JP2008251640A - 導体パターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る導体パターンの形成方法は、基板1上に、基板1の一部が露呈する開口部30を有するレジスト層3を形成する工程と、開口部30内における基板1上に、めっきにより中心導体層11を形成する工程と、レジスト層3を除去する工程と、基板1の表面に保護層2を形成する工程と、中心導体層11の表面に、めっきにより表面導体層12を形成する工程と、を有する。
【選択図】図5
Description
本実施形態に係る導体パターンの形成方法について、図1〜図9を参照して説明する。図1〜図8は、導体パターンを形成している状態を示す工程図であり、各図(A)は断面図、各図(B)は斜視図、各図(C)は平面図を示す。各図(A)は、各図(C)のA−A線の断面図であり、各図(C)は各図(A)におけるC−C線断面図であり、各図(B)は要部を示す。図9は、導体パターンを形成している状態を示す平面図である。
第2実施形態に係る導体パターンの形成方法について、図11および図12を参照して説明する。図11および図12は、導体パターンを形成している状態を示す工程断面図である。第2実施形態では、絶縁材の両面に導体パターンを転写して、第1実施形態よりも占積率の向上を図る例について説明する。
例えば、本実施形態に係る電子部品は、コイル、抵抗等の機能素子を複数内蔵していてもよい。また、本実施形態で挙げた材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (8)
- 基板上に、前記基板の一部が露呈する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記開口部内における前記基板上に、めっきにより中心導体層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記基板の表面に保護層を形成する工程と、
前記中心導体層の表面に、めっきにより表面導体層を形成する工程と、
を有する導体パターンの形成方法。 - 前記基板として、少なくとも表面において導電性を有するものを用い、
前記中心導体層を形成する工程においては、前記基板を下地とした電気めっきにより前記中心導体層を形成する、
請求項1記載の導体パターンの形成方法。 - 前記基板として、少なくとも表面において導電性を有するものを用い、
前記保護層を形成する工程においては、前記保護層として絶縁性を有するものを形成する、
請求項1記載の導体パターンの形成方法。 - 前記表面導体層を形成する工程においては、無電解めっきにより前記表面導体層を形成する、
請求項1記載の導体パターンの形成方法。 - 前記保護層を形成する工程においては、前記基板を化学的に処理することにより、前記基板を変質させて前記保護層を形成する、
請求項1記載の導体パターンの形成方法。 - 前記保護層を形成した際に前記中心導体層の表面に形成された変質層を前記保護層に対して選択的に除去する工程をさらに有する、
請求項5記載の導体パターンの形成方法。 - 前記表面導体層を形成する工程の前に、前記中心導体層の表面を洗浄する処理を含むめっき前処理工程をさらに有し、
当該めっき前処理工程において、前記中心導体層の表面に形成された変質層を前記保護層に対して選択的に除去する、
請求項6記載の導体パターンの形成方法。 - 前記基板をウェットエッチングにより除去する工程をさらに有する、
請求項1に記載の導体パターンの形成方法。
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