JP2009076576A - Light-emitting device - Google Patents

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Toshio Hata
Taro Yamamuro
太郎 山室
俊雄 幡
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シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for mounting light-emitting elements which can mount a large number of light-emitting elements with a good radiative property and only wirings in the substrate and is excellent in the radiative property, a light generating module and an illuminator constituted by mounting the light-emitting elements in the substrate, and further to make it possible to carry out a temperature management of a light-emitting device by providing a sensor loading portion on the substrate.
SOLUTION: In the light-emitting device there are provided wiring patterns as an unevenness-like light-emitting element loading position on an enameled substrate 1 on which an enameled layer 2 is covered on a front surface of a core metal. A plurality of light-emitting elements are alternately loaded. A resistance temperature sensor loading portion is provided at a corner or an end on the substrate. Thereby, since a temperature of the light-emitting device can be seen, fixed variations and reliability are improved.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光ダイオード(以下、LEDと記す。)などの発光素子を複数個実装するための発光素子実装用基板を備える発光装置に関する。 The present invention is a light emitting diode (hereinafter, LED and referred.) Relates to a light emitting device including a light emitting element mounting substrate for multiple mounting the light emitting element such. さらに、本発明は、照明などに発光装置を利用する目的で、高密度に発光素子を実装した発光装置において、放熱性を確保し、複数の発光素子に給電が可能な発光素子実装基板を備える発光装置に関する。 Furthermore, the present invention comprises for the purpose of using the light emitting device to lighting, the light emitting device mounted with high density light-emitting element, ensuring heat dissipation, the light emitting element mounting substrate that can supply power to the plurality of light emitting elements invention relates to a light-emitting device.

現在、発光ダイオードなどの半導体の発光素子を備える発光素子モジュール等は、様々な用途に利用されている。 Currently, light emitting device module such as with a semiconductor light-emitting element such as a light emitting diode is used in various applications. したがって、該用途を広げるために、より高出力の発光素子モジュール等について研究が進められている。 Therefore, in order to widen the application, research has been promoted for a higher output of the light emitting element module, or the like.

図16は、従来の発光素子モジュールの一実施形態の平面図であり、図17は、従来の発光素子モジュールの別の一実施形態の平面図である。 Figure 16 is a plan view of one embodiment of a conventional light emitting device module, Fig. 17 is a plan view of another embodiment of a conventional light emitting device module.

まず、図16に基づいて、従来の発光素子モジュールについて説明する。 First, based on FIG. 16, it described conventional light emitting device module.
発光素子モジュール550は、実装用ホーロー基板540の上面側に、複数の発光素子500を格子状に配置して、実装した構成になっている。 Light emitting device module 550, the upper surface side of the mounting enameled substrate 540, by arranging a plurality of light emitting elements 500 in a lattice shape, and is mounted with the structure. 略長方形型の実装用ホーロー基板540の一辺には、段付き部530が形成されている。 The one side of the substantially rectangular shaped mounting enameled substrate 540, the stepped portion 530 is formed. 該段付き部530は、実装用ホーロー基板540を折り曲げることによって、ほぼ実装用ホーロー基板540の厚み分だけ実装用ホーロー基板540における他の部分よりも、厚み方向の高さが低い。 Stepped-in portion 530, by bending the mounting enameled substrate 540, than the other portions in the thickness of only the mounting enameled substrate 540 of approximately mounting enameled substrate 540, in the thickness direction is lower in height. そして、該段付き部530を除いた実装用ホーロー基板540のいわゆる本体部分は、正方形をなしている。 Then, the so-called body part of the mounting enameled substrate 540 except for the stepped-in portion 530 is a square. 図16において、実装用ホーロー基板540の段付き部530には、複数の突起520が厚み方向に突出形成されている。 In Figure 16, the stepped portion 530 of the mounting enameled substrate 540, a plurality of projections 520 is formed projecting in the thickness direction. また、実装用ホーロー基板540における段付き部530が形成された辺と対向する辺には、突起520と相対する位置に複数の貫通穴510が穿設されている。 Further, the side facing the stepped portion 530 of the mounting enameled substrate 540 is formed sides, a plurality of through holes 510 are formed in the opposite position and the protrusion 520.

ここで、図16における発光素子モジュール550は、実装用ホーロー基板540上に複数の発光素子500を搭載している。 Here, the light emitting device module 550 in FIG. 16 is equipped with a plurality of light emitting elements 500 on the mounting enameled substrate 540. 図16に示すように複数の発光素子500を搭載した発光素子モジュール550は、放熱性が悪くなり、それに伴なって色度バラツキが生じ、信頼性が低下することが想定される。 Light-emitting device module 550 having a plurality of light emitting elements 500 as shown in FIG. 16, heat dissipation is poor, it occurs chromaticity variation is accompanied, it is assumed that the reliability is lowered. また、発光素子モジュール550は、段付き部530を備え、かつ、発光素子モジュール550の突起520を別の発光素子モジュール550の貫通穴510に差し込むことで複数の発光素子モジュール550を接続する構造となっている。 Further, the light emitting device module 550 includes a structure that includes a stepped portion 530, and connecting a plurality of light emitting device module 550 by inserting the protrusions 520 of the light emitting device module 550 into the through hole 510 of another light emitting device module 550 going on. しかし、接続箇所によって、該発光素子モジュール550どうしの固定にバラツキが発生し、それに伴なって、放熱性の低下を招き、ひいては信頼性の低下を招くことが予想される。 However, the connection points, the variation occurs in a fixed and if the light emitting element module 550, it is accompanied, cause a decrease in heat radiation, are expected to lead and thus reduced reliability.

次に、図17に基づいて、従来の別の発光措置モジュールについて説明する。 Next, with reference to FIG. 17, a description will be given of another conventional light emitting action module.
発光素子モジュール590は、実装用ホーロー基板560上に導電層600が形成され、該導電層600上に発光素子570が配置されている。 Light emitting device module 590, the conductive layer 600 is formed on the mounting enameled substrate 560, the light emitting element 570 is disposed on the conductive layer 600. また、他の実装用ホーロー基板560との接続部としての接続用端子580が形成されている。 The connection terminal 580 of the connecting portion between the other of the mounting enameled substrate 560 is formed.

ここで、図17における発光素子モジュール590は、実装用ホーロー基板560上の長手方向に複数の発光素子570を搭載している。 Here, the light emitting device module 590 in FIG. 17 is equipped with a plurality of light emitting elements 570 in the longitudinal direction on the mounting enameled substrate 560. 図17に示すように複数の発光素子570を搭載した発光素子モジュール590は、放熱性が悪くなり、それに伴なって色度バラツキが生じ、信頼性が低下することが想定される。 Light-emitting device module 590 having a plurality of light emitting elements 570 as shown in FIG. 17, heat dissipation is poor, it occurs chromaticity variation is accompanied, it is assumed that the reliability is lowered. また、発光素子モジュール590の端部に接続用端子580を設けて発光素子モジュール590を接続させる構造となっているが、発光素子モジュール590を連続して接続する際に、発光素子モジュール550どうしの固定にバラツキが発生し、放熱性の低下を招き、ひいては信頼性の低下を招くことが予想される。 Further, a connection terminal 580 provided on the end portion of the light emitting device module 590 has a structure for connecting the light emitting device module 590, but when connecting the light emitting device module 590 consecutively, No and if the light emitting device module 550 variation occurs in fixed, causes deterioration of heat dissipation, is expected to lead and thus reduced reliability.
特開2006−344693号公報 JP 2006-344693 JP 特開2007−27695号公報 JP 2007-27695 JP

上述のように、現状において、基板上に発光素子を複数配置してなる発光素子モジュールは、放熱性がよいとはいえない。 As described above, in the present situation, the light emitting device module of the light emitting device comprising a plurality disposed on the substrate, is not a good heat dissipation.

また、基板上に発光強度の高い発光素子を一つ配置してなる発光装置の場合には、輝点状の発光となり、このために人の目には眩しく感じられ、用途が限定されるという問題が生じている。 Also, as in the case of one arrangement to become light-emitting device with high emission intensity light-emitting elements on a substrate becomes a light emitting bright spot shape, the feel glare to the human eye in order, applications are limited problem has occurred. また、発光強度の高い発光素子は、発熱が集中し、放熱が悪いという問題がある。 Further, a light-emitting element with high emission intensity, heat generation is concentrated, the heat dissipation is poor.

本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、放熱性が高く、実装性に富む実装用ホーロー基板に複数の発光素子を配置してなる発光装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, an object of the present invention has high heat dissipation properties, made by arranging a plurality of light emitting elements on the mounting enameled substrate rich in mounting light-emitting device it is to provide a.

本発明は、コア金属の表面にホーロー層を被覆して形成されたホーロー基板上に、凹凸状の配線パターンが、複数平行に配置されて形成され、配線パターン上に複数の発光素子が搭載され、発光素子と配線パターンとがボンディングワイヤで接続され、発光素子とボンディングワイヤとを覆うように封止樹脂で封止され、極性が異なる2つの電極外部接続ランド、および極性が異なる2つのセンサ搭載用外部接続ランドを備えた発光装置に関する。 The present invention is an enamel layer to the enamel on the substrate formed by coating the surface of the core metal, the uneven wiring patterns are formed by a plurality of parallel arranged, a plurality of light emitting elements are mounted on the wiring pattern a light-emitting element and the wiring pattern are connected by bonding wires are sealed with a sealing resin so as to cover the light emitting element and the bonding wire, the two electrodes external connection lands different polarity, and the polarity is different two sensors mounted a light emitting device having a Yogaibu connection land.

また、本発明の発光装置において、発光素子が、凹凸状の配線パターンにおける長手方向の一方側に搭載されていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the light emitting element is preferably mounted on one side in the longitudinal direction of the concavo-convex shape of the wiring pattern.

また、本発明の発光装置において、電極外部接続ランドおよびセンサ搭載用外部接続ランドは、ホーロー基板における同じ一辺側に沿って設けられていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, electrode external connection land and the sensor mounting external connection lands it is preferably provided along the same one side in the enameled substrate. このとき、一辺側に設けられているために、コネクタが一つですみ、コネクタの脱着が容易となる。 At this time, because it is provided on one side end, the connector requires only one, desorption of the connector is facilitated.

また、本発明の発光装置において、電流を供給するための正または負のいずれか一方の配線パターンに、極性を現わすための極性認識貫通穴をさらに備えていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the positive or negative one of the wiring patterns for supplying a current, preferably further comprises a polar recognition through hole for Wath polarity current.

また、本発明の発光装置において、配線パターンの端部または隅部にテストパターン接続ランドをさらに備えていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, preferably further includes a test pattern connection lands to the ends or corner portions of the wiring pattern. このとき発光装置が点灯するかどうかのテストに用いることができる。 At this time it can be used to test whether the light emitting device is turned on.

また、本発明の発光装置において、ホーロー基板上にワイヤボンディングおよびダイボンディングのための自動認識用マークが設けられていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, it is preferable that the mark for automatic recognition for wire bonding and die bonding is provided on the porcelain enamel substrate.

また、本発明の発光装置において、2つの電極外部接続ランドに、2つのセンサ搭載用外部接続ランドが挟まれて設けられていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the two electrode external connection land, it is preferable that two sensors mounted for external connection lands are provided sandwiched.

また、本発明の発光装置において、ホーロー基板の周縁部または隅部に複数の固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部が設けられていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, it is preferable that the peripheral portion or a plurality of fixing through holes and / or fixing cutting chipped portion at a corner of the enameled substrate is provided.

また、本発明の発光装置において、ホーロー基板の裏面側の周縁部または隅部に電流供給を行なうソケットが設けられていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, it is preferable that the socket to perform the current supply to the peripheral portion or the corner portion of the rear surface side of the enameled substrate is provided.

また、本発明の発光装置において、コア金属は、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼から選ばれる少なくとも一つからなることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the core metal, ultra low carbon steel, low carbon steel, preferably made of at least one selected from medium carbon steel and high carbon steel.

また、本発明の発光装置において、ホーロー基板における固定用冶具が、ホーロー基板と同じ材質からなることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, a fixing jig in the enameled substrate is preferably made of the same material as the enamel substrate. このとき発光装置からの熱による基板と固定用治具の収縮による影響が低減できる。 At this time it can be reduced thermal effect due to the contraction of the substrate and the fixing jig by from the light-emitting device.

また、本発明の発光装置において、隣接する発光素子どうしは、配線パターン上で、側面が対向しないように、ちどり状に配置されていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, each other adjacent light emitting elements, on the wiring pattern, so that the side surface does not face, it is preferably arranged in a zigzag pattern. このとき、大きな寸法の発光装置を搭載するのに好ましい。 At this time, preferably for mounting the light emitting device of large dimensions. また、このとき、多数の発光装置が実装できるのに好ましい。 At this time, it preferred for a number of light emitting devices can be implemented.

また、本発明の発光装置において、封止樹脂の形状は、略六角形状、八角形状、円形状および長方形状のいずれかであることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the shape of the sealing resin is substantially hexagonal shape, it is preferable octagonal, is either circular and rectangular.

また、本発明の発光装置において、ホーロー基板の形状は、略多角形状、略円形状および略正方形状のいずれかであることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the shape of the enameled substrate is substantially polygonal shape, and are preferably substantially either circular and substantially square shape.

また、本発明の発光装置において、封止樹脂は、蛍光体材料を含有していることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the sealing resin preferably contains a fluorescent material.

また、本発明の発光装置において、センサ搭載用外部接続ランドに接続されるセンサは、温度センサであることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, a sensor connected to the external connection land for sensor mounting is preferably a temperature sensor.

また、本発明は、上述の発光装置を用いた液晶ディスプレイのバックライト光源、照明用光源、照明用器具光源、表示装置または信号機に関する。 Further, the present invention relates to a liquid crystal display backlight light source using the above-described light-emitting device, the illumination light source, lighting appliances source, a display device or signal device.

本発明の発光装置は、コア金属の表面にホーロー層が被覆されてなるホーロー基板上に複数の発光素子を搭載している構成であって、基板上の凹凸形状配線パターンを発光素子の搭載面および給電面として用いるため多数の発光素子を実装でき、かつ、放熱性が良く、しかも大面積の発光装置を簡単に実現することができる。 The light emitting device of the present invention is a structure in which are mounted a plurality of light emitting elements enamel on the substrate enamel layer on the surface of the core metal is coated, the mounting surface of the light emitting element irregularities wiring pattern on the substrate and it can implement a large number of light-emitting elements for use as a power supply plane, and good heat dissipation, yet can be easily realized a light emitting device having a large area.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings. なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。 Note that the same or corresponding parts in the following drawings, the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。 The length in the drawings, the size, the dimensional relationships, such as width, appropriate for clarification and simplification of the drawing are changed, it does not represent the actual dimensions.

<実施の形態1> <Embodiment 1>
≪発光装置≫ «Light-emitting device»
図1は、実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載される前の状態を模式的に示す平面図である。 Figure 1 is a plan view schematically showing a state before the light-emitting element is mounted on the enamel substrate in the light-emitting device of the first embodiment. 図2は、実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載され、かつ封止樹脂で封止される前の状態を模式的に示す平面図である。 Figure 2 is a plan view schematically showing a state before the light-emitting element is mounted on enameled substrate, and is sealed with a sealing resin in the light-emitting device of the first embodiment. 図3は、実施の形態1の発光装置を模式的に示す平面図である。 Figure 3 is a plan view schematically showing a light emitting device of the first embodiment. 図4は、実施の形態1の発光装置を模式的に示す斜視図である。 Figure 4 is a perspective view of the light-emitting device of the first embodiment schematically. 以下、図1〜図4に基づいて説明する。 It will be described below with reference to FIGS.

まず、本実施の形態における発光装置120の構造について説明する。 First, the structure of the light emitting device 120 of this embodiment.
本実施の形態における発光装置120は、コア金属の表面に絶縁性を有するホーロー層2を被覆して形成されたホーロー基板1上に、長手方向に凹凸状の配線パターン3が複数平行に配置されて形成されている。 The light emitting device 120 of this embodiment, on the enamel substrate 1 formed by coating the enamel layer 2 having an insulating property on the surface of the core metal, longitudinally uneven wiring pattern 3 is more parallel to It is formed Te. ホーロー基板1の形状を略八角形状である。 Enamel substrate 1 to form a substantially octagonal shape. そして、複数の発光素子としてのLEDチップ12が凹凸状の配線パターン3における長手方向の一方側に搭載されている。 Then, it mounted on one side in the longitudinal direction of the wiring pattern 3 LED chip 12 is uneven as a plurality of light emitting elements. このとき、隣接するLEDチップ12どうしは、配線パターン3上で、側面が対向しないように、ちどり状に配置されている。 At this time, if the LED chip 12 adjacent, on the wiring pattern 3, as side does not face, are arranged in a zigzag pattern. 具体的には、凹凸状の配線パターン3における凹状の部分の端部と凸状の部分の端部とにLEDチップ12を配置している。 More specifically, the arranged LED chips 12 to the end portions of the convex portion of the concave portion of the concavo-convex-shaped wiring pattern 3. なお、全ての凹状の部分の端部と凸状の部分の端部とにLEDチップ12を配置する必要はない。 It is not necessary to arrange the LED chips 12 to the end portions of the convex portions of all of the concave portion.

また、LEDチップ12と配線パターン3とはボンディングワイヤWによって接続されている。 Is also connected by a bonding wire W is a LED chip 12 and the wiring pattern 3. また、それぞれ極性が異なる正の電極外部接続ランド4と負の電極外部接続ランド5と極性が異なる2つのセンサ搭載用外部接続ランド6とがホーロー基板1における同じ一辺側に沿って設けられている。 Also respectively different polarity positive electrode external connection land 4 and the negative electrode external connection land 5 and polarity two different sensor mounting external connection lands 6 are provided along the same one side in the enameled substrate 1 . このとき正の電極外部接続ランド4と負の電極外部接続ランド5に、2つのセンサ搭載用外部接続ランド6が挟まれるかたちで設けられている。 In this case the positive electrode external connection land 4 and the negative electrode external connection land 5, two sensor mounting external connection lands 6 are provided in the form sandwiched. なお、本明細書において「ランド」というときは、所定の面積を有し、電気的に接続可能な領域をいうこととする。 Incidentally, the term "land" as used herein, has a predetermined area, and to refer electrically connectable area.

そして、LEDチップ12とボンディングワイヤ(図示せず)は、封止樹脂層13に覆われ封止されている。 Then, LED chip 12 and the bonding wires (not shown) is sealed covered with the sealing resin layer 13. 本実施の形態において、封止樹脂13は1種類以上蛍光体を含有しており、適宜調整することができる。 In this embodiment, the sealing resin 13 is contained one or more phosphors, it can be appropriately adjusted. 発光装置120において、該封止樹脂層13が形成されている箇所を発光部200とする。 In the light emitting device 120, a light emitting unit 200 a portion of the sealing resin layer 13 is formed. 本実施の形態においては、発光部200の形状はほぼ正方形状とする。 In the present embodiment, the shape of the light emitting portion 200 is a substantially square shape.

また、発光装置120には、取り付け緩衝部9、取り付け部11、電極外部接続ランドおよびセンサ搭載用外部接続ランドに接続された外部配線(図示せず)を備える。 Further, the light emitting device 120 includes a mounting buffer section 9, the mounting portion 11, the electrode external connection land and the connected external wiring to the external connection lands for sensor mounting (not shown). 取り付け部11は、ホーロー基板1の周縁部または隅部に設けられた複数の固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部である。 Mounting portion 11 is a plurality of fixing through holes provided in the peripheral portion or the corner portion of the enameled substrate 1 and / or fixing cutting chipping unit. そして、センサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14としての抵抗温度センサが取り付けられている(接続されている)。 Then, the sensor mounting external connection lands 6, the resistance temperature sensor (connected) is mounted as a sensor 14. ボンディングワイヤまたはLEDチップ12の搭載位置を認識するための自動認識用パターン8、および極性認識貫通穴7が備えられている。 Automatic recognition patterns 8 for recognizing the mounting position of the bonding wire or the LED chip 12 and the polarity recognition through hole 7, is provided. また、配線パターン3の端部にワイヤーの短絡、絶縁用およびLEDチップ12の点灯確認用としてのテストパターン接続ランド10が設けられている。 Also, short-circuiting of wires, the test pattern connection land 10 for the lighting confirmation of the insulating and LED chips 12 are provided at the end of the wiring pattern 3.

また、図4に示すように、発光装置120の裏面側にコネクタ300、およびコネクタ300に形成された凸部15が備えられている。 Further, as shown in FIG. 4, the back side to the connector 300, and the convex portion 15 formed in the connector 300 of the light emitting device 120 is provided. コネクタ300に形成されている凸部15と電流を供給するための正または負のいずれか一方の配線パターン3に形成された極性認識貫通穴7が合うときに限り、外部より発光装置に電流が給電されるよう設計されている。 Only when the polarity recognition through hole 7 formed in the positive or negative of one of the wiring patterns 3 for supplying the protrusion 15 and the current being formed in the connector 300 fits, the current outside from the light emitting device It is designed to be powered.

また、テストパターン接続ランド10を設けることによって、LEDチップ12の不良(点灯不良など)、ボンディングワイヤの不良(短絡、断線など)を認識できるため、製造工程において、良品のLEDチップ12との置き換えあるいは再度ボンディングワイヤを取り付ける等行なうことにより発光装置120の不良低減を行なうことができる。 Further, by providing the test pattern connection land 10, (such as lighting failure) failure of the LED chip 12, the bonding wire failure (short-circuit, disconnection, etc.) because it can recognize, in the manufacturing process, replacement of the LED chip 12 of the non-defective Alternatively it is possible to perform defect reduction of the light emitting device 120 by performing again the like attaching the bonding wires. テストパターン接続ランド10は、配線パターン3の端部または隅部に備えることができる。 Test pattern connecting lands 10 may be provided on the end portion or corner portion of the wiring pattern 3.

また、自動認識用パターン8が設けられていることによって、製造工程でダイボンディングワイヤボンディングを行なう際にチップ搭載精度およびワイヤボンディング精度が良くなる。 Moreover, by the automatic recognition patterns 8 are provided, the chip mounting accuracy and the wire bonding accuracy when performing die bonding wire bonding is improved in the manufacturing process.

ここで、ホーロー基板1におけるコア金属の材質は、熱伝導率がよく、ホーロー層2を強固に焼き付けることができる金属材料が好ましく、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼から選ばれる少なくとも一つからなるものが好ましく、特に、低炭素鋼板が好ましい。 Here, the material of the core metal in the enameled substrate 1 may heat conductivity, preferably a metal material that can burn enamel layer 2 firmly, ultra low carbon steel, low carbon steel, medium carbon steel and high carbon steel is preferably one comprising at least one member selected from, in particular, low carbon steel is preferred. ここで、C含有量が0.01質量%未満のものを極低炭素鋼、〜0.3質量%未満のものを低炭素鋼、0.3質量%以上0.7質量%未満のものを中炭素鋼、0.7質量%以上のものを高炭素鋼と呼ぶ。 Here, C content ultra-low carbon steel of less than 0.01 wt%, low carbon steel of less than 0.3 wt%, those of less than 0.3 wt% to 0.7 wt% medium carbon steel, referred to as a high-carbon steel of not less than 0.7 mass%. これは、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼からなるコア金属が、セラミックスなどと比較して、機械加工が容易であり、傾斜面を持つ凹部を簡単に形成できるためである。 This ultra-low carbon steel, low carbon steel, a core metal made of medium carbon steel and high carbon steel, compared such as ceramics, is easy to machine, it is possible to easily form a recess having an inclined surface it is. またさらに、発光装置120により高い放熱性と耐熱性を要求される場合においては、該コア金属は、熱伝導性に優れているために、駆動電流として大電流が供給できる。 Furthermore, in a case requiring high heat dissipation and heat resistance by the light emitting device 120, the core metal is to have excellent thermal conductivity, a large current can be supplied as a drive current. さらにまた、該コア金属を用いることによって、LEDチップ12の信頼性の向上ができ、LEDチップ12からの熱による蛍光体の劣化を抑えることができる。 Furthermore, by using the core metal, improve the reliability of the LED chip 12 can, it is possible to suppress deterioration of the phosphor due to heat from the LED chip 12.

また、ホーロー層2の材質は、コア金属の表面に薄く焼き付けることができ、十分な電気絶縁性が得られる材料が好ましく、たとえばガラスを主体とした材料の中から選択して使用できる。 The material of the enamel layer 2 can burn thinly on the surface of the core metal, sufficient material electrically insulating property can be obtained is preferred, can be used to select for example from the material mainly composed of glass. コア金属表面にホーロー層2を形成するために用いられるなかでもアルカリフリーのガラス材料が好ましく、該ガラス材料の熱伝導率は約1W/mKである。 Glass material preferably alkali-free among used to form the enamel layer 2 on a core metal surface, the thermal conductivity of the glass material is about 1W / mK. 該ホーロー層2の厚さは、20μm以上200μm以下の範囲内とすることが好ましく、30μm以上100μm以下の範囲内とすることが特に好ましい。 The thickness of the enamel layer 2 is preferably in the range of 20μm or 200μm or less, and particularly preferably in the range of 30μm or 100μm or less. ホーロー層2の厚さが20μm未満であると、放熱性が良好となる反面、薄すぎるために部分的にコア金属が露出してしまい、電気絶縁性が保てない。 If the thickness of the enamel layer 2 is less than 20 [mu] m, although the heat dissipation is good, partially will be the core metal is exposed for too thin, it can not be maintained electrically insulating. ホーロー層2の厚さが200μmより厚すぎると、電気絶縁性は十分に保てるが、放熱性は低下するという問題がある。 If the thickness of the enamel layer 2 is too thick than 200 [mu] m, the electrical insulation is sufficiently maintained, but heat dissipation is lowered.

また、発光装置120を照明器具等に固定するための固定用治具(図示せず)は、ホーロー基板1と同じ材質からなることが好ましい。 The fixing jig for fixing the light emitting device 120 to the lighting equipment or the like (not shown) is preferably made of the same material as enameled substrate 1. つまり、ホーロー基板1におけるコア金属をホーロー層2で被覆してなる固定用治具を用いることが好ましい。 In other words, it is preferable to use a fixing jig formed by coating a core metal in the enameled substrate 1 in the enamel layer 2. 固定用冶具は、ホーロー基板1と同じ材質からなる発光装置120とすると、ホーロー基板1と熱膨張の同じ材料で固定用冶具を作製すると発光装置120を製造する際または発光装置120の動作中に発生する熱による反り等でホーロー基板1の割れやヒビが入ることを低減できる。 Fixing jig, when the light emitting device 120 made of the same material as the enamel substrate 1, during operation when or light emitting device 120 to produce a light emitting device 120 to produce a fixing jig of the same material of the enameled substrate 1 and the thermal expansion of cracks or fissures enameled substrate 1 in warpage due to heat generated can be reduced that is entered. このため、発光装置120の歩留まりを低下させることはない。 Therefore, it does not decrease the yield of the light emitting device 120. 具体的には、ホーロー層が被覆された低炭素鋼板を基板として使用する場合は、固定用冶具としてのホーロー層が被覆された低炭素鋼のネジを用いることが好ましい。 Specifically, when using a low carbon steel sheet enamel layer is coated as a substrate, it is preferable to use a low-carbon steel screws enamel layer is coated as a fixing jig.

また、センサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14として抵抗温度センサ(サーミスタ、リニア抵抗器、白金測温抵抗器)のほか、チップ電流ヒューズ(薄膜チップ)、フォトセンサ(フォト・ダイオード等)および湿度センサ(抵抗可変型湿度センサ等)などを搭載してもよい。 Further, the sensor mounting external connection lands 6, a resistance temperature sensor as the sensor 14 (a thermistor, linear resistors, platinum temperature-measuring resistors) addition, the chip current fuse (thin chips), the photosensor (photodiode, etc.) and the humidity sensor (resistance variable type humidity sensors, etc.) may be mounted like. さらに、センサ14には、該抵抗温度センサ以外にも、温度を測定できる機能を備える温度センサであれば特に限定はされない。 Furthermore, the sensor 14, in addition to the resistance temperature sensor is not particularly limited as long as the temperature sensor having a function capable of measuring temperature. たとえば、センサ14としてチップ電流ヒューズ(薄膜チップ)を搭載することによって、過電流が発光装置120に流れた場合に発光装置120を保護する。 For example, by mounting the chip current fuse (thin film chip) as the sensor 14, the overcurrent to protect the light emitting device 120 when flowing to the light emitting device 120.

次に、本実施の形態の発光装置120の動作について説明する。 Next, the operation of the light emitting device 120 of this embodiment.
まず、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5に接続された外部配線によって配線パターン3に印加される。 First, it is applied to the wiring pattern 3 by the positive electrode external connection land 4 and negative connected external wiring electrode external connection land 5. このとき、図4に示すように、発光装置120の裏面側にコネクタ300およびコネクタ300に形成された凸部15が備えられている。 At this time, as shown in FIG. 4, the projection 15 is provided which is formed in the connector 300 and the connector 300 on the back side of the light emitting device 120. コネクタ300に形成されている凸部15と電流を供給するための正または負のいずれか一方の配線パターン3に形成された極性認識貫通穴7とが図4に示すように合うときに限り、外部より発光装置に電流が給電されることになる。 Only when the fit as shown in the polarity recognition through hole 7 Togazu 4 formed on the positive or negative one of the wiring patterns 3 for supplying the protrusion 15 and the current being formed in the connector 300, current is to be fed to the outside from the light emitting device. そして、本実施の形態の発光装置120においては、複数のLEDチップ12を搭載しているため、発光部200の全体から均一な発光を得ることができる。 Then, the light emitting device 120 of this embodiment, since the mounting a plurality of LED chips 12, it is possible to obtain uniform light emission from the entire light emitting portion 200.

また、発光装置120におけるセンサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14として抵抗温度センサを発光装置120に搭載されており、発光装置120の温度をみることができるため、発光装置120の固定バラツキがわかるため、発光装置120の信頼性が推定される。 Further, the sensor mounting external connection lands 6 in the light emitting device 120 is a resistance temperature sensor is mounted on the light emitting device 120 as the sensor 14, it is possible to see the temperature of the light emitting device 120, a fixed variation of the light emitting device 120 since the known, reliability of the light emitting device 120 it is estimated. また、コア金属に熱伝導のよい材質を用いているため、発光装置120の端部あるいは隅部にセンサ14を搭載していても、発光装置120中心の温度を測定していることになる。 Moreover, due to the use of good material thermal conductivity to the core metal, Even with the sensor 14 on the end portion or the corner portion of the light emitting device 120, it means that measures the temperature of the light emitting device 120 center. ここで、発光装置120を消灯した状態で、正常に発光装置の裏面と発光装置の固定用治具とが密着性よく固定された場合は、たとえばセンサ14として抵抗温度センサ(リニア抵抗器)の抵抗値は、1000Ωを示し、推定される温度は、25℃と見積もられる。 Here, in a state that turns off the light emitting device 120, if the fixing jig of the back surface and the light-emitting device of the normally light emitting device is fixed with good adhesion, resistance temperature sensor (linear resistor) as for example a sensor 14 resistance value indicates 1000 [Omega], temperature estimated is estimated to be 25 ° C.. 発光装置の裏面と発光装置固定用治具の密着性が不十分な場合は、たとえば該抵抗温度センサの抵抗値は1018Ωを示す。 When adhesion of the rear surface of the light emitting device and the light-emitting device fixing jig is insufficient, for example, the resistance value of the resistance temperature sensor indicates a 1018Omu. 密着性が不十分とは、取り付けネジが均一に締まっていないため、発光装置の裏面にゴミ等を挟んでいるなどが考えられる。 The adhesion is unsatisfactory, because the mounting screws not tightened evenly, like sandwich the dust can be considered the rear surface of the light emitting device. 該密着性が不十分の場合には、取り付けネジの締め直し、発光装置の裏面確認、発光装置固定用治具側の表面確認をし、抵抗温度センサで推定温度が25℃付近になるようにする。 If said seal adhesion is inadequate, tighten the mounting screws, the rear surface check of the light emitting device, a surface check of the light emitting device fixing jig side, so that the estimated temperature resistance temperature sensor is in the vicinity of 25 ° C. to. なお、センサ14としては、該抵抗温度センサに限定されず、温度を測定する機能を有する温度センサであれば同様の動作、効果を提供できる。 As the sensor 14 is not limited to the resistance temperature sensor, the same operation as long as the temperature sensor having the function of measuring the temperature, can provide effective.

さらにまた、ホーロー基板1は、コア金属にホーロー層2を被覆したもので、発光素子12の信頼性を確保するための高放熱性と、高密度実装を可能にする形状任意性、高い電気絶縁性を有する。 Furthermore, enameled substrate 1 is obtained by coating the enamel layer 2 on the core metal, and a high heat dissipation to ensure the reliability of the light emitting element 12, the shape arbitrariness that allows for high density packaging, high electrical insulation having sex. また、基板上の金属配線パターンに直接発光素子を実装できるため、効率的に発光装置120の外部に熱を逃がすことが可能である。 Further, since it directly mounted light emitting device to the metal wiring pattern on the substrate, outside of efficiently emitting device 120 is capable of releasing heat. さらに、一般的な金属基板で行なわれている絶縁層の形成を行なっていないため、湿度や熱による絶縁層の変質や剥がれなどが発生する心配がない。 Furthermore, since not performed in the formation of typical metal substrates conducted in which the insulating layer, such as humidity and heat by or deterioration of the insulating layer peeling is no fear of occurrence.

従来では横一列あるいは縦一列にLEDチップが基板に搭載されており、隣接するLEDチップ間の距離が近く、さまざまな問題が生じていた。 In the prior are LED chips in a row or one column is mounted on the substrate, the distance between adjacent LED chips is close, various problems have occurred. 該問題としては、たとえば、該距離が近いことによるLEDチップどうしの接触、あるいはボンディングワイヤどうしの接触などが挙げられる。 Examples of the problems, for example, contact of the LED chip to each other, which due to the distance is short, or the like, such as a bonding wire to each other contact. 本実施の形態によると、LEDチップ12は、所定の距離を保った配置となるため、上述のような問題を生じにくくなる。 According to this embodiment, LED chips 12, since the arrangement with a predetermined distance, less likely to occur such problems as described above. つまり、LEDチップ12の載置領域を該配置のようにすることにより、発光装置120の放熱対策が容易にできる。 In other words, the placement area of ​​the LED chip 12 by as the arrangement can facilitate heat dissipation of the light emitting device 120.

また、本実施の形態における正の電極外部接続ランド4、負の電極外部接続ランド5およびセンサ搭載用外部接続ランド6の配置によると、配線パターン3および外部配線の引き回しが容易となる。 Further, the present embodiment the positive electrode external connection land 4 in the form of, according to the arrangement of the negative electrode external connection land 5 and the sensor mounting external connection lands 6, thereby facilitating routing of the wiring pattern 3 and the external wiring.

≪製造方法≫ «Manufacturing method»
図5〜図9は、本実施の形態における製造方法の各工程を模式的に示した断面図である。 5-9 are cross-sectional views schematically showing steps in a manufacturing method according to the present embodiment. 以下、図1および図5〜図9に基づいて本実施の形態における発光装置の製造方法について説明する。 Hereinafter, the method of manufacturing the light emitting device in this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 5-9.

まず、図1に基づいて説明する。 First, it will be described with reference to FIG.
厚さ1〜3mmで、所望の面積を有するコア金属を切り出す。 Thick 1 to 3 mm, cut out a core metal having a desired area. そして、該コア金属の辺には、必要に応じて取り付け部11となる切欠部を設ける。 Then, the the core metal of the sides, providing a notch as the mounting portion 11 as needed.

次に、適当な分散媒にガラス粉末を分散させた液中に該コア金属を吊るし、さらにその該コア金属と対向する位置に電極を配し、ガラスをコア金属に電着させる。 Next, we hung the core metal in a liquid prepared by dispersing glass powder in a suitable dispersion medium, arranged electrode further to the said core metal and a position opposed to electrodepositing glass core metal. 次に、取り出したコア金属を高温で焼成してガラスをコア金属の表面に焼き付ける。 Then, baking glass by firing the core metal taken out at a high temperature on the surface of the core metal. 薄く均一なホーロー層2を形成することで、ホーロー基板1が得られる。 Thin by forming a uniform enamel layer 2, enameled substrate 1 is obtained. 該ホーロー層2の膜厚はコア金属の表面と裏面における双方とも20〜200μmとなるように制御を行なう。 Thickness of the enamel layer 2 performs control so that 20~200μm both at the surface and the back surface of the core metal. 次に、スクリーン印刷法などの方法によってホーロー層2上に凹凸状の配線パターン3を形成する。 Next, to form an uneven wiring patterns 3 on the enamel layer 2 by a method such as screen printing. 配線パターン3の厚みは15〜20μmとすることができる。 The thickness of the wiring pattern 3 can be 15 to 20 [mu] m. また、ホーロー基板上の隅部に自動認識用パターン8を形成する。 Further, to form an automatic recognition patterns 8 at a corner on the enameled substrate. 各配線パターン3の端部にテストパターン接続ランド10を設ける。 Providing a test pattern connection land 10 on the end portion of each wiring pattern 3. 以上の工程により配線パターン3を備えるホーロー基板1が形成される。 Enameled substrate 1 is formed with a wiring pattern 3 by the above steps.

以下、図5〜図9に基づいて説明する。 It will be described below with reference to FIGS. 5-9.
図5に示すように、配線パターン3を備えたホーロー層2を有するホーロー基板1を準備する。 As shown in FIG. 5, to prepare the enamel substrate 1 having enamel layer 2 having a wiring pattern 3.

次に図6に示すように、配線パターン3におけるLEDチップ12の所定の搭載位置にLEDチップ12を樹脂等で固定する。 Next, as shown in FIG. 6, the LED chip 12 is fixed by a resin or the like to a predetermined mounting position of the LED chip 12 on the wiring pattern 3.

次に図7に示すように、LEDチップ12と配線パターン3とをボンディングワイヤWを用いて電気的に接続する。 Next, as shown in FIG. 7, it is electrically connected using a bonding wire W to the LED chip 12 and the wiring pattern 3.

次に図8に示すように、ホーロー基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート16を密着させる。 Next, as shown in FIG. 8, it brought into close contact with substantially rectangular silicone rubber sheet 16 on the enameled substrate 1. そして、シリコーンゴムシート16内に蛍光体を含む封止樹脂13を注入し、この蛍光体を含む封止樹脂13を熱硬化させる。 Then, by injecting a sealing resin 13 containing a phosphor in a silicone rubber sheet 16, the sealing resin 13 containing the phosphor is thermally cured.

次に図9に示すように、シリコーンゴムシート16を取り除き、発光部200が形成される。 Next, as shown in FIG. 9, removing the silicone rubber sheet 16, the light emitting portion 200 is formed. ここで、シリコーンゴムシート16は蛍光体を含有した封止樹脂13を注入する際のダム(樹脂漏れを防ぐ)のような機能を有している。 Here, the silicone rubber sheet 16 has a function as a dam when injecting the sealing resin 13 containing a phosphor (prevent resin leakage). したがって、シリコーンゴムシート16はダムシートと呼べるような特徴を有している。 Thus, the silicone rubber sheet 16 has the characteristics that can be called with the dam sheet. また、シリコーンゴムシート16は、何度も使用することが可能である。 Also, the silicone rubber sheet 16 can be used many times. また、シリコーンゴムシート16の形状を変えることにより発光部200の形状を容易にいろいろと変えることができる。 Further, it is possible to easily change variously the shape of the light emitting portion 200 by changing the shape of the silicone rubber sheet 16.

≪その他部材について≫ «Other members»
封止樹脂13を形成する具体的樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や、耐光性に優れたシリカゾル、ガラスなどの透光性無機材料が好適に用いられる。 Specific resin material for forming the sealing resin 13, preferably epoxy resin, urea resin, transparent resin and which is excellent in weather resistance such as a silicone resin, silica sol excellent in light resistance, light transmitting inorganic material such as glass, used to. また、封止樹脂13には、上述のように蛍光体のほか、拡散剤を含有させても良い。 Further, the sealing resin 13, in addition to the phosphor as described above, may contain a diffusing agent. 具体的な拡散剤の材料としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、二酸化珪素等が好適に用いられる。 As a material of a specific diffusing agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, calcium carbonate, silicon dioxide or the like is preferably used.

該蛍光体としては、Eu(ユーロピウム)を賦活したα-サイアロン、Eu(ユーロピウム)を賦活したβ-サイアロン、Eu(ユーロピウム)を賦活した純窒化物であるカズン(CaAlSiN 3 )、Y 22 S:Eu、ZnS:Cu,Al、(Ba,Mg)Al 1017 :Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg) 10 (PO 4612 :Eu、(Ba,Mg)Al 1017 :Eu、BOSE:Eu(ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート)、SOSE:Eu(ユーロピウム賦活スロトンチウム・バリウム・オルソシリケート)、(Si・Al) 6 (O・N) 8 :Eu、(Ba・Sr) 2 SiO 4 :Eu、BaMgAl 1017 :Eu、SrAl 24 :Eu、3.5MgO・0.5MgF 2・GeO 2 :Mn、Ba 1. The phosphor, Eu is (europium) was activated with α- sialon was activated with Eu (europium) beta-sialon, pure nitrides activate the Eu (europium) Cousins (CaAlSiN 3), Y 2 O 2 S: Eu, ZnS: Cu, Al, (Ba, Mg) Al 10 O 17: Eu, Mn, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4) 6 C 12: Eu, (Ba, Mg) Al 10 O 17: Eu, BOSE: Eu ( europium activated barium strontium orthosilicate), SOSE: Eu (europium activated strontium-barium orthosilicate), (Si · Al) 6 (O · N) 8: Eu, ( Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu, BaMgAl 10 O 17: Eu, SrAl 2 O 4: Eu, 3.5MgO · 0.5MgF 2 · GeO 2: Mn, Ba 1. 5 Sr 0.5 SiO 4 :Eu、Sr 2 Ba 1 SiO 5 :Eu、Ca 3 (Sc・Mg) 2 Si 312 :Ce、CaSc 24 :Ce、(Y・Gd) 3 Al 512 :Ce、(Sr・Ca)AlSiN 3 :Eu、CaAlSiN 3 :Eu、La 22 S:Eu、(Ba・Sr) 2 SiO 4 :Eu、BaMgAl 1017 :Eu、BaMgAl 1017 :Eu,Mn、Ca(Si・Al) 12 (O・N) 16 :Eu、(Si・Al) 6 (O・N) 8 :Eu、(Y,Gd) 3 Al 512 :Ce、Tb 3 Al 512 :Ce、Lu 3 Al 512 :Ce、(Y,Gd) 3 Al 512 :Ceの少なくとも一つ以上から成る蛍光体を好適に用いることができる。 5 Sr 0.5 SiO 4: Eu, Sr 2 Ba 1 SiO 5: Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12: Ce, CaSc 2 O 4: Ce, (Y · Gd) 3 Al 5 O 12: ce, (Sr · Ca) AlSiN 3: Eu, CaAlSiN 3: Eu, La 2 O 2 S: Eu, (Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu, BaMgAl 10 O 17: Eu, BaMgAl 10 O 17: Eu, Mn, Ca (Si · Al) 12 (O · N) 16: Eu, (Si · Al) 6 (O · N) 8: Eu, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, Lu 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: a phosphor composed of at least one Ce can be suitably used.

LEDチップ12としては、たとえば、SiC基板上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色LEDチップ、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色LEDチップ、ZnO(酸化亜鉛)系化合物半導体より成る青色系のLEDチップ、InGaAlP系LEDチップおよびAlGaAs系化合物半導体のLEDチップを用いることができる。 The LED chip 12, for example, a blue LED chip to form a light-emitting portion of the gallium nitride-based on a SiC substrate, a blue LED chip to form a light-emitting portion of the gallium nitride-based on a sapphire substrate, ZnO (zinc oxide) based compound semiconductor it can be used blue LED chips, InGaAlP-based LED chip and AlGaAs-based compound semiconductor LED chip comprising more.

なお、封止樹脂13を形成する際に滴下して形成してもよい。 It may be formed by dropping in forming the sealing resin 13. また、金型を用いて封止樹脂体を形成してもよく、この封止樹脂体の形状として、封止樹脂体を例えば上方に凸となる半球状の形状に形成して封止樹脂体にレンズとしての機能を持たせることも可能になる。 It is also possible to form the sealing resin member using a mold, the shape of the sealing resin member, the resin portion formed in a hemispherical shape which is convex sealing resin material e.g. upward it becomes possible to provide a function as a lens.

なお、LEDチップの一方の面にP側電極およびN側電極が形成され、その面を上面として2本のワイヤボンディングを行なった状態を示した。 Incidentally, P-side electrode and the N-side electrode is formed on one surface of the LED chip, showing a state of performing wire bonding of the two the surface as the top surface. また、LEDチップ12の発光色は、青色発光、紫外線発光のものや緑色発光のものを用いてもよい。 Also, emission color of the LED chip 12 emitting blue light may be used as those of ultraviolet light or green light. また、LEDチップから発する光を蛍光体によって変換して白色を得てもよいし、蛍光体を用いずにたとえば赤、緑、青の3色のLEDチップをそれぞれ用いて白色、電球色など照明に必要な色を得ても良い。 Further, to the light emitted from the LED chip may be obtained white converted by the phosphor, for example red without a phosphor, green, respectively using the three colors of LED chips and blue white, warm white, lighting it may be obtained the required color to.

また、LEDチップ12と配線パターン12との接着は熱硬化性樹脂などによって行なうことができる。 Further, adhesion between the LED chip 12 and the wiring pattern 12 can be carried out by such a thermosetting resin. 具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂やシリコーン樹脂などが挙げられる。 Specifically, an epoxy resin, an acrylic resin, and imide resin or a silicone resin.

以下に説明する別の実施の形態においては、上述した材料を適宜選択することができる。 In another embodiment described below, it can be appropriately selected foregoing material.

<実施の形態2,3> <Embodiment 2>
図10は、実施の形態2の発光装置を模式的に示す平面図である。 Figure 10 is a plan view schematically showing a light emitting device of the second embodiment. 図11は、実施の形態3の発光装置を模式的に示す平面図である。 Figure 11 is a plan view schematically showing a light emitting device of the third embodiment.

まず、図10に基づいて実施の形態2について説明する。 First, the second embodiment will be described with reference to FIG. 発光装置130は、発光部210の形状が八角形であること以外は、実施の形態1と同様の構造である。 The light emitting device 130, except that the shape of the light emitting portion 210 is octagonal, the same structure as the first embodiment. つまり、製造工程において、封止樹脂の上面から見た形状を八角形としたものである。 In other words, in the manufacturing process, in which the shape viewed from the top surface of the sealing resin was octagonal.

次に、図11に基づいて実施の形態3について説明する。 Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. 11. 発光装置140は、発光部220の形状が円形であること以外は、実施の形態1と同様の構造である。 The light emitting device 140, except that the shape of the light emitting portion 220 is circular, the same structure as the first embodiment. つまり、製造工程において、封止樹脂の上面から見た形状を円形としたものである。 In other words, in the manufacturing process, in which the shape viewed from the top surface of the sealing resin is circular.

図10および図11に示す実施の形態のほか、該封止樹脂の上面から見た形状は、多角形状、長方形状をなしていても良い。 In addition to the embodiment shown in FIGS. 10 and 11, the shape viewed from the upper surface of the sealing resin, polygonal, may be a rectangular shape. そして、輝点発光が問題となる場合は、該封止樹脂は、略正多角形状あるいは円形状であることが好ましい。 Then, if the bright spot emission is an issue, sealing resin is preferably a substantially regular polygonal shape or circular shape.

また、発光装置の形状、つまり、ホーロー基板の形状も略多角形状、略円形状および略正方形状または、その他適宜選択することができる。 The shape of the light-emitting device, i.e., shape substantially polygonal shape of the enameled substrate, substantially circular and substantially square shape or may be selected other suitable. たとえば、ホーロー基板の形状が、長方形状、略正方形状の場合、発光素子を密着して並べることができ、後述する蛍光灯型LEDランプに好適に用いることができる。 For example, the shape of the enameled substrate, rectangular, in the case of a substantially square shape, it is possible to arrange in close contact with the light emitting element can be suitably used in the fluorescent LED lamp, which will be described later. また、発光装置を電球型LEDランプに用いるときには、該ホーロー基板の形状は、略円形状あるいは略多角形状であることが好ましい。 Further, when the light emitting device is used for a bulb-type LED lamp, the shape of the enameled substrate, and are preferably substantially circular or substantially polygonal shape. また、発光装置の輝点発光が問題となる場合は、ホーロー基板の形状は角形状、六角形状が好ましい。 Further, if the bright spot light emission of the light-emitting device causes a problem, the shape of the enameled substrate is square shaped, hexagonal shape is preferred.

<実施の形態4> <Embodiment 4>
図12は、実施の形態4の発光装置を模式的に示す平面図である。 Figure 12 is a plan view schematically showing a light emitting device of the fourth embodiment. 以下、図12に基づいて説明する。 It will be described below with reference to FIG. 12.

発光装置150は、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5にそれぞれリード線320を接続し、その端にコネクタ300が取り付けられている、そして、コネクタ300の受け側としてソケットとしてのソケットインサートコネクタ310が取り付けられている。 Emitting device 150, the sensor mounting external connection lands 6, connect the positive electrode external connection land 4 and the negative electrode external connection land 5 to the lead wire 320, respectively, the connector 300 is attached to the end, and, socket insert connector 310 as the socket is mounted as the receiving side of the connector 300. そのほかは、実施の形態1と同様の形態である。 In addition are the same form as in the first embodiment.

本実施の形態によると、発光装置150の外部に、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5からリード線320を出すことにより、発光装置150の動作時における発光部230の発熱からコネクタ300を保護することができる。 According to this embodiment, the outside of the light emitting device 150, the sensor mounting external connection lands 6, by issuing a positive electrode external connection land 4 and the lead wires 320 from the negative electrode external connection land 5, the light emitting device 150 it is possible to protect the connector 300 from the heat generation of the light emitting portion 230 during operation.

該ソケットは、裏面側の周縁部または隅部に設置され、電極およびセンサに電流供給を行なうためのものである。 The socket is installed in the peripheral portion or the corner portion of the back side is used to perform the current supply to the electrodes and the sensor.

<実施の形態5> <Embodiment 5>
図13は、実施の形態5の発光装置を模式的に示す平面図である。 Figure 13 is a plan view schematically showing a light emitting device of the fifth embodiment. 以下、図13に基づいて説明する。 It will be described below with reference to FIG. 13.

発光装置160は、発光素子(図示せず)およびボンディングワイヤ(図示せず)を、設置した発光素子の数に応じて円形状の封止樹脂で被覆して、複数の発光部240を形成している。 The light emitting device 160, a light emitting element (not shown) and a bonding wire (not shown), coated with a circular sealing resin according to the number of installed light emitting elements to form a plurality of light emitting portions 240 ing. その他の構造については、実施の形態1における発光装置と同様である。 The other structure is the same as the light-emitting device of the first embodiment.

本実施の形態において、発光部240であると一つ一つの光源が小さく見えるため、照明器具にした場合、光が拡散して均一に見え、大きな照明器具として用いる場合に非常に都合がよい。 In this embodiment, since one single light source look smaller If it is emitting unit 240, when the lighting fixture, light appeared uniform diffuse, very good convenient when used as a large luminaire.

<実施の形態6> <Embodiment 6>
図14は、発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な正面図である。 Figure 14 is a schematic front view showing one embodiment of a bulb-type LED lamp with an illumination light source using a light emitting device. また、図15は、発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な上面図である。 15 is a schematic top view showing an embodiment of a bulb-type LED lamp with an illumination light source using a light emitting device. 以下、図14または図15に基づいて説明する。 It will be described below with reference to FIG. 14 or 15.

電球型LEDランプ1000は、実施の形態1における発光装置120を照明用光源として備えている。 Bulb-type LED lamp 1000 is provided with a light-emitting device 120 of the first embodiment as a light source for illumination. また、電球型LEDランプ1000は、電球ソケット1010、反射面1020、搭載面1030および取り付けネジ111を備える。 Moreover, the bulb-type LED lamp 1000 is provided with a light bulb socket 1010, the reflective surface 1020, mounting surface 1030 and the mounting screws 111. 本実施の形態において、実施の形態1〜実施の形態5のいずれかの発光装置を適宜選択して利用することができる。 In the present embodiment, it is possible to use one of the light emitting device of the fifth embodiment 1 embodiment embodiment appropriately selected and.

本実施の形態の電球型LEDランプ1000は、白色を含め電球色など任意の色調を提供することができる。 Bulb-type LED lamp 1000 of this embodiment can provide any color, such as light bulb color including white. 該電球型LEDランプ1000に利用された発光装置は、製造方法が容易で、色ズレが発生しにくいためである。 Electric bulb type light-emitting device utilized in the LED lamp 1000 is easy to manufacture process, because the color misregistration hardly occurs.

また、実施の形態1〜実施の形態5における発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、照明用光源、照明用器具光源、表示装置または信号機に用いることも可能である。 Further, the light emitting device in Modes 1 Embodiment 5, the liquid crystal display backlight, illumination light source, lighting appliances source, it is also possible to use a display device or signal device.

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 The present invention will hereinafter be described by examples in more detail, the present invention is not limited thereto.

[実施例] [Example]
<実施例1> <Example 1>
図1〜図9に基づいて本実施例を以下説明する。 The present embodiment will be described below with reference to FIGS. 1-9.

ホーロー基板1を準備するため以下のような操作を行なった。 Subsequent procedures were performed as follows to prepare the enamel substrate 1. まず、厚さ1.4mm、幅40mmの八角形で、4つの辺が19mm、他の4つの辺が14mmの低炭素鋼板を切り出した。 First, the thickness of 1.4 mm, with octagonal width 40 mm, four sides are 19 mm, the other four sides are cut out low-carbon steel sheet of 14 mm. 鋼板の長辺に2つの切欠部を設けた。 Which two notches to the long side of the steel sheet. この切欠は、長辺の真ん中で幅4mm、切り込み深さ4mmとした。 The notch has a width 4mm in the middle of the long side, and a cutting depth 4mm. 次に、分散媒にガラス粉末を分散させた分散液にコア金属を吊るし、さらにそのコア金属と対向する位置に電極を配し、ガラスをコア金属に電着させる。 Next, the dispersion medium hung core metal dispersion solution obtained by dispersing glass powder, further arranged electrodes to the core metal and a position opposed to electrodepositing glass core metal. そして、取り出したコア金属を高温で焼成してガラスをコア金属の表面に焼き付けて、ホーロー層2を形成した。 Then, by baking the glass by firing the core metal taken out at a high temperature on the surface of the core metal to form the enamel layer 2. 該ホーロー層2は、コア金属の表裏面双方において膜厚が100μmであった。 The enamel layer 2, the thickness in the front and back surfaces both core metal was 100 [mu] m.

次に、スクリーン印刷法によってAuからなる配線パターン3をホーロー層2上に形成した。 Next, to form the wiring pattern 3 consisting of Au on the enamel layer 2 by screen printing. このとき、配線パターン3の厚みは15μmとした。 At this time, the thickness of the wiring pattern 3 was set to 15 [mu] m.
また、ホーロー基板1上の隅部に自動機認識用パターンとして1mm角の自動認識用パターン8を形成した。 Further, to form an automatic recognition patterns 8 of 1mm square as an automatic machine recognition patterns at a corner on the enameled substrate 1. そして、配線パターン3の端部にテストパターン接続ランド10を設けた。 Then, a test pattern connection lands 10 provided on the end portion of the wiring pattern 3. 以上の工程によって、図5に示すような配線パターン3が形成されたホーロー基板1が作製された。 Through the above steps, the enameled substrate 1 a wiring pattern 3 is formed as shown in FIG. 5 was produced.

次に、図2および図6に示すように、配線パターン3の凹凸状の端部にLEDチップ12(短辺幅0.24mm、長辺0.48mm、厚み0.14mm)をエポキシ樹脂で9列×15個=135個固定した。 Next, as shown in FIGS. 2 and 6, LED chip 12 to the uneven ends of the wiring pattern 3 (the short side width 0.24 mm, long side 0.48 mm, thickness 0.14 mm) with an epoxy resin 9 column × 15 pieces = 135 pieces were fixed. 配線パターン上にLEDチップ12を搭載した状態110を図2に示す。 A state 110 equipped with LED chips 12 on the wiring pattern shown in FIG.

次に、図7に示すように、LEDチップ12と配線パターン3とをボンディングワイヤWを用いて電気的接続した。 Next, as shown in FIG. 7, and electrically connecting the LED chip 12 and the wiring pattern 3 using a bonding wire W.

次に、図8に示すように、ホーロー基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート16を密着させた。 Next, as shown in FIG. 8, it is adhered substantially rectangular silicone rubber sheet 16 on the enameled substrate 1. そして、作製される発光装置の発光がCIEの色度表でほぼx、y=(0.345、0.35)となるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:4となるように混合したものを封止樹脂13とした。 Then, almost x, y = (0.345,0.35) become as the silicone resin weight ratio is phosphor and the translucent resin emission in CIE chromaticity table of the light-emitting device to be manufactured 1: a sealing resin 13 a mixture such that 4. そして、シリコーンゴムシート16内に蛍光体を含む封止樹脂13を注入し、封止樹脂13を150℃の温度で60分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂体13を形成した。 Then, the sealing resin 13 containing a phosphor in a silicone rubber sheet 16 was injected to form a sealing resin member 13 including the phosphor is cured 60 minutes a sealing resin 13 at a temperature of 0.99 ° C.. なお、本実施例では、蛍光体として(Ba・Sr) 2 SiO 4 :Euを用いた。 In this embodiment, the phosphor (Ba · Sr) 2 SiO 4 : Using Eu.

そして、図9に示すように、シリコーンゴムシート16を取り除き、発光部200が形成された。 Then, as shown in FIG. 9, removing the silicone rubber sheet 16, the light emitting portion 200 is formed.

なお、本発明の発光装置の色度特性評価は、JISZ8722の条件C,DIN5033teil7,ISOk772411に準拠のd・8(拡散照明・8°受光方式)光学系を採用した測定装置を用いて測定した。 Note that the chromaticity characterization of a light-emitting device of the present invention was measured using the conditions C, DIN5033teil7, ISOk772411 compliance of d · 8 (diffuse illumination · 8 ° light receiving system) measuring device using an optical system of JISZ8722.

最後に、発光部200、正の電極外部接続ランド4、負の電極外部接続ランド5、センサ搭載用外部接続ランド6、取り付け部11の切りかけ、外部接続ランドに接続された外部配線(図示せず)、取り付け緩衝部9および極性認識貫通穴7を公知の方法で作製した。 Finally, the light emitting unit 200, the positive electrode external connection land 4, the negative electrode external connection land 5, the sensor mounting external connection lands 6, the mounting portion 11 Unfinished, without external wiring (not connected to an external connection land ), it was prepared attaching buffer unit 9 and the polarity recognition through hole 7 in a known manner. そして、センサ搭載用外部接続ランド6にセンサ14として、抵抗温度センサであるKOA製角形チップ厚膜リニア正温度係数抵抗器LA73を設置した。 Then, as the sensor 14 to the sensor mounting external connection lands 6, and the KOA made Chip thick linear positive temperature coefficient resistors LA73 is a resistance temperature sensor is installed.

また、図4に示すように、発光装置120の裏面側には、トップ型ボス有りプリント基板用のコネクタ300、コネクタの凸部15を形成した。 Further, as shown in FIG. 4, on the back side of the light emitting device 120 to form a connector 300, the connector protrusions 15 of the printed circuit board there-top boss.

ここで、発光装置120を消灯した状態で、正常に発光装置の裏面と発光装置の固定用治具とが密着性よく固定された場合は、センサ14としての抵抗温度センサ(リニア抵抗器)の抵抗値は、1000Ωを示し、推定される温度は、25℃と見積もられた。 Here, in a state that turns off the light emitting device 120, if the fixing jig of the back surface and the light-emitting device of the normally light emitting device is fixed with good adhesion, resistance temperature sensor as sensor 14 (linear resistor) resistance value indicates 1000 [Omega], temperature estimated was estimated 25 ° C.. 発光装置の裏面と発光装置の固定用治具との密着性が不十分な場合は、該抵抗値は、1018Ωを示した。 If adhesion between the fixing jig of the back surface and the light-emitting device of the light emitting device is insufficient, the resistance value showed 1018Omu. 密着性が不十分とは、取り付けネジが均一に締まっていないため、発光装置の裏面にゴミ等を挟んでいるなどが考えられた。 The adhesion is unsatisfactory, because the mounting screws not tightened evenly, like sandwich the dust on the back surface of the light emitting device is considered. 密着性が不十分のときは、取り付けネジの締め直し、発光装置の裏面確認、発光装置固定用治具側の表面確認をし、該抵抗温度センサで推定温度が25℃付近になるようにした。 When the adhesion is not sufficient, tighten the mounting screws, the rear surface check of the light emitting device, a surface check of the light emitting device fixing jig side, the estimated temperature at the resistance temperature sensor was set to around 25 ° C. .

<実施例2> <Example 2>
図10に基づいて本実施例を以下説明する。 The present embodiment will be described below with reference to FIG.

本実施例においては、発光装置130の発光部210からの発光を電球色とするために蛍光体(Ba・Sr) 2 SiO 4 :Eu、CaAlSiN 3 :Euを含有する封止樹脂を用いた。 In the present embodiment, the phosphor light emission from the light emitting portion 210 to the light bulb color light emitting device 130 (Ba · Sr) 2 SiO 4: Eu, CaAlSiN 3: Using a sealing resin containing Eu.

より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:2.782となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, x in the CIE chromaticity table, y = (0.447,0.406) and becomes the weight ratio silicone resin is a phosphor and a light-transmissive resin such that light is obtained 1 : the mixed sealing resin so that 2.782 was injected into the silicone rubber in the sheet, to form a sealing resin containing a phosphor cured for 30 minutes at a temperature of 120 ° C..

また、ホーロー基板1と発光部210の形状を八角形状にした。 Further, in the form of enameled substrate 1 and the light emitting portion 210 in an octagonal shape. そして、センサ搭載用外部接続ランドには、センサ14としてチップ電流ヒューズ(薄膜チップ)を搭載することにより、過電流が発光装置130に流れた場合に発光装置130を保護できるように設計した。 Then, the external connection land for sensor mounting, by mounting the chip current fuse (thin film chip) as the sensor 14, the overcurrent is designed to protect the light emitting device 130 when flowing to the light emitting device 130.

<実施例3> <Example 3>
図11に基づいて本実施例を以下説明する。 The present embodiment will be described below with reference to FIG.

本実施例においては、発光装置140の発光部220からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN 3 :Eu、Ca 3 (Sc・Mg) 2 Si 312 :Ceを含有する封止樹脂を用いた。 In the present embodiment, the light emitting device 140 of the light emitting portion phosphor emits to a high color rendering from 220 CaAlSiN 3: Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12: sealing resin containing Ce It was used.

より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, x in the CIE chromaticity table, y = (0.447,0.406) and becomes the weight ratio silicone resin is a phosphor and a light-transmissive resin such that light is obtained 1 : 6.78 and a mixed sealing resin so after injecting a silicone rubber in the sheet, to form a sealing resin containing a phosphor cured for 30 minutes at a temperature of 120 ° C..

また、ホーロー基板1の形状を八角形状とし、発光部220の形状をほぼ円形状にした。 Further, the shape of the enameled substrate 1 and octagonal, the shape of the light emitting portion 220 has substantially a circular shape.

<実施例4> <Example 4>
図12に基づいて本実施例を以下説明する。 The present embodiment will be described below with reference to FIG.

本実施例においては、発光装置150の発光部230からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN 3 :Eu、Ca 3 (Sc・Mg) 2 Si 312 :Ceを含有する封止樹脂を用いた。 In the present embodiment, the light emitting device 150 of the light emitting portion 230 phosphor emits to a high color rendering from CaAlSiN 3: Eu, Ca 3 ( Sc · Mg) 2 Si 3 O 12: sealing resin containing Ce It was used.

より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, x in the CIE chromaticity table, y = (0.447,0.406) and becomes the weight ratio silicone resin is a phosphor and a light-transmissive resin such that light is obtained 1 : 6.78 and a mixed sealing resin so after injecting a silicone rubber in the sheet, to form a sealing resin containing a phosphor cured for 30 minutes at a temperature of 120 ° C..

また、発光装置150は、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5にそれぞれリード線320を接続し、その端にコネクタ300が取り付けられている構成とした。 Further, the light emitting device 150, the sensor mounting external connection lands 6, connect the positive electrode external connection land 4 and the negative electrode external connection land 5 to the lead wire 320, respectively, configured connector 300 is attached to the end and the. そして、コネクタ300の受け側としてソケットインサートコネクタ310を取り付けた。 Then, attach the socket insert connector 310 as the receiving side of the connector 300. また、ホーロー基板1の形状を正方形状とし、発光部230の形状はほぼ正方形状とした。 Further, the shape of the enameled substrate 1 a square shape, the shape of the light emitting portion 230 is substantially a square shape. そのほかは、実施例1と同様とした。 In addition were the same as in Example 1.

<実施例5> <Example 5>
図13に基づいて本実施例を以下説明する。 The present embodiment will be described below with reference to FIG. 13.

本実施例においては、発光装置160の発光部240からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN 3 :Eu、Ca 3 (Sc・Mg) 2 Si 312 :Ceを含有する封止樹脂を用いた。 In the present embodiment, the light emitting device 160 of the light emitting portion 240 phosphor emits to a high color rendering from CaAlSiN 3: Eu, Ca 3 ( Sc · Mg) 2 Si 3 O 12: sealing resin containing Ce It was used.

より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合されたものをシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, x in the CIE chromaticity table, y = (0.447,0.406) and becomes the weight ratio silicone resin is a phosphor and a light-transmissive resin such that light is obtained 1 : after 6.78 become so mixed with those that have been injected into the silicone rubber in the sheet, to form a sealing resin containing a phosphor cured for 30 minutes at a temperature of 120 ° C..

また、発光部240の形状は、外径が1.6mmのほぼ円形状で、9列×15個=135個を形成した。 The shape of the light emitting portion 240 is a generally circular outer diameter is 1.6 mm, 9 rows × 15 pieces = 135 pieces was formed. そのほかは、実施例1と同様にした。 In addition were the same as in Example 1.

ここで、実施例1〜実施例5において、発光素子としてのLEDチップ13には、窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色系LEDチップを使用した。 Here, in Examples 1 to 5, the LED chip 13 as a light emitting element, using the blue LED chip made of a gallium nitride-based compound semiconductor.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。 Embodiments and examples disclosed herein are carried out are to be considered and not restrictive in all respects as illustrative. 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The scope of the invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and is intended to include all modifications within the meaning and range of equivalency of the claims.

実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載される前の状態を模式的に示す平面図である。 A state before the light-emitting element is mounted on the enamel substrate in the light-emitting device of the first embodiment is a plan view schematically showing. 実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載され、かつ封止樹脂で封止される前の状態を模式的に示す平面図である。 Light emitting element in the light emitting device of the first embodiment is mounted on the enamel substrate, and is a plan view schematically showing a state before sealed with the sealing resin. 実施の形態1の発光装置を模式的に示す平面図である。 The light emitting device of the first embodiment is a plan view schematically showing. 実施の形態1の発光装置を模式的に示す斜視図である。 The light emitting device of the first embodiment is a perspective view schematically showing. 本実施の形態における製造方法の一工程を模式的に示した断面図である。 One step of the manufacturing method of the present embodiment is a cross-sectional view schematically showing. 本実施の形態における製造方法の一工程を模式的に示した断面図である。 One step of the manufacturing method of the present embodiment is a cross-sectional view schematically showing. 本実施の形態における製造方法の一工程を模式的に示した断面図である。 One step of the manufacturing method of the present embodiment is a cross-sectional view schematically showing. 本実施の形態における製造方法の一工程を模式的に示した断面図である。 One step of the manufacturing method of the present embodiment is a cross-sectional view schematically showing. 本実施の形態における製造方法の一工程を模式的に示した断面図である。 One step of the manufacturing method of the present embodiment is a cross-sectional view schematically showing. 実施の形態2の発光装置を模式的に示す平面図である。 The light emitting device of the second embodiment is a plan view schematically showing. 実施の形態3の発光装置を模式的に示す平面図である。 The light emitting device of the third embodiment is a plan view schematically showing. 実施の形態4の発光装置を模式的に示す平面図である。 The light emitting device of the fourth embodiment is a plan view schematically showing. 実施の形態5の発光装置を模式的に示す平面図である。 The light emitting device of the fifth embodiment is a plan view schematically showing. 発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な正面図である。 It is a schematic front view showing one embodiment of a bulb-type LED lamp with an illumination light source using a light emitting device. 発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な上面図である。 Is a schematic top view showing an embodiment of a bulb-type LED lamp with an illumination light source using a light emitting device. 従来の発光素子モジュールの一実施形態の平面図である。 It is a plan view of one embodiment of a conventional light emitting device module. 従来の発光素子モジュールの別の一実施形態の平面図である。 It is a plan view of another embodiment of a conventional light emitting device module.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ホーロー基板、2 ホーロー層、3 配線パターン、4 正の電極外部接続ランド、5 負の電極外部接続ランド、6 センサ搭載用外部接続ランド、7 極性認識貫通穴、8 自動認識用パターン、9 取り付け緩衝部、10 テストパターン接続ランド、11 取り付け部、12 LEDチップ、13 封止樹脂、14 センサ、15 凸部、16 シリコーンゴムシート、111 取り付けネジ、120,130,140,150,160 発光装置、200,210,220,230 発光部、300 コネクタ、310 ソケットインサートコネクタ、320 リード線、500,570 発光素子、510 貫通穴、520 突起、530 段付き部、540,560 実装用ホーロー基板、550,590 発光素子モジュール、580 接続用端子、600 導電 1 enameled substrate, 2 enamel layer, third wiring pattern, 4 positive electrode external connection land, 5 negative electrode external connection land, 6 sensor mounting external connection lands, 7 polarity recognition through hole 8 for automatic recognition pattern, 9 mounting buffer portion, 10 test pattern connecting land, 11 mounting portion, 12 LED chips, 13 sealing resin 14 sensors, 15 protrusion, 16 silicone rubber sheet, 111 mounting screws, 120,130,140,150,160 emitting device, 200,210,220,230 emitting unit, 300 connector, 310 socket insert connector 320 leads 500,570 emitting element, 510 through hole, 520 projections, 530 stepped portion, enamel substrate 540 and 560 mounted, 550, 590 light emitting element module, 580 connection terminal, 600 conductive 、1000 電球型LEDランプ、1010 電球ソケット、1020 反射面、1030 搭載面、W ボンディングワイヤ。 , 1000 bulb-type LED lamp, 1010 light socket, 1020 reflecting surface 1030 mounting surface, W bonding wire.

Claims (17)

  1. コア金属の表面にホーロー層を被覆して形成されたホーロー基板上に、凹凸状の配線パターンが、複数平行に配置されて形成され、 The enamel layer enamel substrate in which is formed covering the surface of the core metal, the uneven wiring patterns are formed by a plurality of parallel arranged,
    前記配線パターン上に複数の発光素子が搭載され、 A plurality of light emitting elements are mounted on the wiring pattern,
    前記発光素子と配線パターンとがボンディングワイヤで接続され、 Wherein the light emitting element and the wiring pattern are connected by bonding wires,
    前記発光素子とボンディングワイヤとを覆うように封止樹脂で封止され、 Sealed with a sealing resin so as to cover said light emitting element and the bonding wire,
    極性が異なる2つの電極外部接続ランド、 Two electrodes external connection lands different polarity,
    および極性が異なる2つのセンサ搭載用外部接続ランドを備えた発光装置。 And a light-emitting device whose polarity is provided with two different sensor mounting external connection lands.
  2. 前記発光素子が、前記凹凸状の配線パターンにおける長手方向の一方側に搭載された請求項1に記載の発光装置。 The light emitting element, the light emitting device according to claim 1 mounted on one side of the longitudinal direction of the concavo-convex-shaped wiring pattern.
  3. 前記電極外部接続ランドおよび前記センサ搭載用外部接続ランドは、前記ホーロー基板における同じ一辺側に沿って設けられた請求項1または2に記載の発光装置。 The electrode external connection land and the sensor mounting external connection land-emitting device according to claim 1 or 2 provided along the same one side in the enameled substrate.
  4. 電流を供給するための正または負のいずれか一方の前記配線パターンに、極性を現わすための極性認識貫通穴をさらに備えた請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。 A positive or negative one of the wiring pattern for supplying a current, light emitting device according to still claim 1 having a polarity recognition through hole for Wath polarity current.
  5. 前記配線パターンの端部または隅部にテストパターン接続ランドをさらに備えた請求項1〜4のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, further comprising a test pattern connection lands to the ends or corner portions of the wiring pattern.
  6. 前記ホーロー基板上にワイヤボンディングおよびダイボンディングのための自動認識用マークが設けられた請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, marked for automatic recognition is provided for the enamel substrate for wire bonding and die bonding.
  7. 2つの前記電極外部接続ランドに、2つの前記センサ搭載用外部接続ランドが挟まれて設けられた請求項3に記載の発光装置。 Two of said electrode external connection land, the light emitting device according to claim 3 in which two of the sensor mounting external connection lands are provided sandwiched.
  8. 前記ホーロー基板の周縁部または隅部に複数の固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部が設けられた請求項1〜7のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, periphery or a plurality of fixing through holes and / or fixing cutting chipped portion at a corner of the enameled substrate is provided.
  9. 前記ホーロー基板の裏面側の周縁部または隅部に電流供給を行なうソケットが設けられた請求項3に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 3 in which the socket is provided to perform the current supply to the peripheral portion or the corner portion of the back side of the enameled substrate.
  10. 前記コア金属は、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼から選ばれる少なくとも一つからなる請求項1〜9のいずれかに記載の発光装置。 The core metal, ultra low carbon steel, light-emitting device according to claim 1 comprising at least one selected from low-carbon steel, medium carbon steel and high carbon steel.
  11. 前記ホーロー基板における固定用冶具が、前記ホーロー基板と同じ材質からなる請求項1に記載の発光装置。 Fixing jig in the enameled substrate, the light emitting device of claim 1 made of the same material as the enamel substrate.
  12. 隣接する前記発光素子どうしは、前記配線パターン上で、側面が対向しないように、ちどり状に配置された請求項1〜11のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting element to each other adjacent, said on the wiring pattern, so that the side surface does not face, the light emitting device according to any one of claims 1 to 11 arranged in a zigzag pattern.
  13. 前記封止樹脂の形状は、略六角形状、八角形状、円形状および長方形状のいずれかである請求項1〜12のいずれかに記載の発光装置。 The shape of the sealing resin is substantially hexagonal, octagonal, light-emitting device according to any one of claims 1 to 12 is either circular and rectangular.
  14. 前記ホーロー基板の形状は、略多角形状、略円形状および略正方形状のいずれかである請求項1〜13のいずれかに記載の発光装置。 The shape of the enameled substrate, the light emitting device according to any one of substantially polygonal shape, claims 1 to 13 is substantially circular and one substantially square.
  15. 前記封止樹脂は、蛍光体材料を含有している請求項1〜14のいずれかに記載の発光装置。 The sealing resin, the light emitting device according to any one of claims 1 to 14 containing a phosphor material.
  16. 前記センサ搭載用外部接続ランドに接続されるセンサは、温度センサである請求項1〜15のいずれかに記載の発光装置。 Sensors connected to the sensor mounting external connection land-emitting device according to any one of claims 1 to 15 is a temperature sensor.
  17. 請求項1〜16のいずれかに記載の発光装置を用いた液晶ディスプレイのバックライト光源、照明用光源、照明用器具光源、表示装置または信号機。 LCD backlight light source using a light emitting device according to any one of claims 1 to 16, illumination light source, lighting appliances source, display device or signal device.
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