JP2008545213A - プログラミングメモリデバイス - Google Patents
プログラミングメモリデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008545213A JP2008545213A JP2008511217A JP2008511217A JP2008545213A JP 2008545213 A JP2008545213 A JP 2008545213A JP 2008511217 A JP2008511217 A JP 2008511217A JP 2008511217 A JP2008511217 A JP 2008511217A JP 2008545213 A JP2008545213 A JP 2008545213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- memory cell
- memory device
- target memory
- programming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
Abstract
【選択図】 図3
Description
本発明は、プログラミング電圧/時間における各種の最初の値及び増加分の変化(または変動)を許容することによって処理における変化を補償することを考慮するものである。各種の最初のプログラミング電圧及び増加分の変化を許容することによって、デバイスの性能は製造後に調整されてもよい。それは、異なる性能の特性を有するデバイスを容易にさえして、製造者がデバイスの多数の在庫を必要とすることなくプログラミング速度で変化(あるいは各種のもの)を提供することを可能にする。
Claims (36)
- メモリデバイスの対象メモリセルをプログラミングする方法であって、
前記対象メモリセルを含むワード線へプログラミング電圧を印加することと、
前記対象メモリセルがプログラムされているかどうかを決定することと、
前記対象メモリセルがプログラムされていないことが決定された場合には、前記プログラミング電圧をステップ電圧の分だけ増加させることと、を含み、
最初のプログラミング電圧及び前記ステップ電圧が、それぞれ前記メモリデバイスの製造後に選択可能である、
ことを特徴とする方法。 - 前記最初のプログラミング電圧は、複数の最初のプログラミング電圧から選択される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ電圧は、複数のステップ電圧から選択される、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。 - 前記対象メモリセルを含む前記ワード線へ前記プログラミング電圧を印加し、一方前記対象メモリセルを含まないワード線へパス電圧を印加することを更に含み、前記パス電圧は、メモリセルをプログラミングするのには不十分であり、前記対象メモリセルを含まない前記ワード線のメモリセルを活性化する、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記パス電圧は、前記メモリデバイスの製造後に選択可能である、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記パス電圧は、複数のパス電圧から選択される、
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記対象メモリセルを含まないワード線へ印加される電圧及び前記対象メモリセルを含む前記ワード線へ印加される電圧が、最初のレベルから前記パス電圧へ増加するために許容される時間の長さを設定することを更に含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 時間の前記長さは、前記メモリデバイスの製造後に選択可能である、
ことを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記時間の前記長さの設定は、複数の時間の長さから、時間の前記長さを選択することを含む、
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - ソース選択ゲートによる、前記対象メモリセルを含むメモリセルのNANDストリングに選択的に接続されたソース線への電圧の印加を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ソース線への電圧の印加は、前記ソース線へのVccの印加を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記対象メモリセルを含むメモリセルのNANDストリングへビット線を選択的に接続するドレイン選択ゲートの制御ゲートへ接続されたドレイン選択線への電圧の印加を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ドレイン選択線への前記電圧の印加は、前記ドレイン選択線への前記電圧を第一の電圧レベルから第二の電圧レベルへ増加させることと、前記ドレイン選択線への前記電圧を前記第二のレベルから第三の電圧レベルへと減少させることを含み、前記第三の電圧レベルは前記ドレイン選択線へと印加され、一方前記プログラミング電圧は前記対象メモリセルを含む前記ワード線へと印加される。
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記第三の電圧レベルは、前記メモリデバイスの製造後に選択可能である、
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記第三の電圧レベルは、複数の第三の電圧レベルから選択される、
ことを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記第二の電圧レベルは、Vccである、
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記第三の電圧は、Vss及びVccの間である、
ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記対象メモリセルを含むメモリセルのNANDストリングへソース線を選択的に接続するソース選択ゲートの制御ゲートへ接続されたソース選択線への電圧の印加を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ソース選択線への前記電圧の印加は、前記ソース選択線へのVssの印加を含む、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記対象メモリセルを含むメモリセルのNANDストリングへ選択的に接続されたビット線への電圧の印加を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ビット線への前記電圧の印加は、前記対象メモリセルのプログラミングを防ぐための前記ビット線への抑止電圧の印加を含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の方法。 - 前記プログラミング電圧が、前記対象メモリセルを含む前記ワード線へ印加される時間の長さの設定を更に含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。 - 時間の前記長さは、前記メモリデバイスの製造後に選択可能である、
ことを特徴とする請求項22に記載の方法。 - 前記時間の前記長さの設定は、複数の時間の長さから、時間の前記長さを選択することを含む、
ことを特徴とする請求項23に記載の方法。 - メモリセルのアレイと、 最初のプログラミング電圧に対応する値を格納するための第一のレジスタと、
電圧ステップに対応する値を格納するための第二のレジスタと、
メモリセルの前記アレイ及び前記第一及び第二のレジスタに接続された制御回路と、を含み、
前記制御回路は、前記対象メモリセルのプログラミングの間、対象メモリセルの制御ゲートへプログラミング電圧を反復して印加するよう適合され、
前記制御回路は、第一の反復において、最初のプログラミング電圧とほぼ等しいプログラミング電圧を印加するよう適合され、
前記制御回路は、引き続いての反復の間、前記電圧ステップにほぼ等しい量の分だけ、前記プログラミング電圧を増加させるよう適合され、
前記第一及び第二のレジスタは製造後にプログラム可能である、
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 前記第一及び第二のレジスタは2ビットのレジスタである、
ことを特徴とする請求項25に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路は、非対象メモリセルの制御ゲートへパス電圧を印加するよう適合される、
ことを特徴とする請求項25または26に記載のメモリデバイス。 - 前記パス電圧に対応する値を格納するため、前記制御回路に接続された第三のレジスタを更に含む、
ことを特徴とする請求項27に記載のメモリデバイス。 - 前記第三のレジスタは、製造後にプログラム可能である、
ことを特徴とする請求項28に記載のメモリデバイス。 - 前記第三のレジスタは、2ビットのレジスタである、
ことを特徴とする請求項19に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路は、非対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される電圧及び前記対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される電圧が最初のレベルから前記パス電圧へ増加するために許容される時間の長さを設定するために適合される、
ことを特徴とする請求項27に記載のメモリデバイス。 - 非対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される電圧及び前記対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される電圧が最初のレベルから前記パス電圧へ増加するために許容される時間の前記長さに対応する値を格納するため、前記制御回路に接続された第三のレジスタを更に含む、
ことを特徴とする請求項31に記載のメモリデバイス。 - 前記第三のレジスタは2ビットのレジスタである、
ことを特徴とする請求項32に記載のメモリデバイス。 - 前記制御回路は、前記プログラミング電圧が前記対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される間の前記時間間隔の長さを設定するように適合される、
ことを特徴とする請求項25から27のいずれか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記プログラミング電圧が前記対象メモリセルの前記制御ゲートに印加される間の時間間隔の前記長さに対応する値を格納するため、前記制御回路に接続された第三のレジスタを更に含む、
ことを特徴とする請求項34に記載のメモリデバイス。 - 前記メモリデバイスは、NANDメモリデバイスである、
ことを特徴とする請求項25から27及び34のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/126,790 US7269066B2 (en) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | Programming memory devices |
PCT/US2006/017636 WO2006124352A2 (en) | 2005-05-11 | 2006-05-08 | Devices for programming a memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008545213A true JP2008545213A (ja) | 2008-12-11 |
Family
ID=37116135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008511217A Pending JP2008545213A (ja) | 2005-05-11 | 2006-05-08 | プログラミングメモリデバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7269066B2 (ja) |
EP (1) | EP1891643B1 (ja) |
JP (1) | JP2008545213A (ja) |
KR (2) | KR20080021649A (ja) |
CN (1) | CN101176163A (ja) |
TW (1) | TWI311763B (ja) |
WO (1) | WO2006124352A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010102755A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 3次元積層型不揮発性半導体メモリ |
Families Citing this family (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7447847B2 (en) * | 2004-07-19 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc. | Memory device trims |
US7269066B2 (en) | 2005-05-11 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Programming memory devices |
KR100655442B1 (ko) * | 2005-09-01 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 스타트 전압을 가변시킬 수 있는 플래시 메모리장치 |
US7580287B2 (en) | 2005-09-01 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Program and read trim setting |
US7463520B2 (en) * | 2006-03-24 | 2008-12-09 | Micron Technology, Inc. | Memory device with variable trim settings |
WO2007132452A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies | Reducing programming error in memory devices |
CN103258572B (zh) | 2006-05-12 | 2016-12-07 | 苹果公司 | 存储设备中的失真估计和消除 |
WO2007132457A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Combined distortion estimation and error correction coding for memory devices |
WO2007132456A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with adaptive capacity |
US8060806B2 (en) | 2006-08-27 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of non-linear distortion in memory devices |
WO2008053472A2 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Reading memory cells using multiple thresholds |
CN101601094B (zh) | 2006-10-30 | 2013-03-27 | 苹果公司 | 使用多个门限读取存储单元的方法 |
US7924648B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory power and performance management |
US7511996B2 (en) * | 2006-11-30 | 2009-03-31 | Mosaid Technologies Incorporated | Flash memory program inhibit scheme |
US8151163B2 (en) | 2006-12-03 | 2012-04-03 | Anobit Technologies Ltd. | Automatic defect management in memory devices |
US7900102B2 (en) | 2006-12-17 | 2011-03-01 | Anobit Technologies Ltd. | High-speed programming of memory devices |
US7593263B2 (en) * | 2006-12-17 | 2009-09-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with reduced reading latency |
US8151166B2 (en) | 2007-01-24 | 2012-04-03 | Anobit Technologies Ltd. | Reduction of back pattern dependency effects in memory devices |
US7751240B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-07-06 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with negative thresholds |
CN101715595A (zh) | 2007-03-12 | 2010-05-26 | 爱诺彼得技术有限责任公司 | 存储器单元读取阈的自适应估计 |
US8001320B2 (en) | 2007-04-22 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Command interface for memory devices |
WO2008136826A1 (en) | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Micron Technology, Inc. | Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same |
WO2008139441A2 (en) | 2007-05-12 | 2008-11-20 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with internal signal processing unit |
US8234545B2 (en) | 2007-05-12 | 2012-07-31 | Apple Inc. | Data storage with incremental redundancy |
KR100936876B1 (ko) | 2007-06-27 | 2010-01-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US7925936B1 (en) | 2007-07-13 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with non-uniform programming levels |
US8259497B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Programming schemes for multi-level analog memory cells |
US8174905B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells |
US7773413B2 (en) | 2007-10-08 | 2010-08-10 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells in the presence of temperature variations |
WO2009050703A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Anobit Technologies | Data storage in analog memory cell arrays having erase failures |
US8000141B1 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Compensation for voltage drifts in analog memory cells |
US8068360B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-29 | Anobit Technologies Ltd. | Reading analog memory cells using built-in multi-threshold commands |
WO2009063450A2 (en) | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Anobit Technologies | Optimized selection of memory units in multi-unit memory devices |
US8225181B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-07-17 | Apple Inc. | Efficient re-read operations from memory devices |
JP5178167B2 (ja) | 2007-12-04 | 2013-04-10 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
US8209588B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays |
US8456905B2 (en) | 2007-12-16 | 2013-06-04 | Apple Inc. | Efficient data storage in multi-plane memory devices |
US8085586B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Anobit Technologies Ltd. | Wear level estimation in analog memory cells |
US7916544B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Random telegraph signal noise reduction scheme for semiconductor memories |
US8156398B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Anobit Technologies Ltd. | Parameter estimation based on error correction code parity check equations |
US7924587B2 (en) | 2008-02-21 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition |
US7864573B2 (en) | 2008-02-24 | 2011-01-04 | Anobit Technologies Ltd. | Programming analog memory cells for reduced variance after retention |
US8230300B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Efficient readout from analog memory cells using data compression |
US8400858B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Memory device with reduced sense time readout |
US8059457B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with multiple-accuracy read commands |
US7995388B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-08-09 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage using modified voltages |
US7924613B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage in analog memory cells with protection against programming interruption |
US8169825B1 (en) | 2008-09-02 | 2012-05-01 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods |
US8949684B1 (en) | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Segmented data storage |
US8000135B1 (en) | 2008-09-14 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8482978B1 (en) | 2008-09-14 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8239734B1 (en) | 2008-10-15 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Efficient data storage in storage device arrays |
US8261159B1 (en) | 2008-10-30 | 2012-09-04 | Apple, Inc. | Data scrambling schemes for memory devices |
US8134868B2 (en) * | 2008-11-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Memory device biasing method and apparatus |
US8208304B2 (en) | 2008-11-16 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N |
US8248831B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Apple Inc. | Rejuvenation of analog memory cells |
US8397131B1 (en) | 2008-12-31 | 2013-03-12 | Apple Inc. | Efficient readout schemes for analog memory cell devices |
US8924661B1 (en) | 2009-01-18 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Memory system including a controller and processors associated with memory devices |
KR101551449B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2015-09-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 시스템 |
US8228701B2 (en) | 2009-03-01 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays |
US8259506B1 (en) | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8832354B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Use of host system resources by memory controller |
US8238157B1 (en) | 2009-04-12 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Selective re-programming of analog memory cells |
US8479080B1 (en) | 2009-07-12 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Adaptive over-provisioning in memory systems |
US8495465B1 (en) | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Error correction coding over multiple memory pages |
US8677054B1 (en) | 2009-12-16 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Memory management schemes for non-volatile memory devices |
US8694814B1 (en) | 2010-01-10 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Reuse of host hibernation storage space by memory controller |
US8572311B1 (en) | 2010-01-11 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Redundant data storage in multi-die memory systems |
US8358540B2 (en) * | 2010-01-13 | 2013-01-22 | Micron Technology, Inc. | Access line dependent biasing schemes |
US8694853B1 (en) | 2010-05-04 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read commands for reading interfering memory cells |
US8572423B1 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Reducing peak current in memory systems |
US8595591B1 (en) | 2010-07-11 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells |
US9104580B1 (en) | 2010-07-27 | 2015-08-11 | Apple Inc. | Cache memory for hybrid disk drives |
US8767459B1 (en) | 2010-07-31 | 2014-07-01 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells across word lines using a non-integer number of bits per cell |
US8856475B1 (en) | 2010-08-01 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Efficient selection of memory blocks for compaction |
US8694854B1 (en) | 2010-08-17 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read threshold setting based on soft readout statistics |
US9021181B1 (en) | 2010-09-27 | 2015-04-28 | Apple Inc. | Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals |
US9236102B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-01-12 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, circuits, and methods for biasing signal lines |
US9672875B2 (en) | 2014-01-27 | 2017-06-06 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for providing a program voltage responsive to a voltage determination |
US10134475B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-20 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method and apparatus for inhibiting the programming of unselected bitlines in a flash memory system |
US9711228B1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of operating memory with erase de-bias |
AU2018239360C1 (en) * | 2017-03-21 | 2023-11-02 | Hayward Industries, Inc. | Systems and methods for sanitizing pool and spa water |
US10957410B1 (en) * | 2018-03-02 | 2021-03-23 | Crossbar, Inc. | Methods and apparatus for facilitated program and erase of two-terminal memory devices |
US11557345B2 (en) * | 2018-12-20 | 2023-01-17 | Micron Technology, Inc. | Dynamic memory programming voltage step for strenuous device conditions |
US11556416B2 (en) | 2021-05-05 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds |
US11847342B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-12-19 | Apple Inc. | Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11185488A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000057784A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000076878A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001084788A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002288988A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5440505A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Intel Corporation | Method and circuitry for storing discrete amounts of charge in a single memory element |
US6324103B2 (en) * | 1998-11-11 | 2001-11-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device, memory module, storage device and the method for repairing semiconductor integrated circuit device |
US6304487B1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-10-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Register driven means to control programming voltages |
KR100385226B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2003-05-27 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 디스터브를 방지할 수 있는 플래시 메모리 장치및 그것을 프로그램하는 방법 |
KR100463194B1 (ko) | 2001-02-16 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 낸드형 플래쉬 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US6480419B2 (en) * | 2001-02-22 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bit line setup and discharge circuit for programming non-volatile memory |
KR100453854B1 (ko) | 2001-09-07 | 2004-10-20 | 삼성전자주식회사 | 향상된 프로그램 방지 특성을 갖는 불휘발성 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
TWI292914B (ja) * | 2002-01-17 | 2008-01-21 | Macronix Int Co Ltd | |
JP3866627B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JP4086583B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-05-14 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置およびデータ書き込み制御方法 |
KR100521364B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 플레쉬 메모리 셀들의 프로그램 오판을 방지하고 균일한문턱 전압 산포를 가질 수 있는 플레쉬 메모리 장치 및 그프로그램 검증 방법 |
US6859397B2 (en) * | 2003-03-05 | 2005-02-22 | Sandisk Corporation | Source side self boosting technique for non-volatile memory |
ATE443330T1 (de) | 2003-07-30 | 2009-10-15 | Sandisk Il Ltd | Verfahren und system zur optimierung von zuverlässigkeit und leistungsfähigkeit von programmierdaten in nichtflüchtigen speicherbausteinen |
US7020017B2 (en) * | 2004-04-06 | 2006-03-28 | Sandisk Corporation | Variable programming of non-volatile memory |
US7177190B2 (en) * | 2004-11-26 | 2007-02-13 | Aplus Flash Technology, Inc. | Combination nonvolatile integrated memory system using a universal technology most suitable for high-density, high-flexibility and high-security sim-card, smart-card and e-passport applications |
US7269066B2 (en) * | 2005-05-11 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Programming memory devices |
-
2005
- 2005-05-11 US US11/126,790 patent/US7269066B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-08 CN CNA2006800160540A patent/CN101176163A/zh active Pending
- 2006-05-08 WO PCT/US2006/017636 patent/WO2006124352A2/en active Application Filing
- 2006-05-08 JP JP2008511217A patent/JP2008545213A/ja active Pending
- 2006-05-08 EP EP06759266A patent/EP1891643B1/en not_active Not-in-force
- 2006-05-08 KR KR1020077028807A patent/KR20080021649A/ko active Search and Examination
- 2006-05-08 KR KR1020107003695A patent/KR20100034048A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-05-10 TW TW095116517A patent/TWI311763B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-11 US US11/546,171 patent/US7345924B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-05 US US12/025,815 patent/US7505323B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-13 US US12/370,810 patent/US7688630B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-11 US US12/703,901 patent/US8174889B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-04 US US13/464,531 patent/US8520436B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11185488A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000057784A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2000076878A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001084788A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002288988A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010102755A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 3次元積層型不揮発性半導体メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200710857A (en) | 2007-03-16 |
EP1891643A2 (en) | 2008-02-27 |
US20120221779A1 (en) | 2012-08-30 |
WO2006124352A3 (en) | 2007-01-18 |
US8520436B2 (en) | 2013-08-27 |
US20080130373A1 (en) | 2008-06-05 |
KR20080021649A (ko) | 2008-03-07 |
EP1891643B1 (en) | 2012-06-20 |
CN101176163A (zh) | 2008-05-07 |
US20070047326A1 (en) | 2007-03-01 |
US7688630B2 (en) | 2010-03-30 |
US7269066B2 (en) | 2007-09-11 |
US20060256620A1 (en) | 2006-11-16 |
US8174889B2 (en) | 2012-05-08 |
US7505323B2 (en) | 2009-03-17 |
US20090154247A1 (en) | 2009-06-18 |
WO2006124352A2 (en) | 2006-11-23 |
KR20100034048A (ko) | 2010-03-31 |
US7345924B2 (en) | 2008-03-18 |
US20100142280A1 (en) | 2010-06-10 |
TWI311763B (en) | 2009-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7269066B2 (en) | Programming memory devices | |
US7405977B2 (en) | Flash memory device with improved read speed | |
JP4640660B2 (ja) | プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 | |
US20170162265A1 (en) | Programming a memory device in response to its program history | |
JP4828938B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 | |
US7200049B2 (en) | Methods for accelerated erase operations in non-volatile memory devices and related devices | |
US7733705B2 (en) | Reduction of punch-through disturb during programming of a memory device | |
KR20050008725A (ko) | 선 소거 단계를 이용하여 플래시 메모리를 소거하는 방법 | |
KR20160150501A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 | |
JP2004171747A (ja) | フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 | |
JP4672673B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の制御方法 | |
JP4613353B2 (ja) | 半導体装置およびプログラム方法 | |
US7376024B2 (en) | User configurable commands for flash memory | |
JP2010218623A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR100648249B1 (ko) | 소거 시간을 단축시킬 수 있는 불 휘발성 메모리 장치의소거 방법 | |
US20240120008A1 (en) | Nonvolatile memory device including selection transistors and operating method thereof | |
KR20240048176A (ko) | 선택 트랜지스터들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 그의 동작 방법 | |
JP2007164898A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101025 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110125 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110727 |