JP2009096886A - 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009096886A JP2009096886A JP2007270073A JP2007270073A JP2009096886A JP 2009096886 A JP2009096886 A JP 2009096886A JP 2007270073 A JP2007270073 A JP 2007270073A JP 2007270073 A JP2007270073 A JP 2007270073A JP 2009096886 A JP2009096886 A JP 2009096886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- reflow
- sealing resin
- liquid sealing
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 24
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 23
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 claims description 12
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- -1 carboxylic acid compound Chemical class 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole silane Chemical compound [SiH4].N1C=NC=C1 ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFYNHXMPPRNECN-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.C1CCCCN2CCCN=C21 MFYNHXMPPRNECN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCOCC1CO1 YSUQLAYJZDEMOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCUKMYFJDGKQFC-UHFFFAOYSA-N 2-(octan-3-yloxymethyl)oxirane Chemical compound CCCCCC(CC)OCC1CO1 YCUKMYFJDGKQFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJEORQYOUWYAMR-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-butylphenoxy)methyl]oxirane Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1OCC1OC1 HJEORQYOUWYAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEFYJVFBMNOLBK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxy]ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCCOCC1CO1 SEFYJVFBMNOLBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJAVYPBHLPJLSN-UHFFFAOYSA-N 3-dimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[SiH](OC)CCCN VJAVYPBHLPJLSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylpentane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(N)CCN KHLRJDNGHBXOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAOABCKPVCUNKO-UHFFFAOYSA-N 8-methyl Nonanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCCCC(O)=O OAOABCKPVCUNKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N Styrene oxide Chemical compound C1OC1C1=CC=CC=C1 AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYLBNUUMURMPO-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCC[Si](OC)(OC)OC YGYLBNUUMURMPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Chemical group CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/818 - H01L2224/81904
- H01L2224/81907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】 リフロー加熱によりフリップチップパッケージの端子接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、リフロー加熱が半田の融点よりも低い温度のリフロー予備加熱温度と半田の融点よりも高い温度のリフロー本加熱温度を有し、前記液状封止樹脂組成物の粘弾性測定における粘度が、リフロー予備加熱時の温度範囲で1Pa・s以下で、リフロー本加熱時のピーク温度でのゲルタイムが30s以下である液状封止樹脂組成物。
【選択図】 図3
Description
このようなフリップチップパッケージは通常チップと基板とのすき間に毛細管現象を利用して液状封止樹脂組成物を用いて封止する方式が採用されている。しかし、この方式では、ICチップや基板の半田酸化膜を除去するためにフラックス材を塗布する工程、パッケージを組み立てる工程、フラックス残渣を洗浄する工程、液状封止樹脂組成物を塗布する工程、樹脂を硬化させる工程とが必要であり、プロセス工程が非常に長いという問題がある。また、FC−BGAは、多ピン化、狭ピッチ化、狭ギャップ化する傾向にあり、液状封止樹脂組成物の注入が技術的に困難になってきている。その問題を解決するため、樹脂材料自体にフラックス機能を持たせ、フリップチップ及び基板の端子接合と樹脂封止を同時に行うことを目的に先塗布型の液状封止樹脂組成物が提案されている(特許文献1参照)。この液状封止樹脂組成物は、一般的に液状エポキシ樹脂、硬化剤、フラックス成分、場合によっては高信頼性を確保するためにフィラが添加されるが、材料自体がフラックス作用を有していればよいので、硬化剤や主剤自体にフラックス作用を及ぼすような官能基を付けることも考えられる。また、半田で形成されている端子を接合させかつ樹脂の硬化を一括で行わなければならない。この場合、樹脂には、半田の酸化皮膜を除去する機能が必要なため一般的には樹脂に酸性度の強いカルボン酸系化合物が添加される。しかし、カルボン酸系化合物は樹脂のイオン性不純物や電気伝導度を悪化させるため絶縁不良を招いたり、また信頼性試験のPCTやHAST処理による吸湿の際に接着力を低下させるため耐湿信頼性を悪化させる恐れがあった。そこで酸性度の高い添加剤を含有せずに、フラックス機能を有する硬化促進剤として強塩基化合物及び/又はその塩を用いるとはんだ酸化皮膜の除去が可能であること、吸湿処理による信頼性を低下しないこと等が見出された(特許文献2参照)。しかし、この場合、フィラが40重量%以上添加されているためリフロー炉で加熱してチップの自重のみで端子接合を行おうとすると、フィラを排除することができず、端子間に噛み込みが生じ、端子接合を行なうことは困難であった。また、フラックス成分の添加量が多い場合、加熱時の液状封止樹脂組成物の粘度の増加により半田が溶融する前に硬化が完了してしまい、端子間の接合を行なうことができなかった。
また、本発明は、[2]液状封止樹脂組成物が、(A)二官能以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)フラックス作用を有する硬化促進剤を含有する無溶剤型液状エポキシ樹脂組成物であって、(B)硬化剤が芳香族アミンであり、(A)エポキシ樹脂と(C)フラックス作用を有する硬化促進剤との合計量における(C)フラックス作用を有する硬化促進剤の重量比率が0.04〜0.07であることを特徴とする上記[1]に記載の液状封止樹脂組成物に関する。ここで、(C)フラックス作用を有する硬化促進剤が、DBUの塩を含有すると特に好ましい。
また、本発明は、[3]無機基板または有機基板の回路形成面の半導体素子を搭載する位置に上記[1]または上記[2]に記載の液状封止樹脂組成物を塗布した後、前記半導体素子の電極と前記基板の回路を、バンプを介して接合すると同時に前記液状封止樹脂組成物の硬化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
本発明は、リフロー加熱によりフリップチップパッケージの端子接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、リフロー加熱が半田の融点よりも低い温度のリフロー予備加熱温度と半田の融点よりも高い温度のリフロー本加熱温度を有し、前記液状封止樹脂組成物の粘弾性測定における粘度が、リフロー予備加熱時の温度範囲で1Pa・s以下で、リフロー本加熱時のピーク温度でのゲルタイムが30s以下であることを特徴とする液状封止樹脂組成物である。
本発明で用いる粘弾性測定とは、被測定物をパラレルプレートで挟み込み、ある外力をかけながらその粘弾性や粘度を測定するものであり、被測定物の粘度挙動や弾性率における温度依存性やその他の外力に対する依存性を測定するのに適している。ここでは、そのパラレルプレートなどの回転運動距離を歪み、角速度を振動数と呼ぶ。
本発明による液状封止樹脂組成物は、温度一定での粘弾性測定における粘度挙動が、リフローの予備加熱温度及び時間が、150〜180℃、120s以内で1Pa・s以下であり、より好ましくは、0.1〜1Pa・sの範囲であり、且つ、リフローの本加熱温度が260℃以上で、その温度でのゲルタイムが30s(秒)以下である。本発明は、脱鉛半田端子を対象としたフリップチップパッケージの端子接合と封止をリフロー加熱により同時に行うことを目的としており、粘度がリフロー予備加熱150〜180℃、120s以内において1Pa・sを超えると、樹脂全体の粘度自体が高くなり、半田バンプの接合時に半田が濡れ拡がることを抑制してしまうため、その接合率の低下を招く可能性があり、また0.1Pa・s未満では、粘度が低すぎるためリフロー炉の僅かな振動によりチップずれを生じる可能性があるため好ましくない。また、リフロー予備加熱150〜180℃から、本加熱温度260℃に昇温する間に半田バンプが溶融し、その後30s以内に液状封止樹脂組成物が硬化しなければならず、それ以上の時間を要すると樹脂が未硬化状態になってしまう。
本発明における液状封止樹脂組成物の動的粘弾性測定において、その時の測定条件は、歪み値100〜200%、振動数1rad/secである。
本発明に用いる(A)液状エポキシ樹脂は、特に制限はなく、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ナフタレンジオール、水添ビスフェノールA等とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類とを縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂などを用いることができる。
特に、本発明では、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種を用いることが望ましく、これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、発明の目的を損なわない範囲であれば固形のエポキシ樹脂を併用しても良い。さらには粘度調整のためエポキシ基を有する反応性希釈剤を混合しても良い。エポキシ基を有する反応性希釈剤としては例えばn−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエーテル、スチレンオキサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルがあり、これらの内の1種類あるいは複数種と併用しても良い。これらのエポキシ樹脂は、十分に精製されたもので、イオン性不純物が少ないものが好ましい。例えば、遊離Naイオン、遊離Clイオンは500ppm以下であることが好ましい。
ここで、芳香族アミンの当量はエポキシ基1個に対しアミノ基の活性水素1個が反応するものとして計算される。
これらDBUの塩の配合量は、(A)エポキシ樹脂と(C)硬化促進剤の合計量に対する、(C)フラックス作用を有する硬化促進剤の配合比率がエポキシ樹脂1に対しての重量比率で0.02〜0.1までの範囲が好ましく、より好ましくは0.04〜0.07の範囲である。硬化促進剤の配合量が下限値を下回ると硬化性や半田の酸化皮膜除去性が悪化し、逆に上限値を超えると組成物の常温(15〜25℃)での粘度が上昇するためボイドや接合性が悪化し、またTg(ガラス転移温度)が低下するため好ましくない。
可撓化剤としてはシリコン、アクリル及びポリオレフィン系エラストマーあるいはその粉末、着色剤としてはカーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラなどを用いることができる。
図1に、本発明の液状エポキシ樹脂組成物により製造される本発明の半導体素子を基板と電気的に接続し、固定した半導体装置の一例の縦断面図を示す。図1に示すように、配線回路基板3の片面すなわち回路形成面に半導体素子の複数の接続用電極部(バンプ)4を介して半導体素子1が搭載された構造をとる。
配線回路基板3と半導体素子1との間に本発明の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物である封止樹脂層8が形成されている。
なお、上記配線回路基板3の回路と半導体素子1の電極とを電気的に接続する上記複数の接続用電極部4は、予め配線回路基板3面に配設されてもよいし、半導体素子1面に配設されていてもよい。
さらには、予め配線回路基板3面及び半導体素子1面の双方にそれぞれ配設されてもよい。
配線回路基板3の材質としては、有機質と無機質のいずれでもよく、特に制限するものではないが、大別して、セラミック基板、プラスチック基板があり、前記プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
複数の接続用電極部4の材質としては、脱鉛の半田バンプが好ましく、例えば錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ等が挙げられ、また、回路配線基板3上の電極部が上記の材質からなるものに対しては、図中の接続用電極部4は金バンプ、銅バンプ等であっても良い。
例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体、ガリウム−ヒ素、インジウム−リン等の化合物半導体等の各種半導体が使用される。
図2は、半導体装置(電子部品装置)の製造工程の一例を示す概略断面図である。
図2(a)に示すように配線回路基板3上に、本発明の液状封止樹脂組成物5をディスペンサー7により塗布する。
ついで、図2(b)に示すように、上記(a)の基板の液状封止樹脂組成物5の上の所定位置に、基板の回路と電気的接合させるための複数の半田バンプ製接続用電極部(ジョイントボール)4が設けられた半導体素子1をチップ搭載ツール6を用いて接続用電極部4が溶融しない温度で仮搭載し、かつ、半導体素子1と配線回路基板3との間の空隙内に溶融状態の液状エポキシ樹脂組成物5を充填させる。
なお、上記半導体装置の製造方法では、複数の接続用電極部4が設けられた半導体素子1を用いた場合について述べたが、これに制限するものではなく、例えば予め配線回路基板3に複数の接続用電極部4が配設されたものを用いてもよい。
配線回路基板3上に、液状封止樹脂組成物5を塗布する方法は、ディスペンス法の他、印刷法、転写法などが挙げられる。
また、液状封止樹脂組成物5の厚み及び重量は、上記同様、搭載される半導体素子1の大きさ及び半導体素子に設けられた球状の接続用電極の大きさ、すなわち、半導体素子1と配線回路基板3との空隙を充填し、封止することにより形成される封止樹脂層8の占める容積により、適宜に設定される。
また、上記半導体装置の製造方法において、上記(b)の仮実装時には、必ずしも液状封止樹脂組成物8を加熱しなくてもよい。
また、上記半導体装置の製造方法において、上記(c)のリフロー炉での加熱時には、本発明の液状封止樹脂組成物は、例えば、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)規格J−STD−020CのPbフリーはんだ対応に基づき作製したリフロープロファイル(予備加熱:150〜180℃の温度範囲、加熱時間120s、本加熱:ピーク温度が260℃、加熱時間60s)で用いる場合には、液状封止樹脂組成物の粘弾性測定における粘度挙動が、150〜180℃、120s以内で1Pa・s以下であることが好ましく、また、260℃以上でのゲルタイムが30s以下であることが好ましい。
また、パッケージレベルでフリップチップ実装を行うFC−BGA(Flip chip Ball Grid Array)、EBGA(Enhanced BGA)、ABGA(Advanced BGA)、Stacked−BGA、SIP(System in Package)などのベアチップと基板の隙間を充填する封止材として用いるのが好ましい。
なお、BGA、CSP(Chip Size/Scale Package)、WL−CSP(Wafer Level CSP)などの最新のパッケージは、端子がエリアアレイ構造になっており、基板への実装形態はフリップチップ実装と同じである。特に携帯電話のようなモバイル型の電子機器においては接合部の耐衝撃性が厳しく要求されており、接続信頼性を確保するためパッケージと基板の隙間を補強用の樹脂組成物で封止することがある。本発明の液状封止樹脂組成物はこのような用途にも用いることができる。
また、プリント回路板にも本発明の液状封止樹脂組成物は有効に使用できる。
2 電極
3 配線回路基板
4 接続用電極部
5 液状封止樹脂組成物(液状エポキシ樹脂組成物)
6 チップ搭載ツール
7 ディスペンサー
8 封止樹脂層
Claims (3)
- リフロー加熱によりフリップチップパッケージの端子接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、リフロー加熱が半田の融点よりも低い温度のリフロー予備加熱温度と半田の融点よりも高い温度のリフロー本加熱温度を有し、前記液状封止樹脂組成物の粘弾性測定における粘度が、リフロー予備加熱時の温度範囲で1Pa・s以下で、リフロー本加熱時のピーク温度でのゲルタイムが30s以下であることを特徴とする液状封止樹脂組成物。
- 液状封止樹脂組成物が、(A)二官能以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)フラックス作用を有する硬化促進剤を含有する無溶剤型液状エポキシ樹脂組成物であって、(B)硬化剤が芳香族アミンであり、(A)エポキシ樹脂と(C)フラックス作用を有する硬化促進剤との合計量における(C)フラックス作用を有する硬化促進剤の重量比率が0.04〜0.07であることを特徴とする請求項1に記載の液状封止樹脂組成物。
- 無機基板または有機基板の回路形成面の半導体素子を搭載する位置に請求項1または請求項2に記載の液状封止樹脂組成物を塗布した後、前記半導体素子の電極と前記基板の回路を、バンプを介して接合すると同時に前記液状封止樹脂組成物の硬化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007270073A JP5387874B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007270073A JP5387874B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009096886A true JP2009096886A (ja) | 2009-05-07 |
JP5387874B2 JP5387874B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=40700198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007270073A Active JP5387874B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5387874B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011048774A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法、電子装置および電子装置の製造装置 |
JP2012044155A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-03-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂 |
JP2012044058A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体素子の接合方法 |
JP2012056979A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
JP2012124271A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ用樹脂封止材及び半導体実装体の製造方法 |
JP2013038175A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及び接着剤シート |
JP2013079376A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 硬化性アミン、カルボン酸フラックス組成物およびはんだ付け方法 |
JP2013080837A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装用封止剤及び半導体チップ実装体の製造方法 |
JP2013123033A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR101432620B1 (ko) | 2011-01-04 | 2014-08-21 | 산에이카가쿠 가부시키가이샤 | 활성 수지 조성물, 표면 실장 방법 및 프린트 배선판 |
JP2015032637A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日立化成株式会社 | 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
US9011629B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-04-21 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Adhesive for electronic components, and manufacturing method for semiconductor chip mount |
JP2015168691A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤、半導体封止用フィルムおよび半導体装置 |
JP2016044277A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社タムラ製作所 | 接着剤組成物および電子部品の接合方法 |
JP2021046518A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08151428A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 |
JP2004530740A (ja) * | 2001-01-08 | 2004-10-07 | ヘンケル コーポレイション | フラックス処理用アンダーフィル組成物 |
JP2006188573A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いた電子部品装置及びその製造方法 |
JP2007182562A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2007182560A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 |
-
2007
- 2007-10-17 JP JP2007270073A patent/JP5387874B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08151428A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料 |
JP2004530740A (ja) * | 2001-01-08 | 2004-10-07 | ヘンケル コーポレイション | フラックス処理用アンダーフィル組成物 |
JP2006188573A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いた電子部品装置及びその製造方法 |
JP2007182562A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
JP2007182560A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011048774A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法、電子装置および電子装置の製造装置 |
JP2012044155A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-03-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂 |
JP2012044058A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体素子の接合方法 |
JP2012056979A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
JP2012124271A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ用樹脂封止材及び半導体実装体の製造方法 |
KR101432620B1 (ko) | 2011-01-04 | 2014-08-21 | 산에이카가쿠 가부시키가이샤 | 활성 수지 조성물, 표면 실장 방법 및 프린트 배선판 |
US9011629B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-04-21 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Adhesive for electronic components, and manufacturing method for semiconductor chip mount |
JP2013038175A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及び接着剤シート |
JP2013079376A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 硬化性アミン、カルボン酸フラックス組成物およびはんだ付け方法 |
JP2013080837A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装用封止剤及び半導体チップ実装体の製造方法 |
JP2013123033A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2015032637A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日立化成株式会社 | 電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
JP2015168691A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤、半導体封止用フィルムおよび半導体装置 |
JP2016044277A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 株式会社タムラ製作所 | 接着剤組成物および電子部品の接合方法 |
JP2021046518A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5387874B2 (ja) | 2014-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5387874B2 (ja) | 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4204865B2 (ja) | フラックス処理用アンダーフィル組成物 | |
US7056978B2 (en) | Toughened epoxy-anhydride no-flow underfill encapsulant | |
EP1818351B1 (en) | Underfill encapsulant for wafer packaging and method for its application | |
KR20040088569A (ko) | B-스테이지 가공 가능한 언더필 캡슐화제 및 그의 적용방법 | |
JP4887850B2 (ja) | アンダーフィル用液状樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4844776B2 (ja) | 電気的接続可能な半導体用接着剤 | |
JP4206631B2 (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 | |
JP2005516090A5 (ja) | ||
WO2003065447A2 (en) | No-flow underfill encapsulant | |
JP2007056070A (ja) | フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法 | |
EP3051580A1 (en) | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using said underfill material | |
JP2002241617A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 | |
JP3446730B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5070789B2 (ja) | アンダーフィル用液状樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2002241469A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2006188573A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いた電子部品装置及びその製造方法 | |
JP2003301026A (ja) | 液状封止樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2003100810A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2004087965A (ja) | フリップチップデバイス製造方法及び半導体実装用補強組成物 | |
JP4556631B2 (ja) | 液状樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4940768B2 (ja) | 液状樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP7149099B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4729873B2 (ja) | 半導体素子の組立方法 | |
JP4119356B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130925 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5387874 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |