JP2008159970A - レーザ素子搭載用基板およびレーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ装置の高出力化を図るとともに、基板の製造むらによる発光特性への影響を低減させる。
【手段】絶縁基体3と、絶縁基体3の上面に形成された第1の導体パターン4と、絶縁基板3の上面に第1の導体パターン4より膜厚が薄く形成されており、レーザ素子2が実装される第2の導体パターン5とを備えている。
【選択図】図1
【手段】絶縁基体3と、絶縁基体3の上面に形成された第1の導体パターン4と、絶縁基板3の上面に第1の導体パターン4より膜厚が薄く形成されており、レーザ素子2が実装される第2の導体パターン5とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ素子が搭載される配線基板に関するものである。
これまで、レーザ装置およびこのレーザ装置が搭載された電子装置に関する開発が活発に行われてきた。近年においては、この電子装置に搭載されるレーザ装置の高出力化が要求されており、レーザ素子自体の高出力化に関する開発が活発に行われている。
特開2006−310413号公報
近年においては、レーザ素子の高出力化が進んでおり、レーザ素子が搭載される基板にも従来に比べて高電流を流す必要がある。一方で、レーザ装置の発光特性を考慮して、レーザ素子をなるべく基板の端部に実装する必要があり、レーザ素子が実装される導体パターンにおける製造むらを低減させる必要がある。
本発明は、絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に形成された第1の導体パターンと、前記絶縁基板の前記上面に前記第1の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第2の導体パターンとを備えるものである。
本発明は、上記構成において、前記第1の導体パターンが、前記第2の導体パターンの両側に配置されている。
本発明は、上記構成において、前記絶縁基体の前記上面に形成されており、接地電位が与えられる第3の導体パターンをさらに備えている。
本発明は、上記構成において、前記第3の導体パターンが、前記第2の導体パターンの両側に配置されている。
本発明は、上記構成のレーザ素子搭載用基板と、前記レーザ素子搭載用基板の前記第2の導体パターン上に実装されたレーザ素子とを備えている。
本発明は、上記構成において、前記第2の導体パターンにおける前記レーザ素子が実装された領域の両側に配置されており、前記絶縁基体の前記上面に形成された第3の導体パターンをさらに備えており、該第3の導体パターンに接地電位が与えられる。
本発明は、上記構成において、前記第1の導体パターンが、前記前記第2の導体パターンの両側に配置されている。
本発明は、上記構成において、前記第1の導体パターンに、前記レーザ素子に供給される電流より高い電流が与えられる。
本発明は、絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に形成された第1の導体パターンと、前記絶縁基板の前記上面に前記第1の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第2の導体パターンとを備えていることにより、レーザ装置の高出力化を達成することができるとともに、レーザ素子が搭載される第2の導体パターンの端部におけるバリなどの発生を低減させてレーザ装置の発光特性を向上させることができる。
本発明のレーザ装置について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のレーザ装置の構成を示す斜視図である。図2は、図1に示したレーザ装置の平面図である。図3は、図1に示したレーザ装置の断面図である。本実施の形態のレーザ装置は、基板1と、基板1に実装されたレーザ素子2とを備えている。
基板1は、絶縁基体3と、絶縁基体3の上面(図面において)に形成された第1の導体パターン4と、絶縁基体3の上面に形成された第2の導体パターン5とを備えている。基板1は、さらに第3の導体パターン6を備えている。
第1の導体パターン4には、半導体素子2に供給される電流より高い電流が供給される。この第1の導体パターン4は、絶縁基体3の上面の中央を横切るように配置された第2の導体パターン4の両側に配置されている。
第2の導体パターン5は、第1の導体パターン4より膜厚が薄く形成されている。レーザ素子2は、この第2の導体パターン5上に搭載されている。ここで、近年のレーザ装置の高出力化によって、レーザ素子の発光層を下側にしてレーザ素子の基板を上側にして実装する構成が求められている。そして、レーザ装置の発光特性をさらに向上させるために、レーザ素子を基板のより端部側に実装させる必要がある。
ここで、図4を用いてレーザ素子の実装構造について説明する。レーザ素子は、基板11と基板11に積層されたN型層およびP型層とからなる。N型層12とP型層14との間が発光層13である。本実施の形態のレーザ装置において、レーザ素子2は、P型層14を下側にして(図面において)基板11を上側にして(図面において)、第2の導体パターン5上に実装されている。
本実施の形態において、第1の導体パターン4は、第2の導体パターン5の両側に配置されている。第3の導体パターン6は、第2の導体パターン6の両側に配置されている。本実施の形態において、第3の導体パターン6は、第2の導体パターン5におけるレーザ素子2が実装された領域の両側に配置されている。この第3の導体パターンには、接地電位が与えられる。
本発明のレーザ装置は、レーザ素子2が実装される第2の導体パターンの膜厚が、レーザ素子に供給される電流より高い電流が供給される第1の導体パターン4の膜厚より薄く形成されていることにより、第2の導体パターンの端部におけるバリなどの発生を低減させて、レーザ装置の発光特性を向上させることができる。
1 基板
2 レーザ素子
3 絶縁基体
4 第1の導体パターン
5 第2の導体パターン
6 第3の導体パターン
2 レーザ素子
3 絶縁基体
4 第1の導体パターン
5 第2の導体パターン
6 第3の導体パターン
Claims (8)
- 絶縁基体と、
前記絶縁基体の上面に形成された第1の導体パターンと、
前記絶縁基板の前記上面に前記第1の導体パターンより膜厚が薄く形成されており、レーザ素子が実装される第2の導体パターンと、
を備えたレーザ素子搭載用基板。 - 前記第1の導体パターンが、前記第2の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項1記載のレーザ素子搭載用基板。
- 前記絶縁基体の前記上面に形成されており、接地電位が与えられる第3の導体パターンをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のレーザ素子搭載用基板。
- 前記第3の導体パターンが、前記第2の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項3記載のレーザ素子搭載用基板。
- 請求項1記載のレーザ素子搭載用基板と、
前記レーザ素子搭載用基板の前記第2の導体パターン上に実装されたレーザ素子と、
を備えたレーザ装置。 - 前記第2の導体パターンにおける前記レーザ素子が実装された領域の両側に配置されており、前記絶縁基体の前記上面に形成された第3の導体パターンをさらに備えており、
該第3の導体パターンに接地電位が与えられることを特徴とする請求項5記載のレーザ装置。 - 前記第1の導体パターンが、前記前記第2の導体パターンの両側に配置されていることを特徴とする請求項6記載のレーザ装置。
- 前記第1の導体パターンに、前記レーザ素子に供給される電流より高い電流が与えられることを特徴とする請求項5記載のレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006348936A JP2008159970A (ja) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | レーザ素子搭載用基板およびレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006348936A JP2008159970A (ja) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | レーザ素子搭載用基板およびレーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159970A true JP2008159970A (ja) | 2008-07-10 |
Family
ID=39660533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006348936A Pending JP2008159970A (ja) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | レーザ素子搭載用基板およびレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008159970A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009034702A1 (ja) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Panasonic Corporation | リーダライタ装置及びそのリーダライタ装置を用いた認証システム |
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006348936A patent/JP2008159970A/ja active Pending
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WO2009034702A1 (ja) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Panasonic Corporation | リーダライタ装置及びそのリーダライタ装置を用いた認証システム |
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