JP2008300607A - Chip resistor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、厚膜角形チップ抵抗器に係り、特に硫化ガスに対して耐性を高めた電極の構成に関する。 The present invention relates to a thick film rectangular chip resistor, and more particularly to a configuration of an electrode having improved resistance to sulfur gas.
厚膜角形チップ抵抗器においては、図3に示すように、セラミックス基板11の上下面にそれぞれ配置した一対の厚膜上面電極12,13と一対の厚膜下面電極14,15と、一対の厚膜上面電極12,13間にまたがって配置した厚膜抵抗体16と、抵抗体16を覆う保護膜17と、セラミックス基板11の端面に配置した厚膜上面電極12,13と厚膜下面電極14,15とを接続する端面電極18,19と、保護膜17に覆われていない厚膜上面電極12,13の部分と端面電極18,19と厚膜下面電極14,15とを覆うメッキ層20,21とを備えている。
In the thick film rectangular chip resistor, as shown in FIG. 3, a pair of thick film
厚膜上面電極12,13または厚膜下面電極14,15の材料として、一般にAg系材料またはAg−Pd系材料が用いられる。しかしながら、そのような厚膜チップ抵抗器を硫化ガスが含まれる雰囲気で使用した場合に、特に上面電極12,13のAg系材料が硫化銀を形成し、導通不良や断線が生じる場合があるという課題がある。そのような課題に対して、例えば以下の特許文献1,2,3により対応案が提案されている。
特許文献1では、第1上面電極層2の一部に重なるように、厚膜Agペーストを用いて形成した第2上面電極層5を設けることが提案されている(要約参照)。第2上面電極層5は、保護層6の上面の一部に重なるように形成されているので、第1上面電極層2は硫化ガスに浸食されることなく、断線を起こしにくくなることが記載されている。
In
特許文献2では、アルミナ基板1上の銀系厚膜による第一上面電極層3と、第一上面電極層3を完全に覆う貴金属系薄膜による第二上面電極層4、第二上面電極層4の一部に重なるルテニウム系の抵抗層2を設けることが提案されている。ここで、貴金属系薄膜は、金−レジネートを用いており(0010欄)、これにより第1上面電極層3の硫化が妨げられることが記載されている。
In Patent Document 2, a first upper surface electrode layer 3 made of a silver-based thick film on an
特許文献3では、保護層40とメッキ層26の接する部分の下層であって、上面電極層22の上面に、上面電極保護層23が形成され、この上面電極保護層23は、耐硫化特性に優れた材質、例えば、パラジウムが5.0%以上含有した銀系厚膜により形成されていることが提案されている。これにより、上面電極層22に、耐硫化特性のない材質を使用しても、上面電極層22が硫化されることがないので、断線等チップ抵抗器の故障を引き起こす危険性をなくすことができることが記載されている(0007欄)。
In Patent Document 3, an upper surface electrode
しかしながら、上記特許文献に記載の方法では、いずれもAg系の電極を硫化から保護する電極保護層(特許文献1では第2上面電極層5、特許文献2では第2上面電極層4、特許文献3では上面電極保護層23)を形成するものである。従って、上面電極の層数が増えるため、製造工程が増えてしまい、製造コストが上昇するという課題がある。
However, in each of the methods described in the above patent documents, an electrode protective layer that protects the Ag-based electrode from sulfidation (the second upper electrode layer 5 in
本発明は上述した事情に基づいてなされたもので、製造工程を増加させることなく、硫化ガスに対して高い耐性を有するチップ抵抗器を提供することを目的とする。 The present invention has been made based on the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a chip resistor having high resistance to sulfurized gas without increasing the number of manufacturing steps.
本発明のチップ抵抗器は、セラミックス基板の上下面にそれぞれ配置した一対の厚膜上面電極と、一対の厚膜下面電極と、前記一対の厚膜上面電極間にまたがって配置した厚膜抵抗体と、前記厚膜抵抗体を覆う保護膜と、前記セラミックス基板の端面に配置した前記厚膜上面電極と前記厚膜下面電極とを接続する端面電極と、前記保護膜に覆われていない前記厚膜上面電極の部分と前記端面電極と前記厚膜下面電極とを覆うメッキ層とを備えたチップ抵抗器において、前記厚膜上面電極に含まれる金属材料が、Agを主成分とし、更にPdとAuを含むことを特徴とする。 The chip resistor of the present invention includes a pair of thick film upper surface electrodes disposed on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate, a pair of thick film lower surface electrodes, and a thick film resistor disposed across the pair of thick film upper surface electrodes. A protective film covering the thick film resistor, an end surface electrode connecting the thick film upper surface electrode and the thick film lower surface electrode disposed on the end surface of the ceramic substrate, and the thickness not covered by the protective film In a chip resistor comprising a film upper surface electrode portion, a plating layer covering the end surface electrode and the thick film lower surface electrode, the metal material contained in the thick film upper surface electrode is mainly composed of Ag, and further Pd It is characterized by containing Au.
本発明のチップ抵抗器によれば、厚膜上面電極に含まれる金属材料が、Agを主成分とし、更にPdとAuを含むことで、硫化ガスに対する耐性を高め、Ag系材料を主体とする厚膜上面電極の硫化の進行をきわめて良好に抑制することができる。すなわち、本発明の厚膜上面電極の構成によれば、硫化試験において硫化雰囲気に曝しても、厚膜上面電極に変色すら生ぜず、外観上の変化が認められない。従って、電極ペースト材料の組成を変更するのみで、工程を増加させることなく、硫化ガスに対して高い耐性を有するチップ抵抗器を提供することができる。 According to the chip resistor of the present invention, the metal material contained in the thick film upper surface electrode contains Ag as a main component and further contains Pd and Au, thereby improving the resistance to the sulfide gas and mainly using the Ag-based material. The progress of sulfidation of the thick film upper surface electrode can be suppressed very well. That is, according to the structure of the thick film upper surface electrode of the present invention, even if it is exposed to the sulfurizing atmosphere in the sulfidation test, the thick film upper surface electrode is not even discolored and no change in appearance is recognized. Therefore, it is possible to provide a chip resistor having high resistance to the sulfide gas without changing the number of steps only by changing the composition of the electrode paste material.
また、厚膜抵抗体の焼成に際して、通常のAg系またはAg−Pd系電極であると、厚膜抵抗体の部分にAg成分が拡散し、抵抗値変化の原因になるが、AuとPdを含むAg系電極であると、Agの厚膜抵抗体への拡散が抑制され、抵抗値変化を抑制できる。従って、電極ペースト材料の組成を変更するのみで、抵抗値の高い安定性を有するチップ抵抗器を提供することができる。 Further, when the thick film resistor is fired, if it is a normal Ag-based or Ag-Pd-based electrode, the Ag component diffuses into the thick film resistor and causes a change in the resistance value. When the Ag-based electrode is included, diffusion of Ag into the thick film resistor is suppressed, and a change in resistance value can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a chip resistor having a high resistance value and stability only by changing the composition of the electrode paste material.
以下、本発明の一実施形態について、添付図面を参照して説明する。図1は本発明のチップ抵抗器を示し、図2はその製造工程を示す。なお、各図中、同一または相当する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a chip resistor of the present invention, and FIG. 2 shows its manufacturing process. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated to the same or equivalent member or element.
本発明のチップ抵抗器は、厚膜上面電極22,23の金属材料がAgを主成分とし、更にPdとAuを含む点を除いて、従来技術のチップ抵抗器と異なるものではない。すなわち、図1に示すように、アルミナセラミックス基板11の上下面に配置した一対の厚膜上面電極22,23と一対の厚膜下面電極14,15と、一対の上面電極22,23間にまたがって配置した酸化ルテニウム系厚膜抵抗体16とを備えている。ここで、厚膜上面電極22,23に含まれる金属材料が、Agを主成分とし、Pdが15〜25wt%、Auが1〜20wt%含まれることが好ましい。このように、抵抗体16と直接接続される上面電極22,23にのみ、金属材料が、Agを主成分とし、更にPdとAuを含む電極材料を用い、厚膜下面電極14,15には、従来どおりAuを含まないAg系またはAg−Pd系の電極材料が用いられる。
The chip resistor of the present invention is not different from the chip resistor of the prior art except that the metal material of the thick film
さらに、このチップ抵抗器では、厚膜抵抗体16を覆う保護膜17と、アルミナセラミックス基板11の端面に配置した厚膜上面電極22,23と厚膜下面電極14,15とを接続する端面電極18,19とを備える。また、保護膜17に覆われていない厚膜上面電極22,23の部分と、端面電極18,19と、厚膜下面電極14,15とを被覆するメッキ層20,21とを備える。保護膜17は、ガラス系絶縁材料の第1保護コート17aと、エポキシ樹脂系絶縁材料の第2保護コート17bとの二層から構成される。端面電極18,19は、スパッタリングにより形成したNiの薄膜から構成される。メッキ層20,21は、Ni等の下地メッキ層とSn等のメッキ層とから構成される。
Further, in this chip resistor, the
従って、図示するように、保護膜17とメッキ層20の境界部分Aが厚膜上面電極22上に位置し、保護膜17とメッキ層21の境界部分Bが上面電極23上に位置する。これにより、保護膜17とメッキ層20,21の境界部分A,Bから硫化ガスが浸入するが、その浸入部分に本発明の厚膜上面電極を用いることで、効果的に硫化の進行を抑制することができる。
Therefore, as shown in the drawing, the boundary portion A between the
次に、厚膜上面電極22,23に含まれる金属材料が、Agを主成分とし、Pdが15〜25wt%、Auが1〜20wt%含まれることが硫化ガスに対する耐性向上の点で好ましい根拠について説明する。これは以下に述べる実験結果に基づくものである。
Next, it is preferable that the metal material contained in the thick film
まず、上面電極材料として、有機成分17〜20wt%とガラス成分2〜3wt%と残部下表の金属成分からなる電極材料ペーストを準備する。この電極材料ペーストを試料1〜11のセラミックス基板上に印刷焼成し、硫黄が含まれる液体中で約100℃に加熱し、3000時間浸漬してその変化を観察した。なお、有機成分は焼成時にほとんど消失するので、電極材料における金属成分の配合割合は、下表のとおりとなり、外観の観察結果も下表のとおりである。
First, an electrode material paste comprising an organic component of 17 to 20 wt%, a glass component of 2 to 3 wt%, and the balance of the metal components shown below is prepared as the upper electrode material. This electrode material paste was printed and fired on the ceramic substrates of
試料1はAg100wt%であり、試料2はAg95wt%とPd5wt%であり、試料3はAg90wt%とPd10wt%であり、試料4はAg85wt%とPd15wt%であり、試料5はAg80wt%とPd20wt%である。試料1のAg100wt%のものは、硫化試験でかなり黒く変色し、Pdの比率が上昇するに従い、変色の程度は薄くなるが、AgにPdを20wt%配合したものでも、変色が生じている。
これに対して、試料6〜11は、Pdのwt%を20%に固定し、試料6はAu5wt%とAg75wt%であり、試料7はAu10wt%とAg70wt%であり、試料8はAu15wt%とAg65wt%であり、試料9はAu20wt%とAg60wt%であり、試料10はAu25wt%とAg55wt%であり、試料11はAu30wt%とAg50wt%である。Auを5wt%含む試料6では、同じPd20wt%の試料5と比較して、変色が著しく低減した。すなわち、Auを配合することで、変色を抑制できることが判明した。Auを5wt%よりも少なくした試料は示していないが、Auを配合していれば変色の抑制効果があるため、Auは1wt%以上含まれていればよい。
In contrast, Samples 6 to 11 have Pd wt% fixed at 20%, Sample 6 is Au 5 wt% and Ag 75 wt%, Sample 7 is Au 10 wt% and Ag 70 wt%, and Sample 8 is
また、Auを20wt%以上配合しても、変色に大きな改善が見られないため、主に材料コストの観点から、Auは20wt%以下とすることが好ましい。また、上記の硫化試験の結果から、Pdの配合量は15〜25wt%が好ましく、係る観点から、電極ペーストの金属材料が、Agを主成分とし、Pdが15〜25wt%、Auが1〜20wt%含まれることが硫化ガスに対する耐性向上の点で好ましい。更に、材料コストの観点等から、十分な変色抑制効果が得られる範囲として、より好ましいAuの配合範囲は3〜10wt%である。 Moreover, even if Au is added in an amount of 20 wt% or more, no significant improvement is observed in discoloration. Therefore, from the viewpoint of material cost, Au is preferably 20 wt% or less. Further, from the results of the above sulfidation test, the blending amount of Pd is preferably 15 to 25 wt%. From this viewpoint, the metal material of the electrode paste is mainly composed of Ag, Pd is 15 to 25 wt%, Au is 1 to 1 The content of 20 wt% is preferable from the viewpoint of improving the resistance to sulfurized gas. Furthermore, from the viewpoint of material cost and the like, a more preferable Au blending range is 3 to 10 wt% as a range in which a sufficient discoloration suppressing effect is obtained.
次に、図2を参照して、本発明のチップ抵抗器の製造工程について説明する。
まず、(a)に示すように、アルミナセラミックス基板11を準備する。図示の例はチップ抵抗器1個分を示すが、実際には多数個取りのセラミックス基板が用いられる。次に、(b)に示すように、厚膜上面電極22,23および厚膜下面電極14,15を形成する。厚膜上面電極22,23は、有機成分とガラス成分とAgを主成分とし、Pdが15〜25wt%、Auが1〜20wt%含まれ、残部がAgである金属成分からなる電極材料ペーストを準備し、スクリーン印刷により電極パターンを形成し、焼成することで形成する。これに対して、下面電極14,15は実装側の電極であり、硫化ガスが存在してもその影響を受けないので、従来どおりAuを含まないAg系の電極材料ペーストを準備し、スクリーン印刷により電極パターンを形成し、焼成することで形成する。
Next, the manufacturing process of the chip resistor of the present invention will be described with reference to FIG.
First, as shown in (a), an
次に、(c)に示すように、酸化ルテニウム系ペーストをスクリーン印刷し、焼成することで、厚膜上面電極22,23にまたがる厚膜抵抗体16を形成する。焼成に際して、従来どおりのAg系またはAg−Pd系電極であると、厚膜抵抗体16の部分にAg成分が拡散し、抵抗値変化の原因になるが、AuとPdを含むAg系電極であるとAgの抵抗体への拡散が抑制され、抵抗値変化を抑制できる。
Next, as shown in (c), the
次に、(d)に示すように、抵抗体16を覆うガラス材料からなる第1保護コート17aを形成し、必要に応じて抵抗体16のレーザトリミングにより抵抗値を調整する。さらに、(e)に示すように、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる第2保護コート17bを形成する。これにより、第1保護コート17aと第2保護コート17bとからなる保護膜17が形成される。
Next, as shown in (d), a first
次に、多数個取り基板を各チップ抵抗器に対応した個片に分割し、(f)に示すように、端面電極18,19を上面電極22,23と下面電極14,15とに接続するように形成する。端面電極18,19は、Ni系薄膜をスパッタリングにより形成したものである。さらに、(g)に示すように、保護膜17に覆われていない上面電極22,23の部分と端面電極18,19と下面電極14,15とを被覆するメッキ層20,21を設ける。これにより、本発明のチップ抵抗器が完成する。
Next, the multi-chip substrate is divided into pieces corresponding to the chip resistors, and the
この本発明のチップ抵抗器の製造工程は、従来はAg系またはAg−Pd系の電極材料ペーストを用いていたのに対し、Pdが15〜25wt%、Auが1〜20wt%含まれ、残部がAgである金属成分からなる電極材料ペーストを用いる点が相違するのみで、その他の点では変わるものではない。従って、電極ペーストの組成の変更のみで、工程数を増加させることなく、硫化ガスに対して上面電極に変色すら生じない耐性の高いチップ抵抗器を製造することが可能となる。 In the manufacturing process of the chip resistor of the present invention, an Ag-based or Ag-Pd-based electrode material paste is conventionally used, whereas Pd is contained in an amount of 15 to 25 wt%, Au is contained in an amount of 1 to 20 wt%, and the balance The only difference is that an electrode material paste made of a metal component of which is Ag is used, and the other points are not changed. Therefore, it is possible to manufacture a highly resistant chip resistor that does not even cause discoloration of the upper surface electrode with respect to the sulfurized gas without changing the number of steps only by changing the composition of the electrode paste.
なお、硫化試験のデータは、試料1〜11のものについてであるが、本発明者等はその他にも多数の試験を行っており、これらの経験から本発明が導き出されたことを付言する次第である。
In addition, although the data of the sulfidation test are those of
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。 Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.
11 アルミナセラミックス基板
12,13,22,23 上面電極
14,15 下面電極
16 厚膜抵抗体
17 保護膜
18,19 端面電極
20,21 メッキ層
11 Alumina
Claims (4)
前記一対の厚膜上面電極間にまたがって配置した厚膜抵抗体と、
前記厚膜抵抗体を覆う保護膜と、
前記セラミックス基板の端面に配置した前記厚膜上面電極と前記厚膜下面電極とを接続する端面電極と、
前記保護膜に覆われていない前記厚膜上面電極の部分と前記端面電極と前記厚膜下面電極とを覆うメッキ層とを備えたチップ抵抗器において、
前記厚膜上面電極に含まれる金属材料が、Agを主成分とし、更にPdとAuを含むことを特徴とするチップ抵抗器。 A pair of thick film upper surface electrodes respectively disposed on the upper and lower surfaces of the ceramic substrate; a pair of thick film lower surface electrodes;
A thick film resistor disposed between the pair of thick film upper surface electrodes;
A protective film covering the thick film resistor;
An end face electrode connecting the thick film upper surface electrode and the thick film lower face electrode disposed on the end face of the ceramic substrate;
In a chip resistor comprising a portion of the thick film upper surface electrode not covered with the protective film, a plating layer covering the end surface electrode and the thick film lower surface electrode,
The chip resistor, wherein the metal material contained in the thick film upper surface electrode contains Ag as a main component and further contains Pd and Au.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026574A (en) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Yazaki Corp | Method for manufacturing conductive segment and conductive segment |
US9157783B2 (en) | 2011-07-25 | 2015-10-13 | Yazaki Corporation | Method for producing conductive segment |
WO2016047259A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Koa株式会社 | Chip resistor and method for producing same |
US10224132B2 (en) | 2014-03-19 | 2019-03-05 | Koa Corporation | Chip resistor and method for manufacturing same |
JP2020047929A (en) * | 2019-11-27 | 2020-03-26 | 株式会社村田製作所 | Wound coil component and manufacturing method thereof |
US10998117B2 (en) | 2016-12-01 | 2021-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil component and method for producing wire-wound coil component |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6453599B2 (en) * | 2014-09-26 | 2019-01-16 | Koa株式会社 | Manufacturing method of chip resistor |
JP6453598B2 (en) * | 2014-09-25 | 2019-01-16 | Koa株式会社 | Chip resistor |
KR102391738B1 (en) * | 2015-04-24 | 2022-04-28 | 가마야 덴끼 가부시끼가이샤 | Rectangular chip resistor and its manufacturing method |
JP6499007B2 (en) * | 2015-05-11 | 2019-04-10 | Koa株式会社 | Chip resistor |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51145855A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Tanaka Precious Metal Ind | Relatively small electric current contact material |
JPS6152331A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-15 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Corrosion resistant silver alloy |
JPH07169601A (en) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Square-shaped chip resistor and its manufacture |
JP2001155957A (en) * | 1999-04-30 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic component |
JP2003178622A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Nec Tokin Corp | Electrode paste composition |
WO2006003755A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing.Co., Ltd. | Electroconductive paste and ceramic electronic parts using the same |
JP2007027501A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | Chip resistor |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3845030B2 (en) * | 2002-02-25 | 2006-11-15 | コーア株式会社 | Manufacturing method of chip resistor |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51145855A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Tanaka Precious Metal Ind | Relatively small electric current contact material |
JPS6152331A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-15 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Corrosion resistant silver alloy |
JPH07169601A (en) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Square-shaped chip resistor and its manufacture |
JP2001155957A (en) * | 1999-04-30 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic component |
JP2003178622A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Nec Tokin Corp | Electrode paste composition |
WO2006003755A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing.Co., Ltd. | Electroconductive paste and ceramic electronic parts using the same |
JP2007027501A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | Chip resistor |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026574A (en) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Yazaki Corp | Method for manufacturing conductive segment and conductive segment |
US9157783B2 (en) | 2011-07-25 | 2015-10-13 | Yazaki Corporation | Method for producing conductive segment |
US10224132B2 (en) | 2014-03-19 | 2019-03-05 | Koa Corporation | Chip resistor and method for manufacturing same |
WO2016047259A1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | Koa株式会社 | Chip resistor and method for producing same |
US10109398B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-10-23 | Koa Corporation | Chip resistor and method for producing same |
US10998117B2 (en) | 2016-12-01 | 2021-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wire-wound coil component and method for producing wire-wound coil component |
JP2020047929A (en) * | 2019-11-27 | 2020-03-26 | 株式会社村田製作所 | Wound coil component and manufacturing method thereof |
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