JP2008113061A - Bulk acoustic wave resonator, filter device, and communication device - Google Patents

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Tetsuya Kishino
哲也 岸野
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Kyocera Corp
京セラ株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bulk acoustic wave resonator which allows a frequency difference to be freely set and has higher performance and is inexpensive, a filter device which has good stopping characteristics at a low cost, and a communication device which is inexpensive and has good sensitivity. <P>SOLUTION: The bulk acoustic wave resonator includes a resonance unit which includes a piezoelectric body and a pair of electrodes clamping the piezoelectric body along the thickness, and an adjusting film which is provided on at least the one in thickness-direction of the resonance unit, is about 0.5 λ×n in thickness, and adjusts an effective electromechanical coupling coefficient of the resonance unit to a predetermined target value. Here, λ is the wavelength of an acoustic wave of in-use frequency propagated in the adjusting film along the thickness and (n) is a natural number. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は圧電共振子の一種であるバルク音響波共振子及びそれを用いたフィルタ装置並びに通信装置に関し、特に、薄膜プロセスにより形成された圧電体からなる共振部を具備するバルク音響波共振子及びそれを用いたフィルタ装置、並びにそのフィルタ装置を備えた通信装置に関するものである。 The present invention relates to a filter device and a communication device using bulk acoustic wave resonator which is a type of piezoelectric resonator and the same, in particular, bulk acoustic wave resonator comprising a resonating portion comprising a piezoelectric body formed by a thin film process and filter apparatus using the same, and to a communication apparatus including the filter device.

近年、圧電性を示す薄膜の厚み縦振動モードを用いた共振子が提案されている。 Recently, resonator using a thickness longitudinal vibration mode of the thin film of a piezoelectric property have been proposed. これは、入力される高周波電気信号に対して、圧電体が厚み縦振動を起こし、その振動が、薄膜の厚さ方向において共振を起こすことを用いた共振子であり、バルク音響波共振子と呼ばれている。 This means that for high-frequency electric signal input, the piezoelectric body causes a thickness longitudinal vibration, the vibration is a resonator using that resonates in the thickness direction of the film, and bulk acoustic wave resonator being called. また、薄膜プロセスで形成した圧電体を用いることから薄膜バルク音響波共振子(FBAR:Film Bulk Acoustic−wave Resonator)とも呼ばれている。 The thin-film bulk acoustic wave resonator from using a piezoelectric body formed by a thin film process (FBAR: Film Bulk Acoustic-wave Resonator) and is also called. バルク音響波共振子は、基体上に薄膜プロセスにより下部電極,圧電体,上部電極を順次積層した共振部を形成した構造をしている。 Bulk acoustic wave resonator is in the lower electrode by a thin film process on a substrate, the piezoelectric body, sequentially laminated to form a resonant portion structure and the upper electrode.

図8(a)に、バルク音響波共振子の一例の断面図を示す。 In FIG. 8 (a), shows a cross-sectional view of one example of a bulk acoustic wave resonator. 図8(a)で、101は基体,102は貫通孔,103は下部電極,104は圧電体,105は上部電極を示している。 In FIG. 8 (a), 101 is a substrate, 102 is a through hole, 103 a lower electrode, 104 is a piezoelectric element, 105 denotes an upper electrode. 共振部は、下部電極103と圧電体104と上部電極105とが重なっている部分で、この共振部で音響波が共振を起こす構成になっている。 Resonance unit is a portion that overlaps the lower electrode 103 and the piezoelectric member 104 and the upper electrode 105, the acoustic wave in the resonance portion has a configuration causing resonance. また、共振部は、貫通孔102により基体101から音響的にアイソレートされている。 Further, the resonance section is acoustically isolated from the substrate 101 by the through-hole 102. 実際のバルク音響波共振子では、この他に、周波数調整層や保護層などが必要であるが、図8(a)ではそれらを省略し、基本的な構成のみを示している。 In actual bulk acoustic wave resonator, In addition, it is necessary, such as frequency adjustment layer and a protective layer, in FIG. 8 (a) is omitted them show only basic configurations. また、図8(a)では、2つのバルク音響波共振子が直列に接続されている例を示した。 Further, in FIG. 8 (a), 2 two bulk acoustic wave resonator is an example that is connected in series.

バルク音響波共振子の共振周波数は、バルク音響波共振子を構成する各層の膜厚によって決定される。 The resonant frequency of the bulk acoustic wave resonator is determined by the thickness of each layer constituting the bulk acoustic wave resonator. 例えば図8(a)の例では、下部電極103と上部電極105との膜厚を無視すれば、その共振は、 In the example, for example FIG. 8 (a), the ignoring the thickness of the lower electrode 103 and the upper electrode 105, its resonance,
d=λ/2 d = λ / 2
の条件が満たされる場合に起こる。 Happen if the condition of is met. ここで、dは圧電体104の膜厚、λは圧電体104中を伝播する音響波の波長である。 Here, d is the thickness of the piezoelectric body 104, lambda is the wavelength of the acoustic wave propagating in the piezoelectric body 104. なお、下部電極103と上部電極105との膜厚が無視できない場合は、無視できる場合に比べて共振周波数が若干低くなる。 Incidentally, if the thickness of the lower electrode 103 and upper electrode 105 can not be ignored, the resonance frequency is slightly lower than in the case negligible. 実際は、図8(a)では省略されている保護膜や周波数調整膜も考慮してバルク音響波共振子を設計する必要がある。 In fact, it is necessary to design a bulk acoustic wave resonator also considering a protective film or a frequency adjustment film is omitted in FIG. 8 (a).

また、バルク音響波共振子には、弾性表面波共振子と同様に、共振周波数f0(インピーダンスが極小となる周波数)と反共振周波数fa(インピーダンスが極大となる周波数)とが存在し、その差(周波数差)は、実効電気機械結合係数(k eff )によって決定される。 Moreover, the bulk acoustic wave resonator, like the surface acoustic wave resonator, there the resonance frequency f0 (frequency impedance becomes minimum) and the anti-resonance frequency fa (the frequency where the impedance is maximum) is the difference (frequency difference) it is determined by the effective electromechanical coupling factor (k eff 2). 実効電気機械結合係数は、圧電体の材料定数である電気機械結合係数,圧電体及び電極,保護膜などのバルク音響波共振子を構成する層の材料定数や構造によって決定される。 The effective electromechanical coupling factor is determined electromechanical coupling coefficient is a material constant of the piezoelectric body, the piezoelectric body and the electrode, the material constant and the structure of layers constituting the bulk acoustic wave resonator such as a protective film.

このバルク音響波共振子を使用してフィルタを構成する場合は、図8(b)に示すように、周波数をわずかにずらした複数のバルク音響波共振子を、直列,並列に接続して、所謂ラダー型フィルタとすることが一般的である。 When configuring a filter using this bulk acoustic wave resonator, as shown in FIG. 8 (b), a slightly more bulk acoustic wave resonator is shifted frequency, are connected in series, in parallel, it is common to a so-called ladder filter. 図8(b)において、200はバルク音響波共振子を直列に接続した直列共振子,201はバルク音響波共振子を並列に接続した並列共振子である。 In FIG. 8 (b), 200 is the series resonator connected to the bulk acoustic wave resonator in series, 201 is a parallel resonator connected bulk acoustic wave resonator in parallel. 基本的には、直列共振子200の共振周波数f0及び並列共振子201の反共振周波数faが、フィルタの通過帯域の中心周波数となるように、各共振子の共振周波数を設定する。 Basically, anti-resonance frequency fa of resonance frequency f0 and the parallel resonators 201 of the series resonator 200 is such that the center frequency of the pass band of the filter, to set the resonance frequency of the resonators. また、直列共振子200の反共振周波数fa及び並列共振子201の共振周波数f0は阻止周波数となる。 Further, the resonance frequency f0 of the anti-resonant frequency fa and the parallel resonators 201 of the series resonator 200 becomes the stopping frequency. このため、ラダー型フィルタの帯域幅は、ほぼバルク音響波共振子の周波数差と等しくなる。 Therefore, the bandwidth of the ladder-type filter is approximately equal to the frequency difference between the bulk acoustic wave resonator.

また、各共振子の実効電気機械結合係数を変更することにより、急峻な減衰特性を得ることが提案されている(特許文献1参照)。 Further, by changing the effective electromechanical coupling coefficient of the resonators, it is proposed to obtain a steep attenuation characteristic (see Patent Document 1).
特開2003−22074号公報 JP 2003-22074 JP

バルク音響波共振子でフィルタを構成する場合には、所望のフィルタ特性を得るために、共振周波数や周波数差を調整することが望まれていた。 When a filter with bulk acoustic wave resonator, in order to obtain desired filter characteristics, it has been desired to adjust the resonance frequency and frequency difference.

しかしながら、共振周波数を調整するために共振部の膜厚を変更したり、周波数調整膜を設けたりしても周波数差を調整することはできなかった。 However, changing the thickness of the resonance portion in order to adjust the resonance frequency, even or provided frequency adjustment film was not possible to adjust the frequency difference. また、バルク音響波共振子の周波数差は、使用する圧電体の材料でほぼ決定され、バルク音響波共振子を構成する圧電体以外の各層の材料や膜厚を変えても若干変化する程度であるため、以下のような課題があった。 Also, the frequency difference between the bulk acoustic wave resonator is substantially determined by the material of the piezoelectric material used, in varying degrees slightly by changing the material and thickness of each layer other than the piezoelectric body constituting the bulk acoustic wave resonator there therefore, has the following problems.

1. 1. 所望の周波数差を得るためには、圧電体材料を変更する必要があり、新たな材料開発が必要であったり、標準と異なる特別な製造プロセス開発が必要であったりしてしまう。 In order to obtain the desired frequency difference, it is necessary to change the piezoelectric material, or a need for new materials development, resulting in or required a nonstandard special manufacturing process development.

2. 2. 同一基体上に異なる周波数差のバルク音響波共振子を形成する場合には、同一基体に2種類の圧電体を形成する必要があると同時に、それぞれの共振子の共振周波数を所望の値とするために、各共振子の圧電体や電極の厚みを独立に調整する必要があり、設計や製造プロセスが非常に複雑となってしまう。 When forming a bulk acoustic wave resonator having a different frequency differences on the same substrate at the same time it is necessary to form two types of piezoelectric same substrate, the resonant frequency of each resonator to a desired value Therefore, the need to adjust independently the thickness of the piezoelectric body and electrodes of the resonators, the design and manufacturing process becomes very complicated.

3. 3. 圧電体の厚みや電極の材料及び厚みを調節することで1種類の圧電体を用いて異なる周波数差の共振子を実現できる場合もあるが、調整できる範囲は限られており、さらに、それぞれの共振子の共振周波数,周波数差を所望の値とするために、圧電体,電極の厚み・材料の設計が非常に複雑となってしまう。 Although in some cases can be realized resonators different frequency difference using one of the piezoelectric body by adjusting the material and thickness of the piezoelectric thickness and electrodes, adjustable range is limited, further, each resonant frequency of the resonator, in order to the frequency difference between a desired value, the piezoelectric element, the design of the thickness and materials of the electrode becomes very complicated. また、同一基体上に、異なった厚みの圧電体や電極を形成する必要があり、製造プロセスが非常に複雑となってしまう。 Further, on the same substrate, it is necessary to form the piezoelectric body or the electrode of different thickness, the manufacturing process becomes very complicated.

このように、所望の周波数差を有する共振子を得ることは非常に困難であり、さらにこのように周波数差を調整した共振子を組み合わせて所望の特性のフィルタを実現するためには、上記のように設計や製造プロセスが複雑であるため、信頼性に乏しく、生産性が低くなっていた。 Thus, it is very difficult to obtain a resonator having a desired frequency difference, in order to further realize Thus the filter having desired characteristics by combining resonators to adjust the frequency difference, the since such is complicated design and manufacturing process, the unreliable, it had lower productivity.

本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、周波数差を自由に設定でき、より高性能で生産性の高いバルク音響波共振子を提供することにある。 The present invention has been devised in view of the problems in the prior art as described above, and its object is free to set the frequency difference, the higher the bulk acoustic wave resonator productive with higher performance It is to provide.

また、本発明の他の目的は、生産性が高く阻止特性が良いフィルタ装置、及び生産性が高く感度が良い通信装置を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide high productivity blocking characteristic is good filtering device, and productivity is high and sensitivity is good communication apparatus.

本発明のバルク音響波共振子は、1)圧電体と、前記圧電体を厚み方向に対して挟持する一対の電極と、を含む共振部と、前記共振部の厚み方向の少なくとも一方に設けられ、概略0.5λ×nの厚みを有する調整膜と、を備えたものである。 Bulk acoustic wave resonator of the present invention, 1) a piezoelectric body, a resonance part comprising a pair of electrodes and for clamping the piezoelectric to the thickness direction, provided at least one of the thickness direction of the resonator portion , those with an adjustment film with a thickness schematic 0.5 [lambda × n, a.

ただし、λは使用周波数における調整膜中を厚み方向に伝播する音響波の波長であり、nは自然数である。 However, lambda is the wavelength of the acoustic wave propagating adjusting film in the use frequency in the thickness direction, n is a natural number.

また、本発明のバルク音響波共振子は、2)上記1)の構成において、前記調整膜は、金属材料からなるものである。 Moreover, the bulk acoustic wave resonator of the present invention, in the configuration of 2) above 1), wherein the adjusting layer is made of a metallic material.

また、本発明のバルク音響波共振子は、3)上記1)または2)の構成において、前記調整膜は、その厚みを前記0.5λ×nの値から所定量ずらして、前記共振部の共振周波数または反共振周波数を所定の目標値に調整したものである。 Moreover, the bulk acoustic wave resonator of the present invention, 3) in the above configuration 1) or 2), the adjustment film, its thickness is shifted a predetermined amount from the value of the 0.5 [lambda × n, of the resonance portion it is obtained by adjusting the resonance frequency or the antiresonance frequency to a predetermined target value.

また、本発明のバルク音響波共振子は、4)上記1)〜3)のいずれかの構成において、前記調整膜の周縁部は、前記共振部の厚み方向に垂直な断面における周縁部と一致するものである。 Moreover, the bulk acoustic wave resonator of the present invention, 4) the 1) in the construction of the ~ 3), the peripheral edge portion of the adjustment film is consistent with the periphery of the cross section perpendicular to the thickness direction of the resonator portion it is intended to.

また、本発明のフィルタ装置は、5)入力端子と出力端子と基準電位端子とを有し、前記入力端子と前記出力端子とをつなぐ入出力ライン上、または前記入出力ラインと基準電位端子との間に、上記1)〜4)のいずれかに記載のバルク音響波共振子を設けたものである。 The filter apparatus of the present invention, 5) having an input terminal and an output terminal and a reference potential terminal, the input and output lines connecting the input terminal and the output terminal, or the input and output lines and a reference potential terminal between, it is provided with a bulk acoustic wave resonator according to any one of the above 1) to 4).

また、本発明の通信装置は、6)受信回路もしくは送信回路の少なくとも1つを有し、上記5)に記載のフィルタ装置が前記受信回路もしくは前記送信回路に用いられている。 In the communication apparatus, 6) has at least one receiving circuit or a transmitting circuit, a filter device according to the above 5) is used in the receiving circuit or said transmitting circuit.

また、本発明の通信装置は、7)上記5)に記載のフィルタ装置と、受信回路もしくは送信回路の少なくとも1つとを有するものである。 In the communication apparatus, 7) are those having a filter device according to the above 5), at least one of a receiving circuit or a transmitting circuit.

本発明のバルク音響波共振子によれば、1)の構成により、調整膜の膜厚が概略0.5λ×n(λは使用周波数における調整膜中での音響波の波長、nは自然数)であるため、共振部で設計した共振周波数と同じ周波数で共振する。 According to the bulk acoustic wave resonator of the present invention, the structure of 1), the wavelength of the acoustic wave of the thickness of the adjustment layer is schematic 0.5λ × n (λ adjustment film at the operating frequency, n represents a natural number) because it resonates at the same frequency as the resonance frequency designed by resonating portion. その結果、共振周波数または反共振周波数をほぼ変えることなく、調整膜の厚みと材料とに応じて実効電気機械結合係数及び周波数差のみを変更することができる。 As a result, without changing substantially the resonant frequency or antiresonant frequency can be changed only effective electromechanical coupling coefficient and a frequency difference depending on the thickness of the adjustment layer and materials. 具体的には、調整膜の厚みで周波数差を調整するためには、nを大きくすることで周波数差を小さくすることができる。 More specifically, in order to adjust the frequency difference by the thickness of the adjustment layer can reduce the frequency difference by increasing the n. このため、周波数差が自由に設定でき、より高性能のバルク音響波共振子を、低コストで提供できるようになる。 Therefore, it can be set free frequency difference, the higher performance of the bulk acoustic wave resonator, it is possible to provide at low cost. このように、本発明のバルク音響波共振子は、調整膜の膜厚を概略0.5λ×nとすることで初めて、周波数差調整機能を有するものとなることを見出したことに基づくものである。 Thus, bulk acoustic wave resonator of the present invention, the thickness of the adjustment layer first by a schematic 0.5 [lambda × n, are based on the finding that comes to have a frequency difference adjusting function is there.

また、バルク音響波共振子の共振部の材料,膜厚などを変更することなく、調整膜のみにより、その厚みと材料とを調整することで、実効電気機械結合係数及び周波数差を自由に変更することができるようになる。 The material of the resonator part of the bulk acoustic wave resonator, without changing such thickness, only by adjusting the film, by adjusting the thickness thereof and the material freely change the effective electromechanical coupling factor and the frequency difference so that it is able to. それにより、設計の自由度が高くなり、所望の特性を有する,生産性の高いバルク音響波共振子を提供できるようになる。 Thereby, the degree of freedom of the design, with the desired characteristics, it is possible to provide a high productivity bulk acoustic wave resonator.

さらに、バルク音響波共振子の周波数差は、調整膜の厚みを上記の値とし、かつ調整膜の材料を選択することによってさらに調整できる。 Moreover, the frequency difference between the bulk acoustic wave resonator, the thickness of the adjustment layer can be further adjusted by the value above and selecting a material of the adjustment layer. すなわち、調整膜は、共振部の前記実効電気機械結合係数の目標値に基づいて材料が決定される場合には、共振部の材料、膜厚などを変更することなく、調整膜の材料を選択するだけで、所望の実効電気機械結合係数に基づく所望の周波数差を得ることができるようになる。 That is, adjustment film, if the material is determined based on the target value of the effective electromechanical coupling coefficient of the resonator portion, the material of the resonance unit, without changing the like thickness, selecting the material of the adjustment layer simply, it is possible to obtain a desired frequency difference based on desired effective electromechanical coupling coefficient. このため、より高性能のバルク音響波共振子を、低コストで提供できるようになる。 Therefore, the higher performance of the bulk acoustic wave resonator, it is possible to provide at low cost.

また、本発明のバルク音響波共振子によれば、2)の構成により、調整膜が共振部の厚み方向の一方に形成された電極の厚みを実質的に厚くする働きを有するので、電気抵抗が少なくなり、その結果、損失の少ないものとすることができる。 Further, according to the bulk acoustic wave resonator of the present invention, 2 a construction of a), because it has a function of adjusting film is thick substantially the thickness of the electrode formed on one thickness direction of the resonator portion, the electrical resistance is reduced, as a result, it can be made less loss.

また、本発明のバルク音響波共振子によれば、3)の構成により、概略0.5λ×nの厚みを有する調整膜の材料およびnの大きさを調整することで、共振部の材料,膜厚などを変更することなく、所望の周波数差を得ると共に、調整膜の厚みを0.5λ×nの値から所定量ずらすことで、所望の周波数差を維持しつつ所望の共振周波数または反共振周波数も得ることができるようになる。 Further, according to the bulk acoustic wave resonator of the present invention, 3 by the configuration of), by adjusting the material and size of n adjustment film having a thickness of schematic 0.5 [lambda × n, the material of the resonator part, without changing such thickness, with obtaining a desired frequency difference, the thickness of the adjustment layer from the value of 0.5 [lambda × n by shifting a predetermined amount, a desired resonant frequency or the anti-while maintaining a desired frequency difference it is possible to obtain also the resonance frequency. このため、より高性能で、設計の自由度の高いバルク音響波共振子を、低コストで提供できるようになる。 Therefore, a higher-performance, high bulk acoustic wave resonator of design freedom, it is possible to provide at low cost.

また、本発明のバルク音響波共振子によれば、4)の構成により、調整膜による寄生容量が発生することを防ぎ、所望の共振周波数で共振する、高性能なものとすることができる。 Further, according to the bulk acoustic wave resonator of the present invention, the configuration of 4), prevents infestation by adjusting film capacitance is generated, resonates at a desired resonant frequency, can be made high. また、電極と同時に調整膜を成膜、加工ができるようになるため、工数を増やさずに所望の特性を得ることができる、生産性の高いものとすることができる。 Further, since the simultaneous adjustment film and electrode deposition, to allow processing, can without increasing the number of steps to obtain the desired properties, can have high productivity.

また、本発明のフィルタ装置によれば、5)の構成により、設計の自由度の高い、各構成のいずれかのバルク音響波共振子を、フィルタ装置を構成する共振子として用いるので、従来の技術のFBARを使用したフィルタ装置に比べて、設計の自由度の高いフィルタを構成することができる。 Further, according to the filter apparatus of the present invention, the structure of 5), a high degree of freedom in design, one of the bulk acoustic wave resonator of each component, since used as a resonator constituting the filter device, a conventional compared to the filter device using the FBAR technology, it is possible to constitute a high degree of freedom of designing the filter. また、このようなフィルタ装置を、調整膜の形成工程を追加するのみで作製することができるので、より阻止特性の良い高性能なフィルタ装置を低コストで提供できる、生産性の高いものとすることができる。 Further, such a filter device, it is possible to produce only adding a step of forming the adjustment film can provide a high-performance filter device good more blocking characteristics at low cost, and having high productivity be able to.

また、本発明の通信装置によれば、6)の構成により、所望の特性を有するように調整されたフィルタ装置を用いることができるので、回路中での不要波の除去性能を上げたりすることのできる性能の高いものとすることができる。 Further, according to the communication apparatus of the present invention, the configuration of the 6), it is possible to use a filter device which is adjusted to have a desired property, to raising the performance of removing unnecessary wave in the circuit can be made of high performance that can. また、低コストのフィルタ装置を用いて回路を構成できるので、より性能の良い通信装置を安価に提供することができる。 Further, since the circuit can be constructed by using a low-cost filter device, it can be provided at low cost more performance good communication apparatus.

さらに、本発明の通信装置によれば、7)の構成により、所望の特性を有するように調整された低コストのフィルタ装置を用いて通信装置を構成できるので、より性能の良い通信装置を安価に提供することができる。 Further, according to the communication apparatus of the present invention, the configuration of the 7), it is possible to configure a communication device using a low-cost filter device is adjusted to have a desired property, a more performance good communication apparatus inexpensive it is possible to provide in.

以下、本発明のバルク音響波共振子,フィルタ装置及び通信装置の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, a bulk acoustic wave resonator of the present invention, an embodiment of a filter apparatus and a communication apparatus will be described in detail with reference to the drawings.

本発明のバルク音響波共振子の実施の形態の一例を、図1(a)に平面図を,図1(b)に(a)のA−A'部分の矢視断面図を示す。 An example of an embodiment of a bulk acoustic wave resonator of the present invention, the plan view in FIG. 1 (a), shows the arrow sectional view of the A-A 'portion of the (a) in FIG. 1 (b). なお、図面においては、バルク音響波共振子の構造が分かりやすいように各部の寸法は適宜拡大している。 In the drawings, dimensions of the respective parts for clarity the structure of the bulk acoustic wave resonator is expanded as appropriate. 図1は、左側に従来のバルク音響波共振子と、右側に本発明のバルク音響波共振子とを示し、これら2つの共振子が、直列に接続されているものである。 Figure 1 is a conventional bulk acoustic wave resonator on the left, shows a bulk acoustic wave resonator of the present invention on the right, the two resonators, in which are connected in series.

図1(a),(b)において、11は基体,12は貫通孔,13は下部電極,14は圧電体,15は上部電極,16は調整膜である。 FIG. 1 (a), in (b), 11 is a substrate, 12 is a through hole, 13 lower electrode, 14 is a piezoelectric element, 15 is an upper electrode, 16 is an adjustment layer. 基体11上には、圧電体14を厚み方向に挟持し、厚み方向から電圧を印加するための下部電極13及び上部電極15が積層されている。 On the substrate 11, sandwiching a piezoelectric body 14 in the thickness direction, the lower electrode 13 and upper electrode 15 for applying a voltage from the thickness direction it is stacked. この下部電極13と上部電極15とで、圧電体14を厚み方向に挟持する一対の電極を構成している。 In the lower electrode 13 and upper electrode 15 constitute a pair of electrodes sandwiching the piezoelectric member 14 in the thickness direction. また、下部電極13,圧電体14,上部電極15が厚み方向で重なった部分は音響波の共振を担う部分であり、共振部と呼ぶ。 The lower electrode 13, piezoelectric body 14, the portion upper electrode 15 overlap each other in the thickness direction is a part responsible for the resonance of the acoustic wave, called a resonance part. この共振部は、貫通孔12によって基体11から音響的に分離されている。 The resonance unit is acoustically isolated from the substrate 11 by the through-hole 12. また、調整膜16は上部電極15上に直接接するようにして設けられている。 The adjustment film 16 is provided so as to contact directly on the upper electrode 15.

本発明のバルク音響波共振子では、共振部上に調整膜16が形成されていることにより、バルク音響波共振子の実効電気機械結合係数が変更され、その結果、周波数差を調整することができる。 The bulk acoustic wave resonator of the present invention, by adjusting film 16 on the resonance part is formed, the effective electromechanical coupling coefficient of the bulk acoustic wave resonator is changed, as a result, is possible to adjust the frequency difference it can.

通常、共振部上に設ける周波数調整膜等は、周波数差を変更できるものではなく、共振周波数及び反共振周波数を低周波数側の一方向のみにシフトさせるものであった。 Usually, the frequency adjustment film or the like provided on the resonance section is not intended to change the frequency difference were those of shifting the resonant frequency and anti-resonance frequency in one direction of the low-frequency side. また、その厚みが、使用周波数における厚み方向の波長λgに対して、0.25×λgとなると、共振部を伝搬してくる音響波を共振部側に反射する反射層として機能し、周波数をシフトさせる働きはなくなることが知られていた。 Further, the thickness thereof with respect to the wavelength lambda] g in the thickness direction at the operating frequency, when it comes to 0.25 × lambda] g, and functions as a reflective layer for reflecting acoustic waves propagated through the resonance portion in the resonance portion, the frequency It serves to shift that will not have been known. このため、周波数を調整するために0.25×λgを超える厚みの膜を形成することはなかった。 Therefore, never forming a film having a thickness of greater than 0.25 × lambda] g to adjust the frequency. そして、このような周波数調整膜は周波数差を変化させることはできなかった。 Then, such a frequency adjustment film were not able to change the frequency difference.

しかしながら、発明者が鋭意検討を重ねた結果、調整膜16を共振部上に形成し、その厚みを、0.5λ×n(ただし、λは使用周波数における調整膜16中を厚み方向に伝播する音響波の波長であり、nは自然数である)とすることで、以下の優れた特性を得ることができることを見出した。 However, as a result of inventor's diligent study, the adjustment film 16 is formed on the resonance part, the thickness, 0.5 [lambda × n (however, lambda is propagated in the adjustment film 16 in the operating frequency in the thickness direction is the wavelength of the acoustic wave, n represents with a natural number), it found that it is possible to obtain the following excellent characteristics. すなわち、調整膜16により、共振部上に膜を形成しているにも拘らず共振周波数を殆ど変化させることなく、その上で、従来調整することのできなかった周波数差を調整することができるのである。 That is, by adjusting film 16, the resonance unit on the film without almost changing the resonant frequency despite form a, thereon, it is possible to adjust the frequency difference that could not be conventionally adjusted than is.

なお、調整膜16の厚みは概略0.5λ×nであり、具体的には、0.5λ×nの値から±15%の範囲を含むものとする。 The thickness of the adjustment layer 16 is a schematic 0.5 [lambda × n, specifically, to the value of 0.5 [lambda × n as including a range of 15% ±.

以下、各部位について詳細に説明する。 Follows is a detailed description of each site.

基体11は、バルク音響波共振子を支持する機能を有し、通常は厚みが0.05〜1mm、直径が75〜200mm程度の鏡面研磨されたSiウエハーが用いられる。 The base 11 has a function of supporting the bulk acoustic wave resonator, typically a thickness of 0.05 to 1 mm, is Si wafer diameter has been mirror-polished on the order 75~200mm used. Siウエハーは扱いやすく、また対応する薄膜プロセス装置も多いため、製造が容易となることから、特に好適に用いられる。 Since Si wafer tractable, also larger corresponding thin film process apparatus, since the production is facilitated, particularly preferably used. 基体11は、Siウエハーの他にも、薄膜プロセスと相性の良い、Si,Al ,SiO ,ガラス等のウエハーまたは平板を使用することができる。 The base 11, in addition to the Si wafer, good thin film process compatible, Si, Al 2 O 3, SiO 2, can be used wafer or flat glass or the like.

下部電極13は、圧電体14に高周波電圧を印加する機能を有する部材であり、W,Mo,Au,Al,Cu等の金属材料で形成される。 The lower electrode 13 is a member having a function of applying a high frequency voltage to the piezoelectric 14, W, Mo, Au, Al, is formed of a metal material such as Cu. 下部電極13はスパッタリング法やCVD法等の薄膜プロセスで基体11上に所定の厚さで形成され、フォトリソグラフィ技術等により所定の形状に加工される。 The lower electrode 13 is formed on the substrate 11 by a thin film process such as sputtering or CVD method at a predetermined thickness, it is processed into a predetermined shape by a photolithography technique or the like. また、下部電極13は共振部を構成する機能を有するため、バルク音響波共振子が必要な共振特性を発揮するために、その厚みは、材料の固有音響インピーダンスや密度,音速,波長等を考慮して、精密に設計する必要がある。 Further, since the lower electrode 13 having the function of a resonance unit in order to exhibit resonance characteristics required bulk acoustic wave resonator, its thickness, specific acoustic impedance or the density of the material, acoustic velocity, wavelength, etc. Considering to, it is necessary to precisely design. 最適な電極厚みは、使用周波数,共振子の要求特性、圧電体14の材料,電極材料,その他共振部と接して設けられる部材の構成等によって異なるが、共振周波数が2GHzの場合、0.01〜0.5μm程度である。 Optimum electrode thickness, the use frequency, the required characteristics of the resonator, the material of the piezoelectric body 14, the electrode material, although depending on the configuration of the members provided in contact with the other resonator unit, if the resonant frequency is 2 GHz, 0.01 it is about ~0.5μm.

圧電体14は、例えばZnOやAlN,PZT等の圧電体材料からなり、下部電極13及び上部電極15によって印加された高周波電圧に応じて伸縮し、電気的な信号を機械的な振動に変換する機能を持つ。 The piezoelectric body 14 is, for example, ZnO and AlN, made of a piezoelectric material such as PZT expands and contracts according to the high-frequency voltage applied by the lower electrode 13 and upper electrode 15, and converts electrical signals into mechanical vibrations It has a function. 圧電体14はスパッタリング法やCVD法等の薄膜プロセスで下部電極13上に所定の厚さで形成され、フォトリソグラフィ技術等により所定の形状に加工される。 The piezoelectric body 14 is formed by a sputtering method, a CVD method, or the like thickness in a thin film process given on the lower electrode 13 of, it is processed into a predetermined shape by a photolithography technique or the like. バルク音響波共振子が必要な共振特性を発揮するために、圧電体14の厚みは、材料の固有音響インピーダンスや密度,音速,波長等を考慮して、精密に設計する必要がある。 For bulk acoustic wave resonators exhibit resonance characteristics required, the thickness of the piezoelectric body 14 is, specific acoustic impedance or the density of the material, acoustic velocity, in consideration of the wavelength, etc., has to be precisely designed. 最適な厚みは、使用周波数,共振子の要求特性,圧電体14の材料,下部電極13及び上部電極15の材料等によって異なるが、共振周波数が2GHzの場合、0.3〜2.0μm程度である。 Optimal thickness is used frequency, the required characteristics of the resonator, the material of the piezoelectric body 14 varies depending on the material, etc. of the lower electrode 13 and upper electrode 15, when the resonant frequency is 2 GHz, in order 0.3~2.0μm is there.

上部電極15は、下部電極13とともに、圧電体14に高周波電圧を印加する機能を有する部材であり、W、Mo、Au、Al、Cu等の金属材料で形成される。 The upper electrode 15, together with the lower electrode 13, a member having a function of applying a high frequency voltage to the piezoelectric 14, W, Mo, Au, Al, is formed of a metal material such as Cu. 上部電極15はスパッタリング法やCVD法等の薄膜プロセスで圧電体14上に所定の厚さで形成され、フォトリソグラフィ技術等により所定の形状に加工される。 The upper electrode 15 is formed by a sputtering method, a CVD method, or the like thin film process of predetermined on the piezoelectric body 14 thickness of, it is processed into a predetermined shape by a photolithography technique or the like. また、上部電極15は、電極としての機能と同時に、共振部を構成する機能も有するため、バルク音響波共振子が必要な共振特性を発揮するために、その厚みは、材料の固有音響インピーダンスや密度,音速,波長等を考慮して、精密に設計する必要がある。 The upper electrode 15, simultaneously with the function as an electrode because it has a function of a resonance unit in order to exhibit resonance characteristics required bulk acoustic wave resonator, its thickness, specific acoustic impedance of the material Ya density, sound velocity, in consideration of the wavelength, etc., has to be precisely designed. 最適な電極厚みは、使用周波数、共振子の要求特性、圧電体14の材料,電極材料等によって異なるが、共振周波数が2GHzの場合、0.01〜0.5μm程度である。 Optimum electrode thickness, the use frequency, the required characteristics of the resonator, the material of the piezoelectric body 14 varies by the electrode material or the like, when the resonance frequency is 2 GHz, is on the order of 0.01 to 0.5 [mu] m.

下部電極13,上部電極15としては、金属材料単層ではなく、導電率を向上させたり、必要な音響特性を得たりするために、複数の金属層を積層したものや、基体,圧電体14との密着層やバッファ層を追加したものも用いられる。 The lower electrode 13, the upper electrode 15, rather than a metallic material single layer, or to improve the conductivity, to or resulting acoustic characteristics required, and formed by laminating a plurality of metal layers, substrate, piezoelectric member 14 obtained by adding an adhesion layer or a buffer layer between the well used.

また、圧電体14が上下から下部電極13及び上部電極15により挟まれて構成される共振部は、前述のように、その内部で音響波が厚み縦振動による共振を起こすものであり、使用周波数,共振子の要求特性,圧電体14の材料,下部電極13及び上部電極15の材料等を考慮して精密に設計する必要がある。 Further, the resonance section configured pinched by the lower electrode 13 and upper electrode 15 piezoelectric body 14 from above and below, as described above, the acoustic wave therein is intended to cause resonance by the thickness longitudinal vibration, use frequency , required characteristics of the resonator, the material of the piezoelectric body 14, it is necessary to precisely designed in consideration of the materials of the lower electrode 13 and upper electrode 15. 共振部は、下部電極13,圧電体14,上部電極15が重なった部分であり、下部電極13,圧電体14,上部電極15のそれぞれは、共振部よりも広く形成されていてもよい。 Resonance unit includes a lower electrode 13, piezoelectric body 14, a is overlapped portion upper electrode 15, lower electrode 13, piezoelectric member 14, each of the upper electrode 15 may be wider than the resonance unit. 通常、全体の厚みが、おおむねλ/2(λは使用周波数での音響波の波長)となるように設計される。 Usually, the overall thickness is designed to (the lambda wavelength of the acoustic waves at the operating frequency) approximately lambda / 2 becomes. また、平面形状は、図1に示す例では矩形状になっているが、不要振動(スプリアス)を防ぐため、円形状や不定形状,台形状とされる場合もある。 The planar shape in the example shown in Figure 1 has a rectangular shape, in order to prevent unwanted vibrations (spurious), the program may be circular or irregular shape, a trapezoidal shape. さらに、その面積は、共振子のインピーダンスを決定する要素となるため、厚みと同様に精密に設計する必要がある。 Furthermore, the area is to become a factor in determining the impedance of the resonator, it is necessary to similarly precisely designed and thickness. 50Ωインピーダンス系で使用する場合は、通常、共振部の電気的なキャパシタンスが、使用周波数でおおむね50Ωのリアクタンスを持つように設計される。 As used 50Ω impedance systems are usually electrical capacitance of the resonant portion is designed to have a generally 50Ω reactance at the operating frequency. 共振部の面積は、例えば2GHzの振動子の場合であれば、100μm×100μmから200μm×200μm程度となる。 Area of ​​the resonance portion, for example in the case of 2GHz vibrator, consisting 100 [mu] m × 100 [mu] m and 200 [mu] m × 200 [mu] m approximately.

貫通孔12は、例えば基体11に共振部を形成した後に、基体11の裏側にフォトリソグラフィの技術でフォトレジストパターンを形成し、Deep−RIEや異方性ウエットエッチングで基体11をエッチングすることによって形成することができる。 Through hole 12, after forming the resonance part, for example, the base body 11, by forming a photoresist pattern on the back side of the substrate 11 in the photolithography technique, etching the substrate 11 in Deep-RIE or an anisotropic wet etching it can be formed. この場合、下部電極13と基体11との間に、SiO 、SiNx、AlNなどのエッチングストップ層が設けられることがある。 In this case, between the lower electrode 13 and the substrate 11, which may SiO 2, SiNx, etch stop layer such as AlN is provided.

調整膜16は、例えば上部電極15を成膜した後に、スパッタリング法やCVD法等の薄膜プロセスで上部電極15上に所定の厚さで形成され、フォトリソグラフィ技術等により所定の形状に加工される。 Adjustment film 16 is, for example after forming the upper electrode 15 is formed by a sputtering method, a CVD method, or the like thin film process a predetermined thickness on the upper electrode 15 in of, it is processed into a predetermined shape by a photolithography technique or the like . 調整膜16の材料,厚みは、バルク音響波共振子が必要な共振特性を発揮するように選定する必要がある。 Material of the adjustment layer 16, the thickness must be selected so as to exert the required resonance characteristics bulk acoustic wave resonator. 最適な厚みは、使用周波数,共振子の要求特性,圧電体14の材料,電極材料等によって異なるが、共振周波数が2GHzの場合、0.5〜2.0μm程度である。 Optimal thickness is used frequency, the required characteristics of the resonator, the material of the piezoelectric body 14 varies by the electrode material or the like, when the resonance frequency is 2 GHz, is on the order of 0.5 to 2.0 [mu] m.

調整膜16の材料に特に限定はないが、薄膜プロセスとの整合性から、W,Mo,Au,Al,Cu等の金属材料及びSiO ,SiNxなどの絶縁体材料が望ましい。 There is no particular limitation on the material of the adjustment layer 16, the consistency of a thin film process, W, Mo, Au, Al, a metal material and SiO 2 such as Cu, insulating material such as SiNx is desired. また、調整膜16の材料が金属材料の場合、上部電極15と調整膜16とを電気的に接続することにより、上部電極15の厚みを厚くしたのと同様の効果が得られ、電極の導電率を実質上向上させることができるため望ましい。 Further, when the material of the adjustment layer 16 is a metal material, by electrically connecting the upper electrode 15 and the adjustment layer 16, the same effect as increasing the thickness of the upper electrode 15 is obtained, the conductive electrode since the rate can be substantially improved desirable. さらに調整膜16と上部電極15を連続して成膜し、同時に加工することにより、同様の外形形状を持つようにしても良い。 Further adjustment film 16 and the upper electrode 15 is deposited in succession, by processing simultaneously, it may be with a similar outer shape. このようにした場合、工程が削減できるため、より低コストでデバイスを製造することができる。 In such a case, because the process can be reduced, it is possible to produce the device at a lower cost.

さらに、調整膜16の周縁部を、共振部の厚み方向に垂直な断面における周縁部と一致させている場合には、調整膜を追加することによる寄生容量が発生しなくなるため、共振子の特性を劣化させることがなくなる。 Further, a peripheral portion of the adjustment film 16, if they match the periphery of the cross section perpendicular to the thickness direction of the resonator portion, because the parasitic capacitance by adding the adjustment film is not generated, the characteristics of the resonator no longer can degrade the. ここで、調整膜16の周縁部とは、厚み方向で、調整膜16の共振部側の周縁部を指す。 Here, the peripheral portion of the adjustment film 16 is a thickness direction refers to a peripheral edge of the resonator portion side of the adjustment film 16. 即ち、図1のように共振部に調整膜16が接している場合には、共振部に接する部分の周縁部をいい、そこから逆テーパー状及び逆テーパー状になっていてもよい。 That is, when the adjustment film 16 in the resonance portion, as in FIG. 1 is in contact refers to the peripheral portion of the portion in contact with the resonating portion, it may be made therefrom reversed tapered and reverse tapered. 調整膜16の共振部に接する部分の周縁部を、共振部の厚み方向に垂直な断面における周縁部と一致させていない場合(図2(a))では、図中Aで示す部分の共振周波数が、他の部分と異なってしまうため、この部分が共振に寄与しない寄生容量となってしまうことがある。 In the case where the peripheral portion of the portion in contact with the resonating portion of the adjustment film 16 does not match the peripheral portion in a cross section perpendicular to the thickness direction of the resonance unit (FIG. 2 (a)), the resonance frequency of the portion indicated by A in the drawing but since become different from other portions, this portion may become a parasitic capacitance which does not contribute to the resonance. これに対し、調整膜16の共振部に接する部分の周縁部を、共振部の厚み方向に垂直な断面における周縁部と一致させている場合(図2(b))では、このような部分がなくなるため、寄生容量による特性劣化がなくなる。 In contrast, in the case where the peripheral portion of the portion in contact with the resonating portion of the adjustment film 16, is made to coincide with the peripheral portion in a cross section perpendicular to the thickness direction of the resonance unit (FIG. 2 (b)), such a portion eliminated because, characteristic deterioration due to the parasitic capacitance is eliminated.

なお、本発明のバルク音響波共振子における共振部、基体、その他材料や構造、製造工程等については以上の例に特に限定されるものではなく、さらに、保護膜やパッケージ、共振部と外部接続のための端子部(図示せず)とを接続する配線及び電極の取り回しや、複数の共振部を接続してフィルタとする構成や構造についても特に限定されるものではない。 The resonance section in the bulk acoustic wave resonator of the present invention, the substrate, other materials and structures, but the present invention is not particularly limited to the example described above manufacturing process or the like, further, a protective film or package, the external connecting a resonance unit is not particularly limited about the structure or components of the filter routing and terminal portions (not shown) to connect the wiring and the electrode, by connecting a plurality of resonator units for. これは以下に説明するバルク音響波共振子についても同様である。 This also applies to the bulk acoustic wave resonator described below.

例えば、図1においては、貫通孔12により共振部を基体11から音響的にアイソレートしているが、0.25λgの厚みの、高インピーダンス材料からなる層と低インピーダンス材料からなる層とを交互に積層してなる音響多層反射膜を共振部と基体11との間に設けてもよい。 Alternate example, in Figure 1, although acoustically isolate the resonance part from the substrate 11 by the through-holes 12, the thickness of 0.25Ramudag, and a layer consisting of a layer and a low-impedance material made of a high impedance material it may be provided between the resonator portion and the base 11 of the acoustic multilayer reflective film formed by laminating the.

さらに、図1では、調整膜16を上部電極15上に形成したが、下部電極13と基体11との間に設けてもよいし、両方に設けてもよい。 Further, in FIG. 1 has formed the adjustment film 16 on the upper electrode 15 may be provided between the lower electrode 13 and the substrate 11 may be provided on both. また、調整膜16と上部電極15もしくは下部電極13との間には、密着層やバッファ層を追加することができる。 Between the adjustment film 16 and the upper electrode 15 or the lower electrode 13 may be added an adhesion layer or a buffer layer. また、調整膜が複数の層からなっていてもよい。 The adjustment film may be composed of a plurality of layers.

図3に、調整膜16の厚みとバルク音響波共振子の共振周波数(共振周波数f0と反共振周波数fa)との関係のシミュレーション結果を示す。 Figure 3 shows a simulation result of a relationship (the resonance frequency f0 antiresonance frequency fa) the resonant frequency of the thickness and bulk acoustic wave resonator adjustment film 16 and. シミュレーションの際には、材料がZnOで厚みが0.92μmの圧電体14と、材料がWで厚みが0.1μmの上部電極15,下部電極13とからなる共振部上に、Alからなる調整膜16が形成された場合をモデルとした。 During simulation, the material and the piezoelectric body 14 thickness of 0.92μm in ZnO, the upper electrode 15 of the material and a thickness W 0.1 [mu] m, on the resonance part including the lower electrode 13., made of Al adjustment a case where the film 16 is formed as a model. 図中において、調整膜16がない場合の共振周波数および反共振周波数を破線で示している。 In the figure, it shows the resonance frequency and anti-resonance frequency when there is no adjustment film 16 by a broken line.

図3から分かるように、調整膜16なしの場合の共振周波数に対し、調整膜16がある場合は周波数差(fa−f0)が小さくなる。 As can be seen from FIG. 3, with respect to the resonance frequency in the case of the adjustment film 16 without the frequency difference if there is adjustment film 16 (fa-f0) decreases. すなわち、調整膜16により、実効電気機械結合係数が小さくなる。 That is, by adjusting film 16, the effective electromechanical coupling coefficient decreases. このように、調整膜16を形成することにより、バルク音響波共振子の共振部の材料、膜厚などを変更することなく、周波数差を変更することができるようになる。 Thus, by forming the adjusting film 16, the material of the resonance of the bulk acoustic wave resonator, without changing such thickness, it is possible to change the frequency difference. すなわち、共振部の実効電気機械結合係数を所定の目標値に設定することができる。 That is, it is possible to set the effective electromechanical coupling coefficient of the resonator portion to a predetermined target value.

また、調整膜16の膜厚が概略0.5λ×nであることが望ましい。 It is also desirable thickness of the adjustment layer 16 is a schematic 0.5 [lambda × n. 図3(a)ではn=1の場合について示している。 It shows the case in FIGS. 3 (a) in n = 1. 図3から判るように、調整膜16の厚みと共振周波数の間には密接な関係があり、調整膜16の膜厚が概略0.5λ近傍の時に、調整膜16がない場合とほぼ同じ共振周波数を持つようになる。 As can be seen from FIG. 3, there is a close relationship between the resonant frequency and the thickness of the adjustment layer 16, when the film thickness of the adjustment film 16 is in the vicinity schematic 0.5 [lambda, approximately the same resonance as if there is no adjustment film 16 It will have a frequency. このため、共振周波数または反共振周波数をほぼ変えることなく、周波数差のみを変更したバルク音響波共振子を得ることができ、設計の自由度の高いバルク音響波共振子を、低コストで提供できるようになる。 Therefore, without changing substantially the resonant frequency or antiresonant frequency, it is possible to obtain a bulk acoustic wave resonator has been changed only the frequency difference, a high degree of freedom of designing bulk acoustic wave resonator can be provided at low cost so as to.

なお、図3(b)に示すように、調整膜16の厚みを0.5λ×nのnを大きくしていくにしたがって、共振周波数は変わらずに、周波数差がさらに小さくなっていくことがシミュレーションで確認できた。 Incidentally, as shown in FIG. 3 (b), according to the thickness of the adjustment layer 16 is increased to n of 0.5 [lambda × n, without changing the resonance frequency, that the frequency difference is gradually further reduced It was confirmed in the simulation.

さらに、調整膜16の厚みを、0.5λ×nの値から所定値ずらすことで、共振周波数及び反共振周波数を所定の目標値に設定することができる。 Further, the thickness of the adjustment layer 16, by shifting a predetermined value from the value of 0.5 [lambda × n, it is possible to set the resonance frequency and anti-resonance frequency to a predetermined target value. これは、バルク音響波共振子を組み合わせてラダー型フィルタを構成する場合に、その直列共振子と並列共振子との共振周波数を、フィルタ特性を満たすようにシフトさせるときに有用である。 This, when configuring a ladder-type filter in combination bulk acoustic wave resonator, the resonant frequency of the series resonator and the parallel resonator, are useful when shifting to meet the filter characteristics. 従来、この目的のため、上部電極15上に周波数調整膜を追加したり、上部電極15の膜厚をエッチングにより減じたりしている。 Conventionally, for this purpose, to add a frequency adjustment film on the upper electrode 15, and the film thickness of the upper electrode 15 or reduced by etching. これに対して、本発明のバルク音響波共振子では、調整膜16により、実効電気機械結合係数及び周波数差の他に、共振周波数及び反共振周波数そのものを変化させることができる。 In contrast, in the bulk acoustic wave resonator of the present invention, by adjusting film 16, in addition to the effective electromechanical coupling factor and the frequency difference, it is possible to change the resonance frequency and anti-resonance frequency itself. 図3からも明らかなように、調整膜16の厚みを増やすにしたがって、共振周波数,反共振周波数ともに低周波数側にシフトしていく。 As is apparent from FIG. 3, in accordance with increasing the thickness of the adjustment layer 16, the resonant frequency, it shifts to the low frequency side in both anti-resonance frequency. このため、調整膜16は、周波数差を調整するとともに、共振周波数,反共振周波数を調整することもできるものとなる。 Therefore, adjustment film 16 serves to adjust the frequency difference, the resonant frequency, and it can also adjust the anti-resonance frequency. 例えば、図3において、調整膜16がない場合の共振子と、反共振周波数を一致させるためには、調整膜16の厚さを0.50λとすればよい。 For example, in FIG. 3, the resonator in the absence of adjustment film 16, in order to match the anti-resonant frequency, the thickness of the adjustment layer 16 may be set to 0.50Ramuda. また、共振周波数を一致させるためには、調整膜16の厚さを0.52λとすればよい。 Further, in order to match the resonant frequency, the thickness of the adjustment layer 16 may be set to 0.52Ramuda. さらに、調整膜16がない場合の共振子の反共振周波数と、調整膜16がある場合の共振子の共振周波数を一致させるためには、調整膜16の厚さを0.45λとすればよい。 Furthermore, the anti-resonance frequency of the resonator in the absence of adjustment film 16, in order to match the resonant frequency of the resonator in the case where there is adjustment film 16, a thickness adjustment film 16 may be set to 0.45λ . すなわち、調整膜16の厚みが0.50λの場合は、調整膜無しの場合と同じ反共振周波数faを持つと同時に、約20MHz高い共振周波数f0を持つようになる。 That is, the thickness of the adjustment layer 16 in the case of 0.50Ramuda, at the same time with the same anti-resonance frequency fa to the case without adjustment film, will have approximately 20MHz high resonance frequency f0. つまり、反共振周波数が等しく、周波数差が約20MHz小さい(実効電気機械結合係数が小さい)バルク音響波共振子となる。 In other words, equal antiresonant frequency, frequency difference of about 20MHz small (effective electromechanical coupling coefficient is small) it becomes a bulk acoustic wave resonator. また、調整膜16の厚みが0.52λの場合は、調整膜無しの場合と同じ共振周波数f0を持つと同時に、約20MHz低い反共振周波数を持つようになる。 The thickness of the adjustment layer 16 in the case of 0.52Ramuda, at the same time with the same resonance frequency f0 to the case without adjustment film, will have approximately 20MHz lower anti-resonance frequency. すなわち、共振周波数が等しく、周波数差が約20MHz小さい(実効電気機械結合係数が小さい)バルク音響波共振子となる。 That is, equal the resonant frequency, frequency difference of about 20MHz small (effective electromechanical coupling coefficient is small) becomes a bulk acoustic wave resonator. さらにまた、調整膜16の厚みが0.45λの場合は、調整膜無しの場合の反共振周波数faと同じ共振周波数f0を持つと同時に、周波数差が約20MHz小さい(実効電気機械結合係数が小さい)バルク音響波共振子となる。 Furthermore, the thickness of the adjustment layer 16 in the case of 0.45Ramuda, at the same time with the same resonance frequency f0 and the anti-resonant frequency fa of the case without adjusting film, the frequency difference of about 20MHz small (effective electromechanical coupling coefficient is small ) the bulk acoustic wave resonator. このことから明らかなように、本発明の調整膜16によれば、従来の周波数調整膜では不可能であった、高周波側への共振周波数の調整も可能となる。 As apparent from this, according to the adjustment films 16 of the present invention, not possible with conventional frequency adjustment film, it becomes possible to adjust the resonance frequency to the high frequency side.

このように、調整膜16の膜厚を調整したときのバルク音響波共振子のインピーダンス特性をシミュレーションした結果を図4に示す。 Thus, the results of simulating the impedance characteristic of the bulk acoustic wave resonator when adjusting the film thickness of the adjustment layer 16 in FIG.

図4(a)に反共振周波数faが等しく、周波数差が約20MHz小さいバルク音響波共振子と、調整膜16がないバルク音響波共振子のインピーダンス特性との関係を示す。 FIGS. 4 (a) to equal anti-resonance frequency fa, shows the frequency difference of about 20MHz small bulk acoustic wave resonator, the relationship between the impedance characteristic of no adjustment film 16 a bulk acoustic wave resonator. また、図4(b)には、共振周波数f0が等しく、周波数差が約20MHz小さいバルク音響波共振子と、調整膜16がないバルク音響波共振子との関係を示す。 Further, in FIG. 4 (b) shows the same resonance frequency f0, and the frequency difference of about 20MHz small bulk acoustic wave resonator, a relationship that no adjustment film 16 a bulk acoustic wave resonator. 図4(a),(b)ともに、実線は調整膜16がない場合の特性と示し、破線は調整膜16がある場合の特性を示している。 Figure 4 (a), (b) both, the solid lines indicate the characteristics when there is no adjustment film 16, a broken line indicates a characteristic in the case where there is adjustment film 16. なお、図4に示すシミュレーション結果は、図4(a)のバルク音響波共振子の反共振周波数faと、図4(b)のバルク音響波共振子の共振周波数f0が等しくなるように、圧電体14の膜厚を変化させている。 Note that the simulation results shown in FIG. 4, as the anti-resonant frequency fa of the bulk acoustic wave resonator of FIG. 4 (a), the resonance frequency f0 of the bulk acoustic wave resonator shown in FIG. 4 (b) is equal, piezoelectric and by changing the thickness of the body 14.

このように、調整膜16は、周波数差を調整するとともに、その厚みを0.5λ×nの値から所定値ずらすことで、共振周波数,反共振周波数を低周波数側にも高周波数側にも調整することができる。 Thus, adjustment film 16 serves to adjust the frequency difference, by shifting a predetermined value the thickness from a value of 0.5 [lambda × n, the resonance frequency, also in the high-frequency side of the anti-resonance frequency on the low frequency side it can be adjusted. また、バルク音響波共振子の共振部の材料,膜厚などを変更することなく、このような共振周波数の調整が可能となるので、生産性が高く、かつ信頼性の高いものとすることができる。 The material of the resonator part of the bulk acoustic wave resonator, without changing such thickness, the adjustment of such resonance frequency becomes possible, that is high productivity, and a high reliability it can.

また、上述のように、周波数差の変化量はnの大きさによっても調整できるが、調整膜16の材料によっても調整することができる。 Further, as described above, the change amount of the frequency difference can be adjusted by the size of n, it can also be adjusted by the material of the adjustment layer 16. 前述の例では、調整膜16としてAlを用いた場合について例示したが、実効電気機械結合係数、周波数差の変化量は、調整膜16に使用する材料に依存する。 In the above example has illustrated the case of using Al as adjusting film 16, the effective electromechanical coupling coefficient, the amount of change in the frequency difference depends on the material used for the adjustment film 16. 以下、材料によって周波数差を調整する方法について説明する。 Hereinafter, a method for adjusting the frequency difference by the material.

図5に、前述のバルク音響波共振子上に、さまざまな材料からなる調整膜16を形成した時の(a)周波数差、及び(b)実効電気機械結合係数のシミュレーション結果の一例を示す。 5, on a bulk acoustic wave resonator described above, shows an example of various (a) the frequency difference between the time of forming the adjustment film 16 made of a material, and (b) the effective electromechanical coupling coefficient of the simulation results. 調整膜16がない場合には、バルク音響波共振子の周波数差は83MHz、実効電気機械結合係数は8.2%であったものが、調整膜16の材料としてAlを使用した場合は、60MHz,5.8%に、Wを使用した場合は24MHz,2.3%となっている。 If there is no adjustment film 16, if the frequency difference between the bulk acoustic wave resonator is 83 MHz, the effective electromechanical coupling coefficient what was 8.2%, was used Al as the material of the adjustment layer 16 is 60 MHz , to 5.8%, if you use the W has become 24MHz, with 2.3%. このように、調整膜16を形成したバルク音響波共振子の周波数差,実効電気機械結合係数は、調整膜16の材料によるため、本発明のバルク音響波共振子では、調整膜16の材料が、所望の実効電気機械結合係数に基づいて選定されていることが望ましい。 Thus, the frequency difference between the bulk acoustic wave resonator forming the adjustment film 16, the effective electromechanical coupling coefficient for by the material of the adjustment layer 16, a bulk acoustic wave resonator of the present invention, the material of the adjustment layer 16 is , desirably it is selected based on the desired effective electromechanical coupling coefficient.

このように、調整膜16の材料によっても、バルク音響波共振子の周波数差を調整することができることが確認できた。 Thus, also by the material of the adjustment layer 16, it was confirmed that it is possible to adjust the frequency difference of the bulk acoustic wave resonator.

次に本発明のバルク音響波共振子を用いたフィルタ装置について説明する。 Next the filter apparatus will be described using a bulk acoustic wave resonator of the present invention.

図6は、本発明のフィルタ装置に実施の形態の一例を示す等価回路図である。 Figure 6 is an equivalent circuit diagram showing an example of the embodiment the filter device of the present invention.

本発明のフィルタ装置は、図6(a)に示すように、入力端子Inと出力端子Outとをつなぐ入出力ラインと基準電位端子との間に、本発明のバルク音響波共振子100を接続すればよい。 Filter apparatus of the present invention, as shown in FIG. 6 (a), between the input and output lines and a reference potential terminal which connects the input terminal In and the output terminal Out, connect the bulk acoustic wave resonator 100 of the present invention do it. また、図6(b)に示すように、入出力ライン上に、バルク音響波共振子100を接続してもよい。 Further, as shown in FIG. 6 (b), on the input and output lines may be connected to the bulk acoustic wave resonator 100. さらに、入力端子Inと出力端子Outとをつなぐ入出力ラインと基準電位端子との間および入出力ライン上の両方に、バルク音響波共振子100を接続してもよい。 Furthermore, both on and between input and output lines of the output lines and a reference potential terminal which connects the input terminal In and the output terminal Out, it may be connected to the bulk acoustic wave resonator 100. すなわち、図8(b)に示すような、複数の直列共振子200及び並列共振子201の少なくとも1つに、本発明のバルク音響波共振子を用いてもよい。 That is, as shown in FIG. 8 (b), at least one of the plurality of series resonators 200 and parallel resonators 201, may be used bulk acoustic wave resonator of the present invention.

ここで、基準電位端子とは、基準電位に接続されているもので、図6ではグランド電位に接続されている例について示した。 Here, the reference potential terminal, one that is connected to a reference potential, shown for example, which is connected to the ground potential in FIG. 6.

また、本発明のバルク音響波共振子を用いて本発明のフィルタ装置を構成したものとしては、上述のような共振子を電気的に結合させたラダー型フィルタ装置の他に、ラティス型フィルタ装置、共振子を音響的に結合させたスタックト・クリスタル(Sracked Crystal)型フィルタ装置やカップルド・レゾネータ(Coupled Resonator)フィルタ装置等が挙げられるが、これらのフィルタ装置の場合でも、同様な効果がある。 Further, as to constitute a filter device of the present invention using bulk acoustic wave resonator of the present invention, in addition to the electrically coupled to form a ladder-type filter device resonators as described above, lattice filter device Although stacked-crystal obtained by acoustically coupled resonators (Sracked Crystal) type filter apparatus or a coupled resonator (coupled resonator) filter device, and the like, even when these filter devices, the same effect .

次に、このようなフィルタ装置の特性について説明する。 It will be described the characteristics of such a filter device.

図4(a)の調整膜16ありの場合に示す特性を持つバルク音響波共振子を、ラダー型フィルタの並列共振子(図8(b)の201)に、図4(b)の調整膜16ありの場合に示す特性を持つバルク音響波共振子を、直列共振子(図8(b)の200)に用いることにより、調整膜16なしのバルク音響波共振子を直列共振子,並列共振子の両方に用いた場合に比して、より通過帯域幅が狭く、かつ共振−反共振間のインピーダンスの変化が急峻になるため、より急峻な減衰特性を持つフィルタを得ることができる。 Figure 4 a bulk acoustic wave resonator having the characteristics shown in the case of there adjustment film 16 of (a), the parallel resonators of the ladder filter (201 FIG. 8 (b)), adjustment film shown in FIG. 4 (b) the bulk acoustic wave resonator having the characteristics shown in the case with 16, by using the series resonator (200 of FIG. 8 (b)), the series resonator bulk acoustic wave resonator adjustment film 16 without the parallel resonant compared to the case of using both of a child, more pass bandwidth is narrow, and the resonance - the change in the impedance between the anti-resonance becomes sharp, it is possible to obtain a filter having steeper attenuation characteristic. また、例えば、図4(b)の調整膜16ありの場合の特性を持つバルク音響波共振子を、ラダー型フィルタの直列共振子200に、図4(a)の調整膜16がない場合の特性を有するバルク音響波共振子を、並列共振子201に使用することにより、調整膜なしバルク音響波共振子を直列共振子,並列共振子の両方に用いる場合に比して、高周波数側の減衰特性がより急峻なフィルタを得ることができる。 Further, for example, a bulk acoustic wave resonator having the characteristic in the case of there adjustment film 16 of FIG. 4 (b), the series resonator 200 of the ladder-type filter, if there is no adjustment film 16 in FIGS. 4 (a) the bulk acoustic wave resonator having the characteristics, by using the parallel resonator 201, series resonators adjustment film without bulk acoustic wave resonator, as compared with the case of using both of the parallel resonator, the high frequency side it can attenuation characteristic obtaining steeper filter.

なお、図4の例では、ラダー型フィルタの直列共振子に用いるバルク音響波共振子と並列共振子に用いるバルク音響波共振子とで、直列共振子の反共振周波数と並列共振子の共振周波数とを一致させるように、圧電体14の膜厚を変化させて、共振周波数をシフトさせた例について説明した。 In the example of FIG. 4, in a bulk acoustic wave resonator used for the series resonators of the ladder-type filter and the bulk acoustic wave resonator used in the parallel resonator, the resonance frequency of the anti-resonance frequency of the series resonator and the parallel resonators to match the door, by changing the film thickness of the piezoelectric body 14, an example was described in which to shift the resonance frequency. しかしながら、この例に限定されず、例えば、共振部の膜厚を含む構成は同一のバルク音響波共振子を用いて、調整膜16の膜厚を調整して共振周波数をシフトさせてもよい。 However, not limited to this example, for example, the configuration including the thickness of the resonance section by using the same bulk acoustic wave resonator, may shift the resonant frequency by adjusting the thickness of the adjustment layer 16. この場合には、圧電体14の膜厚を変化させること無く、調整膜16の周波数調整機能のみにより直列共振子と並列共振子の周波数シフトを得ることができるので、生産性の高いものとなる。 In this case, without changing the thickness of the piezoelectric body 14, since the only the frequency adjustment function adjusting film 16 can obtain a frequency shift of the series resonators and the parallel resonators, it becomes highly productive .

次に、本発明のフィルタ装置を用いて通信装置を形成した例について説明する。 Next, an example of forming a communication device will be described with reference to the filter device of the present invention.

図7は、本発明の通信装置の一実施形態の通信装置を示すブロック図である。 Figure 7 is a block diagram showing a communication device of an embodiment of a communications device of the present invention.

図7において、アンテナ140に送信回路Txと受信回路Rxが分波器150を介して接続されている。 7, the receiving circuit Rx and the transmission circuit Tx to an antenna 140 is connected via a duplexer 150. 送信される高周波信号は、フィルタ210によりその不要信号が除去され、パワーアンプ220で増幅された後、アイソレータ230と分波器150を通り、アンテナ140から放射される。 A high-frequency signal to be transmitted, the unwanted signal is removed by the filter 210, after being amplified by a power amplifier 220, through an isolator 230 and a duplexer 150, it radiated from the antenna 140. また、アンテナ140で受信された高周波信号は、分波器150を通りローノイズアンプ160で増幅されフィルタ170でその不要信号を除去された後、アンプ180で再増幅されミキサ190で低周波信号に変換される。 The high frequency signal received by the antenna 140, after the unnecessary signal is removed by the filter 170 is amplified duplexer 150 as a low noise amplifier 160, is re-amplified by the amplifier 180 to a low frequency signal by a mixer 190 converts It is.

図7において、分波器150,フィルタ170,フィルタ210のいずれかに、本発明のフィルタ装置を用いれば、設計自由度が高いため所望の特性を有するとともに生産性の高いものとすることができる。 7, the duplexer 150, a filter 170, to one of the filter 210, by using the filter device of the present invention can be made highly productive and having the desired characteristics for a high degree of design freedom .

なお、図7では送信回路Txと受信回路Rxとを有する通信装置について説明したが、送信回路Txまたは受信回路Rxのいずれか一方を有する通信装置としてもよい。 Although the description has been given to the communication device having a 7 a transmitting circuit Tx and the receiving circuit Rx, it may be a communication device having either one of the transmitting circuit Tx or the receiving circuit Rx.

このような構成とすることにより、回路中での損失が小さくなり、より急峻なフィルタ装置により不要波の除去性能が高くなるので、より感度が良い通信装置を提供することができる。 With such a configuration, the smaller the loss in the circuit, since the removal of the unnecessary wave performance is increased by more steep filter device can provide a more sensitive better communication device.

本発明のバルク音響波共振子の具体例について図1を参照しつつ以下に説明する。 A specific example of a bulk acoustic wave resonator of the present invention will be described below with reference to FIG. ここでは、2GHzで共振するバルク音響波共振子を作製した。 Here, to prepare a bulk acoustic wave resonator that resonates at 2 GHz.

まず、高抵抗のSi基体11上に、0.1μm厚みのWからなる下部電極13をスパッタリング法により形成した。 First, on a Si substrate 11 having a high resistance, and the lower electrode 13 made of W of 0.1μm thickness is formed by sputtering. 下部電極13はウエットエッチングによりパターニングを行った。 The lower electrode 13 was patterned by wet etching. その後、スパッタリング法により0.9μmのZnO膜から成る圧電体14を成膜した。 It was then deposited piezoelectric element 14 made of ZnO film of 0.9μm by sputtering. ZnO膜のパターニングは、フォトリソグラフィ及び希塩酸によるウエットエッチングによって行なった。 Patterning of the ZnO film was carried out by wet etching using photolithography and dilute hydrochloric acid. そして、その上に、厚み0.1μmのWからなる上部電極15、1.68μm(=0.5λ)のAlからなる調整膜16をスパッタリング法により形成し、同様にフォトリソグラフィ及びRIEによるドライエッチングによりパターン形成を行なった。 Then, thereon an adjustment film 16 made of Al of the upper electrode 15,1.68μm made of W having a thickness of 0.1 [mu] m (= 0.5 [lambda) was formed by sputtering, similarly dry etching with photolithography and RIE It was carried out pattern formed by. なお、同じ基体11上に、調整膜16のないバルク音響波共振子も同時に形成した。 Incidentally, on the same substrate 11, also formed at the same time without adjustment film 16 a bulk acoustic wave resonator. このようにして作製した図1に示すような本発明のバルク音響波共振子について、その共振特性をインピーダンスアナライザにて行なったところ、調整膜16がないバルク音響波共振子の並列共振周波数が2.114GHzであり、周波数差70MHzであったのに対し、調整膜16を形成したバルク音響波共振子は、並列共振周波数が2.110GHz、周波数差52MHzとなった。 For bulk acoustic wave resonator of the present invention as shown in FIG. 1 was fabricated in this manner, it was subjected to the resonance characteristics by an impedance analyzer, the parallel resonance frequency of no adjustment film 16 a bulk acoustic wave resonators 2 a .114GHz, whereas was frequency difference 70 MHz, bulk acoustic wave resonator forming the adjustment film 16 is the parallel resonance frequency is 2.110GHz, the frequency difference 52 MHz.

また、同様の工程で、調整膜16の厚みを1.67μm(=0.52λ)としたものを作製した場合は、並列共振周波数が2.058GHz、周波数差52MHzとなった。 Further, by the same steps, the case of manufacturing what the thickness of the adjustment layer 16 was set to 1.67μm (= 0.52λ) are parallel resonance frequency is 2.058GHz, the frequency difference 52 MHz.

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更を加えることは何ら差し支えない。 The present invention is not limited to the example of the above embodiment, so long as it does not depart from the gist of the present invention that various modifications are no problem. 例えば、圧電体の材料として、AlNやPZT等を使用してもよいし、成膜方法としてCVD法やゾルゲル法(材料の溶液を基体にスピンコートし、焼成して圧電体とする方法)等も使用できる。 For example, as the material of the piezoelectric body, use may be made of a AlN or PZT or the like, CVD method or a sol-gel method as a deposition method (a solution of the material was spin-coated on a substrate, the method and the piezoelectric body by firing), etc. It can also be used. 特に、PZT等の電気機械結合係数が大きい強誘電体材料を使用した場合は、周波数差(共振周波数と反共振周波数との差)が大きいバルク音響波共振子を実現することができる。 In particular, when using a ferroelectric material electromechanical coupling coefficient is large, such as PZT, it is possible to realize a frequency difference (a difference between the resonant frequency and the antiresonant frequency) is large bulk acoustic wave resonator. また、それを用いたフィルタは、通過帯域幅が広く、広帯域のスペクトルを使用する無線通信装置に好適に使用することができる。 Further, the filter using the same, can pass bandwidth is wide, suitably used for the radio communication device using the broadband spectrum.

本発明のバルク音響波共振子の一例を示す、(a)は平面図,(b)は(a)のA−A'部分の断面図である。 Shows an example of a bulk acoustic wave resonator of the present invention, (a) is a plan view, a sectional view of the A-A 'portion of the (b) is (a). (a),(b)はそれぞれ、本発明のバルク音響波共振子の他の例を示す断面図である。 (A), a cross-sectional view showing another example of (b), respectively, the bulk acoustic wave resonator of the present invention. (a),(b)はそれぞれ、本発明のバルク音響波共振子の調整膜厚みと共振周波数,反共振周波数の関係のシミュレーション結果の一例を示す線図である。 (A), (b) are each a diagram showing an example of the adjustment film thickness and the resonance frequency of the bulk acoustic wave resonator of the present invention, the simulation result of the relationship between the anti-resonance frequency. (a),(b)はそれぞれ、本発明のバルク音響波共振子のインピーダンス特性のシミュレーション結果の一例を示す線図である。 (A), (b) are each a diagram showing an example of a bulk simulation of the impedance characteristics of the acoustic wave resonator results of the present invention. (a),(b)はそれぞれ、本発明のバルク音響波共振子の、調整膜厚みと周波数差及び実効電気機械結合係数との関係のシミュレーション結果の一例を示す線図である。 (A), (b) are each a graph showing the bulk acoustic wave resonator, an example of an adjustment film simulation of the relationship between the thickness and the frequency difference and the effective electromechanical coupling coefficient results of the present invention. (a),(b)はそれぞれ、本発明のフィルタ装置の実施の形態の一例を示す等価回路図である。 (A), (b), respectively, an equivalent circuit diagram showing an example of an embodiment of a filter apparatus of the present invention. 本発明の通信装置の実施の形態の一例を示すブロック図である。 Is a block diagram showing an example of an embodiment of a communication apparatus of the present invention. (a),(b)はそれぞれ、従来のバルク音響波共振子の一例を示す断面図およびそれを用いたラダー型フィルタの回路構成を示す回路図である。 (A), (b) are each a circuit diagram showing a circuit configuration of a ladder filter using cross-sectional view and it shows an example of a conventional bulk acoustic wave resonator.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11・・・基体 12・・・貫通孔 13・・・下部電極 14・・・圧電体 15・・・上部電極 16・・・調整膜 11 ... base 12 ... through hole 13 ... lower electrode 14 ... piezoelectric layer 15 ... upper electrode 16 ... adjustment film

Claims (7)

  1. 圧電体と、前記圧電体を厚み方向に対して挟持する一対の電極と、を含む共振部と、 A piezoelectric body, a resonance part comprising a pair of electrodes sandwiching the said piezoelectric respect to the thickness direction,
    前記共振部の厚み方向の少なくとも一方に設けられ、概略0.5λ×nの厚みを有する調整膜と、 Provided on at least one of the thickness direction of the resonator portion, the adjustment film having a thickness of schematic 0.5 [lambda × n,
    を備えた、バルク音響波共振子。 With a bulk acoustic wave resonator.
    (ただし、λは使用周波数における調整膜中を厚み方向に伝播する音響波の波長であり、nは自然数である。) (However, lambda is the wavelength of the acoustic wave propagating adjusting film in the use frequency in the thickness direction, n is a natural number.)
  2. 前記調整膜は、金属材料からなる請求項1に記載のバルク音響波共振子。 The adjustment film bulk acoustic wave resonator according to claim 1 made of a metal material.
  3. 前記調整膜は、その厚みを前記0.5λ×nの値から所定量ずらし、前記共振部の共振周波数または反共振周波数を所定の目標値に調整したものである、請求項1または2に記載のバルク音響波共振子。 The adjustment layer is shifted by a predetermined amount the thickness from the value of the 0.5 [lambda × n, is obtained by adjusting the resonance frequency or anti-resonance frequency of the resonance portion to a predetermined target value, according to claim 1 or 2 bulk acoustic wave resonator.
  4. 前記調整膜の周縁部は、前記共振部の厚み方向に垂直な断面における周縁部と一致する、請求項1〜3のいずれかに記載のバルク音響波共振子。 Periphery coincides with the periphery of the cross section perpendicular to the thickness direction of the resonator portion, the bulk acoustic wave resonator according to any one of claims 1 to 3 wherein the adjustment film.
  5. 入力端子と出力端子と基準電位端子とを有し、前記入力端子と前記出力端子とをつなぐ入出力ライン上、または前記入出力ラインと基準電位端子との間に、請求項1〜4のいずれかに記載のバルク音響波共振子を設けたフィルタ装置。 Having an input terminal and an output terminal and a reference potential terminal, said connecting input terminal and the output terminal O line on or between the input and output lines and a reference potential terminal, one of the claims 1 to 4 filter device having a bulk acoustic wave resonator crab according.
  6. 受信回路もしくは送信回路の少なくとも1つを有し、請求項5に記載のフィルタ装置が前記受信回路もしくは前記送信回路に用いられている通信装置。 At least one has a communication device in which the filter device is used for the receiving circuit or said transmitting circuit of claim 5 of the receiving circuit or a transmitting circuit.
  7. 請求項5に記載のフィルタ装置と、受信回路もしくは送信回路の少なくとも1つとを有する通信装置。 Communication device having at least one of the filter device and the receiving circuit or a transmitting circuit of claim 5.
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