JP2008258625A - インターポーザおよびその製造方法ならびに電子回路パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに平行に配置される第1層および第2層である基板11、12と、基板11、12の互いに対向する面のそれぞれに導体で形成され、凹凸形状を有する電極13、14と、基板11、12の互いに対向する面のそれぞれに形成された電極13、14に挟まれる誘電体層15と、基板11の外側の面からその層を貫通して、基板12の対向する面に形成された電極14に電気的に接続する第1の導体部16と、基板12の外側の面からその部分を貫通して、基板11の対向する面に形成された電極13に電気的に接続する第2の導体部17と、を備える。
【選択図】図1
Description
を備えることを特徴とする。
を備えることを特徴とする。
本発明の実施の形態に係るキャパシタ10は、例えば図1に示すようにインターポーザ30内に形成される。インターポーザ30は、図2に模式的に示すように、電子回路パッケージ100において、半導体チップ50と回路基板40との間に配置される。インターポーザ30は、半導体チップ50の電源端子Tv、接地端子Tg、複数の信号端子Tsを、それぞれ、接続導体Iv、Ig、Isにより、回路基板40の電源ラインLv、接地ラインLg、複数の信号ラインLsに接続する。同時に、インターポーザ30は、半導体チップ50の電源端子Tvと接地端子Tgの間に電源ノイズ低減用のキャパシタC(キャパシタ10)を接続する装置である。
開口部79を通じて、端子16の上に無電解NiまたはAuを形成して、図4Rに示すように、金属層20v、20gを形成する。金属層20v、20gの厚さは、例えば5μm程度である。
インターポーザ30の上に、バンプ23v、23gの位置に合わせて半導体チップ50を結合して、電子回路パッケージ100を構成する。
図5は、本発明の実施の形態に係るキャパシタを備えるインターポーザの異なる構成例を示す断面図である。図5の例では、インターポーザ30の基板12の表面にインダクタ24が形成されている。図5に示すように、インターポーザの表面にインダクタや抵抗を形成してもよい。
図6は、本発明の実施の形態に係る異なる形態のキャパシタを備えるインターポーザの構成例を示す断面図である。実施の形態2では、基板11、12をガラスまたはセラミックで構成する。
11、12 基板
13 電極
14 電極
15 誘電体層
16、16g、16s、16v 端子
17、17g、17s、17v 端子
18、19 絶縁層
20、20g、20s、20v 金属層
21、21g、21s、21v 金属層
22、22g、22s、22v バンプ
23、23g、23s、23v バンプ
24 インダクタ
25 絶縁膜
25a 絶縁材
30 インターポーザ
40 回路基板
41g、41v 配線
42 金属層
43 バンプ
50 半導体チップ
71、72 凹部
73、74 凸部
75、76、77、78 開口部
100 電子回路パッケージ
Claims (20)
- 互いに平行に配置される第1層および第2層を有する基材と、
前記基材の第1層および第2層の互いに対向する面のそれぞれに導体で形成され、凹凸形状を有する電極と、
前記基材の第1層および第2層の互いに対向する面のそれぞれに形成された前記電極に挟まれる誘電体層と、
前記基材の第1層の外側の面からその層を貫通して、前記第2層の前記対向する面に形成された前記電極に電気的に接続する第1の導体部と、
前記基材の第2層の外側の面からその部分を貫通して、前記基材の第1層の対向する面に形成された前記電極に電気的に接続する第2の導体部と、
を備えることを特徴とするインターポーザ。 - 前記第1層および第2層を有する基材は、シリコン、ガラスまたはセラミックのうちいずれか1つを含む材質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザ。
- 前記基材と、前記基材の第1層および第2層のそのそれぞれに形成される前記第1の導体部および前記第2の導体部との間に、前記基材と前記第1および第2の導体部とを絶縁する絶縁層を備えることを特徴とする請求項1または2に記載のインターポーザ。
- 前記基材の第1層および第2層は、それぞれ前記誘電体層に接する側の面に、一方の前記基材の部分の表面の凸部が他方の前記基材の部分の凹部に嵌合するように、凹凸が形成されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のインターポーザ。
- 前記基材の第1層および第2層は、単結晶シリコンで形成され、
前記凹凸は、異方性エッチングで形成されることを特徴とする請求項4に記載のインターポーザ。 - 前記誘電体層は、樹脂または誘電性フィラーを含む樹脂で形成されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のインターポーザ。
- 前記基材の外側の面に配置されたインダクタを備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のインターポーザ。
- 前記第1の導体部は、前記基材の第2層に接する前記基材の第1層の表面に形成される前記電極に接続されず、かつ、前記第2の導体部は、前記基材の第2層に接する前記基材の第2層の表面に形成される前記電極に接続されないこと、を特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のインターポーザ。
- 前記第1の導体部と前記第2の導体部のそれぞれに配置される複数の金属層であって、基材の外側にある前記複数の金属層と、前記金属層のそれぞれに配置される半田層からなるバンプと、を備えることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載のインターポーザ。
- 前記複数の金属層は、金またはニッケルを含むことを特徴とする請求項9に記載のインポーザ。
- 前記基材の第1の外側表面を覆い、かついくつかの前記金属層を部分的に覆うように絶縁層が配置されることを特徴とする請求項9または10に記載のインポーザ。
- 請求項1ないし11のいずれか1項に記載のインターポーザを2つ以上備え、該2つ以上の前記インターポーザのそれぞれの前記第1の導体部同士、または前記第2の導体部同士、または一方の前記第1の導体部と他方の前記第2の導体部と、が電気的に接続するように、積層して構成されることを特徴とするインターポーザ。
- 請求項1ないし12のいずれか1項に記載のインターポーザを含んで構成されることを特徴とする電子回路パッケージ。
- 平行に配置される2つの基材のそれぞれ対向する側の面に、一方の前記基材の表面の凸部が他方の前記基材の凹部に嵌合するように、凹凸を形成するトレンチ形成工程と、
前記2つの基材のそれぞれ対向する側の表面に導体層を形成する電極形成工程と、
前記2つの基材の間に誘電体層を挟んで圧着する圧着工程と、
を備えることを特徴とするインターポーザの製造方法。 - 前記トレンチ形成工程は、前記凹凸を異方性エッチングで形成することを特徴とする請求項14に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記基材の外側の面からその基材を貫通して、その基材の前記対向する面に形成された前記導体層に電気的に接続する第1の導体部を形成する第1の端子形成工程と、
前記2つの基材の一方の外側の面からその基材を貫通して、前記2つの基材の他方の対向する面に形成された前記導体層に電気的に接続する第2の導体部を形成する第2の端子形成工程と、
を備えることを特徴とする請求項14または15に記載のインターポーザの製造方法。 - 樹脂で形成された前記誘電体層に開口部を形成するためにレーザを使用する工程を備えることを特徴とする請求項14ないし16のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記基材と前記第1および第2の導体部との間に絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とする請求項14ないし17のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記圧着工程は、前記誘電体層の厚さが、第1の層と第2の層との隙間が過不足無く充填されるように選択し、かつ前記圧着工程は、真空状態の乾燥雰囲気で行われることを特徴とする請求項14ないし18のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記電極形成工程は、矩形断面を有する電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項14ないし19のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。
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