JP2009120477A

JP2009120477A - ガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板

Info

Publication number: JP2009120477A
Application number: JP2008292668A
Authority: JP
Inventors: Ho Sung Choo; ソンチュー、ホ; Jong Myeon Lee; ミョンリー、ジョン; Eun Tae Park; テパク、ウン; Myung Whun Chang; フンチャン、ミュン; Soo Hyun Lyoo; ヒョンリョー、ソー; Beom Joon Cho; ジュンチョ、ボム
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2007-11-16
Filing date: 2008-11-14
Publication date: 2009-06-04
Also published as: US8093172B2; KR100916071B1; KR20090050661A; US20090135542A1

Abstract

【課題】高誘電率を示しながら低温焼結が可能なガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提案される。
【解決手段】提案されたガラス組成物は、組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０である。
【選択図】図１

Description

本発明はガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関するもので、より詳しくは、高誘電率を示しながら低温焼結が可能なガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板に関する。

最近、各種の電子製品の小型化及び高周波数化の傾向により、表面実装素子（ｓｕｒｆａｃｅｍｏｕnｔｄｅｖｉｃｅ）チップ形態の素子を基板表面に実装するのではなく回路パターンが印刷された基板内部に内蔵（ｅｍｂｅｄｄｉｎｇ）させ全体製品の体積を減らすと同時に基板の集積度を高める技術が注目を浴びている。

このように、基板上に部品として存在したチップ形態の素子を層（ｌａｙｅｒ）形態（例えば、キャパシタ）に製造して基板内に内蔵させるとチップによる体積の増加を抑制することができる。また、キャパシタの場合にはチップ形態のキャパシタより層形態のキャパシタが高周波特性（寄生インダクタンスが少ない）に優れる面がある。従って、多様な方法でチップを基板内に内蔵させようとする試みが行われている。

印刷回路基板は誘電層素材の種類によって大きく２つに分けられる。高分子有機素材を誘電層として使用するＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）は広く使用されている。ＰＣＢにおいて回路パターンを形成する方法はメッキ法が使用される。これに反してセラミック素材を使用する基板は回路パターンを形成する方法が主にスクリーンプリンティングであり、誘電層と電極を同時に焼結して製造される。通常、焼結工程は８００℃以上で行われる。

２つの基板は材料と工程の面では非常に異なるが、実際の製品は多層に積層された積層体の間に回路パターンが形成されている構造がほぼ類似するため、その応用範囲は相互重なる場合が多い。しかし、言及したように、材料及び工程の技術内容が全く異なるため一つの技術を利用して２種類の基板に同時に適用できる技術は多くない。

このうち、セラミック基板にキャパシタを内蔵しようとする場合には、セラミックとガラスを含むセラミックグリーンシートの間にキャパシタ用誘電体層を形成し、それぞれ内部電極を形成して同時焼結する。キャパシタは誘電率特性が重要であるが、高誘電率及び環境的な要因のため従来に使用していたＰｂの代わりにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）を誘電体層に使用される組成物の主成分として使用することができる。しかし、ＢａＴｉＯ_３の場合、低温焼成を誘導する焼結調剤を使用しない場合１４００℃以上で焼結が可能で、焼結調剤を利用するとしても１０００℃以下では焼結が困難である。

キャパシタを内蔵するセラミック基板の場合には誘電率と焼結可能温度が重要である。セラミック基板の場合、セラミックシート内に電気伝導性が良いＡｇまたはＣｕのような金属を印刷して電極を形成し、これを焼結して回路パターンが形成された基板を完成する。従って、セラミック基板の焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低くなければならない。しかし、キャパシタを内蔵する場合、内蔵されたキャパシタも共に焼結されなければならないため、その焼成温度は少なくともＡｇ、Ｃｕの融点より低いべきであるが、前述したように低い温度で焼結するとキャパシタの誘電体は焼結が未完成し、誘電率が低くなり得るという問題点がある。

従って、低温焼成後にも高誘電率を示すことができる積層セラミックキャパシタを内蔵する低温同時焼成セラミック基板を製造することができる技術の開発が求められる。

本発明は上述の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、高誘電率を示しながら低温焼結が可能なガラス組成物、これを含む誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を提供することにある。

前述の技術的課題を達成すべく、本発明の一実施形態によるガラス組成物は、組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０である。

ここで、ａは４０≦ａ≦６０であることが好ましく、ｂは２０≦ｂ≦３０であることが好ましく、ｃは５≦ｃ≦１５であることが好ましい。

本発明の他の実施形態によると、主成分のＢａＴｉＯ_３と、組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であることを特徴とするガラス組成物を含有する副成分とを含む誘電体組成物が提供される。

誘電体組成物の焼結温度は６００℃乃至９００℃であることが好ましく、その誘電率は２００乃至３００であることができる。

誘電体組成物において主成分及び副成分の体積比は全体誘電体組成物の体積を基準として、３０ｖｏｌ％／７０ｖｏｌ％乃至５０ｖｏｌ％／５０ｖｏｌ％である。

主成分のＢａＴｉＯ_３の平均粒径は０.１μｍ乃至１μｍであることが好ましいが、より好ましくはＢａＴｉＯ_３の平均粒径は０.２μｍ乃至０.５μｍである。

本発明の他の実施形態によると、セラミックシート内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、誘電体層の間に形成されセラミックシート内部電極と電気的に連結された複数のキャパシタ内部電極を含み、誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３及び組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であるガラス組成物を含むことを特徴とする誘電体組成物を含むことを特徴とする積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。

セラミックシート内部電極は、ＡｇまたはＣｕのいずれか一つの金属を含むことが好ましい。

積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板は、焼成温度が６００℃乃至９００℃であることが好ましい。

本発明によるガラス組成物を含む誘電体組成物を使用すると、高い誘電率を示しながら比較的低温で焼結が可能である。この誘電体組成物を積層セラミックキャパシタの誘電体層に使用すると、低温同時焼成セラミック基板に内蔵させることができる。

従って、高誘電率を有する積層セラミックキャパシタを低温同時焼成セラミック基板に内蔵できると共に、低温同時焼成セラミック基板に電気伝導性が高いＡｇまたはＣｕ電極を使用することができるため、高誘電率積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板の製品信頼性及び性能が向上する効果がある。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるのではない。本発明の実施形態は当業界において通常の知識を有している者に本発明をより完全に説明すべく提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のため誇張されることがある。

本発明の一実施形態によるガラス組成物は、組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦8９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０である。

ビスマス酸化物（Ｂｉ_２Ｏ_３）においてビスマス（Ｂｉ）の含量は、ガラス組成物の全体モル数を１００としたとき４０乃至９９モルである。即ち、Ｂｉは他の成分より含量が高いためその特性がガラス組成物の全体特性の及ぼす影響は大きい。Ｂｉはガラス組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）を減少させ、誘電率を高めるのに寄与する。

また、Ｂｉは焼結により緻密化が成された後、強誘電体材料のＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５組成の結晶質形成に寄与する。従って、Ｂｉは前述のようにガラス組成物に高い含量で含まれることが好ましい。しかし、過量に添加される場合、Ｂｉが組成物内で酸化物の形態ではなく金属として存在する可能性がある。Ｂｉが金属として存在する場合、誘電体特性に悪影響を及ぼすことがある。従って、より好ましいＢｉの含量はガラス組成物の全体モル数を１００としたとき４０乃至６０モルである。

ホウ素酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）はガラス組成物を製造するため必ず必要な成分であって、ネットワーク形成成分（ｎｅｔｗｏｒｋｆｏｒｍｅｒ）として使用される。ホウ素（Ｂ）はＴｇ減少に寄与する。Ｂの含量はガラス組成物の全体モル数を１００としたとき１０乃至５０モルで、より好ましくは２０乃至３０モルである。

二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）はＢのようにガラス組成物を製造するために必ず必要な成分であって、ネットワーク形成成分（ｎｅｔｗｏｒｋｆｏｒｍｅｒ）として使用される。ケイ素（Ｓｉ）はＴｇ増加に寄与する。Ｓｉ含量が増加する場合、ガラスの強度と温度安定性が増加する傾向がある。Ｓｉの含量はガラス組成物の全体モル数を１００としたとき１乃至２０モルで、より好ましくは５乃至１５モルである。

Ｂ及びＳｉはガラス製造のために必ず必要な成分であるが、ＢとＳｉがＴｇに及ぼす影響は相互異なる。ＢはＴｇの減少に寄与するが、ＳｉはＴｇの増加に寄与する。但し、Ｓｉ含量が増加する場合、ガラス強度と温度安定性が増加する傾向があるため、Ｓｉに比べてＢの含量を高めるのがより好ましい。

バリウム酸化物（ＢａＯ）はガラス組成物の製造時に中間元素として分類される。Ｂａはガラス組成物のＴｇを調整し、ガラス組成物のその他の特性を調節する。Ｂａは以下で説明する誘電体組成物の主成分のＢａＴｉＯ_３に含まれたＢａと同じ金属元素で、誘電体組成物におけるＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５結晶相の形成に寄与する。Ｂａの含量はガラス組成物の全体モル数を１００としたとき０乃至１０モルである。

チタン酸化物（ＴｉＯ_２）はガラス組成物の製造時に中間元素に分類される。Ｔｉはガラス組成物のＴｇを調整し、ガラス組成物のその他の特性を調節する。Ｔｉは以下で説明する誘電体組成物の主成分のＢａＴｉＯ_３に含まれたＴｉと同じ金属元素で、誘電体組成物におけるＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５結晶相の形成に寄与する。Ｔｉの含量はガラス組成物の全体モル数を１００としたとき０乃至１０モルである。

ガラス組成物は公知のガラス製造工程に従って製造することができる。ガラス組成物を製造するため原料粉末を前述の含量範囲内で秤量し、原料粉末を乾式混合する。原料粉末混合物質を溶融し、溶融液は急冷させる。急冷させた原料粉末混合溶融液は１次に乾式粉砕し、２次に湿式粉砕してガラス組成物を製造する。

本発明の他の実施形態によると、主成分のＢａＴｉＯ_３と、組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であることを特徴とするガラス組成物を含有する副成分とを含む誘電体組成物が提供される。ガラス組成物は前述したのと同一であるためその説明は省略する。

本発明の実施例による誘電体組成物の誘電率のためにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）をセラミック充填材（ｆｉｌｌｅｒ）として使用することができる。前述のように、所望の水準の誘電率を示すために充填材としてＰｂを使用した。しかし、Ｐｂの環境に対する環境的な要因のため、従来に使用していたＰｂの代わりにチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）を誘電体層に使用される組成物の主成分であるセラミック充填材として使用する。但し、ＢａＴｉＯ_３の場合、低温焼成を誘導する焼結調剤を使用しない場合、１４００℃以上で焼結が可能で、焼結調剤を利用するとしても１０００℃以下では焼結が難しいため、本発明の一実施例によるガラス組成物を使用して共に誘電体組成物を形成する。

誘電体組成物において充填材の含量増加は誘電率を高めることのできる一つの方法となる。しかし、充填材が高い含量で含まれると低温焼結が難しいという問題点がある。従って、ガラス組成物とセラミック充填材は誘電体組成物の全体体積を基準として３０ｖｏｌ％／７０ｖｏｌ％〜５０／５０ｖｏｌ％が適当である。

充填剤の粒径は誘電率及び低温焼結性に影響を及ぼす。主成分のＢａＴｉＯ_３の平均粒径は０.１μｍ乃至１μｍであることが好ましいが、より好ましくはＢａＴｉＯ_３の平均粒径は０.２μｍ乃至０.５μｍである。

主成分のセラミック充填材としてＢａＴｉＯ_３及び本発明によるガラス組成物を含む誘電体組成物はＢａＴｉＯ_３を主成分として使用したにも拘らず、その焼結温度は６００℃乃至９００℃である。この温度でも本発明による誘電体組成物は焼結が可能で、焼結によりその誘電率は２００乃至３００程度の比較的高誘電率を示す。

本発明による誘電体組成物を製造するため、先ず、本発明によるガラス組成物粉末及びＢａＴｉＯ_３を所定の含量に秤量し、適切な添加剤及び溶媒を用いてスラリーに製造して使用することができる。誘電体スラリーは誘電体シートとしてその形態が形成されて積層される。このような誘電体組成物は以下に説明する低温同時焼成セラミック基板内に積層セラミックキャパシタとして内蔵される。

本発明の他の実施形態によると、セラミックシート内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、複数の誘電体層、誘電体層の間に形成され回路パターンと電気的に連結された複数のキャパシタ内部電極を含み、誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３及び組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であるガラス組成物を含むことを特徴とする誘電体組成物を含むことを特徴とする積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板が提供される。

図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）内蔵型低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板１００の断面図である。以下、図１を参照して説明するが、ガラス組成物及び誘電体組成物は前述の説明と同一であるためその説明は省略する。

本発明のＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、セラミックシート内部電極１２１、１２２が印刷された複数のセラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４が積層されたセラミック積層体１１０の内部に、積層セラミックキャパシタ１３０を内蔵している。

セラミックシート内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４の間の電気的な連結、セラミックグリーンシート及び積層セラミックキャパシタ１３０の電気的な連結と共に、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００と外部電源を連結するための電極である。但し、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００はセラミックシート内部電極のうち外部表面に露出した領域１２１に外部電極（未図示）を形成して外部電源と連結されることができる。

図１を参照すると、セラミックシート内部電極１２１、１２２はビア形態の電極１２１及びパッド形態の電極１２２を含む。また、ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は積層セラミックキャパシタ１３０のキャパシタ内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５をパッド形態のセラミックシート内部電極１２２と連結するためのキャパシタ外部連結電極１５１、１５２を含む。

このようなセラミックシート内部電極１２１、１２２及びキャパシタ外部連結電極１５１、１５２は、ＡｇまたはＣｕのいずれか一つの金属を含むことが好ましい。ＡｇまたはＣｕは金属中、電気伝導性の面で最も優れた性能を表す金属であって、本発明による低温焼成セラミック基板のように６００℃乃至９００℃で焼結される場合、優れた電気伝導性を示しながらも低温焼成時に不利な影響を受けないため好ましい金属電極として使用されることができる。

セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４はセラミック充填材及びガラス成分を含む。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４に使用されうるセラミック充填材は低温焼成を考えて低温で焼結できる充填材であることが好ましいが、そうでない場合にもガラス成分の焼結による粘性の流動により緻密化が可能である。セラミック充填材としてはアルミナまたはチタニアを使用することができ、ガラスはＢ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、及びＣａＯを含むガラスを使用することができる。

セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４は溶媒にセラミック充填材、ガラス及びこれを結合させるための結合剤を混合してシート形態に成形する。セラミックグリーンシート１１１、１１２、１１３、１１４にはこのような成分の他にも物性の向上のための分散剤などの添加剤が添加されることができる。

積層セラミックキャパシタ１３０は、複数の誘電体層１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６と各誘電体層１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６の間に形成されセラミックシート内部電極１２１、１２２パターンと電気的に連結された複数のキャパシタ内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５を含む。

誘電体層１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６は、主成分としてＢａＴｉＯ_３及び副成分として組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であるガラス組成物を含む。それによって、主成分であるＢａＴｉＯ_３の高温焼結性を抑制して低温焼結を可能にしながらも高誘電率を示すＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００を得ることができる。本発明によるＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板１００は、通常の低温同時焼成セラミック基板のように焼成温度が６００℃乃至９００℃であることができる。

キャパシタ内部電極１４１、１４２、１４３、１４４、１４５は、電気伝導性の高い金属を含むことができるが、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、またはＮｉのいずれか一つの金属を含むことができる。

以下、実施例を通して本発明をより詳しく説明する。しかし、本発明がこれらの実施例により限定されるのではない。本発明の実施例では本発明の実施形態に従って積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板を製造して誘電率及び誘電損失を測定した。

先ず、ガラス組成物は以下の表１のような含量を有するよう製造した。

表１の原料粉末を含量範囲内で秤量し、原料粉末を乾式混合する。原料粉末混合物質を溶融し、溶融液は急冷させる。急冷させた原料粉末混合溶融液は１次に乾式粉砕し、２次に湿式粉砕してガラス組成物を製造した。これに、ガラス組成物とＢａＴｉＯ_３の比率を４０ｖｏｌ％／６０ｖｏｌ％に秤量し、溶媒に混合してスラリーに製造しシート形態にキャスティングして成形した。

実施例１乃至３に従って製造されたガラス組成物を含む誘電体層をセラミックグリーンシートと共に内部に電極を印刷し積層して８００℃乃至９００℃で焼結した。図２ａ乃至図４ｂは実施例１乃至３で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図及びその拡大図である。製造された内蔵型キャパシタの誘電率及び誘電損失を測定した。その結果は表２に表した。

表２を参照すると、実施例１乃至３に従って製造されたガラス組成物を利用してセラミックキャパシタに誘電体組成物が使用されたが、誘電率のための主成分としてＢａＴｉＯ_３と共に低温で焼成工程を行ったにも拘らず、高誘電率を表し誘電損失も低い値を表した。従って、本発明による積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板は優れたキャパシタ性能を示すのが確認できた。

本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されるのではなく、添付の請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有している者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属する。

本発明の一実施形態によるＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図である。実施例１で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図である。実施例１で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図の拡大図である。実施例２で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図である。実施例２で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図の拡大図である。実施例３で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図である。実施例３で製造されたＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板の断面図の拡大図である。

符号の説明

１００ＭＬＣＣ内蔵型ＬＴＣＣ基板
１１０セラミック積層体
１１１、１１２、１１３、１１４セラミックグリーンシート
１２１、１２２内部電極
１３０積層セラミックキャパシタ
１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６誘電体層
１４１、１４２、１４３、１４４、１４５キャパシタ内部電極
１５１、１５２キャパシタ外部連結電極

Claims

組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であることを特徴とするガラス組成物。
前記ａは、４０≦ａ≦６０であることを特徴とする請求項１に記載のガラス組成物。
前記ｂは、２０≦ｂ≦３０であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガラス組成物。
前記ｃは、５≦ｃ≦１５であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のガラス組成物。
主成分のＢａＴｉＯ_３と、
組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であることを特徴とするガラス組成物を含有する副成分とを含むことを特徴とする誘電体組成物。
焼結温度が６００℃乃至９００℃であることを特徴とする請求項５に記載の誘電体組成物。
誘電率が２００乃至３００であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の誘電体組成物。
前記主成分及び副成分の体積比は、全体誘電体組成物の体積を基準として、３０ｖｏｌ％／７０ｖｏｌ％乃至５０ｖｏｌ％／５０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項５から請求項７の何れかに記載の誘電体組成物。
前記ＢａＴｉＯ_３の平均粒径は、０.１μｍ乃至１μｍであることを特徴とする請求項５から請求項８の何れかに記載の誘電体組成物。
前記ＢａＴｉＯ_３の平均粒径は、０.２μｍ乃至０.５μｍであることを特徴とする請求項５から請求項９の何れかに記載の誘電体組成物。
セラミックシート内部電極が印刷された複数のセラミックグリーンシートが積層されたセラミック積層体の内部に、
複数の誘電体層、前記誘電体層の間に形成され前記セラミックシート内部電極と電気的に連結された複数のキャパシタ内部電極を含み、
前記誘電体層は、ＢａＴｉＯ_３及び組成式ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＢ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＢａＯ−ｅＴｉＯ_２を有し、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、４０≦ａ≦８９、１０≦ｂ≦５０、１≦ｃ≦２０、０≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０であるガラス組成物を含むことを特徴とする誘電体組成物を含むことを特徴とする積層セラミックキャパシタを内蔵することを特徴とする積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
前記セラミックシート内部電極は、ＡｇまたはＣｕのいずれか一つの金属を含むことを特徴とする請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。
焼成温度は、６００℃乃至９００℃であることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタ内蔵型低温同時焼成セラミック基板。