JP2008085422A - Am用のループアンテナ入力回路およびこれを用いたamラジオ受信機 - Google Patents
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Abstract
【課題】AMラジオ受信機のループアンテナ入力回路において、電流性ノイズの増加を招くことなく、トランス等を用いたインピーダンス変換回路を不要にできるようにしてIC化を容易にする。
【解決手段】ループアンテナ1からの入力信号を増幅する増幅素子としてp−MOSFET21,22を用い、これをループアンテナ1に直接接続することにより、ループアンテナ1からの入力信号をp−MOSFET21,22によってハイインピーダンスで受けることができるようにして、ハイインピーダンスに変換するためのトランス等を不要にするとともに、ループアンテナ1自体のインピーダンスを上げる必要もなくして、電流性ノイズの発生を抑止する。
【選択図】 図1
【解決手段】ループアンテナ1からの入力信号を増幅する増幅素子としてp−MOSFET21,22を用い、これをループアンテナ1に直接接続することにより、ループアンテナ1からの入力信号をp−MOSFET21,22によってハイインピーダンスで受けることができるようにして、ハイインピーダンスに変換するためのトランス等を不要にするとともに、ループアンテナ1自体のインピーダンスを上げる必要もなくして、電流性ノイズの発生を抑止する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、AM用のループアンテナ入力回路およびこれを用いたAMラジオ受信機に関し、特に、アンテナとしてループアンテナを用いたAMラジオ受信機に用いて好適なものである。
ラジオ受信機などの放送信号受信装置で使用されるアンテナとして、ループアンテナがある。ループアンテナは、導線を何回か巻いて形成したコイル内部の磁場の変化により誘導起電力を取り出す原理のものである。例えば、ホームオーディオ用のAMラジオ受信機では、ループアンテナ入力回路は、一次側コイルとこれに電磁結合する二次側コイルとから成る同調トランス、一次側コイルに並列に接続する可変容量ダイオードおよびコンデンサを備えている。
図3は、ループアンテナを用いた従来のAMラジオ受信機の構成の一部を示す図である。図3において、101はループアンテナ、102はコイルを使用したトランス、103は可変容量ダイオード、104はコンデンサ、105はLNA(Low Noise Amplifier:低雑音増幅器)、106は可変容量ダイオード103に対する制御電圧の入力端子である。
ループアンテナ101で受信された高周波信号(RF信号)のうち、可変容量ダイオード103と共に形成される共振回路により共振した同調周波数のRF信号が、トランス102によってインピーダンス変換されてLNA105に供給される。LNA105においてRF信号は低雑音で増幅され、図示しない次段の周波数変換器に供給される。
このように、ループアンテナ101を用いた従来のAMラジオ受信機では、インピーダンス変換用にトランス102や可変容量ダイオード103を使用していた。インピーダンス変換を行うのは、ループアンテナ101はインピーダンスが低く(数百Ω)、そのままでは同調の効果が小さい(Q値が高くとれない)ため、可変容量デバイスとのインピーダンスマッチングをとることが必要となるからである。
なお、ダイポールアンテナを用いた車載用ラジオ受信機において、アンテナからの入力信号を増幅する増幅素子として、電界効果トランジスタ(FET)を用いたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に記載の構成では、FETのドレイン電流が小さい時にはインピーダンスが大きくなる。
特開平11−312937号公報
また、コイル型のヘリカルアンテナと、変換した搬送波電力を増幅する信号増幅回路とを備えたアンテナ入力回路において、信号増幅回路を入力インピーダンスの高い差動増幅回路とし、2つのトランジスタには低雑音でインピーダンスの高いFETを採用した技術も存在する(例えば、特許文献2参照)。
特開平10−13149号公報
しかしながら、ループアンテナを用いたAMラジオ受信機では、上述したように、ループアンテナのインピーダンスが低くて同調の効果が小さいため、インピーダンスマッチングをとるためにトランス等を用いた同調回路が必要になる。ところが、トランス等はこれをICチップに内蔵することが難しく、ICチップの外付け部品として構成しなければならないという問題があった。同調回路を不要とするために、ループアンテナのインピーダンスを上げる方法も考えられるが、そうすると電流性ノイズが増加してしまうという問題を生じる。
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、AMラジオ受信機のループアンテナ入力回路において、電流性ノイズの増加を招くことなく、トランス等を用いたインピーダンス変換回路を不要にできるようにすることを目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明では、ループアンテナに対して増幅素子を直接接続し、同調をとらない増幅素子として、低雑音で入力インピーダンスの高い電界効果トランジスタを用いている。
また、本発明の他の態様では、増幅素子を用いた信号増幅回路として、入力インピーダンスが高い差動増幅回路を用いている。
また、本発明の他の態様では、増幅素子を用いた信号増幅回路として、入力インピーダンスが高い差動増幅回路を用いている。
上記のように構成した本発明によれば、インピーダンスの低いループアンテナを用いた場合であっても、これに直接接続されたインピーダンスの高い電界効果トランジスタで入力信号を受けることができるため、ハイインピーダンスに変換するためのトランス等から成るインピーダンス変換回路が不要となり、アンテナ入力回路のIC化を容易にすることができる。また、ループアンテナ自体のインピーダンスを上げる必要もないので、電流性ノイズの発生を抑止することもできる。さらに、電界効果トランジスタで構成した差動増幅回路は、雑音の発生を少なくして入力信号だけを効率良く増幅することができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態によるループアンテナ入力回路を用いたAMラジオ受信機の要部構成例を示す図である。図1に示すように、本実施形態のAMラジオ受信機は、そのフロントエンド部の構成として、ループアンテナ1と、ループアンテナ1に直接接続された差動増幅器2とを備えて構成されている。このうち差動増幅器2は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスまたはBi−CMOS(Bipolar-CMOS)プロセスにより1つのICチップ10に集積化されている。
本実施形態の差動増幅器2は、増幅素子である2つのp−MOSFET(電界効果トランジスタ)21,22と、p−MOSFET21,22と電源Vccとの間に接続された定電流源23と、p−MOSFET21,22とグランドとの間に接続された2つの抵抗24,25とを備えて構成されている。p−MOSFET21,22のゲートは共にループアンテナ1に接続されている。
このように、本実施形態では、ループアンテナ1からの入力信号を増幅する増幅素子としてp−MOSFET21,22を用い、これをループアンテナ1に直接接続している。また、p−MOSFET21,22を増幅素子とする信号増幅回路は、当該p−MOSFET21,22を差動対とする差動増幅器2により構成している。
上記のように構成した本実施形態のAMラジオ受信機によれば、ループアンテナ1からの入力信号をp−MOSFET21,22によってハイインピーダンスで受けることができる。このため、ハイインピーダンスに変換するためのトランス等が不要となり、アンテナ入力回路のIC化を容易にすることができる。また、ループアンテナ1自体のインピーダンスを上げる必要もないので、電流性ノイズの発生を抑止することもできる。さらに、増幅素子としてのp−MOSFET21,22、およびこれを用いて構成した差動増幅器2は、雑音の発生を少なくして入力信号だけを効率良く増幅することができる。
なお、上記実施形態では、増幅素子としてp−MOSFET21,22を用いる例について説明したが、n−MOSFETを用いても良い。また、差動増幅器2は、発生するノイズが小さくS/Nが良いLNA(Low Noise Amplifier:低雑音増幅器)とするのが好ましい。なお、p−MOSFET21,22を用いた場合には、フリッカノイズをより効果的に低減することができるというメリットがある。
図2は、本実施形態によるループアンテナ入力回路を用いたAMラジオ受信機の別の要部構成例を示す図である。図2に示すAMラジオ受信機は、ループアンテナ1と、ループアンテナ1に直接接続されたLNA3とを備えて構成されている。このうちLNA3は、例えばCMOSプロセスまたはBi−CMOSプロセスによって1つのICチップ10に集積化されている。
LNA3は、増幅素子である2つのn−MOSFET31,32と、n−MOSFET31,32と電源Vccとの間に接続された2つの抵抗33,34と、n−MOSFET31,32とグランドとの間に接続された2つの定電流源35,36と、バイアス抵抗37とを備えて構成されている。ループアンテナ1は、n−MOSFET31,32のドレインに接続されている。また、n−MOSFET31,32のゲートは共にバイアス抵抗37を介してグランドに接続されている。
このように、n−MOSFET31,32をゲート接地により構成した場合には、ICチップ10の入力インピーダンスZinが、n−MOSFET31,32のコンダクタンスgmの逆数にほぼ等しくなって単純化できる(Zin≒1/gm)。本実施形態では、n−MOSFET31,32を例えばCMOSプロセスのFETで構成しているため、コンダクタンスgmは小さくなり、入力インピーダンスZinは大きくなる。そのため、バイアス抵抗37を調整してコンダクタンスgmを適切な値とすることにより、ループアンテナ1とのインピーダンスマッチング(ループアンテナ1が持つ低インピーダンスの適切な高インピーダンスへの変換)を容易に行うことができる。
その他、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本発明は、ループアンテナを使用して放送信号を受信する放送信号受信装置、特にAMラジオ受信機に有用である。
1 ループアンテナ
2 差動増幅器
3 LNA
21,22 p−MOSFET
31,32 n−MOSFET
2 差動増幅器
3 LNA
21,22 p−MOSFET
31,32 n−MOSFET
Claims (3)
- ループアンテナからの入力信号を増幅する増幅素子を上記ループアンテナに直接接続し、上記増幅素子として電界効果トランジスタを用いたことを特徴とするAM用のループアンテナ入力回路。
- 上記増幅素子は、差動増幅回路の差動対を構成する電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載のAM用のループアンテナ入力回路。
- ループアンテナと、
上記ループアンテナに対して直接接続された半導体チップ内の信号増幅回路とを備え、
上記信号増幅回路を構成する増幅素子として電界効果トランジスタを用いたことを特徴とするAMラジオ受信機。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5477512B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-04-23 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換回路および通信端末装置 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090301388A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Soraa Inc. | Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids |
US8097081B2 (en) | 2008-06-05 | 2012-01-17 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
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US8871024B2 (en) * | 2008-06-05 | 2014-10-28 | Soraa, Inc. | High pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US20090320745A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Soraa, Inc. | Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials |
US9404197B2 (en) | 2008-07-07 | 2016-08-02 | Soraa, Inc. | Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use |
US10036099B2 (en) | 2008-08-07 | 2018-07-31 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US8979999B2 (en) * | 2008-08-07 | 2015-03-17 | Soraa, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US20100147210A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Soraa, Inc. | high pressure apparatus and method for nitride crystal growth |
US9543392B1 (en) | 2008-12-12 | 2017-01-10 | Soraa, Inc. | Transparent group III metal nitride and method of manufacture |
US9589792B2 (en) | 2012-11-26 | 2017-03-07 | Soraa, Inc. | High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use |
US8878230B2 (en) * | 2010-03-11 | 2014-11-04 | Soraa, Inc. | Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture |
USRE47114E1 (en) | 2008-12-12 | 2018-11-06 | Slt Technologies, Inc. | Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making |
US8987156B2 (en) | 2008-12-12 | 2015-03-24 | Soraa, Inc. | Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making |
US8509275B1 (en) | 2009-05-29 | 2013-08-13 | Soraa, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
US9175418B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-11-03 | Soraa, Inc. | Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals |
TWI437844B (zh) * | 2009-12-16 | 2014-05-11 | Realtek Semiconductor Corp | 一種用以控制天線諧振點之控制迴路以及其相關控制方法 |
US9564320B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-02-07 | Soraa, Inc. | Large area nitride crystal and method for making it |
US8729559B2 (en) * | 2010-10-13 | 2014-05-20 | Soraa, Inc. | Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon |
US9694158B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-07-04 | Ahmad Mohamad Slim | Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization |
US10029955B1 (en) | 2011-10-24 | 2018-07-24 | Slt Technologies, Inc. | Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use |
US10145026B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-12-04 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules |
US9275912B1 (en) | 2012-08-30 | 2016-03-01 | Soraa, Inc. | Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals |
US9299555B1 (en) | 2012-09-28 | 2016-03-29 | Soraa, Inc. | Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth |
US9650723B1 (en) | 2013-04-11 | 2017-05-16 | Soraa, Inc. | Large area seed crystal for ammonothermal crystal growth and method of making |
US10174438B2 (en) | 2017-03-30 | 2019-01-08 | Slt Technologies, Inc. | Apparatus for high pressure reaction |
US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
US11466384B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-10-11 | Slt Technologies, Inc. | Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate |
US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
WO2021162727A1 (en) | 2020-02-11 | 2021-08-19 | SLT Technologies, Inc | Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use |
US11721549B2 (en) | 2020-02-11 | 2023-08-08 | Slt Technologies, Inc. | Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54128653A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-05 | Nippon Gakki Seizo Kk | Antenna unit for receiver |
JPS57112140A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Clarion Co Ltd | Antenna device |
JPS6148239A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Am受信機 |
US5530453A (en) * | 1988-03-23 | 1996-06-25 | Seiko Epson Corporation | Wrist carried wireless instrument |
US5136719A (en) * | 1988-12-05 | 1992-08-04 | Seiko Corp. | Automatic antenna tubing method and apparatus |
US5134724A (en) * | 1990-05-08 | 1992-07-28 | Seiko Corp. | Wrist band for wrist-mounted radio with an uninsulated buckle |
JPH1013149A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Besutetsukusu:Kk | アンテナ受信機 |
US7555263B1 (en) * | 1999-10-21 | 2009-06-30 | Broadcom Corporation | Adaptive radio transceiver |
JP2008543205A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-11-27 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 無線通信装置用の改良型ダイバーシティアンテナアセンブリ |
-
2006
- 2006-09-26 JP JP2006260058A patent/JP2008085422A/ja active Pending
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5477512B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-04-23 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換回路および通信端末装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101611555A (zh) | 2009-12-23 |
US20100003942A1 (en) | 2010-01-07 |
TW200816622A (en) | 2008-04-01 |
WO2008038688A1 (fr) | 2008-04-03 |
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---|---|---|
JP2008085422A (ja) | Am用のループアンテナ入力回路およびこれを用いたamラジオ受信機 | |
US7688146B2 (en) | Single-ended input to differential-ended output low noise amplifier | |
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