JP2008152869A - Heat assist magnetic head - Google Patents

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幸司 島沢
Kosuke Tanaka
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    • G11B2005/0021Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat assist magnetic head or the like capable of applying a conventional magnetic recording element manufacturing method and improving the yield at manufacturing and the reliability at operation. <P>SOLUTION: A side light emitting element 40 is formed to emit light in -Z direction. The light emitting element 40 has an element side 403 adjoining the main surface 411 of the insulation layer 41 and a surface 402 facing the recessed surface 412 of the insulation layer 41. This light emitting element 40 is put on the recessed surface 412 through a second electrode 49 and a first electrode 42a (47) is interposed between the main surface 411 and the element side 403. The light emitting element 40 has a first electrode 42a (47) and a second electrode 49 on the element side 403 and the facing surface 402 respectively so that light can be emitted by the current when a voltage is applied between those electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ(HGA)及びこのHGAを備えたハードディスク装置に関する。   The present invention relates to a thermally assisted magnetic head for writing signals by a thermally assisted magnetic recording system, a head gimbal assembly (HGA) including the thermally assisted magnetic head, and a hard disk device including the HGA.

ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗(MR)効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。   As the recording density of hard disk drives increases, further improvements in performance of thin film magnetic heads are required. As the thin film magnetic head, a composite thin film magnetic head having a structure in which a magnetic detection element such as a magnetoresistive (MR) effect element and a magnetic recording element such as an electromagnetic coil element are laminated is widely used. Data signals are read from and written to a magnetic disk that is a magnetic recording medium.

一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、1つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。   Generally, a magnetic recording medium is a discontinuous body in which magnetic fine particles are aggregated, and each magnetic fine particle has a single magnetic domain structure. Here, one recording bit is composed of a plurality of magnetic fine particles. Therefore, in order to increase the recording density, the magnetic fine particles must be made smaller to reduce the irregularities at the boundaries of the recording bits. However, if the magnetic fine particles are made smaller, a decrease in the thermal stability of magnetization accompanying volume reduction becomes a problem.

磁化の熱安定性の目安は、KV/kTで与えられる。ここで、Kは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Vは1つの磁性微粒子の体積、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにVを小さくすることであり、そのままではKV/kTが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にKを大きくすることが考えられるが、このKの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。 A measure of the thermal stability of magnetization is given by K U V / k B T. Here, K U is the magnetic anisotropy energy, V the magnetic microparticle volume of one magnetic particle, k B the Boltzmann constant, T is the absolute temperature. Making the magnetic fine particles smaller means exactly reducing V, and if it is left as it is, K U V / k B T becomes smaller and thermal stability is impaired. As a countermeasure to this problem, it is conceivable to increase the K U simultaneously, increase in K U results in an increase in the coercive force of the recording medium. On the other hand, the write magnetic field strength by the magnetic head is almost determined by the saturation magnetic flux density of the soft magnetic material constituting the magnetic pole in the head. Therefore, if the coercive force exceeds an allowable value determined from the limit of the write magnetic field strength, writing becomes impossible.

このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、Kの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅(記録幅)に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅(記録幅)とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。 As a method for solving such a magnetization of the thermal stability problems, while the use of large magnetic material K U, by applying heat to the recording medium immediately before the write magnetic field is applied, the write to reduce the coercive force A so-called heat-assisted magnetic recording system has been proposed. This method is roughly classified into a magnetic dominant recording method and an optical dominant recording method. In the magnetic dominant recording system, the main subject of writing is an electromagnetic coil element, and the radiation diameter of light is larger than the track width (recording width). On the other hand, in the optical dominant recording method, the main subject of writing is the light emitting portion, and the light emission diameter is substantially the same as the track width (recording width). In other words, the magnetic dominant recording system provides spatial resolution to the magnetic field, whereas the optical dominant recording system provides spatial resolution to the light.

このような熱アシスト磁気ヘッド記録装置として、特許文献1〜7及び非特許文献1には、磁界を発生する磁気記録素子を備えたスライダとは離れた位置に半導体レーザ等の光源を設け、この光源からの光を光ファイバやレンズ等を介してスライダの媒体対向面まで導く構造が開示されている。   As such heat-assisted magnetic head recording devices, Patent Documents 1 to 7 and Non-Patent Document 1 provide a light source such as a semiconductor laser at a position away from a slider provided with a magnetic recording element that generates a magnetic field. A structure in which light from a light source is guided to a medium facing surface of a slider via an optical fiber, a lens, or the like is disclosed.

また、特許文献8〜11及び非特許文献2には、スライダの側面に磁気記録素子及び光源を集積した熱アシスト磁気ヘッドや、スライダの媒体対向面に磁気記録素子及び光源を集積した熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。   Patent Documents 8 to 11 and Non-Patent Document 2 disclose a thermally assisted magnetic head in which a magnetic recording element and a light source are integrated on a side surface of a slider, and a thermally assisted magnetic element in which a magnetic recording element and a light source are integrated on a medium facing surface of the slider. A head is disclosed.

また、高効率集光素子であるSIL(Solid Immersion Lens)や近接場光(Near-Field Light)の発生素子であるプラズモン・プローブを用いた磁気ヘッドの研究も行われている。特許文献12には、平面導波路の先端にプラズモン・プローブを設けた装置が開示されている。
国際公開WO92/02931号パンフレット(特表平6−500194号公報) 国際公開WO98/09284号パンフレット(特表2002−511176号公報) 特開平10−162444号公報 国際公開WO99/53482号パンフレット(特表2002−512725号公報) 特開2000−173093号公報 特開2002−298302号公報 特開2001−255254号公報 特開2001−283404号公報 特開2001−325756号公報 特開2004−158067号公報 特開2004−303299号公報 米国特許6,795,630号明細書 ShintaroMiyanishi他著 ”Near-field Assisted Magnetic Recording”IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS、2005年、第41巻、第10号、p.2817−2821 庄野敬二、押木満雅著 「熱アシスト磁気記録の現状と課題」 日本応用磁気学会誌、2005年、第29巻、第1号、p.5−13
In addition, research has been conducted on a magnetic head using a SIL (Solid Immersion Lens) which is a high-efficiency condensing element and a plasmon probe which is a near-field light generating element. Patent Document 12 discloses an apparatus in which a plasmon probe is provided at the tip of a planar waveguide.
International Publication WO92 / 02931 Pamphlet (Japanese Patent Publication No. 6-500194) International Publication WO 98/09284 Pamphlet (Japanese Patent Publication No. 2002-511176) JP-A-10-162444 International Publication No. WO99 / 53482 Pamphlet (Special Table 2002-512725) JP 2000-173093 A JP 2002-298302 A JP 2001-255254 A JP 2001-283404 A JP 2001-325756 A JP 2004-158067 A JP 2004-303299 A US Pat. No. 6,795,630 ShintaroMiyanishi et al. “Near-field Assisted Magnetic Recording” IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2005, Vol. 41, No. 10, p. 2817-2821 Koji Shono, Mitsumasa Oshiki “Current Status and Issues of Thermally Assisted Magnetic Recording” Journal of Japan Society of Applied Magnetics, 2005, Vol. 29, No. 1, p. 5-13

しかしながら、スライダからはるか遠く離れた場所に光源を配置すると、光を導くために光ファイバ、レンズ、ミラー等を長い距離にわたって使用せざるを得ず、光の伝播効率が大幅に低下するという問題が生じる。レーザダイオード等の発光素子をスライダの直上に配置し、スライダに導波路を設けて媒体対向面に入射光を導くようにすると、光の伝播効率は改善させることが可能である。ところが、発光素子へ電圧を印加するために発光素子の電極部にワイヤーを接続すると、ワイヤー接続時に発光素子に超音波を与える必要があるため、これにより発光素子が破壊される場合がある。また、ワイヤー接続後の発光素子のハンドリングや洗浄時にワイヤーが切断される恐れがある。このため、製品の製造時の歩留りが低下するという問題が生じる。また、ハードディスク装置の動作時にはHGAは高速で移動するため、ワイヤーが切断される恐れがあり、製品の信頼性が低下するという問題が生じる。   However, if the light source is arranged far away from the slider, an optical fiber, a lens, a mirror, etc. must be used over a long distance to guide the light, and the light propagation efficiency is greatly reduced. Arise. If a light emitting element such as a laser diode is disposed immediately above the slider and a waveguide is provided on the slider so as to guide incident light to the medium facing surface, the light propagation efficiency can be improved. However, when a wire is connected to the electrode portion of the light-emitting element in order to apply a voltage to the light-emitting element, it is necessary to apply ultrasonic waves to the light-emitting element when the wire is connected, which may destroy the light-emitting element. In addition, the wire may be cut during handling or cleaning of the light emitting element after the wire connection. For this reason, the problem that the yield at the time of manufacture of a product falls arises. Further, since the HGA moves at a high speed during the operation of the hard disk device, there is a possibility that the wire may be cut, resulting in a problem that the reliability of the product is lowered.

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、従来の磁気記録素子の製造方法を適用可能であって、動作時の信頼性の向上が可能な熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたHGA及びこのHGAを備えたハードディスク装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a heat-assisted magnetic head that can be applied with a conventional method of manufacturing a magnetic recording element and can improve reliability during operation. An object of the present invention is to provide an HGA including a magnetic head and a hard disk device including the HGA.

上述の課題を解決するため、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、媒体対向面、この媒体対向面の反対側に位置する第1面、及び媒体対向面と第1面との間に位置する側面を有するスライダ基板と、媒体対向面側に近接場光発生部が形成された光出射面と、近接場光発生部に近接した磁気記録素子とを有し、スライダ基板の側面の一つに固定された磁気ヘッド部と、第1面に固定された光源支持基板と、光出射面から出射する光を提供するように、光源支持基板の一側面に固定された発光素子と、を備え、光源支持基板の一側面は、主表面と、深部表面と、を有し、主表面と深部表面との間には段差が構成されており、主表面から深部表面に向かう方向は、発光素子の積層方向であり、発光素子は、深部表面に対向する対向面と、対向面の側方に位置する素子側面と、を有し、主表面と素子側面、深部表面と対向面との間には、それぞれ第1電極及び第2電極が介在していることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。   In order to solve the above-described problems, a thermally-assisted magnetic head according to the present invention is located between a medium facing surface, a first surface located on the opposite side of the medium facing surface, and between the medium facing surface and the first surface. A slider substrate having a side surface, a light emitting surface having a near-field light generating portion formed on the medium facing surface side, and a magnetic recording element in the vicinity of the near-field light generating portion. A fixed magnetic head unit, a light source support substrate fixed to the first surface, and a light emitting element fixed to one side surface of the light source support substrate so as to provide light emitted from the light output surface, One side surface of the light source support substrate has a main surface and a deep surface, and a step is formed between the main surface and the deep surface, and the direction from the main surface toward the deep surface is the direction of the light emitting element. The light-emitting element is a stacking direction. And a first electrode and a second electrode interposed between the main surface and the element side surface, and the deep surface and the opposite surface, respectively. head.

光源支持基板には発光素子が固定されており、スライダ基板の第1面は光源支持基板の第2面に固定されている。したがって、スライダ基板と発光素子との位置関係が固定される。   The light emitting element is fixed to the light source support substrate, and the first surface of the slider substrate is fixed to the second surface of the light source support substrate. Therefore, the positional relationship between the slider substrate and the light emitting element is fixed.

すなわち、この熱アシスト磁気ヘッドによれば、発光素子から出射された光は、媒体対向面に設けられた光出射面の近接場光発生部から出射し、磁気記録媒体に照射される。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の記録領域の温度が上昇し、当該記録領域の保持力が一時的に低下する。この保持力の低下期間内に磁気記録素子に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。   That is, according to this heat-assisted magnetic head, the light emitted from the light emitting element is emitted from the near-field light generating portion of the light emitting surface provided on the medium facing surface, and is irradiated onto the magnetic recording medium. Therefore, the temperature of the recording area of the magnetic recording medium facing the medium facing surface rises, and the holding force of the recording area temporarily decreases. Information can be written in the recording area by energizing the magnetic recording element and generating a writing magnetic field within the period of decrease in the holding force.

また、発光素子には、素子側面と対向面にそれぞれ第1電極と第2電極が設けられており、これらの間に電圧を印加すれば、この素子に通電を行われ、素子を発光させることができる。発光素子は、光源支持基板の深部表面上に第2電極を介して載置されており、光源支持基板の主表面と素子側面との間には第1電極が介在している。この構造により、発光素子に電圧を印加するためのワイヤーを接続する必要がなくなるため、製造時の歩留りの向上が可能となっている。また、この構造の場合、ワイヤーを用いたものと比較して、素子間の特性を均一化することができる。   The light emitting element is provided with a first electrode and a second electrode on the element side surface and the opposite surface, respectively, and when a voltage is applied between them, the element is energized to cause the element to emit light. Can do. The light emitting element is mounted on the deep surface of the light source support substrate via the second electrode, and the first electrode is interposed between the main surface of the light source support substrate and the element side surface. With this structure, it is not necessary to connect a wire for applying a voltage to the light emitting element, so that the yield in manufacturing can be improved. Moreover, in the case of this structure, the characteristic between elements can be equalized compared with the thing using a wire.

また、発光素子を固定する光源支持基板には段差が設けられており、深部表面上に発光素子を載置すると、発光素子の素子側面が光源支持基板の主表面に隣接することになるので、第1電極をこれらの間に容易に介在させ、電気的接続を行うことができる。   In addition, the light source support substrate for fixing the light emitting element is provided with a step, and when the light emitting element is placed on the deep surface, the element side surface of the light emitting element is adjacent to the main surface of the light source support substrate. The first electrode can be easily interposed between them to make electrical connection.

また、磁気ヘッド部は、光出射面と、第1面側に形成された光入射面とを含む平面導波路のコアをさらに有し、発光素子は、光入射面に対向することが好ましい。発光素子はコアの光入射面に対向しているので、従来のような長距離の光伝播は行われず、取り付け誤差や光の結合損失を許容して、発光素子の出射光を媒体対向面まで導くことができる。   The magnetic head unit preferably further includes a planar waveguide core including a light emitting surface and a light incident surface formed on the first surface side, and the light emitting element preferably faces the light incident surface. Since the light emitting element faces the light incident surface of the core, long-distance light propagation is not performed as in the conventional case, and mounting light and coupling loss of light are allowed, and the light emitted from the light emitting element reaches the medium facing surface. Can lead.

本発明に係るHGAは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えることが好ましく、本発明に係るハードディスク装置は、上記HGAと、媒体対向面に対向する磁気記録媒体とを備えることが好ましい。   The HGA according to the present invention preferably includes the above-described thermally-assisted magnetic head and a suspension that supports the thermally-assisted magnetic head. The hard disk device according to the present invention includes the HGA and a magnetic recording that faces the medium facing surface. And a medium.

上記熱アシスト磁気ヘッドを備えたHGA及びハードディスク装置では、端面発光型発光素子に電圧を印加するためのワイヤーによる接続を行っていないため、製造時の歩留りの向上が可能であり、動作時にワイヤーが切断するという問題点も無いため、信頼性の向上が可能である。   In the HGA and hard disk drive equipped with the heat-assisted magnetic head, since the connection for applying a voltage to the edge-emitting light emitting element is not performed, the yield during manufacturing can be improved, and the wire is not used during operation. Since there is no problem of cutting, reliability can be improved.

本発明の熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたHGA及びハードディスク装置によれば、動作時の信頼性の向上が可能となる。   According to the thermally-assisted magnetic head of the present invention, and the HGA and hard disk device including the thermally-assisted magnetic head, the reliability during operation can be improved.

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。(ハードディスク装置)
図1は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated in detail, referring an accompanying drawing. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals. Further, the dimensional ratios in the components and between the components in the drawings are arbitrary for easy viewing of the drawings. (Hard disk device)
FIG. 1 is a perspective view of a hard disk device according to an embodiment.

ハードディスク装置1は、スピンドルモータ11の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク10、熱アシスト磁気ヘッド21をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置12、この熱アシスト磁気ヘッド21の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するための記録再生及び発光制御回路(制御回路)13を備えている。   The hard disk device 1 includes a magnetic disk 10 that is a plurality of magnetic recording media rotating around a rotation axis of a spindle motor 11, an assembly carriage device 12 for positioning a heat-assisted magnetic head 21 on a track, and the heat-assisted magnetic head. A recording / reproducing and light emission control circuit (control circuit) 13 is provided for controlling the writing and reading operations of 21 and controlling a laser diode which is a light source for generating laser light for heat-assisted magnetic recording, which will be described in detail later. Yes.

アセンブリキャリッジ装置12には、複数の駆動アーム14が設けられている。これらの駆動アーム14は、ボイスコイルモータ(VCM)15によってピボットベアリング軸16を中心にして揺動可能であり、この軸16に沿った方向に積層されている。各駆動アーム14の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ(HGA)17が取り付けられている。各HGA17には、熱アシスト磁気ヘッド21が、各磁気ディスク10の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク10の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド21の媒体対向面S(エアベアリング面とも呼ばれる)である。なお、磁気ディスク10、駆動アーム14、HGA17及び熱アシスト磁気ヘッド21は、単数であってもよい。
(HGA)
図2は、HGA17の斜視図である。同図は、HGA17の媒体対向面Sを上にして示してある。
The assembly carriage device 12 is provided with a plurality of drive arms 14. These drive arms 14 can swing around a pivot bearing shaft 16 by a voice coil motor (VCM) 15 and are stacked in a direction along the shaft 16. A head gimbal assembly (HGA) 17 is attached to the tip of each drive arm 14. Each HGA 17 is provided with a heat-assisted magnetic head 21 so as to face the surface of each magnetic disk 10. A surface facing the surface of the magnetic disk 10 is a medium facing surface S (also referred to as an air bearing surface) of the heat-assisted magnetic head 21. The magnetic disk 10, the drive arm 14, the HGA 17, and the heat-assisted magnetic head 21 may be singular.
(HGA)
FIG. 2 is a perspective view of the HGA 17. This figure shows the HGA 17 with the medium facing surface S facing up.

HGA17は、サスペンション20の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド21を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド21の端子電極に配線部材203の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション20は、ロードビーム200と、このロードビーム200上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ201と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部204と、ロードビーム200の基部に設けられたベースプレート202と、フレクシャ201上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材203とから主として構成されている。   The HGA 17 is configured by fixing the thermally assisted magnetic head 21 to the tip of the suspension 20 and electrically connecting one end of the wiring member 203 to the terminal electrode of the thermally assisted magnetic head 21. The suspension 20 includes a load beam 200, an elastic flexure 201 fixed and supported on the load beam 200, a tongue portion 204 formed in a leaf spring shape at the tip of the flexure, and a base of the load beam 200. It is mainly configured by a base plate 202 provided and a wiring member 203 which is provided on the flexure 201 and is composed of a lead conductor and connection pads electrically connected to both ends thereof.

なお、HGA17におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション20の途中にヘッド駆動用ICチップを装着してもよい。
(熱アシスト磁気ヘッド)
図3は、図1に示した熱アシスト磁気ヘッド21の近傍の拡大斜視図である。
It is obvious that the suspension structure in the HGA 17 is not limited to the structure described above. Although not shown, a head driving IC chip may be mounted in the middle of the suspension 20.
(Thermally assisted magnetic head)
FIG. 3 is an enlarged perspective view of the vicinity of the heat-assisted magnetic head 21 shown in FIG.

配線部材203は、記録信号用の一対の電極パッド237、237、読出信号用の一対の電極パッド238、238、光源駆動用の一対の電極パッド247、248に接続されている。   The wiring member 203 is connected to a pair of electrode pads 237 and 237 for recording signals, a pair of electrode pads 238 and 238 for readout signals, and a pair of electrode pads 247 and 248 for driving a light source.

熱アシスト磁気ヘッド21は、スライダ22と、光源支持基板230及び熱アシスト磁気記録用の光源となる端面発光型のレーザダイオード素子(発光素子)40を備えた光源ユニット23とが、スライダ基板220の背面(第1面)2201及び光源支持基板230の接着面(第2面)2300を接面させて接着、固定された構成を有している。   The heat-assisted magnetic head 21 includes a slider 22, a light source unit 23 including a light source support substrate 230 and an edge-emitting laser diode element (light-emitting element) 40 serving as a light source for heat-assisted magnetic recording. The back surface (first surface) 2201 and the adhesion surface (second surface) 2300 of the light source support substrate 230 are in contact with each other to be bonded and fixed.

ここで、スライダ基板220の背面2201は、スライダ22の媒体対向面Sとは反対側の面である。また、光源支持基板230の底面2301がフレクシャ201のタング部204に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。   Here, the back surface 2201 of the slider substrate 220 is a surface opposite to the medium facing surface S of the slider 22. In addition, the bottom surface 2301 of the light source support substrate 230 is bonded to the tongue portion 204 of the flexure 201 with, for example, an adhesive such as an epoxy resin.

スライダ22は、スライダ基板220及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部32を備えている。   The slider 22 includes a slider substrate 220 and a magnetic head unit 32 for writing and reading data signals.

スライダ基板220は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Sを有する。スライダ基板220は導電性のアルティック(Al−TiC)等から形成されている。 The slider substrate 220 has a plate-like shape and has a medium facing surface S processed so as to obtain an appropriate flying height. The slider substrate 220 is made of conductive Altic (Al 2 O 3 —TiC) or the like.

磁気ヘッド部32は、スライダ基板220の媒体対向面Sに対して略垂直な側面である集積面2202に形成されている。磁気ヘッド部32は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのMR効果素子33、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直(面内でも良い)磁気記録素子としての電磁コイル素子34、MR効果素子33及び電磁コイル素子34の間を通して設けられている平面導波路としての導波路(コア)35、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部(プラズモン・プローブ)36、及び、これらMR効果素子33、電磁コイル素子34、コア35及び近接場光発生部36を覆うように集積面2202上に形成された絶縁層(クラッド)38とを備えている。   The magnetic head portion 32 is formed on the integration surface 2202 that is a side surface substantially perpendicular to the medium facing surface S of the slider substrate 220. The magnetic head unit 32 includes an MR effect element 33 as a magnetic detection element for detecting magnetic information, an electromagnetic coil element 34 as a perpendicular (or in-plane) magnetic recording element for writing magnetic information by generating a magnetic field, and an MR effect element 33. And a waveguide (core) 35 as a planar waveguide provided between the magnetic coil element 34 and a near-field light generator (plasmon probe) for generating near-field light for heating the recording layer portion of the magnetic disk ) 36 and an insulating layer (clad) 38 formed on the integration surface 2202 so as to cover the MR effect element 33, the electromagnetic coil element 34, the core 35, and the near-field light generating part 36.

更に、磁気ヘッド部32は、絶縁層38の露出面上に形成され、MR効果素子33の入出力端子にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド371、371、電磁コイル素子34の両端にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド373、373、及び、スライダ基板220と電気的に接続されたグランド用の電極パッド375を備えている。ビアホール375aを介して、スライダ基板220と電気的に接続された電極パッド375は、フレクシャ201の電極パッド247と、ボンディングワイヤにより接続されており、スライダ基板220の電位は電極パッド247により、例えばグラウンド電位に制御されている。   Further, the magnetic head portion 32 is formed on the exposed surface of the insulating layer 38 and is connected to the input / output terminals of the MR effect element 33 and connected to both ends of the pair of signal terminals 371 and 371 and the electromagnetic coil element 34. Are provided with a pair of signal terminal electrode pads 373 and 373 and a ground electrode pad 375 electrically connected to the slider substrate 220. The electrode pad 375 electrically connected to the slider substrate 220 through the via hole 375a is connected to the electrode pad 247 of the flexure 201 by a bonding wire. The potential of the slider substrate 220 is, for example, grounded by the electrode pad 247. Controlled to potential.

MR効果素子33、電磁コイル素子34、及び近接場光発生部36の各端面は、媒体対向面S上に露出している。また、端面発光型の発光素子40を構成する複数の層の積層方向の両端は、それぞれ電極パッド47,48に電気的に接続されている。   The end surfaces of the MR effect element 33, the electromagnetic coil element 34, and the near-field light generator 36 are exposed on the medium facing surface S. Further, both ends in the stacking direction of a plurality of layers constituting the edge-emitting light emitting element 40 are electrically connected to electrode pads 47 and 48, respectively.

図4は、図3に示した熱アシスト磁気ヘッド21のIV−IV矢印断面図である。   4 is a cross-sectional view of the thermally assisted magnetic head 21 shown in FIG.

MR効果素子33は、MR積層体332と、このMR積層体332を挟む位置に配置されている下部シールド層330及び上部シールド層334とを含む。下部シールド層330及び上部シールド層334は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ0.5〜3μm程度のNiFe、CoFeNi、CoFe、FeN若しくはFeZrN等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層334及び330は、MR積層体332が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。   The MR effect element 33 includes an MR multilayer 332 and a lower shield layer 330 and an upper shield layer 334 disposed at positions sandwiching the MR multilayer 332. The lower shield layer 330 and the upper shield layer 334 are made of a magnetic material such as NiFe, CoFeNi, CoFe, FeN, or FeZrN having a thickness of about 0.5 to 3 μm formed by a pattern plating method including a frame plating method, for example. can do. The upper and lower shield layers 334 and 330 prevent the MR multilayer 332 from being affected by an external magnetic field that causes noise.

MR積層体332は、面内通電型(CIP(Current In Plane))巨大磁気抵抗(GMR(Giant Magneto Resistance))多層膜、垂直通電型(CPP(Current Perpendicular to Plane))GMR多層膜、又はトンネル磁気抵抗(TMR(Tunnel Magneto Resistance))多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。   The MR multilayer 332 is composed of an in-plane energization type (CIP (Current In Plane)) giant magnetoresistance (GMR (Giant Magneto Resistance)) multilayer film, a vertical energization type (CPP (Current Perpendicular to Plane)) GMR multilayer film, or a tunnel. It includes a magnetoresistive film such as a magnetoresistive (TMR (Tunnel Magneto Resistance)) multilayer film, and senses a signal magnetic field from a magnetic disk with very high sensitivity.

MR積層体332は、例えば、TMR効果多層膜を含む場合、IrMn、PtMn、NiMn、RuRhMn等からなる厚さ5〜15nm程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるCoFe等、又はRu等の非磁性金属層を挟んだ2層のCoFe等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばAl、AlCu等からなる厚さ0.5〜1nm程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ1nm程度のCoFe等と厚さ3〜4nm程度のNiFe等との2層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。   When the MR multilayer 332 includes, for example, a TMR effect multilayer film, the antiferromagnetic layer having a thickness of about 5 to 15 nm made of IrMn, PtMn, NiMn, RuRhMn, and the like, and CoFe that is a ferromagnetic material, for example, or Ru A magnetization pinned layer composed of two layers of CoFe or the like with a nonmagnetic metal layer or the like sandwiched therebetween and the magnetization direction of which is pinned by an antiferromagnetic layer, and a thickness of 0.5 to 1 nm made of, for example, Al or AlCu A tunnel barrier layer made of a non-magnetic dielectric material in which a metal film of a degree is oxidized by oxygen introduced into the vacuum apparatus or by natural oxidation, and a CoFe having a thickness of about 1 nm, for example, a ferromagnetic material, A magnetization free layer that is composed of a two-layer film of about 4 nm of NiFe or the like and that forms a tunnel exchange coupling with the magnetization fixed layer via the tunnel barrier layer is sequentially laminated. Have a structure.

MR効果素子33と導波路35との間には、下部シールド層330と同様の材料からなる素子間シールド層148が形成されている。素子間シールド層148は、MR効果素子33を、電磁コイル素子34より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。また、素子間シールド層148と導波路35との間に、さらに、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁コイル素子34から発生してMR効果素子33の上下部電極層を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み又は消去動作である広域隣接トラック消去(WATE)現象の抑制を図るものである。   An inter-element shield layer 148 made of the same material as that of the lower shield layer 330 is formed between the MR effect element 33 and the waveguide 35. The inter-element shield layer 148 plays a role of blocking the MR effect element 33 from the magnetic field generated by the electromagnetic coil element 34 and preventing external noise during reading. Further, a backing coil portion may be further formed between the inter-element shield layer 148 and the waveguide 35. The backing coil section generates a magnetic flux that is generated from the electromagnetic coil element 34 and cancels the magnetic flux loop passing through the upper and lower electrode layers of the MR effect element 33, and is a wide adjacent track that is an unnecessary write or erase operation on the magnetic disk. This is intended to suppress the erasing (WAIT) phenomenon.

MR積層体332の媒体対向面Sとは反対側のシールド層330、334間、シールド層330、334、148の媒体対向面Sとは反対側、下部シールド層330とスライダ基板220との間、及び、素子間シールド層148と導波路35との間にはアルミナ等から形成された絶縁層38が形成されている。   Between the shield layer 330 334 opposite to the medium facing surface S of the MR stack 332, between the shield layer 330 334 148 opposite to the medium facing surface S, between the lower shield layer 330 and the slider substrate 220, An insulating layer 38 made of alumina or the like is formed between the inter-element shield layer 148 and the waveguide 35.

なお、MR積層体332がCIP−GMR多層膜を含む場合、上下部シールド層334及び330の各々とMR積層体332との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、MR積層体332にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのMRリード導体層が形成される。一方、MR積層体332がCPP−GMR多層膜又はTMR多層膜を含む場合、上下部シールド層334及び330はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とMRリード導体層とは不要であって省略される。   When the MR multilayer 332 includes a CIP-GMR multilayer film, an insulating upper and lower shield made of alumina or the like is formed between each of the upper and lower shield layers 334 and 330 and the MR multilayer 332. Each gap layer is provided. Further, although not shown, an MR lead conductor layer for supplying a sense current to the MR multilayer 332 and taking out a reproduction output is formed. On the other hand, when the MR multilayer 332 includes a CPP-GMR multilayer film or a TMR multilayer film, the upper and lower shield layers 334 and 330 also function as upper and lower electrode layers, respectively. In this case, the upper and lower shield gap layers and the MR lead conductor layer are unnecessary and are omitted.

MR積層体332のトラック幅方向の両側には、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、CoTa,CoCrPt,CoPt等の強磁性材料からなるハードバイアス層(図示せず)が形成される。   A hard bias layer (not shown) made of a ferromagnetic material such as CoTa, CoCrPt, or CoPt for applying a longitudinal bias magnetic field for stabilizing the magnetic domain is formed on both sides in the track width direction of the MR multilayer 332. Is done.

電磁コイル素子34は、垂直磁気記録用が好ましく、図4に示すように、主磁極層340、ギャップ層341a、コイル絶縁層341b、コイル層342、及び補助磁極層344を備えている。   The electromagnetic coil element 34 is preferably for perpendicular magnetic recording, and includes a main magnetic pole layer 340, a gap layer 341a, a coil insulating layer 341b, a coil layer 342, and an auxiliary magnetic pole layer 344, as shown in FIG.

主磁極層340は、コイル層342によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク(媒体)の記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層340の媒体対向面S側の端部のトラック幅方向(図4の紙面奥行き方向)の幅及び積層方向(図4の左右方向)の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。   The main magnetic pole layer 340 is a magnetic path for guiding the magnetic flux induced by the coil layer 342 while converging it to the recording layer of the magnetic disk (medium) on which writing is performed. Here, the width in the track width direction (the depth direction in the drawing in FIG. 4) and the thickness in the stacking direction (the left-right direction in FIG. 4) of the end of the main magnetic pole layer 340 on the medium facing surface S side are compared with those in other portions. It is preferable to make it small. As a result, it is possible to generate a fine and strong write magnetic field corresponding to high recording density.

主磁極層340に磁気的に結合した補助磁極層344の媒体対向面S側の端部は、補助磁極層344の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層344は、主磁極層340の媒体対向面S側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層(クラッド)341a,コイル絶縁層341bを介して対向している。このような補助磁極層344を設けることによって、媒体対向面S近傍における補助磁極層344と主磁極層340との間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。   The end portion on the medium facing surface S side of the auxiliary magnetic pole layer 344 magnetically coupled to the main magnetic pole layer 340 forms a trailing shield part having a wider layer cross section than the other part of the auxiliary magnetic pole layer 344. The auxiliary magnetic pole layer 344 faces the end of the main magnetic pole layer 340 on the medium facing surface S side via a gap layer (cladding) 341a and a coil insulating layer 341b formed of an insulating material such as alumina. By providing such an auxiliary magnetic pole layer 344, the magnetic field gradient between the auxiliary magnetic pole layer 344 and the main magnetic pole layer 340 in the vicinity of the medium facing surface S becomes steeper. As a result, the jitter of the signal output is reduced, and the error rate at the time of reading can be reduced.

補助磁極層344は、例えば、厚さ約0.5〜約5μmの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたNi、Fe及びCoのうちいずれか2つ若しくは3つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。   The auxiliary magnetic pole layer 344 is, for example, an alloy made of any two or three of Ni, Fe, and Co formed by using, for example, a frame plating method, a sputtering method or the like with a thickness of about 0.5 to about 5 μm. Or an alloy containing these as a main component and a predetermined element added thereto.

ギャップ層341aは、コイル層342と主磁極層340とを離間しており、例えば、厚さ約0.01〜約0.5μmの、例えばスパッタリング法、CVD法等を用いて形成されたAl又はDLC(ダイヤモンドライクカーボン)等から構成されている。 The gap layer 341a separates the coil layer 342 and the main magnetic pole layer 340. For example, Al 2 having a thickness of about 0.01 to about 0.5 μm and formed using, for example, a sputtering method, a CVD method, or the like. O 3 or DLC is composed of (diamond-like carbon) or the like.

コイル層342は、例えば、厚さ約0.5〜約3μmの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたCu等から構成されている。主磁極層340の後端と補助磁極層344の媒体対向面Sから離れた部分とが結合され、コイル層342はこの結合部分を取り囲むように形成されている。   The coil layer 342 is made of, for example, Cu having a thickness of about 0.5 to about 3 μm and formed by using, for example, a frame plating method. The rear end of the main magnetic pole layer 340 and the portion of the auxiliary magnetic pole layer 344 away from the medium facing surface S are coupled, and the coil layer 342 is formed so as to surround the coupled portion.

コイル絶縁層341bは、コイル層342と、補助磁極層344とを離間し、例えば、厚さ約0.1〜約5μmの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。   The coil insulating layer 341b separates the coil layer 342 and the auxiliary magnetic pole layer 344, and is made of, for example, an electrically insulating material such as thermoset alumina or a resist layer having a thickness of about 0.1 to about 5 μm. .

導波路(コア)35は、MR効果素子33と電磁コイル素子34との間に位置していて集積面(YZ平面)2202と平行に延びており、磁気ヘッド部32の媒体対向面Sから、磁気ヘッド部32の媒体対向面Sとは反対側の面32aまで延びており、本例では矩形の板状のものである。コア35は、共に媒体対向面Sから延び、トラック幅方向において対向する2つの側面351a,351b、集積面2202と平行な2つの上面352a、下面352b、媒体対向面Sを形成する光出射面353、及び、光出射面353とは反対側の光入射面354を有している(図8参照)。導波路35の上面352a、下面352b、2つの側面351a、351bは、導波路35よりも屈折率が小さく導波路35に対するクラッドとして機能する絶縁層38と接している。   The waveguide (core) 35 is located between the MR effect element 33 and the electromagnetic coil element 34 and extends in parallel with the integration surface (YZ plane) 2202, and from the medium facing surface S of the magnetic head portion 32. The magnetic head portion 32 extends to a surface 32a opposite to the medium facing surface S, and in this example is a rectangular plate. The core 35 extends from the medium facing surface S and has two side surfaces 351a and 351b facing each other in the track width direction, two upper surfaces 352a and 352b parallel to the accumulation surface 2202, and a light emitting surface 353 that forms the medium facing surface S. And a light incident surface 354 opposite to the light emitting surface 353 (see FIG. 8). The upper surface 352a, the lower surface 352b, and the two side surfaces 351a and 351b of the waveguide 35 are in contact with an insulating layer 38 that has a refractive index smaller than that of the waveguide 35 and functions as a cladding for the waveguide 35.

導波路35の厚み方向をX軸、幅方向をY軸、長手方向をZ軸とした場合、レーザダイオード40の発光面からZ軸に沿って出射された光は、光入射面354に入射する。   When the thickness direction of the waveguide 35 is the X axis, the width direction is the Y axis, and the longitudinal direction is the Z axis, the light emitted from the light emitting surface of the laser diode 40 along the Z axis enters the light incident surface 354. .

この導波路35は、光入射面354から入射した光を、この両側面351a、351b、及び上面352a、下面352bで反射させつつ、媒体対向面S側の端面である光出射面353に導くことが可能となっている。コア35のトラック幅方向の幅は例えば、1〜200μmとすることができ、厚みは、例えば2〜10μmとすることができ、高さは10〜300μmとすることができる。   The waveguide 35 guides the light incident from the light incident surface 354 to the light emitting surface 353 which is the end surface on the medium facing surface S side while reflecting the light on the both side surfaces 351a and 351b and the upper surface 352a and the lower surface 352b. Is possible. The width of the core 35 in the track width direction can be, for example, 1 to 200 μm, the thickness can be, for example, 2 to 10 μm, and the height can be 10 to 300 μm.

コア35は、何れの部分においても、絶縁層38を形成する材料よりも高い屈折率nを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、クラッドとしての絶縁層38が、SiO(n=1.5)から形成されている場合、コア35は、Al(n=1.63)から形成されていてもよい。さらに、絶縁層38が、Al(n=1.63)から形成されている場合、コア35は、Ta(n=2.16)、Nb(n=2.33)、TiO(n=2.3〜2.55)又はTiO(n=2.3〜2.55)から形成されていてもよい。コア35をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。 The core 35 is made of a dielectric material having a refractive index n higher than that of the material forming the insulating layer 38, for example, using a sputtering method or the like in any part. For example, when the insulating layer 38 as a clad is formed from SiO 2 (n = 1.5), the core 35 may be formed from Al 2 O 3 (n = 1.63). Further, when the insulating layer 38 is made of Al 2 O 3 (n = 1.63), the core 35 is composed of Ta 2 O 5 (n = 2.16), Nb 2 O 5 (n = 2.2. 33), TiO (n = 2.3 to 2.55), or TiO 2 (n = 2.3 to 2.55). By configuring the core 35 with such a material, not only the good optical characteristics of the material itself but also the total reflection conditions at the interface are adjusted, so that the propagation loss of the laser light is reduced, and the near-field light is reduced. The generation efficiency is improved.

近接場光発生部36は、導波路35の光出射面353のほぼ中央に配置されている板状部材である。近接場光発生部36は、その端面が媒体対向面Sに露出するように導波路35の光出射面353に埋設されている。   The near-field light generating unit 36 is a plate-like member that is disposed substantially at the center of the light emitting surface 353 of the waveguide 35. The near-field light generating unit 36 is embedded in the light emitting surface 353 of the waveguide 35 so that the end surface thereof is exposed to the medium facing surface S.

磁気記録媒体は発光素子からの光を直接照射することによっても加熱されるが、本発明の熱アシスト磁気ヘッド21は、コア35の光出射面353に設けられた近接場光発生部36を備えている。この場合、これに端面発光型の発光素子40からの光が近接場光発生部36に照射されることで近接場光が発生する。近接場光発生部36に光を照射すると、近接場光発生部36を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。この近接場光の拡がりは、プラズモン・プローブ先端部の半径程度となるため、この先端部の半径をトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光が回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。   Although the magnetic recording medium is also heated by directly irradiating light from the light emitting element, the heat-assisted magnetic head 21 of the present invention includes a near-field light generating unit 36 provided on the light emitting surface 353 of the core 35. ing. In this case, near-field light is generated by irradiating the near-field light generator 36 with light from the edge-emitting light emitting element 40. When the near-field light generating part 36 is irradiated with light, electrons in the metal constituting the near-field light generating part 36 vibrate in plasma, and an electric field is concentrated at the tip part. Since the spread of the near-field light is about the radius of the tip of the plasmon probe, if the radius of the tip is set to be equal to or less than the track width, there is an effect that the emitted light is artificially narrowed to the diffraction limit or less. .

図5は、図4のV-V線端面図である。   FIG. 5 is an end view taken along line VV in FIG.

絶縁層41は、主表面411及び深部表面412を有しており、これらの面のX方向の位置の差によって段差S41が形成されている。   The insulating layer 41 has a main surface 411 and a deep surface 412, and a step S <b> 41 is formed by a difference in position in the X direction between these surfaces.

端面発光型の発光素子40は、図5の−X方向が素子の積層方向となり、−Z方向に光を出射するように設けられている。また、端面発光型の発光素子40は、絶縁層41の主表面411に隣接する素子側面403、及び絶縁層41の深部表面412に対向する対向面402(端面発光型の発光素子40のアノードの表面)を有している。発光素子40の形状は六面体である。本例では、この六面体は直方体を示すが、発光素子に用いる結晶構造や、そのダイシング方法によっては、これを斜方体などの平行六面体とすることもできる。導電性接着剤でもある電極42aは、段差上部の露出面401と素子側面403との間に介在している。   The edge-emitting light emitting element 40 is provided such that the −X direction in FIG. 5 is the stacking direction of the elements and emits light in the −Z direction. The edge-emitting light-emitting element 40 includes an element side surface 403 adjacent to the main surface 411 of the insulating layer 41 and a facing surface 402 facing the deep surface 412 of the insulating layer 41 (the anode of the edge-emitting light-emitting element 40). Surface). The shape of the light emitting element 40 is a hexahedron. In this example, this hexahedron indicates a rectangular parallelepiped, but depending on the crystal structure used for the light emitting element and its dicing method, it may be a parallelepiped such as a rhomboid. The electrode 42a, which is also a conductive adhesive, is interposed between the exposed surface 401 at the top of the step and the element side surface 403.

そして、主表面411上及び深部表面412上には幾つかの電極層が形成されるが、それぞれの露出表面間の距離S40は、発光素子40の積層方向の厚み(最大値)よりも小さい。なお、各電極層の厚みは薄いため、段差S41の距離(便宜上同一符号で示す)S41も、発光素子40の積層方向の厚み(最大値)よりも小さい。   Several electrode layers are formed on the main surface 411 and the deep surface 412. The distance S40 between the exposed surfaces is smaller than the thickness (maximum value) of the light emitting elements 40 in the stacking direction. In addition, since the thickness of each electrode layer is thin, the distance (shown by the same symbol for convenience) S41 of the step S41 is also smaller than the thickness (maximum value) of the light emitting element 40 in the stacking direction.

発光素子40は、深部表面412上に第2電極49を介して載置されており、主表面411と素子側面403との間には第1電極42a(47)が介在している。発光素子40には、素子側面403と対向面402にそれぞれ第1電極42a(47)と第2電極49が設けられており、これらの間に電圧を印加すれば、この素子に通電を行われ、素子を発光させることができる。なお、第2電極49と発光素子40との間には電極層としての半田層42が介在している。   The light emitting element 40 is placed on the deep surface 412 via the second electrode 49, and the first electrode 42 a (47) is interposed between the main surface 411 and the element side surface 403. The light emitting element 40 is provided with a first electrode 42a (47) and a second electrode 49 on the element side surface 403 and the opposing surface 402, respectively. When a voltage is applied between them, the element is energized. The element can emit light. A solder layer 42 as an electrode layer is interposed between the second electrode 49 and the light emitting element 40.

対向面402から第1電極42aと素子側面403との接触位置までの距離(最小値)は、対向面402から発光素子40の対向面402から最も遠いクラッド層40c(図11参照)までの距離以上の距離(=S40)よりも大きいことが好ましい。第1電極42a(47)と第2電極49に電圧を印加するのみで、クラッド層40cを介して発光素子の活性層に電流を供給することができる。すなわち、第1電極42aはクラッド層40cの側面に接触しており、電気的に接続されている。   The distance (minimum value) from the facing surface 402 to the contact position between the first electrode 42a and the element side surface 403 is the distance from the facing surface 402 to the cladding layer 40c farthest from the facing surface 402 of the light emitting element 40 (see FIG. 11). It is preferable that the distance is larger than the above distance (= S40). Only by applying a voltage to the first electrode 42a (47) and the second electrode 49, a current can be supplied to the active layer of the light emitting element via the cladding layer 40c. That is, the first electrode 42a is in contact with the side surface of the cladding layer 40c and is electrically connected.

この構造により、発光素子40に電圧を印加するためのワイヤーを接続する必要がなくなるため、製造時の歩留りの向上が可能となっている。また、この構造の場合、ワイヤーを用いたものと比較して、素子間の特性を均一化することができる。   With this structure, it is not necessary to connect a wire for applying a voltage to the light emitting element 40, so that the yield in manufacturing can be improved. Moreover, in the case of this structure, the characteristic between elements can be equalized compared with the thing using a wire.

発光素子40を固定する光源支持基板には段差S41が設けられており、深部表面412上に発光素子40を載置すると、発光素子40の素子側面403が主表面403に隣接することになるので、第1電極42aを、これらの間に容易に介在させ、電気的接続を行うことができる。   The light source support substrate that fixes the light emitting element 40 is provided with a step S41. When the light emitting element 40 is placed on the deep surface 412, the element side surface 403 of the light emitting element 40 is adjacent to the main surface 403. The first electrode 42a can be easily interposed between them to make electrical connection.

端面発光型の発光素子40の素子側面403は、半田層42a、電極パッド47を介して、光源支持基板230の主表面411に固定されている。発光素子40の対向面402は、半田層42、電極パッド49(第2電極)を介して、光源支持基板230の深部表面412に固定されている。   The element side surface 403 of the edge-emitting light emitting element 40 is fixed to the main surface 411 of the light source support substrate 230 via the solder layer 42 a and the electrode pad 47. The facing surface 402 of the light emitting element 40 is fixed to the deep surface 412 of the light source support substrate 230 via the solder layer 42 and the electrode pad 49 (second electrode).

絶縁層41の主表面411のうち、端面発光型の発光素子40よりもY方向の正側の領域には、端面発光型の発光素子40に電圧を印加するための電極パッド48が形成されている。この電極パッド48は、絶縁層41内に形成されたビアホール48a内のコンタクト48bを介して半田層42及び電極パッド49と電気的に接続されている。そのため、電極パッド47と電極パッド48間に電圧を印加すれば、端面発光型の発光素子40を発光させることが可能となっている。電極パッド47と電極パッド48は、それぞれ図3に示した電極パッド247,248に電気的に接続されている。   In the main surface 411 of the insulating layer 41, an electrode pad 48 for applying a voltage to the edge-emitting light emitting element 40 is formed in a region on the positive side in the Y direction from the edge-emitting light emitting element 40. Yes. The electrode pad 48 is electrically connected to the solder layer 42 and the electrode pad 49 via a contact 48 b in a via hole 48 a formed in the insulating layer 41. Therefore, when a voltage is applied between the electrode pad 47 and the electrode pad 48, the edge-emitting light emitting element 40 can emit light. The electrode pad 47 and the electrode pad 48 are electrically connected to the electrode pads 247 and 248 shown in FIG. 3, respectively.

また、端面発光型の発光素子40の素子側面403及び対向面402以外の表面は、他の部材と接していないことが好ましい。   Further, it is preferable that the surfaces other than the element side surface 403 and the facing surface 402 of the edge-emitting light emitting element 40 are not in contact with other members.

上述のような構成にすることにより、端面発光型の発光素子40への電気的接続に、ワイヤーを使用する必要がなくなる。このため、ワイヤー接続時に素子に与えられる超音波による素子の破壊等が防止される。また、最終製品であるHDDの製造時や動作時にワイヤーが切断するというトラブルも発生し得ない。従って、製品の製造時の歩留りが向上し、使用時の信頼性が向上する。   With the above-described configuration, it is not necessary to use a wire for electrical connection to the edge-emitting light emitting element 40. For this reason, destruction of the element by the ultrasonic wave given to the element at the time of wire connection is prevented. In addition, the trouble that the wire is cut at the time of manufacturing or operating the final product HDD cannot occur. Therefore, the yield at the time of manufacture of a product improves, and the reliability at the time of use improves.

また、本実施形態では、絶縁層41に形成された段差部分は絶縁性であるため、これが端面発光型の発光素子40のショートの原因となることもない。   Further, in the present embodiment, the stepped portion formed in the insulating layer 41 is insulative, and this does not cause a short circuit of the edge-emitting light emitting element 40.

図6は、熱アシスト磁気ヘッド21の回路図である。   FIG. 6 is a circuit diagram of the heat-assisted magnetic head 21.

配線部材203を構成する配線の1つは、電極パッド247及び電極パッド47及び半田層42aを介して発光素子40の素子側面403(図5参照)に電気的に接続されており、別の配線は電極パッド248及び電極パッド48を介して端面発光型の発光素子40の対向面(アノード)402に電気的に接続されている。電極パッド247,248間に駆動電流を供給すると端面発光型の発光素子40が発光する。この光は、平面導波路のコア及び媒体対向面Sを介して磁気記録媒体の記録領域に照射される。   One of the wirings constituting the wiring member 203 is electrically connected to the element side surface 403 (see FIG. 5) of the light emitting element 40 via the electrode pad 247, the electrode pad 47, and the solder layer 42a. Is electrically connected to the facing surface (anode) 402 of the edge-emitting light emitting element 40 through the electrode pad 248 and the electrode pad 48. When a driving current is supplied between the electrode pads 247 and 248, the edge-emitting light emitting element 40 emits light. This light is applied to the recording area of the magnetic recording medium through the core of the planar waveguide and the medium facing surface S.

配線部材203を構成する別の一対の配線は、電極パッド237、ボンディングワイヤBW及び電極パッド371を介して電磁コイル素子34の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド237間に電圧を印加すると、磁気記録素子としての電磁コイル素子34に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。熱アシスト磁気ヘッド21では、端面発光型の発光素子40から出射された光は、平面導波路のコア35の光入射面354(図3参照)に入射して、媒体対向面Sに設けられた光出射面から出射し、磁気記録媒体の記録領域に照射される。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の記録領域の温度が上昇し、記録領域の保持力が一時的に低下する。この保持力の低下期間内に電磁コイル素子34に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。   Another pair of wires constituting the wiring member 203 is connected to both ends of the electromagnetic coil element 34 via the electrode pad 237, the bonding wire BW, and the electrode pad 371, respectively. When a voltage is applied between the pair of electrode pads 237, the electromagnetic coil element 34 as a magnetic recording element is energized and a writing magnetic field is generated. In the heat-assisted magnetic head 21, the light emitted from the edge-emitting light emitting element 40 is incident on the light incident surface 354 (see FIG. 3) of the core 35 of the planar waveguide and is provided on the medium facing surface S. The light exits from the light exit surface and irradiates the recording area of the magnetic recording medium. Therefore, the temperature of the recording area of the magnetic recording medium facing the medium facing surface rises, and the holding power of the recording area temporarily decreases. Information can be written in the recording area by energizing the electromagnetic coil element 34 and generating a write magnetic field within the decrease period of the holding force.

配線部材203を構成する別の一対の配線は、電極パッド238、ボンディングワイヤBW及び電極パッド373を介してMR効果素子33の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド238に電圧を印加するとMR効果素子33にセンス電流が流れる。記録領域Rに書き込まれた情報は、MR効果素子33にセンス電流を流すことで読み出すことができる。   Another pair of wirings constituting the wiring member 203 is connected to both ends of the MR effect element 33 via the electrode pad 238, the bonding wire BW, and the electrode pad 373, respectively. When a voltage is applied to the pair of electrode pads 238, a sense current flows through the MR effect element 33. Information written in the recording region R can be read by passing a sense current through the MR effect element 33.

図7は、媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。   FIG. 7 is a plan view of the main part of the magnetic head viewed from the medium facing surface side.

リーディング側すなわちスライダ基板220側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように、媒体対向面S側の主磁極層340の先端は、先細り形状にされている。   The tip of the main magnetic pole layer 340 on the medium facing surface S side is tapered so that the length of the side on the leading side, that is, the side of the slider substrate 220 becomes an inverted trapezoid shorter than the length of the side on the trailing side. .

主磁極層340の媒体対向面側の端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、15°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミナントの場合には、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。   The end face of the main magnetic pole layer 340 on the medium facing surface side is provided with a bevel angle θ so that unnecessary writing or the like is not exerted on an adjacent track due to the influence of a skew angle generated by driving with a rotary actuator. The magnitude of the bevel angle θ is, for example, about 15 °. Actually, the write magnetic field is mainly generated in the vicinity of the long side on the trailing side. In the case of a magnetic dominant, the width of the write track is determined by the length of the long side.

ここで、主磁極層340は、例えば、媒体対向面S側の端部での全厚が約0.01〜約0.5μmであって、この端部以外での全厚が約0.5〜約3.0μmの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたNi、Fe及びCoのうちいずれか2つ若しくは3つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。また、トラック幅は、例えば、100nmとすることができる。   Here, the main magnetic pole layer 340 has, for example, a total thickness of about 0.01 to about 0.5 μm at the end on the medium facing surface S side, and a total thickness of other than this end is about 0.5. About 3.0 μm, for example, an alloy composed of any two or three of Ni, Fe and Co formed by using frame plating method, sputtering method or the like, or a predetermined element containing these as main components is added. It is preferable that it is comprised from the alloy etc. which were made. The track width can be set to 100 nm, for example.

以上の熱アシスト磁気ヘッド21は、媒体対向面S、媒体対向面Sの反対側に位置する第1面2201、及び媒体対向面Sと第1面2201との間に位置する側面(2202)を有するスライダ基板220と、媒体対向面S側に光出射面353を有する平面導波路のコア35と、光出射面353に近接した磁気記録素子34とを有し、スライダ基板220の側面(2202)の一つに固定された磁気ヘッド部32と、第1面2201に固定された第2面2300を有する光源支持基板230と、コア35の光入射面354に対向し、光源支持基板230に固定された端面発光型の発光素子40とを備えている(図4参照)。なお、近接とは光出射面353によって加熱された磁気記録媒体の記録領域が、元の温度に戻る前に磁気記録素子34からの磁界を当該記録領域に与えることが可能な距離である。また、コア35のX軸方向の厚みは一定であり、XY断面は四角形である。   The heat-assisted magnetic head 21 described above includes the medium facing surface S, the first surface 2201 positioned on the opposite side of the medium facing surface S, and the side surface (2202) positioned between the medium facing surface S and the first surface 2201. The slider substrate 220, the planar waveguide core 35 having the light exit surface 353 on the medium facing surface S side, and the magnetic recording element 34 adjacent to the light exit surface 353, and the side surface (2202) of the slider substrate 220. The light source support substrate 230 having the magnetic head part 32 fixed to one of the above, the second surface 2300 fixed to the first surface 2201, and the light incident surface 354 of the core 35, and fixed to the light source support substrate 230. The edge-emitting light emitting element 40 is provided (see FIG. 4). Note that the proximity means a distance at which the recording area of the magnetic recording medium heated by the light emitting surface 353 can apply a magnetic field from the magnetic recording element 34 to the recording area before returning to the original temperature. Further, the thickness of the core 35 in the X-axis direction is constant, and the XY cross section is a quadrangle.

光源支持基板230には端面発光型の発光素子40が固定されており、スライダ基板220の第1面2201は光源支持基板230の第2面2300に固定されているので、スライダ基板220と端面発光型の発光素子40との位置関係が固定される。端面発光型の発光素子40はコアの光入射面354に対向しているので、従来のような長距離の光伝播は行われず、取り付け誤差や光の結合損失を許容して、発光素子の出射光を媒体対向面まで導くことができる。   The edge-emitting light emitting element 40 is fixed to the light source support substrate 230, and the first surface 2201 of the slider substrate 220 is fixed to the second surface 2300 of the light source support substrate 230, so The positional relationship with the light emitting element 40 of the mold is fixed. Since the edge-emitting light-emitting element 40 faces the light incident surface 354 of the core, long-distance light propagation is not performed as in the conventional case, and mounting errors and light coupling loss are allowed, and the light-emitting element is output. The incident light can be guided to the medium facing surface.

図8は、媒体対向面Sから見た近接場光発生部(プラズモン・プローブ)36の斜視図である。   FIG. 8 is a perspective view of the near-field light generating unit (plasmon probe) 36 viewed from the medium facing surface S.

近接場光発生部36は、媒体対向面Sから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。三角形の底辺36dがスライダ基板220の集積面2202と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺と向き合う頂点36cが底辺36dよりも電磁コイル素子34の主磁極層340側に配置されており、具体的には、頂点36cが主磁極層340のリーディング側エッジEと対向するように配置されている。近接場光発生部36の好ましい形態は、底辺36dの両端の2つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。   The near-field light generator 36 has a triangular shape when viewed from the medium facing surface S, and is formed of a conductive material. A triangular base 36d is arranged parallel to the integration surface 2202 of the slider substrate 220, that is, parallel to the track width direction, and a vertex 36c facing the base is arranged closer to the main magnetic pole layer 340 of the electromagnetic coil element 34 than the base 36d. Specifically, the apex 36 c is disposed so as to face the leading edge E of the main magnetic pole layer 340. A preferred form of the near-field light generator 36 is an isosceles triangle in which the two base angles at both ends of the base 36d are the same.

近接場光発生部36の頂点36cの曲率半径rは5〜100nmとすることが好ましい。三角形の高さH36は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、20〜400nmとすることが好ましい。底辺36dの幅Wは、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、20〜400nmとすることが好ましい。頂点36cの角度βは例えば60度である。   The radius of curvature r of the apex 36c of the near-field light generator 36 is preferably 5 to 100 nm. The height H36 of the triangle is preferably smaller than the wavelength of the incident laser beam and is preferably 20 to 400 nm. The width W of the base 36d is preferably sufficiently smaller than the wavelength of the incident laser light and is preferably 20 to 400 nm. The angle β of the vertex 36c is 60 degrees, for example.

近接場光発生部36の厚みT36は10〜100nmとすることが好ましい。   The thickness T36 of the near-field light generator 36 is preferably 10 to 100 nm.

このような近接場光発光部36がコア35の光出射面353に設けられていると、近接場光発光部36の頂点36c近傍に電界が集中して頂点36c近傍から媒体に向かって近接場光が発生する。   When such a near-field light emitting unit 36 is provided on the light emitting surface 353 of the core 35, the electric field is concentrated in the vicinity of the vertex 36c of the near-field light emitting unit 36, and the near field from the vicinity of the vertex 36c toward the medium. Light is generated.

近接場光は、入射されるレーザ光の波長及びコア35の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Sから見て近接場光発生部36の境界で最も強い強度を有する。特に、本実施形態では、近接場光発生部36に到達する光の電界ベクトルは、端面発光型の発光素子40の積層方向(X方向)となる。したがって、頂点36c近傍にて最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この頂点36c近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。   The near-field light generally has the strongest intensity at the boundary of the near-field light generating unit 36 when viewed from the medium facing surface S, although it depends on the wavelength of the incident laser light and the shape of the core 35. In particular, in the present embodiment, the electric field vector of the light reaching the near-field light generating unit 36 is the stacking direction (X direction) of the edge-emitting light emitting element 40. Therefore, the strongest near-field light is emitted in the vicinity of the vertex 36c. That is, in the heat assisting action of heating the recording layer part of the magnetic disk with light, the part facing the vicinity of the apex 36c becomes the main heating action part.

この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子34による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、媒体対向面Sから磁気ディスクの表面に向かって、10〜30nm程度の深さまで到達する。従って、10nm又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。   The electric field strength of this near-field light is orders of magnitude stronger than that of incident light, and this very strong near-field light rapidly heats the opposing local portion of the magnetic disk surface. As a result, the coercive force of this local portion is reduced to a size that allows writing by a write magnetic field, so that even if a high coercivity magnetic disk for high-density recording is used, writing by the electromagnetic coil element 34 is possible. Become. The near-field light reaches a depth of about 10 to 30 nm from the medium facing surface S toward the surface of the magnetic disk. Accordingly, in the present situation where the flying height is 10 nm or less, the near-field light can sufficiently reach the recording layer portion.

また、このように発生する近接場光のトラック幅方向の幅や媒体移動方向の幅は、上述の近接場光の到達深さと同程度であって、また、この近接場光の電界強度は、距離が離れるに従って指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。   Further, the width of the near-field light generated in this way in the track width direction and the width in the medium movement direction is approximately the same as the above-mentioned depth of arrival of the near-field light, and the electric field intensity of the near-field light is Since it decays exponentially as the distance increases, the recording layer portion of the magnetic disk can be heated very locally.

図9は、近接場光発生部36への入射光の波長λ(nm)と近接場光強度I(a.u.)との関係を示すグラフである。なお、近接場光発生部36の長さH36=100nmである。   FIG. 9 is a graph showing the relationship between the wavelength λ (nm) of the incident light to the near-field light generator 36 and the near-field light intensity I (au). Note that the length H36 of the near-field light generator 36 is 100 nm.

近接場光発生部36としてAlを用いた場合には入射光の波長λ(nm)が350nm付近に近接場光の強度ピークを有し、Agを用いた場合には530nm付近に強度ピークを有し、Auを用いた場合には650nm付近に強度ピークを有する。近接場光発生部36の材料としては、Al、Ag、Auの他、Cu、Pd、Pt、Rh又はIrを用いることができる。また、近接場光発生部36の材料として、これらの金属材料のうちのいくつかの組合せからなる合金を採用することもできる。   When Al is used as the near-field light generating unit 36, the incident light wavelength λ (nm) has an intensity peak of near-field light near 350 nm, and when Ag is used, it has an intensity peak near 530 nm. However, when Au is used, it has an intensity peak near 650 nm. As a material of the near-field light generating part 36, Cu, Pd, Pt, Rh, or Ir can be used in addition to Al, Ag, Au. Further, as the material of the near-field light generating part 36, an alloy made of some combination of these metal materials can be adopted.

図10は、近接場光発生部36への入射光の波長λ(nm)と近接場光強度I(a.u.)との関係を示すグラフである。なお、近接場光発生部36の材料はAuであり、長さH36は100nm、200nm、300nmである。長さH36は20〜400nmが好ましいが、短波長の光を入射させた方が、スペクトルの半値幅を狭くなる傾向にあり、入射光波長の揺らぎに対する近接場光強度変動の耐性が高くなる。
(光源ユニット)
次いで、図3〜5を再び参照して、熱アシスト磁気ヘッド21の光源ユニット23の構成要素について説明する。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the wavelength λ (nm) of the incident light to the near-field light generating unit 36 and the near-field light intensity I (au). The material of the near-field light generator 36 is Au, and the length H36 is 100 nm, 200 nm, or 300 nm. The length H36 is preferably 20 to 400 nm. However, when the light having a short wavelength is incident, the half-value width of the spectrum tends to be narrowed, and resistance to fluctuations in the near-field light intensity against fluctuations in the incident light wavelength is increased.
(Light source unit)
Next, the components of the light source unit 23 of the thermally-assisted magnetic head 21 will be described with reference to FIGS.

光源ユニット23は、光源支持基板230、及び、外形形状が段差を有する端面発光型のレーザダイオード素子(発光素子)40を主として備えている。   The light source unit 23 mainly includes a light source support substrate 230 and an edge-emitting laser diode element (light emitting element) 40 whose outer shape has a step.

光源支持基板230はアルティック(Al−TiC)等からなる基板であり、スライダ基板220の背面2201に接着している接着面2300を有している。接着面2300にはアルミナ等の断熱層230aが形成されている。この接着面2300を底面とした際の一つの側面である素子形成面2302上に、アルミナ等の絶縁材料から形成され、段差形状を有する絶縁層41が設けられている。この絶縁層41の主表面411の上に電極パッド47が形成され、また、この絶縁層41の深部表面412の上に電極パッド49が形成されている。そして、主表面411と素子側面403が、半田層42a、電極パッド47を介して接続され、かつ、深部表面412と対向面402が半田層42、電極パッド49を介して接続されることにより、端面発光型の発光素子40は光源支持基板230に固定されている。 The light source support substrate 230 is a substrate made of AlTiC (Al 2 O 3 —TiC) or the like, and has a bonding surface 2300 bonded to the back surface 2201 of the slider substrate 220. A heat insulating layer 230 a such as alumina is formed on the bonding surface 2300. An insulating layer 41 made of an insulating material such as alumina and having a step shape is provided on an element forming surface 2302 which is one side surface when the adhesive surface 2300 is a bottom surface. An electrode pad 47 is formed on the main surface 411 of the insulating layer 41, and an electrode pad 49 is formed on the deep surface 412 of the insulating layer 41. The main surface 411 and the element side surface 403 are connected via the solder layer 42a and the electrode pad 47, and the deep surface 412 and the opposing surface 402 are connected via the solder layer 42 and the electrode pad 49, The edge-emitting light emitting element 40 is fixed to the light source support substrate 230.

電極パッド48と電極パッド49は、ビアホール48a内のコンタクト48bにより電気的に接続され、これにより、電極パッド47及び電極パッド48は、端面発光型の発光素子40の駆動用電極となっている。   The electrode pad 48 and the electrode pad 49 are electrically connected by a contact 48b in the via hole 48a, whereby the electrode pad 47 and the electrode pad 48 serve as driving electrodes for the edge-emitting light emitting element 40.

ビアホール48a内のコンタクト48bは、端面発光型の発光素子40駆動時の熱を光源支持基板230側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。   The contact 48b in the via hole 48a also functions as a heat sink for releasing heat when driving the edge emitting light emitting element 40 to the light source support substrate 230 side.

電極パッド47は、図3に示すように、絶縁層41の面411の中央部にトラック幅方向に延びて形成されている。一方、電極パッド48は、電極パッド47からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。各電極パッド47、48は、半田リフローによるフレクシャ201との接続のために、さらに、フレクシャ201側に向かって延びている。   As shown in FIG. 3, the electrode pad 47 is formed at the center of the surface 411 of the insulating layer 41 so as to extend in the track width direction. On the other hand, the electrode pad 48 is formed at a position separated from the electrode pad 47 in the track width direction. The electrode pads 47 and 48 further extend toward the flexure 201 side for connection to the flexure 201 by solder reflow.

電極パッド47、48は、それぞれ、フレクシャ201の電極パッド247、248とリフロー半田により電気的に接続されており、これにより光源の駆動が可能となっている。また、電極パッド47は上述のように光源支持基板230と電気的に接続されていれば、電極パッド247により光源支持基板230の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となる。   The electrode pads 47 and 48 are electrically connected to the electrode pads 247 and 248 of the flexure 201 by reflow soldering, respectively, so that the light source can be driven. If the electrode pad 47 is electrically connected to the light source support substrate 230 as described above, the electrode pad 247 can control the potential of the light source support substrate 230 to, for example, the ground potential.

電極パッド47、48、49(図5参照)は、例えば、それぞれ、厚さ10nm程度のTa、Ti等からなる下地層を介して形成された、厚さ1〜3μm程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたAu、Cu等の層から形成することができる。   The electrode pads 47, 48, and 49 (see FIG. 5) are formed, for example, through a foundation layer made of Ta, Ti, or the like having a thickness of about 10 nm, for example, and having a thickness of about 1 to 3 μm. Or a layer made of Au, Cu, or the like formed by sputtering or the like.

図11は、本実施形態で用いられる端面発光型の発光素子40の斜視図である。   FIG. 11 is a perspective view of an edge-emitting light emitting device 40 used in the present embodiment.

図11に示すように、この端面発光型の発光素子40の構造は一般的なものであって、光学系ディスクストレージ等に使用されるものであり、その構造は、例えば、n電極40aと、n−GaAs基板40bと、n−InGaAlPクラッド層40cと、第1のInGaAlPガイド層40dと、多重量子井戸(InGaP/InGaAlP)等からなる活性層40eと、第2のInGaAlPガイド層40fと、p−InGaAlPクラッド層40gと、n−GaAs電流阻止層40hと、p−GaAsコンタクト層40iと、p電極40jとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのSiO、Al等からなる反射膜50及び51が成膜されており、レーザ光が放射される出光端400には、一方の反射膜50における活性層40eの位置に開口が設けられている。このような端面発光型の発光素子40は、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端400からレーザ光を出射する。 As shown in FIG. 11, the structure of the edge-emitting light emitting element 40 is a general structure and is used for optical disk storage or the like. The structure includes, for example, an n-electrode 40a, n-GaAs substrate 40b, n-InGaAlP cladding layer 40c, first InGaAlP guide layer 40d, active layer 40e made of multiple quantum wells (InGaP / InGaAlP), etc., second InGaAlP guide layer 40f, p -InGaAlP cladding layer 40g, * n-GaAs current blocking layer 40h, p-GaAs contact layer 40i, and p-electrode 40j are sequentially stacked. Reflective films 50 and 51 made of SiO 2 , Al 2 O 3 or the like for exciting oscillation due to total reflection are formed before and after the cleavage planes of these multilayer structures, and the emitted light from which laser light is emitted At the end 400, an opening is provided at the position of the active layer 40e in one reflective film 50. The edge-emitting light emitting element 40 emits laser light from the light emitting end 400 when a voltage is applied in the film thickness direction.

放射されるレーザ光の波長λは、例えば600〜650nm程度である。ただし、近接場光発生部36の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、近接場光発生部36としてAuを用いる場合、レーザ光の波長λは、600nm近傍が好ましい。 The wavelength λ L of the emitted laser light is, for example, about 600 to 650 nm. However, it should be noted that there is an appropriate excitation wavelength according to the metal material of the near-field light generating unit 36. For example, when Au is used as the near-field light generator 36, the wavelength λ L of the laser light is preferably near 600 nm.

また、一般的な端面発光型レーザダイオードの大きさは、例えば、幅(W40)が200〜350μm、長さ(奥行き、L40)が250〜600μm、厚み(T40)が60〜200μm程度である。   The size of a general edge-emitting laser diode is, for example, about 200 to 350 μm in width (W40), 250 to 600 μm in length (depth, L40), and about 60 to 200 μm in thickness (T40).

また、この端面発光型の発光素子40の駆動においては、ハードディスク装置内の電源が使用可能である。実際、ハードディスク装置は、通常、例えば2V程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、端面発光型の発光素子40の消費電力も、例えば、数十mW程度であり、ハードディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。   In driving the edge-emitting light emitting element 40, a power source in the hard disk device can be used. Actually, the hard disk device usually has a power supply of about 2 V, for example, and has a sufficient voltage for the laser oscillation operation. The power consumption of the edge-emitting light emitting element 40 is, for example, about several tens of mW, and can be sufficiently covered by the power source in the hard disk device.

また、端面発光型の発光素子40の対向面402が電極パッド47にAuSn等の半田層42(図5参照)により固定されている。ここで、端面発光型の発光素子40の出光端(光出射面)400が図4の下向き(−Z方向)、すなわち出光端400が接着面2300と平行になるように端面発光型の発光素子40が光源支持基板230に固定されており、出光端400はスライダ22の導波路35の光入射面354と対向可能となっている。実際の端面発光型の発光素子40の固定においては、例えば、電極パッド47の表面に厚さ0.7〜1μm程度のAuSn合金の蒸着膜を成膜し、端面発光型の発光素子40を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による200〜300℃程度までの加熱を行って固定すればよい。   Further, the facing surface 402 of the edge-emitting light emitting element 40 is fixed to the electrode pad 47 with a solder layer 42 such as AuSn (see FIG. 5). Here, the light emitting end (light emitting surface) 400 of the edge emitting light emitting device 40 is downward (−Z direction) in FIG. 4, that is, the light emitting end 400 is parallel to the adhesive surface 2300. 40 is fixed to the light source support substrate 230, and the light exit end 400 can face the light incident surface 354 of the waveguide 35 of the slider 22. In actual fixing of the edge-emitting light-emitting element 40, for example, an AuSn alloy vapor deposition film having a thickness of about 0.7 to 1 μm is formed on the surface of the electrode pad 47, and the edge-emitting light-emitting element 40 is placed thereon. Then, it may be fixed by heating to about 200 to 300 ° C. with a hot plate or the like under a hot air blower.

また、電極パッド48と、端面発光型の発光素子40のp電極40j(即ち、対向面402)とがビアホール48a内のコンタクト48b及び電極パッド49を介して電気的に接続されている。   Further, the electrode pad 48 and the p-electrode 40j (that is, the facing surface 402) of the edge-emitting light emitting element 40 are electrically connected through the contact 48b and the electrode pad 49 in the via hole 48a.

ここで、上述したAuSn合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば300℃前後の高温に加熱することになるが、本発明によれば、この光源ユニット23がスライダ22とは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド部がこの高温の悪影響を受けずに済む。   Here, when soldering with the above-described AuSn alloy, the light source unit is heated to a high temperature of about 300 ° C., for example. According to the present invention, the light source unit 23 is manufactured separately from the slider 22. Therefore, the magnetic head portion in the slider is not affected by the high temperature.

そして、上述のスライダ22の背面2201と光源ユニット23の接着面2300とが、例えば、UV硬化型接着剤等の接着剤層44(図4参照)により接着されており、端面発光型の発光素子40の出光端400が導波路35の光入射面354と対向するように配置されている。   Then, the back surface 2201 of the slider 22 and the adhesive surface 2300 of the light source unit 23 are adhered to each other by an adhesive layer 44 (see FIG. 4) such as a UV curable adhesive, for example. The 40 light exit ends 400 are arranged so as to face the light incident surface 354 of the waveguide 35.

なお、端面発光型の発光素子40及び電極パッドの構成は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、端面発光型の発光素子40は、GaAlAs系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、端面発光型の発光素子40と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、端面発光型の発光素子40を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
(製造方法)
続いて、上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。
Note that the configuration of the edge-emitting light-emitting element 40 and the electrode pad is not limited to the above-described embodiment. For example, the edge-emitting light-emitting element 40 includes other semiconductor materials such as a GaAlAs system. Other configurations using may be used. Furthermore, it is possible to use other brazing materials for soldering the edge-emitting light emitting element 40 and the electrodes. Furthermore, the edge-emitting light emitting element 40 may be formed by epitaxially growing a semiconductor material directly on the unit substrate.
(Production method)
Next, a method for manufacturing the above-described heat-assisted magnetic head will be described.

まず、スライダ22を製造する。具体的には、スライダ基板220を用意し、公知の方法を用いてMR効果素子33及び素子間シールド層148を形成し、さらに下地としてアルミナ等の絶縁層38を形成する。   First, the slider 22 is manufactured. Specifically, the slider substrate 220 is prepared, the MR effect element 33 and the inter-element shield layer 148 are formed using a known method, and the insulating layer 38 such as alumina is further formed as a base.

続いて、導波路35及び近接場光発生部36を形成する。この工程を、図12及び図13を参照して詳しく説明する。   Subsequently, the waveguide 35 and the near-field light generator 36 are formed. This process will be described in detail with reference to FIGS.

図12及び図13は、導波路35及び近接場光発生部36の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。   FIGS. 12 and 13 are perspective views for explaining an embodiment of a method for forming the waveguide 35 and the near-field light generator 36.

まず、図12の(A)に示すように、最初に、Al等の絶縁層38a上に、導波路35の一部となる、絶縁層38aよりも屈折率の高いTa等の誘電体膜35aを成膜し、その上に、Au等の金属層36aを製膜し、その上に、リフトオフ用の底部が窪んだレジストパターン1002を形成する。 First, as shown in FIG. 12A, first, Ta 2 O 5 having a refractive index higher than that of the insulating layer 38a, which is part of the waveguide 35, is formed on the insulating layer 38a such as Al 2 O 3. A metal layer 36a such as Au is formed thereon, and a resist pattern 1002 having a recessed bottom for lift-off is formed thereon.

次いで、図12の(B)に示すように、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン1002の直下を除いて、金属層36aの不要部分を除去することにより、誘電体膜35aの上に下部が広い台形状の金属層36aが積層されたパターンが形成される。   Next, as shown in FIG. 12B, an unnecessary portion of the metal layer 36a is removed except for the portion immediately below the resist pattern 1002 by using an ion milling method or the like, thereby forming a lower portion on the dielectric film 35a. A pattern in which a wide trapezoidal metal layer 36a is laminated is formed.

その後、図12の(C)に示すように、レジストパターン1002を除去した後に、台形状の金属層36aの両斜面側からそれぞれイオンミリング法等により各斜面の一部をそれぞれ除去して、断面三角形状の金属層36aを形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 12C, after removing the resist pattern 1002, a part of each slope is removed from each slope side of the trapezoidal metal layer 36a by an ion milling method or the like. A triangular metal layer 36a is formed.

続いて、図12の(D)に示すように、金属層36aを覆うように誘電体膜35a上に誘電体膜35aと同じ材料による誘電体膜35bを成膜し、将来媒体対向面が形成される側に金属層36aの端面を形成するためのレジストパターン1003を積層し、図13の(A)に示すように、将来媒体対向面が形成される側とは反対側において、金属層36a及び誘電体膜35bをイオンミリング法等により除去し、その後、除去した部分に誘電体膜35bと同じ材料により誘電体膜35cを成膜する。   Subsequently, as shown in FIG. 12D, a dielectric film 35b made of the same material as the dielectric film 35a is formed on the dielectric film 35a so as to cover the metal layer 36a, and a future medium facing surface will be formed. A resist pattern 1003 for forming an end surface of the metal layer 36a is laminated on the side to be formed, and as shown in FIG. 13A, the metal layer 36a is formed on the side opposite to the side on which the medium facing surface is formed in the future. Then, the dielectric film 35b is removed by an ion milling method or the like, and then a dielectric film 35c is formed from the same material as the dielectric film 35b in the removed portion.

さらに、図13の(B)に示すように、誘電体膜35b、35c上に、さらに、誘電体膜35bと同じ材料により誘電体膜35dを積層し、所定の幅となるように、誘電体膜35a,35b,35c,35dをパターニングすることにより、導波路35がほぼ完成する。   Further, as shown in FIG. 13B, a dielectric film 35d is further laminated on the dielectric films 35b and 35c with the same material as the dielectric film 35b, so that the dielectric material has a predetermined width. By patterning the films 35a, 35b, 35c, and 35d, the waveguide 35 is almost completed.

さらに、その後、図13の(C)に示すように、導波路35を覆うように絶縁層38aと同じ材料で絶縁層38bを更に形成することにより、クラッド層としての絶縁層38が完成する。そして、後述するように金属層36aが露出している側から所定距離ラッピングすることにより所定の厚みの近接場光発光部36及び媒体対向面Sが形成されるのである。   Further, as shown in FIG. 13C, an insulating layer 38b is further formed from the same material as the insulating layer 38a so as to cover the waveguide 35, thereby completing the insulating layer 38 as a cladding layer. Then, as will be described later, the near-field light emitting section 36 and the medium facing surface S having a predetermined thickness are formed by lapping a predetermined distance from the side where the metal layer 36a is exposed.

以上の工程により、近接場光発生部36を備えた導波路35を形成することができる。   Through the above steps, the waveguide 35 including the near-field light generating unit 36 can be formed.

その後、図4に示すように公知の方法により、電磁コイル素子34を形成し、その後、アルミナ等による絶縁層38を形成し、接続のための電極パッド371等を形成し、その後エアベアリング面やその裏面のラッピングを行うことによりスライダ22が完成する。この後、スライダ22の電磁コイル素子34やMR効果素子33のテストを各スライダ毎に行い、良品を選別する。   Thereafter, as shown in FIG. 4, the electromagnetic coil element 34 is formed by a known method, then the insulating layer 38 made of alumina or the like is formed, the electrode pad 371 for connection is formed, and then the air bearing surface or The slider 22 is completed by lapping the back surface. Thereafter, the electromagnetic coil element 34 and the MR effect element 33 of the slider 22 are tested for each slider to select non-defective products.

続いて、光源ユニット23を製造する。まず、図4に示すように、アルティック製等の光源支持基板230を用意し、その表面に公知の方法により断熱層230aを形成する。そして、図14(A)に示すように、光源支持基板230の表面に絶縁層41、電極パッド49(Au層5〜10μm、Ti層20nm)、半田層42(AuSn層1〜2μm)及びマスク層45aをこの順に積層した後、電極パッド49、半田層42及びマスク層45a(例:Cu層0.5〜3μm)を公知の方法でパターニングを行う。   Subsequently, the light source unit 23 is manufactured. First, as shown in FIG. 4, a light source support substrate 230 made of Altic or the like is prepared, and a heat insulating layer 230a is formed on the surface thereof by a known method. 14A, an insulating layer 41, electrode pads 49 (Au layer 5 to 10 μm, Ti layer 20 nm), solder layer 42 (AuSn layer 1 to 2 μm), and mask are formed on the surface of the light source support substrate 230. After the layers 45a are laminated in this order, the electrode pad 49, the solder layer 42, and the mask layer 45a (eg, Cu layer 0.5 to 3 μm) are patterned by a known method.

続いて、図14(B)に示すように、絶縁層41と同様の材料をマスク層45a上にさらに成膜する。このときの成膜の厚みは、発光素子40の厚みよりも小さく、発光素子40の接着面(対向面)から基板側のクラッド層までの距離よりも大きく設定される。例えば、この厚みは5〜10μmである。次に、電極パッド49及びマスク層45aを完全に絶縁層41で覆った後、公知の方法により、電極パッド47(例:Au層)とマスク層45bの積層膜、及び、マスク層45c及びマスク層45dを形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 14B, a material similar to that of the insulating layer 41 is further formed over the mask layer 45a. The thickness of the film formation at this time is set smaller than the thickness of the light emitting element 40 and larger than the distance from the bonding surface (opposing surface) of the light emitting element 40 to the clad layer on the substrate side. For example, this thickness is 5 to 10 μm. Next, after the electrode pad 49 and the mask layer 45a are completely covered with the insulating layer 41, a laminated film of the electrode pad 47 (eg, Au layer) and the mask layer 45b, and the mask layer 45c and the mask are formed by a known method. Layer 45d is formed.

ここで、電極パッド47とマスク層45bの積層膜は、電極パッド49、半田層42及びマスク層45aの積層膜を形成した上方には形成しないようにパターニングされており、また、マスク層45c及びマスク層45dは所定の距離だけ離間し、その離間領域の下方に、電極パッド49、半田層42及びマスク層45aの積層膜が位置するようにパターニングされている。さらに、電極パッド47とマスク層45cの距離W47は、端面発光型の発光素子40の幅W40よりも大きくされている。なお、絶縁層41としては、Al2O3やSiO2等の絶縁材料を用いることができ、また、マスク層45a、45b、45c、45dとしては、Cu、Fe、Co、Ni等の金属を用いることができる。 Here, the laminated film of the electrode pad 47 and the mask layer 45b is patterned so as not to be formed above the laminated film of the electrode pad 49, the solder layer 42, and the mask layer 45a. The mask layer 45d is separated by a predetermined distance, and is patterned so that a laminated film of the electrode pad 49, the solder layer 42, and the mask layer 45a is located below the separation region. Furthermore, the distance W47 between the electrode pad 47 and the mask layer 45c is made larger than the width W40 of the edge-emitting light emitting element 40. The insulating layer 41 can be made of an insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 , and the mask layers 45a, 45b, 45c, and 45d can be made of a metal such as Cu, Fe, Co, or Ni. Can be used.

次に、図14(C)に示すように、前工程で形成したマスク層45b、45c、45dをマスクとして、CHガス等をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング(RIE)法によるエッチング処理を行い、マスクされていない領域にマスク層45aを露出させる。この処理においては、マスク層45a、45b、45c、45dの材料よりも絶縁層41の材料の方がエッチングレートが数倍(例:5〜10倍)高いため、マスク層45aが露出するまでエッチングを行った後であっても、マスク層45b、45c、45dの膜厚は薄くなるものの消滅はしない。このとき、マスク層45a、45b、45c、45dの膜厚が略同程度となるよう、マスク層45aの成膜後の膜厚は、マスク層45b、45c、45dの成膜直後の膜厚よりも薄くされている。なお、RIEによるエッチングの代わりに、アルカリ性溶液を用いたウェットエッチング等を行ってもよい。 Next, as shown in FIG. 14 (C), the previous step formed mask layer 45b, 45 c, as a mask 45d, etched by reactive ion etching (RIE) method using a CH 4 gas or the like as the etching gas To expose the mask layer 45a in an unmasked region. In this process, the material of the insulating layer 41 is several times (eg, 5 to 10 times) higher in etching rate than the material of the mask layers 45a, 45b, 45c, and 45d, so that etching is performed until the mask layer 45a is exposed. Even after the process is performed, the mask layers 45b, 45c, and 45d become thinner, but do not disappear. At this time, the film thickness after deposition of the mask layer 45a is greater than the film thickness immediately after deposition of the mask layers 45b, 45c, and 45d so that the film thicknesses of the mask layers 45a, 45b, 45c, and 45d are approximately the same. Is also thinned. Note that wet etching using an alkaline solution or the like may be performed instead of etching by RIE.

次に、図14(D)に示すように、マスク層45a、45b、45c、45dのうち表面に露出している部分を、ミリング処理により除去する。   Next, as shown in FIG. 14D, portions of the mask layers 45a, 45b, 45c, and 45d exposed on the surface are removed by a milling process.

そして、図15(A)に示すように、半田層42が露出した領域のうち、図の最も右側の領域以外の領域を、レジスト43で覆い、Au等の金属48、48bを成膜する。その後、レジスト43を除去すると、図15(B)のように、ビアホール48a、コンタクト48b及び電極パッド48が形成される。なお、必要に応じて電極パッド47上にAu層(例:厚さ1〜2μm)を形成してもよく、電極パッド47の形成時期は、上記RIEエッチングの後であってもよい。電極パッド47自体は厚さ1〜2μmのAu層からなることとしてもよい。   Then, as shown in FIG. 15A, the region other than the rightmost region in the drawing in the region where the solder layer 42 is exposed is covered with a resist 43, and metals 48 and 48b such as Au are formed. Thereafter, when the resist 43 is removed, via holes 48a, contacts 48b, and electrode pads 48 are formed as shown in FIG. If necessary, an Au layer (e.g., a thickness of 1 to 2 μm) may be formed on the electrode pad 47, and the electrode pad 47 may be formed after the RIE etching. The electrode pad 47 itself may be made of an Au layer having a thickness of 1 to 2 μm.

続いて、図15(C)のように、端面発光型の発光素子40を、素子側面403が主表面411に隣接し、かつ、対向面402が深部表面412上の半田層42と接触するように固定する。   Subsequently, as shown in FIG. 15C, the edge-emitting light emitting element 40 is arranged such that the element side surface 403 is adjacent to the main surface 411 and the facing surface 402 is in contact with the solder layer 42 on the deep surface 412. Secure to.

これにより、光源ユニット23が完成する。このようにして得た光源ユニット23も、端面発光型発光素子の特性評価、特に、高温連続通電試験による駆動電流のプロファイルを観察し、十分に寿命が長いと考えられるものを選択する。   Thereby, the light source unit 23 is completed. For the light source unit 23 thus obtained, the characteristics of the edge-emitting light-emitting element, particularly the driving current profile obtained by the high-temperature continuous energization test are observed, and those that are considered to have a sufficiently long life are selected.

その後、図16(A)に示すように、良品とされた光源ユニット23の接着面2300と、良品とされたスライダ22の背面2201のいずれか又は両方にUV硬化型接着剤44aを塗布する。UV硬化型接着剤としては、UV硬化型エポキシ樹脂や、UV硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。   Thereafter, as shown in FIG. 16A, a UV curable adhesive 44a is applied to either or both of the bonding surface 2300 of the light source unit 23, which is a non-defective product, and the back surface 2201 of the slider 22, which is a non-defective product. Examples of the UV curable adhesive include a UV curable epoxy resin and a UV curable acrylic resin.

そして、図16(B)に示すように、光源ユニット23の接着面2300とスライダ22の背面2201とを重ね合わせた後、電極パッド47,48間に電圧を印加して端面発光型の発光素子40を発光させると共に、導波路35の光出射面353に光検出器DTを対向配置し、光源ユニット23とスライダ22とを相対的に図16(B)の矢印方向に移動させ、最も光検出器DTの出力が高くなる位置を探し出し、その位置で、外部からUV硬化型接着剤に紫外線を照射することによりUV硬化型接着剤44aを硬化させ、これによりレーザダイオードの光軸と導波路35の光軸とを合わせた状態で光源ユニット23とスライダ22との接着をすることができる。   Then, as shown in FIG. 16B, after the adhesive surface 2300 of the light source unit 23 and the back surface 2201 of the slider 22 are overlapped, a voltage is applied between the electrode pads 47 and 48 to produce an edge-emitting light emitting element. 40 is caused to emit light, and the light detector DT is disposed opposite to the light emitting surface 353 of the waveguide 35, and the light source unit 23 and the slider 22 are relatively moved in the direction of the arrow in FIG. The position where the output of the device DT becomes high is found, and at that position, the UV curable adhesive 44a is cured by irradiating the UV curable adhesive from the outside to thereby cure the optical axis of the laser diode and the waveguide 35. The light source unit 23 and the slider 22 can be bonded in a state where the optical axes are aligned.

続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド21の作用について説明する。   Next, the operation of the heat-assisted magnetic head 21 according to the present embodiment will be described.

書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド21は、回転する磁気ディスク(媒体)10の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、MR効果素子33及び電磁コイル素子34の媒体対向面S側の端が磁気ディスク10と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。   During the writing or reading operation, the thermally-assisted magnetic head 21 floats on the surface of the rotating magnetic disk (medium) 10 with a predetermined flying height hydrodynamically. At this time, the end on the medium facing surface S side of the MR effect element 33 and the electromagnetic coil element 34 faces the magnetic disk 10 through a minute spacing, thereby reading by sensing the data signal magnetic field and applying the data signal magnetic field. Is written by.

ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット23からコア35を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部36に到達し、近接場光発生部36から近接場光が発生する。この近接場光によって、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。   Here, when the data signal is written, the laser light propagating from the light source unit 23 through the core 35 reaches the near-field light generation unit 36, and near-field light is generated from the near-field light generation unit 36. This near-field light enables heat-assisted magnetic recording.

熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、1Tbits/in級の記録密度を達成することも可能となり得る。 By adopting a heat-assisted magnetic recording system, writing is performed on a high coercivity magnetic disk using a thin film magnetic head for perpendicular magnetic recording, and the recording bits are made extremely fine, for example, 1 Tbits / in class 2 It may also be possible to achieve recording density.

そして、本実施形態では、光源ユニット23を用いることによって、スライダ22のコア35の光入射面(端面)354に、コア35の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面2202と媒体対向面Sとが垂直である構成を有する熱アシスト磁気ヘッド21において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。   In this embodiment, by using the light source unit 23, laser light propagating in a direction parallel to the layer surface of the core 35 can be incident on the light incident surface (end surface) 354 of the core 35 of the slider 22. That is, in the thermally-assisted magnetic head 21 having a configuration in which the integration surface 2202 and the medium facing surface S are perpendicular to each other, laser light having an appropriate size and direction can be reliably supplied. As a result, heat-assisted magnetic recording with high heating efficiency of the recording layer of the magnetic disk can be realized.

そして、本実施形態によれば、図4に示すように、磁気ヘッド部32がスライダ基板220に固定され、光源である端面発光型の発光素子40が光源支持基板230にそれぞれ別に固定されているので、スライダ基板220に固定された電磁コイル素子34と、光源支持基板230に固定された端面発光型の発光素子40とをそれぞれ独立に試験した上で、良品であるスライダ22と良品である光源ユニット23とを互いに固定することにより良品である熱アシスト磁気ヘッド21を歩留まり良く製造できる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the magnetic head portion 32 is fixed to the slider substrate 220, and the edge-emitting light emitting elements 40 that are light sources are separately fixed to the light source support substrate 230. Therefore, after the electromagnetic coil element 34 fixed to the slider substrate 220 and the end surface light emitting element 40 fixed to the light source support substrate 230 are independently tested, the non-defective slider 22 and the non-defective light source. By fixing the units 23 to each other, a good heat-assisted magnetic head 21 can be manufactured with a high yield.

また、磁気ヘッド部32がスライダ基板220の側面に設けられているので、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて磁気ヘッド部32の電磁コイル素子34やMR効果素子33等を容易に形成できる。   Further, since the magnetic head portion 32 is provided on the side surface of the slider substrate 220, the electromagnetic coil element 34, the MR effect element 33, etc. of the magnetic head portion 32 can be easily formed by using a conventional thin film magnetic head manufacturing method. .

さらに、端面発光型の発光素子40が媒体対向面Sから離れた位置かつスライダ22の近傍にあるので、端面発光型の発光素子40から発生する熱による電磁コイル素子34やMR効果素子33等への悪影響やレーザダイオード40と磁気ディスク10との接触等の可能性が抑制されると共に、光ファイバ、レンズ、ミラー等が必須では無いので光の伝播損失が低減でき、さらに、磁気記録装置全体の構造も簡単にできる。   Furthermore, since the edge-emitting light emitting element 40 is located away from the medium facing surface S and in the vicinity of the slider 22, the electromagnetic coil element 34, the MR effect element 33, and the like due to heat generated from the edge-emitting light emitting element 40 are provided. And the possibility of contact between the laser diode 40 and the magnetic disk 10 is suppressed, and since optical fibers, lenses, mirrors, and the like are not essential, light propagation loss can be reduced. The structure can be simplified.

また、本実施形態では、光源支持基板230の裏面に断熱層230aが形成されているので、端面発光型の発光素子40から発生する熱がより一層スライダ22に伝導しにくくなっている。   In the present embodiment, since the heat insulating layer 230 a is formed on the back surface of the light source support substrate 230, heat generated from the edge-emitting light emitting element 40 is further less likely to be conducted to the slider 22.

また、上記実施形態では、スライダ基板220と光源支持基板230とには、同じアルティック製の基板を採用しているが、異なる材料の基板を用いることも可能である。この場合でも、スライダ基板220の熱伝導率をλs、光源支持基板230の熱伝導率をλlとすると、λs≦λlを満たすようにすることが好ましい。これにより、端面発光型の発光素子40が発生する熱を、なるべくスライダ基板220に伝わらないようにしつつ光源支持基板230を通して外部に逃がすことが容易となる。   Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate made from the same Altick is employ | adopted for the slider board | substrate 220 and the light source support board | substrate 230, it is also possible to use the board | substrate of a different material. Even in this case, if the thermal conductivity of the slider substrate 220 is λs and the thermal conductivity of the light source support substrate 230 is λ1, it is preferable to satisfy λs ≦ λl. This facilitates the release of heat generated by the edge-emitting light emitting element 40 to the outside through the light source support substrate 230 while preventing the heat from being transmitted to the slider substrate 220 as much as possible.

なお、スライダ22及び光源ユニット23の大きさは任意であるが、例えば、スライダ22は、トラック幅方向の幅700μm×長さ(奥行き)850μm×厚み230μmの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット23は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。実際、例えば、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、幅250μm×長さ(奥行き)350μm×厚み65μm程度であり、例えば、この大きさの光源支持基板230の側面にこの大きさの端面発光型の発光素子40を設置することが、十分に可能となっている。なお、光源支持基板230の底面に溝を設け、この溝内に端面発光型の発光素子40を設けることも可能である。   The sizes of the slider 22 and the light source unit 23 are arbitrary. For example, the slider 22 may be a so-called femto slider having a width in the track width direction of 700 μm × length (depth) 850 μm × thickness 230 μm. In this case, the light source unit 23 can have substantially the same width and length. Actually, for example, a typical size of a laser diode that is usually used is about 250 μm wide × 350 μm long (depth) × 65 μm thick. It is sufficiently possible to install the edge-emitting light emitting element 40. It is also possible to provide a groove on the bottom surface of the light source support substrate 230 and provide the edge-emitting light emitting element 40 in the groove.

また、導波路35の光入射面354に達したレーザ光の遠視野像(ファーフィールドパターン)のスポットにおいて、トラック幅方向の径を、例えば0.5〜1.0μm程度とし、この径に直交する径を、例えば1〜5μm程度とすることができる。これに対応して、このレーザ光を受け取る導波路35の厚みT35を、例えばスポットよりも大きな2〜10μm程度とし、導波路35のトラック幅方向の幅(W35)を、例えば1〜200μm程度とすることが好ましい。   Further, in the spot of the far-field image (far field pattern) of the laser light reaching the light incident surface 354 of the waveguide 35, the diameter in the track width direction is set to about 0.5 to 1.0 μm, for example, and orthogonal to this diameter. The diameter to be made can be, for example, about 1 to 5 μm. Correspondingly, the thickness T35 of the waveguide 35 that receives the laser light is, for example, about 2 to 10 μm, which is larger than the spot, and the width (W35) of the waveguide 35 in the track width direction is, for example, about 1 to 200 μm. It is preferable to do.

また、電磁コイル素子34が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層340及び補助磁極層344の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面S側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。   Further, the electromagnetic coil element 34 may be used for longitudinal magnetic recording. In this case, instead of the main magnetic pole layer 340 and the auxiliary magnetic pole layer 344, a lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer are provided, and further, the writing held between the ends of the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer on the medium facing surface S side. A gap layer is provided. Writing is performed by a leakage magnetic field from the position of the write gap layer.

また、近接光発生部の形状も、上述のものに限られず、たとえば、三角形でなく頂点36cが平らになった台形状でも実施可能であり、また、三角形状または台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。   Further, the shape of the proximity light generating unit is not limited to the above-described one, and for example, it is possible to implement a trapezoidal shape in which the apex 36c is flat instead of a triangle, and a triangular or trapezoidal plate is used as the apex. A so-called “bow tie type” structure in which a pair of short sides or a short side are opposed to each other with a predetermined distance is also possible.

図17は、「蝶ネクタイ型」構造の近接場光発生部36の斜視図である。一対の近接場光発生部36がX軸に沿って対向して配置されており、その頂点36c同士が所定の間隔を隔てて突き合されている。この「蝶ネクタイ型」構造においては、頂点36c間の中心部に非常に強い電界の集中が発生し、近接場光が生じる。   FIG. 17 is a perspective view of the near-field light generator 36 having a “bow tie type” structure. A pair of near-field light generators 36 are arranged to face each other along the X axis, and the apexes 36c are abutted with each other at a predetermined interval. In this “bow tie type” structure, a very strong electric field concentration occurs at the center between the apexes 36c, and near-field light is generated.

また、コイル層342は、図4等において1層であるが、2層以上又はヘリカルコイルでもよい。   Moreover, although the coil layer 342 is one layer in FIG. 4 etc., two or more layers or a helical coil may be sufficient.

また、他の実施形態として、近接場光発生部36として、コア35の媒体対向面S側に光の波長よりも小さい微小な開口を設けてもよい。   As another embodiment, the near-field light generator 36 may be provided with a small opening smaller than the wavelength of light on the medium facing surface S side of the core 35.

図18は、別の実施の形態に係る光源ユニット23の製造方法を示す概略断面図である。   FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a method for manufacturing the light source unit 23 according to another embodiment.

光源支持基板230への発光素子40の固定は、以下のようにして行ってもよい。即ち、図18に示すように、まず光源支持基板230の表面に絶縁層41X、電極パッド49、半田層42をこの順に積層した後、電極パッド49と半田層42を公知の方法でパターニングを行う(図18(A))。なお、パターニングにはフォトリソグラフィを用いることができる。続いて、光源支持基板230の表面に、絶縁体(絶縁ブロック)41Yを、電極パッド49と半田層42に接触しない位置に実装する(図18(B))。この実装は、導電ペーストや絶縁性接着剤を用いて、絶縁体(絶縁ブロック)41Yを絶縁層41X上に固定することにより行うことができる。実装時のこれらの界面には共にAu層を用いて、Au−Au接合を行うことができる。絶縁体41Yの厚みは、発光素子40の厚みよりも小さく、発光素子40の対向面402から最大離隔したクラッド層40c(図11参照)までの距離よりも大きい。絶縁体41Yの厚みとしては、5〜100μmを採用することができる。電極パッド49は、Au層5〜10μm、Ti層20nmを積層してなり、半田層42は1〜2μmのAuSn層からなる。   The light emitting element 40 may be fixed to the light source support substrate 230 as follows. That is, as shown in FIG. 18, first, the insulating layer 41X, the electrode pad 49, and the solder layer 42 are laminated in this order on the surface of the light source support substrate 230, and then the electrode pad 49 and the solder layer 42 are patterned by a known method. (FIG. 18 (A)). Note that photolithography can be used for patterning. Subsequently, an insulator (insulating block) 41Y is mounted on the surface of the light source support substrate 230 at a position where it does not contact the electrode pad 49 and the solder layer 42 (FIG. 18B). This mounting can be performed by fixing the insulator (insulating block) 41Y on the insulating layer 41X using a conductive paste or an insulating adhesive. An Au-Au junction can be performed by using an Au layer at both of these interfaces during mounting. The thickness of the insulator 41Y is smaller than the thickness of the light emitting element 40 and larger than the distance from the opposing surface 402 of the light emitting element 40 to the clad layer 40c (see FIG. 11) that is the maximum distance. As the thickness of the insulator 41Y, 5 to 100 μm can be adopted. The electrode pad 49 is formed by stacking an Au layer of 5 to 10 μm and a Ti layer of 20 nm, and the solder layer 42 is formed of an AuSn layer of 1 to 2 μm.

ここでは、絶縁層41Xと絶縁体41Yが互いに固定されて絶縁層41となる。次に、絶縁体41Yの表面上に、電極パッド47を形成する(図18(C))。電極パッド47の材料としては、厚さ1〜2μmのAuを用いることができる。そして、発光素子40の素子側面403と絶縁層41の主表面411が半田層42aを介して接着・固定するように、かつ、発光素子40の対向面402と絶縁層41の深部表面412が半田層42及び電極パッド49を介して接着・固定するように、発光素子40を絶縁層41に固定させる(図18(D))。ここでは、電極パッド49は、上記実施形態における電極パッド48の機能も兼ねることになる。このように、本実施形態では、光源支持基板230への発光素子40の固定を行った場合、上述の実施形態における固定方法と異なり、RIEやミリング処理によるエッチング処理が不要になるという利点がある。   Here, the insulating layer 41X and the insulator 41Y are fixed to each other to form the insulating layer 41. Next, an electrode pad 47 is formed on the surface of the insulator 41Y (FIG. 18C). As a material of the electrode pad 47, Au having a thickness of 1 to 2 μm can be used. The element side surface 403 of the light emitting element 40 and the main surface 411 of the insulating layer 41 are bonded and fixed via the solder layer 42a, and the opposing surface 402 of the light emitting element 40 and the deep surface 412 of the insulating layer 41 are soldered. The light emitting element 40 is fixed to the insulating layer 41 so as to be bonded and fixed via the layer 42 and the electrode pad 49 (FIG. 18D). Here, the electrode pad 49 also functions as the electrode pad 48 in the above embodiment. As described above, in the present embodiment, when the light emitting element 40 is fixed to the light source support substrate 230, unlike the fixing method in the above-described embodiment, there is an advantage that etching processing by RIE or milling processing becomes unnecessary. .

図19は、図4に示した別形態の熱アシスト磁気ヘッド21のV−V矢印断面図である。   FIG. 19 is a cross-sectional view taken along line VV of the heat-assisted magnetic head 21 of another form shown in FIG.

この断面図では、発光素子40のXY断面形状が菱形の場合を示している。発光素子40の素子側面403の法線NMは、対向面402に対して傾斜しており、この法線はX軸の負方向に延びる成分を有している。なお、対向面402、深部表面412及び主表面411は互いに平行である。   This cross-sectional view shows a case where the XY cross-sectional shape of the light emitting element 40 is a rhombus. The normal NM of the element side surface 403 of the light emitting element 40 is inclined with respect to the facing surface 402, and this normal has a component extending in the negative direction of the X axis. The facing surface 402, the deep surface 412 and the main surface 411 are parallel to each other.

したがって、発光素子40は、X軸方向に沿って主表面411へ投影される領域を有し、また、主表面411と素子側面403とは鋭角を成している。このように、双方の表面からなる隙間が先細りとなる形状の場合、半田から構成される第1電極42aが、その形成時に、容易に当該隙間内へと入り込む。また、発光素子40に投影可能な領域が存在するため、発光素子40と主表面411間のX軸方向距離を近接させ、これらを第1電極42aによって容易に接続することができる。   Therefore, the light emitting element 40 has a region projected onto the main surface 411 along the X-axis direction, and the main surface 411 and the element side surface 403 form an acute angle. Thus, when the gap formed by both surfaces is tapered, the first electrode 42a made of solder easily enters the gap during the formation. Further, since there is a region that can be projected on the light emitting element 40, the distance in the X-axis direction between the light emitting element 40 and the main surface 411 can be brought close to each other and can be easily connected by the first electrode 42a.

また、断熱層230a(図4参照)は、スライダ基板220の背面2201に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。   Further, the heat insulating layer 230a (see FIG. 4) may be formed on the back surface 2201 of the slider substrate 220, and may be implemented without being provided at all.

また、光源ユニット23とスライダ22との接着に、UV硬化型接着剤以外の接着剤例えば、端面発光型の発光素子40と電極パッド47との接着に用いたAuSn等の半田層を用いても実施は可能である。   Alternatively, an adhesive other than a UV curable adhesive, for example, a solder layer such as AuSn used for bonding the edge-emitting light emitting element 40 and the electrode pad 47 may be used for bonding the light source unit 23 and the slider 22. Implementation is possible.

また、上述の例では、コア35の形状として直線導波路を用いたが、これはYZ平面内における外形形状が放物線を描くパラボラ型の導波路とし、その焦点位置に近接場光発生部を配置してもよく、また、YZ平面内における外形形状を楕円形状などとしてもよい。なお、上記熱アシスト磁気ヘッドを備えたHGA及びハードディスク装置では、製品間の特性ばらつきを低減することができる。   In the above example, a linear waveguide is used as the shape of the core 35. However, this is a parabolic waveguide whose outer shape in the YZ plane draws a parabola, and a near-field light generating unit is disposed at the focal position. Alternatively, the outer shape in the YZ plane may be an elliptical shape. Note that in the HGA and hard disk drive provided with the heat-assisted magnetic head, variation in characteristics between products can be reduced.

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。   All the embodiments described above are illustrative of the present invention and are not intended to be limiting, and the present invention can be implemented in other various modifications and changes. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.

実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。1 is a perspective view of a hard disk device according to an embodiment. HGA17の斜視図である。It is a perspective view of HGA17. 図1に示した熱アシスト磁気ヘッド21の近傍の拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of the vicinity of a heat-assisted magnetic head 21 shown in FIG. 図3に示した熱アシスト磁気ヘッド21のIV−IV矢印断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along arrow IV-IV of the thermally assisted magnetic head 21 shown in FIG. 3. 図4に示した熱アシスト磁気ヘッド21のV−V矢印断面図である。FIG. 5 is a VV arrow cross-sectional view of the thermally-assisted magnetic head 21 shown in FIG. 4. 熱アシスト磁気ヘッド21の回路図である。3 is a circuit diagram of a heat-assisted magnetic head 21. FIG. 媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the main part of the magnetic head viewed from the medium facing surface side. 媒体対向面Sから見た近接場光発生部(プラズモン・プローブ)36の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a near-field light generating unit (plasmon probe) 36 as viewed from the medium facing surface S. 近接場光発生部36への入射光の波長λ(nm)と近接場光強度I(a.u.)との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between wavelength (lambda) (nm) of the incident light to the near-field light generation part 36, and near-field light intensity I (au). 近接場光発生部36への入射光の波長λ(nm)と近接場光強度I(a.u.)との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between wavelength (lambda) (nm) of the incident light to the near-field light generation part 36, and near-field light intensity I (au). 端面発光型発光素子の斜視図である。It is a perspective view of an end surface light emitting element. 導波路35及び近接場光発生部36の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining one Embodiment of the formation method of the waveguide 35 and the near-field light generation part 36. FIG. 導波路35及び近接場光発生部36の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining one Embodiment of the formation method of the waveguide 35 and the near-field light generation part 36. FIG. 実施の形態に係る光源ユニット23の製造方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the light source unit 23 which concerns on embodiment. 実施の形態に係る光源ユニット23の製造方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the light source unit 23 which concerns on embodiment. 熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing method of a heat-assisted magnetic head. 「蝶ネクタイ型」構造の近接場光発生部36の斜視図である。It is a perspective view of the near field light generation part 36 of a "bow tie type" structure. 別の実施の形態に係る光源ユニット23の製造方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the light source unit 23 which concerns on another embodiment. 図4に示した別形態の熱アシスト磁気ヘッド21のV−V矢印断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the VV arrow of the heat-assisted magnetic head 21 of another form shown in FIG. 4.

符号の説明Explanation of symbols

1…ハードディスク装置、10…磁気ディスク(記録媒体)、17…ヘッドジンバルアセンブリ(HGA)、20…サスペンション、21…熱アシスト磁気ヘッド、22…スライダ、220…スライダ基板、2202…集積面、23…光源ユニット、230…光源支持基板、32…磁気ヘッド部、33…MR効果素子(磁気検出素子)、34…電磁コイル素子(磁気記録素子)、35…導波路、354…光入射面(端面)、36…近接場光発生部、40…レーザダイオード(光源)、400…出光端、401…露出面、402…第2対向面、403…素子側面、411…主表面、412…深部表面、S…媒体対向面。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Hard disk apparatus, 10 ... Magnetic disk (recording medium), 17 ... Head gimbal assembly (HGA), 20 ... Suspension, 21 ... Thermally assisted magnetic head, 22 ... Slider, 220 ... Slider substrate, 2202 ... Integration surface, 23 ... Light source unit, 230 ... light source support substrate, 32 ... magnetic head, 33 ... MR effect element (magnetic detection element), 34 ... electromagnetic coil element (magnetic recording element), 35 ... waveguide, 354 ... light incident surface (end face) , 36 ... near-field light generating part, 40 ... laser diode (light source), 400 ... light emitting end, 401 ... exposed surface, 402 ... second opposing surface, 403 ... element side surface, 411 ... main surface, 412 ... deep surface, S ... medium facing surface.

Claims (4)

媒体対向面、この媒体対向面の反対側に位置する第1面、及び前記媒体対向面と前記第1面との間に位置する側面を有するスライダ基板と、
前記媒体対向面側に近接場光発生部が形成された光出射面と、前記近接場光発生部に近接した磁気記録素子とを有し、前記スライダ基板の前記側面の一つに固定された磁気ヘッド部と、
前記第1面に固定された光源支持基板と、
前記光出射面から出射する光を提供するように、前記光源支持基板の一側面に固定された発光素子と、
を備え、
前記光源支持基板の前記一側面は、
主表面と、
深部表面と、
を有し、前記主表面と前記深部表面との間には段差が構成されており、前記主表面から前記深部表面に向かう方向は、前記発光素子の積層方向であり、
前記発光素子は、
前記深部表面に対向する対向面と、
前記対向面の側方に位置する素子側面と、
を有し、
前記主表面と前記素子側面、前記深部表面と前記対向面との間には、それぞれ第1電極及び第2電極が介在していることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
A slider substrate having a medium facing surface, a first surface located on the opposite side of the medium facing surface, and a side surface located between the medium facing surface and the first surface;
A light emitting surface having a near-field light generating portion formed on the medium facing surface side; and a magnetic recording element proximate to the near-field light generating portion, and fixed to one of the side surfaces of the slider substrate. A magnetic head,
A light source support substrate fixed to the first surface;
A light emitting element fixed to one side of the light source support substrate so as to provide light emitted from the light emitting surface;
With
The one side surface of the light source support substrate is:
The main surface,
Deep surface,
A step is formed between the main surface and the deep surface, and a direction from the main surface toward the deep surface is a stacking direction of the light emitting elements,
The light emitting element is
A facing surface facing the deep surface;
An element side surface located on a side of the facing surface;
Have
A heat-assisted magnetic head, wherein a first electrode and a second electrode are interposed between the main surface and the element side surface, and the deep surface and the facing surface, respectively.
前記磁気ヘッド部は、前記光出射面と、前記第1面側に形成された光入射面とを含む平面導波路のコアをさらに有し、前記発光素子は、前記光入射面に対向することを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気ヘッド。   The magnetic head unit further includes a planar waveguide core including the light emitting surface and a light incident surface formed on the first surface side, and the light emitting element faces the light incident surface. The heat-assisted magnetic head according to claim 1. 請求項1に記載の熱アシスト磁気ヘッドと、
前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、
を備えたヘッドジンバルアセンブリ。
A thermally assisted magnetic head according to claim 1;
A suspension supporting the thermally-assisted magnetic head;
Head gimbal assembly with
請求項3に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記媒体対向面と対向する位置に設けられた磁気記録媒体と、
を備えたハードディスク装置。

A head gimbal assembly according to claim 3;
A magnetic recording medium provided at a position facing the medium facing surface;
Hard disk device with

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