JP2009004274A - Surface light emitter and manufacturing method of surface light emitter - Google Patents

Surface light emitter and manufacturing method of surface light emitter Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface light emitter in which total reflection of light at the interface of a transparent electrode layer and a buffer layer is suppressed and extraction efficiency of light can be improved. <P>SOLUTION: The surface light emitter is provided with a light scattering portion 2 formed on the surface of a translucent substrate 1, a buffer layer 3 which is formed on the surface of the light scattering portion 2 and smoothes the surface roughness of the light scattering portion 2, a transparent electrode layer 4 formed on the surface of the buffer layer 3, and a light-emitting layer 5 which is formed on the opposite side to the translucent substrate of the transparent electrode layer 4. A light scattering structure which scatters light is formed at least at the interface of the buffer layer 3 and the transparent electrode layer 4 or at its surroundings, and suppresses total reflection of light by scattering light at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

面発光体及び面発光体の製造方法
本発明は、各種ディスプレイ、表示素子、液晶用バックライト等に用いられる面発光体及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface light emitter used for various displays, display elements, liquid crystal backlights, and the like, and a method for manufacturing the same.

面発光体の代表的なものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)がある。この有機EL素子は、図2(a)に示すように、透光性基板1の表面に透明電極層4を設け、この透明電極層4の表面に有機EL材料からなる発光層5を設けると共に、発光層5の表面に対向電極7を設けることによって形成されている。そして透明電極層4と対向電極7との間に電圧を印加することによって発光層5で発光した光は、透明電極層4及び透光性基板1を透過して取り出される。   A typical example of the surface light emitter is an organic electroluminescence element (organic EL element). As shown in FIG. 2A, this organic EL element is provided with a transparent electrode layer 4 on the surface of a light-transmitting substrate 1, and a light-emitting layer 5 made of an organic EL material on the surface of the transparent electrode layer 4. The counter electrode 7 is provided on the surface of the light emitting layer 5. The light emitted from the light emitting layer 5 by applying a voltage between the transparent electrode layer 4 and the counter electrode 7 is transmitted through the transparent electrode layer 4 and the translucent substrate 1 and extracted.

このように発光層5で発光した光を透明電極層4と透光性基板1を通して外部に取り出すにあたって、光が透明電極層4と透光性基板1との界面で全反射すると、光の取り出し効率が低下する。このために、図2(b)のように透明電極層4と透光性基板1との間に光散乱部2を形成し、光散乱部2で光を散乱させることによって、透明電極層4と透光性基板1との界面で全反射が生じることを低減して、光の取り出し効率を高めるようにしている。この光散乱部2は、透光性基板1の透明電極層4の側の表面に微細な凹凸を設けたり、粒子を含有するコーティング樹脂層を透光性基板1の透明電極層4の側の表面に設けたりして形成されるが、いずれにしても表面が凹凸になるので、図2(b)のように、光散乱部2の表面に緩和層3を形成して凹凸をならして平滑にし、緩和層3の平滑な表面に薄い膜厚の透明電極層4を形成するようにしている(例えば、特許文献1、特許文献2等参照)。
特開2003−216061号公報 特開2006−286616号公報
When the light emitted from the light emitting layer 5 is extracted outside through the transparent electrode layer 4 and the translucent substrate 1 as described above, the light is extracted when the light is totally reflected at the interface between the transparent electrode layer 4 and the translucent substrate 1. Efficiency is reduced. For this purpose, as shown in FIG. 2B, a light scattering portion 2 is formed between the transparent electrode layer 4 and the translucent substrate 1, and light is scattered by the light scattering portion 2, whereby the transparent electrode layer 4 The occurrence of total reflection at the interface between the light transmitting substrate 1 and the translucent substrate 1 is reduced to increase the light extraction efficiency. The light scattering portion 2 is provided with fine irregularities on the surface of the transparent substrate 1 on the transparent electrode layer 4 side, or a coating resin layer containing particles on the transparent electrode layer 4 side of the transparent substrate 1. In any case, the surface becomes uneven, so as shown in FIG. 2B, the relief layer 3 is formed on the surface of the light scattering portion 2 to make the unevenness. The transparent electrode layer 4 having a thin film thickness is formed on the smooth surface of the relaxation layer 3 (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-216061 JP 2006-286616 A

しかし、上記のように光散乱部2と透明電極層4との間に緩和層3を形成すると、透明電極層4と緩和層3との界面で光が全反射するおそれがあり、この全反射によって光の取り出し効率が低下することになるという問題が生じるものであった。   However, if the relaxation layer 3 is formed between the light scattering portion 2 and the transparent electrode layer 4 as described above, light may be totally reflected at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3, and this total reflection is caused. This causes a problem that the light extraction efficiency is lowered.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、透明電極層と緩和層との界面で光が全反射することを抑制し、光の取り出し効率を向上することができる面発光体及びその製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and suppresses the total reflection of light at the interface between the transparent electrode layer and the relaxation layer, and the surface light emitter capable of improving the light extraction efficiency and its The object is to provide a manufacturing method.

本発明に係る面発光体は、透光性基板1の表面に形成される光散乱部2、光散乱部2の表面に形成される、光散乱部2の表面粗さをならすための緩和層3、緩和層3の表面に形成される透明電極層4、透明電極層4の透光性基板と反対側に形成される発光層5を備えた面発光体において、少なくとも緩和層3と透明電極層4との界面に光を散乱させる光散乱構造を形成して成ることを特徴とするものである。   The surface light emitter according to the present invention includes a light scattering portion 2 formed on the surface of the light-transmitting substrate 1 and a relaxation layer for leveling the surface roughness of the light scattering portion 2 formed on the surface of the light scattering portion 2. 3. In a surface light emitting body including a transparent electrode layer 4 formed on the surface of the relaxing layer 3 and a light emitting layer 5 formed on the opposite side of the transparent electrode layer 4 from the translucent substrate, at least the relaxing layer 3 and the transparent electrode A light scattering structure that scatters light at the interface with the layer 4 is formed.

この発明によれば、少なくとも緩和層3の透明電極層4との界面に形成される光散乱構造によって、透明電極層4と緩和層3との界面で光を散乱させて全反射することを抑制することができるものであり、光の取り出し効率を向上することができるものである。   According to this invention, the light scattering structure formed at least at the interface between the relaxing layer 3 and the transparent electrode layer 4 prevents light from being scattered and totally reflected at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxing layer 3. It is possible to improve the light extraction efficiency.

また本発明は、上記の光散乱構造が、緩和層3の透明電極層4との界面に形成されるボイド6であることを特徴とするものである。   Further, the present invention is characterized in that the light scattering structure is a void 6 formed at the interface between the relaxing layer 3 and the transparent electrode layer 4.

この発明によれば、緩和層3に形成されるボイド6によって光を散乱させることができ、全反射の抑制効果を高く得ることができるものである。   According to this invention, light can be scattered by the void 6 formed in the relaxation layer 3, and the effect of suppressing total reflection can be obtained high.

また本発明は、上記ボイド6は緩和層3の層内部にも形成されていることを特徴とするものである。   Further, the present invention is characterized in that the void 6 is also formed inside the relaxation layer 3.

この発明によれば、緩和層3の層内部においてもボイド6で光を散乱させることができ、光が緩和層3内を導波されることを抑制して、光の取り出し効率を一層向上することができるものである。   According to the present invention, light can be scattered by the void 6 even inside the relaxation layer 3, and light can be prevented from being guided through the relaxation layer 3 to further improve the light extraction efficiency. It is something that can be done.

また本発明は、上記ボイド6は直径が5〜300nmであることを特徴とするものである。   In the present invention, the void 6 has a diameter of 5 to 300 nm.

この発明によれば、緩和層3と透明電極層4との界面の密着性を低下させることなく、ボイド6による光散乱効果を高く得ることができるものである。   According to this invention, it is possible to obtain a high light scattering effect by the void 6 without reducing the adhesion at the interface between the relaxing layer 3 and the transparent electrode layer 4.

本発明に係る面発光体の製造方法は、透光性基板1の表面上に光散乱部2を形成する工程と、光散乱部2の表面上に樹脂コーティングすると共にコーティング樹脂を加熱硬化させて緩和層3を形成する工程と、緩和層3の表面上に透明電極層4を形成する工程と、緩和層3のコーティング樹脂の硬化温度よりも高い温度で熱処理することによって、少なくとも緩和層3の透明電極層4との界面にボイド6を生成させて光散乱構造を形成する工程と、透明電極層4の表面上に発光層5を形成する工程とを、順次行なうことを特徴とするものである。   In the method for manufacturing a surface light emitter according to the present invention, the step of forming the light scattering portion 2 on the surface of the light-transmitting substrate 1, the resin coating on the surface of the light scattering portion 2, and the coating resin is heated and cured. The step of forming the relaxing layer 3, the step of forming the transparent electrode layer 4 on the surface of the relaxing layer 3, and the heat treatment at a temperature higher than the curing temperature of the coating resin of the relaxing layer 3, The step of forming voids 6 at the interface with the transparent electrode layer 4 to form a light scattering structure and the step of forming the light emitting layer 5 on the surface of the transparent electrode layer 4 are performed sequentially. is there.

この発明によれば、コーティング樹脂を加熱硬化させて緩和層3を形成し、さらに透明電極層4を形成した後に、コーティング樹脂の硬化温度よりも高い温度で熱処理することによって、緩和層3にボイド6を生成させて光散乱構造を形成することができるものであり、光散乱構造の形成を容易に行なうことができるものである。   According to this invention, the coating resin is heated and cured to form the relaxation layer 3, and after forming the transparent electrode layer 4, the voids are formed in the relaxation layer 3 by heat treatment at a temperature higher than the curing temperature of the coating resin. 6 can be formed to form a light scattering structure, and the light scattering structure can be easily formed.

本発明によれば、発光層5で発光された光を透明電極層4、緩和層3、光散乱部2、透光性基板1を通して取り出すにあたって、光散乱部2での光の散乱で透光性基板1の界面における全反射を抑制できると共に、少なくとも緩和層3の透明電極層4との界面に形成される光散乱構造によって、透明電極層4と緩和層3との界面で光を散乱させて全反射することを抑制することができるものであり、光の取り出し効率を向上することができるものである。   According to the present invention, when the light emitted from the light emitting layer 5 is taken out through the transparent electrode layer 4, the relaxation layer 3, the light scattering portion 2, and the translucent substrate 1, the light is scattered by the light scattering portion 2. The total reflection at the interface of the conductive substrate 1 can be suppressed, and light is scattered at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3 by at least the light scattering structure formed at the interface between the relaxation layer 3 and the transparent electrode layer 4. Thus, it is possible to suppress total reflection and improve the light extraction efficiency.

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described.

透光性基板1としては、光を透過させるものであれば特に制限されることなく使用することができるものであり、例えばソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板など、任意のものを用いることができる。   The light-transmitting substrate 1 can be used without particular limitation as long as it transmits light. For example, a rigid transparent glass plate such as soda glass or non-alkali glass, polycarbonate, or polyethylene terephthalate. Arbitrary things, such as flexible transparent plastic boards, such as these, can be used.

この透光性基板1の表面に設ける光散乱部2は、光を散乱させる構造を有するものであればよく、光散乱部2を形成する方法は、サンドブラストなどで透光性基板1の表面を処理して、微細な凹凸を有する粗面を透光性基板1の表面に形成する方法と、光を散乱させる光散乱層2aを透光性基板1の表面に形成する方法とに大別することができる。光を散乱させる構造は、等方的な散乱、指向性を有する散乱であっても良く、取り出したい光や角度に応じて適宜選択すれば良い。またこの光散乱層2aを形成する方法としては、透光性基板1の表面に樹脂コート層をパターンニング、あるいは直接パターンニングコート(ナノインプリント等)する方法と、粒子を含有するバインダーを透光性基板1の表面にコーティングする方法とがある。   The light scattering portion 2 provided on the surface of the translucent substrate 1 may have any structure that scatters light. The light scattering portion 2 can be formed by sandblasting or the like. The method is roughly divided into a method of forming a rough surface having fine irregularities on the surface of the translucent substrate 1 and a method of forming a light scattering layer 2a for scattering light on the surface of the translucent substrate 1. be able to. The structure for scattering light may be isotropic scattering or scattering having directivity, and may be appropriately selected according to the light and angle to be extracted. The light scattering layer 2a can be formed by patterning a resin coating layer on the surface of the translucent substrate 1, or by direct patterning coating (such as nanoimprinting), or by translucent a binder containing particles. There is a method of coating the surface of the substrate 1.

本発明において光散乱部2を形成する方法は上記のいずれのものであってもよいが、粒子を含有するバインダーをコーティングして光散乱層2aを形成する方法が、容易であり且つ、種々の光学的因子を制御し易いという特徴があるので好ましい。   In the present invention, the method for forming the light scattering portion 2 may be any of those described above, but the method for forming the light scattering layer 2a by coating a binder containing particles is easy and has various This is preferable because it has the feature of easily controlling the optical factor.

この粒子としては透明粒子が用いられるものであり、例えばTiO、SiO、ZrO、Al、Ta、ZnO、Sb、ZrSiO、ゼオライト又はそれらの多孔性物質やそれらを主成分とした無機粒子、あるいはアクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、シリコーン樹脂などの有機粒子を挙げることができる。この粒子の粒径は、有効なMie散乱をさせるために、100nm〜20μmの範囲が好ましい。 Transparent particles are used as the particles. For example, TiO 2 , SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 3 , ZnO 2 , Sb 2 O 3 , ZrSiO 4 , zeolite, or their porosity Examples thereof include inorganic particles mainly composed of substances and organic particles such as acrylic resin, styrene resin, polyethylene terephthalate resin, and silicone resin. The particle diameter is preferably in the range of 100 nm to 20 μm for effective Mie scattering.

バインダーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体が挙げられる。また、バインダーとして、ポリシロキサンからなるシリカ多孔質体を用いることもできる。このポリシロキサンは、テトラエトキシシランなどのアルコキシシラン又はその部分加水分解物を縮重合して得られるものである。   Binders include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyethersulfone, polyarylate, polycarbonate resin, polyurethane, acrylic resin, polyacrylonitrile, polyvinyl acetal, polyamide, polyimide, diacrylphthalate resin, and cellulose. Examples thereof include resins, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, other thermoplastic resins, and two or more copolymers of monomers constituting these resins. A porous silica material made of polysiloxane can also be used as the binder. This polysiloxane is obtained by condensation polymerization of an alkoxysilane such as tetraethoxysilane or a partial hydrolyzate thereof.

バインダーと光散乱体である粒子との屈折率差は、通常0.01〜2の範囲が好ましく、この屈折率差が小さすぎると有効なMie散乱を得ることが困難になり、屈折率差が大きすぎると後方散乱が増大し、光取り出し率が十分に得られなくなるおそれがある。   The refractive index difference between the binder and the light scatterer is usually preferably in the range of 0.01 to 2. If this refractive index difference is too small, it becomes difficult to obtain effective Mie scattering, and the refractive index difference is If it is too large, the backscattering increases and the light extraction rate may not be sufficiently obtained.

そして粒子をバインダーに配合して得られるコーティング材料を透光性基板1の表面に、スピンコート、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、グラビアコートなどの方法でコーティングすることによって、光散乱層2aを形成することができるものである。この光散乱層2aの膜厚は特に制限されるものではないが、0.1〜20μm程度の範囲が好ましい。   The coating material obtained by blending the particles with the binder is coated on the surface of the translucent substrate 1 by a method such as spin coating, dip coating, die coating, casting, spray coating, gravure coating, etc., so that the light scattering layer 2a Can be formed. The thickness of the light scattering layer 2a is not particularly limited, but is preferably in the range of about 0.1 to 20 μm.

また、屈折率の異なる2種類の微粒子を用いて光散乱層2aを形成することもできる。すなわち、バインダーの屈折率をNb、2種類の微粒子のうち一方の屈折率をNf、他方の屈折率をNfとすると、Nf>Nb>Nfの関係を満たすように、バインダー及び2種類の微粒子を選択して使用するものである。屈折率がこのような関係を有するバインダー及び2種類の微粒子からなる光散乱層2aは、これらの屈折率の差によって光の散乱効果が増幅されるものであり、この光散乱層2aを透光性基板1の表面に形成することによって、光散乱層2aと透光性基板1との界面での臨界角に乱れが生じ、透光性基板1への光の伝送がより多くなり、光の取り出し効率が高くなるものである。 The light scattering layer 2a can also be formed using two types of fine particles having different refractive indexes. That is, assuming that the refractive index of the binder is Nb, one of the two types of fine particles is Nf 1 , and the other refractive index is Nf 2 , the binder and 2 so as to satisfy the relationship Nf 2 >Nb> Nf 1. A type of fine particles is selected and used. The light scattering layer 2a composed of the binder having the refractive index having such a relationship and the two kinds of fine particles has a light scattering effect amplified by the difference between the refractive indexes, and the light scattering layer 2a transmits light. By forming on the surface of the light-transmitting substrate 1, the critical angle at the interface between the light scattering layer 2a and the light-transmitting substrate 1 is disturbed, and more light is transmitted to the light-transmitting substrate 1, and light is transmitted. The extraction efficiency is increased.

この屈折率の異なる2種類の微粒子としては、エアロゲル微粒子、中空シリカ微粒子、ポリマー製中空微粒子、有機ポリマー微粒子、金属酸化物微粒子等を例示することができる。尚、これらの微粒子は、分散性を向上させるために界面活性材処理や薄膜コーティング処理など、屈折率を著しく変化させない程度の表面被覆処理がなされているのが好ましい。   Examples of the two kinds of fine particles having different refractive indexes include airgel fine particles, hollow silica fine particles, polymer hollow fine particles, organic polymer fine particles, metal oxide fine particles, and the like. In order to improve the dispersibility, these fine particles are preferably subjected to a surface coating treatment that does not significantly change the refractive index, such as a surfactant treatment or a thin film coating treatment.

微粒子の屈折率Nf,Nfは一般に1.2〜2.5の範囲であるが、2種類の微粒子のうち、一方の微粒子は、屈折率Nfが1.4以下であることが望ましい。この屈折率Nfの下限は特に限定されないが、一般的に1.2程度である。このように一方の微粒子の屈折率Nfが1.4以下であることによって、光散乱層2aの屈折率が大幅に低下し、光散乱性が高く、かつ屈折率の低い光散乱層2aを形成することができるものである。またこの場合、2種類の微粒子の屈折率Nf,Nfの差が0.5以上であることが望ましい。2種類の微粒子に0.5以上の屈折率差があることによって、光散乱層2aの光散乱強度が増し、結果的に光の取り出し効率がより向上するものである。2種類の微粒子の屈折率差の上限は特に限定されないが、一般的に1.3程度以下であることが望ましい。 The refractive indexes Nf 1 and Nf 2 of the fine particles are generally in the range of 1.2 to 2.5, but one of the two types of fine particles preferably has a refractive index Nf 1 of 1.4 or less. . The lower limit of the refractive index Nf 1 is not particularly limited, but is generally about 1.2. Thus, when the refractive index Nf1 of one fine particle is 1.4 or less, the refractive index of the light scattering layer 2a is greatly reduced, the light scattering property is high, and the light scattering layer 2a having a low refractive index is obtained. It can be formed. In this case, the difference between the refractive indexes Nf 1 and Nf 2 of the two kinds of fine particles is preferably 0.5 or more. When the two kinds of fine particles have a refractive index difference of 0.5 or more, the light scattering intensity of the light scattering layer 2a is increased, and as a result, the light extraction efficiency is further improved. The upper limit of the difference in refractive index between the two types of fine particles is not particularly limited, but is generally preferably about 1.3 or less.

また2種類の微粒子の平均粒子径は、5〜200nmの範囲にあることが好ましい。これは、200nmを超えて微粒子の平均粒子径が大きくなると、微粒子を含有して形成される光散乱層2aの表面粗さが大きくなるためであり、また微粒子の平均粒子径が小さくなりすぎると、光散乱の効果が不十分になるので、微粒子の平均粒子径は5nm以上であることが好ましい。2種類の微粒子は平均粒子径が異なるものが好ましく、この場合、一方の微粒子と他方の微粒子の平均粒子径は2倍以上の差があることが好ましい。このように2種類の微粒子の平均粒子径の差が2倍以上あることによって、平均粒子径の大きい一方の微粒子の間に平均粒子径の小さい他方の微粒子が入り込んだ状態で、バインダーに微粒子が分散し、バインダー中での微粒子の分散性が向上して、微粒子が均一に分散した光散乱層2aの形成が可能になるものである。2種類の微粒子の平均粒径の差の上限は特に限定されないが、両者の平均粒径の差が15〜50nmの範囲になるようにすることが望ましい。尚、微粒子の粒子径や平均粒子径は、後述のようにレーザー回折原理を用いた粒度分布測定装置を用いて測定した数値である。   The average particle size of the two types of fine particles is preferably in the range of 5 to 200 nm. This is because when the average particle diameter of the fine particles exceeds 200 nm, the surface roughness of the light scattering layer 2a formed containing the fine particles increases, and when the average particle diameter of the fine particles becomes too small. The average particle diameter of the fine particles is preferably 5 nm or more because the light scattering effect is insufficient. The two kinds of fine particles preferably have different average particle diameters. In this case, the average particle diameter of one fine particle and the other fine particle preferably has a difference of 2 times or more. As described above, the difference in the average particle diameter between the two types of fine particles is more than twice, so that the fine particles in the binder are in the state in which the fine particles having the smaller average particle diameter are interposed between the fine particles having the larger average particle diameter. Dispersion improves the dispersibility of the fine particles in the binder, and the light scattering layer 2a in which the fine particles are uniformly dispersed can be formed. The upper limit of the difference between the average particle sizes of the two types of fine particles is not particularly limited, but it is desirable that the difference between the average particle sizes of the two types of particles be in the range of 15 to 50 nm. The particle diameter and average particle diameter of the fine particles are numerical values measured using a particle size distribution measuring apparatus using a laser diffraction principle as described later.

一方、バインダーに使用できる材料としては、有機ポリマー、金属酸化物、シリカ多孔質体等を例示できる。これらの使用できる材料から、2種類の微粒子の屈折率Nf,Nfと上記の関係を満たす屈折率の材料を選択すればよい。バインダーの屈折率Nbは、一般に1.45〜1.60の範囲である。 On the other hand, examples of materials that can be used for the binder include organic polymers, metal oxides, and porous silica. A material having a refractive index satisfying the above relationship with the refractive indexes Nf 1 and Nf 2 of the two kinds of fine particles may be selected from these usable materials. The refractive index Nb of the binder is generally in the range of 1.45 to 1.60.

バインダーと2種類の微粒子の組み合わせは、上記の材料のなかでも、微粒子はエアロゲル微粒子、中空シリカ微粒子およびポリマー製中空微粒子から選択される少なくとも1種、バインダーは有機ポリマーおよび金属酸化物から選択される少なくとも1種であるのが好ましい。   In the combination of the binder and the two kinds of fine particles, among the above materials, the fine particles are at least one selected from airgel fine particles, hollow silica fine particles, and polymer hollow fine particles, and the binder is selected from organic polymers and metal oxides. At least one is preferred.

上記のように形成される光散乱層2aの膜厚は、特に限定されるものではないが、一般に0.1〜20μmの範囲が好ましい。またバインダーに対する2種類の微粒子の含有比率も特に限定されるものではないが、一般的にバインダーに対して2種類の微粒子が10:90〜70:30の質量比率になるように設定するのが好ましい。さらに2種類の微粒子の比率も特に限定されるものではないが、小さい屈折率Nfのものと大きい屈折率Nfのものを1:9〜9:1の質量比率で配合するのが好ましい。 Although the film thickness of the light-scattering layer 2a formed as mentioned above is not specifically limited, Generally the range of 0.1-20 micrometers is preferable. Further, the content ratio of the two kinds of fine particles to the binder is not particularly limited, but generally, the two kinds of fine particles are set to have a mass ratio of 10:90 to 70:30 with respect to the binder. preferable. Further, the ratio of the two kinds of fine particles is not particularly limited, but those having a small refractive index Nf 1 and those having a large refractive index Nf 2 are preferably blended at a mass ratio of 1: 9 to 9: 1.

そして、上記のように形成される光散乱層2aの屈折率は多くの場合、1.30〜1.70の範囲であるが、透光性基板1の屈折率と同じかそれよりも小さくなるように設定するのが好ましい。このように光散乱層2aの屈折率が透光性基板1の屈折率と同等以下であると、光散乱層2aから透光性基板1に入射される光が全反射されることを低減することができ、光を外部に取り出す効率がより大きくなるものである。   In many cases, the refractive index of the light scattering layer 2a formed as described above is in the range of 1.30 to 1.70, but is equal to or smaller than the refractive index of the translucent substrate 1. It is preferable to set as follows. As described above, when the refractive index of the light scattering layer 2a is equal to or lower than the refractive index of the translucent substrate 1, the light incident on the translucent substrate 1 from the light scattering layer 2a is reduced from being totally reflected. This can increase the efficiency of extracting light to the outside.

また上記のように形成される光散乱層2aは、ヘイズ値((拡散透過率/全透過率)×100)が2〜50の範囲に設定されることが好ましい。光散乱層2aのヘイズ値をこの範囲に設定することによって、面発光体において、外観を損ねることなく、光取出し効率の向上を図ることが可能になるものである。ヘイズ値が高い膜の場合、光取出し効率が向上しても、白色化してしまい外観を損ねる場合がある。   The light scattering layer 2a formed as described above preferably has a haze value ((diffuse transmittance / total transmittance) × 100) in the range of 2-50. By setting the haze value of the light scattering layer 2a within this range, it is possible to improve the light extraction efficiency without impairing the appearance of the surface light emitter. In the case of a film having a high haze value, even if the light extraction efficiency is improved, the film may be whitened to deteriorate the appearance.

このように2種類の微粒子を含有する光散乱層2aを透光性基板1の表面に形成した後に、さらにその上に上記のMie散乱用の粒径を含有する光散乱層2aを形成するようにしてもよい。   Thus, after the light scattering layer 2a containing two kinds of fine particles is formed on the surface of the translucent substrate 1, the light scattering layer 2a containing the Mie scattering particle size is further formed thereon. It may be.

上記のいずれの方法で光散乱部2を形成しても、光散乱部2の表面は凹凸を有する粗面になる。例えば粒子を含有するコーティング材料の光散乱層2aで光散乱部2を形成する場合、光散乱層の表面に露出する粒子で凹凸が生じる。このため、光散乱部2の表面に直接、透明電極層4を形成すると、透明電極層4は膜厚が薄いので凹凸に追随した形状で形成されることになり、電気特性に問題が生じたりショートが発生したりするおそれがある。そこで、光散乱部2の透光性基材1と反対側の表面に緩和層3を形成し、光散乱部2の凹凸をこの緩和層3で埋めてならし、緩和層3の平滑な表面に透明電極層4を形成するものである。   Even if the light scattering portion 2 is formed by any of the above methods, the surface of the light scattering portion 2 becomes a rough surface having irregularities. For example, when the light scattering portion 2 is formed by the light scattering layer 2a of a coating material containing particles, irregularities are generated by the particles exposed on the surface of the light scattering layer. For this reason, when the transparent electrode layer 4 is formed directly on the surface of the light scattering portion 2, the transparent electrode layer 4 is formed in a shape that follows the unevenness because the film thickness is thin, causing problems in electrical characteristics. Short circuit may occur. Therefore, a relaxation layer 3 is formed on the surface of the light scattering portion 2 opposite to the translucent substrate 1, and the unevenness of the light scattering portion 2 is filled with the relaxation layer 3, so that the smooth surface of the relaxation layer 3 is smoothed. The transparent electrode layer 4 is formed.

この緩和層3は、樹脂コーティング層で形成することができる。コーティング樹脂の材料としては、光透過性を有しているものであればよく、特に限定されることなく任意のものを用いることができるが、例えばポリエステル、ポリエーテル、ポリエ−テルケトン、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシ、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリカーボネートなどを挙げることができる。なかでもポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ、ポリウレタン等の熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。そしてこのコーティング樹脂を光散乱部2の表面にコーティングした後、加熱して硬化させることによって、緩和層3を形成することができる。緩和層3の膜厚は、特に限定されないが、1〜20μm程度の範囲が好ましい。   This relaxation layer 3 can be formed of a resin coating layer. The material of the coating resin is not particularly limited as long as it has optical transparency, and any material can be used, for example, polyester, polyether, polyether ketone, polyimide, polyamide. , Polyimide amide, epoxy, polyurethane, polyurethane acrylate, polycarbonate and the like. Among these, it is preferable to use thermosetting resins such as polyimide, polyamideimide, epoxy, and polyurethane. And after coating this coating resin on the surface of the light-scattering part 2, the relaxation layer 3 can be formed by heating and hardening. Although the film thickness of the relaxation layer 3 is not specifically limited, The range of about 1-20 micrometers is preferable.

この緩和層3を形成する樹脂の屈折率は、透明電極層4と緩和層3との界面における全反射を低減してより多くの光を光散乱部へ導くために、透明電極層4の屈折率よりも高いか、透明電極層4の屈折率より低い場合でもその差が小さいことが望ましい。さらに光散乱部2を光散乱層2aで形成する場合、緩和層3を形成する樹脂の屈折率は、光散乱層2aの屈折率よりも低いか、光散乱層2aの屈折率より高い場合でもその差が小さいことが望ましい。理想的には、緩和層3の層内の屈折率が透明電極層4の側から光散乱部2の側へと徐々に高くなるか、低くなるように傾斜し、透明電極層4との界面では緩和層3の屈折率が透明電極層4の屈折率とほぼ同じになり、光散乱層2aとの界面では緩和層3の屈折率が光散乱層2aの屈折率とほぼ同じになるようにするのが好ましい。この場合には、緩和層3と透明電極層4や光散乱層2aとの間に屈折率が異なる光学的な界面がなくなり、界面における全反射ロスをなくすことができるものである。   The refractive index of the resin forming the relaxation layer 3 is such that the refraction of the transparent electrode layer 4 is reduced in order to reduce the total reflection at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3 and to guide more light to the light scattering portion. Even when the refractive index is higher than the refractive index or lower than the refractive index of the transparent electrode layer 4, it is desirable that the difference is small. Further, when the light scattering portion 2 is formed of the light scattering layer 2a, even if the refractive index of the resin forming the relaxation layer 3 is lower than the refractive index of the light scattering layer 2a or higher than the refractive index of the light scattering layer 2a. It is desirable that the difference is small. Ideally, the refractive index in the layer of the relaxation layer 3 is gradually increased from the transparent electrode layer 4 side to the light scattering portion 2 side, or is inclined so as to become lower, and the interface with the transparent electrode layer 4 Then, the refractive index of the relaxation layer 3 is substantially the same as the refractive index of the transparent electrode layer 4, and the refractive index of the relaxation layer 3 is substantially the same as the refractive index of the light scattering layer 2a at the interface with the light scattering layer 2a. It is preferable to do this. In this case, there is no optical interface having a different refractive index between the relaxing layer 3 and the transparent electrode layer 4 or the light scattering layer 2a, and the total reflection loss at the interface can be eliminated.

上記のように光散乱部2の表面に緩和層3を設けた後、緩和層3の光散乱部2と反対側の表面に透明電極層4を形成する。透明電極層4の材料としては、本発明の効果の妨げにならない限り任意のものを用いることができ、例えば、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の金属の極薄膜、導電性高分子、導電性の有機材料、ドーパント(ドナーまたはアクセプタ)含有有機層、導電体と導電性有機材料(高分子含む)の混合物、又はこれらの積層体等を挙げることができる。これらの透明電極層4は通常、スパッタ法やイオンプレーティング法などの気相成長法を用いて形成される。透明電極層4の膜厚は特に限定されるものではないが、50〜300nm程度が好ましい。   After providing the relaxation layer 3 on the surface of the light scattering portion 2 as described above, the transparent electrode layer 4 is formed on the surface of the relaxation layer 3 opposite to the light scattering portion 2. Any material can be used as the material of the transparent electrode layer 4 as long as the effect of the present invention is not hindered. Examples thereof include indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO), and tin oxide. , Ultrathin metal such as Au, conductive polymer, conductive organic material, organic layer containing dopant (donor or acceptor), mixture of conductor and conductive organic material (including polymer), or laminate of these Etc. These transparent electrode layers 4 are usually formed using a vapor phase growth method such as a sputtering method or an ion plating method. The film thickness of the transparent electrode layer 4 is not particularly limited, but is preferably about 50 to 300 nm.

このように透明電極層4を形成する際に、電極材料をアニールするために加熱処理を行なう。加熱処理は、緩和層3を形成する樹脂を上記のように硬化させるための加熱温度である硬化温度を超える高い温度で行なうものである。そしてこのように緩和層3を形成する樹脂の硬化温度よりも高い温度で加熱処理を行なうと、緩和層3にボイド6の発生がみられる。ボイド6が発生するメカニズムは必ずしも明らかではないが次のことが考えられる。すなわち、緩和層3を形成する樹脂が硬化温度よりも高い温度で加熱されることによって、この緩和層3の樹脂は更に硬化して収縮するが、緩和層3が透明電極層4と密着している部分は収縮が規制されるので、他の部分に対して伸ばされた状態になり、緩和層3を形成する樹脂に空隙としてボイド6が生成されるのではないかと考えられる。従って図1(b)に示すようにボイド6は緩和層3の透明電極4との界面付近に多く生成されるが、緩和層3の内部にもボイド6は生成されている。この加熱処理の条件は、緩和層3を形成する樹脂の硬化温度よりも高い温度であればよく、特に限定されるものではないが、緩和層3を形成する樹脂の硬化温度をT℃とすると、T℃+5℃〜T℃+100℃の範囲に加熱温度を設定するのが好ましく、また加熱時間は10分間〜2時間程度が好ましい。   Thus, when forming the transparent electrode layer 4, heat processing is performed in order to anneal an electrode material. The heat treatment is performed at a high temperature exceeding the curing temperature, which is the heating temperature for curing the resin forming the relaxation layer 3 as described above. When the heat treatment is performed at a temperature higher than the curing temperature of the resin forming the relaxation layer 3 in this way, voids 6 are generated in the relaxation layer 3. The mechanism by which the void 6 is generated is not necessarily clear, but the following can be considered. That is, when the resin forming the relaxation layer 3 is heated at a temperature higher than the curing temperature, the resin of the relaxation layer 3 is further cured and shrinks, but the relaxation layer 3 is in close contact with the transparent electrode layer 4. Since the shrinkage is restricted in the portion where the film is present, it is considered that the void 6 is generated as a void in the resin forming the relaxation layer 3 because the portion is stretched relative to the other portion. Accordingly, as shown in FIG. 1B, many voids 6 are generated in the vicinity of the interface between the relaxing layer 3 and the transparent electrode 4, but the void 6 is also generated inside the relaxing layer 3. The conditions for this heat treatment are not particularly limited as long as the temperature is higher than the curing temperature of the resin that forms the relaxation layer 3, but the curing temperature of the resin that forms the relaxation layer 3 is T ° C. The heating temperature is preferably set in the range of T ° C. + 5 ° C. to T ° C. + 100 ° C., and the heating time is preferably about 10 minutes to 2 hours.

また、生成されるボイド6の大きさは、緩和層3を形成する樹脂の選定や加熱処理の条件の選定で調整することが可能であるが、ボイド6の直径が5〜300nmの範囲であることが好ましい。ボイド6の直径が5nm未満であると、光を散乱させる効果が小さく、またボイド6の直径が300nmを超えると、緩和層3と透明電極層4との界面の密着性が不十分になってデバイスの信頼性が損なわれるおそれがある。   Moreover, although the magnitude | size of the void 6 produced | generated can be adjusted by selection of the resin which forms the relaxation layer 3, or selection of the conditions of heat processing, the diameter of the void 6 is the range of 5-300 nm. It is preferable. When the diameter of the void 6 is less than 5 nm, the effect of scattering light is small, and when the diameter of the void 6 exceeds 300 nm, the adhesion at the interface between the relaxing layer 3 and the transparent electrode layer 4 becomes insufficient. Device reliability may be compromised.

次に、上記のように透明電極層4を緩和層3の表面に設けた後、透明電極層4の緩和層3と反対側の表面に発光層5を形成する。発光層5を形成する材料としては、有機EL材料を用いることができるものであり、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物あるいは高分子等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばIr錯体、Os錯体、Pt錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。   Next, after providing the transparent electrode layer 4 on the surface of the relaxation layer 3 as described above, the light emitting layer 5 is formed on the surface of the transparent electrode layer 4 opposite to the relaxation layer 3. As a material for forming the light emitting layer 5, an organic EL material can be used. For example, anthracene, naphthalene, pyrene, tetracene, coronene, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxa Diazole, bisbenzoxazoline, bisstyryl, cyclopentadiene, coumarin, oxadiazole, bisbenzoxazoline, bisstyryl, cyclopentadiene, quinoline metal complex, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex, tris (4-methyl) -8-quinolinato) aluminum complex, tris (5-phenyl-8-quinolinato) aluminum complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, tri- (p-terphenyl-4-i ) Amine, pyran, quinacridone, rubrene, and derivatives thereof, or 1-aryl-2,5-di (2-thienyl) pyrrole derivative, distyrylbenzene derivative, styrylarylene derivative, styrylamine derivative, and luminescence thereof Examples thereof include a compound or a polymer having a group consisting of a functional compound in a part of the molecule. Further, not only compounds derived from fluorescent dyes typified by the above-mentioned compounds, but also so-called phosphorescent materials, for example, luminescent materials such as Ir complexes, Os complexes, Pt complexes, and europium complexes, or compounds or polymers having these in the molecule It can be used suitably. These materials can be appropriately selected and used as necessary.

そして発光層5の透明電極層4と反対側の表面に対向電極7を設けることによって、有機EL素子からなる図1(a)のような面発光体を形成することができるものである。対向電極7の材料としては、Alなどを用いることができるが、Alと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして構成するものであっても良い。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とAlとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とAlとの積層体、アルカリ金属の酸化物とAlとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とAlとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとAlとの積層体、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、LiF/Al混合物/積層体、Al/Al混合物などを例として挙げることができる。 Then, by providing the counter electrode 7 on the surface of the light emitting layer 5 opposite to the transparent electrode layer 4, a surface light emitter as shown in FIG. 1A composed of an organic EL element can be formed. As the material of the counter electrode 7, Al or the like can be used. However, a structure in which Al and another electrode material are combined to form a laminated structure or the like may be used. Such electrode material combinations include alkali metal and Al laminates, alkali metal and silver laminates, alkali metal halides and Al laminates, and alkali metal oxides and Al laminates. Bodies, alkaline earth metal or laminates of rare earth metals and Al, and alloys of these metal species with other metals, such as sodium, sodium-potassium alloy, lithium, magnesium, etc. For example, a laminate with Al, a magnesium-silver mixture, a magnesium-indium mixture, an aluminum-lithium alloy, a LiF / Al mixture / laminate, an Al / Al 2 O 3 mixture, and the like can be given as examples.

尚、発光層5と電極4,7の間に、電極4,7からのキャリア注入性を向上させるためのホール輸送層、電子輸送層、バッファー層、又は電極製膜時のダメージを低減するための層を形成してもよく、例えばアルカリ金属ドープ有機層、銅フタロシアニン層、アクセプタドープ有機層等を形成してもよい。   In addition, in order to reduce the damage at the time of forming the hole transport layer, the electron transport layer, the buffer layer, or the electrode between the light emitting layer 5 and the electrodes 4 and 7 to improve the carrier injection property from the electrodes 4 and 7. For example, an alkali metal doped organic layer, a copper phthalocyanine layer, an acceptor doped organic layer, or the like may be formed.

上記のように形成される面発光体にあって、透明電極層4と対向電極7との間に電圧を印加することによって発光層5で発光した光は、透明電極層4から緩和層3及び光散乱部2を透過し、さらに透光性基板1を透過して取り出される。このとき、緩和層3には透明電極層4との界面にボイド6が形成されており、透明電極層4と緩和層3の界面に光散乱構造が形成されているので、透明電極層4から緩和層3へ伝送される光は界面で散乱され、透明電極層4と緩和層3の界面で光が全反射されることを抑制することができるものである。また緩和層3から光散乱部2へ伝送された光は、光散乱部2で散乱されるので、光散乱部2と透光性基板1との界面で光が全反射されることを抑制することができる。さらに緩和層3の内部にもボイド6が形成されているので、光は緩和層3の内部でも散乱され、光散乱部2から透光性基板1への伝送効率が高くなる。このように各界面での全反射を抑制して、透明電極層4から緩和層3、光散乱部2、透光性基板1へと光を効率良く伝送して透過させ、透光性基板1から取り出すことができるものであり、発光層5で発光した光の取り出し効率が向上するものである。   In the surface light emitter formed as described above, light emitted from the light emitting layer 5 by applying a voltage between the transparent electrode layer 4 and the counter electrode 7 is transmitted from the transparent electrode layer 4 to the relaxing layer 3 and The light is transmitted through the light scattering portion 2 and further transmitted through the translucent substrate 1 and taken out. At this time, since the void 6 is formed at the interface with the transparent electrode layer 4 in the relaxation layer 3 and the light scattering structure is formed at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3, The light transmitted to the relaxing layer 3 is scattered at the interface, and the light can be prevented from being totally reflected at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxing layer 3. In addition, since the light transmitted from the relaxation layer 3 to the light scattering portion 2 is scattered by the light scattering portion 2, the light is prevented from being totally reflected at the interface between the light scattering portion 2 and the translucent substrate 1. be able to. Furthermore, since the void 6 is formed inside the relaxation layer 3, the light is also scattered inside the relaxation layer 3, and the transmission efficiency from the light scattering portion 2 to the translucent substrate 1 is increased. In this way, total reflection at each interface is suppressed, and light is efficiently transmitted from the transparent electrode layer 4 to the relaxation layer 3, the light scattering portion 2, and the translucent substrate 1 to be transmitted. The light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting layer 5 is improved.

尚、上記のように緩和層3の表面に透明電極層4を形成した後、加熱処理を行なうことによって、透明電極層4と緩和層3の界面に、透明電極層4の材料と緩和層3を形成する樹脂が混ざり合った中間層が形成されるようにしてもよい。中間層はこのように透明電極層4の材料と緩和層3を形成する樹脂が混ざり合ったものであるので、中間層の屈折率は、透明電極層4の側から緩和層3の側へと、透明電極層4の屈折率から緩和層3の屈折率へと徐々に変化する傾斜したものに形成される。従ってこのように透明電極層4と緩和層3の間に中間層が形成されると、透明電極層4と緩和層3との間に屈折率が異なる光学的な界面がなくなり、界面における全反射ロスをなくすことができるものである。勿論、この加熱処理によって、中間層と透明電極層4との界面付近、中間層と緩和層3との界面付近、中間層内部に、ボイド6が生成されるものである。   In addition, after forming the transparent electrode layer 4 on the surface of the relaxation layer 3 as described above, the material of the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3 are formed at the interface between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3 by performing heat treatment. An intermediate layer in which the resin forming the mixture is mixed may be formed. Since the intermediate layer is a mixture of the material of the transparent electrode layer 4 and the resin forming the relaxation layer 3 in this way, the refractive index of the intermediate layer is from the transparent electrode layer 4 side to the relaxation layer 3 side. In addition, the transparent electrode layer 4 is formed to have a slope that gradually changes from the refractive index of the transparent electrode layer 4 to the refractive index of the relaxation layer 3. Therefore, when an intermediate layer is formed between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3 in this way, there is no optical interface having a different refractive index between the transparent electrode layer 4 and the relaxation layer 3, and total reflection at the interface is eliminated. Loss can be eliminated. Of course, by this heat treatment, voids 6 are generated in the vicinity of the interface between the intermediate layer and the transparent electrode layer 4, in the vicinity of the interface between the intermediate layer and the relaxing layer 3, and in the intermediate layer.

次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。尚、重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)により、測定機として東ソー(株)製「HLC−8120」を用いて、標準ポリスチレンで検量線を作成し、その換算値として測定した。   Next, the present invention will be specifically described with reference to examples. The weight average molecular weight was measured by GPC (gel permeation chromatography), using “HLC-8120” manufactured by Tosoh Co., Ltd. as a measuring instrument, creating a calibration curve with standard polystyrene, and converting it into a converted value.

(実施例1)
テトラエトキシシラン86.8質量部にイソプロピルアルコール803.5質量部を加え、さらにγ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン34.7質量部及び0.1N−硝酸75質量部を加え、ディスパーを用いてよく混合することによって溶液を得た。得られた溶液を40℃恒温槽中で2時間攪拌し、重量平均分子量が1050のシリコーンレジン5質量%溶液を得た。次にこのシリコーンレジン溶液に、メチルシリコーン粒子(GE東芝シリコーン社製「トスパール120」:平均粒子径2μm)を、メチルシリコーン粒子/シリコーンレジン(縮合化合物換算)の固形分質量基準で80/20となるように添加して、ホモジナイザーで分散させることによって、メチルシリコーン粒子分散シリコーンレジン溶液を得た。尚、上記の「縮合化合物換算」とは、テトラアルコキシシランの場合は、存在するSiがSiOであるとしての質量である。
(Example 1)
Add 803.5 parts by mass of isopropyl alcohol to 86.8 parts by mass of tetraethoxysilane, add 34.7 parts by mass of γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and 75 parts by mass of 0.1N nitric acid, and use a disper. A solution was obtained by mixing. The obtained solution was stirred in a constant temperature bath at 40 ° C. for 2 hours to obtain a 5% by mass solution of a silicone resin having a weight average molecular weight of 1050. Next, to this silicone resin solution, methylsilicone particles (“TOSPEARL 120” manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd .: average particle size 2 μm) are 80/20 based on the solid content mass of methylsilicone particles / silicone resin (condensation compound equivalent). Then, the mixture was dispersed with a homogenizer to obtain a methyl silicone particle-dispersed silicone resin solution. The "condensation compound terms" above, in the case of tetraalkoxysilane, existing Si is mass as a SiO 2.

次に、透光性基板1として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」)を用い、メチルシリコーン粒子分散シリコーンレジン溶液を透光性基板の表面にスピンコーターによって1000rpmの条件で塗布・乾燥し、この塗布・乾燥を6回繰り返した後に、200℃で30分間焼成することによって、厚み約5μmの光散乱層2aを形成した。このようにして得た、光散乱層2a付きの透光性基板1の光学物性をヘーズメーター(日本電色工業社製「NDH−2000」)で測定したところ、ヘイズ値は95.4、全光線透過率は73.4%であった。   Next, a non-alkali glass plate (“No. 1737” manufactured by Corning) was used as the translucent substrate 1, and the methylsilicone particle-dispersed silicone resin solution was applied to the surface of the translucent substrate with a spin coater at 1000 rpm. After drying and repeating this coating and drying six times, the light scattering layer 2a having a thickness of about 5 μm was formed by baking at 200 ° C. for 30 minutes. The optical properties of the translucent substrate 1 with the light scattering layer 2a thus obtained were measured with a haze meter (“NDH-2000” manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.). The haze value was 95.4, all The light transmittance was 73.4%.

このように形成した光散乱層2aの表面に、イミド系樹脂コーティング材(OPTMATE社製「HRI1783:nD=1.78、濃度18質量%)をスピンコーターによって2000rpmの条件で塗布して乾燥し、200℃で30分間加熱して硬化させることによって、厚み約4μmの緩和層3を形成した。   On the surface of the light scattering layer 2a thus formed, an imide resin coating material ("HRI1783: nD = 1.78, concentration 18% by mass, manufactured by OPTMATE) was applied by a spin coater under the condition of 2000 rpm and dried. The relaxation layer 3 having a thickness of about 4 μm was formed by heating and curing at 200 ° C. for 30 minutes.

次に、ITOターゲット(東トー社製)を用いて、上記のように形成した緩和層3の表面にスパッタすることによって、緩和層3の上に120nmの膜厚でITO膜を形成した。次にこのようにITO膜を形成した透光性基板1を、Ar雰囲気下、300℃で1時間、加熱処理することによって、ITO膜をアニールしてシート抵抗18Ω/□の透明電極層4を形成した。このとき、電子顕微鏡で緩和層3を観察したところ、透明電極層4との界面に沿って直径5〜100nmのボイド6が、約20%の面積の分布密度で形成されていることが確認された。またこのボイド6は、透明電極層4との界面よりも分布密度は小さいが、緩和層3の内部にも形成されていることが確認された。   Next, an ITO film having a thickness of 120 nm was formed on the relaxing layer 3 by sputtering the surface of the relaxing layer 3 formed as described above using an ITO target (manufactured by Toto). Next, the transparent substrate 1 on which the ITO film is formed in this manner is heat-treated at 300 ° C. for 1 hour in an Ar atmosphere, thereby annealing the ITO film to form the transparent electrode layer 4 having a sheet resistance of 18Ω / □. Formed. At this time, when the relaxation layer 3 was observed with an electron microscope, it was confirmed that voids 6 having a diameter of 5 to 100 nm were formed along the interface with the transparent electrode layer 4 with a distribution density of an area of about 20%. It was. Further, it was confirmed that the voids 6 are also formed in the relaxation layer 3 although the distribution density is smaller than the interface with the transparent electrode layer 4.

次にこの透明電極層4を形成した透光性基板1をアセトン、純水、イソプロピルアルコールで15分間超音波洗浄した後、乾燥し、さらにUV−O処理を15分間行った。この後に、この透光性基板1を真空蒸着装置にセットし、ホール輸送層として、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)(eRay社製)を透明電極層4の上に40nmの膜厚で形成し、さらにこの上に電子輸送層兼発光層5として、アルミニウム−トリス(8−ヒドロキシキノリン)(Alq)(eRay社製)を60nmの膜厚で形成し、さらにその上に電子注入層として、LiF(高純度化学製)を1nmの膜厚で形成した。そして最後に、電子注入層の上にAl(高純度化学社製)を80nmの膜厚で真空蒸着し、陰極として対向電極7を形成した。 Next, the translucent substrate 1 on which the transparent electrode layer 4 was formed was ultrasonically washed with acetone, pure water, and isopropyl alcohol for 15 minutes, then dried, and further subjected to UV-O 3 treatment for 15 minutes. Thereafter, the translucent substrate 1 is set in a vacuum deposition apparatus, and N, N′-diphenyl-N, N′-bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4, 4′-diamine (NPB) (manufactured by eRay) is formed on the transparent electrode layer 4 with a film thickness of 40 nm, and further, an aluminum-tris (8-hydroxyquinoline) is formed thereon as the electron transport layer / light-emitting layer 5. (Alq) (manufactured by eRay) was formed with a film thickness of 60 nm, and LiF (manufactured by high purity chemical) was formed thereon with a film thickness of 1 nm as an electron injection layer. Finally, Al (manufactured by High-Purity Chemical Co., Ltd.) was vacuum-deposited with a thickness of 80 nm on the electron injection layer to form the counter electrode 7 as a cathode.

この後、上記の各層を蒸着して形成した透光性基板1を露点−80℃以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックスに大気に暴露することなく搬送した。一方、硝子製の封止キャップに吸水剤(ダイニック社製)を貼り付けると共に封止キャップの外周部に紫外線硬化樹脂性のシール剤を塗布したものを予め用意した。そしてグローブボックス内で各層を囲むように封止キャップを透光性基板1にシール剤で張り合わせ、紫外線照射してシール剤を硬化させることによって、各層を封止キャップで封止し、図1(a)のような層構成の有機EL素子からなる面発光体を得た。   Then, the translucent board | substrate 1 formed by vapor-depositing each said layer was conveyed without exposing to the air | atmosphere to the glove box of a dry nitrogen atmosphere with a dew point of -80 degrees C or less. On the other hand, a water-absorbing agent (manufactured by Dynic) was attached to a glass sealing cap and an ultraviolet curable resin-based sealing agent was applied to the outer periphery of the sealing cap in advance. Then, a sealing cap is attached to the light-transmitting substrate 1 with a sealing agent so as to surround each layer in the glove box, and each layer is sealed with the sealing cap by irradiating with ultraviolet rays to cure the sealing agent. A surface light emitter comprising an organic EL element having a layer structure as in a) was obtained.

(実施例2)
テトラエトキシシラン86.8質量部にイソプロピルアルコール803.5質量部を加え、さらにγ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン34.7質量部及び0.1N−硝酸75質量部を加え、ディスパーを用いてよく混合することによって溶液を得た。得られた溶液を40℃恒温槽中で2時間攪拌し、重量平均分子量が1050のシリコーンレジン5質量%溶液を得た。次にこのシリコーンレジン溶液に、中空シリカ微粒子(平均粒子径60nm、外殻厚み10nm)のIPA分散ゾル(固形分:20質量%、分散媒:イソプロピルアルコール、触媒化成工業社製)をイソプロピルアルコールで5質量%になるように希釈したゾルを、中空シリカ微粒子/シリコーンレジン(縮合化合物換算)の固形分質量基準で35/30となるように添加して中空シリカ微粒子含有シリコーンレジン溶液を得た。さらに、この溶液に、チタニア粒子の表面をシリカで被覆したシリカ−チタニア複合微粒子(平均粒子径10−20nm)のメチルエチルケトン分散ゾル(固形分:20質量%、触媒化成工業社製)をイソプロピルアルコールで5質量%になるように希釈したゾルを、中空シリカ微粒子/シリカ−チタニア複合微粒子/シリコーンレジン(縮合化合物換算)の固形分質量基準で35/35/30になるように添加して、最終的なコーティング材組成物を得た。
(Example 2)
Add 803.5 parts by mass of isopropyl alcohol to 86.8 parts by mass of tetraethoxysilane, add 34.7 parts by mass of γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and 75 parts by mass of 0.1N nitric acid, and use a disper. A solution was obtained by mixing. The obtained solution was stirred in a constant temperature bath at 40 ° C. for 2 hours to obtain a 5% by mass solution of a silicone resin having a weight average molecular weight of 1050. Next, an IPA dispersion sol (solid content: 20% by mass, dispersion medium: isopropyl alcohol, produced by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) of hollow silica fine particles (average particle diameter 60 nm, outer shell thickness 10 nm) was added to this silicone resin solution with isopropyl alcohol. The sol diluted to 5% by mass was added so as to be 35/30 on the basis of the solid content mass of hollow silica fine particles / silicone resin (condensed compound equivalent) to obtain a hollow silica fine particle-containing silicone resin solution. Further, in this solution, methylethylketone dispersion sol (solid content: 20% by mass, produced by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) of silica-titania composite fine particles (average particle size 10-20 nm) coated with silica on the surface of titania particles was added with isopropyl alcohol. The sol diluted to 5% by mass is added so as to be 35/35/30 based on the solid content mass of hollow silica fine particles / silica-titania composite fine particles / silicone resin (condensed compound equivalent). Coating composition was obtained.

ここで、上記のバインダー材料のシリコーンレジンの屈折率Nd、中空シリカ微粒子の屈折率Nf、シリカ-チタニア微粒子の屈折率Nfは、それぞれ1.40、1.25、1.85であり、Nf>Nb>Nfの関係を満たすものであった。尚、これらの屈折率は次のようにして測定した。バインダー材料は、コーティングして薄膜化してエリプソーメーターにより屈折率を測定した。中空シリカ微粒子、シリカ−チタニア微粒子の各屈折率は、液浸法(微粒子を種々の屈折率液に分散させ、その分散液をヘイズメーターを用いてヘイズが0になる屈折率液の屈折率を微粒子の屈折率とする方法)を用いて測定した。またヘイズ値は、JIS−K−7136に基づき、ヘイズメーター(日本電色製、300A)を用いて測定した。また、中空シリカ微粒子、シリカ−チタニア微粒子の平均粒子径は、上記のようにそれぞれ60nm、10−20nmであリ、これらの粒子径は、レーザー回折原理を用いた粒度分布測定装置(堀場製作所製)を用いて測定した。 Here, the refractive index Nd, refractive index Nf 1 of the hollow silica fine particles of the silicone resin of the binder material, silica - refractive index Nf 2 of the titania fine particles are each 1.40,1.25,1.85, Nf 2 >Nb> Nf 1 was satisfied. These refractive indexes were measured as follows. The binder material was coated to form a thin film, and the refractive index was measured with an ellipsometer. The refractive index of each of the hollow silica fine particles and silica-titania fine particles is determined by the immersion method (dispersing the fine particles in various refractive index liquids, and using the haze meter to measure the refractive index of the refractive index liquid with which the haze is zero. It was measured using a method for obtaining the refractive index of fine particles. The haze value was measured using a haze meter (Nippon Denshoku, 300A) based on JIS-K-7136. Moreover, the average particle diameters of the hollow silica fine particles and the silica-titania fine particles are 60 nm and 10-20 nm, respectively, as described above, and these particle sizes are determined by a particle size distribution measuring apparatus (manufactured by Horiba, Ltd.) using a laser diffraction principle. ).

次に、透光性基板1として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.51)を用い、上記のコーティング材組成物を透光性基板1の表面にスピンコーターによって1000rpmの条件で塗布・乾燥して被膜を作製し、200℃で30分間焼成して熱処理することによって、厚み約500nmの光散乱層2aを形成した。このようにして得られた光散乱層2aの屈折率は1.45であり、透光性基板1の屈折率より小さいものであった。また光散乱層2aのヘイズ値は3.0であり、全光線透過率は85.7%であった。   Next, a non-alkali glass plate (“No. 1737” manufactured by Corning Inc., refractive index 1.51) is used as the translucent substrate 1, and the above coating material composition is applied to the surface of the translucent substrate 1 by a spin coater. A coating film was prepared by coating and drying at 1000 rpm, followed by baking at 200 ° C. for 30 minutes and heat treatment to form a light scattering layer 2a having a thickness of about 500 nm. The light scattering layer 2a thus obtained has a refractive index of 1.45, which is smaller than the refractive index of the translucent substrate 1. Moreover, the haze value of the light-scattering layer 2a was 3.0, and the total light transmittance was 85.7%.

このように厚み約500nmの光散乱層2aを形成した後、実施例1と同様にしてメチルシリコーン粒子分散シリコーンレジン溶液をこの上に塗布・乾燥・焼成して厚み約5μmの光散乱層2aを形成し、さらに実施例1と同様に緩和層3、透明電極層4、発光層5、対向電極7を形成すると共に封止キャップで封止することによって、有機EL素子からなる面発光体を得た。   After forming the light scattering layer 2a having a thickness of about 500 nm in this manner, the methylsilicone particle-dispersed silicone resin solution was applied, dried and fired thereon in the same manner as in Example 1 to form the light scattering layer 2a having a thickness of about 5 μm. Then, as in Example 1, the relaxing layer 3, the transparent electrode layer 4, the light emitting layer 5, and the counter electrode 7 are formed and sealed with a sealing cap to obtain a surface light emitter made of an organic EL element. It was.

(比較例1)
透光性基板1の表面に直接、ITO膜をスパッタし、300℃で1時間加熱処理をしてアニールした透明電極層4を形成した。そしてこの上に実施例1と同様に発光層、対向電極を形成すると共に封止キャップで封止することによって、有機EL素子からなる面発光体を得た。
(Comparative Example 1)
An ITO film was sputtered directly on the surface of the translucent substrate 1, and the transparent electrode layer 4 annealed by heat treatment at 300 ° C. for 1 hour was formed. Then, a light emitting layer and a counter electrode were formed thereon as in Example 1, and sealed with a sealing cap to obtain a surface light emitter made of an organic EL element.

(比較例2)
実施例1において、ITO膜をスパッタした後に、200℃で1時間加熱処理をしてアニールした透明電極層4を形成した。その他は実施例1と同様にして、有機EL素子からなる面発光体を得た。このものでは、透明電極層4のシート抵抗は実施例1と同じであったが、加熱処理の温度が低いので、電子顕微鏡で緩和層3を観察したところ、緩和層3にボイドの発生はみられなかった。
(Comparative Example 2)
In Example 1, after the ITO film was sputtered, the transparent electrode layer 4 was formed by annealing at 200 ° C. for 1 hour. Others were the same as in Example 1 to obtain a surface light emitter made of an organic EL element. In this case, the sheet resistance of the transparent electrode layer 4 was the same as in Example 1. However, since the temperature of the heat treatment was low, the relaxation layer 3 was observed with an electron microscope. I couldn't.

上記のようにして実施例1,2及び比較例1,2で得た有機EL素子からなる面発光体の特性を、DC電源(ケースレイ社製)を用い、素子内部に流れる電流を10mA/cmに固定し、輝度計(トプコン社製)を用いて評価した。このとき、正面輝度を、電流効率(cd/A)とともに、10°ごとの角度方位で−180°〜+180°の範囲で測定し、全光束(電力効率lm/W)を算出した。結果を、比較例1を1とした相対数値で表1に示す。尚、電流−電圧特性は、実施例1,2及び比較例1,2において大きな差はみられなかった。また発光スペクトルにも大きな差はみられなかった。 As described above, the characteristics of the surface light emitters composed of the organic EL elements obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 are as follows. It fixed to cm < 2 > and evaluated using the luminance meter (made by Topcon). At this time, the front luminance was measured in the range of −180 ° to + 180 ° in an angular direction every 10 ° together with the current efficiency (cd / A), and the total luminous flux (power efficiency lm / W) was calculated. The results are shown in Table 1 as relative values with Comparative Example 1 taken as 1. The current-voltage characteristics were not significantly different between Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2. There was no significant difference in the emission spectrum.

Figure 2009004274
Figure 2009004274

表1にみられるように、実施例1,2のものは、比較例1は勿論、比較例2のものに対しても光の取り出し効率が向上していることが確認される。   As can be seen from Table 1, it is confirmed that the light extraction efficiency of Examples 1 and 2 is improved not only in Comparative Example 1 but also in Comparative Example 2.

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)は全体の概略図、(b)は一部を拡大した概略図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS An example of embodiment of this invention is shown, (a) is the whole schematic, (b) is the schematic which expanded a part. 従来例を示す概略図である。It is the schematic which shows a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1 透光性基板
2 光散乱部
3 緩和層
4 透明電極層
5 発光層
6 ボイド
7 対向電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Translucent board | substrate 2 Light-scattering part 3 Relaxation layer 4 Transparent electrode layer 5 Light emitting layer 6 Void 7 Counter electrode

Claims (5)

透光性基板の表面に形成される光散乱部、光散乱部の表面に形成される、光散乱部の表面粗さをならすための緩和層、緩和層の表面に形成される透明電極層、透明電極層の透光性基板と反対側に形成される発光層を備えた面発光体において、少なくとも緩和層と透明電極層との界面またはその付近に光を散乱させる光散乱構造を形成して成ることを特徴とする面発光体。   A light scattering part formed on the surface of the translucent substrate, a relaxation layer formed on the surface of the light scattering part, for smoothening the surface roughness of the light scattering part, a transparent electrode layer formed on the surface of the relaxation layer, In a surface light emitter having a light emitting layer formed on the opposite side of the transparent electrode layer to the light transmissive substrate, a light scattering structure for scattering light is formed at least at the interface between the relaxation layer and the transparent electrode layer or in the vicinity thereof. A surface light emitter characterized by comprising: 光散乱構造が緩和層の透明電極層との界面またはその付近に形成されるボイドであることを特徴とする請求項1に記載の面発光体。   2. The surface light emitter according to claim 1, wherein the light scattering structure is a void formed at or near an interface between the relaxing layer and the transparent electrode layer. ボイドは緩和層の層内部にも形成されていることを特徴とする請求項2に記載の面発光体。   The surface light emitter according to claim 2, wherein the void is also formed inside the relaxation layer. ボイドは直径が5〜300nmであることを特徴とする請求項2又は3に記載の面発光体。   The surface light emitter according to claim 2 or 3, wherein the void has a diameter of 5 to 300 nm. 透光性基板の表面上に光散乱部を形成する工程と、光散乱部の表面上に樹脂コーティングすると共にコーティング樹脂を加熱硬化させて緩和層を形成する工程と、緩和層の表面上に透明電極層を形成する工程と、緩和層のコーティング樹脂の硬化温度よりも高い温度で熱処理することによって、少なくとも緩和層の透明電極層との界面またはその付近にボイドを生成させて光散乱構造を形成する工程と、透明電極層の表面上に発光層を形成する工程とを、順次行なうことを特徴とする面発光体の製造方法。   A step of forming a light scattering portion on the surface of the light-transmitting substrate, a step of coating a resin on the surface of the light scattering portion and heating and curing the coating resin to form a relaxation layer, and a transparent on the surface of the relaxation layer Forming a light-scattering structure by forming voids at or near the interface with the transparent electrode layer of the relaxation layer by heat treatment at a temperature higher than the curing temperature of the coating resin of the relaxation layer and the coating layer of the relaxation layer And a step of forming a light emitting layer on the surface of the transparent electrode layer in order.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100100628A (en) * 2009-03-05 2010-09-15 후지필름 가부시키가이샤 Organic electroluminescence device
JP2012069920A (en) * 2010-08-09 2012-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp Organic electroluminescent element, organic el module, organic el display device, and organic el illumination
KR101147428B1 (en) * 2009-02-09 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
JP2012186154A (en) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Optical element, light-emitting device, illumination device, and manufacturing method for optical element
KR20130111484A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR20130111481A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR20140017458A (en) * 2012-07-31 2014-02-11 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
JP2014120423A (en) * 2012-12-19 2014-06-30 Toppan Printing Co Ltd El element, luminaire, display device and liquid crystal display device
US20150008422A1 (en) * 2012-03-23 2015-01-08 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device
JP2015521294A (en) * 2012-04-05 2015-07-27 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for providing a display component
JP2015156371A (en) * 2014-01-14 2015-08-27 パナソニック株式会社 Layer substrate, light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device
JP2015526898A (en) * 2012-07-18 2015-09-10 エルジー・ケム・リミテッド Organic light emitting device
KR101612588B1 (en) * 2012-07-31 2016-04-14 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
JP2017510036A (en) * 2014-03-21 2017-04-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド LAMINATED FOR SEALING, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251489A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Hitachi Ltd Light-emitting element and its display device
JP2005302336A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Hitachi Ltd Light-emitting element and its display device
JP2006286616A (en) * 2005-03-11 2006-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp Electroluminescence element and lighting system
JP2006294491A (en) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp Electroluminescence device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
WO2008123492A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Surface light emitting body

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251489A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Hitachi Ltd Light-emitting element and its display device
JP2005302336A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Hitachi Ltd Light-emitting element and its display device
JP2006286616A (en) * 2005-03-11 2006-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp Electroluminescence element and lighting system
JP2006294491A (en) * 2005-04-13 2006-10-26 Seiko Epson Corp Electroluminescence device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
WO2008123492A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Surface light emitting body

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101147428B1 (en) * 2009-02-09 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
US8809838B2 (en) 2009-02-09 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
KR101590195B1 (en) * 2009-03-05 2016-01-29 유디씨 아일랜드 리미티드 Organic electroluminescence device
KR20100100628A (en) * 2009-03-05 2010-09-15 후지필름 가부시키가이샤 Organic electroluminescence device
JP2012069920A (en) * 2010-08-09 2012-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp Organic electroluminescent element, organic el module, organic el display device, and organic el illumination
JP2012186154A (en) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Optical element, light-emitting device, illumination device, and manufacturing method for optical element
US9751267B2 (en) 2011-02-14 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical element, light-emitting device, lighting device, and method for manufacturing optical element
US20150008422A1 (en) * 2012-03-23 2015-01-08 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device
US9577224B2 (en) * 2012-03-23 2017-02-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20130111484A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
JP2015511763A (en) * 2012-03-30 2015-04-20 エルジー・ケム・リミテッド Substrates for organic electronic devices
US9583721B2 (en) 2012-03-30 2017-02-28 Lg Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device
KR101589342B1 (en) * 2012-03-30 2016-01-28 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR20130111481A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR101645774B1 (en) * 2012-03-30 2016-08-05 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR102130063B1 (en) * 2012-04-05 2020-08-06 코닝 인코포레이티드 Methods and apparatus for providing display components
JP2015521294A (en) * 2012-04-05 2015-07-27 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for providing a display component
KR20150095558A (en) * 2012-04-05 2015-08-21 코닝 인코포레이티드 Methods and apparatus for providing display components
JP2015526898A (en) * 2012-07-18 2015-09-10 エルジー・ケム・リミテッド Organic light emitting device
KR20140017458A (en) * 2012-07-31 2014-02-11 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR101678261B1 (en) * 2012-07-31 2016-11-21 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
KR101612588B1 (en) * 2012-07-31 2016-04-14 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
CN104521020A (en) * 2012-07-31 2015-04-15 株式会社Lg化学 Substrate for organic electronic device
JP2014120423A (en) * 2012-12-19 2014-06-30 Toppan Printing Co Ltd El element, luminaire, display device and liquid crystal display device
JP2015156371A (en) * 2014-01-14 2015-08-27 パナソニック株式会社 Layer substrate, light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device
JP2017510036A (en) * 2014-03-21 2017-04-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド LAMINATED FOR SEALING, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM
US10177341B2 (en) 2014-03-21 2019-01-08 Lg Display Co., Ltd. Encapsulating laminated body, organic light-emitting device and production methods for said body and device

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