JP2009081100A - 誘導加熱調理器 - Google Patents
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Abstract
【課題】工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高い誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
【解決手段】インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子5と、半導体スイッチング素子5の温度を検知する温度検知手段10とを備え、半導体スイッチング素子5とインバータ基板との半田付け部に絶縁部材9を半田付けし、この絶縁部材9に温度検知手段10を取り付けたものである。これによって、温度検知手段10は半導体スイッチング素子5の温度を直接的に精度よく検知することができる。また、半導体スイッチング素子5とインバータ基板との半田付け部の絶縁部材9に温度検知手段10を取り付けているため、工数少なく、また冷却風の影響を受け難くすることができる。
【選択図】図2
【解決手段】インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子5と、半導体スイッチング素子5の温度を検知する温度検知手段10とを備え、半導体スイッチング素子5とインバータ基板との半田付け部に絶縁部材9を半田付けし、この絶縁部材9に温度検知手段10を取り付けたものである。これによって、温度検知手段10は半導体スイッチング素子5の温度を直接的に精度よく検知することができる。また、半導体スイッチング素子5とインバータ基板との半田付け部の絶縁部材9に温度検知手段10を取り付けているため、工数少なく、また冷却風の影響を受け難くすることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子の温度を精度よく検知するようにした誘導加熱調理器に関するものである。
近年、誘導加熱調理器は安全・清潔・高効率という優れた特徴が認知され、この誘導加熱調理器に加えて、ラジェントヒータやロースター用のシーズヒータなどを備えた複数の加熱手段を有する誘導加熱調理器が一般家庭のキッチンに普及されている。
従来、この種の誘導加熱調理器は、複数の熱源それぞれを駆動させるインバータ電源の発熱部品、特に、半導体スイッチング素子を冷却するための冷却ファンが備わっている。ところで、ハイパワー化や基板部品の高密度実装により冷却条件が厳しくなってきている中で、同時4口(左右後ろ誘導加熱+ロースターなど)使用や、吸排気口を塞がれたりする場合が多くなってきている。そんな背景の中、インバータ電源のスイッチングを司る半導体スイッチング素子の熱暴走を防ぐ方法として、サーミスタを用いて半導体スイッチング素子が熱暴走する前に停止させ温度上昇を防いでいた。この場合、サーミスタを取り付けて温度を検出する方法としては、サーミスタを放熱フィンに別途ビス締めして放熱フィンより検出する方法があった(例えば、特許文献1、2参照)。
特開平2−312182号公報
特許第2892454号公報
しかしながら、前記従来の構成では、サーミスタを放熱フィンへビス締めするため工数が増し、コスト高となり、しかも検出温度が半導体スイッチング素子の直接の温度ではなく放熱フィンの温度であり、さらには冷却風による影響が大きいため温度検出精度が悪く、感度が悪いという課題があった。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高い誘導加熱調理器を提供することを目的とする。
前記従来の課題を解決するために、本発明の誘導加熱調理器は、インバータ電源の回路を搭載するインバータ基板と、前記インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子の温度を検知する温度検知手段とを備え、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部に絶縁部材を半田付けし、この絶縁部材に温度検知手段を取り付けたものである。
これによって、温度検知手段は半導体スイッチング素子の温度を直接的に精度よく検知することができる。また、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部の絶縁部材に温度検知手段を取り付けているため、工数少なく、また冷却風の影響を受け難くすることができる。
本発明の誘導加熱調理器は、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第1の発明は、インバータ電源の回路を搭載するインバータ基板と、前記インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子の温度を検知する温度検知手段とを備え、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部に絶縁部材を半田付けし、この絶縁部材に温度検知手段を取り付けた誘導加熱調理器とすることにより、温度検知手段は半導体スイッチング素子の温度を直接的に精度よく検知することができる。また、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部の絶縁部材に温度検知手段を取り付けているため、工数少なく、また冷却風の影響を受け難くすることができる。
第2の発明は、特に、第1の発明において、絶縁部材は、接続、検知する半導体スイッチング素子の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗チップ型抵抗器としたことにより、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第3の発明は、特に、第1の発明において、絶縁部材は、接続、検知する半導体スイッチング素子の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗アキシャル型抵抗器としたことにより、第2の発明と同様、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第4の発明は、特に、第1〜第3のいずれか1つの発明において、半導体スイッチング素子は、IGBTであることにより、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第5の発明は、特に、特に、第1〜第3のいずれか1つの発明において、半導体スイッチング素子は、MOSFETであることにより、第4の発明と同様、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第6の発明は、特に、第4の発明において、半導体スイッチング素子であるIGBTのコレクタ端子をインバータ基板と半田付けしたことにより、第4の発明と同様、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第7の発明は、特に、第5の発明において、半導体スイッチング素子であるMOSFETのドレイン端子をインバータ基板と半田付けしたことにより、第5の発明と同様、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第8の発明は、特に、第1〜第7のいずれか1つの発明において、温度検知手段としてチップ型サーミスタを用いたことにより、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
第9の発明は、特に、第1〜第8のいずれか1つの発明において、温度検知手段を絶縁部材とを同一構造体として一体化したことにより、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
(実施の形態1)
図1、図2は、本発明の実施の形態1における誘導加熱調理器のインバータ電源を示している。
図1、図2は、本発明の実施の形態1における誘導加熱調理器のインバータ電源を示している。
図1に示すように、本実施の形態における誘導加熱調理器は、インバータ電源の回路を搭載するインバータ基板1と、交流を直流に変換する整流器2と、整流器2によって整流された直流を平滑する平滑コンデンサ3と、共振コンデンサ4と、インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子5と、整流器2と半導体スイッチング素子5を取り付けた熱伝導の良いアルミなどでできた放熱フィン6と、放熱フィン6へ送風する冷却ファン7を備えている。
そして、図2に示すように、半導体スイッチング素子5の脚部(基板パターン部)はインバータ基板1の銅パターン8と半田付けしてある。半導体スイッチング素子5とインバータ基板1との半田付け部(半導体スイッチング素子5のコレクタ端子部)に絶縁部材9の端子部を半田付けし、この絶縁部材9に温度検知手段10を取り付けている。また、絶縁部材9、温度検知手段10はインバータ基板1の裏面に半田付けされているものであり、放熱フィン6へ送風する冷却ファン7の冷却風の影響を受けにくい構成としている。これにより、温度検知手段10は半導体スイッチング素子5の温度を直接的に精度よく検知することができる。
すなわち、温度検知手段10は、半導体スイッチング素子5あるいはその近傍の温度を直接的に精度よく検知することができ、しかも工数の少ない、また冷却風の影響を受け難い構成とすることで、温度検出精度および感度の高いものとすることができる。このため、使用者にとって安全でかつ使用中に容易に加熱が停止することなく、機器が破壊して使用不能となる前には確実に機器を停止することができる。
以上の構成において、誘導加熱調理器はよく知られているように、高周波発生装置(インバータ基板1)から発生した高周波電流が加熱コイル(図示せず)に流れることによって発生する磁束により負荷の鉄鍋などを加熱するものである。整流器2と半導体スイッチング素子5は、高周波電流の発生時に発熱するため、放熱フィン6でその熱を吸収させている。さらに冷却ファン7によって、機器本体の上面に設けた吸気口から外気を吸い込んで放熱フィン6に送風し、排気口より排出することにより、半導体スイッチング素子5や整流器2が温度上昇により熱破壊しないよう、その破壊上限温度である150℃未満に冷却している。
このように、本実施の形態では、温度検知手段は半導体スイッチング素子の温度を直接的に精度よく検知することができる。また、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部の絶縁部材に温度検知手段を取り付けているため、工数少なく、また冷却風の影響を受け難くすることができる。
なお、絶縁部材9は、接続、検知する半導体スイッチング素子5の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗チップ型抵抗器とすることができる。また、絶縁部材9は、接続、検知する半導体スイッチング素子5の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗アキシャル型抵抗器とすることができる。いずれの場合も、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
また、半導体スイッチング素子5は、IGBT、またはMOSFETとすることができる。そして、IGBTの場合は、IGBTのコレクタ端子をインバータ基板に、また、MOSFETの場合は、MOSFETのドレイン端子をインバータ基板に半田付けするものである。いずれの場合も、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
さらに、温度検知手段10としてはチップ型サーミスタを用いることができる。この場合は、安価で、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができる。
(実施の形態2)
図3は、本発明の実施の形態2における誘導加熱調理器の温度検知手段部分を示している。
図3は、本発明の実施の形態2における誘導加熱調理器の温度検知手段部分を示している。
図に示すように、本実施の形態においては、温度検知手段10を絶縁部材9と同一構造体11として一体化したものである。すなわち、温度検知手段10は半田取り付け可能な端子部を有し、かつ絶縁性を有した絶縁部材9と温度検知手段10を同一構造にて一体化した同一構造体11で構成したものである。他の構成は実施の形態1と同様である。
このように、本実施の形態では、同一構造体とすることにより、安価でかつ、工数の少ない、また冷却風の影響を受け難く、温度検出精度および感度の高い構成を得ることができる。
以上のように、本発明にかかる誘導加熱調理器は、工数少なく、また冷却風の影響を受け難く、かつ半導体スイッチング素子の温度検出精度および感度の高いものとすることができるので、誘導加熱調理器全般に適用することができる。
1 インバータ基板
2 整流器
3 平滑コンデンサ
4 共振コンデンサ
5 半導体スイッチング素子
6 放熱フィン
7 冷却ファン
8 銅パターン
9 絶縁部材
10 温度検知手段
11 同一構造体
2 整流器
3 平滑コンデンサ
4 共振コンデンサ
5 半導体スイッチング素子
6 放熱フィン
7 冷却ファン
8 銅パターン
9 絶縁部材
10 温度検知手段
11 同一構造体
Claims (9)
- インバータ電源の回路を搭載するインバータ基板と、前記インバータ電源を構成する半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子の温度を検知する温度検知手段とを備え、半導体スイッチング素子とインバータ基板との半田付け部に絶縁部材を半田付けし、この絶縁部材に温度検知手段を取り付けた誘導加熱調理器。
- 絶縁部材は、接続、検知する半導体スイッチング素子の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗チップ型抵抗器とした請求項1に記載の誘導加熱調理器。
- 絶縁部材は、接続、検知する半導体スイッチング素子の電位によって必要とされる絶縁距離を有した高抵抗アキシャル型抵抗器とした請求項1に記載の誘導加熱調理器。
- 半導体スイッチング素子は、IGBTである請求項1〜3のいずれか1項に記載の誘導加熱調理器。
- 半導体スイッチング素子は、MOSFETである請求項1〜3のいずれか1項に記載の誘導加熱調理器。
- 半導体スイッチング素子であるIGBTのコレクタ端子をインバータ基板と半田付けした請求項4に記載の誘導加熱調理器。
- 半導体スイッチング素子であるMOSFETのドレイン端子をインバータ基板と半田付けした請求項5に記載の誘導加熱調理器。
- 温度検知手段としてチップ型サーミスタを用いた請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘導加熱調理器。
- 温度検知手段を絶縁部材と同一構造体として一体化した請求項1〜8のいずれか1項に記載の誘導加熱調理器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007250891A JP2009081100A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 誘導加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007250891A JP2009081100A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 誘導加熱調理器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009081100A true JP2009081100A (ja) | 2009-04-16 |
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ID=40655682
Family Applications (1)
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JP2007250891A Pending JP2009081100A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 誘導加熱調理器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009081100A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9267915B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-02-23 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US10730743B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-08-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Gas sensor packages |
US11587839B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-02-21 | Analog Devices, Inc. | Device with chemical reaction chamber |
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2007250891A patent/JP2009081100A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9267915B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-02-23 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US9513246B2 (en) | 2010-12-22 | 2016-12-06 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
US10730743B2 (en) | 2017-11-06 | 2020-08-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Gas sensor packages |
US11587839B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-02-21 | Analog Devices, Inc. | Device with chemical reaction chamber |
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