JP2008257819A - Heat assist magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ(HGA)及びこのHGAを備えたハードディスク装置に関する。 The present invention relates to a thermally assisted magnetic head for writing signals by a thermally assisted magnetic recording system, a head gimbal assembly (HGA) including the thermally assisted magnetic head, and a hard disk device including the HGA.
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗(MR)効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。 As the recording density of hard disk drives increases, further improvements in performance of thin film magnetic heads are required. As the thin film magnetic head, a composite thin film magnetic head having a structure in which a magnetic detection element such as a magnetoresistive (MR) effect element and a magnetic recording element such as an electromagnetic coil element are laminated is widely used. Data signals are read from and written to a magnetic disk that is a magnetic recording medium.
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、1つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。 Generally, a magnetic recording medium is a discontinuous body in which magnetic fine particles are aggregated, and each magnetic fine particle has a single magnetic domain structure. Here, one recording bit is composed of a plurality of magnetic fine particles. Therefore, in order to increase the recording density, the magnetic fine particles must be made smaller to reduce the irregularities at the boundaries of the recording bits. However, if the magnetic fine particles are made smaller, a decrease in the thermal stability of magnetization accompanying volume reduction becomes a problem.
磁化の熱安定性の目安は、KUV/kBTで与えられる。ここで、KUは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Vは1つの磁性微粒子の体積、kBはボルツマン定数、Tは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにVを小さくすることであり、そのままではKUV/kBTが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にKUを大きくすることが考えられるが、このKUの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。 A measure of the thermal stability of magnetization is given by K U V / k B T. Here, K U is the magnetic anisotropy energy, V the magnetic microparticle volume of one magnetic particle, k B the Boltzmann constant, T is the absolute temperature. Making the magnetic fine particles smaller means exactly reducing V, and if it is left as it is, K U V / k B T becomes smaller and thermal stability is impaired. As a countermeasure to this problem, it is conceivable to increase the K U simultaneously, increase in K U results in an increase in the coercive force of the recording medium. On the other hand, the write magnetic field strength by the magnetic head is almost determined by the saturation magnetic flux density of the soft magnetic material constituting the magnetic pole in the head. Therefore, if the coercive force exceeds an allowable value determined from the limit of the write magnetic field strength, writing becomes impossible.
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、KUの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅(記録幅)に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅(記録幅)とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。 As a method for solving such a magnetization of the thermal stability problems, while the use of large magnetic material K U, by applying heat to the recording medium immediately before the write magnetic field is applied, the write to reduce the coercive force A so-called heat-assisted magnetic recording system has been proposed. This method is roughly classified into a magnetic dominant recording method and an optical dominant recording method. In the magnetic dominant recording system, the main subject of writing is an electromagnetic coil element, and the radiation diameter of light is larger than the track width (recording width). On the other hand, in the optical dominant recording method, the main subject of writing is the light emitting portion, and the light emission diameter is substantially the same as the track width (recording width). In other words, the magnetic dominant recording system provides spatial resolution to the magnetic field, whereas the optical dominant recording system provides spatial resolution to the light.
このような熱アシスト磁気ヘッド記録装置として、特許文献1及び2及び非特許文献1には、媒体対向面に導電性の板状の近接場光発生部を配置し、これに対して媒体側とは反対の側から光を照射することにより近接場光を発生させる熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。近接場光発生部の一端には尖った先端部が形成されており、近接場光は主としてこの先端部から放射される。なお、特許文献1の図3では、近接場光発生部としての金属膜の隣に別の金属膜を配置している。
しかしながら、従来の熱アシスト磁気ヘッドにおいては、近接場光の発光強度が十分ではなく、更なる改善が期待されている。 However, in the conventional heat-assisted magnetic head, the emission intensity of near-field light is not sufficient, and further improvement is expected.
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高い発光強度が得られる近接場光発生素子、近接場光発生素子を用いることで十分に記録媒体の加熱を行うことが可能な熱アシスト磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリ、及び加熱効率を上げることで高密度の書き込みを可能とするハードディスク装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and a recording medium can be sufficiently heated by using a near-field light generating element that can obtain high emission intensity and a near-field light generating element. It is an object of the present invention to provide a heat-assisted magnetic head and a head gimbal assembly, and a hard disk device capable of high-density writing by increasing heating efficiency.
上述の課題を解決するため、本発明に係る近接場光発生素子は、光の入射に応答して近接場光を発生する近接場光発生素子において、先端部を有する金属体と、金属体の先端部の突出方向の延長線上に離隔して配置された第1誘電体と、先端部と第1誘電体との間に介在する第2誘電体とを備え、第1誘電体の屈折率は、第2誘電体の屈折率よりも大きいことを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, a near-field light generating element according to the present invention is a near-field light generating element that generates near-field light in response to light incidence. A first dielectric disposed separately on an extension line in the protruding direction of the tip, and a second dielectric interposed between the tip and the first dielectric, and the refractive index of the first dielectric is The refractive index of the second dielectric is larger than that of the second dielectric.
金属体に光が入射すると金属原子が入射光に応じて共鳴し、先端部から近接場光が発生する。金属体の突出方向に単に第1誘電体が位置すると、周囲が空気の場合よりも光強度が低下する場合があるが、先端部と第1誘電体との間に低屈折率の第2誘電体を介在させると光強度が通常よりも増加する現象が観察された。 When light enters the metal body, the metal atoms resonate according to the incident light, and near-field light is generated from the tip. If the first dielectric is simply positioned in the protruding direction of the metal body, the light intensity may be lower than when the surrounding is air, but the second dielectric having a low refractive index between the tip and the first dielectric. A phenomenon was observed in which the light intensity increased more than usual when the body was interposed.
特に、先端部と第1誘電体との間の最短距離が、1nm以上100nm以下に設定されることで、光強度の十分な増加を達成することができる。 In particular, when the shortest distance between the tip and the first dielectric is set to 1 nm or more and 100 nm or less, a sufficient increase in light intensity can be achieved.
また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、上記近接場光発生素子と、光が入力される光入射面と、金属体が形成された光出射面を有するコアと、コアの周囲に形成されたクラッドと、光の入射に応答して近接場光発生素子によって加熱される磁気記録領域に磁界を与える磁気記録素子とを備えることを特徴とする。 A heat-assisted magnetic head according to the present invention is formed around the core, the near-field light generating element, a light incident surface to which light is input, a core having a light emitting surface on which a metal body is formed, and the core. And a magnetic recording element that applies a magnetic field to the magnetic recording region heated by the near-field light generating element in response to the incidence of light.
コアの光入射面から入射した光は、光出射面に設けられた近接場光発生素子に照射される。上述の近接場光発生素子は、光の入射に応じて高強度の近接場光を発生するので十分に記録媒体の加熱を行うことできる。 The light incident from the light incident surface of the core is applied to the near-field light generating element provided on the light emitting surface. Since the above-mentioned near-field light generating element generates high-intensity near-field light in response to the incidence of light, the recording medium can be sufficiently heated.
また、本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドが取り付けられたサスペンションとを備えている。本ヘッドジンバルアセンブリにおいては、熱アシスト磁気ヘッドが、高強度の近接場光を発生するので、これをハードディスク装置に組み込んだ場合には、高密度の光を発生することができる。 A head gimbal assembly according to the present invention includes the above-described thermally-assisted magnetic head and a suspension to which the thermally-assisted magnetic head is attached. In the head gimbal assembly, the heat-assisted magnetic head generates high-intensity near-field light. When this is incorporated into a hard disk device, high-density light can be generated.
また、本発明に係るハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリと、近接場光発生素子に対向する磁気記録媒体とを備える。上述のハードディスク装置によれば、ヘッドジンバルアセンブリの熱アシスト磁気ヘッドによる加熱効率が上がるため、保持力の高い磁性微粒子を磁気記録媒体に用いることができ、したがって、高密度の書き込みをすることができる。 A hard disk device according to the present invention includes the above-described head gimbal assembly and a magnetic recording medium facing the near-field light generating element. According to the hard disk device described above, since the heating efficiency of the heat-assisted magnetic head of the head gimbal assembly is increased, magnetic fine particles having high holding power can be used for the magnetic recording medium, and therefore high-density writing can be performed. .
本発明の近接場光発生素子によれば、高い発光強度が得られ、したがって、この近接場光発生素子を搭載した熱アシストヘッド及びヘッドジンバルアセンブリによれば、十分に記録媒体の加熱を行うことでき、ハードディスク装置によれば、高密度の書き込みを行うことができる。 According to the near-field light generating element of the present invention, high emission intensity can be obtained. Therefore, according to the heat-assisted head and the head gimbal assembly equipped with this near-field light generating element, the recording medium can be sufficiently heated. In addition, according to the hard disk device, high-density writing can be performed.
以下、実施の形態に係る近接場光発生素子、熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置について説明する。同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 Hereinafter, the near-field light generating element, the thermally assisted magnetic head, the head gimbal assembly, and the hard disk device according to the embodiment will be described. The same reference numerals are used for the same elements, and redundant description is omitted.
図1は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。 FIG. 1 is a perspective view of a hard disk device according to an embodiment.
ハードディスク装置100は、スピンドルモータ11の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク10、熱アシスト磁気ヘッド21をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置12、この熱アシスト磁気ヘッド21の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するための記録再生及び発光制御回路(制御回路)13を備えている。
The
アセンブリキャリッジ装置12には、複数の駆動アーム14が設けられている。これらの駆動アーム14は、ボイスコイルモータ(VCM)15によってピボットベアリング軸16を中心にして揺動可能であり、この軸16に沿った方向に積層されている。各駆動アーム14の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ(HGA)17が取り付けられている。各HGA17には、熱アシスト磁気ヘッド21が、各磁気ディスク10の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク10の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド21の媒体対向面S(エアベアリング面とも呼ばれる)である。なお、磁気ディスク10、駆動アーム14、HGA17及び熱アシスト磁気ヘッド21は、単数であってもよい。
The
図2は、HGA17の斜視図である。同図は、HGA17の媒体対向面Sを上にして示してある。 FIG. 2 is a perspective view of the HGA 17. This figure shows the HGA 17 with the medium facing surface S facing up.
HGA17は、サスペンション20の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド21を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド21の端子電極に配線部材203の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション20は、ロードビーム200と、このロードビーム200上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ201と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部204と、ロードビーム200の基部に設けられたベースプレート202と、フレクシャ201上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材203とから主として構成されている。
The HGA 17 is configured by fixing the thermally assisted
なお、HGA17におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション20の途中にヘッド駆動用ICチップを装着してもよい。
It is obvious that the suspension structure in the
図3は、図1に示した熱アシスト磁気ヘッド21の近傍の拡大斜視図である。
FIG. 3 is an enlarged perspective view of the vicinity of the heat-assisted
サスペンション20の先端部に熱アシスト磁気ヘッド21が取り付けられている。熱アシスト磁気ヘッド21は、スライダー1と光源ユニット2とを貼りあわせてなる。スライダー1は、スライダー基板1AのYZ平面上に形成された磁気ヘッド部1Bを備えている。磁気ヘッド部1Bの−Z方向のXY平面は媒体対向面Sを成している。一方、光源ユニット2は、光源支持基板2AのYZ平面上に絶縁層2Bを備えており、絶縁層2BのYZ平面上に発光素子3が固定されている。
A heat-assisted
磁気ヘッド部1Bは、絶縁体内埋設された複数の素子を備えている。これらの素子は、電流の供給によって磁界を発生する螺旋状のコイル5と、コイル5において発生した磁束を媒体対向面Sまで導くようにコイル中心から延びた主磁極6と、媒体対向面S上に露出した磁気感応面を有する磁気抵抗効果素子(MR素子)7と、周囲の絶縁体をクラッドとしてZ軸方向に沿って延びる導波路のコア4である。
The
なお、主磁極6は媒体対向面S上に露出しているが、主磁極6は磁気ディスク10の表面にある記録領域Rに磁界を与えることができる位置であれば、媒体対向面S上に露出している必要はない。また、主磁極6の近傍には必要に応じて副磁極が設けられ、主磁極6からの磁力線が記録領域Rを介して副磁極に流れるようにしてもよい。
The main magnetic pole 6 is exposed on the medium facing surface S. However, the main magnetic pole 6 is on the medium facing surface S as long as it can apply a magnetic field to the recording region R on the surface of the
コア4は、発光素子3からの光が入射する光入射面4AをZ軸の正方向のXY平面上に有しており、負方向のXY平面、すなわち媒体対向面S上に光出射面4Bを備えている。発光素子3は、本例では端面発光型のレーザダイオードであり、XY平面に平行な端面から出射されたレーザ光は、光入射面4Aを介してコア4内に入り、光出射面4B上に形成された近接場光発生素子8に照射される。
The
近接場光発生素子8は、入射光に共鳴して近接場光を発生し、この近接場光によって記録領域Rが加熱される。加熱された記録領域Rに主磁極6からの磁力線が入ると、記録領域Rに情報が書き込まれる。
The near-field
磁気ヘッド部1BのX軸の負方向のYZ平面上には、複数の電極パッドからなる電極パッド群G1が形成されている。それぞれの電極パッドは、コイル5の両端、MR素子7の上下の電極に接続されている。MR素子7は、磁化の向きが固定された固定層と、周辺の磁界に応じて磁化の向きが偏向するフリー層を積層してなり、フリー層と固定層の磁化の向きの相違に応じて、磁気抵抗が変化する。すなわち、記録領域Rの周囲に発生する磁界に感応して、MR素子7の磁気抵抗が変化し、電極パッド群G1の中の一対の電極パッド間を流れる電流が変化する。なお、フリー層のY軸方向両端にはハードマグネットが配置されている。
An electrode pad group G1 including a plurality of electrode pads is formed on the YZ plane in the negative direction of the X axis of the
書き込み時には、電極パッド群G1の中の別の一対の電極パッド間に電流を流し、コイル5の両端間を電流が流れるようにする。なお、磁気記録素子は垂直磁気記録型のものが好ましい。電極パッド群G1内の電極パッドは、サスペンション20上に形成された第2の電極パッド群G2に電気的に接続され、配線部材203を介して外部に接続されている。なお、配線部材203に接続される第2の電極パッド群G2には、発光素子3に駆動電流を供給するための一対の電極パッドも含まれており、この電極パッド間に駆動電流を流すことで、発光素子3は発光する。
At the time of writing, a current is caused to flow between another pair of electrode pads in the electrode pad group G1, so that a current flows between both ends of the coil 5. The magnetic recording element is preferably a perpendicular magnetic recording type. The electrode pads in the electrode pad group G1 are electrically connected to the second electrode pad group G2 formed on the
なお、コア4の形状としては様々ものが挙げられるが、本例ではZ軸に沿って直線的に延びている。なお、説明の明確化のため、コア4は発光素子3からの光の光路と同一符号で示している。
There are various shapes of the
スライダー基板1A及び光源支持基板2Aは、例えばアルティック(Al2O3−TiC)から構成されている。これらの基板1A,2Aに熱伝導性が高い基板を使用した場合には、基板が放熱機能を有することになる。光源支持基板2AのZ軸の正方向側のXY面は、サスペンション20の裏面に貼り付けられている。
The
磁気ヘッド部1BはMR素子7、クラッド、コア4、コイル5及び主磁極6をX軸に沿って積層してなるが、この積層方向はトラック内の記録領域Rの配列方向に沿っており、トラック幅はY軸に平行である。
The
図4は、近接場光発生素子8の近傍の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of the vicinity of the near-field
近接場光発生素子8は、寸法が500nm以下の近接場光発生部(プラズモン・プローブ)としての金属体8Aと、金属体8Aに近接した誘電体8Bを備えている。金属体8Aの媒体対向面S側の表面は露出している。
The near-field
発光素子3からの光が金属体8Aに照射されることで近接場光が発生する。金属体8Aに光を照射すると、金属体8Aを構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。この近接場光の拡がりQは、金属体8Aの先端部8ATの半径程度となるため、この先端部8ATの半径rをトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光が回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。なお、説明の便宜上、各要素の寸法は実際のものとは異なって記載されている。
Near-field light is generated by irradiating the
また、金属体8Aは、主磁極6に近い方に位置する先端部8ATと、主磁極6から遠い方に位置する基端部分8ABとからなり、近接場光は金属体8Aの先端部8ATに集中して発生する。これらの位置は逆であってもよい。
Further, the
先端部8ATと第1誘電体8Bとの間には、第2誘電体8Cが介在している。金属体8Aが媒体対向面を除いて完全にコア4内に埋め込まれている場合には、第2誘電体8Cはコア4内に埋め込まれている。第1誘電体8Bの屈折率n1は、第2誘電体8Cの屈折率n2よりも高い。金属体8Aの側面が若干露出している場合には、第2誘電体8Cは磁気ヘッド部周囲の気体となる。この気体としては、空気が挙げられるが、窒素や希ガスなどが含まれている場合もある。
A
以上のように、上述の近接場光発生素子8は、光の入射に応答して近接場光を発生する近接場光発生素子において、先端部8ATを有する金属体8Aと、金属体8Aの先端部8ATの突出方向(X軸負方向)の延長線上に離隔して配置された第1誘電体8Bと、先端部8ATと第1誘電体8Bとの間に介在する第2誘電体8Cとを備え、第1誘電体8Bの屈折率n1は、第2誘電体8Cの屈折率n2よりも大きい。
As described above, the near-field
金属体8Aに光が入射すると金属原子が入射光に応じて共鳴し、先端部8ATから近接場光が発生する。金属体8Aの突出方向に単に第1誘電体8Bが位置すると、周囲が空気(気体)の場合よりも光強度が低下する場合があるが、先端部8ATと第1誘電体8Bとの間に低屈折率の第2誘電体8Cを介在させると、光強度が通常よりも増加する現象が観察された。
When light enters the
なお、第1誘電体8BのX軸方向の寸法X1、先端部8ATと第1誘電体8Bとの間の離隔距離(第2誘電体8CのX軸方向厚み)X2、金属体8AのX軸方向の寸法X3、第1誘電体8BのY軸方向の寸法Y1、金属体8Aの寸法Y3、第1誘電体8Bの厚みZ1、金属体8Aの厚みZ3の好適範囲は以下の通りであり、この場合には十分な近接場光を発生することができる。
(好適な寸法の範囲)
X1:5nm以上300nm以下
X2:1nm以上100nm以下
X3:10nm以上300nm以下
Y1:10nm以上500nm以下
Y3:10nm以上500nm以下
Z1:10nm以上100nm以下
Z3:10nm以上100nm以下
Note that the dimension X1 in the X-axis direction of the
(Preferable dimension range)
X1: 5 to 300 nm X2: 1 to 100 nm X3: 10 to 300 nm Y1: 10 to 500 nm Y3: 10 to 500 nm Z1: 10 to 100 nm Z3: 10 to 100 nm
特に、先端部8ATと第1誘電体8Bとの間の最短距離X2が、1nm以上100nm以下に設定されることで、光強度の十分な増加を達成することができる。
In particular, when the shortest distance X2 between the tip 8AT and the
金属体8Aは均一な材料からなることとしてもよいが、異なる材料からなる複数の金属領域8A1,8A2から構成されることともよい。本例では、金属体8Aは、先端部8ATを含む第1金属領域8A1と、基端部8ABを含む第2金属領域8A2とから構成されていることとする。第1金属領域8A1の材料(a)及び第2金属領域8A2の材料(b)に採用できる材料の組み合わせ(a,b)は、以下の組み合わせ群から選択することができる。
The
材料の組み合わせ(a,b)=(Ag,Al)、(Au,Al)、(Au,Ru)、(Au,Pt)、(AuCu,Pt)、(AuCu,In)、(AuCu,Al)、(AuCu,Pd)、(Au,Pd)、(Au,In)、(Au,Rh)、(AuCu,Rh)、(Ag,In)、(Ag,Rh)、(Ag,Ru)、(Ag,Pt)、(Al,Rh)、(Al,Ru)、(Al,Pt)。 Combination of materials (a, b) = (Ag, Al), (Au, Al), (Au, Ru), (Au, Pt), (AuCu, Pt), (AuCu, In), (AuCu, Al) , (AuCu, Pd), (Au, Pd), (Au, In), (Au, Rh), (AuCu, Rh), (Ag, In), (Ag, Rh), (Ag, Ru), ( Ag, Pt), (Al, Rh), (Al, Ru), (Al, Pt).
また、第1誘電体8Bの材料としては以下のものを採用することができる。但し、括弧内は、材料の可視光に対する屈折率n1を示す。
・SiO2(n1=1.5)
・TiO2(n1=3.0)
・Ta2O5(n1=2.2)
・HfO(n1=1.96)
Moreover, the following can be employ | adopted as a material of the 1st
・ SiO 2 (n 1 = 1.5)
・ TiO 2 (n 1 = 3.0)
・ Ta 2 O 5 (n 1 = 2.2)
・ HfO (n 1 = 1.96)
第2誘電体8Cの材料としては、固体又は気体を採用することができる。
As the material of the
図5は、図4における先端部近傍のV−V矢印断面図であり、第2誘電体8Cが固体の場合を示す。本例の場合、離隔距離X2は、第2誘電体8Cの厚みに相当している。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the VV arrow in the vicinity of the tip in FIG. 4 and shows a case where the
この場合、第2誘電体8Cの材料としては、以下のものを採用することができる。但し、括弧内は、材料の可視光に対する屈折率n1を示す。
・空気(n2=1.0)
・SiO2(n2=1.5)
・Al2O3(n2=1.6)
・MgO(n2=1.72)
In this case, the following can be adopted as the material of the
・ Air (n 2 = 1.0)
・ SiO 2 (n 2 = 1.5)
・ Al 2 O 3 (n 2 = 1.6)
MgO (n 2 = 1.72)
図6は、第2誘電体8Cが気体の場合における図4の先端部近傍のV−V矢印断面図である。本例の場合、離隔距離X2は、金属体8Aと第1誘電体8Bとの間には気体が充填されたギャップを示している。
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the arrow VV in the vicinity of the tip of FIG. 4 when the
この場合、第2誘電体8Cの材料としては、一例として以下のものを採用することができる。但し、括弧内は、材料の可視光に対する屈折率n1を示す。
・ 空気(n2=1)
・ 二酸化炭素(n2=1.0005)
In this case, as a material of the
・ Air (n 2 = 1)
・ Carbon dioxide (n 2 = 1.0005)
なお、上述のように選択された材料は、n1>n2の関係を満たす。 Note that the material selected as described above satisfies the relationship of n 1 > n 2 .
図7は、金属体8Aへの入射光の波長と近接場光の光強度(a.u.)の関係示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the wavelength of light incident on the
入射光の波長700nmにおいて、最も高い光強度を示すデータは*C、最も低い光強度を示すデータは*B、中間の光強度を示すデータは*Aである。 At the incident light wavelength of 700 nm, the data indicating the highest light intensity is * C, the data indicating the lowest light intensity is * B, and the data indicating the intermediate light intensity is * A.
これらのデータの条件は以下の通りである。
(1)共通条件
・金属体8Aの形状(図4に示した三角形)
・各要素の寸法
X1:100nm
X2:3nm
X3:100nm
Y1:117nm
Y3:117nm
Z1:30nm
Z3:30nm
・金属体8Aの材料(a,b)=(Ag,Al)
・AgのX方向長50nm
・AlのX方向長50nm
・入射光の波長:400nm〜800nm
・第2誘電体8Cの屈折率n2=1.5
・第2誘電体8Cの材料=SiO2
(2)データごとの条件
・第1誘電体8Bの屈折率
*A:n1=1.5(第1誘電体なし)
・第1誘電体8Bの材料=第2誘電体8Cの材料
*B:n1=1.0
・第1誘電体8Bの材料=Air(材料なし)
*C:n1=2.1
・第1誘電体8Bの材料=Ta2O5
The conditions for these data are as follows.
(1) Common conditions / shape of
・ Dimension of each element X1: 100 nm
X2: 3 nm
X3: 100 nm
Y1: 117 nm
Y3: 117nm
Z1: 30 nm
Z3: 30 nm
・ Material of
-Ag length in the X direction is 50nm
・ Al length in the X direction is 50nm
-Wavelength of incident light: 400 nm to 800 nm
The refractive index n 2 of the
The material of the
(2) Conditions for each data: Refractive index of
The material of the
-Material of
* C: n 1 = 2.1
The material of the
以上のグラフから、n1>n2の条件を満たす場合(=*C)、波長700nmにおいて光強度4500(a.u.)以上が得られている。単純に、屈折率の低い第1誘電体8Bのみを配置した場合(=*B)、何も配置しない場合(=*A)よりも光強度が低下している。n1>n2の条件を満たす場合、入射光波長600nm〜800nmの範囲において、常に光強度が高くなっている。
From the above graph, when the condition of n 1 > n 2 is satisfied (= * C), a light intensity of 4500 (au) or more is obtained at a wavelength of 700 nm. Simply, when only the
グラフを詳細に検討すると、共鳴波長は700nm付近に存在し、プラズモンピーク付近で鏡映効果が観察される。この結果から、プラズモンが強く現れる波長領域で第1誘電体8Bの屈折率(∝誘電率)n1が周囲に存在する第2誘電体8Cの屈折率n2より低い場合には、第1誘電体8Bが存在しない場合よりも、光強度は低くなることが分かる。また、プラズモンが強く現れる波長領域で第1誘電体8Bの屈折率n1が周囲に存在する第2誘電体8Cの屈折率n2より高い場合には、第1誘電体8Bが存在しない場合よりも、光強度は高くなることが分かる。
When the graph is examined in detail, the resonance wavelength exists in the vicinity of 700 nm, and the reflection effect is observed in the vicinity of the plasmon peak. From this result, when the refractive index of the
図8〜図13は、共鳴ピーク波長における近接場光の入射光に対する波長変位(nm)と光強度の関係を示すグラフである。 8 to 13 are graphs showing the relationship between the light intensity and the wavelength displacement (nm) with respect to the incident light of the near-field light at the resonance peak wavelength.
入射光の波長から数十nmほどシフトした位置に近接場光の強度ピークが現れる。各図のグラフの条件及び結果は、以下の通りである。なお、記載しない条件は上記条件と同一である。
(図8のグラフ:n1=n2:X2=5nm)
・n1=1.5(第1誘電体なし:材料=第2誘電体と同一)
・n2=1.5(材料=SiO2 (不純物添加なし)
・結果:ピークの光強度=1.1×103(V/m)2
(図9のグラフ:n1>n2:X2=5nm)
・n1=2.2(材料=Ta2O5)
・n2=1.5(材料=SiO2 (不純物添加なし)
・結果:ピークの光強度=1.2×103(V/m)2
(図10のグラフ:n1<n2:X2=5nm)
・n1=1.0(材料=空気(材料なし))
・n2=1.5(材料=SiO2 (不純物添加なし)
・結果:ピークの光強度=1.0×103(V/m)2
(図11のグラフ:n1=n2:X2=5nm)
・n1=2.2(第1誘電体なし:材料=第2誘電体と同一)
・n2=2.2(材料=Ta2O5)
・結果:ピークの光強度=6.5×102(V/m)2
(図12のグラフ:n1>n2:X2=5nm)
・n1=3.0(材料=TiO2)
・n2=2.2(材料=Ta2O5)
・結果:ピークの光強度=8.0×102(V/m)2
(図13のグラフ:n1<n2:X2=5nm)
・n1=1.5(材料=SiO2 (不純物添加なし)
・n2=2.2(材料=Ta2O5)
・結果:ピークの光強度=5.5×102(V/m)2
An intensity peak of near-field light appears at a position shifted by several tens of nanometers from the wavelength of incident light. The conditions and results of the graphs in each figure are as follows. The conditions not described are the same as the above conditions.
(Graph of FIG. 8: n 1 = n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 1.5 (without first dielectric: material = same as second dielectric)
N 2 = 1.5 (Material = SiO 2 (no impurity added))
Result: peak light intensity = 1.1 × 10 3 (V / m) 2
(Graph of FIG. 9: n 1 > n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 2.2 (Material = Ta 2 O 5 )
N 2 = 1.5 (Material = SiO 2 (no impurity added))
Result: peak light intensity = 1.2 × 10 3 (V / m) 2
(Graph of FIG. 10: n 1 <n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 1.0 (material = air (no material))
N 2 = 1.5 (Material = SiO 2 (no impurity added))
Result: peak light intensity = 1.0 × 10 3 (V / m) 2
(Graph of FIG. 11: n 1 = n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 2.2 (without first dielectric: material = same as second dielectric)
N 2 = 2.2 (Material = Ta 2 O 5 )
Result: peak light intensity = 6.5 × 10 2 (V / m) 2
(Graph of FIG. 12: n 1 > n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 3.0 (material = TiO 2 )
N 2 = 2.2 (Material = Ta 2 O 5 )
Result: peak light intensity = 8.0 × 10 2 (V / m) 2
(Graph of FIG. 13: n 1 <n 2 : X2 = 5 nm)
N 1 = 1.5 (Material = SiO 2 (no impurities added)
N 2 = 2.2 (Material = Ta 2 O 5 )
Result: peak light intensity = 5.5 × 10 2 (V / m) 2
以上のように、いずれの場合においても、n1>n2の条件を満たす場合、高い光強度が得られている。 As described above, in any case, a high light intensity is obtained when the condition of n 1 > n 2 is satisfied.
次に、上述の近接場光発生素子8の製造方法について図14及び図15を用いて説明する。なお、図14の(a−1)、(b−1)、(c−1)、(d−1)、(e−1)、(f−1)は中間体のXY断面図であり、(a−2)、(b−2)、(c−2)、(d−2)、(e−2)、(f−2)は中間体の斜視図である。また、図15の(a−1)、(b−1)、(c−1)、(d−1)、(e−1)は中間体のXY断面図であり、(a−2)、(b−2)、(c−2)、(d−2)、(e−2)は中間体の斜視図である。各層の堆積にはスパッタ法を用いる。
Next, a method for manufacturing the above-mentioned near-field
まず、図14(a−1),(a−2)に示すように、下部クラッドとなる第1層(Al2O3)L1上に、第1のコアとなる第2層(TaOx)L2、金属体8Aとなる第3層(Au)L3及び第4層(AuCu)L4を順次堆積する。なお、金属体8Aの堆積にはメッキ法を用いてもよい。
First, as shown in FIGS. 14A-1 and 14A-2, a second layer (TaOx) L2 serving as a first core is formed on a first layer (Al 2 O 3 ) L1 serving as a lower cladding. Then, the third layer (Au) L3 and the fourth layer (AuCu) L4 to be the
次に、図14(b−1),(b−2)に示すように、露出した第4層L4の上面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によってパターニングすることで、Z軸に沿って延びたレジストパターンRPを形成する。レジストパターンRPは根元が幅方向に沿って抉られた形状を有しており、所謂アンダーカットが形成されている。 Next, as shown in FIGS. 14B-1 and 14B-2, a photoresist is applied to the exposed upper surface of the fourth layer L4, and is patterned by a photolithography technique along the Z-axis. An extended resist pattern RP is formed. The resist pattern RP has a shape in which the root is bent along the width direction, and a so-called undercut is formed.
次に、図14(c−1),(c−2)に示すように、レジストパターンRPをマスクとして、第4層L4の表面から第2層L2が露出するまでイオンミリングを行い、レジストパターンRP直下の金属層を残して周辺の層を除去する。アンダーカットのレジストパターンRP直下の金属層は、これを構成する第3層L3及び第4層L4が基板表面に対して斜めから衝突するイオンによってエッチングされるため、断面が略三角形状に変化する。 Next, as shown in FIGS. 14C-1 and 14C-2, ion milling is performed using the resist pattern RP as a mask until the second layer L2 is exposed from the surface of the fourth layer L4. The surrounding layers are removed leaving the metal layer directly under the RP. Since the third layer L3 and the fourth layer L4 constituting the metal layer immediately below the undercut resist pattern RP are etched by ions that obliquely collide with the substrate surface, the cross section changes to a substantially triangular shape. .
次に、図14(d−1),(d−2)に示すように、レジストパターンRPをマスクとして、第2層L2の表面上に第2のコアとなる第5層(TaOx)L5を堆積する。この堆積により、第3層L3及び第4層L4は、第5層L5内に埋設される。さらに、このレジストパターンRPを剥離する。 Next, as shown in FIGS. 14D-1 and 14D-2, using the resist pattern RP as a mask, a fifth layer (TaOx) L5 serving as a second core is formed on the surface of the second layer L2. accumulate. By this deposition, the third layer L3 and the fourth layer L4 are embedded in the fifth layer L5. Further, the resist pattern RP is peeled off.
次に、図14(e−1),(e−2)に示すように、基板表面上に新たなフォトレジストを塗布し、その媒体対向面側の領域が残留するレジストパターンRPを形成する。このレジストパターンRPをマスクとして、媒体対向面とは反対側の領域を第2層L2の表面が露出するまでイオンミリングして、媒体対向面とは反対側の第5層L5及び金属層を除去する。 Next, as shown in FIGS. 14E-1 and 14E-2, a new photoresist is applied on the substrate surface to form a resist pattern RP in which the region on the medium facing surface side remains. Using this resist pattern RP as a mask, ion milling is performed on a region opposite to the medium facing surface until the surface of the second layer L2 is exposed, and the fifth layer L5 and metal layer opposite to the medium facing surface are removed. To do.
次に、図14(f−1),(f−2)に示すように、前工程のレジストパターンRPをマスクとして、第5層L5の除去によって露出した第2層L2の表面上に、第3のコアとなる第6層(TaOx)L6を堆積する。 Next, as shown in FIGS. 14 (f-1) and 14 (f-2), on the surface of the second layer L2 exposed by removing the fifth layer L5, the resist pattern RP of the previous step is used as a mask. A sixth layer (TaOx) L6 to be the core of 3 is deposited.
次に、図15(a−1),(a−2)に示すように、新たに形成された第6層L6上にのみ図示しないレジストパターンを形成し、これをマスクとして、媒体対向面側の領域に位置する第5層L5及び第4層L4上に第2誘電体層8Cとなる第7層L7及び第1誘電体層8Bとなる第8層L8を順次堆積する。
Next, as shown in FIGS. 15A-1 and 15A-2, a resist pattern (not shown) is formed only on the newly formed sixth layer L6, and this is used as a mask to face the medium facing surface side. A seventh layer L7 to be the
次に、図15(b−1),(b−2)に示すように、第4のコアとなる第9層(TaOx)L9を基板の露出表面上に堆積する。 Next, as shown in FIGS. 15B-1 and 15B-2, a ninth layer (TaOx) L9 serving as a fourth core is deposited on the exposed surface of the substrate.
次に、図15(c−1),(c−2)に示すように、金属層に沿ってZ軸に延びる図示しないレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、基板の表面から第1層L1の表面が露出するまでエッチングを行い、マスク周辺領域に存在する第9層L9、第8層L8、第7層L7、第6層L6、第5層L5、第2層L2を除去する。このエッチングにはRIE(反応性イオンエッチング)を用いる。RIE時のエッチングガスはCl2+BCl3である。 Next, as shown in FIGS. 15C-1 and 15C-2, a resist pattern (not shown) extending in the Z-axis along the metal layer is formed, and the resist pattern is used as a mask from the surface of the substrate. Etching is performed until the surface of the first layer L1 is exposed, and the ninth layer L9, the eighth layer L8, the seventh layer L7, the sixth layer L6, the fifth layer L5, and the second layer L2 existing in the mask peripheral region are removed. To do. For this etching, RIE (reactive ion etching) is used. The etching gas at the time of RIE is Cl 2 + BCl 3 .
次に、図15(d−1),(d−2)に示すように、上部クラッドとなる第10層(Al2O3)L10を露出した第1層L1の表面及び第9層L9の表面上に堆積する。 Next, as shown in FIGS. 15D-1 and 15D-2, the surface of the first layer L1 exposing the tenth layer (Al 2 O 3 ) L10 serving as the upper cladding and the ninth layer L9. Deposit on the surface.
次に、図15(e−1),(e−2)に示すように、金属層を構成する第3層L3及び第4層L4が所望のZ軸方向厚さになるまで、媒体対向面側から基板をラッピングして研磨する。これにより、近接場光発生素子を形成することができる。なお、図6のように金属体8Aと第1誘電体8Bの間の固体誘電体を除去する場合には、媒体対向面側から固体誘電体に対して選択的にドライエッチングが行われるようにイオンミリングを行うか、媒体対向面を化学機械研磨する際の研磨剤を適当に選択することによって、選択的に固体誘電体を除去すればよい。すなわち、固体誘電体の硬度は、周辺の金属体8A及び第1誘電体8Bよりも低く設定されている。
Next, as shown in FIGS. 15E-1 and 15E-2, the medium facing surface until the third layer L3 and the fourth layer L4 constituting the metal layer have a desired thickness in the Z-axis direction. The substrate is lapped and polished from the side. Thereby, a near-field light generating element can be formed. When the solid dielectric between the
図16は、金属体8Aの平面形状(XY平面形状)の変形例を示す平面図である。なお、図面上側の頂点が先端部8ATを示している。
FIG. 16 is a plan view showing a modification of the planar shape (XY planar shape) of the
図16(1−1)の金属体8Aは三角形状であり、単一の材料からなる。
The
図16(2−1)の金属体8Aは三角形の底辺を外側に膨らむ曲線8Rに変更した扇形状であり、単一の材料からなる。
The
図16(3−1)の金属体8Aは三角形の底辺側の領域を長方形SQに変更した形状であり、単一の材料からなる。
The
図16(4−1)の金属体8Aは長方形SQの一辺に連続する半円形SSの領域を備えた形状であり、単一の材料からなる。長方形SQから最も遠い位置が先端部8ATとなる。
The
図16(1−2)は、図16(1−1)の金属体8Aの三角形の底辺と斜辺の成す角部Cを丸く加工したものである。
FIG. 16 (1-2) is obtained by rounding the corner C formed by the base and the hypotenuse of the triangle of the
図16(2−2)は、図16(2−1)の金属体8Aの底部曲線と斜辺の成す角部Cを丸く加工したものである。
FIG. 16 (2-2) is obtained by rounding the corner C formed by the bottom curve and the hypotenuse of the
図16(3−2)は、図16(3−1)の長方形領域SQの角部Cを丸く加工したものである。 FIG. 16 (3-2) is obtained by rounding the corner C of the rectangular region SQ of FIG. 16 (3-1).
図16(4−2)は、図16(3−1)の長方形領域SQの角部Cを丸く加工したものである。 FIG. 16 (4-2) shows a rounded corner C of the rectangular region SQ in FIG. 16 (3-1).
図16(1−3)の金属体8Aは、図16(1−1)の金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、上述のように先端部8AT側の第1金属領域8A1と基端部側の第2金属領域8A2からなる。
The
図16(2−3)の金属体8Aは、図16(2−1)の金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、先端部8AT側の第1金属領域8A1と基端部側の第2金属領域8A2からなる。
図16(3−3)の金属体8Aは、図16(3−1)の金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、三角形TAの第1金属領域8A1と長方形SQの第2金属領域8A2からなる。
図16(4−3)の金属体8Aは、図16(4−1)の金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、半円形SSの第1金属領域8A1と長方形SQの第2金属領域8A2からなる。
図16(5−3)の金属体8Aは、金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、三角形TAを第1金属領域8A1から構成し、三角形TAの底辺側の領域が長方形SQの第2金属領域8A2内に含まれるようにしたものである。
図16(6−3)の金属体8Aは、金属体8Aを二種類の材料から構成したものであり、四角形SQ1を第1金属領域8A1から構成し、その1つの頂点を先端部8ATとし、先端部8ATとは反対側の領域が、長方形SQの第2金属領域8A2内に含まれるようにしたものである。
図16(1−4)、(2−4)、(3−4)、(4−4)、(5−4)、(6−4)は、それぞれ、図16の(1−3)、(2−3)、(3−3)、(4−3)、(5−3)、(6−3)の第2金属領域8A2の角部Cを丸く加工したものである。
16 (1-4), (2-4), (3-4), (4-4), (5-4), and (6-4) are respectively shown in (1-3) in FIG. (2-3), (3-3), (4-3), (5-3) is obtained by machining round the second corner C of the
上述のように、角部Cを丸く加工した場合、この角部Cに電界集中が生じにくくなるため、不要な発光が抑制される。なお、先端部8ATの曲率半径r(図4参照)は、角部Cの曲率半径よりも小さく設定される方が好ましい。 As described above, when the corner portion C is processed into a round shape, electric field concentration is less likely to occur at the corner portion C, and unnecessary light emission is suppressed. The radius of curvature r (see FIG. 4) of the tip 8AT is preferably set smaller than the radius of curvature of the corner C.
図17は、曲率半径rを変えた場合の第1誘電体8BのX方向長X1と近接場光の光強度(a.u.)との関係を示すグラフである。入射光の波長は500nmである。
FIG. 17 is a graph showing the relationship between the X-direction length X1 of the
データ*Dは曲率半径r=30nmの場合の光強度、データ*Eは曲率半径r=50nmの場合の光強度、データ*Fは曲率半径r=10nmの場合の光強度、データ*Gは曲率半径r=10nmの場合の光強度を示す。なお、*D,*E,*F,*Gは、X2=5nmの場合のデータを示す。 Data * D is light intensity when radius of curvature r = 30 nm, data * E is light intensity when radius of curvature r = 50 nm, data * F is light intensity when radius of curvature r = 10 nm, and data * G is curvature. The light intensity when the radius is r = 10 nm is shown. Note that * D, * E, * F, and * G indicate data when X2 = 5 nm.
なお、データ*GのX1を100nmにした構造が、図9のグラフであり、その他のデータ*D、*E、*Fは、n1=1.5,n2=1.0の構造のものである。 The structure in which X1 of data * G is set to 100 nm is the graph of FIG. 9, and the other data * D, * E, and * F have structures of n 1 = 1.5 and n 2 = 1.0. Is.
同グラフから分かるように、先端部8ATの曲率半径rが小さくなるほど発光強度が高くなる傾向にある。また、第1誘電体8Bの長さX1が長くなるほど、発光強度が高くなる傾向にあるが、曲率半径rが10nmの場合(*F)には、X1=70nm〜140nmの範囲で光強度が低下している。光強度の一般的な増加傾向から判断すると、X方向の長さX1は25nm以上あることが好ましい。
As can be seen from the graph, the emission intensity tends to increase as the curvature radius r of the tip 8AT decreases. In addition, as the length X1 of the
以上、説明したように、上述の熱アシスト磁気ヘッドは、高屈折率の第1誘電体8Bを備えた近接場光発生素子8と、光が入力される光入射面4Aと、金属体8Aが形成された光出射面4Bを有するコア4と、コア4の周囲に形成されたクラッド(第1層L1,第10層L10(図15参照)と、光の入射に応答して近接場光発生素子8によって加熱される磁気記録領域R(図4参照)に磁界を与える磁気記録素子(主磁極6、コイル5)とを備えている。コア4の光入射面4Aから入射した光は、光出射面4Bに設けられた近接場光発生素子8に照射される。近接場光発生素子8は、光の入射に応じて高強度の近接場光を発生するので十分に記録媒体(磁気ディスク10の記録領域R)の加熱を行うことできる。
As described above, the above-described thermally-assisted magnetic head includes the near-field
また、上述のHGA17は、上述の熱アシスト磁気ヘッド21と、熱アシスト磁気ヘッド21が取り付けられたサスペンション20とを備えている。HGA17においては、熱アシスト磁気ヘッド21が、高強度の近接場光を発生するので、これをハードディスク装置100に組み込んだ場合には、高密度の光を発生することができる。
The
このハードディスク装置100は、HGA17と、近接場光発生素子8に対向する磁気記録媒体としての磁気ディスク10とを備えており、HGA17リの熱アシスト磁気ヘッド21による加熱効率が上がるため、保持力の高い磁性微粒子を磁気記録媒体に用いることができ、したがって、高密度の書き込みをすることができる。
The
1・・・スライダー、1A・・・スライダー基板、100・・・ハードディスク装置、1B・・・磁気ヘッド部、2・・・光源ユニット、2A・・・光源支持基板、2B・・・絶縁層、3・・・発光素子、4・・・コア、4B・・・光出射面、4A・・・光入射面、5・・・コイル、8A・・・・金属体、8・・・近接場光発生素子、8A1,8A2・・・金属領域、8AT・・・先端部、8B・・・誘電体、8C・・・誘電体、10・・・磁気ディスク、11・・・スピンドルモータ、12・・・アセンブリキャリッジ装置、14・・・各駆動アーム、14・・・駆動アーム、16・・・ピボットベアリング軸、20・・・サスペンション、21・・・熱アシスト磁気ヘッド、200・・・ロードビーム、201・・・フレクシャ、202・・・ベースプレート、203・・・配線部材、204・・・タング部、PR・・・レジストパターン、R・・・記録領域、r・・・曲率半径、S・・・媒体対向面。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
先端部を有する金属体と、
前記金属体の前記先端部の突出方向の延長線上に離隔して配置された第1誘電体と、
前記先端部と前記第1誘電体との間に介在する第2誘電体と、
を備え、
前記第1誘電体の屈折率は、前記第2誘電体の屈折率よりも大きいことを特徴とする近接場光発生素子。 In the near-field light generating element that generates near-field light in response to light incidence,
A metal body having a tip,
A first dielectric disposed separately on an extension line in the protruding direction of the tip of the metal body;
A second dielectric interposed between the tip and the first dielectric;
With
The near-field light generating element, wherein a refractive index of the first dielectric is larger than a refractive index of the second dielectric.
光が入力される光入射面と、前記金属体が形成された光出射面を有するコアと、
前記コアの周囲に形成されたクラッドと、
光の入射に応答して前記近接場光発生素子によって加熱される磁気記録領域に磁界を与える磁気記録素子と、
を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。 The near-field light generating element according to claim 1 or 2,
A light incident surface to which light is input, a core having a light emitting surface on which the metal body is formed, and
A clad formed around the core;
A magnetic recording element that applies a magnetic field to a magnetic recording region that is heated by the near-field light generating element in response to light incidence;
A heat-assisted magnetic head comprising:
前記熱アシスト磁気ヘッドが取り付けられたサスペンションと、
を備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 The thermally assisted magnetic head according to claim 3,
A suspension to which the heat-assisted magnetic head is attached;
A head gimbal assembly comprising:
前記近接場光発生素子に対向する磁気記録媒体と、
を備えることを特徴とするハードディスク装置。 A head gimbal assembly according to claim 4;
A magnetic recording medium facing the near-field light generating element;
A hard disk device comprising:
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