモニタする位置センサ20が設けられている。この位置センサ20は、サセプタ面を光学的に認識する撮像デバイスであり、例えば、TVカメラ、CCD、CMOSセンサなどが適用できる。   The wafer holding hand 16 is provided with a position sensor 20 that is fixed to the wafer holding hand 16 and monitors the relative position between the wafer holding hand 16 and the susceptor. The position sensor 20 is an imaging device that optically recognizes the susceptor surface. For example, a TV camera, a CCD, a CMOS sensor, or the like can be applied.

また、ウェーハ保持ハンド16には、ウェーハ保持ハンド16に固定され、ウェーハ保持ハンド16とサセプタ間の距離を計測する距離センサ22が設けられている。この距離センサとしては、例えば、レーザ干渉計等が適用可能である。   The wafer holding hand 16 is provided with a distance sensor 22 that is fixed to the wafer holding hand 16 and measures the distance between the wafer holding hand 16 and the susceptor. As this distance sensor, for example, a laser interferometer or the like is applicable.

次に、本実施の形態のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法について、図1および図3を参照しつつ説明する。   Next, a wafer transfer method using the wafer automatic transfer apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施の形態のウェーハ移載方法は、ウェーハをウェーハ保持ハンドに保持するステップと、位置センサとサセプタ上のパターンを用いて、ウェーハ保持ハンドをサセプタに対して所望の位置に移動するステップと、距離センサを用いて、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測しながら、ウェーハ保持ハンドをサセプタに接近させるステップと、サセプタに設けられた座ぐりにウェーハを載置するステップを有することを特徴とする。   The wafer transfer method of the present embodiment includes a step of holding the wafer in the wafer holding hand, a step of moving the wafer holding hand to a desired position with respect to the susceptor using a position sensor and a pattern on the susceptor, And measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor using a distance sensor, and bringing the wafer holding hand closer to the susceptor and placing the wafer on a spot facing provided on the susceptor. To do.

まず、ウェーハ66を縦型装置60にロードする場合について説明する。ウェーハ66は図3に示すウェーハ受け渡しユニット40のウェーハカセット42に導入される。そして、ウェーハ受け渡しユニット40の搬送アームにより、ウェーハ66は、ウェーハ受け渡し部44に移動される。   First, a case where the wafer 66 is loaded on the vertical apparatus 60 will be described. The wafer 66 is introduced into the wafer cassette 42 of the wafer delivery unit 40 shown in FIG. Then, the wafer 66 is moved to the wafer transfer unit 44 by the transfer arm of the wafer transfer unit 40.

その後、ウェーハ自動移載装置10の可動アーム14を動かし、ウェーハ保持ハンド16がウェーハ受け渡し部44の直上にくるよう移動させる。その後、爪18(図1)を外方に開いた状態で、ウェーハ保持ハンド16をウェーハ66まで降下させ、爪18を閉じることによって、ウェーハ66を水平に保持する。   Thereafter, the movable arm 14 of the automatic wafer transfer device 10 is moved, and the wafer holding hand 16 is moved so as to be directly above the wafer delivery unit 44. Thereafter, with the claw 18 (FIG. 1) opened outward, the wafer holding hand 16 is lowered to the wafer 66 and the claw 18 is closed to hold the wafer 66 horizontally.

その後、可動アーム14を動かすことで、ウェーハ66を保持したウェーハ保持ハンド16を上昇および水平移動させ、縦型装置60のサセプタ64表面の所定の座ぐり68直上まで移動させる。この時、位置センサ20(図1)を用いて、ウェーハ66が所定の座ぐり68の中心に確実に載置されるようにする。   Thereafter, by moving the movable arm 14, the wafer holding hand 16 holding the wafer 66 is moved up and horizontally moved to a position directly above the predetermined counterbore 68 on the surface of the susceptor 64 of the vertical apparatus 60. At this time, the position sensor 20 (FIG. 1) is used to ensure that the wafer 66 is placed on the center of a predetermined spot facing 68.

例えば、CCDである位置センサ20により、サセプタ64上のパターン、例えば、位置合わせ専用に設けられた基準マークを画像認識させてウェーハ保持ハンド16位置を調整し、例えば、機械精度に頼るだけの方法よりも精度の高い位置合わせを行う。   For example, the position sensor 20, which is a CCD, recognizes a pattern on the susceptor 64, for example, a reference mark provided exclusively for alignment, adjusts the position of the wafer holding hand 16, and only relies on, for example, machine accuracy. Align with higher accuracy.

そして、所定の座ぐり68直上まで移動させた後、可動アーム14を動作させることによって、ウェーハ保持ハンド16をサセプタ64面まで降下させる。この時、例えば、レーザ干渉計である距離センサ22(図1)で、距離をモニタすることでウェーハ保持ハンド16の上下位置を調整し、ウェーハ保持ハンド16やこれに保持されるウェーハ66がサセプタ64表面や座ぐり68に衝突しないように制御する。   The wafer holding hand 16 is lowered to the surface of the susceptor 64 by moving the movable arm 14 after moving it to a position just above the predetermined counterbore 68. At this time, for example, the distance sensor 22 (FIG. 1), which is a laser interferometer, adjusts the vertical position of the wafer holding hand 16 by monitoring the distance, and the wafer holding hand 16 and the wafer 66 held by the wafer holding hand 16 are moved to the susceptor. 64 Control is performed so as not to collide with the surface or the counterbore 68.

そして、ウェーハ保持ハンド16の爪18を外方に開き、ウェーハ66を離脱させ、所定の座ぐり68にソフトランディングさせる。   Then, the claw 18 of the wafer holding hand 16 is opened outward, the wafer 66 is detached, and soft landing is performed on a predetermined spot facing 68.

なお、ウェーハ66のサセプタ64からのアンロードに関しては、上述のロードと逆の手順により行う。   The unloading of the wafer 66 from the susceptor 64 is performed in the reverse procedure of the above-described loading.

また、上述のウェーハのロードおよびアンロードは、ウェーハ自動移載装置10に接続されるコンピュータ(図示せず)によって制御される。   The loading and unloading of the wafer is controlled by a computer (not shown) connected to the automatic wafer transfer apparatus 10.

本実施の形態のウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法によれば、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、同じくウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサにより、ウェーハ保持ハンドのサセプタに対する水平および上下位置を極めて精度よくモニタし、かつ、制御することが可能となる。したがって、ウェーハやウェーハ自動移載装置のウェーハ保持ハンドが、サセプタ表面や座ぐりの端部と衝突することによるウェーハの欠けや発塵による汚染を回避することが可能となる。また、ウェーハが座ぐり中心からずれることによるウェーハ不良も回避することが可能となる。   According to the wafer automatic transfer apparatus and the wafer transfer method using the same according to the present embodiment, the position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring the relative position between the wafer holding hand and the susceptor, and the wafer holding hand It is possible to monitor and control the horizontal and vertical positions of the wafer holding hand with respect to the susceptor with extremely high accuracy by the distance sensor fixed to the wafer and measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor. Therefore, it is possible to avoid contamination due to chipping or dust generation caused by the wafer or the wafer holding hand of the automatic wafer transfer apparatus colliding with the susceptor surface or the counterbore edge. It is also possible to avoid wafer defects caused by the wafer being displaced from the center of the spot facing.

(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態のウェーハ自動移載装置は、バレル型装置に用いられる点、および、ウェーハ保持ハンドに、ウェーハの接する部分がテーパ形状を有する1対のウェーハガイドを備える点以外は、第1の実施の形態と同様である。
(Second Embodiment)
The automatic wafer transfer apparatus according to the second embodiment of the present invention is used in a barrel type apparatus, and the wafer holding hand is provided with a pair of wafer guides having a tapered shape at a portion in contact with the wafer. Is the same as in the first embodiment.

図4は、第2の実施の形態で用いるバレル型装置の断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view of a barrel type apparatus used in the second embodiment.

例えば、透明石英で形成される円筒形状容器72内には、その側面にウェーハ(図示せず)をほぼ直立した状態で載置する、複数の円形凹状の座ぐり78を備えたサセプタ74が吊り下げられている。   For example, in a cylindrical container 72 made of transparent quartz, a susceptor 74 provided with a plurality of circular concave counterbore 78 is mounted, on which a wafer (not shown) is placed in a substantially upright state. Has been lowered.

ここで、サセプタ74は、図5(a)の斜視図に示すように多角錘台状、ここでは六角錘台状である。そして、図5(b)の展開図に示すように、サセプタ74は複数の台形状パネル84、ここでは6枚の台形状パネルによって構成されている。このサセプタ74は、例えば、表面が炭化珪素(SiC)でコーティングされたカーボン(C)で形成されている。   Here, the susceptor 74 has a polygonal frustum shape, here a hexagonal frustum shape, as shown in the perspective view of FIG. 5B, the susceptor 74 includes a plurality of trapezoidal panels 84, here, six trapezoidal panels. The susceptor 74 is made of, for example, carbon (C) whose surface is coated with silicon carbide (SiC).

そして、図4に示すように、円筒形状容器72はサセプタ74を同軸に覆っている。円筒形状容器72上部には、反応ガスを導入するためのガス導入口76が設けられている。また、円筒形状容器72下部には、未反応の反応ガスあるいは反応により生成されたガスを排出するためのガス排出口80が設けられている。ガス導入口76から導入された反応ガスは、図中点線矢印で示すように、サセプタ74と円筒状容器72との間に導入され、下方へと流れる。   As shown in FIG. 4, the cylindrical container 72 covers the susceptor 74 coaxially. In the upper part of the cylindrical container 72, a gas introduction port 76 for introducing a reaction gas is provided. In addition, a gas discharge port 80 for discharging unreacted reaction gas or gas generated by the reaction is provided at the lower portion of the cylindrical container 72. The reaction gas introduced from the gas introduction port 76 is introduced between the susceptor 74 and the cylindrical container 72 and flows downward as indicated by a dotted arrow in the figure.

また、円筒形状容器72の外部には、ハロゲンランプ等のヒータ22が設けられている。このヒータ82により、サセプタ74上に載置されたウェーハが加熱可能になっている。   A heater 22 such as a halogen lamp is provided outside the cylindrical container 72. With this heater 82, the wafer placed on the susceptor 74 can be heated.

そして、角錐台形のサセプタは、それ自体の軸の周りを回転可能となっている。このように回転することによって、ウェーハの加熱およびウェーハへの反応ガスの供給を均一化している。このように、ウェーハを加熱しながら、反応ガスを供給することで、サセプタ74上に載置されたウェーハ上に単結晶膜のエピタキシャル層を形成することが可能である。   The pyramidal trapezoidal susceptor is rotatable about its own axis. By rotating in this way, the heating of the wafer and the supply of the reaction gas to the wafer are made uniform. In this way, it is possible to form a single crystal epitaxial layer on the wafer placed on the susceptor 74 by supplying the reaction gas while heating the wafer.

図5は、図4に示したようなバレル型装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするための本実施の形態のウェーハ自動移載装置の説明図である。本実施の形態のウェーハ自動移載装置10は、第1の実施の形態同様、架台12上に可動アーム14が設けられている。そして、この可動アーム14の先端に、ウェーハ66を保持することが可能なウェーハ保持ハンド16が取り付けられている。   FIG. 5 is an explanatory diagram of the wafer automatic transfer apparatus of the present embodiment for loading or unloading a wafer on the susceptor of the barrel type apparatus as shown in FIG. As in the first embodiment, the automatic wafer transfer apparatus 10 of the present embodiment is provided with a movable arm 14 on a gantry 12. A wafer holding hand 16 capable of holding the wafer 66 is attached to the tip of the movable arm 14.

このウェーハ自動移載装置10は、ウェーハ受け渡しユニット40とバレル型装置70のサセプタ74に、複数設けられた円形凹状の座ぐり78(図5)内との間で、ウェーハ66をロードまたはアンロードする。ここで、ウェーハ受け渡しユニット40には、ウェーハカセット42が載置され、ウェーハ受け渡し部44との間でウェーハ66の移動が可能となっている。   This automatic wafer transfer device 10 loads or unloads a wafer 66 between a wafer transfer unit 40 and a plurality of circular concave counterbore 78 (FIG. 5) provided on the susceptor 74 of the barrel type device 70. To do. Here, a wafer cassette 42 is placed on the wafer delivery unit 40, and the wafer 66 can be moved between the wafer delivery unit 44.

図7は、本実施の形態のウェーハ保持ハンド16の説明図である。図7(a)が、側面図、図7(b)が正面図である。   FIG. 7 is an explanatory diagram of the wafer holding hand 16 of the present embodiment. FIG. 7A is a side view and FIG. 7B is a front view.

ウェーハ保持ハンド16には、ウェーハ66を保持するための、3つの爪18設けられている。この爪18は、ウェーハ66を保持するために、3つのうちの1つが可動に設けられている。この爪18のウェーハ66に接する部分は、ウェーハ66を保持する動作の際に、ウェーハに損傷を与えないために、セラミックスや金属よりも弾性の高い材料、例えば、ポリイミドなどの樹脂でできていることが望ましい。   The wafer holding hand 16 is provided with three claws 18 for holding the wafer 66. One of the claws 18 is movably provided to hold the wafer 66. The portion of the claw 18 in contact with the wafer 66 is made of a material having higher elasticity than ceramics or metal, for example, a resin such as polyimide, so that the wafer 66 is not damaged during the operation of holding the wafer 66. It is desirable.

なお、ここでは、ウェーハを保持する機構として、爪18を用いているが、例えば、ウェーハ面を吸着することで保持する機構を適用してもかまわない。   Here, the claw 18 is used as the mechanism for holding the wafer. However, for example, a mechanism for holding the wafer surface by suction may be applied.

さらに、ウェーハ保持ハンド16に、ウェーハ66の接する部分がテーパ形状を有する1対のウェーハガイド26を備えている。このウェーハガイド26のウェーハ66に接する部分に関しても、ウェーハ66を保持動作の際に、ウェーハに損傷を与えないために、セラミックスや金属よりも弾性の高い材料、例えば、ポリイミドなどの樹脂でできていることが望ましい。   Further, the wafer holding hand 16 is provided with a pair of wafer guides 26 in which a portion in contact with the wafer 66 has a tapered shape. The portion of the wafer guide 26 that contacts the wafer 66 is also made of a material having higher elasticity than ceramics or metal, for example, a resin such as polyimide, so that the wafer 66 is not damaged during the holding operation. It is desirable that

また、第1の実施の形態同様、ウェーハ保持ハンド16には、このウェーハ保持ハンド16に固定され、ウェーハ保持ハンド16とサセプタとの相対位置をモニタする位置センサ20が設けられている。この位置センサ20は、サセプタ面を光学的に認識する撮像デバイスであり、例えば、TVカメラ、CCD、CMOSセンサなどが適用できる。   As in the first embodiment, the wafer holding hand 16 is provided with a position sensor 20 that is fixed to the wafer holding hand 16 and monitors the relative position between the wafer holding hand 16 and the susceptor. The position sensor 20 is an imaging device that optically recognizes the susceptor surface. For example, a TV camera, a CCD, a CMOS sensor, or the like can be applied.

また、ウェーハ保持ハンド16には、ウェーハ保持ハンド16に固定され、ウェーハ保持ハンド16とサセプタ間の距離を計測する距離センサ22が設けられている。この距離センサとしては、例えば、レーザ干渉計等が適用可能である。   The wafer holding hand 16 is provided with a distance sensor 22 that is fixed to the wafer holding hand 16 and measures the distance between the wafer holding hand 16 and the susceptor. As this distance sensor, for example, a laser interferometer or the like is applicable.

次に、本実施の形態のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法について、図6、図7および図8を参照しつつ説明する。   Next, a wafer transfer method using the wafer automatic transfer apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施の形態のウェーハ移載方法は、ウェーハをウェーハ保持ハンドに保持するステップと、位置センサとサセプタ上のパターンを用いて、ウェーハ保持ハンドをサセプタに対して所望の位置に移動するステップと、距離センサを用いて、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測しながら、ウェーハ保持ハンドをサセプタに接近させるステップと、サセプタに設けられた座ぐりに、前記ウェーハを、前記ウェーハガイド上をスライドさせて載置するステップを有することを特徴とする。   The wafer transfer method of the present embodiment includes a step of holding the wafer in the wafer holding hand, a step of moving the wafer holding hand to a desired position with respect to the susceptor using a position sensor and a pattern on the susceptor, While measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor using a distance sensor, the wafer holding hand is moved closer to the susceptor, and the wafer is slid on the wafer guide in a spot facing provided on the susceptor. And a step of mounting.

まず、ウェーハ66を縦型装置70にロードする場合について説明する。ウェーハ66は図6に示すウェーハ受け渡しユニット40のウェーハカセット42に導入される。そして、ウェーハ受け渡しユニット40の搬送アームにより、ウェーハ66は、ウェーハ受け渡し部44に移動される。   First, a case where the wafer 66 is loaded on the vertical apparatus 70 will be described. The wafer 66 is introduced into the wafer cassette 42 of the wafer delivery unit 40 shown in FIG. Then, the wafer 66 is moved to the wafer transfer unit 44 by the transfer arm of the wafer transfer unit 40.

その後、ウェーハ自動移載装置10の可動アーム14を動かし、ウェーハ保持ハンド16がウェーハ受け渡し部44の直上にくるよう移動させる。その後、可動な爪18(図7)を開いた状態で、ウェーハ保持ハンド16をウェーハ66まで降下させ、爪18を閉じることによって、ウェーハ66を保持する。   Thereafter, the movable arm 14 of the automatic wafer transfer device 10 is moved, and the wafer holding hand 16 is moved so as to be directly above the wafer delivery unit 44. Thereafter, with the movable claw 18 (FIG. 7) opened, the wafer holding hand 16 is lowered to the wafer 66 and the claw 18 is closed to hold the wafer 66.

その後、可動アーム14を動かすことで、ウェーハ66を保持したウェーハ保持ハンド16を上昇および水平移動させ、ほぼ垂直となっている縦型装置70のサセプタ74表面の所定の座ぐり78(図5)正面まで移動させる。この時、位置センサ20(図7)を用いて、ウェーハ66が所定の座ぐり78の中心に確実に載置されるようにする。   Thereafter, by moving the movable arm 14, the wafer holding hand 16 holding the wafer 66 is raised and horizontally moved, and a predetermined counterbore 78 (FIG. 5) on the surface of the susceptor 74 of the vertical device 70 which is substantially vertical. Move to the front. At this time, the position sensor 20 (FIG. 7) is used to ensure that the wafer 66 is placed on the center of a predetermined spot facing 78.

例えば、CCDである位置センサ20により、サセプタ74上のパターン、例えば、位置合わせ専用に設けられた基準マークを画像認識させてウェーハ保持ハンド16位置を調整し、例えば、機械精度に頼るだけの方法よりも精度の高い位置合わせを行う。   For example, the position sensor 20, which is a CCD, recognizes a pattern on the susceptor 74, for example, a reference mark provided exclusively for alignment, and adjusts the position of the wafer holding hand 16. Align with higher accuracy.

そして、所定の座ぐり78正面まで移動させた後、可動アーム14を動作させることによって、ウェーハ保持ハンド16をサセプタ74面まで接近させる。この時、例えば、レーザ干渉計である距離センサ22(図7)で、距離をモニタすることでウェーハ保持ハンド16の水平位置を調整し、ウェーハ保持ハンド16やこれに保持されるウェーハ66がサセプタ74表面や座ぐり78に衝突しないように制御する。   Then, after moving to a predetermined counterbore 78 front, the movable arm 14 is operated to bring the wafer holding hand 16 closer to the susceptor 74 surface. At this time, for example, the horizontal position of the wafer holding hand 16 is adjusted by monitoring the distance by the distance sensor 22 (FIG. 7) which is a laser interferometer, and the wafer holding hand 16 and the wafer 66 held by the wafer holding hand 16 are moved to the susceptor. 74 Control is performed so as not to collide with the surface or the spot facing 78.

そして、ウェーハ保持ハンド16の可動な爪18を下方に開き、ウェーハ66を離脱させ、所定の座ぐり78にウェーハガイド26を用いてソフトランディングさせる。   Then, the movable claw 18 of the wafer holding hand 16 is opened downward, the wafer 66 is detached, and the predetermined spot facing 78 is soft-landed using the wafer guide 26.

図8はウェーハガイドの作用を説明する図である。図8(a)に示すように、ウェーハ保持ハンドに保持したウェーハ66を、可動アームを用いて、座ぐり78まで移動する。その後、ウェーハ保持ハンド16の可動な爪18(図7)を下方に動かすことで、ウェーハ66を矢印のように下方へ移動させる。   FIG. 8 illustrates the operation of the wafer guide. As shown in FIG. 8A, the wafer 66 held by the wafer holding hand is moved to the counterbore 78 using the movable arm. Thereafter, the movable claw 18 (FIG. 7) of the wafer holding hand 16 is moved downward to move the wafer 66 downward as indicated by an arrow.

これによって、図8(b)に示すように、ウェーハ66がウェーハガイド26上に載置される。   As a result, the wafer 66 is placed on the wafer guide 26 as shown in FIG.

この後、図8(c)に示すように、可動アームを矢印の方向に動かすことによってウェーハガイド26を引き出す。この時、ウェーハ66は、ウェーハガイド26上をスライドして、座ぐり78に載置される。   Thereafter, as shown in FIG. 8C, the wafer guide 26 is pulled out by moving the movable arm in the direction of the arrow. At this time, the wafer 66 slides on the wafer guide 26 and is placed on the spot facing 78.

従来、特に、サセプタ面が垂直に近いバレル型装置においては、自動ウェーハ移載装置を用いたウェーハ移載が困難であった。これは、ウェーハを、ウェーハを保持する爪から離脱する際に、ウェーハが下方に落下し、ウェーハの下部1箇所で座ぐりの下部側面に接触するため、ウェーハへの衝撃が大きくウェーハ損傷が生じやすいためである。   Conventionally, it has been difficult to transfer a wafer using an automatic wafer transfer device, particularly in a barrel type device having a susceptor surface that is nearly vertical. This is because when the wafer is detached from the nail holding the wafer, the wafer falls downward and contacts the lower side surface of the counterbore at one lower portion of the wafer, so that the impact on the wafer is large and the wafer is easily damaged. Because.

本実施の形態のウェーハ自動移載装置によれば、ウェーハが下方に落下する際の衝撃を緩和する。なぜなら、まず、ウェーハ保持状態で、既に近接しているウェーハガイド26上に落下するため、座ぐりの下部側面に落下する場合に比して、衝撃が小さくなるからである。このため、ウェーハ損傷が生じにくい。そして、テーパ形状をした表面を滑らせて、最終的に、座ぐりの下部側面とウェーハ下端が近接した状態で、座ぐりの下部側面にウェーハを載置するため、落下距離が小さくなるためソフトランディングが可能である。   According to the wafer automatic transfer apparatus of the present embodiment, the impact when the wafer falls downward is mitigated. This is because, since the wafer is first dropped onto the wafer guide 26 that is already close to the wafer holding state, the impact is reduced as compared with the case of dropping onto the lower side surface of the spot facing. For this reason, wafer damage is unlikely to occur. Then, by sliding the taper-shaped surface and finally placing the wafer on the lower side surface of the counterbore in the state where the lower side surface of the counterbore and the lower end of the wafer are close to each other, soft landing is performed because the fall distance is reduced. Is possible.

また、座ぐり部分とは異なり、ウェーハガイド部分は高温にさらされることはない。このため、上述のように、セラミックスや金属よりも熱的には不安定であるが弾性の高いポリイミド等の樹脂を適用することが可能である。したがって、一層、ウェーハ落下の衝撃を吸収することが可能となる。   Further, unlike the spot facing portion, the wafer guide portion is not exposed to high temperatures. For this reason, as described above, it is possible to apply a resin such as polyimide, which is more thermally unstable than ceramics or metal but has high elasticity. Therefore, it is possible to further absorb the impact of dropping the wafer.

なお、ウェーハ66のサセプタ74からのアンロードに関しては、上述のロードと逆の手順により行う。   The unloading of the wafer 66 from the susceptor 74 is performed in the reverse procedure of the above-described loading.

また、上述のウェーハのロードおよびアンロードは、ウェーハ自動移載装置10に接続されるコンピュータ(図示せず)によって制御される点は第1の実施の形態と同様である。   The wafer loading and unloading described above is the same as in the first embodiment in that it is controlled by a computer (not shown) connected to the automatic wafer transfer apparatus 10.

そして、本実施の形態のウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法によれば、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、同じくウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサにより、ウェーハ保持ハンドのサセプタに対する水平および上下位置を極めて精度よくモニタし、かつ、制御することが可能となる。したがって、ウェーハや自動移送装置のウェーハ保持ハンドが、サセプタ表面や座ぐりの端部と衝突することによるウェーハの欠けや発塵による汚染を回避することが可能となる。また、ウェーハが座ぐり中心からずれることによるウェーハ不良も回避することが可能となる点についても第1の実施の形態と同様である。   And according to the wafer automatic transfer apparatus and the wafer transfer method using the same according to the present embodiment, the position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring the relative position between the wafer holding hand and the susceptor, and the wafer The distance sensor fixed to the holding hand and measuring the distance between the wafer holding hand and the susceptor makes it possible to monitor and control the horizontal and vertical positions of the wafer holding hand with respect to the susceptor with extremely high accuracy. Therefore, it is possible to avoid contamination due to chipping or dust generation due to the wafer or the wafer holding hand of the automatic transfer device colliding with the susceptor surface or the counterbore edge. Further, it is also the same as in the first embodiment in that it is possible to avoid a wafer defect due to the wafer being displaced from the counterbore center.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。実施の形態の説明においては、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされるウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. In the description of the embodiment, the description of the parts that are not directly required for the description of the present invention is omitted in the automatic wafer transfer device and the wafer transfer method using the same, but the required automatic wafer transfer Elements related to the transfer apparatus and the wafer transfer method using the transfer apparatus can be appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all wafer automatic transfer apparatuses that include elements of the present invention and whose design can be changed as appropriate by those skilled in the art and wafer transfer methods using the same are included in the scope of the present invention.

第1の実施の形態のウェーハ保持ハンドの説明図。Explanatory drawing of the wafer holding hand of 1st Embodiment. 第1の実施の形態で用いる縦型装置の断面図。Sectional drawing of the vertical apparatus used in 1st Embodiment. 第1の実施の形態のウェーハ自動移載装置の説明図。Explanatory drawing of the wafer automatic transfer apparatus of 1st Embodiment. 第2の実施の形態で用いるバレル型装置の断面図。Sectional drawing of the barrel type apparatus used in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態で用いるバレル型装置のサセプタを示す斜視図。The perspective view which shows the susceptor of the barrel type apparatus used in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態のウェーハ自動移載装置の説明図。Explanatory drawing of the wafer automatic transfer apparatus of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態のウェーハ保持ハンドの説明図。Explanatory drawing of the wafer holding hand of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態のウェーハガイドの作用を説明する図。The figure explaining the effect | action of the wafer guide of 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 ウェーハ自動移載装置
14 可動アーム
16 ウェーハ保持ハンド
20 位置センサ
22 距離センサ
26 ウェーハガイド
64、74 サセプタ
66 ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer automatic transfer apparatus 14 Movable arm 16 Wafer holding hand 20 Position sensor 22 Distance sensor 26 Wafer guide 64, 74 Susceptor 66 Wafer

Claims (5)

エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置であって、
可動アームと
前記可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、
前記ウェーハ保持ハンドに固定され、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、
前記ウェーハ保持ハンドに固定され、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とするウェーハ自動移載装置。
An automatic wafer transfer device for loading or unloading a wafer on a susceptor of an epitaxial growth apparatus,
A movable arm, a wafer holding hand attached to the movable arm,
A position sensor fixed to the wafer holding hand and monitoring a relative position between the wafer holding hand and the susceptor;
An automatic wafer transfer apparatus comprising a distance sensor fixed to the wafer holding hand and measuring a distance between the wafer holding hand and the susceptor.
前記エピタキシャル成長装置がバレル型エピタキシャル成長装置であって、前記ウェーハ保持ハンドに、前記ウェーハの接する部分がテーパ形状を有する1対のウェーハガイドを備えることを特徴とする請求項1記載のウェーハ自動移載装置。   2. The wafer automatic transfer apparatus according to claim 1, wherein the epitaxial growth apparatus is a barrel type epitaxial growth apparatus, and the wafer holding hand is provided with a pair of wafer guides having a tapered shape at a portion in contact with the wafer. . 前記ウェーハガイドの前記ウェーハに接する部分がポリイミドであることを特徴とする請求項2記載のウェーハ自動移載装置。   3. The wafer automatic transfer device according to claim 2, wherein a portion of the wafer guide that contacts the wafer is polyimide. 請求項1記載のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法であって、
前記ウェーハを前記ウェーハ保持ハンドに保持するステップと、
前記位置センサと、前記サセプタ上のパターンを用いて、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに対して所望の位置に移動するステップと、
前記距離センサを用いて、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測しながら、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに接近させるステップと、
前記サセプタに設けられた座ぐりに、前記ウェーハを載置するステップを有することを特徴とするウェーハ移載方法。
A wafer transfer method using the wafer automatic transfer device according to claim 1,
Holding the wafer in the wafer holding hand;
Using the position sensor and a pattern on the susceptor to move the wafer holding hand to a desired position relative to the susceptor;
Using the distance sensor to measure the distance between the wafer holding hand and the susceptor while bringing the wafer holding hand closer to the susceptor;
A wafer transfer method comprising a step of placing the wafer on a spot facing provided on the susceptor.
請求項2記載のウェーハ自動移載装置を用いたウェーハ移載方法であって、
前記ウェーハを前記ウェーハ保持ハンドに保持するステップと、
前記位置センサと、前記サセプタ上のパターンを用いて、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに対して所望の位置に移動するステップと、
前記距離センサを用いて、前記ウェーハ保持ハンドと前記サセプタ間の距離を計測しながら、前記ウェーハ保持ハンドを前記サセプタに接近させるステップと、
前記サセプタに設けられた座ぐりに、前記ウェーハを、前記ウェーハガイド上をスライドさせて載置するステップを有することを特徴とするウェーハ移載方法。


A wafer transfer method using the wafer automatic transfer device according to claim 2,
Holding the wafer in the wafer holding hand;
Using the position sensor and a pattern on the susceptor to move the wafer holding hand to a desired position relative to the susceptor;
Using the distance sensor to measure the distance between the wafer holding hand and the susceptor while bringing the wafer holding hand closer to the susceptor;
A wafer transfer method comprising the step of: sliding the wafer on a wafer guide on a spot facing provided on the susceptor.


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