JP2008112408A - Semiconductor memory card - Google Patents

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JP2008112408A JP2006296409A JP2006296409A JP2008112408A JP 2008112408 A JP2008112408 A JP 2008112408A JP 2006296409 A JP2006296409 A JP 2006296409A JP 2006296409 A JP2006296409 A JP 2006296409A JP 2008112408 A JP2008112408 A JP 2008112408A
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sealing resin
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Naohisa Okumura
村 尚 久 奥
Hiroshi Nishiyama
山 拓 西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory card whose size and thickness can be reduced with a required shape. <P>SOLUTION: The semiconductor memory card 100 which is connected to an external device for inputting and outputting data comprises: a nearly rectangular circuit substrate 2 on which input and output terminals for inputting and outputting data to the external device are disposed on the front edge of the upper surface; a semiconductor memory chip 3 which is placed on the lower surface side of the circuit substrate 2, electrically connected to the input and output terminals, and stores data; a controller chip 4 which is placed on the lower surface side of the circuit substrate 2, and controls the semiconductor memory chip 3; and a sealing resin layer 5 which is formed over the whole lower surface of the circuit substrate 2, and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、外部機器と接続して使用する半導体メモリカードに関する。   The present invention relates to a semiconductor memory card used by connecting to an external device.

デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリチップを内蔵した半導体メモリカードが広く使用されている。この半導体メモリカードは、外部装置であるデジタル機器のソケットに挿入し電気的に接続することによって、当該デジタル機器の内部回路とのアクセスが行われ、データの書き込みや読み出しが実行されるものである。   A semiconductor memory card incorporating a semiconductor memory chip is widely used as a data storage medium for digital equipment such as a digital video camera, a mobile phone, and a portable music player. The semiconductor memory card is inserted into a socket of a digital device that is an external device and electrically connected to access the internal circuit of the digital device and execute data writing and reading. .

そして、携帯電話などの小型・軽量機器の多機能化が進むため、機器内部に必要な電子部品の数が増加しておりそれら電子部品の小型子化が要求されている。特に、多機能化により情報量が増え、情報を記憶するのに必須なメモリ部品への小型化要求は増すと考えられる。   And since the multifunctionalization of small and light-weight devices such as mobile phones has progressed, the number of electronic components required inside the devices has increased, and there is a demand for smaller electronic components. In particular, the amount of information increases due to the increase in functionality, and it is considered that there is an increasing demand for downsizing memory components that are essential for storing information.

ここで、従来の半導体メモリカードには、例えば、外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板と、この回路基板の下面側に載置された半導体メモリチップと、該回路基板の下面側に載置されたコントローラチップと、回路基板表面上に渡って形成され、該半導体メモリチップおよび該コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。   Here, in a conventional semiconductor memory card, for example, an approximately rectangular circuit board in which input / output terminals for inputting / outputting data to / from an external device are formed on the top end side of the upper surface, and a lower surface side of the circuit board are mounted. A placed semiconductor memory chip, a controller chip placed on the lower surface side of the circuit board, a sealing resin layer that is formed over the circuit board surface and seals the semiconductor memory chip and the controller chip; (For example, refer to Patent Document 1).

しかし、上記従来技術では、封止樹脂層の膜厚が回路基板上に一様に形成されており、例えば、ソケットの案内溝に半導体メモリカードの端部を案内させて、該半導体メモリカードを挿入するように対応するものではなかった。
米国特許出願公開第２００４／０２５９２９１号明細書 However, in the above prior art, the film thickness of the sealing resin layer is uniformly formed on the circuit board. For example, the semiconductor memory card is guided by guiding the end of the semiconductor memory card in the guide groove of the socket. It did not correspond to insert.
US Patent Application Publication No. 2004/0259291

本発明は、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることが可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide a semiconductor memory card that has a required shape and can be reduced in size and thickness.

本発明に係る半導体メモリカードは、
外部装置に接続してデータを入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された回路基板と、
前記回路基板の下面側に載置され、前記データを記憶する半導体メモリチップと、
前記回路基板の下面側に載置され、前記入出力端子と電気的に接続され、前記半導体メモリチップを制御するコントローラチップと、
前記回路基板の下面側の全面に渡って形成され、前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備え、
前記封止樹脂層は、左側端部または右側端部の少なくとも何れか一方の膜厚が前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップが載置された部分における膜厚よりも薄くなっていることを特徴とする。 The semiconductor memory card according to the present invention is
A semiconductor memory card that inputs and outputs data by connecting to an external device,
A circuit board on which an input / output terminal for inputting / outputting data to / from the external device is formed on the top side of the upper surface;
A semiconductor memory chip mounted on the lower surface side of the circuit board and storing the data;
A controller chip mounted on the lower surface side of the circuit board, electrically connected to the input / output terminal, and controlling the semiconductor memory chip;
Formed over the entire lower surface of the circuit board, and a sealing resin layer for sealing the semiconductor memory chip and the controller chip,
The sealing resin layer is characterized in that a film thickness of at least one of a left end part or a right end part is thinner than a film thickness in a portion where the semiconductor memory chip and the controller chip are placed. To do.

本発明の一態様に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。   According to the semiconductor memory card of one embodiment of the present invention, it is possible to reduce the size and the thickness while providing the required shape.

以下、各実施例について図面を参照しながら説明する。   Each embodiment will be described below with reference to the drawings.

図１Ａは、本発明の実施例１に係る半導体メモリカード１００の下面側を示す下面図である。また、図１Ｂは、図１Ａの半導体メモリカード１００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図１Ｃは、図１Ａの半導体メモリカード１００の上面側を示す上面図である。また、図１Ｄは、図１Ａの半導体メモリカード１００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。   FIG. 1A is a bottom view showing the lower surface side of the semiconductor memory card 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A viewed from the B direction. 1C is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A. 1D is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A.

図１Ａないし図１Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード１００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。   As shown in FIGS. 1A to 1D, a semiconductor memory card 100 connected to an external device (not shown) for inputting / outputting data has an input / output terminal 1 for inputting / outputting data to / from the external device. A substantially rectangular circuit board 2 formed on the front end side, a semiconductor memory chip 3 mounted on the lower surface side of the circuit board 2 and electrically connected to the input / output terminal 1 for storing data, and the circuit board 2 The controller chip 4 that controls the semiconductor memory chip 3 and the sealing resin layer that is formed over the entire lower surface of the circuit board 2 and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 5 is provided.

回路基板２は、例えば、フレキシブル基板が用いられる。この回路基板２上には、入出力端子１と基板配線（図示せず）により電気的に接続されたボンディングパッド（図示せず）が形成されている。
また、回路基板２は、先端側に向けて回路基板２の上面から下面側に傾斜する傾斜部２ｂが形成されている。 As the circuit board 2, for example, a flexible board is used. On the circuit board 2, bonding pads (not shown) electrically connected to the input / output terminals 1 by substrate wiring (not shown) are formed.
Further, the circuit board 2 is formed with an inclined portion 2b that is inclined from the upper surface to the lower surface side of the circuit board 2 toward the front end side.

また、回路基板２の左側端部２ｃおよび右側端部２ｄには、例えば、半導体メモリカードの規格に適合させて形成された凹部２ａが形成されている。   Further, the left end 2c and the right end 2d of the circuit board 2 are formed with, for example, a recess 2a formed in conformity with the standard of the semiconductor memory card.

半導体メモリチップ３は、回路基板２上に載置され、半導体メモリチップ３のパッド電極（図示せず）は、回路基板２上に形成された既述のボンディングパッドにボンディングワイヤ３ａを介して接続されている。   The semiconductor memory chip 3 is placed on the circuit board 2, and the pad electrodes (not shown) of the semiconductor memory chip 3 are connected to the above-described bonding pads formed on the circuit board 2 through the bonding wires 3a. Has been.

この半導体メモリチップ３は、例えば、所望のデータを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリである。   The semiconductor memory chip 3 is, for example, a nonvolatile memory such as a NAND flash memory or a NOR flash memory that stores desired data.

コントローラチップ４は、ここでは、半導体メモリチップ３上に載置され、この半導体メモリチップ３と電気的に接続されている。このコントローラチップ４のパッド電極（図示せず）は、回路基板２上に形成された既述のボンディングパッドにボンディングワイヤ４ａを介して接続されている。   Here, the controller chip 4 is placed on the semiconductor memory chip 3 and is electrically connected to the semiconductor memory chip 3. The pad electrode (not shown) of the controller chip 4 is connected to the above-described bonding pad formed on the circuit board 2 via the bonding wire 4a.

封止樹脂層５は、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄの少なくとも何れか一方（本実施例では両方）の膜厚が半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４が載置された部分５ｈにおける膜厚よりも薄くなるように、段差５ｇが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部５ｅ、２ｄおよび右側端部５ｄ、２ｃを該案内溝に挿入しスライドさせることにより、半導体メモリカード１００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。   The sealing resin layer 5 has a film thickness of at least one of the left end portion 5e and the right end portion 5d (both in the present embodiment) in the portion 5h where the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 are placed. A step 5g is formed so as to be thinner. Thereby, for example, when the guide groove is formed in the socket of the external device, the left end portions 5e and 2d and the right end portions 5d and 2c are inserted into the guide groove and slid to thereby make the semiconductor memory card 100 The socket can be guided to a predetermined position.

なお、左側端部または右側端部の何れか一方の膜厚が、例えば、外部装置のソケットに適合させて、部分５ｈにおける膜厚よりも薄くなるように、段差５ｇが形成されてもよい。   Note that the step 5g may be formed so that the film thickness of either the left end portion or the right end portion is adapted to, for example, the socket of the external device and becomes thinner than the thickness of the portion 5h.

また、封止樹脂層５の下面の後端側には、外部装置のソケットに挿入しまたは該ソケットから取り出す際に、ユーザの指等を係止するための溝５ｃが形成されている。   In addition, a groove 5c is formed on the rear end side of the lower surface of the sealing resin layer 5 to lock a user's finger or the like when inserted into or taken out from a socket of an external device.

また、封止樹脂層５は、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄの膜厚が後端側で厚くなった突起部５ｆが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄを該案内溝に挿入しスライドさせる際、半導体メモリカード１００を該ソケット内の所定の位置に係止することができる。   Further, the sealing resin layer 5 is formed with a protruding portion 5f in which the film thickness of the left end portion 5e and the right end portion 5d is increased on the rear end side. Thereby, for example, when the guide groove is formed in the socket of the external device, when the left end portion 5e and the right end portion 5d are inserted and slid into the guide groove, the semiconductor memory card 100 is inserted into the predetermined socket in the socket. It can be locked at the position.

なお、左側端部５ｅまたは右側端部５ｄの何れか一方に突起部５ｆが形成されていてもよい。   Note that a protrusion 5f may be formed on either the left end 5e or the right end 5d.

また、封止樹脂層５の左側端部５ｅおよび右側端部５ｄには、例えば、半導体メモリカードの規格に適合させて形成された凹部５ａが形成されている。この凹部５ａの形状は、回路基板２の凹部２ａと同様である。   In addition, the left end portion 5e and the right end portion 5d of the sealing resin layer 5 are formed with, for example, a recess 5a formed in conformity with the standard of the semiconductor memory card. The shape of the recess 5 a is the same as that of the recess 2 a of the circuit board 2.

また、封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の上面から下面側に傾斜し、傾斜部２ｂと連続する傾斜部５ｂが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、半導体メモリカード１００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。   Further, the sealing resin layer 5 is inclined from the upper surface to the lower surface side of the sealing resin layer 5 toward the front end side, and an inclined portion 5b continuous with the inclined portion 2b is formed. Accordingly, for example, when the semiconductor memory card 100 is inserted into the socket of the external device, the inclined portions 2b and 5b come into contact with the guide portion of the socket and slide to guide the semiconductor memory card 100 to a predetermined position of the socket. Can do.

また、封止樹脂層５の周囲の面と回路基板２の周囲の面とは連続している。ここで、半導体メモリカード１００の製造方法は、回路基板２のベースとなる基板上面に半導体メモリチップ３、コントローラチップ４を載置し、ボンディングする。そして、該基板に封止樹脂を塗布して封止樹脂層５を形成した後、基板と封止樹脂層５とをダイシング等により所定の区画（回路基板２の形状）に切断する。このように、半導体メモリカード１００は、ダイシング等により容易に形成できるようになっている。   Further, the peripheral surface of the sealing resin layer 5 and the peripheral surface of the circuit board 2 are continuous. Here, in the manufacturing method of the semiconductor memory card 100, the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 are mounted on the upper surface of the substrate serving as the base of the circuit board 2 and bonded. And after apply | coating sealing resin to this board | substrate and forming the sealing resin layer 5, the board | substrate and the sealing resin layer 5 are cut | disconnected by the dicing etc. to the predetermined division (shape of the circuit board 2). Thus, the semiconductor memory card 100 can be easily formed by dicing or the like.

なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。また、封止樹脂層５の溝５ｃは、エッチング等により成形可能である。   The shape of the sealing resin layer 5 can be molded by a mold or the like at the time of molding. Further, the groove 5c of the sealing resin layer 5 can be formed by etching or the like.

このように、半導体メモリカード１００は、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。   As described above, since the semiconductor memory card 100 does not require a housing such as plastic, the capacity of the semiconductor chip can be increased, and the semiconductor memory card 100 can be reduced in size and thickness.

以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる   As described above, according to the semiconductor memory card of the present embodiment, it is possible to reduce the size and the thickness while providing the required shape.

実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層の下面の後端側に溝が形成されている構成について述べた。   In the first embodiment, the configuration in which the groove is formed on the rear end side of the lower surface of the sealing resin layer of the semiconductor memory card has been described.

本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層の下面の後端側に突起部が形成されている構成について述べる。   In this embodiment, a configuration in which a protrusion is formed on the rear end side of the lower surface of the sealing resin layer of the semiconductor memory card will be described.

図２Ａは、本発明の実施例２に係る半導体メモリカード２００の下面側を示す下面図である。また、図２Ｂは、図２Ａの半導体メモリカード２００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図２Ｃは、図２Ａの半導体メモリカード２００の上面側を示す上面図である。また、図２Ｄは、図２Ａの半導体メモリカード２００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。   FIG. 2A is a bottom view showing the lower surface side of the semiconductor memory card 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 2B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A as viewed from the B direction. 2C is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A. 2D is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A.

なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。   In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment indicate the same configurations as those in the first embodiment.

図２Ａないし図２Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード２００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。   As shown in FIGS. 2A to 2D, a semiconductor memory card 200 that inputs / outputs data by connecting to an external device (not shown) has an input / output terminal 1 for inputting / outputting data to / from the external device. A substantially rectangular circuit board 2 formed on the front end side, a semiconductor memory chip 3 mounted on the lower surface side of the circuit board 2 and electrically connected to the input / output terminal 1 for storing data, and the circuit board 2 The controller chip 4 that controls the semiconductor memory chip 3 and the sealing resin layer that is formed over the entire lower surface of the circuit board 2 and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 5 is provided.

また、封止樹脂層５の下面の後端側には、溝５ｃに代えて、外部装置のソケットに挿入しまたは該ソケットから取り出す際に、ユーザの指等を係止するための突起部６が形成されている。   Further, on the rear end side of the lower surface of the sealing resin layer 5, instead of the groove 5 c, a protrusion 6 for locking a user's finger or the like when inserted into or removed from the socket of the external device. Is formed.

また、実施例１と同様に、封止樹脂層５の周囲の面と回路基板２の周囲の面とは連続している。ここで、半導体メモリカード２００の製造方法は、実施例１と同様に、回路基板２のベースとなる基板上面に半導体メモリチップ３、コントローラチップ４を載置し、ボンディングする。そして、該基板に封止樹脂を塗布して封止樹脂層５を形成した後、基板と封止樹脂層５とをダイシング等により所定の区画（回路基板２の形状）に切断する。このように、半導体メモリカード２００は、実施例１と同様に、ダイシング等により容易に形成できるようになっている。   Similarly to the first embodiment, the peripheral surface of the sealing resin layer 5 and the peripheral surface of the circuit board 2 are continuous. Here, in the manufacturing method of the semiconductor memory card 200, the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 are mounted on the upper surface of the substrate serving as the base of the circuit board 2 and bonded, as in the first embodiment. And after apply | coating sealing resin to this board | substrate and forming the sealing resin layer 5, the board | substrate and the sealing resin layer 5 are cut | disconnected by the dicing etc. to the predetermined division (shape of the circuit board 2). As described above, the semiconductor memory card 200 can be easily formed by dicing or the like as in the first embodiment.

なお、封止樹脂層５の突起部６は、モールド時に、金型等により成形可能である。   The protruding portion 6 of the sealing resin layer 5 can be molded by a mold or the like at the time of molding.

このように、半導体メモリカード２００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。   As described above, since the semiconductor memory card 200 has a structure that does not require a housing such as plastic as in the first embodiment, the capacity of the semiconductor chip can be increased, and the semiconductor memory card 200 can be reduced in size and thickness.

以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、実施例１と同様に、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。   As described above, according to the semiconductor memory card of the present embodiment, as in the first embodiment, it is possible to reduce the size and the thickness while providing the required shape.

実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層が回路基板の下面側の全面に渡って形成された構成について述べた。   In the first embodiment, the configuration in which the sealing resin layer of the semiconductor memory card is formed over the entire lower surface of the circuit board has been described.

本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層が回路基板の下面側の側端部上には形成されていない構成について述べる。   In this embodiment, a configuration in which the sealing resin layer of the semiconductor memory card is not formed on the side end portion on the lower surface side of the circuit board will be described.

図３Ａは、本発明の実施例３に係る半導体メモリカード３００の下面側を示す下面図である。また、図３Ｂは、図３Ａの半導体メモリカード３００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図３Ｃは、図３Ａの半導体メモリカード３００の上面側を示す上面図である。また、図３Ｄは、図３Ａの半導体メモリカード３００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。   FIG. 3A is a bottom view showing the lower surface side of the semiconductor memory card 300 according to the third embodiment of the present invention. FIG. 3B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A viewed from the B direction. FIG. 3C is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A. 3D is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A.

なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。   In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment indicate the same configurations as those in the first embodiment.

図３Ａないし図３Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード２００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側に形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。   As shown in FIGS. 3A to 3D, a semiconductor memory card 200 connected to an external device (not shown) to input / output data has an input / output terminal 1 for inputting / outputting data to / from the external device. A substantially rectangular circuit board 2 formed on the front end side, a semiconductor memory chip 3 mounted on the lower surface side of the circuit board 2 and electrically connected to the input / output terminal 1 for storing data, and the circuit board 2 A controller chip 4 that controls the semiconductor memory chip 3 and a sealing resin layer 5 that is formed on the lower surface side of the circuit board 2 and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4. Prepare.

封止樹脂層５は、回路基板２の下面側の左側端部２ｃおよび右側端部２ｄ上には、後端部側の突起部５ｆのみが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部２ｄおよび右側端部２ｃを該案内溝に挿入しスライドさせることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード２００を該ソケットの所定の位置に案内することができる
なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。 In the sealing resin layer 5, only the protruding portion 5 f on the rear end side is formed on the left end 2 c and the right end 2 d on the lower surface side of the circuit board 2. Thus, for example, when the guide groove is formed in the socket of the external device, the left end 2d and the right end 2c are inserted into the guide groove and slid, thereby the semiconductor memory as in the first embodiment. The card 200 can be guided to a predetermined position of the socket. The shape of the sealing resin layer 5 can be molded by a mold or the like at the time of molding.

このように、半導体メモリカード３００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。   As described above, since the semiconductor memory card 300 does not require a housing such as plastic as in the first embodiment, the capacity of the semiconductor chip can be increased and the semiconductor memory card 300 can be reduced in size and thickness.

以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。   As described above, the semiconductor memory card according to the present embodiment can be reduced in size and thickness while having the required shape.

実施例１では、半導体メモリカードの先端側に向けて回路基板の上面から下面側に傾斜する傾斜部が１つ形成された構成について述べた。   In the first embodiment, the configuration in which one inclined portion that is inclined from the upper surface to the lower surface of the circuit board toward the front end side of the semiconductor memory card is described.

本実施例では、半導体メモリカードの先端側に２つ傾斜部が形成された構成について述べる。   In this embodiment, a configuration in which two inclined portions are formed on the front end side of a semiconductor memory card will be described.

図４Ａは、本発明の実施例４に係る半導体メモリカード４００の下面側を示す下面図である。また、図４Ｂは、図４Ａの半導体メモリカード４００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図４Ｃは、図４Ａの半導体メモリカード４００の上面側を示す上面図である。また、図４Ｄは、図４Ａの半導体メモリカード４００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。   FIG. 4A is a bottom view showing the lower surface side of the semiconductor memory card 400 according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 4B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A viewed from the B direction. FIG. 4C is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A. 4D is a cross-sectional view showing a cross section taken along the line AA of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A.

なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。   In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment indicate the same configurations as those in the first embodiment.

図４Ａないし図４Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード４００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。   As shown in FIGS. 4A to 4D, a semiconductor memory card 400 that inputs / outputs data by connecting to an external device (not shown) has an input / output terminal 1 for inputting / outputting data to / from the external device. A substantially rectangular circuit board 2 formed on the front end side, a semiconductor memory chip 3 mounted on the lower surface side of the circuit board 2 and electrically connected to the input / output terminal 1 for storing data, and the circuit board 2 The controller chip 4 that controls the semiconductor memory chip 3 and the sealing resin layer that is formed over the entire lower surface of the circuit board 2 and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 5 is provided.

回路基板２は、先端側に向けて回路基板２の上面から下面側に傾斜する傾斜部２ｂが形成されている。   The circuit board 2 has an inclined portion 2b that is inclined from the upper surface to the lower surface side of the circuit board 2 toward the tip side.

封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の上面から下面側に傾斜し、傾斜部２ｂと連続する傾斜部５ｂが形成されている。   The sealing resin layer 5 is inclined from the upper surface to the lower surface side of the sealing resin layer 5 toward the distal end side, and an inclined portion 5b continuous with the inclined portion 2b is formed.

さらに、封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の下面から上面側に傾斜する傾斜部５ｉが形成されている。   Furthermore, the sealing resin layer 5 is formed with an inclined portion 5i that is inclined from the lower surface to the upper surface side of the sealing resin layer 5 toward the tip side.

これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード４００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。   As a result, for example, when inserted into a socket of an external device, the inclined portions 2b, 5b and the inclined portion 5i come into contact with and slide on the guide portion of the socket, so that the semiconductor memory card 400 is similar to the first embodiment. Can be guided to a predetermined position of the socket.

なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。また、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉは、エッチング等により形成することもできる。   The shape of the sealing resin layer 5 can be molded by a mold or the like at the time of molding. In addition, the inclined portions 2b and 5b and the inclined portion 5i can be formed by etching or the like.

このように、半導体メモリカード４００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。   As described above, since the semiconductor memory card 400 does not require a housing such as plastic as in the first embodiment, the capacity of the semiconductor chip can be increased and the semiconductor memory card 400 can be reduced in size and thickness.

以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。   As described above, the semiconductor memory card according to the present embodiment can be reduced in size and thickness while having the required shape.

実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層の周囲の面と回路基板の周囲の面とが連続している構成について述べた。   In the first embodiment, the configuration in which the peripheral surface of the sealing resin layer of the semiconductor memory card and the peripheral surface of the circuit board are continuous has been described.

本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層の側端部が回路基板の側端部を覆う構成について述べる。   In this embodiment, a configuration in which a side end portion of a sealing resin layer of a semiconductor memory card covers a side end portion of a circuit board will be described.

図５Ａは、本発明の実施例５に係る半導体メモリカード５００の下面側を示す下面図である。また、図５Ｂは、図５Ａの半導体メモリカード５００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図５Ｃは、図５Ａの半導体メモリカード５００の上面側を示す上面図である。また、図５Ｄは、図５Ａの半導体メモリカード５００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。   FIG. 5A is a bottom view showing the lower surface side of the semiconductor memory card 500 according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 5B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A viewed from the B direction. FIG. 5C is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A. FIG. 5D is a cross-sectional view showing a cross section taken along line AA of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A.

なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。   In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment indicate the same configurations as those in the first embodiment.

図５Ａないし図５Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード５００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。   As shown in FIGS. 5A to 5D, a semiconductor memory card 500 connected to an external device (not shown) for inputting / outputting data has an input / output terminal 1 for inputting / outputting data to / from the external device on the upper surface. A substantially rectangular circuit board 2 formed on the front end side, a semiconductor memory chip 3 mounted on the lower surface side of the circuit board 2 and electrically connected to the input / output terminal 1 for storing data, and the circuit board 2 The controller chip 4 that controls the semiconductor memory chip 3 and the sealing resin layer that is formed over the entire lower surface of the circuit board 2 and seals the semiconductor memory chip 3 and the controller chip 4 5 is provided.

また、封止樹脂層５の右側端部５ｄは、回路基板２の右側端部２ｄの側面を覆うように形成されている。同様に、封止樹脂層５の左側端部５ｅは、回路基板２の左側端部２ｃの側面を覆うように形成されている。そして、封止樹脂層５の左側端部５ｅ、右側端部５ｄには凹部５ａが形成されているが、回路基板２に凹部は形成されていない。   The right end portion 5 d of the sealing resin layer 5 is formed so as to cover the side surface of the right end portion 2 d of the circuit board 2. Similarly, the left end portion 5 e of the sealing resin layer 5 is formed so as to cover the side surface of the left end portion 2 c of the circuit board 2. And although the recessed part 5a is formed in the left side edge part 5e and the right side edge part 5d of the sealing resin layer 5, the recessed part is not formed in the circuit board 2. FIG.

これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード５００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。   Thus, for example, when inserted into the socket of the external device, the inclined portions 2b, 5b and the inclined portion 5i come into contact with the guide portion of the socket and slide, so that the semiconductor memory card 500 is the same as in the first embodiment. Can be guided to a predetermined position of the socket.

なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。   The shape of the sealing resin layer 5 can be molded by a mold or the like at the time of molding.

このように、半導体メモリカード５００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。   As described above, since the semiconductor memory card 500 has a structure that does not require a housing such as plastic as in the first embodiment, the capacity of the semiconductor chip can be increased, and the size and thickness can be reduced.

以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。   As described above, the semiconductor memory card according to the present embodiment can be reduced in size and thickness while having the required shape.

なお、上記各実施例において、コントローラチップを不揮発性メモリチップ上に載置した場合について説明したが、ＩＣパッケージと同じように、コントローラチップを回路基板に直接搭載してもよい。   In each of the above embodiments, the case where the controller chip is mounted on the nonvolatile memory chip has been described. However, the controller chip may be directly mounted on the circuit board in the same manner as the IC package.

本発明の実施例１に係る半導体メモリカード１００の下面側を示す下面図である。It is a bottom view which shows the lower surface side of the semiconductor memory card 100 which concerns on Example 1 of this invention. 図１Ａの半導体メモリカード１００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。1B is a side view showing a side surface of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A viewed from the B direction. FIG. 図１Ａの半導体メモリカード１００の上面側を示す上面図である。1B is a top view showing an upper surface side of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A. FIG. 図１Ａの半導体メモリカード１００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section along the AA of the semiconductor memory card 100 of FIG. 1A. 本発明の実施例２に係る半導体メモリカード２００の下面側を示す下面図である。It is a bottom view which shows the lower surface side of the semiconductor memory card 200 which concerns on Example 2 of this invention. 図２Ａの半導体メモリカード２００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。FIG. 2B is a side view showing the side surface of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A viewed from the B direction. 図２Ａの半導体メモリカード２００の上面側を示す上面図である。It is a top view which shows the upper surface side of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A. 図２Ａの半導体メモリカード２００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section along the AA of the semiconductor memory card 200 of FIG. 2A. 本発明の実施例３に係る半導体メモリカード３００の下面側を示す下面図である。It is a bottom view which shows the lower surface side of the semiconductor memory card 300 which concerns on Example 3 of this invention. 図３Ａの半導体メモリカード３００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。FIG. 3B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A viewed from the B direction. 図３Ａの半導体メモリカード３００の上面側を示す上面図である。FIG. 3B is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A. 図３Ａの半導体メモリカード３００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view showing a cross section of the semiconductor memory card 300 of FIG. 3A along the line AA. 本発明の実施例４に係る半導体メモリカード４００の下面側を示す下面図である。It is a bottom view which shows the lower surface side of the semiconductor memory card 400 which concerns on Example 4 of this invention. 図４Ａの半導体メモリカード４００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。FIG. 4B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A viewed from the B direction. 図４Ａの半導体メモリカード４００の上面側を示す上面図である。FIG. 4B is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A. 図４Ａの半導体メモリカード４００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section along the AA of the semiconductor memory card 400 of FIG. 4A. 本発明の実施例５に係る半導体メモリカード５００の下面側を示す下面図である。It is a bottom view which shows the lower surface side of the semiconductor memory card 500 which concerns on Example 5 of this invention. 図５Ａの半導体メモリカード５００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。FIG. 5B is a side view showing the side of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A viewed from the B direction. 図５Ａの半導体メモリカード５００の上面側を示す上面図である。FIG. 5B is a top view showing the upper surface side of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A. 図５Ａの半導体メモリカード５００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section along the AA of the semiconductor memory card 500 of FIG. 5A.

符号の説明Explanation of symbols

１ 入出力端子
２ 半導体メモリカード
２ａ 凹部
２ｂ 傾斜部
２ｃ 左側端部
２ｄ 右側端部
３ コントローラチップ
３ａ ボンディングワイヤ
４ 半導体メモリチップ
４ａ ボンディングワイヤ
５ 封止樹脂層
５ａ 凹部
５ｂ、５ｉ 傾斜部
５ｃ 溝
５ｄ 右側端部
５ｅ 左側端部
５ｆ 突起部
５ｇ 段差
５ｈ 部分
６ 突起部
１００、２００、３００、４００、５００ 半導体メモリカード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input / output terminal 2 Semiconductor memory card 2a Concave part 2b Inclined part 2c Left end part 2d Right end part 3 Controller chip 3a Bonding wire 4 Semiconductor memory chip 4a Bonding wire 5 Sealing resin layer 5a Concave part 5b, 5i Inclined part 5c Groove 5d Right side End 5e Left end 5f Projection 5g Step 5h Part 6 Projection 100, 200, 300, 400, 500 Semiconductor memory card

Claims (5)

外部装置に接続してデータを入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された回路基板と、
前記回路基板の下面側に載置され、前記データを記憶する半導体メモリチップと、
前記回路基板の下面側に載置され、前記入出力端子と電気的に接続され、前記半導体メモリチップを制御するコントローラチップと、
前記回路基板の下面側の全面に渡って形成され、前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備え、
前記封止樹脂層は、左側端部または右側端部の少なくとも何れか一方の膜厚が前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップが載置された部分における膜厚よりも薄くなっている
ことを特徴とする半導体メモリカード。 A semiconductor memory card that inputs and outputs data by connecting to an external device,
A circuit board on which an input / output terminal for inputting / outputting data to / from the external device is formed on the top side of the upper surface;
A semiconductor memory chip mounted on the lower surface side of the circuit board and storing the data;
A controller chip mounted on the lower surface side of the circuit board, electrically connected to the input / output terminal, and controlling the semiconductor memory chip;
Formed over the entire lower surface of the circuit board, and a sealing resin layer for sealing the semiconductor memory chip and the controller chip,
The sealing resin layer is characterized in that the film thickness of at least one of the left end and the right end is thinner than the film thickness in the portion where the semiconductor memory chip and the controller chip are placed. Semiconductor memory card. 前記封止樹脂層の下面の後端側に溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。   The semiconductor memory card according to claim 1, wherein a groove is formed on a rear end side of the lower surface of the sealing resin layer. 前記封止樹脂層の下面の後端側に突起部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。   The semiconductor memory card according to claim 1, wherein a protrusion is formed on a rear end side of the lower surface of the sealing resin layer. 前記封止樹脂層は、前記左側端部または前記右側端部の膜厚が後端側で厚くなっていることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の半導体メモリカード。   4. The semiconductor memory card according to claim 1, wherein the sealing resin layer has a film thickness of the left end portion or the right end portion increased on the rear end side. 5. 前記回路基板は、先端側に向けて前記回路基板の上面から下面側に傾斜する傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の半導体メモリカード。   5. The semiconductor memory card according to claim 1, wherein the circuit board is formed with an inclined portion that is inclined from the upper surface to the lower surface side of the circuit board toward a front end side.
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