JP2009046653A - Method for producing polymer of aromatic compound and heterocyclic aromatic compound by using hypervalent iodine reagent - Google Patents

Method for producing polymer of aromatic compound and heterocyclic aromatic compound by using hypervalent iodine reagent Download PDF

Info

Publication number
JP2009046653A
JP2009046653A JP2007336179A JP2007336179A JP2009046653A JP 2009046653 A JP2009046653 A JP 2009046653A JP 2007336179 A JP2007336179 A JP 2007336179A JP 2007336179 A JP2007336179 A JP 2007336179A JP 2009046653 A JP2009046653 A JP 2009046653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aromatic compound
poly
hypervalent iodine
molecular weight
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007336179A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5339229B2 (en
Inventor
Yasuo Chigusa
康男 千種
Koji Morimoto
功治 森本
Yasuyuki Kita
泰行 北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nagase Chemtex Corp
Original Assignee
Nagase Chemtex Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nagase Chemtex Corp filed Critical Nagase Chemtex Corp
Priority to JP2007336179A priority Critical patent/JP5339229B2/en
Publication of JP2009046653A publication Critical patent/JP2009046653A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5339229B2 publication Critical patent/JP5339229B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing polymers of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound with reduced metal ion content. <P>SOLUTION: The method for producing the polymers of aromatic compound and the heterocyclic aromatic compound comprises an oxidation polymerization step wherein the aromatic compound and the heterocyclic aromatic compound are polymerized by using the hypervalent iodine reagent. The hypervalent iodine reagent can be recovered and reused when the reagent has an adamantane structure and/or tetraphenylmethane structure. A catalytic amount of the hypervalent iodine reagent can be used in the oxidation polymerization step when another oxidizing reagent containing no metal is used and the polymerization is carried out in the existence of such co-oxidizing agent. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、不純物である金属イオンの含有量が少ない芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a polymer of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound having a low content of metal ions as impurities.

芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーは、通常、化学酸化重合法または電解酸化重合法によって製造される。特に、化学酸化重合法は、簡便であり、かつ大量生産が可能である。このような芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーは、例えば、電子部品の帯電防止剤、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入材料、発光材料などとして用いられる。   The polymer of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound is usually produced by a chemical oxidative polymerization method or an electrolytic oxidative polymerization method. In particular, the chemical oxidative polymerization method is simple and can be mass-produced. Such polymers of aromatic compounds and heterocyclic aromatic compounds are used as, for example, antistatic agents for electronic parts, hole injection materials for organic electroluminescent elements, light emitting materials, and the like.

特許文献1には、ポリピロール類の製造方法として、スルホン酸化合物をアニオンとし、高価類の遷移金属をカチオンとする酸化剤を用いた方法が記載されている。この酸化剤を構成する高価類の遷移金属イオンとして、Ag、Cu2+、Fe3+、Al3+、Ce4+、W6+、Mo6+、Cr6+、Mn7+、およびSn4+が挙げられ、特に、Fe3+およびCu2+が好ましいと記載されている。この方法は簡便であり、大量合成にも対応可能であることが記載されている。 Patent Document 1 describes a method for producing polypyrroles using an oxidizing agent having a sulfonic acid compound as an anion and an expensive transition metal as a cation. Examples of expensive transition metal ions constituting this oxidant include Ag + , Cu 2+ , Fe 3+ , Al 3+ , Ce 4+ , W 6+ , Mo 6+ , Cr 6+ , Mn 7+ , and Sn 4+ . Fe 3+ and Cu 2+ are described as preferred. It is described that this method is simple and can be applied to mass synthesis.

特許文献2には、ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)が記載されており、3,4−ジアルコキシチオフェンの酸化重合における触媒として、FeCl、Fe(ClO、H、KCrO、過硫酸アルカリまたはアンモニウム、過ホウ酸アルカリ、過マンガン酸カリウム、および四フッ化ホウ酸銅が記載されている。さらに、酸化剤として触媒量の金属イオン(鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、およびバナジウムイオン)が存在すると、空気および酸素を有利に使用し得ることが記載されている。 Patent Document 2 describes poly (3,4-dialkoxythiophene), and FeCl 3 , Fe (ClO 4 ) 3 , H 2 O 2 are used as catalysts in the oxidative polymerization of 3,4-dialkoxythiophene. , K 2 CrO 7 , alkali or ammonium persulfate, alkali perborate, potassium permanganate, and copper tetrafluoroborate. Furthermore, it is described that air and oxygen can be advantageously used in the presence of catalytic amounts of metal ions (iron, cobalt, nickel, molybdenum and vanadium ions) as oxidants.

特許文献1および2に記載のように、通常の化学酸化重合法では、金属イオンが用いられる。したがって、これらの方法によって得られるポリピロール類およびポリチオフェン類は、再沈殿などの精製を行っても相当量の金属イオンが残存する。   As described in Patent Documents 1 and 2, metal ions are used in ordinary chemical oxidative polymerization methods. Therefore, the polypyrroles and polythiophenes obtained by these methods retain a considerable amount of metal ions even after purification such as reprecipitation.

特許文献2に記載の方法では、Hおよび過硫酸アンモニウムのように金属イオンを含まない酸化剤も記載されている。しかし、このような酸化剤でも、反応時間短縮の目的で、触媒量の金属イオンを併用することが好ましく、結局、得られるポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)は、相当量の金属イオンが残存する。 The method described in Patent Document 2 also describes an oxidizing agent that does not contain metal ions, such as H 2 O 2 and ammonium persulfate. However, even with such an oxidizing agent, it is preferable to use a catalytic amount of metal ions in combination for the purpose of shortening the reaction time. As a result, the poly (3,4-dialkoxythiophene) obtained has a considerable amount of metal ions. Remains.

金属イオンが含まれる芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーを、電子部品の帯電防止剤として用いる場合、金属イオンが電子部品を汚染する危険性がある。有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入材料または発光材料として用いる場合、金属イオンが発光特性のおよび素子寿命の低下の原因となる。
特開平7−70294号公報 特許第2636968号公報
When an aromatic compound containing a metal ion and a polymer of a heterocyclic aromatic compound are used as an antistatic agent for an electronic component, there is a risk that the metal ion may contaminate the electronic component. When used as a hole injection material or a light emitting material of an organic electroluminescence device, metal ions cause a reduction in light emission characteristics and device lifetime.
JP-A-7-70294 Japanese Patent No. 2636968

本発明の目的は、金属イオンの含有量が少ない芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for producing a polymer of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound having a low metal ion content.

本発明者らは、上記課題につき鋭意検討した結果、化学酸化重合触媒として超原子価ヨウ素反応剤を用いることにより、不純物である金属イオンをほとんど含まない芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーが得られることを見出して、本発明を完成した。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that aromatic compounds and heterocyclic aromatic compounds containing almost no metal ions as impurities can be obtained by using a hypervalent iodine reactant as a chemical oxidation polymerization catalyst. The present invention was completed by finding that a polymer was obtained.

本発明の芳香族合物のポリマーの製造方法は、超原子価ヨウ素反応剤を用いて、芳香族化合物を酸化重合させる工程を包含する。   The method for producing a polymer of an aromatic compound of the present invention includes a step of oxidatively polymerizing an aromatic compound using a hypervalent iodine reactant.

さらに、本発明の複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法は、超原子価ヨウ素反応剤を用いて、複素環式芳香族化合物を酸化重合させる工程を包含する。   Furthermore, the method for producing a polymer of a heterocyclic aromatic compound of the present invention includes a step of oxidatively polymerizing the heterocyclic aromatic compound using a hypervalent iodine reactant.

ひとつの実施態様では、上記超原子価ヨウ素反応剤は、アダマンタン構造を有する。   In one embodiment, the hypervalent iodine reactant has an adamantane structure.

ひとつの実施態様では、上記超原子価ヨウ素反応剤は、テトラフェニルメタン構造を有する。   In one embodiment, the hypervalent iodine reactant has a tetraphenylmethane structure.

ある実施態様では、上記酸化重合させる工程において、さらに、金属を含まない酸化剤が用いられる。   In one embodiment, a metal-free oxidizing agent is further used in the oxidative polymerization step.

さらに、ある実施態様では、上記超原子価ヨウ素反応剤の使用量は、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して0.001〜0.3モルであり、前記金属を含まない酸化剤の使用量が芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して1〜4モル当量である。   Furthermore, in one embodiment, the usage-amount of the said hypervalent iodine reactant is 0.001-0.3 mol with respect to 1 mol of an aromatic compound or a heterocyclic aromatic compound, and does not contain the said metal. The usage-amount of an oxidizing agent is 1-4 molar equivalent with respect to 1 mol of an aromatic compound or a heterocyclic aromatic compound.

本発明によれば、(1)金属イオンの含有量が少ない芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法を提供することができる。(2)アダマンタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤を用いた場合、それらの超原子価ヨウ素反応剤は回収再利用できる。(3)テトラフェニルメタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤を用いた場合、それらの超原子価ヨウ素反応剤は回収再利用できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, (1) The manufacturing method of the polymer of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound with little metal ion content can be provided. (2) When hypervalent iodine reactants having an adamantane structure are used, these hypervalent iodine reactants can be recovered and reused. (3) When hypervalent iodine reactants having a tetraphenylmethane structure are used, these hypervalent iodine reactants can be recovered and reused.

超原子価ヨウ素反応剤とは、3価または5価の超原子価状態にあるヨウ素原子を含む反応剤のことをいう。超原子価ヨウ素反応剤は、より安定なオクテット状態(1価のヨウ素)に戻ろうとする性質を有しているため、鉛(IV)、タリウム(III)、水銀(II)などの重金属酸化剤と類似の反応性を有する。さらに、超原子価ヨウ素反応剤は、このような重金属酸化剤に比べて低毒性であり、安全性に優れている。   A hypervalent iodine reactant refers to a reactant containing an iodine atom in a trivalent or pentavalent hypervalent state. Since the hypervalent iodine reactant has the property of returning to a more stable octet state (monovalent iodine), a heavy metal oxidizing agent such as lead (IV), thallium (III), mercury (II), etc. And similar reactivity. Furthermore, the hypervalent iodine reactant is less toxic than such a heavy metal oxidant and is excellent in safety.

本発明の製造方法に用いられ得る超原子価ヨウ素反応剤は、特に限定されない。3価の超原子価ヨウ素反応剤としては、例えば、フェニルイオジンビス(トリフルオロアセタート)(ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨードベンゼン(以下、PIFAという場合がある))、フェニルイオジンジアセタート(ヨードソベンゼンジアセテート(以下、PIDAという場合がある))、ヒドロキシ(トシロキシ)ヨードベンゼン、ヨードシルベンゼンなどが挙げられる。これらの反応剤の構造式を以下に示す。   The hypervalent iodine reactant that can be used in the production method of the present invention is not particularly limited. Examples of the trivalent hypervalent iodine reactant include phenyliodine bis (trifluoroacetate) (bis (trifluoroacetoxy) iodobenzene (hereinafter sometimes referred to as PIFA)), phenyliodine diacetate ( Examples thereof include iodosobenzene diacetate (hereinafter sometimes referred to as PIDA), hydroxy (tosyloxy) iodobenzene, iodosylbenzene and the like. The structural formulas of these reactants are shown below.

Figure 2009046653
Figure 2009046653

5価の超原子価ヨウ素反応剤としては、例えば、デスマーチンペルヨージナン(Dess-Martin periodinane(DMP))、o−ヨードキシ安息香酸(o-iodoxybenzoic acid(IBX))などが挙げられる。これらの反応剤の構造式を以下に示す。   Examples of the pentavalent hypervalent iodine reactant include Dess-Martin periodinane (DMP), o-iodoxybenzoic acid (IBX), and the like. The structural formulas of these reactants are shown below.

Figure 2009046653
Figure 2009046653

これらの超原子価ヨウ素反応剤の中でも、3価の超原子価ヨウ素反応剤が好ましく、PIFAが、安定で取り扱いやすく、十分に高い酸化能を有する点で、より好ましい。   Among these hypervalent iodine reactants, trivalent hypervalent iodine reactants are preferred, and PIFA is more preferred because it is stable and easy to handle and has a sufficiently high oxidizing ability.

また超原子価ヨウ素反応剤の中でも、アダマンタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤、テトラフェニルメタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤を選択すると回収再利用できることから好ましい。より具体的には、1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−((4−(ヒドロキシ)トシロキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタンなどの3価のアダマンタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤、またテトラキス−4−(ジアセトキシヨード)フェニルメタン、テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタンなどの3価のテトラフェニルメタン構造を有する超原子価ヨウ素反応剤は、安定で取り扱いやすく、十分に高い酸化能を有する上に、脂溶性が高く回収再利用可能なので、さらに好ましい。5価の超原子価ヨウ素反応剤を用いる場合は、デスマーチンペルヨージナン(DMP)が好ましい。   Further, among the hypervalent iodine reactants, it is preferable to select a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a hypervalent iodine reactant having a tetraphenylmethane structure because they can be recovered and reused. More specifically, 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3,5,7-tetrakis-((4- (hydroxy) tosyloxyiodo) phenyl ) Hypervalent iodine reactants having a trivalent adamantane structure such as adamantane, 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, and tetrakis-4- (diacetoxy) A hypervalent iodine reactant having a trivalent tetraphenylmethane structure such as iodo) phenylmethane and tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane is stable and easy to handle and has a sufficiently high oxidizing ability. Further, it is more preferable because it has high fat solubility and can be recovered and reused. When a pentavalent hypervalent iodine reactant is used, desmartin periodinane (DMP) is preferred.

このような超原子価ヨウ素反応剤は、合成により得られたものを用いてもよく、あるいは市販品を用いてもよい。例えば、PIFAは、PIDAにトリフルオロ酢酸を加えて反応させ、その結果、PIFAを反応生成物として析出させることにより得られる(J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1, 1985, 757を参照のこと)。PIDAは、ヨードベンゼンを酢酸中、ペルオキソほう酸ナトリウム(4水和物)(NaBO・4HO)を用い酸化することにより得られる(Tetrahedron, 1989, 45, 3299およびChem. Rev., 1996, 96, 1123を参照のこと)。さらに、PIDAは、m−クロロ過安息香酸(mCPBA)を酸化剤としてヨードベンゼンから得られる(Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 3595を参照のこと)。1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−((4−(ヒドロキシ)トシロキシヨード)フェニル)アダマンタン、1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタンおよびテトラキス−4−(ジアセトキシヨード)フェニルメタン、テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタンは、例えば特開2005−220122に記載の方法で合成できる。 As such a hypervalent iodine reactant, one obtained by synthesis may be used, or a commercially available product may be used. For example, PIFA can be obtained by adding trifluoroacetic acid to PIDA and reacting, so that PIFA is precipitated as a reaction product (see J. Chem. Soc. Perkin Trans. 1, 1985, 757). ). PIDA is obtained by oxidizing iodobenzene with sodium peroxoborate (tetrahydrate) (NaBO 3 .4H 2 O) in acetic acid (Tetrahedron, 1989, 45, 3299 and Chem. Rev., 1996, 96, 1123). In addition, PIDA is obtained from iodobenzene using m-chloroperbenzoic acid (mCPBA) as an oxidizing agent (see Angew. Chem. Int. Ed., 2004, 43, 3595). 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3,5,7-tetrakis-((4- (hydroxy) tosyloxyiodo) phenyl) adamantane, 1,3 , 5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane and tetrakis-4- (diacetoxyiodo) phenylmethane, tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane are for example It can be synthesized by the method described in Kaikai 2005-220122.

本発明の製造方法で用いられ得る芳香族化合物は、ベンゼン、トルエン、p−ジメトキシベンゼンおよびクレゾール等のベンゼン系芳香族化合物、ビフェニルおよびトリフェニルメタンなどの多環式芳香族化合物、ナフタレンおよびアントラセン等の芳香族縮合環化合物などを用いることができる。なかでも、ベンゼン系芳香族化合物が好ましく、特にベンゼンまたは1,4−置換ベンゼンが好ましい。   Aromatic compounds that can be used in the production method of the present invention include benzene-based aromatic compounds such as benzene, toluene, p-dimethoxybenzene, and cresol, polycyclic aromatic compounds such as biphenyl and triphenylmethane, naphthalene, and anthracene. Aromatic fused ring compounds and the like can be used. Of these, benzene-based aromatic compounds are preferable, and benzene or 1,4-substituted benzene is particularly preferable.

本発明の製造方法で用いられ得る複素環式化合物は、その複素原子が窒素、硫黄、及び酸素のいずれかであるものが好ましく、例えば、ピロール類、チオフェン類およびフラン類、ならびにこれらの2量体および3量体などを用いることができる。   The heterocyclic compound that can be used in the production method of the present invention is preferably one in which the heteroatom is any one of nitrogen, sulfur, and oxygen. For example, pyrroles, thiophenes, and furans, and these two amounts Bodies and trimers can be used.

本発明の製造方法で用いられ得るピロール類としては、例えば、ピロール、3位置換ピロール、3,4位置換ピロール、N置換ピロール、ビピロール、およびビピロール誘導体が挙げられる。具体的には、ピロール、3−メチルピロール、3−ヘキシルピロール、3−フェニルピロール、N−エチルスルホン酸塩ピロール、ビピロール、3,4−シクロヘキシルピロールなどが挙げられる。これらの中でも、置換ピロール類を用いる場合、置換基の種類およびその置換位置は特に限定されないが、3位にアルキル基またはアリール基を有する置換ピロール類を用いることが好ましい。   Examples of pyrroles that can be used in the production method of the present invention include pyrrole, 3-substituted pyrrole, 3,4-substituted pyrrole, N-substituted pyrrole, bipyrrole, and bipyrrole derivatives. Specifically, pyrrole, 3-methylpyrrole, 3-hexylpyrrole, 3-phenylpyrrole, N-ethylsulfonate pyrrole, bipyrrole, 3,4-cyclohexylpyrrole and the like can be mentioned. Among these, when using substituted pyrroles, the kind of substituent and its substitution position are not particularly limited, but it is preferable to use substituted pyrroles having an alkyl group or an aryl group at the 3-position.

本発明の製造方法で用いられ得るチオフェン類としては、例えば、チオフェン、3位置換チオフェン、3,4位置換チオフェン、ビチオフェン、およびビチオフェン誘導体が挙げられる。具体的には、チオフェン、3−メチルチオフェン、3−ヘキシルチオフェン、3−フェニルチオフェン、3,4−エチレンジオキシチオフェン、ビチオフェン、3−メトキシチオフェン、3−ブトキシチオフェンなどが挙げられる。これらの中でも、置換チオフェン類を用いる場合、置換基の種類およびその置換位置は特に限定されないが、3位にアルキル基またはアルコキシ基を有する置換チオフェン類を用いることが好ましい。   Examples of thiophenes that can be used in the production method of the present invention include thiophene, 3-substituted thiophene, 3,4-substituted thiophene, bithiophene, and bithiophene derivatives. Specific examples include thiophene, 3-methylthiophene, 3-hexylthiophene, 3-phenylthiophene, 3,4-ethylenedioxythiophene, bithiophene, 3-methoxythiophene, and 3-butoxythiophene. Among these, when using substituted thiophenes, the kind of substituent and its substitution position are not particularly limited, but it is preferable to use substituted thiophenes having an alkyl group or an alkoxy group at the 3-position.

本発明の製造方法で用いられ得るフラン類としては、例えば、フラン、3位置換フラン、3,4位置換フラン、ビフラン、およびビフラン誘導体が挙げられる。具体的には、フラン、3−メチルフラン、3−ヘキシルフラン、3−フェニルフラン、3,4−エチレンジオキシフラン、ビフラン、3−メトキシフラン、3−ブトキシフランなどが挙げられる。これらの中でも、置換チオフェン類を用いる場合、置換基の種類およびその置換位置は特に限定されないが、3位にアルキル基またはアルコキシ基を有する置換フラン類を用いることが好ましい。   Examples of furans that can be used in the production method of the present invention include furan, 3-substituted furan, 3,4-substituted furan, bifuran, and bifuran derivatives. Specific examples include furan, 3-methylfuran, 3-hexylfuran, 3-phenylfuran, 3,4-ethylenedioxyfuran, bifuran, 3-methoxyfuran, and 3-butoxyfuran. Among these, when substituted thiophenes are used, the type of substituent and the substitution position thereof are not particularly limited, but it is preferable to use a substituted furan having an alkyl group or an alkoxy group at the 3-position.

本発明の製造方法において、超原子価ヨウ素反応剤の使用量は特に限定されず、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して、好ましくは1〜4モル、更に好ましくは1.5〜4モルの割合で用いられ、より好ましくは2〜2.5モルの割合で用いられる。   In the production method of the present invention, the amount of the hypervalent iodine reactant used is not particularly limited, and is preferably 1 to 4 mol, more preferably 1. mol per 1 mol of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound. It is used in a proportion of 5 to 4 mol, more preferably in a proportion of 2 to 2.5 mol.

超原子価ヨウ素反応剤の量が少ない場合、酸化重合反応が進みにくくなることがある。一方、超原子価ヨウ素反応剤の量が多い場合、過剰酸化が起こり溶媒に全く不溶な生成物が得られることがあり、芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーなどの収率が低下することがある。   When the amount of the hypervalent iodine reactant is small, the oxidative polymerization reaction may be difficult to proceed. On the other hand, if the amount of the hypervalent iodine reactant is large, excessive oxidation may occur and a product completely insoluble in the solvent may be obtained, resulting in a decrease in the yield of polymers of aromatic compounds and heterocyclic aromatic compounds. There are things to do.

本発明の製造方法では、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用してもよい。超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用することで、超原子価ヨウ素反応剤の使用量を減らすことができる。金属を含まない酸化剤としては、例えば、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、過酸化水素、メタクロロ過安息香酸などが挙げられる。   In the production method of the present invention, a hypervalent iodine reactant and a metal-free oxidizing agent may be used in combination. The combined use of a hypervalent iodine reactant and an oxidizing agent that does not contain a metal can reduce the amount of hypervalent iodine reactant used. Examples of the oxidizing agent not containing metal include peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, hydrogen peroxide, and metachloroperbenzoic acid.

本発明の製造方法において、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用する場合、超原子価ヨウ素反応剤は酸化触媒として作用し、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して、好ましくは0.001〜0.3モル、より好ましくは0.01〜0.1モルの割合で用いられる。一方、金属を含まない酸化剤は、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して、好ましくは1〜4モル当量、より好ましくは1.5〜2.5モル当量の割合で用いられる。   In the production method of the present invention, when a hypervalent iodine reactant and a metal-free oxidizing agent are used in combination, the hypervalent iodine reactant acts as an oxidation catalyst, and an aromatic compound or a heterocyclic aromatic compound 1 Preferably it is used in a proportion of 0.001 to 0.3 mol, more preferably 0.01 to 0.1 mol, relative to mol. On the other hand, the metal-free oxidizing agent is preferably used in a proportion of 1 to 4 molar equivalents, more preferably 1.5 to 2.5 molar equivalents, per 1 mol of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound. It is done.

金属を含まない酸化剤と超原子価ヨウ素反応剤とを併用する場合、超原子価ヨウ素反応剤の量が少なすぎると、重合反応が十分に進行しないことがある。一方、超原子価ヨウ素反応剤の量が多すぎても、重合度は、ある一定の重合度より大きくならず、超原子価ヨウ素反応剤が無駄になる。   When the oxidizing agent not containing a metal and the hypervalent iodine reactant are used in combination, the polymerization reaction may not sufficiently proceed if the amount of the hypervalent iodine reactant is too small. On the other hand, if the amount of the hypervalent iodine reactant is too large, the degree of polymerization will not be greater than a certain degree of polymerization, and the hypervalent iodine reactant will be wasted.

なお、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用する場合は、重合反応を始める際は、超原子価ヨウ素反応剤の前駆体を用いても良い。例えば、1,3,5,7−テトラキス−(4−(ジアセトキシヨード)フェニル)アダマンタンの前駆体である1,3,5,7−テトラキス−(4−ヨードフェニル)アダマンタンを触媒量と化学量論量のメタクロロ過安息香酸、酢酸およびピロール類またはチオフェン類等の反応基質を加えれば良い。   In the case where a hypervalent iodine reactant and an oxidizing agent not containing a metal are used in combination, a precursor of the hypervalent iodine reactant may be used when starting the polymerization reaction. For example, 1,3,5,7-tetrakis- (4- (diacetoxyiodo) phenyl) adamantane precursor 1,3,5,7-tetrakis- (4-iodophenyl) adamantane is used in catalytic amounts and chemistry. A stoichiometric amount of a reaction substrate such as metachloroperbenzoic acid, acetic acid and pyrroles or thiophenes may be added.

本発明の製造方法によって得られる芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーなどは、ドーパントがドープされていてもよい。ドーパントをドープすることによって、得られる芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーに導電性が付与され得る。ドーパントは、反応前に原料として仕込んでもよく、重合反応中に添加してもよく、あるいは反応後に得られる芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーに添加してもよい。   The aromatic compound or the heterocyclic aromatic compound polymer obtained by the production method of the present invention may be doped with a dopant. By doping with a dopant, conductivity can be imparted to the resulting polymer of an aromatic compound or heterocyclic aromatic compound. The dopant may be charged as a raw material before the reaction, may be added during the polymerization reaction, or may be added to the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound polymer obtained after the reaction.

ドーパントとしては、特に限定されないが、Cl、Br、I、IClなどのハロゲン;PF、BF、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルなどのルイス酸;HF、HCl、HNO、HSOなどのプロトン酸;p−トルエンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸などの有機酸などが挙げられる。 The dopant is not particularly limited, Cl 2, Br 2, I 2, halogen such as ICl; PF 5, BF 3, Lewis acids such as trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate; HF, HCl, HNO 3, H 2 SO 4 And proton acids such as p-toluenesulfonic acid and polystyrenesulfonic acid.

導電性の付与を目的として用いられるドーパントは、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物100モルに対して、好ましくは5〜600モルの割合で用いられ、より好ましくは20〜400モルの割合で用いられる。   The dopant used for the purpose of imparting conductivity is preferably used in a proportion of 5 to 600 mol, more preferably in a proportion of 20 to 400 mol, relative to 100 mol of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound. Used.

ドーパントの量が5モルよりも少ない場合、得られる芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーに、十分な導電性を付与し得ないおそれがある。一方、ドーパントの量が600モルよりも多い場合、得られる芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーに添加したすべてのドーパントがドープされず、添加量に比例した効果は望めない。また、余剰のドーパントも無駄になる。   When the amount of the dopant is less than 5 mol, there is a possibility that sufficient conductivity cannot be imparted to the polymer of the obtained aromatic compound or heterocyclic aromatic compound. On the other hand, when the amount of the dopant is more than 600 moles, all the dopants added to the resulting polymer of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound are not doped, and an effect proportional to the added amount cannot be expected. Also, excess dopant is wasted.

なお、ルイス酸は、ドーパントとして作用するだけではなく、酸化重合反応を促進させる作用も有する。酸化重合反応を促進させる目的でルイス酸を用いる場合、特に、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルが好ましく用いられる。   The Lewis acid not only acts as a dopant, but also has an effect of promoting an oxidative polymerization reaction. When a Lewis acid is used for the purpose of promoting the oxidative polymerization reaction, trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate is particularly preferably used.

本発明の製造方法で用いられる溶媒としては、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物、超原子価ヨウ素反応剤、およびドーパントを溶解または分散させる溶媒であればよい。このような溶媒としては、水、有機溶媒(メタノール、エタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、n−ブタノールなどのアルコール類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールなどのエチレングリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルアセテート類;プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのプロピレングリコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールエーテルアセテート類;N−メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、アセトニトリル、およびトルエン、キシレン(o-、m-、あるいはp-キシレン)、ベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル-t-ブチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、クロロメタン(塩化メチル)、ジクロロメタン(塩化メチレン)、トリクロロメタン(クロロホルム)、 テトラクロロメタン(四塩化炭素)など)、水とこれらの有機溶媒との混合溶媒(含水有機溶媒)、および2種以上の有機溶媒の混合溶媒が挙げられる。   The solvent used in the production method of the present invention may be any solvent that dissolves or disperses the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound, hypervalent iodine reactant, and dopant. Examples of such solvents include water, organic solvents (alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, 1-propanol, and n-butanol; ethylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and tetraethylene glycol; Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether; glycol ether acetates such as ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate; Propylene glycol , Propylene glycols such as dipropylene glycol and tripropylene glycol; propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl Propylene glycol ethers such as ether and dipropylene glycol diethyl ether; propylene glycol such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate Ether acetates: N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, acetone, acetonitrile, and toluene, xylene (o-, m-, or p-xylene), benzene, acetic acid Ethyl, butyl acetate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether, diisopropyl ether, methyl-t-butyl ether, hexane, heptane, chloromethane (methyl chloride), dichloromethane (methylene chloride), trichloromethane (chloroform), tetrachloromethane ( Carbon tetrachloride)), a mixed solvent of water and these organic solvents (hydrous organic solvent), and a mixed solvent of two or more organic solvents.

超原子価ヨウ素反応剤を用いる酸化重合反応の温度は、−100℃〜100℃が好ましい。本発明の酸化重合反応の反応温度は、溶媒として有機溶媒を用いる場合および水を用いる場合のいずれの場合も、より好ましくは0℃〜40℃である。   The temperature of the oxidative polymerization reaction using the hypervalent iodine reactant is preferably -100 ° C to 100 ° C. The reaction temperature of the oxidative polymerization reaction of the present invention is more preferably 0 ° C. to 40 ° C. in both cases of using an organic solvent as a solvent and water.

本発明の酸化重合反応において、反応温度が−100℃よりも低い場合、反応速度が遅くなったり、溶媒によっては凍結したりし、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーの収率が低下するおそれがある。一方、反応温度が100℃よりも高い場合、副反応や過剰酸化が起こり、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーの収率が低下するおそれがある。   In the oxidative polymerization reaction of the present invention, when the reaction temperature is lower than −100 ° C., the reaction rate becomes slow or depending on the solvent, the yield of the polymer of the aromatic compound or the heterocyclic aromatic compound is increased. May decrease. On the other hand, when the reaction temperature is higher than 100 ° C., side reaction or excessive oxidation may occur, and the yield of the polymer of the aromatic compound or the heterocyclic aromatic compound may be reduced.

なお、本発明の製造方法において、酸化重合反応の反応時間は、特に制限されない。酸化重合反応を促進させるためにルイス酸を用いた場合、12時間程度が好ましく、ルイス酸を用いない場合は、20時間程度が好ましい。   In the production method of the present invention, the reaction time for the oxidation polymerization reaction is not particularly limited. When a Lewis acid is used to promote the oxidative polymerization reaction, about 12 hours are preferable, and when a Lewis acid is not used, about 20 hours are preferable.

このようにして得られた芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーは、さらに精製される。精製方法(精製工程)は特に限定されないが、例えば、反応後、溶媒をグラスフィルターでろ過し、得られたポリマーを、メタノール、エタノール、2−プロパノール、n−ヘキサン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、酢酸エチル、トルエンなどで洗浄する方法が挙げられる。その他の精製方法としては、ソックスレー抽出などによる精製が挙げられる。   The polymer of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound thus obtained is further purified. The purification method (purification step) is not particularly limited. For example, after the reaction, the solvent is filtered through a glass filter, and the resulting polymer is methanol, ethanol, 2-propanol, n-hexane, diethyl ether, acetonitrile, ethyl acetate. And a method of washing with toluene or the like. Other purification methods include purification by Soxhlet extraction or the like.

洗浄後、得られた芳香族化合物または複素環式芳香族化合物のポリマーは、必要に応じて、通常の手段により乾燥される(乾燥工程)。乾燥方法は、ポリピロール類およびポリチオフェン類の重合度、置換基、含まれるドーパントによって適宜決定され得、例えば、室温下(約25℃)での減圧(約0.5mmHg)乾燥、常圧下での加熱送風(約60℃)乾燥などが挙げられる。乾燥温度は、100℃以下が好ましく、200℃を超えると、芳香族化合物のポリマーまたは複素環式芳香族化合物が分解する危険性が高くなる。   After washing, the obtained aromatic compound or heterocyclic aromatic compound polymer is dried by a usual means as necessary (drying step). The drying method can be appropriately determined depending on the degree of polymerization of polypyrroles and polythiophenes, substituents, and contained dopants. For example, drying at room temperature (about 25 ° C.) under reduced pressure (about 0.5 mmHg), heating under normal pressure Air blowing (about 60 ° C.) drying and the like can be mentioned. The drying temperature is preferably 100 ° C. or lower, and if it exceeds 200 ° C., the risk of decomposition of the polymer of the aromatic compound or the heterocyclic aromatic compound increases.

また、アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤を用いた場合、下記のような方法で回収される。例えば、反応を終えた溶液を減圧濃縮し、残渣(ポリマー、アダマンタン構造もしくはテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤、金属を含まない酸化剤、未反応のモノマー)にメタノールを加えて混合し、グラスフィルターを用いてろ過する事により、金属を含まない酸化剤及び未反応のモノマーはメタノール溶液として除去できる。残渣として残ったポリマーおよびアダマンタン構造もしくはテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤は、ジエチルエーテルを加えて混合しグラスフィルター用いてろ過する事により、残渣のポリマーとジエチルエーテル溶液のアダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤とに分離する事が出来る。そのジエチルエーテルを濃縮する事で、アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤を回収する事が出来る。アダマンタン構造およびテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤の回収方法は、上記の例に限定されないが、ポリマー、アダマンタン構造もしくはテトラフェニルメタン構造の超原子価ヨウ素反応剤、金属を含まない酸化剤および未反応のモノマーの、溶媒種による溶解性の違いを利用し、適当な溶媒を選択することで、各々の成分を分離する事が出来る。   Further, when a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure is used, it is recovered by the following method. For example, the solution after completion of the reaction is concentrated under reduced pressure, and methanol is added to the residue (polymer, a hypervalent iodine reagent having an adamantane structure or tetraphenylmethane structure, an oxidizing agent not containing a metal, an unreacted monomer) and mixed. By filtering using a glass filter, the metal-free oxidizing agent and unreacted monomer can be removed as a methanol solution. The polymer remaining as a residue and a hypervalent iodine reagent having an adamantane structure or a tetraphenylmethane structure are mixed with diethyl ether, mixed and filtered through a glass filter, and then the residue polymer and the adamantane structure and the tetraether of the diethyl ether solution are mixed. It can be separated into a hypervalent iodine reactant having a phenylmethane structure. By concentrating the diethyl ether, a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure can be recovered. The method for recovering a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure and a tetraphenylmethane structure is not limited to the above example, but a polymer, a hypervalent iodine reactant having an adamantane structure or a tetraphenylmethane structure, and a metal-free oxidizing agent. Each component can be separated by selecting an appropriate solvent using the difference in solubility of the unreacted monomer depending on the solvent species.

以下、実施例および比較例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this Example.

(実施例1)
50mLのナスフラスコに、168mg(1mmol)の3−ヘキシルチオフェンおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下で−78℃に冷却した(寒剤として、ドライアイスおよびメタノールを使用)。次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、860mg(2mmol)のPIFAを加えた。
Example 1
To a 50 mL eggplant flask, 168 mg (1 mmol) of 3-hexylthiophene and 10 mL of methylene chloride were added and cooled to −78 ° C. under a nitrogen atmosphere (using dry ice and methanol as a cryogen). 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate was then added, followed by 860 mg (2 mmol) of PIFA.

PIFA添加8時間後に、寒剤を外し、反応温度を徐々に室温まで上昇させた。さらに、4時間撹拌を行い、PIFA添加後の反応時間を合計で12時間とした。   Eight hours after the addition of PIFA, the cryogen was removed and the reaction temperature was gradually raised to room temperature. Furthermore, stirring was performed for 4 hours, and the reaction time after addition of PIFA was set to 12 hours in total.

この反応溶液を50mLのメタノール中に滴下した。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取した。次いで、不溶物をn−ヘキサンで洗浄し、60mgのポリ(3−ヘキシルチオフェン)を得た。得られたポリ(3−ヘキシルチオフェン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は13930、数平均分子量(Mn)は6930、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは2.010であった。   This reaction solution was dropped into 50 mL of methanol. Subsequently, the black insoluble matter was collected by a glass filter. Next, the insoluble material was washed with n-hexane to obtain 60 mg of poly (3-hexylthiophene). When the molecular weight of the obtained poly (3-hexylthiophene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 13930, the number average molecular weight (Mn) was 6930, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 2 .010.

得られたポリ(3−ヘキシルチオフェン)を灰化して、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS法)(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ICP質量分析装置(SPQ9500)を使用)によって含まれる鉄元素の割合を測定すると23ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-hexylthiophene) is incinerated, and iron contained by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS method) (using ICP mass spectrometer (SPQ9500) manufactured by SII Nanotechnology, Inc.) The element ratio was measured and found to be 23 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

(比較例1)
上記実施例1で用いた860mgのPIFAの代わりに、324mg(2mmol)の塩化鉄(III)を用いたこと以外は、上記実施例1と同様の手順で、90mgのポリ(3−ヘキシルチオフェン)を得た。得られたポリ(3−ヘキシルチオフェン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は25984、数平均分子量(Mn)は17632、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.474であった。
(Comparative Example 1)
90 mg of poly (3-hexylthiophene) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 324 mg (2 mmol) of iron (III) chloride was used instead of 860 mg of PIFA used in Example 1 above. Got. When the molecular weight of the obtained poly (3-hexylthiophene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 25984, the number average molecular weight (Mn) was 17632, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 474.

得られたポリ(3−ヘキシルチオフェン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると3600ppmであった。   The obtained poly (3-hexylthiophene) was incinerated, and the ratio of iron element contained by the ICP-MS method was measured to be 3600 ppm.

(比較例2)
50mLのナスフラスコに、168mg(1mmol)の3−ヘキシルチオフェンおよび10mLのクロロホルムを加えて、窒素雰囲気下で氷浴を用いて0℃に冷却した。次いで、648mg(4mmol)の塩化鉄(III)を加えた。
(Comparative Example 2)
To a 50 mL eggplant flask, 168 mg (1 mmol) of 3-hexylthiophene and 10 mL of chloroform were added and cooled to 0 ° C. using an ice bath under a nitrogen atmosphere. Then 648 mg (4 mmol) of iron (III) chloride was added.

塩化鉄(III)添加5時間後に、氷浴を外した。次いで、反応温度を徐々に上昇させて、塩化鉄(III)を添加して6時間後に室温となるようにした。さらに18時間撹拌を行い、塩化鉄(III)添加後の反応時間を24時間とした。   The ice bath was removed 5 hours after the addition of iron (III) chloride. Subsequently, the reaction temperature was gradually raised, and iron (III) chloride was added to reach room temperature after 6 hours. The mixture was further stirred for 18 hours, and the reaction time after addition of iron (III) chloride was 24 hours.

この反応溶液を50mLのメタノール中に滴下した。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取した。次いで、不溶物をn−ヘキサンで洗浄後、さらにイオン交換水で洗浄し、103mgのポリ(3−ヘキシルチオフェン)を得た。   This reaction solution was dropped into 50 mL of methanol. Subsequently, the black insoluble matter was collected by a glass filter. Next, the insoluble material was washed with n-hexane and further washed with ion-exchanged water to obtain 103 mg of poly (3-hexylthiophene).

得られたポリ(3−ヘキシルチオフェン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると8600ppmであった。重量平均分子量(Mw)は8502、数平均分子量(Mn)は3995、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは2.128であった。   The obtained poly (3-hexylthiophene) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured to be 8600 ppm. The weight average molecular weight (Mw) was 8502, the number average molecular weight (Mn) was 3955, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 2.128.

実施例1、比較例1、および比較例2の結果から明らかなように、本発明の製造方法によって得られるポリチオフェン類に含まれる鉄元素の割合は、金属触媒を用いて製造したポリチオフェン類に含まれる鉄元素の割合よりも、はるかに低いことがわかった。   As is clear from the results of Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, the ratio of iron element contained in the polythiophenes obtained by the production method of the present invention is contained in the polythiophenes produced using the metal catalyst. It was found to be much lower than the proportion of iron element.

(実施例2)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下で氷浴を用いて0℃に冷却した。次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、860mg(2mmol)のPIFAを加えた。
(Example 2)
To a 50 mL eggplant flask, 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of methylene chloride were added and cooled to 0 ° C. using an ice bath under a nitrogen atmosphere. 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate was then added, followed by 860 mg (2 mmol) of PIFA.

PIFA添加8時間後に、氷浴を外し、反応温度を徐々に室温まで上昇させた。さらに、4時間撹拌を行い、PIFA添加後の反応時間を合計で12時間とした。   After 8 hours of PIFA addition, the ice bath was removed and the reaction temperature was gradually raised to room temperature. Furthermore, stirring was performed for 4 hours, and the reaction time after addition of PIFA was set to 12 hours in total.

この反応溶液を濃縮し、グラスフィルターによって、残渣をろ取した。次いで、残渣をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、50mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は609、数平均分子量(Mn)は419、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.453であった。   The reaction solution was concentrated, and the residue was collected by a glass filter. Subsequently, the residue was washed with methanol, and further washed with n-hexane to obtain 50 mg of poly (3-phenylpyrrole). When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 609, the number average molecular weight (Mn) was 419, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .453.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると34ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured to be 34 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−フェニルピロール)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.25μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-phenylpyrrole). First, 20 mg of poly (3-phenylpyrrole) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a coating material. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.25 μm.

次いで、得られた薄膜の表面抵抗率を、ハイレスタ−UP(MCP−HT450)(三菱化学株式会社製)を用いて、JIS K6911に準じて測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、5.6E+11Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Subsequently, the surface resistivity of the obtained thin film was measured according to JIS K6911 using Hiresta UP (MCP-HT450) (Mitsubishi Chemical Corporation). As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 5.6E + 11Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(比較例3)
上記実施例2で用いた860mgのPIFAの代わりに、324mg(2mmol)の塩化鉄(III)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で、80mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は362、数平均分子量(Mn)は357、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.014であった。
(Comparative Example 3)
80 mg poly (3-phenylpyrrole) in the same procedure as in Example 2 except that 324 mg (2 mmol) of iron (III) chloride was used instead of 860 mg of PIFA used in Example 2 above. Got. When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 362, the number average molecular weight (Mn) was 357, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .014.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると900ppmであった。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured and found to be 900 ppm.

実施例2および比較例3の結果から明らかなように、本発明の製造方法によって得られるポリピロール類に含まれる鉄元素の割合は、金属触媒を用いて製造したポリピロール類に含まれる鉄元素の割合よりも、はるかに低いことがわかった。   As is clear from the results of Example 2 and Comparative Example 3, the ratio of the iron element contained in the polypyrrole obtained by the production method of the present invention is the ratio of the iron element contained in the polypyrrole produced using the metal catalyst. Was found to be much lower.

さらに、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の代わりに、比較例3で得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で薄膜を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、2.0E+10Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Furthermore, the procedure similar to the said Example 2 except having used the poly (3-phenylpyrrole) obtained by the comparative example 3 instead of the poly (3-phenylpyrrole) obtained by the said Example 2. A thin film was formed, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 2.0E + 10Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例3)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの水を加えた。次いで、860mg(2mmol)のPIFAを加えて、室温で20時間撹拌した。
(Example 3)
To a 50 mL eggplant flask, 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of water were added. Then, 860 mg (2 mmol) of PIFA was added and stirred at room temperature for 20 hours.

この反応溶液の不溶物を、グラスフィルターによってろ取した。次いで、不溶物をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、120mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1192、数平均分子量(Mn)は789、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.511であった。   The insoluble matter in the reaction solution was collected by a glass filter. Next, the insoluble material was washed with methanol and further washed with n-hexane to obtain 120 mg of poly (3-phenylpyrrole). When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1192, the number average molecular weight (Mn) was 789, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .511.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる銅元素の割合を測定すると28ppmであった。検出された銅元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する銅元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the copper element contained by the ICP-MS method was measured to be 28 ppm. The detected copper element is considered to be a copper element derived from impurities contained in the raw material, the solvent and the like.

さらに、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の代わりに、実施例3で得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で薄膜(膜厚:0.21μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、6.7E+9Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Further, the same procedure as in Example 2 except that the poly (3-phenylpyrrole) obtained in Example 3 was used instead of the poly (3-phenylpyrrole) obtained in Example 2 above. Was used to form a thin film (film thickness: 0.21 μm), and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 6.7E + 9Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例4)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの水を加えた。次いで、644mg(2mmol)のPIDAを加えて、室温で20時間撹拌した。
Example 4
To a 50 mL eggplant flask, 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of water were added. Then, 644 mg (2 mmol) of PIDA was added and stirred at room temperature for 20 hours.

この反応溶液の不溶物を、グラスフィルターによってろ取した。次いで、不溶物をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、140mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1697、数平均分子量(Mn)は1163、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.459であった。   The insoluble matter in the reaction solution was collected by a glass filter. Next, the insoluble material was washed with methanol and further washed with n-hexane to obtain 140 mg of poly (3-phenylpyrrole). When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1697, the number average molecular weight (Mn) was 1163, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 459.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる銅元素の割合を測定すると2ppmであった。検出された銅元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する銅元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated and the ratio of the copper element contained by the ICP-MS method was measured to be 2 ppm. The detected copper element is considered to be a copper element derived from impurities contained in the raw material, the solvent and the like.

さらに、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の代わりに、実施例4で得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で薄膜(膜厚:0.14μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、2.9E+12Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Furthermore, the procedure similar to the said Example 2 except having used the poly (3-phenylpyrrole) obtained in Example 4 instead of the poly (3-phenylpyrrole) obtained in the said Example 2. Then, a thin film (film thickness: 0.14 μm) was formed, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 2.9E + 12Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例5)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLのアセトニトリルを加えた。次いで、860mg(2mmol)のPIFAを加えて、窒素雰囲気下、室温で20時間撹拌した。
(Example 5)
To a 50 mL eggplant flask, 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of acetonitrile were added. Next, 860 mg (2 mmol) of PIFA was added, and the mixture was stirred at room temperature for 20 hours under a nitrogen atmosphere.

この反応溶液の不溶物を、グラスフィルターによってろ取した。次いで、不溶物をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、68mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は346、数平均分子量(Mn)は226、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.531であった。   The insoluble matter in the reaction solution was collected by a glass filter. Subsequently, the insoluble material was washed with methanol, and further washed with n-hexane to obtain 68 mg of poly (3-phenylpyrrole). When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 346, the number average molecular weight (Mn) was 226, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 531.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる銅元素の割合を測定すると3ppmであった。検出された銅元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する銅元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the copper element contained by the ICP-MS method was measured to be 3 ppm. The detected copper element is considered to be a copper element derived from impurities contained in the raw material, the solvent and the like.

さらに、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の代わりに、実施例5で得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で薄膜(膜厚:0.14μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、1.2E+12Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Further, the same procedure as in the above Example 2 except that the poly (3-phenylpyrrole) obtained in Example 5 was used instead of the poly (3-phenylpyrrole) obtained in Example 2 above. Then, a thin film (film thickness: 0.14 μm) was formed, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 1.2E + 12Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(比較例4)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの水を加えた。次いで、474mg(3.3mmol)の臭化銅を加えて、窒素雰囲気下、室温で20時間撹拌した。
(Comparative Example 4)
To a 50 mL eggplant flask, 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of water were added. Next, 474 mg (3.3 mmol) of copper bromide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 20 hours under a nitrogen atmosphere.

この反応溶液の不溶物を、グラスフィルターによってろ取した。次いで、不溶物をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、70mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は397、数平均分子量(Mn)は374、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.061であった。   The insoluble matter in the reaction solution was collected by a glass filter. Next, the insoluble material was washed with methanol and then with n-hexane to obtain 70 mg of poly (3-phenylpyrrole). When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 397, the number average molecular weight (Mn) was 374, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 0.061.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる銅元素の割合を測定すると53400ppmであった。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the copper element contained by the ICP-MS method was measured to be 53400 ppm.

さらに、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の代わりに、比較例4で得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の手順で薄膜(膜厚:0.18μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、9.0E+9Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Furthermore, the procedure similar to the said Example 2 except having used the poly (3-phenylpyrrole) obtained by the comparative example 4 instead of the poly (3-phenylpyrrole) obtained by the said Example 2. Then, a thin film (film thickness: 0.18 μm) was formed, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 9.0E + 9Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

実施例3〜5および比較例4の結果から明らかなように、本発明の製造方法によって得られるポリピロール類に含まれる銅元素の割合は、金属触媒を用いて製造したポリピロール類に含まれる銅元素の割合よりも、はるかに低いことがわかった。   As is clear from the results of Examples 3 to 5 and Comparative Example 4, the ratio of the copper element contained in the polypyrroles obtained by the production method of the present invention is the copper element contained in the polypyrroles produced using the metal catalyst. It was found to be much lower than the percentage of.

次に、超原子価ヨウ素反応剤と金属を含まない酸化剤とを併用して、ポリピロール類およびポリチオフェン類を製造した。   Next, polypyrroles and polythiophenes were produced by using a hypervalent iodine reactant in combination with an oxidizing agent not containing metal.

(実施例6)
200mLのナスフラスコに、82gのイオン交換水、8.2gの17.6質量%ポリスチレンスルホン酸水溶液、200mg(2.9mmol)のピロール、および5.77gの10.9質量%ペルオキソ二硫酸水溶液(3.23mmol)を加えた。次いで、21.5mg(0.05mmol)のPIFAを1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロパノール(5ml)に溶解して加えた。その後、18℃で6時間撹拌し、ポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体を得た。
(Example 6)
In a 200 mL eggplant flask, 82 g of ion-exchanged water, 8.2 g of 17.6% by mass polystyrenesulfonic acid aqueous solution, 200 mg (2.9 mmol) pyrrole, and 5.77 g of 10.9% by mass peroxodisulfuric acid aqueous solution ( 3.23 mmol) was added. Next, 21.5 mg (0.05 mmol) of PIFA was dissolved in 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol (5 ml) and added. Then, it stirred at 18 degreeC for 6 hours, and obtained the polypyrrole water dispersion of polystyrene sulfonic acid dope.

得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体について、原子吸光光度計によって含まれる鉄元素の割合を測定すると2ppmであった。   It was 2 ppm when the ratio of the iron element contained in the obtained polystyrene sulfonic acid dope polypyrrole aqueous dispersion was measured by an atomic absorption photometer.

さらに、得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体をそのまま、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.25μmであった。   Further, the obtained polystyrene sulfonic acid-doped polypyrrole aqueous dispersion was used as it was. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.25 μm.

次いで、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜の代わりに、実施例6で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロールの薄膜を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の方法で表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、1.4E+8Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Next, in place of the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 2 above, the polystyrene sulfonate-doped polypyrrole thin film obtained in Example 6 was used, except for the above Example 2. The surface resistivity was measured by the same method. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 1.4E + 8Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(比較例5)
200mLのナスフラスコに、82gのイオン交換水、8.2gの17.6質量%ポリスチレンスルホン酸水溶液、200mg(2.9mmol)のピロール、および5.77gの10.9質量%ペルオキソ二硫酸水溶液(3.23mmol)を加えた。次いで、2.0gの1質量%硫酸鉄(III)水溶液(0.05mmol)を加えた。その後、窒素雰囲気下、18℃で6時間撹拌して、ポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体を得た。
(Comparative Example 5)
In a 200 mL eggplant flask, 82 g of ion-exchanged water, 8.2 g of 17.6% by mass polystyrenesulfonic acid aqueous solution, 200 mg (2.9 mmol) pyrrole, and 5.77 g of 10.9% by mass peroxodisulfuric acid aqueous solution ( 3.23 mmol) was added. Then, 2.0 g of 1 mass% iron (III) sulfate aqueous solution (0.05 mmol) was added. Then, it stirred at 18 degreeC under nitrogen atmosphere for 6 hours, and obtained the polystyrene sulfonic acid dope polypyrrole water dispersion.

得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体について、原子吸光光度計によって含まれる鉄元素の割合を測定すると55ppmであった。   About the obtained polystyrene sulfonic acid dope polypyrrole aqueous dispersion, the ratio of the iron element contained by an atomic absorption photometer was 55 ppm.

さらに、上記実施例6で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体の代わりに、比較例5で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリピロール水分散体を用いたこと以外は、上記実施例6と同様の手順で薄膜(膜厚:0.27μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、4.7E+7Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Further, in place of the polystyrenesulfonic acid-doped polypyrrole aqueous dispersion obtained in Example 6 above, the above-mentioned Example 6 was used except that the polystyrenesulfonic acid-doped polypyrrole aqueous dispersion obtained in Comparative Example 5 was used. A thin film (film thickness: 0.27 μm) was formed by the same procedure as above, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 4.7E + 7Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例7)
300mLのナスフラスコに、182gのイオン交換水、27.9gの17.6質量%ポリスチレンスルホン酸水溶液、0.8g(5.63mmol)の3,4−エチレンジオキシチオフェン、および11.5gの10.9質量%ペルオキソ二硫酸水溶液(6.46mmol)を加えた。次いで、0.044g(0.10mmol)のPIFAを加えた。その後、18℃で24時間撹拌して、ポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体を得た。
(Example 7)
In a 300 mL eggplant flask, 182 g of ion exchange water, 27.9 g of 17.6 wt% polystyrene sulfonic acid aqueous solution, 0.8 g (5.63 mmol) of 3,4-ethylenedioxythiophene, and 11.5 g of 10 A 9 mass% aqueous peroxodisulfate solution (6.46 mmol) was added. Then 0.044 g (0.10 mmol) of PIFA was added. Thereafter, the mixture was stirred at 18 ° C. for 24 hours to obtain a polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion.

得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体について、原子吸光光度計によって含まれる鉄元素の割合を測定すると1ppmであった。   About the obtained polystyrene sulfonic acid dope poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion, the ratio of the iron element contained by an atomic absorption photometer was 1 ppm.

さらに、上記実施例7で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体100gに、3gのN−メチル−2−ピロリドンを加えて混合した。次いで、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.12μmであった。   Furthermore, 3 g of N-methyl-2-pyrrolidone was added to and mixed with 100 g of the polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion obtained in Example 7 above. Then, No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.12 μm.

次いで、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜の代わりに、実施例7で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の薄膜を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の方法で表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、3.6E+4Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Next, instead of the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 2 above, the polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) thin film obtained in Example 7 was used. Except for the above, the surface resistivity was measured in the same manner as in Example 2 above. The surface resistivity of the obtained thin film was measured and found to be 3.6E + 4Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(比較例6)
300mLのナスフラスコに、178gのイオン交換水、27.9gの17.6質量%ポリスチレンスルホン酸水溶液、0.8g(5.63mmol)の3,4−エチレンジオキシチオフェン、および11.5gの10.9質量%ペルオキソ二硫酸水溶液(6.46mmol)を加えた。次いで、4.0gの1質量%硫酸鉄(III)水溶液(0.10mmol)を加えた。その後、18℃で24時間撹拌して、ポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体を得た。
(Comparative Example 6)
In a 300 mL eggplant flask, 178 g of ion exchange water, 27.9 g of 17.6 wt% polystyrene sulfonic acid aqueous solution, 0.8 g (5.63 mmol) of 3,4-ethylenedioxythiophene, and 11.5 g of 10 A 9 mass% aqueous peroxodisulfate solution (6.46 mmol) was added. Then, 4.0 g of 1 mass% iron (III) sulfate aqueous solution (0.10 mmol) was added. Thereafter, the mixture was stirred at 18 ° C. for 24 hours to obtain a polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion.

得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体について、原子吸光光度計によって含まれる鉄元素の割合を測定すると63ppmであった。   About the obtained polystyrene sulfonic acid dope poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion, the ratio of the iron element contained by an atomic absorption photometer was 63 ppm.

さらに、上記実施例7で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体の代わりに、比較例6で得られたポリスチレンスルホン酸ドープのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)水分散体を用いたこと以外は、上記実施例7と同様の手順で薄膜(膜厚:0.12μm)を形成し、この薄膜の表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、4.9E+3Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Furthermore, instead of the polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4-ethylenedioxythiophene) aqueous dispersion obtained in Example 7, the polystyrenesulfonic acid-doped poly (3,4) obtained in Comparative Example 6 was used. -Ethylenedioxythiophene) A thin film (film thickness: 0.12 µm) was formed in the same procedure as in Example 7 except that an aqueous dispersion was used, and the surface resistivity of this thin film was measured. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 4.9E + 3Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

実施例6および7ならびに比較例5および6の結果から明らかなように、本発明の製造方法によって得られるポリピロール類およびポリチオフェン類に含まれる鉄元素の割合は、金属触媒を用いて製造したポリピロール類およびポリチオフェン類に含まれる鉄元素の割合よりも、はるかに低いことがわかった。   As is clear from the results of Examples 6 and 7 and Comparative Examples 5 and 6, the ratio of iron element contained in the polypyrroles and polythiophenes obtained by the production method of the present invention was determined using polypyrroles produced using a metal catalyst. It was found that it was much lower than the ratio of iron element contained in polythiophenes.

(実施例8)
50mLのナスフラスコに、154mg(1mmol)の3−ブトキシチオフェンおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下、室温下(約25℃)で攪拌し、次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、46mg(0.025mmol)の1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、メタクロロ過安息香酸516mg(3mmol)、およびトリフルオロ酢酸0.15ml(2mmol)を加えた。
(Example 8)
To a 50 mL eggplant flask, add 154 mg (1 mmol) of 3-butoxythiophene and 10 mL of methylene chloride, stir at room temperature (about 25 ° C.) under a nitrogen atmosphere, and then add 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate. 46 mg (0.025 mmol) 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 516 mg (3 mmol) metachloroperbenzoic acid, and 0.15 ml trifluoroacetic acid (2 mmol) was added.

1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン添加後、さらに20時間撹拌を行った。その後この反応溶液を減圧濃縮し、残渣に20mLのメタノールを加えた。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取し、メタノール30mlを用いて洗浄した。さらに不溶物を30mlのジエチルエーテルを用いて洗浄し、精製されたポリ(3−ブトキシチオフェン)45mgを得た。一方、洗浄したジエチルエーテルを濃縮することで、1,3,5,7−テトラキス−(4−ヨードフェニル)アダマンタンの反応剤(16mg、回収率;67%)を回収した。
得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は2313、数平均分子量(Mn)は1812、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.28であった。
After addition of 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, the mixture was further stirred for 20 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, and 20 mL of methanol was added to the residue. Subsequently, the black insoluble matter was collected by filtration with a glass filter and washed with 30 ml of methanol. Further, the insoluble matter was washed with 30 ml of diethyl ether to obtain 45 mg of purified poly (3-butoxythiophene). On the other hand, the reactant (16 mg, recovery rate: 67%) of 1,3,5,7-tetrakis- (4-iodophenyl) adamantane was recovered by concentrating the washed diethyl ether.
When the molecular weight of the obtained poly (3-butoxythiophene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 2313, the number average molecular weight (Mn) was 1812, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .28.

得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると6ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-butoxythiophene) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured to be 6 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−ブトキシチオフェン)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.10μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-butoxythiophene). First, 20 mg of poly (3-butoxythiophene) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a paint. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.10 μm.

(実施例9)
50mLのナスフラスコに、154mg(1mmol)の3−ブトキシチオフェンおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下、室温下(約25℃)で攪拌し、次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、44mg(0.025mmol)のテトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタン、メタクロロ過安息香酸516mg(3mmol)、およびトリフルオロ酢酸0.15ml(2mmol)を加えた。
Example 9
To a 50 mL eggplant flask, add 154 mg (1 mmol) of 3-butoxythiophene and 10 mL of methylene chloride, stir at room temperature (about 25 ° C.) under a nitrogen atmosphere, and then add 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate. 44 mg (0.025 mmol) of tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane, 516 mg (3 mmol) of metachloroperbenzoic acid, and 0.15 ml (2 mmol) of trifluoroacetic acid were then added.

テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタン添加後、さらに20時間撹拌を行った。その後この反応溶液を減圧濃縮し、残渣に20mLのメタノールを加えた。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取し、メタノール30mlを用いて洗浄した。さらに30mlのアセトンを用いてポリ(ブトキシチオフェン)を溶解し、得られた溶液を濃縮することにより、43mgのポリ(3−ブトキシチオフェン)を得た。また、グラスフィルター上にはテトラキス−(4−ヨードフェニル)メタンの反応剤が残存しており、これを塩化メチレン20mlに溶解し、この得られた塩化メチレン溶液を再度減圧濃縮し、テトラキス−(4−ヨードフェニル)メタンの反応剤の(9mg、回収率;43%)回収を行った。   After addition of tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane, the mixture was further stirred for 20 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, and 20 mL of methanol was added to the residue. Subsequently, the black insoluble matter was collected by filtration with a glass filter and washed with 30 ml of methanol. Further, 30 mg of acetone was used to dissolve poly (butoxythiophene), and the resulting solution was concentrated to obtain 43 mg of poly (3-butoxythiophene). Further, a tetrakis- (4-iodophenyl) methane reactant remains on the glass filter, which is dissolved in 20 ml of methylene chloride, and the resulting methylene chloride solution is again concentrated under reduced pressure, and tetrakis- ( Recovery of 4-iodophenyl) methane reactant (9 mg, recovery; 43%) was performed.

得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1545、数平均分子量(Mn)は1498、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.03であった。   When the molecular weight of the obtained poly (3-butoxythiophene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1545, the number average molecular weight (Mn) was 1498, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 0.03.

得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると7ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-butoxythiophene) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured and found to be 7 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−ブトキシチオフェン)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.08μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-butoxythiophene). First, 20 mg of poly (3-butoxythiophene) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a paint. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.08 μm.

(実施例10)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下、室温下(約25℃)で攪拌し、次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、46mg(0.025mmol)の1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン、メタクロロ過安息香酸516mg(3mmol)、およびトリフルオロ酢酸0.15ml(2mmol)を加えた。
(Example 10)
To a 50 mL eggplant flask, add 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of methylene chloride, stir at room temperature (about 25 ° C.) under a nitrogen atmosphere, and then add 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate. 46 mg (0.025 mmol) 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, 516 mg (3 mmol) metachloroperbenzoic acid, and 0.15 ml trifluoroacetic acid (2 mmol) was added.

1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン添加後、さらに20時間撹拌を行った。その後この反応溶液を減圧濃縮し、残渣に20mLのメタノールを加えた。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取し、メタノール30mlを用いて洗浄した。さらに不溶物を30mlのジエチルエーテルを用いて洗浄し、精製されたポリ(3−フェニルピロール)68mgを得た。一方、洗浄したジエチルエーテルを濃縮することで、1,3,5,7−テトラキス−(4−ヨードフェニル)アダマンタンの反応剤(11mg、回収率;47%)を回収した。
得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1355、数平均分子量(Mn)は1338、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.01であった。
After addition of 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, the mixture was further stirred for 20 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, and 20 mL of methanol was added to the residue. Subsequently, the black insoluble matter was collected by filtration with a glass filter and washed with 30 ml of methanol. The insoluble material was further washed with 30 ml of diethyl ether to obtain 68 mg of purified poly (3-phenylpyrrole). On the other hand, the reactant (11 mg, recovery rate: 47%) of 1,3,5,7-tetrakis- (4-iodophenyl) adamantane was recovered by concentrating the washed diethyl ether.
When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1355, the number average molecular weight (Mn) was 1338, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .01.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると12ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured and found to be 12 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−フェニルピロール)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.12μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-phenylpyrrole). First, 20 mg of poly (3-phenylpyrrole) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a coating material. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.12 μm.

次いで、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜の代わりに、実施例10で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の方法で表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、4.7E+9Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Next, in place of the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 2 above, the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 10 was used, except that the above Example 2 was used. The surface resistivity was measured by the same method. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 4.7E + 9Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例11)
50mLのナスフラスコに、143mg(1mmol)の3−フェニルピロールおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下、室温下(約25℃)で攪拌し、次いで、889mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、44mg(0.025mmol)のテトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタン、メタクロロ過安息香酸516mg(3mmol)、およびトリフルオロ酢酸0.15ml(2mmol)を加えた。
(Example 11)
To a 50 mL eggplant flask, add 143 mg (1 mmol) of 3-phenylpyrrole and 10 mL of methylene chloride, stir at room temperature (about 25 ° C.) under a nitrogen atmosphere, and then add 889 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate. 44 mg (0.025 mmol) of tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane, 516 mg (3 mmol) of metachloroperbenzoic acid, and 0.15 ml (2 mmol) of trifluoroacetic acid were then added.

テトラキス−4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニルメタン添加後、さらに20時間撹拌を行った。その後この反応溶液を減圧濃縮し、残渣に20mLのメタノールを加えた。次いで、グラスフィルターによって、黒色の不溶物をろ取し、メタノール30mlを用いて洗浄した。さらに30mlのアセトンを用いてポリ(ブトキシチオフェン)を溶解し、得られた溶液を濃縮することにより、60mgのポリ(3−フェニルピロール)を得た。また、グラスフィルター上にはテトラキス−(4−ヨードフェニル)メタンの反応剤が残存しており、これを塩化メチレン20mlに溶解し、この得られた塩化メチレン溶液を再度減圧濃縮し、テトラキス−(4−ヨードフェニル)メタンの反応剤の(10mg、回収率;48%)回収を行った。   After addition of tetrakis-4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenylmethane, the mixture was further stirred for 20 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, and 20 mL of methanol was added to the residue. Subsequently, the black insoluble matter was collected by filtration with a glass filter and washed with 30 ml of methanol. Furthermore, 30 mg of acetone was used to dissolve poly (butoxythiophene), and the resulting solution was concentrated to obtain 60 mg of poly (3-phenylpyrrole). Further, a tetrakis- (4-iodophenyl) methane reactant remains on the glass filter, which is dissolved in 20 ml of methylene chloride, and the resulting methylene chloride solution is again concentrated under reduced pressure, and tetrakis- ( Recovery of the 4-iodophenyl) methane reactant (10 mg, recovery; 48%) was performed.

得られたポリ(3−フェニルピロール)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1337、数平均分子量(Mn)は1315、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.02であった。   When the molecular weight of the obtained poly (3-phenylpyrrole) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1337, the number average molecular weight (Mn) was 1315, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .02.

得られたポリ(3−フェニルピロール)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると8ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-phenylpyrrole) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured and found to be 8 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−フェニルピロール)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−フェニルピロール)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.15μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-phenylpyrrole). First, 20 mg of poly (3-phenylpyrrole) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a coating material. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.15 μm.

次いで、上記実施例2で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜の代わりに、実施例11で得られたポリ(3−フェニルピロール)の薄膜を用いたこと以外は、上記実施例2と同様の方法で表面抵抗率を測定した。得られた薄膜の表面抵抗率を測定した結果、1.0E+9Ω/□であった。この結果から、得られた薄膜は、帯電防止性能を有していることがわかった。   Next, in place of the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 2 above, the poly (3-phenylpyrrole) thin film obtained in Example 11 was used except that the above Example 2 was used. The surface resistivity was measured by the same method. As a result of measuring the surface resistivity of the obtained thin film, it was 1.0E + 9Ω / □. From this result, it was found that the obtained thin film had antistatic performance.

(実施例12)
50mLのナスフラスコに、78mg(0.5mmol)の3−ブトキシチオフェンおよび10mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下、室温下(約25℃)で攪拌し、次いで、666mgのトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルを加え、その後、346mg(0.187mmol)の1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタンを加えた。
Example 12
To a 50 mL eggplant flask, 78 mg (0.5 mmol) of 3-butoxythiophene and 10 mL of methylene chloride are added and stirred at room temperature (about 25 ° C.) under a nitrogen atmosphere, and then 666 mg of trimethylsilyl trifluoromethanesulfonate. And then 346 mg (0.187 mmol) of 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane was added.

1,3,5,7−テトラキス−(4−ビス(トリフルオロアセトキシヨード)フェニル)アダマンタン添加後、さらに10時間撹拌を行った。その後この反応溶液を減圧濃縮し、残渣に20mLのメタノールを加えた。次いで、グラスフィルターを用いてろ過し、ろ液のメタノール溶液を濃縮することでポリ(3−ブトキシチオフェン)53mg、を得た。また、グラスフィルターに残った残渣を塩化メチレン40mlに溶解し、再度減圧濃縮を行い、1,3,5,7−テトラキス−(4−ヨードフェニル)アダマンタン(112mg、回収率;63%)を回収した。
得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は1867、数平均分子量(Mn)は1322、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.41であった。
After addition of 1,3,5,7-tetrakis- (4-bis (trifluoroacetoxyiodo) phenyl) adamantane, the mixture was further stirred for 10 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated under reduced pressure, and 20 mL of methanol was added to the residue. Subsequently, it filtered using the glass filter and 53 mg of poly (3-butoxythiophene) was obtained by concentrating the methanol solution of a filtrate. Also, the residue remaining on the glass filter was dissolved in 40 ml of methylene chloride and concentrated again under reduced pressure to recover 1,3,5,7-tetrakis- (4-iodophenyl) adamantane (112 mg, recovery rate: 63%). did.
When the molecular weight of the obtained poly (3-butoxythiophene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 1867, the number average molecular weight (Mn) was 1322, and the ratio Mw / Mn between the weight average molecular weight and the number average molecular weight was 1 .41.

得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると5ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (3-butoxythiophene) was incinerated, and the ratio of the iron element contained by the ICP-MS method was measured and found to be 5 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(3−ブトキシチオフェン)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(3−ブトキシチオフェン)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.07μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (3-butoxythiophene). First, 20 mg of poly (3-butoxythiophene) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a paint. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.07 μm.

(実施例13)
50mLのナスフラスコに、522mg(4mmol)の1,4−ジメトキシベンゼンおよび20mLの塩化メチレンを加えて、窒素雰囲気下で−78℃に冷却した(寒剤として、ドライアイスおよびメタノールを使用)。次いで、3.2g(16mmol)のボロントリフロリド−エチルエーテルコンプレックスを加え、その後、3.44g(8mmol)のPIFAを加えた。
(Example 13)
To a 50 mL eggplant flask, 522 mg (4 mmol) of 1,4-dimethoxybenzene and 20 mL of methylene chloride were added and cooled to −78 ° C. under a nitrogen atmosphere (using dry ice and methanol as a cryogen). Then 3.2 g (16 mmol) of boron trifluoride-ethyl ether complex was added followed by 3.44 g (8 mmol) of PIFA.

PIFA添加8時間後に、寒剤を外し、反応温度を徐々に室温まで上昇させた。さらに、8時間撹拌を行い、PIFA添加後の反応時間を合計で16時間とした。   Eight hours after the addition of PIFA, the cryogen was removed and the reaction temperature was gradually raised to room temperature. Furthermore, stirring was performed for 8 hours, and the reaction time after the addition of PIFA was 16 hours in total.

この反応溶液を濃縮し、50mlのメタノールを加え、この反応溶液の不溶物を、グラスフィルターによってろ取した。次いで、不溶物をメタノールで洗浄後、さらにn−ヘキサンで洗浄し、415mgのポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレン)を得た。   The reaction solution was concentrated, 50 ml of methanol was added, and insoluble matters of the reaction solution were collected by filtration with a glass filter. Subsequently, the insoluble material was washed with methanol, and further washed with n-hexane to obtain 415 mg of poly (2,5-dimethoxy-p-phenylene).

得られたポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレン)の分子量を測定すると、重量平均分子量(Mw)は15213、数平均分子量(Mn)は10865、そして重量平均分子量と数平均分子量との比Mw/Mnは1.40であった。   When the molecular weight of the obtained poly (2,5-dimethoxy-p-phenylene) was measured, the weight average molecular weight (Mw) was 15213, the number average molecular weight (Mn) was 10865, and the ratio of the weight average molecular weight to the number average molecular weight. Mw / Mn was 1.40.

得られたポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレン)を灰化して、ICP−MS法によって含まれる鉄元素の割合を測定すると4ppmであった。検出された鉄元素は、原料、溶媒などに含まれる不純物に由来する鉄元素であると考えられる。   The obtained poly (2,5-dimethoxy-p-phenylene) was incinerated, and the ratio of iron element contained by the ICP-MS method was measured to be 4 ppm. The detected iron element is considered to be an iron element derived from impurities contained in the raw material, solvent and the like.

さらに、得られたポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレン)を用いて、以下の手順で薄膜を形成した。まず、20mgのポリ(2,5−ジメトキシ−p−フェニレン)を1mLのクロロホルムに溶解し、塗料を調製した。次いで、調製した塗料を、No.8のワイヤーバー(塗布量:湿潤状態で18μmの厚み)を用いてガラス板(JIS R3202)に塗布した。次いで、100℃で2分間、送風乾燥して薄膜を得た。得られた薄膜の厚みは、0.15μmであった。   Furthermore, a thin film was formed by the following procedure using the obtained poly (2,5-dimethoxy-p-phenylene). First, 20 mg of poly (2,5-dimethoxy-p-phenylene) was dissolved in 1 mL of chloroform to prepare a paint. Then, the prepared paint was No. It applied to the glass plate (JIS R3202) using the wire bar of 8 (application quantity: thickness of 18 micrometers in the wet state). Next, the film was blown and dried at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a thin film. The thickness of the obtained thin film was 0.15 μm.

本発明によれば、金属イオンの含有量が少ない芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法を提供することができる。したがって、本発明の製造方法によって得られた芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーは、エレクトロニクス関連のフィルム、シート、成形品、部品などの帯電防止剤、有機エレクトロルミネッセンスの正孔注入材料、発光材料、エレクトロルミネッセンスパネルの表面電極、液晶ディスプレイの画素電極、コンデンサーの電極、タッチパネルの透明電極、メンブレンスイッチの透明電極、電子ペーパーの透明電極などの各種透明電極、ブラウン管ディスプレイの電磁遮蔽、液晶ディスプレイ、パチンコ台などのノイズカットのための電磁波シールド、調光ガラス、有機TFTの電極などとして利用し得る。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the polymer of an aromatic compound and a heterocyclic aromatic compound with little metal ion content can be provided. Therefore, the polymer of the aromatic compound and the heterocyclic aromatic compound obtained by the production method of the present invention is an antistatic agent for electronic films, sheets, molded articles, parts, etc., hole injection material for organic electroluminescence , Luminescent material, surface electrode of electroluminescence panel, pixel electrode of liquid crystal display, capacitor electrode, transparent electrode of touch panel, transparent electrode of membrane switch, transparent electrode of electronic paper, etc., electromagnetic shielding of cathode ray tube display, liquid crystal It can be used as an electromagnetic wave shield for noise reduction, such as a display and a pachinko machine, a light control glass, and an electrode of an organic TFT.

Claims (11)

超原子価ヨウ素反応剤を用いて、芳香族化合物を酸化重合させる工程を包含する、ポリマーの製造方法。   A method for producing a polymer, comprising a step of oxidative polymerization of an aromatic compound using a hypervalent iodine reactant. 超原子価ヨウ素反応剤を用いて、複素環式芳香族化合物を酸化重合させる工程を包含する、ポリマーの製造方法。   A method for producing a polymer, comprising a step of oxidatively polymerizing a heterocyclic aromatic compound using a hypervalent iodine reactant. 芳香族化合物が、ベンゼン系芳香族化合物である請求項1に記載の製造方法。   The production method according to claim 1, wherein the aromatic compound is a benzene-based aromatic compound. 複素環式芳香族化合物の複素原子が、窒素、硫黄、及び酸素のいずれかである請求項2に記載の製造方法。   The production method according to claim 2, wherein the heteroatom of the heterocyclic aromatic compound is any one of nitrogen, sulfur, and oxygen. ベンゼン系芳香族化合物がベンゼンまたは1,4−置換ベンゼンである請求項3に記載の製造方法。   The production method according to claim 3, wherein the benzene-based aromatic compound is benzene or 1,4-substituted benzene. 複素環式芳香族化合物が、ピロール類であり、ポリマーがポリピロール類である請求項2に記載の製造方法。   The production method according to claim 2, wherein the heterocyclic aromatic compound is a pyrrole, and the polymer is a polypyrrole. 複素環式芳香族化合物が、チオフェン類であり、ポリマーがポリチオフェン類である請求項2に記載の製造方法。   The production method according to claim 2, wherein the heterocyclic aromatic compound is a thiophene, and the polymer is a polythiophene. 超原子価ヨウ素反応剤がアダマンタン構造を有する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。   The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the hypervalent iodine reactant has an adamantane structure. 超原子価ヨウ素反応剤がテトラフェニルメタン構造を有する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の製造方法。   The production method according to any one of claims 1 to 7, wherein the hypervalent iodine reactant has a tetraphenylmethane structure. 前記酸化重合させる工程において、さらに、金属を含まない酸化剤が用いられる、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 1 to 9, wherein an oxidizing agent not containing a metal is further used in the oxidative polymerization step. 前記超原子価ヨウ素反応剤の使用量が、芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して0.001〜0.3モルであり、前記金属を含まない酸化剤の使用量が芳香族化合物または複素環式芳香族化合物1モルに対して1〜4モル当量である、請求項10に記載の製造方法。   The amount of the hypervalent iodine reactant used is 0.001 to 0.3 mol with respect to 1 mol of the aromatic compound or heterocyclic aromatic compound, and the amount of the oxidizing agent not containing the metal is aromatic. The manufacturing method of Claim 10 which is 1-4 molar equivalent with respect to 1 mol of an aromatic compound or a heterocyclic aromatic compound.
JP2007336179A 2007-07-24 2007-12-27 Process for producing polymers of aromatic compounds and heteroaromatic compounds using hypervalent iodine reactants Expired - Fee Related JP5339229B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007336179A JP5339229B2 (en) 2007-07-24 2007-12-27 Process for producing polymers of aromatic compounds and heteroaromatic compounds using hypervalent iodine reactants

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007192659 2007-07-24
JP2007192659 2007-07-24
JP2007336179A JP5339229B2 (en) 2007-07-24 2007-12-27 Process for producing polymers of aromatic compounds and heteroaromatic compounds using hypervalent iodine reactants

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009046653A true JP2009046653A (en) 2009-03-05
JP5339229B2 JP5339229B2 (en) 2013-11-13

Family

ID=40499166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007336179A Expired - Fee Related JP5339229B2 (en) 2007-07-24 2007-12-27 Process for producing polymers of aromatic compounds and heteroaromatic compounds using hypervalent iodine reactants

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5339229B2 (en)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258353B2 (en) 2008-10-13 2012-09-04 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
US8558041B2 (en) 2009-10-09 2013-10-15 Dow Global Technologies, Llc Isothermal multitube reactors and processes incorporating the same
US8581012B2 (en) 2009-10-09 2013-11-12 Dow Global Technologies, Llc Processes for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes and higher alkenes
US8581011B2 (en) 2009-10-09 2013-11-12 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
WO2014021405A2 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 国立大学法人 千葉大学 Film having metallic luster, article having said film formed thereon, and manufacturing method for film having metallic luster
JP2014047224A (en) * 2012-08-29 2014-03-17 Ritsumeikan Method for producing organic coloring matter mk-2
US8907149B2 (en) 2011-05-31 2014-12-09 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated propenes
US8907148B2 (en) 2011-08-07 2014-12-09 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated propenes
US8927792B2 (en) 2011-06-08 2015-01-06 Dow Agrosciences, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
US9056808B2 (en) 2011-05-31 2015-06-16 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9067855B2 (en) 2011-11-21 2015-06-30 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9169177B2 (en) 2011-12-22 2015-10-27 Blue Cube Ip Llc Process for the production of tetrachloromethane
US9199899B2 (en) 2011-12-02 2015-12-01 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9233896B2 (en) 2011-08-07 2016-01-12 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9284239B2 (en) 2011-12-02 2016-03-15 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9321707B2 (en) 2012-09-20 2016-04-26 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9334205B2 (en) 2011-12-13 2016-05-10 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propanes and propenes
US9382176B2 (en) 2013-02-27 2016-07-05 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9403741B2 (en) 2013-03-09 2016-08-02 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9475740B2 (en) 2012-12-19 2016-10-25 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9512053B2 (en) 2012-12-18 2016-12-06 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9512049B2 (en) 2011-12-23 2016-12-06 Dow Global Technologies Llc Process for the production of alkenes and/or aromatic compounds
US9598334B2 (en) 2012-09-20 2017-03-21 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9795941B2 (en) 2012-09-30 2017-10-24 Blue Cube Ip Llc Weir quench and processes incorporating the same
US10065157B2 (en) 2012-10-26 2018-09-04 Blue Cube Ip Llc Mixer and processes incorporating the same
JP2019038943A (en) * 2017-08-25 2019-03-14 国立大学法人千葉大学 Black gloss coating material, black gloss coating film and method for producing black gloss coating material
CN111087507A (en) * 2019-12-18 2020-05-01 常州大学 Free radical polymerization of acrylamide initiated by redox of high valence iodide reagent
CN112004793A (en) * 2018-03-30 2020-11-27 大金工业株式会社 Method for producing fluorinated organic compound
CN112980299A (en) * 2019-12-13 2021-06-18 富士胶片商业创新有限公司 Composition for forming metallic luster film, and article

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020322A (en) * 2000-07-05 2002-01-23 Mitsui Chemicals Inc Method for oxidizing alcoholic compound using trivalent iodine compound
JP2004224790A (en) * 2002-12-10 2004-08-12 Hc Starck Gmbh Method for producing 2,2'-di(3,4-ethylenedioxythiophene) compound, the compound and use of the compound
JP2005220122A (en) * 2003-11-18 2005-08-18 Wako Pure Chem Ind Ltd Low molecular recyclable type highpervalent iodine reagent
JP2009523869A (en) * 2006-01-20 2009-06-25 ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Production method of polythiophene

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002020322A (en) * 2000-07-05 2002-01-23 Mitsui Chemicals Inc Method for oxidizing alcoholic compound using trivalent iodine compound
JP2004224790A (en) * 2002-12-10 2004-08-12 Hc Starck Gmbh Method for producing 2,2'-di(3,4-ethylenedioxythiophene) compound, the compound and use of the compound
JP2005220122A (en) * 2003-11-18 2005-08-18 Wako Pure Chem Ind Ltd Low molecular recyclable type highpervalent iodine reagent
JP2009523869A (en) * 2006-01-20 2009-06-25 ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Production method of polythiophene

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012057784; DOHI,T. et al: 'The synthesis of head-to-tail (H-T) dimers of 3-substituted thiophenes by the hypervalent iodine(iii' Chemical Communications(Cambridge, United Kingdom) No.23, 2005, p.2930-2932 *

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8258353B2 (en) 2008-10-13 2012-09-04 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
US8926918B2 (en) 2009-10-09 2015-01-06 Dow Global Technologies Llc Isothermal multitube reactors
US8558041B2 (en) 2009-10-09 2013-10-15 Dow Global Technologies, Llc Isothermal multitube reactors and processes incorporating the same
US8581012B2 (en) 2009-10-09 2013-11-12 Dow Global Technologies, Llc Processes for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes and higher alkenes
US8581011B2 (en) 2009-10-09 2013-11-12 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
US8933280B2 (en) 2009-10-09 2015-01-13 Dow Global Technologies Llc Processes for the production of hydrofluoroolefins
US9056808B2 (en) 2011-05-31 2015-06-16 Dow Global Technologies, Llc Process for the production of chlorinated propenes
US8907149B2 (en) 2011-05-31 2014-12-09 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated propenes
US8927792B2 (en) 2011-06-08 2015-01-06 Dow Agrosciences, Llc Process for the production of chlorinated and/or fluorinated propenes
US8907148B2 (en) 2011-08-07 2014-12-09 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9475739B2 (en) 2011-08-07 2016-10-25 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9233896B2 (en) 2011-08-07 2016-01-12 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9067855B2 (en) 2011-11-21 2015-06-30 Dow Global Technologies Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9199899B2 (en) 2011-12-02 2015-12-01 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9284239B2 (en) 2011-12-02 2016-03-15 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
US9334205B2 (en) 2011-12-13 2016-05-10 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propanes and propenes
US9169177B2 (en) 2011-12-22 2015-10-27 Blue Cube Ip Llc Process for the production of tetrachloromethane
US9512049B2 (en) 2011-12-23 2016-12-06 Dow Global Technologies Llc Process for the production of alkenes and/or aromatic compounds
WO2014021405A3 (en) * 2012-07-31 2014-03-27 国立大学法人 千葉大学 Film having metallic luster, article having said film formed thereon, and manufacturing method for film having metallic luster
US11091668B2 (en) 2012-07-31 2021-08-17 National University Corporation Chiba University Film having metallic luster, article having said film formed thereon, and a method for producing a film having metallic luster
JPWO2014021405A1 (en) * 2012-07-31 2016-07-21 国立大学法人 千葉大学 Film having metallic luster, article formed therewith, and method for producing film having metallic luster
JP2017110232A (en) * 2012-07-31 2017-06-22 国立大学法人 千葉大学 Film with metallic sheen, article by forming the same and manufacturing method of film with metallic sheen
WO2014021405A2 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 国立大学法人 千葉大学 Film having metallic luster, article having said film formed thereon, and manufacturing method for film having metallic luster
JP2014047224A (en) * 2012-08-29 2014-03-17 Ritsumeikan Method for producing organic coloring matter mk-2
US9321707B2 (en) 2012-09-20 2016-04-26 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9598334B2 (en) 2012-09-20 2017-03-21 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9795941B2 (en) 2012-09-30 2017-10-24 Blue Cube Ip Llc Weir quench and processes incorporating the same
US10065157B2 (en) 2012-10-26 2018-09-04 Blue Cube Ip Llc Mixer and processes incorporating the same
US9512053B2 (en) 2012-12-18 2016-12-06 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9475740B2 (en) 2012-12-19 2016-10-25 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9382176B2 (en) 2013-02-27 2016-07-05 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated propenes
US9403741B2 (en) 2013-03-09 2016-08-02 Blue Cube Ip Llc Process for the production of chlorinated alkanes
JP2019038943A (en) * 2017-08-25 2019-03-14 国立大学法人千葉大学 Black gloss coating material, black gloss coating film and method for producing black gloss coating material
JP6995308B2 (en) 2017-08-25 2022-01-14 国立大学法人千葉大学 Manufacturing method of black gloss paint, black gloss coating film and black gloss paint
CN112004793A (en) * 2018-03-30 2020-11-27 大金工业株式会社 Method for producing fluorinated organic compound
US11667600B2 (en) 2018-03-30 2023-06-06 Daikin Industries, Ltd. Fluorinated organic compound production method
CN112004793B (en) * 2018-03-30 2024-02-27 大金工业株式会社 Process for producing fluorinated organic compound
CN112980299A (en) * 2019-12-13 2021-06-18 富士胶片商业创新有限公司 Composition for forming metallic luster film, and article
EP3838422A1 (en) * 2019-12-13 2021-06-23 Fuji Xerox Co., Ltd Composition for forming metallic luster film, metallic luster film, and article
US11708450B2 (en) 2019-12-13 2023-07-25 Fujifilm Business Innovation Corp. Composition for forming metallic luster film, metallic luster film, and article
CN111087507B (en) * 2019-12-18 2021-07-27 常州大学 Free radical polymerization of acrylamide initiated by redox of high valence iodide reagent
CN111087507A (en) * 2019-12-18 2020-05-01 常州大学 Free radical polymerization of acrylamide initiated by redox of high valence iodide reagent

Also Published As

Publication number Publication date
JP5339229B2 (en) 2013-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5339229B2 (en) Process for producing polymers of aromatic compounds and heteroaromatic compounds using hypervalent iodine reactants
Jeon et al. A facile and rapid synthesis of unsubstituted polythiophene with high electrical conductivity using binary organic solvents
JP2010018628A (en) Use of neutral compound
JP6024264B2 (en) Thiophene derivative, water-soluble conductive polymer and aqueous solution thereof, and production method thereof
JP5618175B2 (en) New heterocyclic aromatic polymers
JP2015168793A (en) Thiophene copolymer, aqueous solution thereof, thiophene monomer composition and method for producing the same
KR20110031382A (en) Novel heterocyclic aromatic compound and polymer
JP5138422B2 (en) Polymer containing benzothieno [3,2-b] benzothiophene structure
Rinaldi et al. Solid phase photopolymerization of pyrrole in poly (vinylchloride) matrix
TW201323576A (en) Polymer compound and organic photoelectric conversion element
JP6040615B2 (en) Thiophene compound, water-soluble conductive polymer and aqueous solution thereof, and production method thereof
SG189334A1 (en) Conductive composition and method for producing conductive coating film
KR100543121B1 (en) Methods for producing conducting polymer polythiophenes
Marshall et al. Polythiophenes with vinylene linked ortho, meta and para-carborane sidechains
KR20160023878A (en) Polymer and solar cell using the same
JP5493204B2 (en) Conductive polyrotaxane
Otep et al. Coil–rod–coil triblock copolymers synthesized by macromolecular clicking and their compatibilizer effects in all-polymer solar cells
JPH02218716A (en) Organic semiconductor and production thereof
JP5618174B2 (en) Method for producing heterocycle-containing aromatic compound
JP3164671B2 (en) Arylene vinylene polymer and method for producing the same
JP2011099010A (en) Production method for polythiophene, production method for polythiophene dispersion, polythiophene dispersion, and conductive film
JPH083033B2 (en) Semiconductor manufacturing composition
Chiang et al. Facile and effective syntheses of 2-fluoro-3-alkoxythiophenes and their uses in making highly regioregular poly (3-alkoxythiophene) s via transition-metal-free cationic chain-growth polymerization
Zhang et al. Synthesis and characterization of poly (3, 5-didodecyl-cyclopenta [2, 1-b; 3, 4-b′] dithiophen-4-one)
Hebert Oxidative and Non-Oxidative Approaches to High Molecular Weight Ether-Substituted Polythiophenes

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130716

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5339229

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees