JP2008240012A - Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density - Google Patents

Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density Download PDF

Info

Publication number
JP2008240012A
JP2008240012A JP2007078249A JP2007078249A JP2008240012A JP 2008240012 A JP2008240012 A JP 2008240012A JP 2007078249 A JP2007078249 A JP 2007078249A JP 2007078249 A JP2007078249 A JP 2007078249A JP 2008240012 A JP2008240012 A JP 2008240012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic flux
oxide
flux density
magnetic recording
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007078249A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sohei Nonaka
荘平 野中
Takanori Shirai
孝典 白井
Yukiya Sugiuchi
幸也 杉内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2007078249A priority Critical patent/JP2008240012A/en
Priority to TW096111563A priority patent/TW200746093A/en
Priority to PCT/JP2007/057161 priority patent/WO2007114356A1/en
Publication of JP2008240012A publication Critical patent/JP2008240012A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density for forming a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium of a hard disk, particularly for forming a magnetic recording film applied to a vertical magnetic recording medium. <P>SOLUTION: Disclosed is a sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density which has a chemical composition comprising a nonmagnetic oxide of 2 to 15 mol%, Cr of 3 to 20 mol%, Pt of 5 to 30 mol%, and the balance consisting of Co with unavoidable impurities and has an in-plane specific magnetic permeability of ≤50 which is lower than the thickness-wise specific permeability. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。   The present invention relates to a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density for forming a magnetic recording film applied to a high-density magnetic recording medium of a hard disk, particularly a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium. It is about.

ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられており、記録密度の一層の向上が求められている。そのため、近年、超高密度の記録を実現できる垂直磁気記録方式が注目されてきた。この垂直磁気記録方式は、従来の面内記録方式と異なり、原理的に高密度化するほど記録磁化が安定すると言われており、すでに実用化されている。この垂直磁気記録方式のハードディスク媒体の記録層に適用する材料の有力な候補としてCoCrPt−SiOグラニュラ磁気記録膜が提案されており、このCoCrPt−SiOグラニュラ磁気記録膜はCrおよびPtを含むCo基焼結合金相と二酸化珪素相の混合相を有するスパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタ法により作製することが知られている(非特許文献1参照)。
このスパッタリングターゲットは、通常、二酸化珪素粉末、Cr粉末、Pt粉末およびCo粉末を、二酸化珪素:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られており、その他に市販のCrおよびPtを含むCo基合金粉末または急冷凝固して作製したCrおよびPtを含むCo基合金粉末と二酸化珪素粉末を二酸化珪素:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し混合したのち、真空ホットプレスまたは熱間静水圧プレスすることにより作製されることが知られている。(特許文献1、特許文献2などを参照)。
さらに、前記SiOのほかにTiO、Cr、TiO、Ta、Al、BeO、MgO、ThO、ZrO、CeO、Yなどの非磁性酸化物が使用できることが知られている(特許文献3、4参照)。
「富士時報」Vol.75No.3 2002(169〜172ページ) 特開2001‐236643号公報 特開2004‐339586号公報 特開2003‐36525号公報 特開2006‐24346号公報
Hard disk devices are generally used as external recording devices such as computers and digital home appliances, and further improvement in recording density is required. Therefore, in recent years, a perpendicular magnetic recording system that can realize ultra-high-density recording has attracted attention. Unlike the conventional in-plane recording system, this perpendicular magnetic recording system is said to have a stable recording magnetization as the density increases in principle, and has already been put into practical use. A CoCrPt—SiO 2 granular magnetic recording film has been proposed as a promising candidate for a material to be applied to the recording layer of this perpendicular magnetic recording type hard disk medium, and this CoCrPt—SiO 2 granular magnetic recording film is a Co containing Cr and Pt. It is known to produce by a magnetron sputtering method using a sputtering target having a mixed phase of a base sintered alloy phase and a silicon dioxide phase (see Non-Patent Document 1).
This sputtering target usually contains silicon dioxide powder, Cr powder, Pt powder and Co powder, silicon dioxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, and the balance : It is known that it is prepared by mixing and mixing so as to have a composition composed of Co, and then vacuum hot pressing or hot isostatic pressing, and commercially available Co-based alloy powder containing Cr and Pt. Alternatively, a Co-based alloy powder and silicon dioxide powder containing Cr and Pt prepared by rapid solidification contain silicon dioxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, and the balance : It is known that it is prepared by mixing and mixing so as to have a composition composed of Co, followed by vacuum hot pressing or hot isostatic pressing. (See Patent Document 1, Patent Document 2, etc.).
Further, in addition to the SiO 2 , nonmagnetic materials such as TiO, Cr 2 O 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , BeO 2 , MgO, ThO 2 , ZrO 2 , CeO 2 , and Y 2 O 3. It is known that oxides can be used (see Patent Documents 3 and 4).
“Fuji Times” Vol. 75No. 3 2002 (pages 169-172) Japanese Patent Laid-Open No. 2001-236643 JP 2004-339586 A JP 2003-36525 A JP 2006-24346 A

しかし、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、強磁性合金であるCrおよびPtを含むCo基合金を主体として構成されているために、非磁性体ターゲットと比較して磁束がターゲット内部を通過する割合が大きく、ターゲット上空に漏れ出る磁束が極めて少ない。このことはターゲット下部に磁気回路を配置し、ターゲット上空に漏れ出る磁束を利用して希ガスの電離効率を高めることで放電を安定化させ、成膜速度を向上させているマグネトロンスパッタリング法にとっては大きな問題となる。すなわち、ターゲット上空に漏れ出る磁束が少ない漏洩磁束密度の低いターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングを行なうと、放電が安定しないあるいは放電できても成膜速度が極端に遅くなるなどの問題を引き起こすからである。
この問題点を解消するための手段の一つとして、ターゲットの厚さを薄くして磁束をターゲット上空へ抜けやすくする方法が取られている。しかし、ターゲットを薄くすると、ターゲットの交換頻度が頻繁になるので成膜効率が悪くなり、コスト的に好ましくない。
また、漏洩磁束密度の低いターゲットは、一旦マグネトロンスパッタリングを行ってエロージョンが形成されると、エロージョン部分から磁束が集中的に漏洩し、その部分だけがますます集中的にスパッタされていくためにターゲットの利用効率が低下したり、成膜速度が経時変化したり、基板面内に膜厚のばらつきが生じたり、さらにターゲット上への再デポ膜の大量付着が生じるなどといった問題を引き起こしやすい。
However, since this sputtering target for forming a magnetic recording medium film is mainly composed of a Co-based alloy containing Cr and Pt, which are ferromagnetic alloys, the magnetic flux passes through the inside of the target compared to a nonmagnetic target. The magnetic flux leaking over the target is extremely small. This is for magnetron sputtering, which has a magnetic circuit placed under the target and stabilizes the discharge by increasing the ionization efficiency of the noble gas by utilizing the magnetic flux leaking over the target, thereby improving the deposition rate. It becomes a big problem. That is, if magnetron sputtering is performed using a target with a low leakage magnetic flux density and a small amount of magnetic flux leaking over the target, the discharge may not be stable or the film formation rate may become extremely slow even if the discharge is possible. .
As one of means for solving this problem, a method is adopted in which the thickness of the target is reduced so that the magnetic flux easily escapes over the target. However, if the target is made thin, the replacement frequency of the target becomes frequent, so that the film formation efficiency is deteriorated, which is not preferable in terms of cost.
In addition, targets with low leakage magnetic flux density are targeted because, once erosion is formed by magnetron sputtering, magnetic flux leaks intensively from the erosion part, and only that part is intensively sputtered. Are likely to cause problems such as a reduction in the use efficiency of the film, a change in the film formation rate over time, a variation in film thickness within the substrate surface, and a large amount of redeposited film deposited on the target.

そこで、本発明者らは、ターゲットの厚さを薄くすることなく効率よくマグネトロンスパッタリングを行うことができるスパッタリングターゲットを得るべく研究を行なった結果、
(a)磁束は比透磁率の大きな方向に通りやすく小さな方向に通りにくいため、ターゲットの面内方向の比透磁率を50以下(より望ましくは40以下)となるように小さくすることにより磁束はターゲットの上空に抜けやすくなる、
(b)面内方向の比透磁率をターゲットの厚み方向の比透磁率より小さくすることによって、さらに漏れ磁束密度を大きくすることができる、などの知見を得たのである。
Therefore, the present inventors conducted research to obtain a sputtering target that can efficiently perform magnetron sputtering without reducing the thickness of the target,
(A) Since the magnetic flux easily passes in a direction with a high relative permeability and does not easily pass in a small direction, the magnetic flux is reduced by reducing the relative permeability in the in-plane direction of the target to 50 or less (more preferably 40 or less). It ’s easier to get over the target,
(B) The inventors have obtained knowledge that the leakage magnetic flux density can be further increased by making the relative permeability in the in-plane direction smaller than the relative permeability in the thickness direction of the target.

この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
(1)非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が50以下かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さい面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、
(2)前記面内方向比透磁率が40以下である前記(1)記載の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
This invention has been made based on such knowledge,
(1) Plate-like sintered sputtering containing a non-magnetic oxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, and the balance: Co and inevitable impurities A sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having an in-plane direction relative permeability of 50 or less and a low in-plane direction relative permeability smaller than a thickness direction relative permeability;
(2) The sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to (1), wherein the in-plane relative relative permeability is 40 or less.

この発明の面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかである。したがって、この発明は、
(3)前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかである前記(1)または(2)記載の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
The nonmagnetic oxide contained in the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a low in-plane relative permeability according to the present invention is silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide. , Cerium oxide and yttrium oxide. Therefore, the present invention
(3) The (1) or (2), wherein the nonmagnetic oxide is any one of silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide, cerium oxide, and yttrium oxide. And a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density.

この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの面内方向比透磁率を50以下に限定した理由は、面内方向比透磁率が50を越えるとスパッタリングターゲットの下部に配置されるマグネットによる磁束がターゲット内部を通過しやすくなり、ターゲット上部へと透過する磁束の割合が減少してしまうからである。さらに、面内方向の比透磁率を厚み方向の比透磁率より小さくすることによって、前記マグネットによる磁束がターゲット内部を通過しにくくなり、一層効果的にターゲット上部に漏れ磁束を形成することができる。 The reason why the in-plane relative permeability of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention is limited to 50 or less is that when the in-plane relative permeability exceeds 50, it is disposed below the sputtering target. This is because the magnetic flux generated by the magnet easily passes through the inside of the target, and the ratio of the magnetic flux transmitted to the upper part of the target is reduced. Furthermore, by making the relative permeability in the in-plane direction smaller than the relative permeability in the thickness direction, the magnetic flux due to the magnet becomes difficult to pass through the inside of the target, and a leakage magnetic flux can be more effectively formed on the upper part of the target. .

この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムなどの非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coからなる組成を有する板状焼結体を温度:450℃以下に保持しながら圧下率:2〜20%で厚さ方向に圧縮加工することにより作製できる。 The sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention is a non-magnetic oxide such as silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide, cerium oxide and yttrium oxide. Material: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, the balance: a plate-like sintered body having a composition consisting of Co is maintained at a temperature of 450 ° C. or less. The reduction ratio: 2 to 20%, and can be produced by compressing in the thickness direction.

なお、この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを製造する方法において板状焼結体を圧縮加工する際の「圧下率」は、元の板状焼結体の厚みをh、すべての圧縮加工工程を終了した時点での厚みをhとした時、(h−h)/h×100(%)で定義される。
前記圧縮加工により面内方向の比透磁率が低下する理由は現時点では明確ではないが、以下のような二つの原因が推測される。第一に磁性体合金を圧縮加工すると内部の転位密度が上昇し、転位により磁壁の移動および磁化の回転が妨げられるため、磁化されにくくなり、比透磁率が低下する。第二に通常の粉末焼結によるCoCrPt合金は高温相であるfcc構造が室温まで冷却しても完全には変態せず、低温相であるhcp構造との混合状態となりやすいが、低温で圧縮加工を行なうことにより、残留しているfcc相の一部が歪み誘起マルテンサイト変態を生じてhcp相に変化し、ターゲット中のhcp相の占める割合が増加する。hcp相はfcc相よりも磁気異方性が大きく、低温で板厚方向に圧縮加工すると、磁化容易方向であるc軸方向がターゲット面に垂直に配向する傾向がある。これにより面内方向には磁化されにくい非c軸方向で占められることとなる。すなわち磁気異方性の小さいfcc相が減少して磁気異方性の大きいhcp相が増加し、なおかつhcp相は面内方向に磁化されにくい方向を示すのであるから、面内方向比透磁率は小さくなり、厚み方向比透磁率は大きくなる。
In the method of manufacturing a sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention, the “reduction ratio” when compressing a plate-like sintered body is the thickness of the original plate-like sintered body. the h 1, when the thickness at the time of completion of all the compressed working process was h 2, is defined by (h 1 -h 2) / h 1 × 100 (%).
The reason why the relative permeability in the in-plane direction is reduced by the compression process is not clear at present, but the following two causes are presumed. First, when the magnetic alloy is compressed, the internal dislocation density increases, and the dislocation hinders the movement of the domain wall and the rotation of the magnetization, so that it is difficult to be magnetized and the relative permeability is lowered. Secondly, the CoCrPt alloy by ordinary powder sintering does not completely transform even when the fcc structure, which is a high-temperature phase, is cooled to room temperature, and tends to be mixed with the hcp structure, which is a low-temperature phase. As a result, part of the remaining fcc phase undergoes strain-induced martensitic transformation and changes to the hcp phase, and the proportion of the hcp phase in the target increases. The hcp phase has a larger magnetic anisotropy than the fcc phase, and when compressed in the thickness direction at a low temperature, the c-axis direction, which is the direction of easy magnetization, tends to be oriented perpendicular to the target surface. As a result, the in-plane direction is occupied by the non-c-axis direction which is not easily magnetized. That is, the fcc phase having a small magnetic anisotropy is decreased, the hcp phase having a large magnetic anisotropy is increased, and the hcp phase exhibits a direction in which it is difficult to be magnetized in the in-plane direction. The thickness becomes smaller and the thickness direction relative permeability becomes larger.

この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において板状焼結体の圧下率を2〜20%に限定した理由は、圧下率が2%未満では面内方向の比透磁率が十分に小さなターゲットが得られないので好ましくなく、一方、圧下率が20%を越えると圧縮加工中に割れが生じるので好ましくないことによるものである。圧下率の一層好ましい範囲は4〜10%である。なお、この発明で行なう圧縮加工は圧延加工、鍛造加工、プレス加工など板状焼結体の厚さ方向に一方向圧縮できる加工方法であればいかなる塑性加工方法であっても良い。
また、前記非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結体を450℃以下で圧縮加工を行なう理由は、450℃を越える温度ではhcp結晶構造がfcc結晶構造へと相転移してしまったり、圧延しても歪が緩和されて比透磁率が低下しなかったりするので好ましくないからである。より好ましくは400℃以下である。
In the manufacturing method of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention, the rolling reduction rate of the plate-like sintered body is limited to 2 to 20% because the rolling reduction is less than 2% in the in-plane direction. This is because a target having a sufficiently small relative magnetic permeability cannot be obtained, and it is not preferable. On the other hand, if the rolling reduction exceeds 20%, it is not preferable because cracks occur during compression processing. A more preferable range of the rolling reduction is 4 to 10%. The compression processing performed in the present invention may be any plastic processing method as long as it is a processing method capable of unidirectional compression in the thickness direction of the plate-like sintered body, such as rolling, forging, and pressing.
Further, a plate-like sintered body containing the nonmagnetic oxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, and the balance: Co and inevitable impurities. The reason why the compression processing is performed at 450 ° C. or lower is that the hcp crystal structure undergoes a phase transition to the fcc crystal structure at temperatures exceeding 450 ° C., and the relative permeability does not decrease even after rolling because the strain is relaxed. This is because it is not preferable. More preferably, it is 400 degrees C or less.

この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造で使用する前記板状焼結体は、
非磁性酸化物粉末:2〜15モル%、Cr粉末:3〜20モル%、Pt粉末:5〜30モル%を含有し、残部:Co粉末からなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、
Co,Cr,Ptのいずれか2種以上を任意の組成で含む合金粉末と非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、または
Co,Cr,Ptのいずれか2種以上を任意の組成で含む合金粉末、非磁性酸化物粉末およびCr粉末、Pt粉末、Co粉末の内の1種または2種以上を非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coからなる組成となるように配合し混合したのち加圧焼結する方法、
などの方法で作製することができる。前記加圧焼結は、具体的には真空ホットプレス、熱間静水圧プレスなどである。
なお、この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造に使用する板状焼結体の成分組成は垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの成分組成としてすでに知られている成分組成であるのでその限定理由の説明は省略する。
The plate-like sintered body used in the production of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention,
Non-magnetic oxide powder: 2 to 15 mol%, Cr powder: 3 to 20 mol%, Pt powder: 5 to 30 mol%, the rest: blended and mixed to form a composition consisting of Co powder, then added Pressure sintering method,
An alloy powder containing any two or more of Co, Cr, and Pt in any composition and a nonmagnetic oxide powder, nonmagnetic oxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 A method of containing 30 mol% and the balance: a composition comprising Co and mixing and then pressure sintering, or an alloy powder containing any two or more of Co, Cr and Pt in any composition, Nonmagnetic oxide powder and one or more of Cr powder, Pt powder, and Co powder are nonmagnetic oxide: 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol% A balance: a method of pressure sintering after mixing and mixing so as to be a composition composed of Co,
It can produce by the method of. Specifically, the pressure sintering is a vacuum hot press, a hot isostatic press or the like.
The component composition of the plate-like sintered body used for the production of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention is already known as the component composition of the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film. Description of the reason for the limitation is omitted because of the component composition.

この発明の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いると、マグネトロンスパッタリングを効率よく行なうことができ、コンピューター並びにデジタル家電等の産業の発展に大いに貢献し得るものである。   When the sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to the present invention is used, magnetron sputtering can be performed efficiently, which can greatly contribute to the development of industries such as computers and digital home appliances.

原料粉末として、市販の50%粒径:10μmのCo粉末、50%粒径:15μmのPt粉末、50%粒径:10μmのCr粉末、いずれも50%粒径:3μmのSiO粉末、TiO、Ta粉末およびAlを用意した。 As raw material powder, commercially available 50% particle size: 10 μm Co powder, 50% particle size: 15 μm Pt powder, 50% particle size: 10 μm Cr powder, all 50% particle size: 3 μm SiO 2 powder, TiO 2 , Ta 2 O 5 powder and Al 2 O 3 were prepared.

実施例1
これら原料粉末をモル%でCr:10.8%、Pt:15.3%、SiO:10.0%を含有し、残部がCoおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に10リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をArガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度:1200℃、圧力:15MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
Example 1
These raw material powders are blended so as to have a component composition containing Cr: 10.8%, Pt: 15.3%, SiO 2 : 10.0% in mol%, with the balance being Co and inevitable impurities. The obtained blended powder was put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, the atmosphere in the container was replaced with an Ar gas atmosphere, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder. The obtained mixed powder was filled in a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under conditions of temperature: 1200 ° C., pressure: 15 MPa, and 3 hours.

この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ:6.5mmの板にしたのち、表1に示される温度で表1に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から90度、180度、270度回転させて計4回の圧延を行ない、かかる4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する本発明ターゲット1〜8および比較ターゲット1〜3を作製した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する従来ターゲット1を作製した。 The plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled so as to achieve the rolling reduction shown in Table 1 at the temperature shown in Table 1. In order to apply uniform rolling during rolling, rolling at a constant roll interval is performed in one direction, and then rotated 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval for a total of 4 times. The rolling was performed, and the four-direction cross rolling was performed, and then the desired rolling reduction was obtained by repeating this while narrowing the roll interval. The present invention targets 1 to 8 and comparative targets 1 to 3 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 5 mm were produced by cutting the rolled sheet thus obtained. Further, a conventional target 1 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.

本発明ターゲット1〜8、比較ターゲット1〜3および従来ターゲット1について下記の方法により面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率および従来ターゲット1の上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表1に示した。   The present invention targets 1 to 8, comparative targets 1 to 3, and conventional target 1 are measured for the in-plane maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability, and the leakage magnetic flux density leaking over the conventional target 1 by the following method. The results are shown in Table 1.

(イ)面内方向最大比透磁率の測定:
本発明ターゲット1〜8、比較ターゲット1〜3および従来ターゲット1により得られたターゲットから一辺5mmの立方体試料を切り出した。この立方体試料について市販の直流磁化測定装置にて面内方向に最大4×10A/mの直流磁場を印加し、磁化・磁場曲線(M−H曲線)を描画し、その初期磁化曲線に対して原点から接線を引き、その傾きを求め、傾き+1により面内方向の最大比透磁率を求め、その結果を表1に示した。
(I) Measurement of maximum relative permeability in in-plane direction:
A cube sample having a side of 5 mm was cut out from the targets obtained by the present invention targets 1 to 8, the comparative targets 1 to 3, and the conventional target 1. With respect to this cubic sample, a direct current magnetic field of up to 4 × 10 5 A / m is applied in the in-plane direction with a commercially available direct current magnetization measuring apparatus, a magnetization / magnetic field curve (MH curve) is drawn, and the initial magnetization curve is drawn. On the other hand, a tangent line is drawn from the origin, the inclination is obtained, the maximum relative magnetic permeability in the in-plane direction is obtained by the inclination +1, and the result is shown in Table 1.

(ロ)厚み方向最大比透磁率の測定:
本発明ターゲット1〜8、比較ターゲット1〜3および従来ターゲット1により得られたターゲットから一辺5mmの立方体試料を切り出した。この立方体試料について市販の直流磁化測定装置にて厚み方向に最大4×10A/mの直流磁場を印加し、磁化・磁場曲線(M−H曲線)を描画し、その初期磁化曲線に対して原点から接線を引き、その傾きを求め、傾き+1により面内方向の最大比透磁率を求め、その結果を表1に示した。
(B) Measurement of maximum relative permeability in the thickness direction:
A cube sample having a side of 5 mm was cut out from the targets obtained by the present invention targets 1 to 8, the comparative targets 1 to 3, and the conventional target 1. With respect to this cubic sample, a DC magnetic field of up to 4 × 10 5 A / m is applied in the thickness direction with a commercially available DC magnetization measuring device, and a magnetization / magnetic field curve (MH curve) is drawn. Then, a tangent line is drawn from the origin, the inclination is obtained, the maximum relative permeability in the in-plane direction is obtained by the inclination +1, and the result is shown in Table 1.

(ハ)漏洩磁束密度の測定:
漏洩磁束密度の測定はASTM F2086−01に基づき実施した。測定治具は、非磁性体の材質(例えば、アルミニウム)からなり、図1に示されるようにターゲットを載せるテーブルと、その下に配置する磁石を固定するための固定治具、ホールプローブをターゲット上空に保持しかつ上下方向あるいは支柱を中心とした円弧方向に移動させることのできる支柱から構成されている。磁束を発生させるための磁石には馬蹄形磁石(Dexter社製アルニコ磁石5K215)を用いた。測定手順としては、まず測定治具に磁石とホールプローブを取り付けて固定し、ホールプローブにガウスメーターを接続した。ターゲットを載せずにテーブルにホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらターゲットに水平な磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。この位置で測定されたテーブル面に水平な方向の磁束密度をASTMで定義されているSource Fieldとし、これが90±5mTの範囲にあることを確認した。
つぎに、ホールプローブの先端を測定するターゲットの厚み+0.5mmの高さまで上昇させ、ホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらテーブル面に水平な方向の磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。この位置で測定された磁場をASTMで定義されるReferennce fieldとして記録した。
一方、十分に脱磁された(ターゲット表面にてターゲットに垂直な方向の残留磁束密度が0.3mT以下になるように脱磁された)ターゲットをテーブルの上に載せた。この際ホールプロ−ブの位置は上記のまま固定し、ターゲットをその下から滑り込ませた。ターゲット表面の中心と、ターゲット表面のホールプローブ直下の点の間の距離は43.7±2mmになるようにターゲットを配置した。次に均一に磁化されるようにターゲットを反時計回りに5回転させた。回転後に測定されるテーブル面に水平な方向の磁束密度を記録し、これを0度の位置での磁束密度とした。さらにターゲットを中心位置に移動せずに反時計回りに30度、60度、90度、120度回転した位置での磁束密度を記録した。
これらの値をReferennce fieldの値で割って100を掛けた値について5点の平均をとり、その5点平均値をそのターゲットの漏洩磁束密度(%)として表1に示した。
(C) Measurement of leakage magnetic flux density:
The measurement of the leakage magnetic flux density was performed based on ASTM F2086-01. The measuring jig is made of a non-magnetic material (for example, aluminum). As shown in FIG. 1, the target is a table on which a target is placed, a fixing jig for fixing a magnet placed under the target, and a hole probe. It is comprised from the support | pillar which hold | maintains in the sky and can be moved to the up-down direction or the circular arc direction centering on the support | pillar. A horseshoe-shaped magnet (Dalter Alnico magnet 5K215) was used as a magnet for generating magnetic flux. As a measurement procedure, first, a magnet and a hall probe were attached and fixed to a measurement jig, and a gauss meter was connected to the hall probe. The magnetic flux density horizontal to the target was measured while swinging the hall probe slightly to the left and right in the arc direction without placing the target, and the hall probe was fixed where the magnetic flux density was maximum. The magnetic flux density in the direction horizontal to the table surface measured at this position was defined as a Source Field defined by ASTM, and it was confirmed that it was in the range of 90 ± 5 mT.
Next, raise the tip of the Hall probe to the thickness of the target + 0.5 mm, measure the magnetic flux density in the direction parallel to the table surface while swinging the Hall probe slightly to the left and right in the arc direction, Then, the hole probe was fixed. The magnetic field measured at this position was recorded as a Reference field defined by ASTM.
On the other hand, a sufficiently demagnetized target (demagnetized so that the residual magnetic flux density in the direction perpendicular to the target on the target surface was 0.3 mT or less) was placed on a table. At this time, the position of the hole probe was fixed as described above, and the target was slid from below. The target was arranged so that the distance between the center of the target surface and a point immediately below the hole probe on the target surface was 43.7 ± 2 mm. Next, the target was rotated 5 times counterclockwise so as to be uniformly magnetized. The magnetic flux density in the horizontal direction was recorded on the table surface measured after the rotation, and this was used as the magnetic flux density at the 0 degree position. Furthermore, the magnetic flux density was recorded at positions rotated 30 degrees, 60 degrees, 90 degrees and 120 degrees counterclockwise without moving the target to the center position.
These values were divided by the value of the reference field and multiplied by 100, and an average of 5 points was taken. The 5-point average value was shown in Table 1 as the leakage magnetic flux density (%) of the target.

Figure 2008240012
Figure 2008240012

表1に示される結果から、本発明ターゲット1〜8は従来ターゲット1に比べて、漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較ターゲット1〜3は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。   From the results shown in Table 1, it can be seen that the present invention targets 1 to 8 have a larger leakage magnetic flux density than the conventional target 1. However, it can be seen that Comparative Targets 1 to 3 having conditions outside the scope of the present invention are not preferable because the characteristics are deteriorated or cracks occur during compression processing.

実施例2
先に用意した原料粉末をモル%でCr:9.9%、Pt:13.5%、TiO:10.0%を含有し、残部がCoおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に10リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をArガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度:1000℃、圧力:15MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
Example 2
The raw material powder prepared earlier contains, in mol%, Cr: 9.9%, Pt: 13.5%, TiO 2 : 10.0%, with the balance being a component composition consisting of Co and inevitable impurities. Then, the obtained blended powder was put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, the atmosphere in the container was replaced with an Ar gas atmosphere, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder. The obtained mixed powder was filled in a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under conditions of temperature: 1000 ° C., pressure: 15 MPa, and 3 hours.

この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ:6.5mmの板にしたのち、表2に示される温度で表2に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から90度、180度、270度回転させて計4回の圧延を行ない、かかる4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する本発明ターゲット9〜16および比較ターゲット4〜6を作製した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する従来ターゲット2を作製した。 The plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled so as to achieve the rolling reduction shown in Table 2 at the temperature shown in Table 2. In order to apply uniform rolling during rolling, rolling at a constant roll interval is performed in one direction, and then rotated 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval for a total of 4 times. The rolling was performed, and the four-direction cross rolling was performed, and then the desired rolling reduction was obtained by repeating this while narrowing the roll interval. By cutting the rolled plate thus obtained, the present invention targets 9 to 16 and comparative targets 4 to 6 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm were produced. Further, a conventional target 2 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.

本発明ターゲット9〜16、比較ターゲット4〜6および従来ターゲット2について実施例1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表2に示した。   For the present invention targets 9 to 16, comparative targets 4 to 6 and conventional target 2, the in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability and the leakage magnetic flux density leaking over the target were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 2008240012
Figure 2008240012

表2に示される結果から、本発明ターゲット9〜16は従来ターゲット2に比べて、漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較ターゲット4〜6で作製したターゲットは特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。   From the results shown in Table 2, it can be seen that the present invention targets 9 to 16 have a higher leakage magnetic flux density than the conventional target 2. However, it can be seen that the targets produced with the comparative targets 4 to 6 under conditions outside the scope of the present invention are not preferable because the characteristics are deteriorated or cracks are generated during compression processing.

実施例3
先に用意した原料粉末をモル%でCr:13.4%、Pt:15.4%、Ta:4.0%を含有し、残部がCoおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に10リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をArガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度:1050℃、圧力:15MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
Example 3
Cr raw material powder prepared in advance in mole%: 13.4%, Pt: 15.4 %, Ta 2 O 5: containing 4.0%, so the balance of the component composition consisting of Co and inevitable impurities The resulting blended powder was put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, the atmosphere in the container was replaced with an Ar gas atmosphere, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder. The obtained mixed powder was filled into a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under the conditions of temperature: 1050 ° C., pressure: 15 MPa, and holding for 3 hours.

この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ:6.5mmの板にしたのち、表3に示される温度で表3に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から90度、180度、270度回転させて計4回の圧延を行ない、かかる4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する本発明ターゲット17〜24および比較ターゲット7〜9を作製した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する従来ターゲット3を作製した。 The plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled so that the rolling reduction shown in Table 3 was achieved at the temperature shown in Table 3. In order to apply uniform rolling during rolling, rolling at a constant roll interval is performed in one direction, and then rotated 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval for a total of 4 times. The rolling was performed, and the four-direction cross rolling was performed, and then the desired rolling reduction was obtained by repeating this while narrowing the roll interval. The present invention targets 17 to 24 and comparative targets 7 to 9 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 5 mm were produced by cutting the rolled plate thus obtained. Furthermore, the conventional target 3 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.

本発明ターゲット17〜24、比較ターゲット7〜9および従来ターゲット3について実施例1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表3に示した。   For the inventive targets 17 to 24, comparative targets 7 to 9 and conventional target 3, the in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability and the leakage magnetic flux density leaking over the target were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

Figure 2008240012
Figure 2008240012

表3に示される結果から、本発明ターゲット17〜24は従来ターゲット3に比べて、漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較ターゲット7〜9は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。   From the results shown in Table 3, it can be seen that the present invention targets 17 to 24 have a higher leakage magnetic flux density than the conventional target 3. However, it can be seen that the comparative targets 7 to 9 having conditions outside the scope of the present invention are not preferable because the characteristics are deteriorated or cracks are generated during compression processing.

実施例4
先に用意した原料粉末をモル%でCr:14.7%、Pt:14.7%、Al:8.0%を含有し、残部がCoおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、得られた配合粉末を粉砕媒体となるジルコニアボールと共に10リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をArガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで16時間回転させ、混合粉末を作製した。得られた混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度:980℃、圧力:15MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより板状ホットプレス体を作製した。
Example 4
Cr raw material powder prepared in advance in mole%: 14.7%, Pt: 14.7 %, Al 2 O 3: containing 8.0%, so the balance of the component composition consisting of Co and inevitable impurities The resulting blended powder was put into a 10-liter container together with zirconia balls as a grinding medium, the atmosphere in the container was replaced with an Ar gas atmosphere, and then the container was sealed. This container was rotated with a ball mill for 16 hours to produce a mixed powder. The obtained mixed powder was filled in a vacuum hot press apparatus, and a plate-like hot press body was produced by vacuum hot pressing in a vacuum atmosphere under conditions of temperature: 980 ° C., pressure: 15 MPa, and 3 hours.

この板状ホットプレス体を切削加工により厚さ:6.5mmの板にしたのち、表4に示される温度で表4に示される圧下率となるように圧延加工を実施した。圧延の際には均一な圧延を加えるために一定のロール間隔での圧延を一方向で行なった後、同じロール間隔において元の方向から90度、180度、270度回転させて計4回の圧延を行ない、かかる4方向のクロス圧延を実施し、その後、ロール間隔を狭めながらこれを繰り返すことで目的の圧下率を得るようにした。このようにして得られた圧延板を切削加工することによりいずれも直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する本発明ターゲット25〜32および比較ターゲット10〜12を作製した。さらに圧延加工することなく切削加工することにより直径:152.4mm、厚さ:5mmの寸法を有する従来ターゲット4を作製した。 The plate-like hot press body was cut into a plate having a thickness of 6.5 mm, and then rolled at a temperature shown in Table 4 so that the rolling reduction shown in Table 4 was achieved. In order to apply uniform rolling during rolling, rolling at a constant roll interval is performed in one direction, and then rotated 90, 180, and 270 degrees from the original direction at the same roll interval for a total of 4 times. The rolling was performed, and the four-direction cross rolling was performed, and then the desired rolling reduction was obtained by repeating this while narrowing the roll interval. The present invention targets 25 to 32 and comparative targets 10 to 12 having dimensions of diameter: 152.4 mm and thickness: 5 mm were produced by cutting the rolled plate thus obtained. Further, the conventional target 4 having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 5 mm was manufactured by cutting without rolling.

本発明ターゲット25〜32、比較ターゲット10〜12および従来ターゲット4について実施例1と同様にして面内方向最大比透磁率、厚み方向最大比透磁率およびターゲット上空に漏れ出る漏洩磁束密度を測定し、その結果を表4に示した。   The in-plane direction maximum relative permeability, the thickness direction maximum relative permeability, and the leakage magnetic flux density leaking over the target were measured for the inventive targets 25-32, the comparative targets 10-12, and the conventional target 4 in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 4.

Figure 2008240012
Figure 2008240012

表4に示される結果から、本発明ターゲット25〜32は従来ターゲット4により得られたターゲットに比べて、漏洩磁束密度が大きいことが分かる。しかし、この発明の範囲から外れた条件の比較ターゲット10〜12は特性が低下したりまたは圧縮加工中に割れが発生するなどして好ましくないことが分かる。   From the results shown in Table 4, it can be seen that the present invention targets 25 to 32 have a higher leakage magnetic flux density than the target obtained by the conventional target 4. However, it can be seen that Comparative Targets 10 to 12 under conditions outside the scope of the present invention are not preferable because of deterioration in properties or cracking during compression processing.

漏洩磁束密度の測定方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the measuring method of a leakage magnetic flux density.

Claims (3)

非磁性酸化物:2〜15モル%、Cr:3〜20モル%、Pt:5〜30モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有する板状焼結スパッタリングターゲットであって、面内方向比透磁率が50以下、かつ面内方向比透磁率が厚み方向比透磁率より小さいことを特徴とする漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 Non-magnetic oxide: a plate-like sintered sputtering target containing 2 to 15 mol%, Cr: 3 to 20 mol%, Pt: 5 to 30 mol%, and the balance: a component composition consisting of Co and inevitable impurities. A sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density, wherein the in-plane direction relative permeability is 50 or less and the in-plane direction relative permeability is smaller than the thickness direction relative permeability. 前記面内方向比透磁率が40以下であることを特徴とする請求項1記載の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 The sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density according to claim 1, wherein the in-plane relative permeability is 40 or less. 前記非磁性酸化物は、二酸化珪素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウムおよび酸化イットリウムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1または2記載の漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。 3. The nonmagnetic oxide is any one of silicon dioxide, tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, thorium oxide, zirconium oxide, cerium oxide, and yttrium oxide. A sputtering target for forming a perpendicular magnetic recording medium film having a high leakage magnetic flux density.
JP2007078249A 2006-03-31 2007-03-26 Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density Pending JP2008240012A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007078249A JP2008240012A (en) 2007-03-26 2007-03-26 Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density
TW096111563A TW200746093A (en) 2006-03-31 2007-03-30 Method for manufacturing sputtering target having low in-plane relative magnetic permeability for forming perpendicular magnetic recording media film, sputtering target having low in-plane relative magnetic permeability for forming perpendicular magnetic
PCT/JP2007/057161 WO2007114356A1 (en) 2006-03-31 2007-03-30 Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007078249A JP2008240012A (en) 2007-03-26 2007-03-26 Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008240012A true JP2008240012A (en) 2008-10-09

Family

ID=39911699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007078249A Pending JP2008240012A (en) 2006-03-31 2007-03-26 Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008240012A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010067446A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 三菱マテリアル株式会社 Sputtering target for forming perpendicular magnetic recording medium film having low relative permeability

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05247638A (en) * 1992-03-03 1993-09-24 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and manufacture therefore
JPH05295537A (en) * 1992-04-23 1993-11-09 Kobe Steel Ltd Target material for sputtering cobalt alloy
JP2001236643A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd Sputtering target for manufacturing magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium by using the same, and magnetic recording medium
JP2003036525A (en) * 2001-07-25 2003-02-07 Fuji Electric Co Ltd Perpendicular magnetic recording medium and its manufacturing method
JP2003073817A (en) * 2001-08-31 2003-03-12 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and arranging method therefor
JP2004339586A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target for forming magnetic recording film, and its production method
JP2006024346A (en) * 2004-06-07 2006-01-26 Showa Denko Kk Magnetic recording medium, production method for the same and magnetic recording and reproducing device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05247638A (en) * 1992-03-03 1993-09-24 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and manufacture therefore
JPH05295537A (en) * 1992-04-23 1993-11-09 Kobe Steel Ltd Target material for sputtering cobalt alloy
JP2001236643A (en) * 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd Sputtering target for manufacturing magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium by using the same, and magnetic recording medium
JP2003036525A (en) * 2001-07-25 2003-02-07 Fuji Electric Co Ltd Perpendicular magnetic recording medium and its manufacturing method
JP2003073817A (en) * 2001-08-31 2003-03-12 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target and arranging method therefor
JP2004339586A (en) * 2003-05-19 2004-12-02 Mitsubishi Materials Corp Sputtering target for forming magnetic recording film, and its production method
JP2006024346A (en) * 2004-06-07 2006-01-26 Showa Denko Kk Magnetic recording medium, production method for the same and magnetic recording and reproducing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010067446A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 三菱マテリアル株式会社 Sputtering target for forming perpendicular magnetic recording medium film having low relative permeability

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI547579B (en) Fe-Pt sputtering target with dispersed C particles
JP5590322B2 (en) Sputtering target for forming a magnetic recording medium film and method for producing the same
TWI550114B (en) Fe-Pt-C sputtering target
TWI537408B (en) Fe-Pt sputtering target with dispersed C particles
JP5457615B1 (en) Sputtering target for forming a magnetic recording film and method for producing the same
US20120118734A1 (en) Ferromagnetic Material Sputtering Target
JP2009001860A (en) Sputtering target for use in forming film of perpendicular magnetic recording medium having low relative magnetic permeability
JP6285043B2 (en) Sputtering target for forming a magnetic recording film and method for producing the same
JPWO2018047978A1 (en) Ferromagnetic sputtering target
JP5960251B2 (en) Sputtering target
JP2009132975A (en) Sputtering target for forming film of perpendicular magnetic recording medium having low relative permeability
JP4673453B1 (en) Ferromagnetic material sputtering target
JP2009001861A (en) Sputtering target for use in forming film of perpendicular magnetic recording medium having low relative magnetic permeability
WO2016047578A1 (en) Sputtering target for magnetic recording film formation and production method therefor
JP2010222639A (en) METHOD OF MANUFACTURING Co-BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM HAVING LOW MAGNETIC PERMEABILITY
JP2009001862A (en) Sputtering target for use in forming film of perpendicular magnetic recording medium having low relative magnetic permeability
JP2010272177A (en) Sputtering target for forming magnetic recording medium film, and method for producing the same
JP6037206B2 (en) Sputtering target for forming a magnetic recording medium film and method for producing the same
JP5403418B2 (en) Method for producing Co-Fe-Ni alloy sputtering target material
JP2008260970A (en) SINTERED SPUTTERING-TARGET MATERIAL OF Co-Zr-BASED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2008240012A (en) Sputtering target for vertical magnetic recording medium film formation having high leakage magnetic flux density
JP2007291489A (en) Method for manufacturing sputtering target to be used in forming film of perpendicular magnetic recording medium having low relative magnetic permeability in in-plane direction
JP2009293102A (en) Sputtering target for depositing vertical magnetic recording medium film with low relative permeability
JP2009203537A (en) Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP6128417B2 (en) Soft magnetic underlayer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20090331

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20120523

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121024