JP2008107335A - Cathode luminescence measuring device and electron microscope - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、試料に電子線を照射したときに生じるカソードルミネッセンスを測定するカソードルミネッセンス測定装置及びそのカソードルミネッセンス測定装置を備えた電子顕微鏡に関し、特に、電子線を収束するための電磁型対物レンズとカソードルミネッセンスを集光する集光ミラーとの構造に関するものである。 The present invention relates to a cathodoluminescence measuring device for measuring cathodoluminescence generated when an electron beam is irradiated onto a sample, and an electron microscope equipped with the cathodoluminescence measuring device, and more particularly to an electromagnetic objective lens for focusing an electron beam and The present invention relates to a structure with a condensing mirror for condensing cathodoluminescence.
カソードルミネッセンス測定装置は、電子線によって試料表面を励起し、試料表面から発生するカソードルミネッセンスを検出器によって検出し、この検出器の出力信号に基づいて、試料中に含まれる元素の量（濃度）や分布状況または結晶性などを分析するもので、一般的には、特許文献１又は特許文献２に示すように、電子線を用いるところから電子顕微鏡と組み合わせて構成される。 The cathodoluminescence measuring device excites the sample surface with an electron beam, detects the cathodoluminescence generated from the sample surface with a detector, and based on the output signal of this detector, the amount (concentration) of the element contained in the sample In general, it is configured in combination with an electron microscope from using an electron beam as shown in Patent Document 1 or Patent Document 2.
そして、この種のカソードルミネッセンス測定装置は、対物レンズと試料との間にカソードルミネッセンスを集光するための集光ミラー部を配置している。 In this type of cathodoluminescence measuring apparatus, a condensing mirror unit for condensing cathodoluminescence is disposed between the objective lens and the sample.
しかしながら、集光ミラー部は当然厚みを有しており、また対物レンズ及び試料に接触しないように設けられるため、対物レンズと試料との距離（作動距離）を集光ミラー部が配置できる程度に取る必要がある。そのため、電子顕微鏡による観察像（二次電子像）の空間分解能を犠牲にしなくてはならないという問題がある。 However, since the collector mirror portion is naturally thick and is provided so as not to contact the objective lens and the sample, the distance (working distance) between the objective lens and the sample is such that the collector mirror portion can be disposed. I need to take it. Therefore, there is a problem that the spatial resolution of the observation image (secondary electron image) observed with an electron microscope must be sacrificed.
一方で、カソードルミネッセンスの空間分解能は電子線励起により発生した電子−正孔対（キャリア）が拡散及び再結合する領域の大きさに最も大きく影響するところ、例えばバルク試料ではキャリアの拡散領域が数百μｍであることが知られている。つまり、このキャリア拡散が、カソードルミネッセンスの空間分解能向上を妨げる要因となっている。 On the other hand, the spatial resolution of cathodoluminescence has the greatest influence on the size of the region where electron-hole pairs (carriers) generated by electron beam excitation diffuse and recombine. For example, in a bulk sample, the number of carrier diffusion regions is several. It is known to be 100 μm. That is, this carrier diffusion is a factor that hinders the improvement of the spatial resolution of cathodoluminescence.
これに対して従来、カソードルミネッセンスの空間分解能を向上させるために、低加速電圧で電子線を照射する、又は新たに試料に垂直に磁場を印加するといった試みがなされている。 On the other hand, conventionally, in order to improve the spatial resolution of cathodoluminescence, attempts have been made to irradiate an electron beam with a low acceleration voltage or newly apply a magnetic field perpendicularly to a sample.
しかしながら、低加速電圧で電子線を照射する場合には、励起電圧が低く、試料が直接遷移型のものに限られてしまう。 However, when the electron beam is irradiated at a low acceleration voltage, the excitation voltage is low and the sample is limited to the direct transition type.
また、新たに垂直磁場印加の装置を組み込む場合には、作動距離が長くなってしまい十分な空間分解能が得られないという問題がある。 In addition, when a device for applying a vertical magnetic field is newly incorporated, there is a problem that the working distance becomes long and sufficient spatial resolution cannot be obtained.
その他にも、試料を薄膜にして空間分解能を向上させる試みがなされているが、試料の作製などに手間が掛かるという問題がある。
そこで本発明は、上記問題点を一挙に解決するためになされたものであり、簡単な構成でありながら電子顕微鏡による高分解能観察とカソードルミネッセンスの高分解能観察との両立を実現することをその主たる所期課題とするものである。 Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems all at once, and its main purpose is to realize both high resolution observation with an electron microscope and high resolution observation of cathode luminescence with a simple configuration. It is intended.
すなわち本発明に係るカソードルミネッセンス測定装置は、試料に電子線を照射して生じるカソードルミネッセンスを測定するカソードルミネッセンス測定装置であって、前記電子線を収束して前記試料に照射する電磁型対物レンズと、前記電子線が照射された試料から生じるカソードルミネッセンスを集光する集光ミラー部と、を備え、前記集光ミラー部が、前記電磁型対物レンズの試料側端部よりも上方に設けられており、前記電磁型対物レンズの漏洩磁場が前記試料に印加されることにより前記試料のキャリア拡散を防止することを特徴とするものである。ここで、「漏洩磁場」とは、電磁型対物レンズの試料側端部から外部に広がる磁場のことである。 That is, a cathodoluminescence measuring apparatus according to the present invention is a cathodoluminescence measuring apparatus that measures cathodoluminescence generated by irradiating a sample with an electron beam, and an electromagnetic objective lens that converges the electron beam and irradiates the sample; A condensing mirror portion for condensing cathodoluminescence generated from the sample irradiated with the electron beam, and the condensing mirror portion is provided above a sample side end of the electromagnetic objective lens. In addition, carrier leakage of the sample is prevented by applying a leakage magnetic field of the electromagnetic objective lens to the sample. Here, the “leakage magnetic field” is a magnetic field that spreads outward from the sample side end of the electromagnetic objective lens.
また、本発明に係る電子顕微鏡は、上記カソードルミネッセンス測定装置を備えた電子顕微鏡であることを特徴とするものである。 Moreover, the electron microscope which concerns on this invention is an electron microscope provided with the said cathode luminescence measuring apparatus, It is characterized by the above-mentioned.
このようなものであれば、作動距離を可及的にゼロにすることができ、電磁型対物レンズを短焦点で使用することができるので、電子顕微鏡による高分解能観察を実現することができる。また、作動距離を可及的にゼロにすることができるので、電磁型対物レンズの漏洩磁場が試料に印加されて、試料中のキャリアの拡散を抑制することができ、カソードルミネッセンスの高分解能観察を実現することができる。さらに、試料への磁場印加のための装置を必要としないので、装置構成を簡単にすることができるとともに装置の小型化を可能とすることができる。その上、低加速電圧で電子線を照射する必要がなく、試料を薄膜に加工する手間も必要としない。 With such a configuration, the working distance can be made as zero as possible, and the electromagnetic objective lens can be used with a short focal point, so that high-resolution observation with an electron microscope can be realized. In addition, since the working distance can be made as zero as possible, the leakage magnetic field of the electromagnetic objective lens can be applied to the sample, suppressing the diffusion of carriers in the sample, and high-resolution observation of cathodoluminescence. Can be realized. Furthermore, since a device for applying a magnetic field to the sample is not required, the device configuration can be simplified and the device can be miniaturized. In addition, there is no need to irradiate an electron beam with a low acceleration voltage, and there is no need to process the sample into a thin film.
キャリアの拡散を可及的に抑制するためは、前記電磁型対物レンズの漏洩磁場が前記試料に対して略垂直に印加されることが望ましい。 In order to suppress carrier diffusion as much as possible, it is desirable that the leakage magnetic field of the electromagnetic objective lens is applied substantially perpendicularly to the sample.
具体的な構成としては、前記電磁型対物レンズが、励磁コイルと当該励磁コイルを収容するヨークと、当該ヨークの試料側端部に設けられた磁極とを備え、前記ヨークに設けられた磁極の上方に前記集光ミラー部を配置していることが望ましい。 As a specific configuration, the electromagnetic objective lens includes an excitation coil, a yoke that accommodates the excitation coil, and a magnetic pole provided at a sample-side end portion of the yoke, and the magnetic pole provided in the yoke It is desirable to arrange the condensing mirror part above.
キャリアの拡散を好適に抑制するためには、前記漏洩磁場が、１０００ガウス以上であることが望ましい。 In order to suitably suppress carrier diffusion, the leakage magnetic field is preferably 1000 gauss or more.
また、前記電磁型対物レンズが、前記試料を内部に収容可能な開口部を備えていることが望ましい。つまり、電磁型対物レンズの試料側端部と試料との距離をゼロ（試料の上面と試料側端部とが同一平面上となる。）又はマイナス（つまり、試料が試料側端部よりも上方に位置し、試料は電磁型対物レンズ内に位置する。）にすることができ、１０００ガウス以上の漏洩磁場を構造的に実現することができる。 Moreover, it is desirable that the electromagnetic objective lens has an opening capable of accommodating the sample inside. That is, the distance between the sample-side end of the electromagnetic objective lens and the sample is zero (the upper surface of the sample and the sample-side end are on the same plane) or minus (that is, the sample is above the sample-side end). The sample is located in the electromagnetic objective lens.), And a leakage magnetic field of 1000 gauss or more can be structurally realized.
このように構成した本発明によれば、簡単な構成でありながら電子顕微鏡による高分解能観察及びカソードルミネッセンスの高分解能観察を可能としたカソードルミネッセンス測定装置を提供することができる。 According to the present invention configured as described above, it is possible to provide a cathodoluminescence measuring apparatus capable of high-resolution observation with an electron microscope and cathodoluminescence high-resolution observation with a simple configuration.
以下に本発明のカソードルミネッセンス測定装置の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、図１は、本実施形態に係るカソードルミネッセンス測定装置１を示す模式的構成図であり、図２は、電磁型対物レンズ７５及び集光ミラー部４１１を主として示す部分拡大断面図である。 Hereinafter, an embodiment of a cathodoluminescence measuring device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing the cathodoluminescence measuring apparatus 1 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a partially enlarged sectional view mainly showing the electromagnetic objective lens 75 and the condensing mirror part 411.
本実施形態に係るカソードルミネッセンス測定装置１は、電子顕微鏡に組み込まれたものであり、電子線ＥＢを試料Ｗに照射することにより試料Ｗから生じるカソードルミネッセンスＣＬを用いて、試料Ｗの微小領域における物性評価や半導体素子の解析を行うものである。その構成は、図１に示すように、電子銃６及び電子線制御手段７を有する鏡筒部２と、前記電子銃６からの電子線ＥＢが照射される試料Ｗを収容する試料室３と、電子線ＥＢの照射によって試料Ｗから発生するカソードルミネッセンスＣＬを分光して検出する検出装置４と、検出装置４からの検出信号に基づき試料Ｗ上の電子線ＥＢの２次元走査に同期して試料像を表示等する情報処理装置５と、を備えている。また、電子顕微鏡の機能を確保するために、図示しないが電子線ＥＢを試料Ｗに照射したときに生じる二次電子を検出する二次電子検出器も備えている。 The cathodoluminescence measuring apparatus 1 according to the present embodiment is incorporated in an electron microscope, and uses a cathodoluminescence CL generated from the sample W by irradiating the sample W with the electron beam EB, and in a micro region of the sample W. It is used to evaluate physical properties and analyze semiconductor elements. As shown in FIG. 1, the configuration is such that a lens barrel portion 2 having an electron gun 6 and an electron beam control means 7, a sample chamber 3 containing a sample W irradiated with an electron beam EB from the electron gun 6, and , In synchronization with two-dimensional scanning of the electron beam EB on the sample W based on the detection signal from the detection device 4 based on the detection signal from the detection device 4, which detects the cathodoluminescence CL generated from the sample W by irradiation with the electron beam EB And an information processing device 5 that displays a sample image. In order to secure the function of the electron microscope, a secondary electron detector that detects secondary electrons generated when the sample W is irradiated with the electron beam EB is provided, although not shown.
鏡筒部２は、図１に示すように、試料室３の上部に連続して設けられており、試料室３の所定領域に設置された試料Ｗに電子線ＥＢを照射する電子銃６と、当該電子銃６から射出された電子線ＥＢを試料Ｗの測定部位に収束させるとともに走査させるための電子線制御手段７と、鏡筒部２内を真空にするための真空排気機構８を備えている。 As shown in FIG. 1, the lens barrel portion 2 is provided continuously on the upper portion of the sample chamber 3, and an electron gun 6 that irradiates a sample W placed in a predetermined region of the sample chamber 3 with an electron beam EB. And an electron beam control means 7 for converging and scanning the electron beam EB emitted from the electron gun 6 to the measurement site of the sample W, and a vacuum exhaust mechanism 8 for evacuating the inside of the lens barrel 2. ing.
電子線制御手段７は、図１に示すように、電子銃６からの電子を収束させるためのコンデンサレンズ７１、電子線量のモニタと電子線ＥＢの開き角を制御するアパーチャ７２、電子線ＥＢの非点収差を補正するための非点補正器（スティグメータ）７３、電子線ＥＢを走査するための走査偏向器（スキャニングデフレクタ）７４、電子線ＥＢを試料Ｗ面上に収束させるための電磁型対物レンズ７５からなり、これらは上部からこの順で配置されている。なお、電磁型対物レンズ７５については後述する。 As shown in FIG. 1, the electron beam control means 7 includes a condenser lens 71 for converging electrons from the electron gun 6, an aperture monitor for controlling the opening angle of the electron beam EB, an electron dose monitor, and an electron beam EB. Astigmatism corrector (stigmator) 73 for correcting astigmatism, scanning deflector (scanning deflector) 74 for scanning electron beam EB, and electromagnetic type for converging electron beam EB on the sample W surface The objective lens 75 is arranged in this order from the top. The electromagnetic objective lens 75 will be described later.
試料室３は、図１に示すように、試料移動機構を有する試料ステージ３１と、試料室３内を真空にするための真空排気機構３２を備えている。 As shown in FIG. 1, the sample chamber 3 includes a sample stage 31 having a sample moving mechanism and a vacuum exhaust mechanism 32 for evacuating the sample chamber 3.
検出装置４は、図１に示すように、集光部４１と、当該集光部４１により集光されたカソードルミネッセンスＣＬを単色光に分離する例えばモノクロメータ等の分光部４２と、当該分光部４２により波長毎に複数に分光された各単色光の強度をそれぞれ測定し、各単色光の強度に応じた値の電流値（又は電圧値）を有する出力信号を出力する例えばフォトマルチプライヤ（ＰＭＴ）等のセンシング部４３とを備えている。 As shown in FIG. 1, the detection device 4 includes a condensing unit 41, a spectroscopic unit 42 such as a monochromator that separates the cathode luminescence CL collected by the condensing unit 41 into monochromatic light, and the spectroscopic unit. For example, the photomultiplier (PMT) outputs an output signal having a current value (or voltage value) corresponding to the intensity of each monochromatic light by measuring the intensity of each monochromatic light divided into a plurality of wavelengths for each wavelength by 42. ) And the like.
集光部４１は、図２に示すように、試料Ｗから発生するルミネッセンスＬを最小限の損失で集め分光部４２に導くものであり、電子銃６からの電子線ＥＢを通過させ、その電子線ＥＢを試料Ｗに照射するための電子線通路４１１ａ、及びその通路４１１ａの軸線上に焦点Ｆが設定されたミラー面４１１ｂを有する集光ミラー部４１１と、前記ミラー面４１１ｂにより集光されたカソードルミネッセンスＣＬを分光部４２に伝送するための光ファイバ４１２とを備えている。なお、光ファイバ４１２の光導入端面４１２Ａは、ミラー面４１１ｂの焦点と合致するように配置される。そして、集光ミラー部４１１と光ファイバ４１２とは、図示しない保持部材によって一体的に保持されている。 As shown in FIG. 2, the condensing unit 41 collects the luminescence L generated from the sample W with a minimum loss and guides it to the spectroscopic unit 42, and allows the electron beam EB from the electron gun 6 to pass through. Condensing mirror section 411 having electron beam path 411a for irradiating sample EB to sample W, and mirror surface 411b having focal point F set on the axis of path 411a, and focused by mirror surface 411b And an optical fiber 412 for transmitting the cathodoluminescence CL to the spectroscopic unit 42. The light introduction end face 412A of the optical fiber 412 is disposed so as to coincide with the focal point of the mirror surface 411b. And the condensing mirror part 411 and the optical fiber 412 are integrally hold | maintained by the holding member which is not shown in figure.
ミラー面４１１ｂは、放物面鏡又は回転楕円面鏡などが考えられるが、本実施形態では回転楕円面鏡である。なお、ミラー面４１１ｂの具体的形状とその焦点は、試料Ｗの位置及び対物レンズ７５の厚さによって決定される。 The mirror surface 411b may be a parabolic mirror or a spheroidal mirror, but is a spheroidal mirror in this embodiment. The specific shape of the mirror surface 411b and its focal point are determined by the position of the sample W and the thickness of the objective lens 75.
情報処理装置５は、例えば、ＣＰＵ、メモリ、入出力インターフェイス、ＡＤ変換器、入力手段等からなる汎用又は専用のコンピュータである。そして、前記メモリの所定領域に格納してあるプログラムに基づいてＣＰＵやその周辺機器が作動することにより、この情報処理装置５が、前記検出装置４からの出力信号を受信し、走査した各測定ポイントでの試料Ｗの微小領域における物性評価や半導体素子の解析を行う。また、この情報処理装置５は、二次電子検出器からの検出信号を受信して、二次電子像の表示等を行う。 The information processing apparatus 5 is a general-purpose or dedicated computer including, for example, a CPU, a memory, an input / output interface, an AD converter, an input unit, and the like. Then, when the CPU or its peripheral device operates based on a program stored in a predetermined area of the memory, the information processing device 5 receives the output signal from the detection device 4 and scans each measurement. Evaluation of physical properties and analysis of a semiconductor element in a minute region of the sample W at points are performed. The information processing device 5 receives a detection signal from the secondary electron detector and displays a secondary electron image.
しかして、本実施形態のカソードルミネッセンス測定装置１は、図２に示すように、集光ミラー部４１１が、電磁型対物レンズ７５内に配置される構成としている。 Therefore, the cathode luminescence measuring apparatus 1 of the present embodiment is configured such that the condensing mirror unit 411 is disposed in the electromagnetic objective lens 75 as shown in FIG.
つまり、電磁型対物レンズ７５は、励磁コイル７５１と、この励磁コイル７５１を収容するヨーク７５２と、このヨーク７５２の試料Ｗ側の端部に設けられた磁極７５３とを備え、前記ヨーク７５２における励磁コイル７５１と磁極７５３との間の側周壁に、集光部４１を（挿入して）固定するための固定孔７５２ａを備えている。 That is, the electromagnetic objective lens 75 includes an exciting coil 751, a yoke 752 that accommodates the exciting coil 751, and a magnetic pole 753 provided at the end of the yoke 752 on the sample W side. A fixing hole 752a for fixing (inserting) the condensing part 41 is provided on the side peripheral wall between the coil 751 and the magnetic pole 753.
そして、ヨーク７５２は、パーマロイ，鉄等の強磁性体でかつ導電性のある材料から形成されており、中心に電子線ＥＢを通過させるための開口部７５２ｃを有する回転体形状をなし、内側周壁の試料Ｗ側端部に内側磁極７５３ａ、外側周壁の試料Ｗ側端部に外側磁極７５３ｂを備え、それら磁極７５３ａ、７５３ｂの間隙は電子線ＥＢ（中心軸）に向かって形成されている。 The yoke 752 is formed of a ferromagnetic and conductive material such as permalloy or iron, and has a rotating body shape having an opening 752c for allowing the electron beam EB to pass through at the center. An inner magnetic pole 753a is provided at the end of the sample W side, and an outer magnetic pole 753b is provided at the end of the outer peripheral wall of the sample W. The gap between the magnetic poles 753a and 753b is formed toward the electron beam EB (central axis).
前記ヨーク７５２の固定孔７５２ａに集光ミラー部４１１及び光ファイバ４１２を保持する保持部材が略水平に挿入されて固定されることより、集光ミラー部４１１は、開口部７５２ｃにおける励磁コイル７５１と磁極７５３との間に配置される。このとき、集光ミラー部４１１の電子線通路４１１ａの中心軸が、電子線ＥＢと一致するように位置調節される。 Since the holding member for holding the condensing mirror portion 411 and the optical fiber 412 is inserted into the fixing hole 752a of the yoke 752 substantially horizontally and fixed, the condensing mirror portion 411 includes the exciting coil 751 in the opening 752c. It is arranged between the magnetic pole 753. At this time, the position is adjusted so that the central axis of the electron beam passage 411a of the condensing mirror portion 411 coincides with the electron beam EB.
そして、励磁コイル７５１に電流を流すことによってヨーク７５２が磁化されて、内側磁極７５３ａと外側磁極７５３ｂとの間に磁場が生成される。このとき、内側磁極７５３ａと外側磁極７５３ｂとの間に生じる磁場のうち、対物レンズ７５の試料側開口部（ヨーク７５２の試料側の開口部７５２ｃ）から外部に広がる磁場（漏洩磁場）は、試料Ｗに対して略垂直に印加され、磁力線は試料Ｗの上面に略垂直に入射する（図２参照）。つまり、試料Ｗが漏洩磁場内に配置されることになる。漏洩磁場としては、キャリア拡散を好適に抑制する観点から、例えば１０００ガウス以上である。なお、図２において磁力線を点線で示している。また、図２中に示す従来の試料位置においては、磁力線は、試料Ｗの上面に外側に広がるように入射する（磁気回路（磁路）が形成される）ので、キャリアの拡散を抑制することができない。 The yoke 752 is magnetized by passing a current through the exciting coil 751, and a magnetic field is generated between the inner magnetic pole 753a and the outer magnetic pole 753b. At this time, of the magnetic field generated between the inner magnetic pole 753a and the outer magnetic pole 753b, the magnetic field (leakage magnetic field) spreading outside from the sample-side opening of the objective lens 75 (sample-side opening 752c of the yoke 752) The magnetic field lines are applied substantially perpendicularly to W, and the magnetic lines of force enter the upper surface of the sample W substantially perpendicularly (see FIG. 2). That is, the sample W is disposed in the leakage magnetic field. The leakage magnetic field is, for example, 1000 gauss or more from the viewpoint of suitably suppressing carrier diffusion. In FIG. 2, the lines of magnetic force are indicated by dotted lines. In addition, in the conventional sample position shown in FIG. 2, the magnetic lines of force are incident on the upper surface of the sample W so as to spread outward (a magnetic circuit (magnetic path) is formed), thereby suppressing carrier diffusion. I can't.
さらに、ヨーク７５２は、前記固定孔７５２ａの他に３つの孔７５２ｂを有しており、これら４つの孔７５２ａ、７５２ｂが軸対称となるようにしている。これにより、電磁型対物レンズ７５により生じる磁場が軸対称となる。 Furthermore, the yoke 752 has three holes 752b in addition to the fixed hole 752a, and these four holes 752a and 752b are made axially symmetric. Thereby, the magnetic field generated by the electromagnetic objective lens 75 is axisymmetric.
このように構成した本実施形態に係るカソードルミネッセンス測定装置１によれば、電磁型対物レンズ７５と試料Ｗとの間に集光ミラー部４１１を設けないので、作動距離を可及的にゼロにすることができ、電磁型対物レンズ７５の漏洩磁場内に試料Ｗが配置されることになり、試料Ｗのキャリア拡散を抑制して、カソードルミネッセンスの空間分解能を格段に向上させることができる。また、作動距離を可及的にゼロにすることができ、電子顕微鏡による観察時に対物レンズ７５を短焦点で使用できるため電子顕微鏡による高分解能観察も同時に可能とすることができる。したがって、カソードルミネッセンスＣＬの高空間分解能観察及び電子顕微鏡による高空間分解能観察を同時に可能とすることができる。 According to the cathode luminescence measuring apparatus 1 according to the present embodiment configured as described above, since the condensing mirror unit 411 is not provided between the electromagnetic objective lens 75 and the sample W, the working distance is made as zero as possible. Therefore, the sample W is disposed in the leakage magnetic field of the electromagnetic objective lens 75, and carrier diffusion of the sample W can be suppressed, and the spatial resolution of the cathode luminescence can be greatly improved. In addition, the working distance can be made as zero as possible, and the objective lens 75 can be used with a short focal point during observation with an electron microscope, so that high-resolution observation with an electron microscope can be simultaneously performed. Therefore, high spatial resolution observation of the cathodoluminescence CL and high spatial resolution observation with an electron microscope can be simultaneously made possible.
さらに、対物レンズ７５の漏洩磁場を利用しているので、装置１の小型化を実現することができる。また、集光ミラー部４１１が電磁型対物レンズ７５の内部にあるので、メンテナンス等の際に集光ミラー部４１１が試料Ｗに当たることがない。 Furthermore, since the leakage magnetic field of the objective lens 75 is used, the apparatus 1 can be downsized. In addition, since the condensing mirror unit 411 is inside the electromagnetic objective lens 75, the condensing mirror unit 411 does not hit the sample W during maintenance or the like.
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。 The present invention is not limited to the above embodiment.
例えば、前記実施形態では、集光ミラー部４１１を電磁型対物レンズ７５の内部に設けるようにしているが、電磁型対物レンズ７５の外部上方に設けるようにしても良い。 For example, in the above embodiment, the condensing mirror unit 411 is provided inside the electromagnetic objective lens 75, but may be provided above the electromagnetic objective lens 75.
また、前記実施形態では、試料Ｗは、電磁型対物レンズ７５の下側に設けられているが、その他、図２中に点線で示す試料Ｗの位置Ｗ（Ｐ）に設けても良い。つまり、集光ミラー部４１１と同様に、試料Ｗを電磁型対物レンズ７５の試料側端部よりも上方、つまり電磁型対物レンズ７５内に配置される。電磁型対物レンズ７５の試料側開口部（ヨーク７５２の試料側の開口部７５２ｃ）は、試料Ｗを収容可能な程度の開口面積を有し、その開口部７５２ｃ内に試料Ｗを配置する。これにより、電磁型対物レンズ７５の試料側端部と試料Ｗとの距離をマイナスにすることができ、キャリア拡散抑制のために必要な１０００ガウス以上の磁場を構造的に簡単に実現することができる。また、電磁型対物レンズ７５の試料側端部と試料Ｗとの距離をゼロ、つまり、試料Ｗの上面と電磁型対物レンズ７５の試料側端部とが同一平面上となるようにするにしても良い。 Moreover, in the said embodiment, although the sample W is provided under the electromagnetic type objective lens 75, you may provide in the position W (P) of the sample W shown with a dotted line in FIG. That is, like the condensing mirror unit 411, the sample W is disposed above the sample side end of the electromagnetic objective lens 75, that is, in the electromagnetic objective lens 75. The sample-side opening of the electromagnetic objective lens 75 (the sample-side opening 752c of the yoke 752) has an opening area that can accommodate the sample W, and the sample W is disposed in the opening 752c. Thereby, the distance between the sample side end of the electromagnetic objective lens 75 and the sample W can be made negative, and a magnetic field of 1000 gauss or more necessary for suppressing carrier diffusion can be realized structurally easily. it can. Further, the distance between the sample side end of the electromagnetic objective lens 75 and the sample W is zero, that is, the upper surface of the sample W and the sample side end of the electromagnetic objective lens 75 are on the same plane. Also good.
さらに、前記実施形態ではセンシング部４３をフォトマルチプライヤ（ＰＭＴ）を用いて構成しているが、測定する波長領域によって使用する機器を変えても構わない。例えば赤外（１μｍ〜）においては、Ｇｅ検出器、Ｐｂｓ検出器、赤外ＰＭＴ等を用いることが好ましい。また、光−電子変換効率、ダイナミックレンジ、Ｓ／Ｎに優れているといったことからＣＣＤを利用してもよい。ＣＣＤによればスペクトルの一括検出も可能である。 Furthermore, in the embodiment, the sensing unit 43 is configured using a photomultiplier (PMT), but the device to be used may be changed depending on the wavelength region to be measured. For example, in the infrared (from 1 μm), it is preferable to use a Ge detector, a Pbs detector, an infrared PMT, or the like. Further, a CCD may be used because of its excellent photoelectric conversion efficiency, dynamic range, and S / N. According to the CCD, it is possible to detect the spectrum collectively.
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてよいし、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。 In addition, some or all of the above-described embodiments and modified embodiments may be combined as appropriate, and the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. .
１ ・・・カソードルミネッセンス測定装置
Ｗ ・・・試料
ＥＢ ・・・電子線
７５ ・・・電磁型対物レンズ
４１１・・・集光ミラー部
７５１・・・励磁コイル
７５２・・・ヨーク
７５３・・・磁極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cathodoluminescence measuring device W ... Sample EB ... Electron beam 75 ... Electromagnetic objective lens 411 ... Condensing mirror part 751 ... Excitation coil 752 ... Yoke 753 ... Magnetic pole
Claims (6)
前記電子線を収束して前記試料に照射する電磁型対物レンズと、前記電子線が照射された試料から生じるカソードルミネッセンスを集光する集光ミラー部と、を備え、
前記集光ミラー部が、前記電磁型対物レンズの試料側端部よりも上方に設けられており、前記電磁型対物レンズの漏洩磁場が前記試料に印加されることを特徴とするカソードルミネッセンス測定装置。 A cathodoluminescence measuring device for measuring cathodoluminescence generated by irradiating a sample with an electron beam,
An electromagnetic objective lens that converges the electron beam and irradiates the sample; and a condensing mirror unit that collects cathode luminescence generated from the sample irradiated with the electron beam,
The cathodoluminescence measuring apparatus, wherein the condensing mirror is provided above a sample side end of the electromagnetic objective lens, and a leakage magnetic field of the electromagnetic objective lens is applied to the sample .
前記ヨークに設けられた磁極の上方に前記集光ミラー部を配置していることを特徴とする請求項２記載のカソードルミネッセンス測定装置。 The electromagnetic objective lens includes an excitation coil, a yoke that accommodates the excitation coil, and a magnetic pole provided at a sample side end of the yoke,
3. The cathodoluminescence measuring apparatus according to claim 2, wherein the condensing mirror is disposed above a magnetic pole provided on the yoke.
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