JP2008255001A - 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材、及び酸化イットリウム材料の製造方法 - Google Patents
酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材、及び酸化イットリウム材料の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008255001A JP2008255001A JP2008046329A JP2008046329A JP2008255001A JP 2008255001 A JP2008255001 A JP 2008255001A JP 2008046329 A JP2008046329 A JP 2008046329A JP 2008046329 A JP2008046329 A JP 2008046329A JP 2008255001 A JP2008255001 A JP 2008255001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yttrium oxide
- oxide material
- material according
- sic
- yttrium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/90—Other properties not specified above
Abstract
【解決手段】本願発明の発明者らは、酸化イットリウム(Y2O3)に炭化珪素(SiC)とフッ化イットリウム(YF3)を添加することにより酸化イットリウム材料が強靱化し、半導体製造装置用部材に適用した場合の歩留まり,ハンドリング性,及び信頼性を向上できることを知見した。
【選択図】図1
Description
実施例1では、酸化イットリウム(Y2O3,信越化学製,UUHPグレード),炭化珪素(SiC,イビデン(株)製ウルトラファイン),及びフッ化イットリウム(YF3,(株)高純度化学研究所製)をそれぞれ96,3,1vol%の比率で調合した後、IPA(イソプロピルアルコール)溶媒を利用して24時間湿式混合(ZrO2玉石を利用したボールミル)することによりスラリーを調製した。次に、スラリーを篩に通した後、110℃の窒素雰囲気で16時間乾燥させることにより粉体を得た。次に、粉体を篩に通した後、200kg/cm2のプレス圧により80gの粉体をφ50mmに成形した。そして最後に、1600℃のアルゴンガス雰囲気下で成形体を200kg/cm2のプレス圧で4時間ホットプレス焼成することにより、実施例1の酸化イットリウム材料を得た。
実施例2では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ92,3,5vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例2の酸化イットリウム材料を得た。
実施例3では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ94,5,1vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例3の酸化イットリウム材料を得た。
実施例4では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ94,3,3vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例4の酸化イットリウム材料を得た。
実施例5では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ90,5,5vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例5の酸化イットリウム材料を得た。
実施例6では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ92,7,1vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例6の酸化イットリウム材料を得た。
実施例7では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ89,10,1vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例7の酸化イットリウム材料を得た。
実施例8では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ85,10,5vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例8の酸化イットリウム材料を得た。
実施例9では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ86,13,1vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例9の酸化イットリウム材料を得た。
実施例10では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ82,13,5vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより実施例2の酸化イットリウム材料を得た。
比較例1では、酸化イットリウム(Y2O3,信越化学製,UUHPグレード)のみにより焼成体を形成した。
比較例2では、Y2O3とYF3をそれぞれ95,5vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより比較例2の酸化イットリウム材料を得た。
比較例3では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ85,5,10vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより比較例3の酸化イットリウム材料を得た。
比較例4では、Y2O3,SiC,及びYF3をそれぞれ80,5,15vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより比較例4の酸化イットリウム材料を得た。
比較例5では、Y2O3とSiCをそれぞれ80,20vol%の比率で調合した以外は実施例1と同じ処理を行うことにより比較例5の酸化イットリウム材料を得た。
X線回折装置(回転対陰極型X線回折装置(理学電機製RINT),CuKα線源,50kV,300mA,2θ=10〜70°)を利用して実施例1〜10及び比較例1〜5の各酸化イットリウム材料から得られたX線回折パターンから結晶相を同定した結果、以下の表1に示すように、実施例1,3,6,7,9及び比較例5の酸化イットリウム材料は酸化イットリウム(Y2O3),炭化珪素(SiC),及びY2SiO5により構成され、実施例2,5,8,10及び比較例3,4の酸化イットリウム材料はY2O3,SiC,及びYOFにより構成されていることが明らかになった。また実施例4の酸化イットリウム材料はY2O3とSiCにより構成されていることが明らかになった。
実施例1〜10及び比較例3〜5の酸化イットリウム材料をSEMの反射電子像で観察し、各酸化イットリウム材料中におけるSiCの平均粒径を測定した。但し、粒径0.5μm未満のSiC粒子は明確に計測できなかったため、粒径0.5μm以上の粒子のみの短径のサイズを測定し、その平均値を求めてこれを平均粒径とした。この結果、SiCの平均粒径は何れも2μm以下であることがわかった。また、粒径0.5μm以上の比較的大きなSiC粒子は主に粒界に存在していた。なお、0.5μm程度以下の微細なSiC粒子は正確に測定することができなかったが、YF3の添加の有無によってSiCの存在頻度が異なることが観察された。すなわちYF3を添加した場合、多くの微細なSiC粒子粒子が酸化イットリウムの粒内に存在している様子が観察された。これに対してYF3を添加しなかった場合には、微細なSiC粒子がほとんど観察されなかった。この原因は現段階では明らかではないが、YF3を添加することによって、低温での焼成が可能となり微細なSiC粒子が安定に存在できること、及びSiC粒子が酸化イットリウムの粒内に取り込まれやすくなったものと考えられる。
実施例1〜10及び比較例1〜5の各酸化イットリウム材料について3点曲げ試験を行うことにより3点曲げ強度を評価した。評価結果を表1に示す。この結果、実施例1〜10の酸化イットリウム材料の3点曲げ強度はいずれも250MPa以上であることが明らかになった。
実施例1〜10及び比較例1〜5の各酸化イットリウム材料についてJIS_R_1607にしたがってIF法(加重9.8N)により破壊靱性を評価した。評価結果を表1に示す。この結果、実施例1〜10の酸化イットリウム材料の破壊靱性はいずれも1.3MPa√m以上であることが明らかになった。またYF3を添加した材料の方が少ないSiC添加量で強度及び破壊靱性が高くなる傾向があった。この理由は現段階では明らかでないが、YF3を添加することにより、比較的大きな粒径0.5μm以上のSiC粒子は酸化イットリウムの粒界に存在し、微細な粒径0.5μm以下のSiC粒子は酸化イットリウムの粒内に存在するようになるため、粒界及び粒内の機械的特性が効果的に向上したためと考えられる。
実施例1〜10及び比較例1〜5の各酸化イットリウム材料について耐食試験装置を用いてプラズマ耐食試験を行った。具体的には、ガスはNF3,O2,Arを使用し、ICPを用いて800Wでプラズマを発生させ、発生したプラズマをバイアス300Wで被試験片に照射した。そして、段差計により測定したマスク面と暴露面の段を試験時間で割ることにより各酸化イットリウム材料のエッチングレートを算出した。算出結果を表1に示す。この結果、耐食性が悪い炭化珪素を耐食性が良い酸化イットリウムに添加しても、その量、形状、分散状態がある条件を満たしている場合には、耐食性が大きく低下しないことがわかった。
実施例1,3,6,7,9及び比較例1の各酸化イットリウム材料について室温における体積抵抗率(室温体積抵抗率)と比誘電率を測定した。なお体積抵抗率は、JIS−C2141に準じた方法により、大気中で測定した。また比誘電率は、□21mm×21mm,厚さ0.1mmの平板形状の試料表面を研磨によって表面粗さRa=0.1μm以下とした後、インピーダンスアナライザー4291Aを用いて測定した。測定結果を以下の表2に示す。
Fは吸着力、εは比誘電率、ε0は真空の誘電率、Vは印加電圧、dは誘電体の厚み(酸化イットリウム材料)を示す。
2:炭化珪素粒子
3:Y2SiO5材料
4:YOF領域
Claims (15)
- 少なくともシリコン(Si)、炭素(C)、及びフッ素(F)を含有することを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1に記載の酸化イットリウム材料において、結晶相が酸化イットリウム(Y2O3)と炭化珪素(SiC)により構成されていることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1に記載の酸化イットリウム材料において、結晶相が酸化イットリウム(Y2O3)、炭化珪素(SiC)、及びSiO2とRe2O3(Re:希土類元素)の化合物とYF3とRe2O3の化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項3に記載の酸化イットリウム材料において、SiO2とRe2O3の化合物はReSiO5、YF3とRe2O3の化合物はReOFであることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項3又は請求項4に記載の酸化イットリウム材料において、前記希土類元素はイットリウム(Y)であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項2乃至請求項5のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、前記炭化珪素の粒径が3μm以下であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項5又は請求項6に記載の酸化イットリウム材料において、YOFの粒径が10μm以下であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項7のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、3点曲げ強度が250MPa以上であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項8のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、破壊靱性が1.3MPa√m以上であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項9のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、気孔率が5%以下であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項10のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、室温における体積抵抗率が1×1015Ω・cm以上であることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項11のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料において、比誘電率が16以上20以下の範囲内にあることを特徴とする酸化イットリウム材料。
- 請求項1乃至請求項12のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料により少なくとも一部が形成されていることを特徴とする半導体製造装置用部材。
- 請求項1乃至請求項12のうち、いずれか1項に記載の酸化イットリウム材料の製造方法において、酸化イットリウムと炭化珪素と希土類フッ化物の混合粉末とを1300℃以上1850℃以下の焼成温度で焼成する工程を含むことを特徴とする酸化イットリウム材料の製造方法。
- 請求項14に記載の酸化イットリウム材料の製造方法において、前記希土類フッ化物はフッ化イットリウム(YF3)であることを特徴とする酸化イットリウム材料の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008046329A JP5071856B2 (ja) | 2007-03-12 | 2008-02-27 | 酸化イットリウム材料及び半導体製造装置用部材 |
TW097107855A TWI433825B (zh) | 2007-03-12 | 2008-03-06 | 氧化釔材料、半導體製造裝置用構件及氧化釔材料之製造方法 |
US12/043,988 US7833924B2 (en) | 2007-03-12 | 2008-03-07 | Yttrium oxide-containing material, component of semiconductor manufacturing equipment, and method of producing yttrium oxide-containing material |
EP20080250811 EP1972599B1 (en) | 2007-03-12 | 2008-03-10 | Yttrium oxide-containing material, component of semiconductor manufacturing equipment, and method of producing yttrium oxide-containing material |
CN2008100951590A CN101265101B (zh) | 2007-03-12 | 2008-03-12 | 氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料的制造方法 |
KR1020080022852A KR101457215B1 (ko) | 2007-03-12 | 2008-03-12 | 산화이트륨 재료, 반도체 제조 장치용 부재 및 산화이트륨재료의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007062329 | 2007-03-12 | ||
JP2007062329 | 2007-03-12 | ||
JP2008046329A JP5071856B2 (ja) | 2007-03-12 | 2008-02-27 | 酸化イットリウム材料及び半導体製造装置用部材 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012176270A Division JP5667607B2 (ja) | 2007-03-12 | 2012-08-08 | 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材、及び酸化イットリウム材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008255001A true JP2008255001A (ja) | 2008-10-23 |
JP5071856B2 JP5071856B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=39978947
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008046329A Active JP5071856B2 (ja) | 2007-03-12 | 2008-02-27 | 酸化イットリウム材料及び半導体製造装置用部材 |
JP2012176270A Active JP5667607B2 (ja) | 2007-03-12 | 2012-08-08 | 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材、及び酸化イットリウム材料の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012176270A Active JP5667607B2 (ja) | 2007-03-12 | 2012-08-08 | 酸化イットリウム材料、半導体製造装置用部材、及び酸化イットリウム材料の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5071856B2 (ja) |
KR (1) | KR101457215B1 (ja) |
CN (1) | CN101265101B (ja) |
TW (1) | TWI433825B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5911036B1 (ja) * | 2014-11-21 | 2016-04-27 | 日本イットリウム株式会社 | 焼結体 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9440886B2 (en) * | 2013-11-12 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based monolithic chamber material |
US11572617B2 (en) * | 2016-05-03 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
KR102532969B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2023-05-16 | 미쓰이금속광업주식회사 | 희토류 옥시불화물 소결체 및 그 제조 방법 |
KR102106533B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2020-05-06 | 아이원스 주식회사 | 플로라이드화 이트륨 옥사이드 코팅막의 형성 방법 및 이에 따른 플로라이드화 이트륨 옥사이드 코팅막 |
JP6959363B2 (ja) | 2017-05-26 | 2021-11-02 | イオンズ カンパニー リミテッド | フッ化イットリウムオキシドコーティング膜の形成方法およびこれによるフッ化イットリウムオキシドコーティング膜 |
KR102062397B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2020-01-03 | 아이원스 주식회사 | 플로라이드화 옥사이드 박막의 형성 방법 및 이에 따른 플로라이드화 옥사이드 박막 |
KR102027128B1 (ko) | 2017-08-11 | 2019-10-01 | (주)단단 | Yof계 분말의 제조방법 |
JP6932070B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2021-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び半導体製造装置 |
KR102266658B1 (ko) | 2020-12-10 | 2021-06-18 | 주식회사 미코 | 용사용 이트륨계 과립 분말 및 이를 이용한 용사 피막 |
KR102266656B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2021-06-18 | (주)코미코 | 용사용 이트륨계 과립 분말 및 이를 이용한 용사 피막 |
KR102266655B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2021-06-18 | (주)코미코 | 이트륨계 과립 분말을 이용한 용사 피막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이트륨계 용사 피막 |
KR20230102468A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 주식회사 원익큐엔씨 | 오염입자 발생 저감을 극대화 하는 반도체 장비 불화대상물의 불화 가공 방법 및 이에 의해 불화 가공된 부품 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01219062A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素焼結体の製造方法 |
JPH05194030A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合セラミックス焼結体およびその製造方法 |
JPH0733526A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-03 | Hitachi Ltd | 高強度弗化物セラミックス |
JPH07315949A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | Hitachi Ltd | 高信頼性耐熱セラミックス及びタービン部品 |
JPH104083A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Kyocera Corp | 半導体製造用耐食性部材 |
JP2002356387A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-12-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性部材 |
US20030029563A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant coating for semiconductor processing chamber |
JP2003234300A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理装置用部材および半導体処理装置 |
JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
WO2005034181A2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method for monitoring status of system components |
JP2005206402A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 焼結体及びその製造方法 |
JP2005243987A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2006069843A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用セラミック部材 |
JP2006089338A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 耐食性部材とその製造方法、およびこれを用いた半導体・液晶製造装置用部材 |
JP2007051045A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ngk Insulators Ltd | イットリア焼結体、静電チャック、及び、イットリア焼結体の製造方法 |
JP2007059567A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001179080A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Nihon Ceratec Co Ltd | 低金属汚染の基板処理用部材 |
BR112019024801B1 (pt) * | 2017-07-17 | 2022-04-12 | Ab Ludvig Svensson | Tela de estufa |
-
2008
- 2008-02-27 JP JP2008046329A patent/JP5071856B2/ja active Active
- 2008-03-06 TW TW097107855A patent/TWI433825B/zh active
- 2008-03-12 KR KR1020080022852A patent/KR101457215B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-12 CN CN2008100951590A patent/CN101265101B/zh active Active
-
2012
- 2012-08-08 JP JP2012176270A patent/JP5667607B2/ja active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01219062A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素焼結体の製造方法 |
JPH05194030A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合セラミックス焼結体およびその製造方法 |
JPH0733526A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-03 | Hitachi Ltd | 高強度弗化物セラミックス |
JPH07315949A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | Hitachi Ltd | 高信頼性耐熱セラミックス及びタービン部品 |
JPH104083A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Kyocera Corp | 半導体製造用耐食性部材 |
JP2002356387A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-12-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐プラズマ性部材 |
US20030029563A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant coating for semiconductor processing chamber |
JP2003234300A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理装置用部材および半導体処理装置 |
JP2004260159A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、リング部材およびプラズマ処理方法 |
WO2005034181A2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method for monitoring status of system components |
JP2005206402A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 焼結体及びその製造方法 |
JP2005243987A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2006069843A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用セラミック部材 |
JP2006089338A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 耐食性部材とその製造方法、およびこれを用いた半導体・液晶製造装置用部材 |
JP2007051045A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ngk Insulators Ltd | イットリア焼結体、静電チャック、及び、イットリア焼結体の製造方法 |
JP2007059567A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5911036B1 (ja) * | 2014-11-21 | 2016-04-27 | 日本イットリウム株式会社 | 焼結体 |
WO2016080459A1 (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | 日本イットリウム株式会社 | 焼結体 |
KR101823493B1 (ko) * | 2014-11-21 | 2018-01-30 | 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 | 소결체 |
US9969652B2 (en) | 2014-11-21 | 2018-05-15 | Nippon Yitrium Co., Ltd. | Sintered body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101265101A (zh) | 2008-09-17 |
JP2012232897A (ja) | 2012-11-29 |
JP5667607B2 (ja) | 2015-02-12 |
JP5071856B2 (ja) | 2012-11-14 |
TWI433825B (zh) | 2014-04-11 |
TW200902475A (en) | 2009-01-16 |
KR20080083600A (ko) | 2008-09-18 |
KR101457215B1 (ko) | 2014-10-31 |
CN101265101B (zh) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5071856B2 (ja) | 酸化イットリウム材料及び半導体製造装置用部材 | |
JP4936948B2 (ja) | 複合材料及びその製造方法 | |
US7833924B2 (en) | Yttrium oxide-containing material, component of semiconductor manufacturing equipment, and method of producing yttrium oxide-containing material | |
JP7120398B2 (ja) | 溶射材料 | |
JP2011151336A (ja) | 静電チャック、その製造方法及び静電チャック装置 | |
JP6388188B1 (ja) | 成膜用材料及び皮膜 | |
JP2006273584A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
US20230242409A1 (en) | Ceramic sintered body comprising magnesium aluminate spinel | |
US6884742B2 (en) | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members | |
US11837488B2 (en) | Composite sintered body, semiconductor manufacturing apparatus member, and method of manufacturing composite sintered body | |
JP5874248B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP4429742B2 (ja) | 焼結体及びその製造方法 | |
JP2010077017A (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
JP4889155B2 (ja) | 快削性を有する高強度アルミナ質焼結体及びこれを用いた耐食性部材 | |
US8178459B2 (en) | Corrosion-resistant member and method of manufacturing same | |
JP5188085B2 (ja) | 窒化アルミニウム耐食性部材及び半導体製造装置用部材 | |
JP2007217218A (ja) | プラズマ処理装置用イットリアセラミックスおよびその製造方法 | |
JP2007001862A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 | |
JP2008195973A (ja) | プラズマ処理装置用セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2009203113A (ja) | プラズマ処理装置用セラミックス | |
JP2007217217A (ja) | イットリアセラミックス焼結体およびその製造方法 | |
JP2008195546A (ja) | プラズマ処理装置用セラミックスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090629 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090715 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090917 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5071856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |