JP2008235356A - 半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、第1及び第2の部分13a、13bを有し、第1及び第2の部分は第1の方向に第1のスペースS1を有する第1の抵抗変化素子MTJと、第1の抵抗変化素子と第1の方向に距離Fを有して配置され、第3及び第4の部分13a’、13b’を有し、第3及び第4の部分は第1の方向に第2のスペースS2を有し、第1及び第2のスペースは距離より短い第2の抵抗変化素子MTJ’とを具備する。
【選択図】 図1
Description
第1の実施形態は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)で記憶素子として用いられる磁気抵抗効果素子の微細化を図る例である。ここでは、磁気抵抗効果素子としてMTJ素子(Magnetic Tunnel Junction)を例に挙げる。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図1(b)は、図1(a)のIB−IB線に沿った断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図2(a)及び(b)から図9(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第1の実施形態によれば、1セルMC内に第1乃至第4の部分13a、13b、13c、13dを有するMTJ素子MTJが形成される。この第1乃至第4の部分13a、13b、13c、13dの幅W1、W2は、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16、20の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16、20の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第2の実施形態は、第1の実施形態の製造方法をMTJ素子上のコンタクトに採用したものである。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図10(a)は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図10(b)は、図10(a)のXB−XB線に沿った断面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、MTJ素子上のコンタクトに対して、第1の実施形態と同様の工程で行われる。
上記第2の実施形態によれば、1セルMC内に第1乃至第4の部分23a、23b、23c、23dを有するコンタクト23が形成される。この第1乃至第4の部分23a、23b、23c、23dの幅W1、W2は、コンタクト23の加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16、20の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16、20の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にコンタクト23の寸法を決定できる。従って、コンタクト23を微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
上記第1の実施形態ではドット状の微細なMTJ素子を形成したのに対し、第3の実施形態ではライン状の微細なMTJ素子を形成する。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図11(a)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図11(b)は、図11(a)のXIB−XIB線に沿った断面図を示す。以下に、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図12(a)及び(b)から図13(a)及び(b)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の図を示す。以下に、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第3の実施形態によれば、1セルMC内に第1及び第2の部分13a、13bを有するMTJ素子MTJが形成される。この第1及び第2の部分13a、13bのX方向の幅W1は、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第4の実施形態は、環状(リング状)の微細なMTJ素子を形成する例である。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図14(a)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図14(b)は、図14(a)のXIVB−XIVB線に沿った断面図を示す。以下に、第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図15(a)及び(b)乃至図18(a)及び(b)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の図を示す。以下に、第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第4の実施形態によれば、環状の微細なMTJ素子MTJが形成される。この環状の幅Wは、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第5の実施形態は、円柱状の微細なMTJ素子を形成する例である。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図19(a)は、本発明の第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図19(b)は、図19(a)のXIXB−XIXB線に沿った断面図を示す。以下に、第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図20(a)及び(b)から図23(a)及び(b)は、本発明の第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の図を示す。以下に、第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第5の実施形態によれば、円柱状の微細なMTJ素子MTJが形成される。このMTJ素子MTJの幅Wは、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16の幅で決定される。このシリコン窒化膜16の幅は、溝40の側面のシリコン酸化膜17の堆積膜厚に依存する。このため、シリコン酸化膜17の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第6の実施形態は、U字型の微細なMTJ素子を形成する例である。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図24は、本発明の第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。以下に、第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図25から図28は、本発明の第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の図を示す。以下に、第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第6の実施形態によれば、U字型の微細なMTJ素子MTJが形成される。このMTJ素子MTJの幅Wは、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第7の実施形態は、L字型の微細なMTJ素子を形成する例である。尚、本実施形態では、第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
図29は、本発明の第7の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。以下に、第7の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルについて説明する。
図30乃至図32は、本発明の第7の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の平面図を示す。以下に、第7の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの製造方法について説明する。
上記第7の実施形態によれば、L字型の微細なMTJ素子MTJが形成される。このMTJ素子MTJの幅Wは、MTJ素子MTJの加工時に用いるハードマスクHMの一部であるシリコン窒化膜16の堆積膜厚で決定される。このため、シリコン窒化膜16の膜厚を制御することで、露光装置の解像度に依存せずに自由にMTJ素子MTJの寸法を決定できる。従って、MTJ素子MTJを微細化できるため、メモリセルの微細化を実現できる。
第8の実施形態では、各実施形態で用いられるMTJ素子について説明する。
MTJ素子MTJは、1重トンネル接合(シングルジャンクション)構造でもよいし、2重トンネル接合(ダブルジャンクション)構造でもよい。
MTJ素子MTJの固定層及び記録層の磁化方向は、膜面に対して垂直方向を向いていてもよいし(垂直磁化型)、膜面に対して平行方向に向いていてもよい(平行磁化型、面内磁化型)。
MTJ素子MTJは、例えば以下のような材料からなる。
Claims (5)
- 第1及び第2の部分を有し、前記第1及び第2の部分は第1の方向に第1のスペースを有する第1の抵抗変化素子と、
前記第1の抵抗変化素子と前記第1の方向に距離を有して配置され、第3及び第4の部分を有し、前記第3及び第4の部分は前記第1の方向に第2のスペースを有し、前記第1及び第2のスペースは前記距離より短い第2の抵抗変化素子と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1の抵抗変化素子は第5及び第6の部分をさらに有し、
前記第2の抵抗変化素子は第7及び第8の部分をさらに有し、
前記第1、第2、第5及び第6の部分は四角形の頂点に分離して配置され、
前記第3、第4、第7及び第8の部分は四角形の頂点に分離して配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1乃至第4の部分は、前記第1の方向と直交する第2の方向に延在したライン状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 第1の抵抗変化素子と、
前記第1の抵抗変化素子と第1の方向に離間して配置された第2の抵抗変化素子と、
前記第1の抵抗変化素子に接続され、第1及び第2の部分を有し、前記第1及び第2の部分は前記第1の方向に第1のスペースを有する第1のコンタクトと、
前記第2の抵抗変化素子に接続され、前記第1のコンタクトと前記第1の方向に距離を有して配置され、第3及び第4の部分を有し、前記第3及び第4の部分は前記第1の方向に第2のスペースを有し、前記第1及び第2のスペースは前記距離より短い第2のコンタクトと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 抵抗変化膜上に第1の材料からなる第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の側面のみに前記第1の材料からなる第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜の周囲及び前記第2の絶縁膜上に前記第2の材料からなる第4の絶縁膜を堆積する工程と、
前記第4の絶縁膜を平坦化し、前記第2及び第3の絶縁膜を露出する工程と、
前記第3の絶縁膜で覆われていない領域の前記第1、第2及び第4の絶縁膜を除去し、前記抵抗変化膜上に前記第1及び第3の絶縁膜からなるマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記抵抗変化膜を除去し、メモリセル毎に抵抗変化素子を形成する工程と
を具備する半導体記憶装置の製造方法。
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