JP2009087951A - Organic el display device and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely carry out connection of an extraction electrode from an organic EL element with a connection target, and secure superior display performance of respective organic EL elements. <P>SOLUTION: In the organic EL display device having an undercoat layer 2 which includes a layer composed of an organic material, an organic EL element region 3 on the undercoat layer 2, and a connecting part 5 in which the connection target 4 is connected to the extraction electrode 30 from the organic EL element 3A of the upper peripheral part of a substrate 1, the undercoat layer 2 has a planarization layer 20 to fill unevenness of each organic EL element 3A, a passivation layer 21 and the organic EL elements 3A are sequentially formed on the planarization layer 20, all of the connecting parts 5 are covered with the passivation layer 21, the extraction electrode 30 formed thereon is formed from the organic EL element region 3 to the connecting parts 5 on the passivation layer 21, and is connected by thermocompression bonding with an anisotropic conductive film 6 made interposed between the extraction electrode 30 and the connection target 4, the planarization layer 20 is removed corresponding to the thermocompression bonding parts, and an undercoat layer removing face 20A facing the connecting part 5 has an upward taper face tilted in a range of 45°±30° with respect to the substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL表示装置及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to an organic EL display device and a manufacturing method thereof.

有機EL表示装置は、透明ガラス等から成る基板上にITO等の透明電極からなる陽極を形成し、その上に有機化合物からなる発光層を含む有機層を形成し、その上にAl等の金属電極からなる陰極を形成してなる有機EL素子を基本構成としており、この有機EL素子を単位面発光要素として平面基板上に配列させることで画像表示を行うものである。   In an organic EL display device, an anode made of a transparent electrode such as ITO is formed on a substrate made of transparent glass or the like, an organic layer including a light emitting layer made of an organic compound is formed thereon, and a metal such as Al is formed thereon. An organic EL element formed by forming a cathode composed of an electrode has a basic configuration, and an image is displayed by arranging the organic EL element as a unit surface light emitting element on a flat substrate.

このような有機EL表示装置においては、アクティブマトリクス駆動を行うために必要となる薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下TFTと記す。)や、或いは多色表示を行うために必要となるカラーフィルタといった機能要素をまず基板上に形成し、このような機能要素によって形成される凹凸を埋めるために、この機能要素が形成された基板上の全面に下地層を形成して、その上に、個々の機能要素の位置に対応させて有機EL素子を形成することが行われている。   In such an organic EL display device, a functional element such as a thin film transistor (Thin Film Transistor; hereinafter referred to as TFT) necessary for performing active matrix driving or a color filter necessary for performing multicolor display. In order to fill the irregularities formed by such functional elements, a base layer is formed on the entire surface of the substrate on which the functional elements are formed, and individual functional elements are formed thereon. An organic EL element is formed corresponding to the position of the above.

このような有機EL表示装置の具体的な従来例を挙げると、例えば、特許文献1に記載のものでは、基板上に、ドットマトリクス状に形成される有機EL素子を独立して駆動するためのTFTを前述の機能要素として形成し、このTFT及びそれに接続される配線層による凹凸を埋めるために樹脂材料等から成る平坦化層を形成している。また、この平坦化層から発せられる水蒸気等のガス成分が有機EL素子を劣化させる虞があるため、この平坦化層の上にガスバリア性のあるパシベーション層を形成し、その上に有機EL素子を形成している。   As a specific conventional example of such an organic EL display device, for example, in the device described in Patent Document 1, an organic EL element formed in a dot matrix form on a substrate is independently driven. A TFT is formed as the above-described functional element, and a planarizing layer made of a resin material or the like is formed in order to fill the unevenness caused by the TFT and a wiring layer connected to the TFT. In addition, since gas components such as water vapor emitted from the planarization layer may deteriorate the organic EL element, a passivation layer having a gas barrier property is formed on the planarization layer, and the organic EL element is disposed on the passivation layer. Forming.

他の従来例としては、例えば特許文献2に記載されるように、基板上に、多色表示を行うためのカラーフィルタ或いは色変換フィルタを前述の機能要素として形成し、このカラーフィルタ或いは色変換フィルタによる凹凸を埋めるために樹脂材料層等から成る多層の平坦化層を形成し、更にはその平坦化層上にパシベーション層を形成して、その上に有機EL素子を形成している。   As another conventional example, as described in Patent Document 2, for example, a color filter or a color conversion filter for performing multicolor display is formed on a substrate as the above-described functional element, and this color filter or color conversion is performed. In order to fill the unevenness caused by the filter, a multi-layered flattening layer made of a resin material layer or the like is formed. Further, a passivation layer is formed on the flattening layer, and an organic EL element is formed thereon.

特開2001−356711号公報JP 2001-356711 A 特開平11−121164号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-121164

このような有機EL表示装置では、一般に、平坦化層或いはパシベーション層からなる下地層を基板全面に形成している。しかしながら、例えば単純マトリクス駆動の表示装置の場合、基板上の周辺近傍には、各有機EL素子からの引出電極と周辺回路、駆動IC等とを接続する接続領域が形成されており、この接続領域では、前述した下地層の上に引き出された引出電極に対してCOF(Chip On FPC(Flexible Printed Circuit))等の接続がなされている。   In such an organic EL display device, generally, a base layer made of a planarization layer or a passivation layer is formed on the entire surface of the substrate. However, for example, in the case of a display device of simple matrix drive, a connection region for connecting an extraction electrode from each organic EL element and a peripheral circuit, a drive IC, etc. is formed in the vicinity of the periphery on the substrate. Then, a connection such as COF (Chip On FPC (Flexible Printed Circuit)) is made to the extraction electrode drawn out on the above-mentioned underlayer.

COFは、可撓性プリント回路(FPC)上に駆動ICチップを実装させたもので、一般には、TAB(Tape Automated Bonding:テープ自動化実装)によってICチップを実装したTCP(Tape Carrier Package)が採用されている。このようなTCPと前述した引出電極との接続は、両者の電極間に異方性導電膜(ACF)を挟んで熱圧着することにより行われるが、前述したように引出電極が樹脂材料等の有機材からなる下地層の上に形成されている場合には、この接続に不具合が生じやすいことが確認されている。これは、熱圧着時に引出電極の土台となる下地層が同時に熱的劣化を受けて土台として機能しなくなり、両電極間の異方性導電膜に対して充分な熱圧着を行うことができなくなることに起因するものと考えられる。ここで、基板上の凹凸を埋めるためには下地層の少なくとも1層を有機材で形成する必要があるが、この有機材の耐熱限界温度と前述した熱圧着の温度はほぼ同程度であるため(180℃〜200℃)、下地層上に形成した引出電極に対して熱圧着による接続を行うと、どうしても下地層に熱的劣化が生じてしまい確実な接続を行うことができないという問題があった。   COF is a flexible printed circuit (FPC) with a driving IC chip mounted. Generally, TCP (Tape Carrier Package) with IC chip mounted by TAB (Tape Automated Bonding) is used. Has been. The connection between the TCP and the extraction electrode described above is performed by thermocompression bonding with an anisotropic conductive film (ACF) sandwiched between the two electrodes. As described above, the extraction electrode is made of a resin material or the like. It has been confirmed that this connection is likely to have a problem when it is formed on a base layer made of an organic material. This is because the base layer that becomes the base of the extraction electrode at the time of thermocompression is subjected to thermal deterioration at the same time and does not function as a base, and sufficient thermocompression bonding cannot be performed on the anisotropic conductive film between both electrodes. This is thought to be caused by this. Here, in order to fill the unevenness on the substrate, it is necessary to form at least one layer of the base layer with an organic material. However, the heat resistant limit temperature of the organic material and the above-described thermocompression bonding temperature are approximately the same. (180 ° C. to 200 ° C.) When connecting the extraction electrode formed on the underlayer by thermocompression bonding, there is a problem that the underlayer is inevitably thermally deteriorated and reliable connection cannot be made. It was.

また、これは、前述したCOFを接続対象とした場合だけの問題ではなく、基板上の引出電極に対してICチップを実装させるCOG(Chip On Glass)においても同様の問題が生じる。つまり、COGでは、ICチップに形成された電極のバンプと引出電極との間に異方性導電膜を介在させて熱圧着することが行われており、これを下地層上に形成された引出電極上で行うと、下地層に熱的劣化が生じてしまい確実な接続を行うことができないという問題が生じる。   This is not only a problem when the above-described COF is a connection target, but the same problem occurs in COG (Chip On Glass) in which an IC chip is mounted on the extraction electrode on the substrate. That is, in the COG, an anisotropic conductive film is interposed between the bumps of the electrodes formed on the IC chip and the extraction electrodes, and thermocompression bonding is performed, and this is performed on the extraction formed on the base layer. If it is performed on the electrode, there is a problem that the base layer is thermally deteriorated and reliable connection cannot be performed.

本発明は、このような事情に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、本発明の目的は、基板上に形成された下地層の上に有機EL素子を形成する有機EL表示装置及びその製造方法において、有機EL素子から引き出された引出電極と接続対象との電気的な接続を確実に行うこと、或いは、この接続を確実に行った上で良好な有機EL素子の表示性能を確保することにある。   This invention makes it an example of a subject to cope with such a situation. That is, an object of the present invention is to provide an organic EL display device in which an organic EL element is formed on a base layer formed on a substrate and a method for manufacturing the same, and an electrical connection between an extraction electrode extracted from the organic EL element and a connection target. It is to ensure a good connection performance, or to ensure a good display performance of the organic EL element after making this connection securely.

このような目的を達成するために、本発明による有機EL表示装置及びその製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。   In order to achieve such an object, the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the present invention include at least the configurations according to the following independent claims.

第1には、基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成し、該下地層の上に有機EL素子を形成する有機EL素子領域と、前記基板上の周辺部分で、前記有機EL素子からの引出電極に対して接続対象を電気的に接続する接続部と、を有する有機EL表示装置において、前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、かつ、最上層にガスバリア性のパシベーション層が形成され、該パシベーション層上に前記有機EL素子が形成され、前記接続部は、全て前記パシベーション層で覆われており、その上に前記引出電極が形成されており、前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、前記引出電極と前記接続対象との間に異方性導電膜を介在させ熱圧着により接続され、前記接続部は、前記接続時の熱圧着箇所に合わせて、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を除去し、前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする。   First, a base layer including at least one layer made of an organic material is formed on a substrate, an organic EL element region for forming an organic EL element on the base layer, and a peripheral portion on the substrate, In the organic EL display device having a connection portion that electrically connects a connection target to the extraction electrode from the organic EL element, the base layer is provided for each of the organic EL elements formed on the substrate. A thin film transistor, a color conversion filter, or a flattening layer that fills the unevenness of the color filter is formed, and a gas barrier passivation layer is formed on the uppermost layer, the organic EL element is formed on the passivation layer, and the connection portion is Are covered with the passivation layer, and the extraction electrode is formed on the passivation layer. The extraction electrode is connected to a pixel electrode, and is connected from the organic EL element region to the connection portion. Formed on the passivation layer, an anisotropic conductive film is interposed between the extraction electrode and the connection target, and connected by thermocompression bonding, and the connection portion is aligned with the thermocompression bonding location at the time of connection, At least one layer made of an organic material is removed from the planarizing layer, and the base layer removal surface facing the connection portion is an upward tapered surface inclined with respect to the substrate within a range of 45 ° ± 30 °. It is characterized by.

第2には、この有機EL表示装置の製造方法において、基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成する工程と、前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を部分的に除去することによって接続部を形成する工程と、前記平坦化層の上面及び前記接続部上にパシベーション層を形成する工程と、前記基板上の有機EL素子領域の前記パシベーション層の上に有機EL素子を形成すると共に前記基板上の周辺部分の前記接続部に引出電極を形成する工程と、前記接続部において、前記引出電極と接続対象の電極との間に異方性導電膜を介在させてこれらを熱圧着する工程とを有し、前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする。   Second, in the method of manufacturing an organic EL display device, a step of forming a base layer including at least one layer made of an organic material on a substrate, and the base layer is formed on the substrate. A step of forming a connection portion by partially removing at least one layer made of an organic material of the flattening layer, having a flattening layer that fills the unevenness of the thin film transistor, color conversion filter, or color filter provided for each element And a step of forming a passivation layer on the upper surface of the planarizing layer and the connecting portion, and forming an organic EL element on the passivation layer in the organic EL element region on the substrate and a peripheral portion on the substrate Forming an extraction electrode at the connection portion, and in the connection portion, an anisotropic conductive film is interposed between the extraction electrode and the electrode to be connected, and these are thermocompression bonded. The extraction electrode is connected to the pixel electrode, is formed on the passivation layer from the organic EL element region to the connection portion, and the underlayer removal surface facing the connection portion is formed on the substrate. It is an upward taper surface inclined within a range of 45 ° ± 30 °.

本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の全体構成を示す外観図である。It is an external view which shows the whole structure of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の要部及び本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention, and the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の実施例において、アクティブマトリクス駆動される有機EL表示装置の例を示す説明図である。In the Example of this invention, it is explanatory drawing which shows the example of the organic electroluminescent display apparatus driven by an active matrix. 本発明の実施例において、パッシブマトリクス駆動される有機EL表示装置の例を示す説明図である。In the Example of this invention, it is explanatory drawing which shows the example of the organic electroluminescent display apparatus driven by passive matrix. 実施例に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on an Example. 実施例に係る有機EL表示装置の製造方法(主に接続部形成工程)を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method (mainly connection part formation process) of the organic electroluminescence display which concerns on an Example.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の全体構成を示す外観図、図2は、本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の要部及び本発明の一実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を示す説明図である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an external view showing an overall configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a main part of the organic EL display device according to an embodiment of the present invention and an embodiment of the present invention. It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on.

これらの図において、本発明の実施形態は、透明ガラス基板等の基板1上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層2を形成し、下地層2の上に有機EL素子3A(有機EL素子領域3における個別素子)を形成して、基板1上で、有機EL素子3Aからの引出電極30に対して接続対象4を電気的に接続する有機EL表示装置を前提としている。   In these drawings, in the embodiment of the present invention, a base layer 2 including at least one layer made of an organic material is formed on a substrate 1 such as a transparent glass substrate, and an organic EL element 3A (organic) is formed on the base layer 2. It is assumed that the organic EL display device in which the connection target 4 is electrically connected to the extraction electrode 30 from the organic EL element 3A on the substrate 1 is formed.

ここで、有機EL素子領域3を形成する個々の有機EL素子3Aは、引出電極30に繋がる一方の電極30A(例えば、ITO等の透明電極)と他方の電極31A(例えば、Al等の金属電極)との間に発光層を含む有機発光機能層32Aを形成したものである。また、接続対象4は、前述したCOF(Chip On FPC)によるTCP(TAB)、COG(Chip On Glass)によるICチップ、或いはCOB(Chip On Board)による非可撓性回路基板等であり、特に限定されるものではない。   Here, each organic EL element 3A forming the organic EL element region 3 includes one electrode 30A (for example, a transparent electrode such as ITO) connected to the extraction electrode 30 and the other electrode 31A (for example, a metal electrode such as Al). ), An organic light emitting functional layer 32A including a light emitting layer is formed. The connection target 4 is the above-described TCP (TAB) using COF (Chip On FPC), an IC chip using COG (Chip On Glass), or a non-flexible circuit board using COB (Chip On Board). It is not limited.

そして、第1の実施形態としては、引出電極30と接続対象4との接続時の熱圧着箇所に合わせて、下地層2の少なくとも有機材からなる層を除去した接続部5を形成することを特徴とする。また、製造方法としては、基板1上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層2を形成する工程と、下地層2の少なくとも有機材からなる層を部分的に除去することによって接続部5を形成する工程と、下地層5の上に有機EL素子3Aを形成すると共に接続部5に引出電極30を形成する工程と、接続部5において、引出電極30と接続対象4の電極40(リード電極等)との間に異方性導電膜6を介在させてこれらを熱圧着部材7(ヒータツール等)で熱圧着する工程とを有することを特徴とする。   And as 1st Embodiment, according to the thermocompression bonding location at the time of the connection of the extraction electrode 30 and the connection object 4, forming the connection part 5 which removed the layer which consists of at least organic material of the base layer 2 is formed. Features. In addition, as a manufacturing method, a connection portion is formed by partially removing a layer made of at least one organic material on the substrate 1 and a step of forming the base layer 2 including at least one layer made of an organic material on the substrate 1. 5, the step of forming the organic EL element 3 </ b> A on the base layer 5 and forming the extraction electrode 30 on the connection portion 5, and the connection portion 5, the extraction electrode 30 and the electrode 40 ( And an anisotropic conductive film 6 interposed between them and a thermocompression bonding member 7 (a heater tool or the like).

このような特徴によると、基板1上に形成された下地層2は、接続時の熱圧着箇所に合わせた位置で有機材からなる層が部分的に除去され、これによって接続部5が形成される。そして、有機EL素子3Aから引き出された引出電極30はこの接続部5に形成され、ここで、引出電極30と接続対象4の電極40との間に異方性導電膜6を介在させて、熱圧着部材7による熱圧着が行われる。これによると、熱圧着箇所の下層には熱圧着を阻害する有機材の層が無いので、異方性導電膜6は引出電極30と接続対象4の電極40との間に挟持されて充分に加圧されることになり、引出電極30と電極40との電気的な接続を確実に行うことができる。   According to such a feature, in the base layer 2 formed on the substrate 1, a layer made of an organic material is partially removed at a position corresponding to a thermocompression bonding position at the time of connection, and thereby a connection portion 5 is formed. The And the extraction electrode 30 drawn out from the organic EL element 3A is formed in this connection part 5, Here, the anisotropic conductive film 6 is interposed between the extraction electrode 30 and the electrode 40 of the connection object 4, Thermocompression bonding by the thermocompression bonding member 7 is performed. According to this, since there is no organic material layer hindering thermocompression bonding below the thermocompression bonding portion, the anisotropic conductive film 6 is sufficiently sandwiched between the extraction electrode 30 and the electrode 40 of the connection object 4. As a result, the electrical connection between the extraction electrode 30 and the electrode 40 can be ensured.

第2には、前述の特徴を有する有機EL表示装置或いはその製造方法において、接続部5に面する下地層除去面20Aは、基板1に対して角度θ=45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする。   Second, in the organic EL display device having the above-described characteristics or the manufacturing method thereof, the underlayer removal surface 20A facing the connection portion 5 is within an angle θ = 45 ° ± 30 ° with respect to the substrate 1. It is an inclined upward tapered surface.

これによると、前述の特徴に併せて、下地層除去面20Aが上向きのテーパ面を形成するので、その上にも成膜による層形成が可能になる。したがって、この下地層除去面20A上に成膜によって形成される他の下地層(パシベーション層21)或いは引出電極30をここで分断することなく形成することができる。   According to this, in addition to the above-described features, the underlayer removal surface 20A forms an upward taper surface, so that a layer can also be formed thereon by film formation. Therefore, another base layer (passivation layer 21) or extraction electrode 30 formed by film formation on the base layer removal surface 20A can be formed without being divided here.

下地層除去面20Aの傾斜角度θ=45°±30°の範囲について説明すると、最大値75°は、その上に形成される層が分断されることなく、且つそれぞれの層の機能を確保するに足りる充分な厚さが得られる傾斜角度である。引出電極30に関しては、分断されなくとも層厚が薄くなると高抵抗になり、有機EL素子の発光に影響を及ぼすことは言うまでもない。最小値15°はテーパ形成が実用的に可能な限界の傾斜角度である。   Explaining the range of the inclination angle θ = 45 ° ± 30 ° of the underlayer removal surface 20A, the maximum value of 75 ° ensures that the layer formed thereon is not divided and the function of each layer is secured. This is an inclination angle at which a sufficient thickness can be obtained. It goes without saying that the extraction electrode 30 has a high resistance when the layer thickness is thin even if it is not divided, and affects the light emission of the organic EL element. The minimum value of 15 ° is the limit inclination angle at which taper formation is practically possible.

第3には、前述の特徴を有する有機EL表示装置或いはその製造方法において、下地層2は最上層にガスバリア性のパシベーション層21が形成されることを特徴とする。   Thirdly, in the organic EL display device having the above-described characteristics or the manufacturing method thereof, the underlayer 2 is characterized in that a gas barrier passivation layer 21 is formed as the uppermost layer.

これによると、有機材の層を含む下地層2の最上層にガスバリア性のパシベーション層21を形成することで、有機材から発せられる水蒸気等のガス成分を封じ込めることができ、このガス成分による引出電極30或いは有機EL素子3Aにおける有機発光機能層等の劣化を防止することができる。特に、下地層除去面20Aを前述した角度のテーパ面を有する構成にすることで、その上に形成されるパシベーション層21の分断を回避することができる。これにより、下地層2を部分的に除去して接続部5を形成したものにおいても、有機材を含む下地層2は基板1の全面において完全にパシベーション層21によって被覆されることになり、有機EL素子3Aの良好な表示性能を確保することが可能になる。また、図示しないが、有機材の層を除去した接続部5の部分では、有機材の層が露出しない範囲でパシベーション層21を削除した構成にしても構わない。   According to this, by forming the gas barrier passivation layer 21 on the uppermost layer of the underlayer 2 including the organic material layer, it is possible to contain gas components such as water vapor emitted from the organic material. Deterioration of the organic light emitting functional layer or the like in the electrode 30 or the organic EL element 3A can be prevented. In particular, by forming the base layer removal surface 20A to have the tapered surface having the angle described above, it is possible to avoid the division of the passivation layer 21 formed thereon. As a result, even in the case where the base layer 2 is partially removed to form the connection portion 5, the base layer 2 containing the organic material is completely covered with the passivation layer 21 on the entire surface of the substrate 1. It is possible to ensure good display performance of the EL element 3A. Although not shown, the connection layer 5 from which the organic material layer is removed may have a configuration in which the passivation layer 21 is deleted as long as the organic material layer is not exposed.

第4には、下地層2は、基板1上に形成される機能要素33の凹凸を埋める平坦化層20を少なくとも含むことを特徴とする。第5には、機能要素33は有機EL素子3A毎に設けられる個々の機能要素33A,33A,…からなり、この機能要素33Aは薄膜トランジスタであることを特徴とする。第6には、この機能要素33Aは色変換フィルタ又はカラーフィルタであることを特徴とする。   Fourth, the underlayer 2 includes at least a planarizing layer 20 that fills the unevenness of the functional element 33 formed on the substrate 1. Fifth, the functional element 33 includes individual functional elements 33A, 33A,... Provided for each organic EL element 3A, and the functional element 33A is a thin film transistor. Sixth, the functional element 33A is a color conversion filter or a color filter.

これらの特徴によると、前述の特徴に併せて、基板上に形成される機能要素33による凹凸を平坦化層20で埋めることができるので、凹凸の大小に拘わらず、一旦平坦化層20により平坦化された上に有機EL素子を形成することができる。したがって、高い膜厚制御に基づいた高品質の素子を形成することが可能になる。そして、前述の各特徴は、機能要素33が薄膜トランジスタである場合であっても、或いは色変換フィルタやカラーフィルタである場合であっても同様に得られるものであるから、アクティブマトリクス駆動、パッシブマトリクス駆動、或いは単色、多色表示に関わりなく、引出電極接続部の熱圧着に関して安定的な圧着品質を確保した有機EL表示装置及びその製造方法を提供することができる。   According to these characteristics, in addition to the above-described characteristics, the unevenness due to the functional element 33 formed on the substrate can be filled with the planarization layer 20, so that the planarization layer 20 temporarily flattens regardless of the unevenness. In addition, an organic EL element can be formed. Therefore, it is possible to form a high-quality element based on high film thickness control. Each feature described above can be obtained in the same way even when the functional element 33 is a thin film transistor, or a color conversion filter or a color filter. It is possible to provide an organic EL display device and a method for manufacturing the same that can ensure stable crimping quality with respect to thermocompression bonding of the extraction electrode connecting portion regardless of driving, monochrome display or multicolor display.

以下に、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施例において、アクティブマトリクス駆動される有機EL表示装置の例を示す説明図である。この有機EL表示装置は、透明ガラス基板等からなる基板1上に、画素を構成する有機EL素子3B毎にTFT8が形成されており、各TFT8には基板1上に形成された配線(ゲート配線、ドレイン配線;図示省略)が接続されている。そして、この基板1上には接続部5に面する下地層除去面20Aを有する平坦化層20が形成され、その上には、平坦化層20を覆うパシベーション層21が形成されている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is an explanatory view showing an example of an organic EL display device driven by active matrix in the embodiment of the present invention. In this organic EL display device, a TFT 8 is formed for each organic EL element 3B constituting a pixel on a substrate 1 made of a transparent glass substrate or the like, and each TFT 8 has a wiring (gate wiring) formed on the substrate 1. , Drain wiring; not shown) are connected. A planarization layer 20 having an underlayer removal surface 20A facing the connection portion 5 is formed on the substrate 1, and a passivation layer 21 covering the planarization layer 20 is formed thereon.

平坦化層20は、例えば、アクリル系,ポリイミド系等の樹脂材料或いは有機シリカ等の有機材からなり、スピンコート,ディップコート,スロットコートのような塗布法によって形成された層である。この平坦化層20を形成することによって、基板1上のTFT8或いは配線による凹凸が埋められた状態になり有機EL素子3Bを形成する平坦な下地を形成している。また、パシベーション層21は、平坦化層20からのガス(水蒸気等)放出を遮断することができるガスバリア性のある絶縁材料、例えば、酸化シリコン,窒化シリコン,アモルファスシリコン等の無機材料が用いられ、イオンプレーティング,スパッタリング,低温スパッタ,蒸着,EB等で成膜される。   The planarizing layer 20 is a layer made of, for example, an acrylic or polyimide resin material or an organic material such as organic silica and formed by a coating method such as spin coating, dip coating, or slot coating. By forming the flattening layer 20, the flat surface for forming the organic EL element 3B is formed in a state in which the unevenness due to the TFT 8 or the wiring on the substrate 1 is filled. Further, the passivation layer 21 is made of an insulating material having a gas barrier property that can block the release of gas (such as water vapor) from the planarization layer 20, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, and amorphous silicon. The film is formed by ion plating, sputtering, low temperature sputtering, vapor deposition, EB, or the like.

そして、この平坦化層20及びパシベーション層21からなる下地層2の上には、最上層に形成されるパシベーション層21上に有機EL素子3Bが形成されている。この実施例では、有機EL素子3Bは基板1側に光を取り出す構成をなしており、下地層2の上に、ITO等の透明電極からなり陽極を形成する画素電極30Bを形成し,その上に、例えば、正孔注入層,正孔輸送層,発光層,電子輸送層,電子注入層からなる有機発光機能層32Bを形成し、更にその上に、陰極を形成する金属製の共通電極31Bを形成している。また、隣接する画素電極30B及び有機発光機能層32B間には絶縁層81が形成されている。ここでは、基板1側に光を取り出す例を示したが、上下の電極及び有機発光機能層の材料を逆転させることで上方から光を取り出す構成にすることもできる。   An organic EL element 3 </ b> B is formed on the passivation layer 21 formed as the uppermost layer on the foundation layer 2 including the planarizing layer 20 and the passivation layer 21. In this embodiment, the organic EL element 3B is configured to extract light to the substrate 1 side, and a pixel electrode 30B made of a transparent electrode such as ITO is formed on the base layer 2 to form an anode. Further, for example, an organic light emitting functional layer 32B composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed, and further, a metal common electrode 31B forming a cathode thereon. Is forming. An insulating layer 81 is formed between the adjacent pixel electrode 30B and the organic light emitting functional layer 32B. Here, an example in which light is extracted to the substrate 1 side is shown, but a configuration in which light is extracted from above by reversing the materials of the upper and lower electrodes and the organic light emitting functional layer is also possible.

また、基板1上の周辺部分に接続部5が形成されており、この接続部5を形成するために、有機材からなる平坦化層20が部分的に除去されている。そして平坦化層20を除去するにあたって、接続部5に面する上向きのテーパ面からなる下地層除去面20Aが形成されている。この接続部5は、下地層除去面20A上を含めて全てパシベーション層21で覆われており、その上に前述した画素電極30Bに接続される引出電極30が形成されている。したがって、接続部5においては、基板1上に有機材から成る平坦化層20が存在しない圧着領域が形成されており、この圧着領域において、引出電極30と接続対象4(例えば、TCP(TAB))の電極40との間に異方性導電膜6を介在させた熱圧着による接続が行われている。   Further, the connection portion 5 is formed in the peripheral portion on the substrate 1, and the planarizing layer 20 made of an organic material is partially removed in order to form the connection portion 5. Then, when removing the planarizing layer 20, an underlayer removal surface 20 </ b> A composed of an upward tapered surface facing the connection portion 5 is formed. The connection portion 5 is entirely covered with the passivation layer 21 including the underlayer removal surface 20A, and the extraction electrode 30 connected to the pixel electrode 30B described above is formed thereon. Therefore, in the connection part 5, the crimping | compression-bonding area | region where the planarization layer 20 which consists of organic materials does not exist on the board | substrate 1 is formed, In this crimping | compression-bonding area | region, the extraction electrode 30 and the connection object 4 (for example, TCP (TAB) And the electrode 40 are connected by thermocompression bonding with the anisotropic conductive film 6 interposed therebetween.

図4は、本発明の他の実施例に係る、パッシブマトリクス駆動される有機EL表示装置の例を示す説明図である。以下、前述の実施例と共通する箇所には同一の符号を付して重複した説明を一部省略する。この有機EL表示装置は、透明ガラス基板等からなる基板1上に、多色表示を行うための色変換フィルタ或いはカラーフィルタ9A,9B,9C,…が画素を構成する有機EL素子3C毎に形成されている。そして、この基板1上には接続部5に面する下地層除去面20Aを有する平坦化層20が形成され、その上には、平坦化層20を覆うパシベーション層21が形成されている。   FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of an organic EL display device driven by passive matrix according to another embodiment of the present invention. In the following, the same reference numerals are assigned to portions common to the above-described embodiments, and a part of the overlapping description is omitted. In this organic EL display device, a color conversion filter or color filters 9A, 9B, 9C,... For performing multicolor display are formed on a substrate 1 made of a transparent glass substrate or the like for each organic EL element 3C constituting a pixel. Has been. A planarization layer 20 having an underlayer removal surface 20A facing the connection portion 5 is formed on the substrate 1, and a passivation layer 21 covering the planarization layer 20 is formed thereon.

そして、この平坦化層20及びパシベーション層21からなる下地層2の上に有機EL素子3Cが形成されている。この実施例では、有機EL素子3Cは基板1側に光を取り出す構成をなしており、下地層2の上に、ITO等の透明電極からなる陽極を形成する下側電極30Cをストライプ状に形成し,その上に、例えば、正孔注入層,正孔輸送層,発光層,電子輸送層,電子注入層からなる有機発光機能層32Cを形成し、更にその上に、前述の下側電極30Cに直交したストライプ状の上側電極31C(Al等の金属電極)を形成している。ここでは、基板1側に光を取り出す例を示したが、上下の電極及び有機発光機能層の材料を逆転させることで上方から光を取り出す構成にすることもできる。   An organic EL element 3 </ b> C is formed on the base layer 2 composed of the planarizing layer 20 and the passivation layer 21. In this embodiment, the organic EL element 3C is configured to extract light to the substrate 1, and the lower electrode 30C for forming an anode made of a transparent electrode such as ITO is formed on the base layer 2 in a stripe shape. An organic light emitting functional layer 32C composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed thereon, and the lower electrode 30C is further formed thereon. A strip-like upper electrode 31C (a metal electrode such as Al) orthogonal to is formed. Here, an example in which light is extracted to the substrate 1 side is shown, but a configuration in which light is extracted from above by reversing the materials of the upper and lower electrodes and the organic light emitting functional layer is also possible.

また、前述した実施例と同様に、基板1上の周辺部分に接続部5が形成されており、この接続部5を形成するために、有機材からなる平坦化層20が部分的に除去されている。そして平坦化層20を除去するにあたって、接続部5に面する上向きのテーパ面からなる下地層除去面20Aが形成されている。この接続部5は、下地層除去面20A上を含めて全てパシベーション層21で覆われており、その上に前述した上側電極31Cに接続される引出電極31が形成されている。この実施例においても、平坦化層20が存在しない圧着領域において、引出電極31と接続対象4(例えば、TCP(TAB))の電極40との間に異方性導電膜6を介在させた熱圧着による接続が行われている。   Similarly to the above-described embodiment, the connection portion 5 is formed in the peripheral portion on the substrate 1, and the planarizing layer 20 made of an organic material is partially removed to form the connection portion 5. ing. Then, when removing the planarizing layer 20, an underlayer removal surface 20 </ b> A composed of an upward tapered surface facing the connection portion 5 is formed. The connection portion 5 is entirely covered with the passivation layer 21 including the underlayer removal surface 20A, and the extraction electrode 31 connected to the above-described upper electrode 31C is formed thereon. Also in this embodiment, in the pressure-bonding region where the planarizing layer 20 does not exist, the heat in which the anisotropic conductive film 6 is interposed between the extraction electrode 31 and the electrode 40 of the connection object 4 (for example, TCP (TAB)). Connection by crimping is performed.

このような有機EL表示装置の製造方法を図5のフローに沿って説明する。まず、基板1上に、アクティブ駆動或いは多色表示を行うための機能要素となる、TFT8、色変換フィルタ或いはカラーフィルタ9A,9B,9C等の素子を形成する(S1)。   A manufacturing method of such an organic EL display device will be described along the flow of FIG. First, elements such as TFTs 8, color conversion filters, or color filters 9A, 9B, 9C, which are functional elements for active driving or multicolor display, are formed on the substrate 1 (S1).

これらの素子が形成された基板1上の全面に、前述した平坦化層20をスピンコート等の塗布方法によって形成する。そして、熱圧着によって接続対象4を接続する領域を定めて、この熱圧着箇所に合わせて平坦化層20を除去した接続部5を形成し(S3)、この平坦化層20の上面及び接続部5の基板上にパシベーション層21を形成する(S4)。   The above-described planarization layer 20 is formed on the entire surface of the substrate 1 on which these elements are formed by a coating method such as spin coating. And the area | region which connects the connection object 4 by thermocompression bonding is defined, the connection part 5 which removed the planarization layer 20 according to this thermocompression bonding location is formed (S3), the upper surface and connection part of this planarization layer 20 The passivation layer 21 is formed on the substrate 5 (S4).

この接続部形成工程(S3)及びパシベーション層形成工程(S4)を図6を参照しながら、更に詳細に説明する。まず、同図(a)に示すように、前述した塗布によって基板1上に平坦化層20を形成し、次に、同図(b)に示すように、フォトリソグラフィ等によって接続部5に対応した位置に開口100Aを形成したレジスト層100を平坦化層20上に形成する。   The connecting portion forming step (S3) and the passivation layer forming step (S4) will be described in more detail with reference to FIG. First, as shown in FIG. 4A, the planarization layer 20 is formed on the substrate 1 by the above-described application, and then, as shown in FIG. A resist layer 100 in which an opening 100A is formed at the position is formed on the planarizing layer 20.

そして、開口100A内に露出した平坦化層20に対して、現像処理を施して開口部100A内の平坦化層を除去する。この際、同図(c)に示すように、現像液はレジスト層100に近接する付近でレジスト層100の内側に入り込み、テーパ状の下地層除去面20Aが形成されることになる。したがって、現像処理の時間等を制御することにより、テーパ面の傾斜角度θを調整することが可能になる。   Then, the planarizing layer 20 exposed in the opening 100A is subjected to a development process to remove the planarizing layer in the opening 100A. At this time, as shown in FIG. 5C, the developer enters the inside of the resist layer 100 in the vicinity of the resist layer 100, and a tapered underlayer removal surface 20A is formed. Therefore, it is possible to adjust the inclination angle θ of the tapered surface by controlling the development processing time and the like.

このテーパ面(下地層除去面20A)の傾斜角度θの設定は、良好な有機EL素子の表示性能を得るために重要な要因となる。この実施例においては、傾斜角度θ=45°±30°、すなわち、15°〜75°の範囲が有効であることが確認されている。これは、15°より小さい角度では、テーパ面の形成自体が困難であると共に、接続部周辺に広いテーパ面が形成されて基板上を有効に利用できないことになり、75°より垂直に近い角度では、テーパ面上で成膜されるパシベーション層や引出電極層が分断され易くなり、また、パシベーション層や引出電極として有効な厚みを確保できないという不具合が生じるからである。したがって、この傾斜角度をθ=45°±30°の範囲に設定することで、引出電極断線の不具合やパシベーション層分断による有機EL素子の表示性能劣化が生じることが無くなり、良好な有機ELの表示性能を確保できる。   The setting of the inclination angle θ of the taper surface (underlayer removal surface 20A) is an important factor for obtaining good display performance of the organic EL element. In this embodiment, it is confirmed that the inclination angle θ = 45 ° ± 30 °, that is, the range of 15 ° to 75 ° is effective. This is because when the angle is smaller than 15 °, it is difficult to form the tapered surface itself, and a wide tapered surface is formed around the connection portion and the substrate cannot be effectively used. In this case, the passivation layer and the extraction electrode layer formed on the tapered surface are likely to be divided, and there is a problem that an effective thickness cannot be ensured as the passivation layer and the extraction electrode. Therefore, by setting this inclination angle in the range of θ = 45 ° ± 30 °, there is no problem of the disconnection of the extraction electrode and the deterioration of the display performance of the organic EL element due to the passivation layer division, and a good organic EL display Performance can be secured.

その後は、図6(d)に示すように、平坦化層20上及び接続部5における基板1上にパシベーション層21を形成する。更には、平坦化層20及びパシベーション層21からなる下地層2の上に、有機EL素子(3A,3B又は3C)を形成し、接続部5において引出電極(30,31)を形成する(S5)。そして、平坦化層20が除去された接続部5において、接続対象4を接続するための熱圧着を行う(S6)。   Thereafter, as shown in FIG. 6D, a passivation layer 21 is formed on the planarization layer 20 and the substrate 1 in the connection portion 5. Further, an organic EL element (3A, 3B or 3C) is formed on the base layer 2 composed of the planarizing layer 20 and the passivation layer 21, and an extraction electrode (30, 31) is formed at the connection portion 5 (S5). ). And in the connection part 5 from which the planarization layer 20 was removed, the thermocompression bonding for connecting the connection object 4 is performed (S6).

このような実施例の有機EL表示装置及びその製造方法によると、基板1上に形成された下地層2は、接続時の熱圧着箇所に合わせた位置で有機材からなる平坦化層20が部分的に除去されて接続部5が形成される。そして、有機EL素子(3A,3B,3C)から引き出された引出電極(30,31)は、この接続部5で、引出電極(30,31)と接続対象4の電極40との間に異方性導電膜6を介在させた熱圧着が行われる。したがって、熱圧着箇所の下層には熱圧着を阻害する有機材の層が無いので、異方性導電膜6は引出電極(30,31)と接続対象4の電極40との間に挟持されて充分に加圧されることになり、引出電極(30,31)と電極40との電気的な接続を確実に行うことができる。   According to the organic EL display device of this embodiment and the manufacturing method thereof, the underlying layer 2 formed on the substrate 1 has a flattened layer 20 made of an organic material at a position corresponding to the thermocompression bonding portion at the time of connection. The connection portion 5 is formed by being removed. The lead electrodes (30, 31) drawn from the organic EL elements (3A, 3B, 3C) are different between the lead electrodes (30, 31) and the electrodes 40 of the connection object 4 at the connection portion 5. Thermocompression bonding with the isotropic conductive film 6 interposed is performed. Therefore, since there is no organic material layer hindering thermocompression bonding in the lower layer of the thermocompression bonding portion, the anisotropic conductive film 6 is sandwiched between the extraction electrode (30, 31) and the electrode 40 of the connection object 4. The pressure is sufficiently applied, and the electrical connection between the extraction electrodes (30, 31) and the electrode 40 can be reliably performed.

また、下地層除去面20Aが上向きのテーパ面を形成するので、その上にも成膜による層形成を行うことができる。そして、テーパ面の傾斜角度をθ=45°±30°の範囲に設定することによって、平坦化層20上に形成するパシベーション層21或いは引出電極30をこのテーパ面で分断することなく形成することができ、良好な有機EL素子(3A,3B,3C)の表示性能を確保することができる。   Further, since the underlayer removal surface 20A forms an upward tapered surface, it is possible to form a layer by film formation thereon. Then, by setting the inclination angle of the taper surface in the range of θ = 45 ° ± 30 °, the passivation layer 21 or the extraction electrode 30 formed on the planarizing layer 20 is formed without being divided by this taper surface. The display performance of the favorable organic EL elements (3A, 3B, 3C) can be ensured.

なお、前述した各実施例では、接続部5上にパシベーション層21を形成した例を示しているが、接続部5においては、平坦化層20を露出させない範囲でパシベーション層21を除去して、基板1の表面を露出させてもよい。   In addition, in each Example mentioned above, although the example which formed the passivation layer 21 on the connection part 5 is shown, in the connection part 5, the passivation layer 21 is removed in the range which does not expose the planarization layer 20, The surface of the substrate 1 may be exposed.

1 基板
2 下地層
20 平坦化層
20A 下地層除去面
21 パシベーション層
3 有機EL素子領域
3A,3B,3C 有機EL素子
30A,31A 電極
32A,32B,32C 有機発光機能層
33,33A 機能要素
30,31 引出電極
4 接続対象
40 電極
5 接続部
6 異方性導電膜
7 熱圧着部材
8 薄膜トランジスタ(TFT)
9A,9B,9C 色変換フィルタ又はカラーフィルタ
100 レジスト層
100A 開口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Underlayer 20 Flattening layer 20A Underlayer removal surface 21 Passivation layer 3 Organic EL element region 3A, 3B, 3C Organic EL element 30A, 31A Electrode 32A, 32B, 32C Organic light emitting functional layer 33, 33A Functional element 30, 31 Extraction electrode 4 Connection object 40 Electrode 5 Connection part 6 Anisotropic conductive film 7 Thermocompression bonding member 8 Thin film transistor (TFT)
9A, 9B, 9C Color conversion filter or color filter 100 Resist layer 100A Opening

Claims (2)

基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成し、該下地層の上に有機EL素子を形成する有機EL素子領域と、前記基板上の周辺部分で、前記有機EL素子からの引出電極に対して接続対象を電気的に接続する接続部と、を有する有機EL表示装置において、
前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、かつ、最上層にガスバリア性のパシベーション層が形成され、該パシベーション層上に前記有機EL素子が形成され、
前記接続部は、全て前記パシベーション層で覆われており、その上に前記引出電極が形成されており、
前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、前記引出電極と前記接続対象との間に異方性導電膜を介在させ熱圧着により接続され、
前記接続部は、前記接続時の熱圧着箇所に合わせて、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を除去し、
前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする有機EL表示装置。
A base layer including at least one layer made of an organic material is formed on a substrate, an organic EL element region for forming an organic EL element on the base layer, and a peripheral portion on the substrate, from the organic EL element In an organic EL display device having a connection portion for electrically connecting a connection target to the extraction electrode of
The underlayer has a flattening layer that fills the unevenness of the thin film transistor, color conversion filter, or color filter provided for each organic EL element formed on the substrate, and a gas barrier passivation layer is formed as the uppermost layer. The organic EL element is formed on the passivation layer,
The connection parts are all covered with the passivation layer, and the extraction electrode is formed thereon,
The extraction electrode is connected to the pixel electrode, and is formed on the passivation layer from the organic EL element region to the connection portion, and an anisotropic conductive film is interposed between the extraction electrode and the connection target by thermocompression bonding. Connected,
The connecting portion removes at least one layer made of an organic material of the flattening layer in accordance with the thermocompression bonding portion at the time of the connection,
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein the underlayer removal surface facing the connection portion is an upward tapered surface inclined with respect to the substrate within a range of 45 ° ± 30 °.
基板上に有機材からなる層を少なくとも1層含む下地層を形成する工程と、
前記下地層は、基板上に形成された前記有機EL素子毎に設けられる薄膜トランジスタ、色変換フィルタ又はカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化層を有し、前記平坦化層の少なくとも有機材からなる1層を部分的に除去することによって接続部を形成する工程と、
前記平坦化層の上面及び前記接続部上にパシベーション層を形成する工程と、
前記基板上の有機EL素子領域の前記パシベーション層の上に有機EL素子を形成すると共に前記基板上の周辺部分の前記接続部に引出電極を形成する工程と、
前記接続部において、前記引出電極と接続対象の電極との間に異方性導電膜を介在させてこれらを熱圧着する工程とを有し、
前記引出電極は画素電極と接続し、前記有機EL素子領域から前記接続部まで前記パシベーション層上に形成され、
前記接続部に面する下地層除去面は、前記基板に対して45°±30°の範囲内で傾斜した上向きのテーパ面であることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
Forming a base layer including at least one layer made of an organic material on a substrate;
The underlayer has a flattening layer that fills unevenness of a thin film transistor, a color conversion filter, or a color filter provided for each organic EL element formed on a substrate, and is one layer made of at least an organic material of the flattening layer Forming a connecting portion by partially removing
Forming a passivation layer on the upper surface of the planarization layer and the connection part;
Forming an organic EL element on the passivation layer in the organic EL element region on the substrate and forming an extraction electrode on the connection portion in the peripheral portion on the substrate;
In the connecting portion, there is a step of thermocompression bonding these by interposing an anisotropic conductive film between the extraction electrode and the electrode to be connected,
The extraction electrode is connected to the pixel electrode, and is formed on the passivation layer from the organic EL element region to the connection portion,
The method for manufacturing an organic EL display device, wherein the underlayer removal surface facing the connection portion is an upward tapered surface inclined within a range of 45 ° ± 30 ° with respect to the substrate.
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