JP2008244108A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多結晶シリコンの空乏化を抑制して微細化ができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンからなる第1の層を有する制御ゲート電極を備え、前記第1の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜をエッチバックしてその膜厚を減らしたものであって、前記第1の膜の不純物活性化率を保持していることを特徴とする半導体装置が提供される。また、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜をエッチバックして、前記第1の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【選択図】図4
【解決手段】多結晶シリコンからなる第1の層を有する制御ゲート電極を備え、前記第1の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜をエッチバックしてその膜厚を減らしたものであって、前記第1の膜の不純物活性化率を保持していることを特徴とする半導体装置が提供される。また、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜をエッチバックして、前記第1の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、制御ゲート電極等の材料に多結晶シリコンを用いた半導体フラッシュメモリ等の不揮発性半導体装置およびその製造方法に関する。
不揮発性半導体記憶装置では、制御ゲート電極と半導体基板の間に浮遊ゲート電極を設け、制御ゲート電極によって浮遊ゲート電極に情報を記憶する。浮遊ゲート電極は層間絶縁膜を介して制御ゲート電極と対向しており、浮遊ゲート電極と半導体基板の間にはシリコン熱酸化膜が設けられている。これら制御ゲート電極および浮遊ゲート電極の材料には、不純物を含む多結晶シリコンが用いられている。この不純物を含む多結晶シリコンは、例えば不純物を含まないシリコン膜を成膜し、これに不純物を注入した後、熱処理することによって形成される(例えば特許文献1参照)。
このような半導体記憶装置では、素子の微細化に伴い、制御ゲート電極および浮遊ゲート電極の寸法が狭くなり、これに伴い、制御ゲート電極間および浮遊ゲート電極間の距離もそれぞれ短くなる。
このような微細化に伴い、多結晶シリコンの空乏化の影響が大きくなり、隣接浮遊ゲート電極間の電気的な干渉が大きくなり、閾値電圧等の動作電圧の変動やばらつきなどの問題が発生する(例えば非特許文献1参照)。
この空乏化の原因の一つは、微細化に伴って、多結晶シリコン中の不純物活性化率(全不純物濃度に対する活性化した不純物濃度の平均比率)が低下し、これによって多結晶シリコン中のキャリア数が少なくなってしまうことにあり、これを増加させることが必要になる。
特開2003−77856号公報
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.23,no.5.MAY 2002「Effects Floating-Gate Interference on NAND Flash Memory Cell Operation」
本発明は、多結晶シリコンの空乏化を抑制して微細化ができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、多結晶シリコンからなる第1の層を有する制御ゲート電極を備え、前記第1の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜をエッチバックしてその膜厚を減らしたものであって、前記第1の膜の不純物活性化率を保持していることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜をエッチバックして、前記第1の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、多結晶シリコンの空乏化を抑制して微細化ができる半導体装置および半導体装置の製造方法が提供される。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。半導体フラッシュメモリの制御ゲート電極や浮遊ゲート電極を構成する多結晶シリコンには、不純物として例えばリン(P:Phosphorus)が導入され、これを熱処理して活性化することで、キャリアが生成される。
図1は、不純物としてリンを導入した多結晶シリコンにおいての不純物活性化率(全不純物濃度に対する活性化した不純物濃度の平均比率)およびシリコン結晶粒径の膜厚依存性をシミュレーションした結果を示す図である。ここで、不純物活性化率とは、全不純物濃度に対する活性化した不純物濃度の平均比率を意味し、以下、単に活性化率とも称する。
図1に示すように、膜厚50[nm]の多結晶シリコンでは、その底面付近において、全P濃度は3.2×1020[cm−3]、活性化されたP濃度は8.3×1019[cm−3]であって、活性化率は22.1[%]である。また、シリコン結晶の粒径は41[nm]である。これに対し、膜厚120[nm]の多結晶シリコンでは、その底面付近において、全P濃度は4.0×1020[cm−3]、活性化されたP濃度は1.7×1020[cm−3]であって、活性化率は42.5[%]である。また、シリコン結晶の粒径は70[nm]である。
この図1から、多結晶シリコンの膜厚によりシリコン結晶の粒径が異なり、結果として不純物の活性化率が異なることが判る。つまり、膜厚を厚くして粒径を大きくするほど、活性化率を大きくできるのであって、多結晶シリコンの粒径制御(粒径大型化)が活性化率の増加に有効であることが判る。素子の微細化が進むと、多結晶シリコンの膜厚も薄くなり、これによってシリコン結晶の粒径が小さくなり、多結晶シリコン中の活性化率が低下してキャリアが減少する。しかし、これを解決するために、単に多結晶シリコンの膜厚を厚くしたのでは、素子の微細化の障害となる。
そこで、本発明の実施の形態では、リン(P)等の不純物を含んだ多結晶シリコン膜を成膜し、これをエッチバックしてその膜厚を減らすことにより、成膜時の(エッチバック前の)結晶粒径および活性化率を、エッチバック後の多結晶シリコン膜に保持させる。
なお、半導体ラッシュメモリ等の制御ゲート電極や浮遊ゲート電極を構成する多結晶シリコン中の活性化率は、デバイスの書き込み特性、読み出し特性等の電気特性を計測することにより推認でき、多結晶シリコンの空乏化抑制のためには、活性化率が20[%]以上であることが望ましい。
図2から図4までは、本発明の実施の形態にかかる半導体ラッシュメモリの製造工程を示す断面図であり、多結晶シリコンの粒径を制御する(粒径を大型化させる)工程を主に説明するものである。なお、これら図2から図4までにおいて、既出の図に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、図2(a)に示すように、シリコン基板10の表面上にシリコン熱酸化膜20を形成する。なお、このシリコン熱酸化膜20は、その表面等を窒化して、酸窒化膜としたものであってもよい。
次に、浮遊ゲート電極を形成するために、図2(b)に示すように、シリコン熱酸化膜20の表面上に、不純物を含まない(ノンドープの)アモルファスシリコン膜30を化学気相成長法によって成膜し、その上にさらに不純物を含んだ(不純物をドープした)アモルファスシリコン膜40を化学気相成長法によって成膜する。ここでは、不純物として、リン(P)を用いる。このとき、アモルファスシリコン膜30の膜厚はT3、アモルファスシリコン膜40の膜厚はT4であり、両アモルファスシリコン膜の合計膜厚はT2である。
なお、本願においては、アモルファスシリコンには、完全に非晶質のシリコンの他に、微結晶シリコンを含むものとする。
次に、アモルファスシリコン膜40の表面に、図示しないカバー絶縁膜を成膜し、そのあと例えば600[℃]以上の窒素雰囲気中で熱処理し、そのあと上記カバー絶縁膜をエッチングにより全て剥離する。この熱処理により、第2層目のリンを含んだアモルファスシリコン膜40から第1層目のアモルファスシリコン膜30中にリンを固相拡散させるとともに、不純物であるリンを活性化させる。同時にアモルファスシリコンを多結晶化させる。これにより、アモルファスシリコン膜30,40を、図2(c)に示すように、不純物としてリンを含んだ多結晶シリコン膜200とする。
この多結晶シリコン膜200の膜厚はT2であり、最終的に目的とする膜厚T1よりも厚くなっている。従って、上記図1において説明したように、多結晶シリコン膜200中のシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率のそれぞれは、膜厚T2に応じた値になっており、目的膜厚T1で多結晶シリコン膜200を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きくなっており、リンの活性化率も高くなる。
次に、図2(d)に示すように、膜厚T2の多結晶シリコン膜200を、表面(上面)からエッチバックしてその膜厚を減らし、多結晶シリコン膜200を、膜厚T1の多結晶シリコン膜100とする。上記のエッチバックは、例えば、リアクティブ・イオン・エッチング(RIE)によりエッチングし、そのあとウエットエッチングを用いて、最終的な膜厚を目的の膜厚T1とする。
次に、図3(a)に示すように、多結晶シリコン膜100,熱酸化膜20,シリコン基板10を、リソグラフィ工程およびエッチング工程によりパターニングして、多結晶シリコン膜100からなる複数の浮遊ゲート電極100aを形成するとともに、これらの浮遊ゲート電極100a間に素子分離溝を形成する。なお、多結晶シリコン膜100上にシリサイド膜を形成し、このシリサイド膜および多結晶シリコン膜100をパターニングすることによって、浮遊ゲート電極100aをポリサイド構造としてもよい。
このように、浮遊ゲート電極100aとなる多結晶シリコン膜100の膜厚T1と、エッチバック前(成膜時)の多結晶シリコン膜200の膜厚T2とは、
T1<T2=T3+T4
となっている。従って、浮遊ゲート電極100aは、その膜厚がT2よりも薄いT1でありながら、膜厚T2の多結晶シリコン膜200が有するシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率を保持したものである。つまり、膜厚T1で多結晶シリコン膜を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きく、リンの活性化率も高い浮遊ゲート電極100a(多結晶シリコン膜100)を得ることができる。このため、素子の微細化に伴って、浮遊ゲート電極となる多結晶シリコン膜を薄膜化しても、多結晶シリコンの空乏化を抑制できる。
T1<T2=T3+T4
となっている。従って、浮遊ゲート電極100aは、その膜厚がT2よりも薄いT1でありながら、膜厚T2の多結晶シリコン膜200が有するシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率を保持したものである。つまり、膜厚T1で多結晶シリコン膜を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きく、リンの活性化率も高い浮遊ゲート電極100a(多結晶シリコン膜100)を得ることができる。このため、素子の微細化に伴って、浮遊ゲート電極となる多結晶シリコン膜を薄膜化しても、多結晶シリコンの空乏化を抑制できる。
次に、図3(b)に示すように、上記の素子分離溝に素子分離絶縁膜50を埋め込んで、素子分離領域を形成する。このとき、隣接する浮遊ゲート電極100a間の距離(素子分離領域の幅)t1に対する、浮遊ゲート電極100a表面と素子分離絶縁膜50表面の段差寸法t2の割合は、素子の微細化により例えば約1となる。
次に、図3に示すように、浮遊ゲート電極100a上および素子分離絶縁膜50上に、高誘電率の材料(いわゆるHigh−K材料)からなる層間絶縁膜60を成膜する。この層間絶縁膜60の誘電率は、例えばシリコン熱酸化膜よりも大きくする。
層間絶縁膜60としては、例えば、シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜等の積層膜が用いられる。
次に、制御ゲート電極を形成するために、図4(a)に示すように、層間絶縁膜60上に、ノンドープのアモルファスシリコン膜70を化学気相成長法によって成膜し、その上にさらに不純物を含んだアモルファスシリコン膜80を化学気相成長法によって成膜する。ここでは、不純物として、リン(P)を用いる。このとき、アモルファスシリコン膜70の膜厚はT7、アモルファスシリコン膜80の膜厚はT8であり、両アモルファスシリコン膜の合計膜厚はT6である。
ノンドープのアモルファスシリコン膜70は、その膜厚T7が、隣接する浮遊ゲート電極間距離t1の1/2以上となるように成膜する。ノンドープのアモルファスシリコンは、不純物を含んだアモルファスシリコンよりも段差部においてのカバレッジが良好であり、浮遊ゲート電極100aと素子分離絶縁膜50の段差部でのボイドの発生を防止できる。素子の微細化が進むと、浮遊ゲート電極間距離t1に対する段差寸法t2の割合がさらに大きくなると考えられるため、ノンドープのアモルファスシリコンを下層に成膜することにより、効果的にボイドの発生を防止できる。
次に、アモルファスシリコン膜80の表面に、図示しないカバー絶縁膜を成膜し、そのあと例えば600[℃]以上の窒素雰囲気中で熱処理し、そのあと上記カバー絶縁膜をエッチングにより全て剥離する。この熱処理により、第2層目のリンを含んだアモルファスシリコン膜80から第1層目のアモルファスシリコン膜70中にリンを固相拡散させるとともに、不純物であるリンを活性化させる。同時にアモルファスシリコンを多結晶化させる。これにより、アモルファスシリコン膜70,80を、図4(b)に示すように、不純物としてリンを含んだ多結晶シリコン膜600とする。
この多結晶シリコン膜600の膜厚はT6であり、最終的な目的膜厚T5よりも厚くなっている。従って、上記図1において説明したように、多結晶シリコン膜600中のシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率のそれぞれは、膜厚T6に応じた値になっており、目的の膜厚T5で多結晶シリコン膜600を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きくなっており、リンの活性化率も高くなる。
次に、図4(c)に示すように、膜厚T6の多結晶シリコン膜600を、表面(上面)からエッチバックしてその膜厚を減らし、多結晶シリコン膜600を、膜厚T5の多結晶シリコン膜500とする。上記のエッチバックは、例えば、RIEによりエッチングし、そのあとウエットエッチングを用いて、最終的な膜厚を目的の膜厚T5とする。
そして、多結晶シリコン膜500を、リソグラフィ工程およびエッチング工程によりパターニングして、多結晶シリコン膜500からなる複数の制御ゲート電極500aを形成する。なお、多結晶シリコン膜500上にシリサイド膜を形成し、このシリサイド膜および多結晶シリコン膜500をパターニングすることによって、制御ゲート電極500aをポリサイド構造としてもよい。
このように、制御ゲート電極500aとなる多結晶シリコン膜500の膜厚T5と、エッチバック前(成膜時)の多結晶シリコン膜600の膜厚T6とは、
T5<T6=T7+T8
となっている。従って、制御ゲート電極500aは、その膜厚がT6よりも薄いT5でありながら、膜厚T6の多結晶シリコン膜600が有するシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率を保持したものである。つまり、膜厚T5で多結晶シリコン膜を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きく、リンの活性化率も高い制御ゲート電極500a(多結晶シリコン膜500)を得ることができる。このため、素子の微細化に伴って、制御ゲート電極となる多結晶シリコン膜を薄膜化しても、多結晶シリコンの空乏化を抑制できる。
T5<T6=T7+T8
となっている。従って、制御ゲート電極500aは、その膜厚がT6よりも薄いT5でありながら、膜厚T6の多結晶シリコン膜600が有するシリコン結晶の粒径およびリンの活性化率を保持したものである。つまり、膜厚T5で多結晶シリコン膜を成膜した場合よりも、シリコン結晶の粒径が大きく、リンの活性化率も高い制御ゲート電極500a(多結晶シリコン膜500)を得ることができる。このため、素子の微細化に伴って、制御ゲート電極となる多結晶シリコン膜を薄膜化しても、多結晶シリコンの空乏化を抑制できる。
さらに、制御ゲート電極500aは、浮遊ゲート電極100aと素子分離絶縁膜50によって生じる凹部(段差部)上に形成されるが、多結晶シリコンの空乏化は、この凹部において顕著に生ずる。このため、本実施の形態による空乏化抑制の効果は、平坦部に形成される浮遊ゲート電極よりも、段差上に形成される制御ゲート電極において、より顕著に現れる。
以上のように本発明の実施の形態によれば、制御ゲート電極や浮遊ゲート電極を構成する多結晶シリコンを薄膜化しても、シリコン結晶の粒径を大きくでき、不純物活性化率を高めることができるので、多結晶シリコンの空乏化を抑制できる。これにより、素子の微細化が進んでも、隣接ゲート電極間の電気的干渉を低減でき、閾値電圧等の動作電圧の変動やばらつきを抑えることができる。
なお、上記本発明の実施の形態においては、ノンドープのアモルファスシリコン膜上に不純物を含んだアモルファスシリコン膜を成膜し、そのあと熱処理することにより、上層の不純物を下層に固相拡散させて不純物を活性化するとともに、アモルファスシリコンを多結晶化させて、不純物を含んだ多結晶シリコン膜を成膜したが、この不純物を含んだ多結晶シリコン膜の成膜工程としては、下記の方法を用いることもできる。
ノンドープのアモルファスシリコン膜を化学気相成長法によって成膜し、そのあと不純物を含んだ気体中で熱処理することにより、不純物を気相拡散させて不純物を活性化するとともに、アモルファスシリコンを多結晶化させて、不純物を含んだ多結晶シリコン膜を成膜することも可能である。なお、この場合に、ノンドープのアモルファスシリコン膜の表面に気相から不純物を付着させ、そのあと上記の熱処理をしてもよい。
あるいは、不純物を含んだアモルファスシリコン膜を化学気相成長法によって成膜し、そのあと熱処理することにより、不純物を気相拡散させて不純物を活性化するとともに、アモルファスシリコンを結晶成長させて、不純物を含んだ多結晶シリコン膜を成膜することも可能である。
また、上記本発明の実施の形態では、半導体フラッシュメモリを例として説明したが、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲において、適宜、その具体例を変更することが可能である。本発明の半導体記憶装置は、多結晶シリコンを有する制御ゲート電極を備えた半導体記憶装置に適用可能である。また、半導体記憶装置の他にも、例えば半導体論理回路装置や半導体演算回路装置などにも適用可能である。同様に、本発明の半導体記憶装置の製造方法は多結晶シリコン膜を形成する半導体記憶装置、半導体論理回路装置あるいは半導体演算回路装置などの製造方法に適用可能である。
10 シリコン基板、 20 シリコン熱酸化膜、 30,40 アモルファスシリコン膜、 50 素子分離絶縁膜、 60 層間絶縁膜、 70,80 アモルファスシリコン膜、 100 多結晶シリコン膜、 100a 浮遊ゲート電極、 200 多結晶シリコン膜、 500 多結晶シリコン膜、 500a 制御ゲート電極、 600 多結晶シリコン膜
Claims (9)
- 多結晶シリコンからなる第1の層を有する制御ゲート電極を備え、
前記第1の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜をエッチバックしてその膜厚を減らしたものであって、前記第1の膜の不純物活性化率を保持している
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の層の不純物活性化率は20[%]以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記制御ゲート電極との間に層間絶縁膜を介して設けられた、多結晶シリコンからなる第2の層を有する浮遊ゲート電極をさらに備え、
前記第2の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第2の膜の膜厚を減らしたものであって、前記第2の膜の不純物活性化率を保持している
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記制御ゲート電極と浮遊ゲート電極の間に層間絶縁膜をさらに備え、
前記層間絶縁膜の比誘電率は、シリコン熱酸化膜の比誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記制御ゲート電極は、前記第1の層を用いたポリサイド構造からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜をエッチバックして、前記第1の膜の膜厚を減らす工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の膜を形成する工程は、不純物を含まないアモルファスシリコン膜を成膜し、その上に不純物を含んだアモルファスシリコン膜を成膜し、そのあと熱処理することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜を形成する工程は、不純物を含まないアモルファスシリコン膜を成膜し、これを不純物を含む気体中で熱処理することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の膜を形成する工程は、不純物を含んだアモルファスシリコン膜を成膜し、そのあと熱処理することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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