JP2008272609A - 処理システム及び被処理物体の処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をONにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。
【選択図】 図7
Description
1対の金属製管体と、
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた内側電極と外側電極と、
ここで、前記管体は、前記内側電極と共に内側電極を構成し固体電解質体を構成するセラミック材料の熱膨張係数とほぼ同じ金属材料で作られて固体電解質体と密封固着されており、
を備える酸素分子排出装置と、
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と、
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加する印加手段と、
ここで、前記酸素分子排出時に電圧印加をONにし、前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と;を備える。
1対の金属製管体と;
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた金又は白金製の内側電極と外側電極と、
前記管体は、ジルコニア製固体電解質体の熱膨張係数とほぼ同じコバール材料で作られて固体電解質体と銀ロウ付けで固着されており、かつ、該管体は、前記白金製内側電極と共に内側電極を構成し、
を備える酸素分子排出装置と;
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加する印加手段と、
前記酸素分子の排出時に電圧印加をONにし;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部に設けられた被処理物体から水分が脱水除去されてなる処理装置と;を備える。
1対の金属製管体と;
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた金又は白金製の内側電極と外側電極と、
前記管体は、ジルコニア製固体電解質体の熱膨張係数とほぼ同じコバール材料で作られて固体電解質体と銀ロウ付けで固着されており、かつ、該銀ロウ付け固着部分と該管体は、金又は白金で電解メッキを施した電解メッキ層と、電解メッキ部分を酸又はアルカリで前処理した後に無電解の金又は白金メッキを施した無電解メッキ層を備え、
を備える酸素分子排出装置と;
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置とを備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入される処理装置と、ここで前記ガスは、被処理物体のエッチング用ガス、スパッタ用ガス又はキャリアガスのいずれか1である;
を備えることを特徴とする処理システム。
前記被処理物体は、ステンレス板、アルミニウム板、アルミナ板、ガラス板、石英板、シリコンウエハ、絶縁膜、金属膜又は半導体膜の堆積物のいずれか1である。
前記ガス中の酸素分圧は、10のマイナス21乗気圧以下、好ましくは10のマイナス29乗気圧以下10のマイナス35乗気圧以上である。
さらに、真空排気と、1PPB以下の水分量の極低水分ガスの導入によるパージが繰り替えされる。
更には、真空処理容器内に、0.1−1 Mpa 程度に加圧した極低水分ガスジェットを高速で吹き付けた場合には、吹き付け効果により、より短時間で水分が効率的に除去されることが分かった。
また、窒素ガスと真空排気の繰り返し動作、いわゆるサイクルパージを行わずに、窒素ガスを真空処理容器内に連続的に流し続けて使用した場合も、到達真空度が向上する同様の効果が得られることが分かった。この場合、大気圧以上になると真空処理容器から余剰の窒素ガスが漏れ出すが、この漏れ出したガスはそのまま排気放出してもよく、あるいは、溢れたガスを再び極低水分発生装置に戻し、水分量を再び低減させて再び容器に戻す様な一種の閉ループを構成した場合も同様な効果があることが分かった。
その結果、極低水分ガスによる水分除去を行なわないで、ただ単に真空排気を行なった場合に比べて、本ガスを導入した後の排気速度および到達真空度共に向上することが分かった。すなわち、効果的に脱水乾燥できることが分かった。
また、窒素ガスと真空排気の繰り返し動作、いわゆるサイクルパージを行わずに、窒素ガスを、乾燥装置内に連続的に流し続けて使用した場合も、到達真空度が向上する同様の効果が得られることが分かった。この場合、大気圧以上になると乾燥装置から余剰の窒素ガスが漏れ出すが、この漏れ出したガスはそのまま排気放出してもよく、あるいは、ガスを再び極低水分ガス発生装置に戻し、水分量を再び低減させて再び製造装置に戻す様な一種の閉ループを構成した場合も同様な効果があることが分かった。なお、本効果は、上記に記載した各種の板に限らず、あらゆる部材の脱水に効果があることは言うまでもない。
また、本極低水分ガスは、液晶や有機EL素子等の表示電子デバイスの作成にも有効である。すなわち、液晶の封入工程、あるいは有機EL発光層の堆積中に、水分量1PPT以下および酸素分圧10−35乗気圧の極低水分窒素ガスを、流量100sccmから2SLMで流入させ、十分に水分を除去することにより、高信頼の表示電子デバイスの作製が可能となる。
12 真空処理容器
14 真空ポンプ
16 極低水分ガス生成装置
18 試料
20 酸素分子排出装置
22 ロードロック
24 プラズマ源
28 原料ガス
30 原料シリンダ
40 固体電解質
42 内側電極
44 外側電極
46 管体
48 ロウ付け部分
50 容器
52 ヒータ
Claims (11)
- 1対の金属製管体と、
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた内側電極と外側電極と、
ここで、前記管体は、前記内側電極と共に内側電極を構成し固体電解質体を構成するセラミック材料の熱膨張係数とほぼ同じ金属材料で作られて固体電解質体と密封固着されており、
を備える酸素分子排出装置と、
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と、
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加する印加手段と、
ここで、前記酸素分子排出時に電圧印加をONにし、前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と;
を備えることを特徴とする処理システム。 - 1対の金属製管体と;
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた金又は白金製の内側電極と外側電極と、
前記管体は、ジルコニア製固体電解質体の熱膨張係数とほぼ同じコバール材料で作られて固体電解質体と銀ロウ付けで固着されており、かつ、該管体は、前記白金製内側電極と共に内側電極を構成し、
を備える酸素分子排出装置と;
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加する印加手段と、
前記酸素分子の排出時に電圧印加をONにし;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部に設けられた被処理物体から水分が脱水除去されてなる処理装置と;
を備えることを特徴とする処理システム。 - 1対の金属製管体と;
前記各管体にそれぞれ接続され、前記管体からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体と、
該電解質体の内面に設けられた金又は白金製の内側電極と外側電極と、
前記管体は、ジルコニア製固体電解質体の熱膨張係数とほぼ同じコバール材料で作られて固体電解質体と銀ロウ付けで固着されており、かつ、該銀ロウ付け固着部分と該管体は、金又は白金で電解メッキを施した電解メッキ層と、電解メッキ部分を酸又はアルカリで前処理した後に無電解の金又は白金メッキを施した無電解メッキ層を備え、
を備える酸素分子排出装置と;
前記酸素分子排出装置を加熱する加熱装置と;
前記酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置とを備える前記ガス中の水分量を1PPB以下に生成する極低水分ガス生成装置と;
前記極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が1PPB以下の極低水分ガスが導入される処理装置と、ここで前記ガスは、被処理物体のエッチング用ガス、スパッタ用ガス又はキャリアガスのいずれか1である;
を備えることを特徴とする処理システム。 - 前記被処理物体は、ステンレス板、アルミニウム板、アルミナ板、ガラス板、石英板、シリコンウエハ、絶縁膜、金属膜又は半導体膜、プラスチック基板、有機膜、あるいは当該基板上の堆積物のいずれかを少なくとも含む、ことを特徴とする請求項2記載の処理システム。
- 前記ガス中の酸素分圧は、10のマイナス21乗気圧以下、好ましくは10のマイナス29乗気圧以下10のマイナス35乗気圧以上である、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理システム。
- さらに、真空排気と、1PPB以下の水分量の極低水分ガスの導入によるパージが繰り替えされる、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理システム。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の処理システムを使用して、ガス中の水分量を1PPB以下に制御した雰囲気中で被処理物体から水分を脱水除去する、ことを特徴とする被処理物体の処理方法。
- 請求項1又は2に記載の処理システムを使用して、ガス中の水分量を1PPB以下に制御した雰囲気中で被処理物体をエッチングする、ことを特徴とする被処理物体の処理方法。
- 請求項1又は2に記載の処理システムを使用して、ガス中の水分量を1PPB以下に制御した雰囲気中で基板上に薄膜を堆積する、ことを特徴とする被処理物体の処理方法。
- 請求項1又は2に記載の処理システムを使用して、ガス中の水分量を1PPB以下に制御した雰囲気中で被処理物体に熱処理を施す、ことを特徴とする被処理物体の処理方法。
- 請求項1又は2に記載の処理システムを使用して、水分量を1PPB以下に制御したガスを原料のキャリアガスに使用して被処理物体を処理する、ことを特徴とする被処理物体の処理方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015142898A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 溶媒分離方法及び装置 |
JPWO2016024586A1 (ja) * | 2014-08-13 | 2017-07-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 金属材料の処理装置 |
CN108680422A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-10-19 | 济南兰光机电技术有限公司 | 去除高纯度惰性气体中水分的净化装置、系统及方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0341850U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-22 | ||
JPH04361151A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-12-14 | General Electric Co <Ge> | 高温、高放射線の水性環境に用いる電極プローブ |
JPH0625822A (ja) * | 1991-05-03 | 1994-02-01 | Boc Group Inc:The | ステンレス鋼表面不動態化処理 |
JPH0686708A (ja) * | 1991-08-09 | 1994-03-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 中空装飾部品の製造方法 |
JP2002116281A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 白金照合電極 |
JP2005331339A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸素分圧制御装置及び酸素分圧制御用固体電解質の回復方法 |
JP2007008750A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Canon Machinery Inc | ガスポンプ |
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2007
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0341850U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-22 | ||
JPH04361151A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-12-14 | General Electric Co <Ge> | 高温、高放射線の水性環境に用いる電極プローブ |
JPH0625822A (ja) * | 1991-05-03 | 1994-02-01 | Boc Group Inc:The | ステンレス鋼表面不動態化処理 |
JPH0686708A (ja) * | 1991-08-09 | 1994-03-29 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 中空装飾部品の製造方法 |
JP2002116281A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 白金照合電極 |
JP2005331339A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸素分圧制御装置及び酸素分圧制御用固体電解質の回復方法 |
JP2007008750A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Canon Machinery Inc | ガスポンプ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015142898A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-08-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 溶媒分離方法及び装置 |
JPWO2016024586A1 (ja) * | 2014-08-13 | 2017-07-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 金属材料の処理装置 |
CN107148323A (zh) * | 2014-08-13 | 2017-09-08 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 金属材料的处理装置 |
EP3189915A4 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-07 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Processing device for metal material |
CN107148323B (zh) * | 2014-08-13 | 2020-05-29 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 金属材料的处理装置 |
JP2021073370A (ja) * | 2014-08-13 | 2021-05-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 金属材料の処理装置 |
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CN108680422A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-10-19 | 济南兰光机电技术有限公司 | 去除高纯度惰性气体中水分的净化装置、系统及方法 |
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