JP2009040683A - Iii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009040683A JP2009040683A JP2008247344A JP2008247344A JP2009040683A JP 2009040683 A JP2009040683 A JP 2009040683A JP 2008247344 A JP2008247344 A JP 2008247344A JP 2008247344 A JP2008247344 A JP 2008247344A JP 2009040683 A JP2009040683 A JP 2009040683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- mixed melt
- nitride crystal
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】混合融液保持容器102には、III族金属としてのGaとアルカリ金属としてのNaとから構成される混合融液103が収容されている。ここで、Naの純度が99%、Gaの純度が99.9999%、窒素ガスの純度が99.999%、混合融液保持容器102の材質が焼結体のBNの場合には、固体物110は一部に穴111が開いたような形状となる。その穴111を通して窒素が混合融液103中に溶け込むことにより、混合融液103中に、III族窒化物としてのGaNの単結晶109を結晶成長させることができる。
【選択図】図3
Description
Japanese Journal of Applied Physics Vol.36(1997) Part 2, No.12A, L1568-1571 Applied Physics Letters, Vol.73, No.6, p.832-834(1998) Journal of Crystal Growth, Vol.189/190, p.153-158(1998) Chemistry of Materials Vol.9 (1997) p.413-416
第1の実施形態では、図2に示すように、混合融液保持容器102には、III族金属としてのGaとアルカリ金属としてのNaとから構成される混合融液103が収容されている。
第2の実施形態も第1の実施形態と同様に、図1と同様のIII族窒化物結晶成長装置を用い、第1の実施形態と同様の方法で結晶成長させるようにしている。
第3の実施形態も第1,第2の実施形態と同様に、図1と同様のIII族窒化物結晶成長装置を用い、第1,第2の実施形態と同様の方法で結晶成長させるようにしている。
第4の実施形態も第1乃至第3の実施形態と同様に、図1と同様のIII族窒化物結晶成長装置を用い、第1乃至第3の実施形態と同様の方法で結晶成長させるようにしている。
102 混合融液保持容器
103 混合融液
104 窒素供給管
105 圧力調整機構
106 加熱装置
108 反応容器内の空間
109 III族窒化物(GaN)結晶
115 III族窒化物
200 反応容器
201 容器外壁
202 容器内壁
208 反応容器内の空間
215 III族窒化物
501 n型GaN基板
502 n型AlGaNクラッド層
503 n型GaNガイド層
504 InGaN MQW活性層
505 p型GaNガイド層
506 p型AlGaNクラッド層
507 p型GaNコンタクト層
508 SiO2絶縁膜
509 p側オーミック電極
510 n側オーミック電極
Claims (18)
- 所定の容器内において、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、混合融液の表面を混合融液内に窒素が導入可能な状態にして、III族窒化物を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記アルカリ金属の純度、および/または、III族金属を含む物質の純度、および/または、窒素を含む物質の純度は、混合融液の表面の少なくとも一部が多結晶もしくは非品質のIII族窒化物で覆われない状態となるのに必要な純度となっていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記アルカリ金属には、Naが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族金属には、Gaが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、少なくとも窒素を含む物質には、窒素ガス,アンモニアガスまたはアジ化ナトリウムが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、BNで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、AlNで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物結晶成長方法において、前記所定の容器は、パイロリティックBNで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
- アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を保持する混合融液保持容器と、混合融液保持容器が設置される反応容器と、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む物質を導入するための窒素導入手段とを少なくとも有しており、前記混合融液が混合融液保持容器と接する領域は、不純物が少ない十分な純度を有していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項9記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記混合融液保持容器は、パイロリティックBNで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項9記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記混合融液保持容器の内側には、III族窒化物結晶成長装置によって結晶成長されるIII族窒化物と同種のIII族窒化物が予め塗布されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を保持する反応容器と、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む物質を導入するための窒素導入手段とを少なくとも有し、前記反応容器は、容器外壁と、混合融液を実質的に保持するための容器内壁とにより構成されており、前記混合融液が前記容器内壁と接する領域は、不純物が少ない十分な純度を有していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記容器外壁はステンレスで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記容器内壁はパイロリティックBNで形成されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記容器内壁の内側には、III族窒化物結晶成長装置によって結晶成長されるIII族窒化物と同種のIII族窒化物が予め塗布されていてことを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項9または請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記アルカリ金属には、Naが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項9または請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記III族金属には、Gaが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
- 請求項9または請求項12記載のIII族窒化物結晶成長装置において、少なくとも窒素を含む物質には、窒素ガス,アンモニアガスまたはアジ化ナトリウムが用いられることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008247344A JP4956515B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008247344A JP4956515B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001134171A Division JP4245822B2 (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009040683A true JP2009040683A (ja) | 2009-02-26 |
JP4956515B2 JP4956515B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=40441826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008247344A Expired - Fee Related JP4956515B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4956515B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8574532B2 (en) | 2010-12-27 | 2013-11-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for producing semiconductor crystal, apparatus for crystal production and group 13 element nitride semiconductor crystal |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5868837A (en) * | 1997-01-17 | 1999-02-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Low temperature method of preparing GaN single crystals |
JPH1160394A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法 |
JP2000044399A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法 |
JP2001064098A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-13 | Ricoh Co Ltd | 結晶成長方法および結晶成長装置およびiii族窒化物結晶 |
JP2001102316A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Ricoh Co Ltd | 結晶成長方法および結晶成長装置およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
-
2008
- 2008-09-26 JP JP2008247344A patent/JP4956515B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5868837A (en) * | 1997-01-17 | 1999-02-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Low temperature method of preparing GaN single crystals |
JPH1160394A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法 |
JP2000044399A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法 |
JP2001064098A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-13 | Ricoh Co Ltd | 結晶成長方法および結晶成長装置およびiii族窒化物結晶 |
JP2001102316A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Ricoh Co Ltd | 結晶成長方法および結晶成長装置およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8574532B2 (en) | 2010-12-27 | 2013-11-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for producing semiconductor crystal, apparatus for crystal production and group 13 element nitride semiconductor crystal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4956515B2 (ja) | 2012-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4801315B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP3929657B2 (ja) | 結晶成長方法およびiii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4245822B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4055110B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4216612B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP3868156B2 (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置およびiii族窒化物結晶 | |
JP3966682B2 (ja) | 結晶成長方法、結晶成長装置、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP4640899B2 (ja) | Iii族窒化物結晶成長装置 | |
JP4190711B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の結晶製造方法および結晶製造装置 | |
JP2003238296A (ja) | Iii族窒化物結晶成長方法およびiii族窒化物結晶成長装置 | |
JP4056664B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4048476B2 (ja) | 観察機能付iii族窒化物結晶製造装置および窒化物結晶製造方法 | |
JP4551026B2 (ja) | Iii族窒化物結晶成長装置およびiii族窒化物結晶成長方法 | |
JP4907127B2 (ja) | Iii族窒化物の自立単結晶作製方法およびiii族窒化物単結晶層を含む積層体 | |
JP4956515B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4298153B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2007001858A (ja) | 結晶製造装置、iii族窒化物結晶および半導体デバイス | |
JP4971274B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2003160398A (ja) | Iii族窒化物結晶成長方法およびiii族窒化物結晶成長装置 | |
JP5678981B2 (ja) | 結晶製造方法 | |
JP4773408B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法および結晶成長装置 | |
JP5278456B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4768656B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
JP4560497B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2005219961A (ja) | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090730 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4956515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |