JP2009027151A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明の目的は、半導体装置を製造する際に、半導体ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路を形成するときに生じるＴ−トップの現象等の不具合を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体用ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路配線を形成する回路形成工程と、前記回路配線を形成した後に、前記回路配線を保護するように硬化膜を形成する硬化膜形成工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記硬化膜は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には、耐熱性に優れ、卓越した電気特性、機械特性等を有するポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂が用いられてきた。また、製造プロセスを簡略化するために、これらのポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂と、感光剤のキノンジアジド化合物とを組み合わせたポジ型感光性樹脂組成物も使用されている（特許文献１）。
半導体ウエハーの製造する際には、酸化膜等を付ける成膜工程と、回路を作るリソグラフィー工程と、不純物添加工程とが繰り返される。このリソグラフィー工程では、化学増幅型のレジストが用いられている。そして、前記工程が終了した後に、半導体ウエハーの保護膜としてポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂で構成される膜が設けられる。そのため、半導体の製造ラインでは化学増幅型フォトレジストとポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリイミド樹脂が同じ塗布ラインで使用されないものの、近くのラインで使用される場合がある。
このような化学増幅型レジストを用いる場合の欠点として、パターン上部が太くなるＴ−トップと呼ばれる現象等を生じる場合がある。
特開平１−４６８６２号公報
本発明の目的は、半導体装置を製造する際に、半導体ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路を形成する時に生じるＴ−トップの現象等の不具合を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（３）に記載の本発明により達成される。
（１）半導体用ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路配線を形成する回路形成工程と、前記回路配線を形成した後に、前記回路配線を保護するように硬化膜を形成する硬化膜形成工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記硬化膜は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆対構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンが１ｗｔ％以下である上記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（３）前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンが０．１ｗｔ％以下である上記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（４）前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンが０ｗｔ％である上記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
本発明によれば、半導体装置を製造する際に、半導体ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路を形成するときに生じるＴ−トップの現象等の不具合を抑制することが可能な
る半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
図１は、半導体装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
図１に示すように、半導体装置は、半導体用ウエハーを用意し、それに回路を形成する回路形成工程と、回路配線を保護する硬化膜を形成する硬化膜形成工程と、半導体ウエハーを半導体素子に個片化するダイシング工程と、個片化した半導体素子を基板に搭載するマウント工程と、半導体素子と基板とを電気的に接続するためのワイヤーボンディング工程と、半導体素子の周囲を封止樹脂で覆う封止工程とにより製造される。
本発明では、前記硬化膜形成工程において、前記硬化膜がポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まないことを特徴とする。これにより、硬化膜を構成する感光性樹脂組成物に起因して、前記化学増幅型レジストのＴ−トップの現象を抑制することができる。このＴ−トップ現象を抑制することができる理由は、下記のように考えられる。
化学増幅型レジストのＴ−トップ現象は、空気中の塩基性化合物が大きく関与している。なぜならば、露光により発生したレジスト膜表面の酸は、空気中の塩基性化合物と反応し、失活する。従って、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ：露光後過熱）までの放置時間が長くなればそれだけ失活する酸の量が増加し、表面が難溶化するためである。これに対して、硬化膜を構成するポリベンゾオキゾール樹脂やポリイミド樹脂の溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンは、上記Ｔ−トップ現象を生じる一原因と予想される。したがって、感光性樹脂組成物中にＮ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まなければＴ−トップ現象の原因である塩基性化合物の量を低下することができるものである。
以下、各工程について説明する。
（回路形成工程）
回路形成工程では、用意した半導体用ウエハーに、化学増幅型レジストを塗布して、パターニング、エッチング、レジスト剥離を繰り返して、回路を形成する。
このような化学増幅型レジストとしては、例えばＢＯＣ（ブトキシカルボニル）基等でヒドロキシル基が保護されたポリヒドロキシルスチレン等のベースポリマーと、光酸発生剤と、その他の添加剤等とを混合した組成物等が挙げられる。この組成物は、アルカリ不溶であるが、紫外線を照射することにより、光酸発生剤が分解して酸が発生し、この酸によりＢＯＣ基が切断されることでアルカリ可溶となる。
（硬化膜形成工程）
硬化膜形成工程では、上述の工程で回路形成された半導体用ウエハーの最上層に感光性樹脂組成物を塗布、パターニング、熱処理を行い、硬化膜を形成する。これにより、保護機能を持った半導体素子を作製することができる。
このような、硬化膜は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰとする）を実質的に含まれないものである。これにより、上述の化学増幅型レジストの問題点であるＴ−トップの現象を抑制することができる。
前記ＮＭＰを実質的に含まないとは、例えば前記感光性樹脂組成物中のＮＭＰの含有量が１ｗｔ％以下である場合が挙げられ、好ましくは０．１ｗｔ％以下である場合であり、特に好ましくは０ｗｔ％である場合である。ここで、０ｗｔ％とは、ＮＭＰを一切含有し
ないことを言う。含有量が前記範囲内であると、特にＴ−トップの抑制効果に優れことに加え、感光性樹脂組成物の粘度上昇を抑制できるという効果も得られる。
このように前記感光性樹脂組成物中に前記ＮＭＰを実質的に含まないようにすることにより、粘度の上昇を抑制できるのは、下記の理由によると考えられる。ポジ型の感光剤として用いられる感光性のジアゾキノン化合物は、塩基性物質があると樹脂組成物が変色する。これはキノンジアジド化合物が徐々に分解し、その結果、粘度が上昇するのではないかと思われるが確かではない。
前記アルカリ可溶性樹脂は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂であるが、他の構造を有していても良く、例えば、ポリイミド構造、ポリイミド前駆体構造、ポリアミド酸エステル構造等が挙げられる。
前記光照射で酸が発生する物質としては、例えばキノンジアジド化合物、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられる。
前記光照射で酸が発生する物質の含有量は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して１〜５０重量部が好ましく、特に５〜３０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に硬化膜特性や感光特性に優れる。
前記溶剤としては、例えばγ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
前記感光性樹脂組成物に前記ＮＭＰを実質的に含まないようにする方法としては、例えば樹脂組成物の溶剤としてＮＭＰを使用しない方法、使用する原材料にもＮＭＰを実質的に含まないようにする方法等が挙げられる。
しかし、これら原材料の中でアルカリ可溶性樹脂の合成の反応溶剤がＮＭＰである場合が多く、反応終了後、貧溶媒で再沈して樹脂を得て精製し、乾燥してもその樹脂中にＮＭＰが残存することが多い。そこでＮＭＰの低減のため、ＮＭＰ以外の溶剤に溶解して、再度再沈、精製、乾燥するという方法が有効である。更に好ましくは、アルカリ可溶性樹脂の合成をＮＭＰ以外の溶剤で行うという方法も有効である。これにより、樹脂組成物には実質的にＮＭＰは含まないようにすることができる。
前記感光性樹脂組成物は、特に限定されないが、フェノール化合物を含むことが好ましい。これにより、高感度で更に現像後の樹脂残り（スカム）無くパターニングできる。
前記フェノール化合物としては、例えば下記式の構造のものが挙げられるが、これらに限定されず、また２種類以上用いてもかまわない。
Figure 2009027151
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前記フェノール化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して０．５〜３０重量部が好ましく、特に１〜２０重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に硬化膜特性に優れる。
本発明における樹脂組成物および感光性樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤を含んでも良い。
上述のような組成の感光性樹脂組成物を、例えば通常行われるウエハープロセスで、半導体用ウエハーの表面に塗布して、２５０℃以上の硬化条件で乾燥して、硬化膜を形成することができる。
（ダイシング工程）
ダイシング工程では、上述硬化膜が形成された半導体用ウエハーを個片化して半導体素子を得る。
半導体用ウエハーをダイシングするには、例えば半導体用ウエハーの硬化膜が形成されているのと反対側の面にダイシングシートを貼着し、半導体用ウエハーの周囲にリングを設置して半導体用ウエハーを固定する。そして、ブレードで半導体用ウエハーを切断（個片化）する。
（マウント工程）
マウント工程では、ダイシングシートをエキスパンド装置で伸ばして、個片化した半導体用ウエハー（半導体素子）を一定間隔で開いた後にピックアップして、基板に設置する。
具体的には、まず個片化した半導体用ウエハー（半導体素子）をダイシングシートに搭載した状態で紫外線照射装置によって紫外線を照射して、ダイシングシートを硬化させる。これにより、ダイシングシートの粘着力を低下させる。このように、半導体用ウエハーに対するダイシングシートの粘着力を低下させることで個片化された半導体用ウエハー（半導体素子）をピックアップするのが容易となる。次に、半導体用ウエハーをダイシングシートに貼着した状態でエキスパンド装置に設置する。次に、エキスパンド装置でダイシングシートを伸ばして個片化した半導体用ウエハーを一定間隔に開く。そして、一定間隔に開かれた半導体用ウエハー（半導体素子）をエジェクターヘッドのニードルで突き上げる。
そして、半導体素子をニードルで突き上げるとともに、真空コレット、エアピンセット等で吸着する方法によってピックアップして所定の基板等に搭載する。
（ワイヤーボンディング工程）
ワイヤーボンディング工程は、例えば線径２５μｍの金ワイヤーを、オートワイヤーボンダーを用いて、熱および超音波振動を加えながら半導体素子と基板等のボンディングパッドに結線する。
（封止工程）
封止工程は、例えば低圧トランスファー成形機を用いて、タブレット化した封止用樹脂組成物を１８０℃の金型に注入し、半導体素子が搭載された基板等を封止成形する。
得られた成形品は１７５℃／４ｈｒでポストキュア処理する。
以上の方法によって、図２に示すような半導体装置を得ることができる。
図２は、本発明のバンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面図である。図２に示す半導体装置１００では、表面に半導体素子および配線の設けられたシリコン基板１の上部に、入出力用のＡｌパッド２が設けられ、さらにその上にパッシベーション膜３が形成され、そのパッシベーション膜３にビアホールが形成されている。この上に上述の感光性樹脂組成物を塗布、乾燥し、バッファコート膜（硬化膜）４を形成する。更に、金属膜５がＡｌパッド２と接続されるように形成され、金属膜５のＡｌパッド２の反対側には配線部６が設けられている。配線部６と、金属膜５の露出部とを覆うように、絶縁膜７が形
成されている。絶縁膜７には、配線部６と、半田バンプ９とを電気的に接続するためのバリアメタル８が設けられる貫通部を有している。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
（実施例１）
１．アルカリ可溶性樹脂の合成
１．１ジカルボン酸誘導体の合成
ジフェニルエーテル−４、４'−ジカルボン酸２５８．２ｇ（１モル）と１−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール２７０．３ｇ（２モル）とを、ＮＭＰ１，５００ｇに溶解した後、ＮＭＰ５００ｇに溶解したジシクロヘキシルカルボジイミド４１２．７ｇ（２モル）を反応系の温度を０〜５℃に冷却しながら滴下した。滴下終了後、反応系の温度を室温に戻し、そのまま１２時間攪拌した。反応終了後、析出したジシクロヘキシルカルボジウレアを、ろ過処理して取り除き、次ぎに濾液に純水２，０００ｇを滴下した。沈殿物を濾集し、イソプロピルアルコールで充分に洗浄した後、真空乾燥を行い、目的のジカルボン酸誘導体を得た。
１．２ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン２１７．２ｇ（０．５９３モル）と上述のジカルボン酸誘導体２３６．６ｇ（０．４８０モル）とを、γ−ブチロラクトン１０００ｇに溶解した。その後反応系を８０℃にして１２時間反応した。次ぎにγ―ブチロラクトンに２３０ｇに溶解した５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物４６．２ｇ（０．２８１モル）を加えて、更に３時間反応した。反応混合液を水／ＩＰＡ＝３／１の溶液に投入、沈殿物を回収し純水で充分に洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂（Ａ−１）を得た。
２．光照射で酸が発生する物質の合成
光照射で酸が発生する物質は東洋合成工業社製の以下に示すキノンジアジド化合物（Ｂ−１）を使用した。
Figure 2009027151
 （式中、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３の７５％は式（１）であり、２５％は水素原子である。）
３．感光性樹脂組成物の調製
合成したポリアミド樹脂（Ａ−１）２４ｇと、上述の光照射で酸が発生する物質（Ｂ−１）４．８ｇとを、γ―ブチロラクトン６５ｇに溶解した後、０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。このポジ型感光性樹脂組成物のＮＭＰ含有量は、０．０１重量％以下（検出限界以下）であった。なお、ＮＭＰ含有量は、島津製作所製ガスクロマトグラフィーを用いて測定した。測定条件は、次の通りであった。
装置：島津製作所製ＧＣ−１７００
カラム：Ｊ＆Ｄ製ＤＢ−５ ３０ｍ×０．２５μｍ
４．半導体装置の製造
図２に示すように、表面に半導体素子および配線の設けられたシリコン基板１の上部に、入出力用のＡｌパッド２を設け、さらにその上にパッシベーション膜３を形成し、そのパッシベーション膜３にビアホールを形成した。そして、上述の感光性樹脂組成物を塗布、乾燥し、バッファコート膜（硬化膜）４を形成した。更に、金属膜５をＡｌパッド２と接続するように形成し、金属膜５のＡｌパッド２の反対側には配線部６を設けた。配線部６と、金属膜５の露出部とを覆うように、絶縁膜７を形成した。絶縁膜７には、配線部６と、半田バンプ９とを電気的に接続するためのバリアメタル８が設けられる貫通部を設けた。
このようにして得られた半導体装置１００は、歩留まりが良好であり、高い信頼性を示した。
（実施例２）
実施例１と同様の方法でジカルボン酸誘導体の合成を行い、実施例１のポリベンゾオキサゾール前駆体の合成において、γ―ブチロラクトン１，０００ｇの代わりに、ＮＭＰに代えて反応を行った。また、γ―ブチロラクトン１，０００ｇの代わりに、ＮＭＰ２３０ｇに溶解した５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物を同様に加えて、更に３時間反応し、反応混合液を水／ＩＰＡ＝３／１の溶液に投入、沈殿物を回収し純水で充分に
洗浄した後、真空下で乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂を得た。得られた樹脂３５０ｇをγ―ブチロラクトン１４００ｇに再溶解し、その溶液をもう一度、水／ＩＰＡ＝３／１の溶液に投入、沈殿物を回収し純水で充分に洗浄した後、真空下で乾燥し、目的とする再精製したポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂（Ａ−２）を得た。
得られたポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂と実施例１で使用したキノンジアジド化合物をγ―ブチロラクトンに溶解した後、０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
実施例１と同様の方法で得られた感光性樹脂組成物中に含まれるＮＭＰを測定した所が、０．８ｗｔ％であった。
（実施例４）
１．アルカリ可溶性樹脂の合成
１．１ジカルボン酸誘導体の合成
ジフェニルエーテル−４、４'−ジカルボン酸２４４．０ｇ（０．９４５モル）と１−
ヒドロキシベンゾトリアゾール２５５．４ｇ（１．８９０モル）とを、γ−ブチロラクトン８０００ｇに溶解した後、γ−ブチロラクトン５００ｇに溶解したジシクロヘキシルカルボジイミド３９０．０ｇ（１．８９０モル）を反応系の温度を０〜５℃に冷却しながら滴下した。滴下終了後、反応系の温度を３５℃に調整し、そのまま１２時間攪拌した。その後、オイルバスを用いて、５５℃に昇温し、２０分攪拌した後、そのまま熱時濾過を行い、析出したジシクロヘキシルカルボジウレアをろ過処理して取り除き、次ぎに濾液に純水６０００ｇを滴下した。沈殿物を濾集し、イソプロピルアルコールで充分に洗浄した後、真空乾燥を行い、目的のジカルボン酸誘導体を得た。
１．２ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン２１７．２ｇ（０．５９３モル）と上述のジカルボン酸誘導体２３６．６ｇ（０．４８０モル）とを、γ−ブチロラクトン１０００ｇに溶解した。その後反応系を８０℃にして１２時間反応した。次ぎにγ―ブチロラクトンに２３０ｇに溶解した５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物４６．２ｇ（０．２８１モル）を加えて、更に３時間反応した。反応混合液を水／ＩＰＡ＝３／１の溶液に投入、沈殿物を回収し純水で充分に洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂（Ａ−３）を得た。
２．感光性樹脂組成物の調製
得られたポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂と実施例１で使用したキノンジアジド化合
物をγ―ブチロラクトンに溶解した後、０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
実施例１と同様の方法で得られた感光性樹脂組成物中に含まれるＮＭＰを測定した所、０．０１ｗｔ％以下（検出限界以下）であった。
（比較例１）
実施例２においてのポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂の合成において、再精製しないポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂を用いて、実施例２と同様に感光性樹脂組成物を作成し、ＮＭＰ量の測定を行った所、２．６％であった。
各実施例および比較例で得られた半導体装置について、下記の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．揮発ＮＭＰ量
得られた感光性樹脂組成物をスピンコート時に発生するＮＭＰ濃度を加熱脱着ガスクロマトグラフ質量分析法で分析を行った。具体的にはシリコンウエハーに感光性樹脂組成物
を塗布し、８００ｒｐｍ／５ｓｅｃ、１，５００ｒｐｍ／３０ｓｅｃの順に回転させ、その間、回転しているウエハーの上部約１０ｃｍの所での吸着を用いてＮＭＰをサンプリングした。その後、以下の装置で分析を行いＮＭＰの濃度を求めた。
＜装置＞
加熱脱着冷却トラップ
メーカー：ＣＨＲＯＭＰＡＣＫ（ＣＰ ４０２０）
ガスクロマトグラフ質量分析装置
メーカー：Ａｇｉｌｅｎｔ（５９７３Ｎ）
２．粘度の増加率
得られた感光性樹脂組成物をイエロールーム内の室温状態で保管し、初日と１４日後の粘度を東機産業社製の粘度計ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ− ＴＶ−２２で測定を行い、初日の粘度に対する１４日後の粘度の増加率を求めた。
３．解像度
得られた感光性樹脂組成物を半導体用ウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて１２０℃で４分プリベークし、膜厚約７．５μｍの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷（株）製・マスク（テストチャートＮｏ．１：幅０．８８〜５０μｍの残しパターンおよび抜きパターンが描かれている）を通して、ｉ線ステッパー（（株）ニコン製・４４２５ｉ）を用いて、露光量５００ｍＪ／ｃｍ2照射した。次に２．３８％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に、３０秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で１０秒間リンスした。そして、半導体用ウエハーを顕微鏡で観察を行い、解像度を求めた。
４．硬化膜特性（引張伸度）
更に、別途上述の感光性樹脂組成物を硬化後約１０μｍになるように半導体用ウエハーに塗布し、クリーンオーブンで１５０℃×３０分間、３２０℃／３０分間、酸素濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気下で硬化した。
得られた硬化膜を２％のフッ化水素水に漬浸し、硬化膜をシリコンウエハーから剥離した。そして、得られた硬化膜を純水で充分に洗浄した後、６０℃×５時間かけてオーブンで乾燥した。そして、硬化膜を幅１０ｍｍの短冊状に切断して、引張試験用のサンプルを得た。次に、引張試験機にて、サンプルの引張伸度を測定した。
Figure 2009027151
表１から明らかなように、実施例１〜３は、ＮＭＰ含有量が少ないために揮発ＮＭＰ量が少なかった。したがって、Ｔトップ現象を抑制できることが示唆された。
また、実施例１〜３は、粘度の上昇率が低く、保存性に優れていることも示唆された。
また、実施例１および２は、解像度および引張伸度にも優れていた。
本発明は、半導体装置の生産性に優れる半導体装置の製造方法を提供するものである。なお、液晶表示体等の生産においても保護膜が用いられる場合には、本発明を適用できる。
半導体装置の製造工程を示すフロー図である。 半導体装置の一例を示す断面図である。
符号の説明
１ 半導体用ウエハー
２ Ａｌパッド
３ パッシベーション膜
４ バッファコート膜
５ 金属膜
６ 配線部
７ 絶縁膜
８ バリアメタル
９ ハンダバンプ
１００ 半導体装置

Claims (4)

  1. 半導体用ウエハーに化学増幅型レジストを用いて回路配線を形成する回路形成工程と、前記回路配線を形成した後に、前記回路配線を保護するように硬化膜を形成する硬化膜
    形成工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
    前記硬化膜は、ポリベンゾオキサゾール構造またはポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有するアルカリ可溶性樹脂と、光照射で酸が発生する物質と、溶剤とを含む感光性樹脂組成物の硬化物で構成されてなり、
    前記感光性樹脂組成物中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを実質的に含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンが１ｗｔ％以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンが０．１ｗｔ％以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記感光性樹脂組成物中に含まれるＮ−メチルー２−ピロリドンが０ｗｔ％である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
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