JP2008083154A - Method for thinning glass substrate, manufacturing method of liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents
Method for thinning glass substrate, manufacturing method of liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display device Download PDFInfo
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Abstract
Description
この発明はガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a method for manufacturing a liquid crystal display device.
従来の液晶表示素子の製造方法には、完成された液晶表示素子を複数個形成することが可能な面積を有する2枚のガラス基板を、その間の各液晶表示素子形成領域に対応する部分に設けられた複数の単素子シール材およびその間の外周部に設けられた外周シール材を介して貼り合わせ、この状態でエッチング槽内のエッチング液に浸漬して2枚のガラス基板をエッチングし、これにより2枚のガラス基板の厚さを薄くするようにした方法がある(例えば、特許文献1参照)。 In a conventional method for manufacturing a liquid crystal display element, two glass substrates having an area capable of forming a plurality of completed liquid crystal display elements are provided in a portion corresponding to each liquid crystal display element formation region therebetween. The two single-element sealing materials and the outer peripheral sealing material provided between the outer peripheral sealing members are bonded together, and in this state, the two glass substrates are etched by being immersed in an etching solution in an etching tank. There is a method in which the thickness of two glass substrates is reduced (see, for example, Patent Document 1).
なお、この液晶表示素子の2枚のガラス基板間に液晶を注入して、更に、偏光板を貼り付け、一方のガラス基板上の駆動回路搭載領域に駆動回路を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。また、この液晶表示素子が備える2枚の基板のうち一方の基板における他方の基板に対向する面には、走査信号線、データ信号線、薄膜トランジスタ、画素電極、配向膜などが形成され、他方の基板における一方の基板に対向する面には、カラーフィルタ、共通電極、配向膜などが形成され、シール材によって2枚の基板が貼り合わされるとともに、これらの基板間に液晶が封止された構造を備えている。 In addition, liquid crystal is injected between two glass substrates of this liquid crystal display element, a polarizing plate is further attached, and a driving circuit is mounted on a driving circuit mounting region on one glass substrate, thereby providing a liquid crystal display device. Is completed. Further, a scanning signal line, a data signal line, a thin film transistor, a pixel electrode, an alignment film, and the like are formed on the surface of one of the two substrates included in the liquid crystal display element that faces the other substrate. A structure in which a color filter, a common electrode, an alignment film, and the like are formed on a surface of the substrate facing one substrate, two substrates are bonded together with a sealing material, and a liquid crystal is sealed between these substrates It has.
ところで、ガラス基板の表面には機械研磨などによる微小な傷や残留応力が存在することがある。このようなガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、比較的大きなエッチピットが形成されるなどのエッチング異常が発生することがある。また、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、当然のことながら、強度が低下する。 By the way, the surface of the glass substrate may have minute scratches or residual stress due to mechanical polishing or the like. When such a glass substrate is etched to reduce its thickness, etching abnormalities such as formation of relatively large etch pits may occur. Further, when the glass substrate is etched to reduce its thickness, the strength is naturally reduced.
そこで、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a liquid crystal display device that can avoid or reduce the occurrence of abnormal etching when the thickness is reduced by etching the glass substrate. An object is to provide a manufacturing method.
The present invention also provides a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can increase the strength even if the glass substrate is etched to reduce its thickness. The purpose is to do.
上記目的を達成するため、請求項1に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the method of thinning a glass substrate according to
請求項2に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of thinning a glass substrate according to
請求項3に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1または2に記載の発明において、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
The method for thinning a glass substrate according to
請求項4に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。 The method of thinning the glass substrate according to claim 4 includes the step of etching the surface side of the glass substrate, the step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and then heating the conductive film to generate heat. A step of heat-treating the surface side of the glass substrate, a step of quenching the glass substrate, and a step of patterning the conductive film to form an electrode element and an active element. .
請求項5に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするものである。
The method of thinning the glass substrate according to
請求項6に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするものである。
The method of thinning the glass substrate according to
請求項7に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするものである。
The method for thinning a glass substrate according to
請求項8に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of thinning the glass substrate according to
請求項9に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of thinning the glass substrate according to
請求項10に記載の液晶表示素子の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、を含み、更に、前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method for producing a liquid crystal display element according to
請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法は、請求項8〜10の何れか一項に記載の発明において、前記2枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とするものである。
The method for manufacturing a liquid crystal display element according to
請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of manufacturing a liquid crystal display device according to
請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of manufacturing a liquid crystal display device according to
請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。
The method of manufacturing a liquid crystal display device according to
請求項1、8、12の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング前に、ガラス基板の表面側を熱処理して除冷すると、ガラス基板の表面の微小な傷や残留応力が除去または低減され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。
請求項2、9、13の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、ガラス基板の表面側を熱処理して急冷すると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。
請求項4、10、14の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、次いでガラス基板の表面側に導電膜を形成して、ガラス基板の表面側を熱処理してガラス基板を急冷し、この導電膜をパターニングすると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるとともに、上記の各発明と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。
According to the invention described in any one of
According to the invention of any one of
According to the invention described in any one of
図1(A)はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された液晶表示素子の一例の平面図を示し、図1(B)は図1(A)のB−B線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子では、第1、第2のガラス基板1、2がほぼ方形枠状の単素子シール材3を介して貼り合わされ、単素子シール材3の内側における両ガラス基板1、2間に液晶4が単素子シール材3に形成された液晶注入口5を介して封入され、液晶注入口5が封止材6で封止された構造となっている。
FIG. 1A shows a plan view of an example of a liquid crystal display device manufactured by a manufacturing method as one embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross section taken along line BB in FIG. The figure is shown. In this liquid crystal display element, the first and
ここで、この液晶表示素子を備える液晶表示装置はアクティブマトリクス型であり、図示していないが、下側の第1のガラス基板1の上面側(内面側)には複数の画素電極(電極素子)および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタ(能動素子)がマトリクス状に設けられ、上側の第2のガラス基板2の下面側(内面側)には共通電極(電極素子)が設けられている。この場合、第1のガラス基板1の一辺部は第2のガラス基板2から突出されている。第1、第2のガラス基板1、2の厚さは例えば約0.3mmと比較的薄くなっている。なお、上述の駆動回路はこの突出された領域に搭載される。
Here, the liquid crystal display device including the liquid crystal display element is an active matrix type, and although not shown, a plurality of pixel electrodes (electrode elements) are provided on the upper surface side (inner surface side) of the lower first glass substrate 1. ) And a plurality of thin film transistors (active elements) connected to the pixel electrodes are provided in a matrix, and a common electrode (electrode element) is provided on the lower surface side (inner surface side) of the upper
次に、この液晶表示素子の製造方法の一例について、図2に示す製造工程図を参照して説明する。まず、図2のステップS1において、図3に示すように、完成された液晶表示素子を複数個(例えば、4×4=16個)形成することが可能な面積を有する第1、第2のガラス基板1、2を用意する。
Next, an example of a manufacturing method of the liquid crystal display element will be described with reference to a manufacturing process diagram shown in FIG. First, in step S1 of FIG. 2, as shown in FIG. 3, the first and second areas have areas where a plurality of completed liquid crystal display elements (for example, 4 × 4 = 16) can be formed.
この場合、図示していないが、下側の第1のガラス基板1の上面側(内面側)の各液晶表示素子形成領域には複数の画素電極および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタがマトリクス状に設けられている。下側の第1のガラス基板1の下面側(内面側)の各液晶表示素子形成領域には共通電極が設けられている。第1、第2のガラス基板1、2の厚さは例えば約0.5mmと比較的厚くなっている。
In this case, although not shown, a plurality of pixel electrodes and a plurality of thin film transistors connected to the pixel electrodes are provided in each liquid crystal display element formation region on the upper surface side (inner surface side) of the lower
次に、図2のステップS2のシール材形成工程において、第1のガラス基板1の上面の各液晶表示素子形成領域に、スクリーン印刷法により、エポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の単素子シール材3を形成し、同時に、第1のガラス基板1の上面外周部に同じくエポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の外周シール材7を形成する。この場合、単素子シール材3の1箇所には液晶注入口5が形成され、外周シール材7の4箇所には空気逃げ口8が形成されている。
Next, in the sealing material forming step of step S2 in FIG. 2, a substantially rectangular frame-shaped single element made of epoxy resin or the like is formed on each liquid crystal display element forming region on the upper surface of the
次に、図2のステップS3の貼り合わせ工程において、第1のガラス基板1上に形成された単素子シール材3および外周シール材7の上に第2のガラス基板2を重ね合わせ、次いで単素子シール材3および外周シール材7を加熱して硬化させることにより、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせる。このとき、外周シール材7の内側における両ガラス基板1、2間に存在する空気が熱膨張するが、この熱膨張した空気の一部が外周シール材7の空気逃げ口8を介して外部に放出され、外周シール材7の破壊が防止される。
Next, in the bonding process of step S3 in FIG. 2, the
次に、図2のステップS4の封止材形成工程において、外周シール材7の空気逃げ口8を紫外線硬化型のエポキシ変性アクリル系樹脂などからなる封止材9で封止する。ここで、図2のステップS4の封止材形成工程を終えた状態における図3に示すものを、以下、液晶表示素子形成用構成体10という。次に、図2のステップS5の導電膜形成工程において、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2の外面に、蒸着法などにより、アルミニウム、銅などからなる第1、第2の導電膜11、12(図4参照)を形成する。
Next, in the sealing material forming step of step S4 in FIG. 2, the
次に、図2のステップS6の熱処理工程において、図4に示すように、液晶表示素子形成用構成体10の第1のガラス基板1の外面に形成された第1の導電膜11を冷却装置13のステージ14の上面に当接させて配置する。冷却装置13は、一例として、熱伝導性の良い銅などの金属からなるステージ14の下面に圧縮空気を吹き付け、ステージ14を介してその上面に配置されたものを冷却するようになっている。
Next, in the heat treatment step of step S6 in FIG. 2, as shown in FIG. 4, the first
次に、第2の導電膜12の上面両端部に棒状の電極15、16を配置し、これらの電極15、16間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第2の導電膜12を発熱させ、第2のガラス基板2の外面側を当該第2のガラス基板2の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第2のガラス基板2の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合、第1のガラス基板1の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第1のガラス基板1の外面側を第1の導電膜11を介して冷却装置13によって冷却する。
Next, rod-
次に、図5に示すように、液晶表示素子形成用構成体10の第2のガラス基板2の外面に形成された第2の導電膜12を冷却装置13のステージ14の上面に当接させて配置する。次に、第1の導電膜11の上面両端部に棒状の電極15、16を配置し、これらの電極15、16間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第1の導電膜11を発熱させ、第1のガラス基板1の外面側を当該第1のガラス基板1の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第1のガラス基板1の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合も、第1のガラス基板1の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第2のガラス基板2の外面側を第2の導電膜12を介して冷却装置13によって冷却する。
Next, as shown in FIG. 5, the second
次に、図2のステップS7の導電膜除去工程において、第1、第2の導電膜11、12をエッチングして除去する。次に、図2のステップS8のエッチング工程において、液晶表示素子形成用構成体10をエッチング槽(図示せず)内のエッチング液中に浸漬する。すると、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2がエッチングされ、その厚さが徐々に薄くなる。そして、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2の厚さが約0.3mmとなったら、液晶表示素子形成用構成体10をエッチング槽内のエッチング液中から取り出し、エッチングを終了する。
Next, in the conductive film removing step of step S7 in FIG. 2, the first and second
この場合、図2のステップS6の熱処理工程において、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理して除冷することにより、第1、第2のガラス基板1、2の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減されているので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。
In this case, the outer surfaces of the first and
次に、図2のステップS9の切断工程において、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2を、ガラスカッターなどの切断手段によって封止材9を取り除くように切断した後に、封止材9が取り除かれた第1、第2のガラス基板1、2を切断して個片化する。次に、図2のステップS10の液晶注入工程において、図1(A)、(B)に示すように、単素子シール材3の内側における両ガラス基板1、2間に液晶4を単素子シール材3の液晶注入口5を介して注入する。次に、図2のステップS11の液晶注入口封止工程において、液晶注入口5を封止材6で封止すると、図1(A)、(B)に示す液晶表示素子が得られる。この液晶表示素子に偏光板(図示せず)を貼り付け、更に、上述の第1のガラス基板1におけるの第2のガラス基板2から突出した一辺部に駆動回路(図示せず)を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。
Next, in the cutting process of step S9 in FIG. 2, the sealing
なお、以上の説明では、液晶表示素子形成用構成体10の状態で、すなわち、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせた状態で熱処理する場合について説明したが、これに限らず、単体の第1、第2のガラス基板1、2に対して熱処理するようにしてもよい。
In the above description, the liquid crystal display
すなわち、まず、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられた第1のガラス基板1の他面に第1の導電膜11を形成し、第1の導電膜11を発熱させて第1のガラス基板1の他面側を熱処理し、除冷し、第1の導電膜11を除去する。また、一面側に共通電極が設けられた第2のガラス基板2の他面に第2の導電膜12を形成し、第2の導電膜12を発熱させて第2のガラス基板12他面側を熱処理し、除冷し、第2の導電膜12を除去する。この後、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体10を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。
That is, first, the first
この場合、第1のガラス基板1については、単体の状態で熱処理するとき、薄膜トランジスタの加熱による劣化または破壊を考慮する必要があるため、冷却装置13を用いる。一方、第2のガラス基板2については、単体の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置13を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。
In this case, when the
また、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられていない単なる第1のガラス基板1および一面側に共通電極が設けられていない単なる第2のガラス基板2の状態で熱処理するようにしてもよい。すなわち、まず、単なる第1、第2のガラス基板1、2の他面に第1、第2の導電膜11、12を形成し、第1、第2の導電膜11、12を発熱させて第1、第2のガラス基板1、2の他面側を熱処理し、除冷し、第1、第2の導電膜11、12を除去する。この後、第1のガラス基板1の一面側に画素電極および薄膜トランジスタを形成し、且つ、第2のガラス基板2の一面側に共通電極を形成し、次いで第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体10を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。
Alternatively, the heat treatment may be performed in a state of a mere
この場合、単なる第1、第2のガラス基板1、2の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置13を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。
In this case, since the heat treatment is simply performed in the state of the first and
また、単なる第1のガラス基板1の場合には、第1のガラス基板1の一面および他面に導電膜を形成し、これらの導電膜を発熱させて第1のガラス基板1の一面側および他面側を熱処理し、除冷し、他面側の導電膜を除去し、この一面側の導電膜を引き続きパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。この場合、一面側の導電膜も除去し、第1のガラス基板1の一面に新たに形成した電極形成用導電膜をパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。何れの場合も、第1のガラス基板1の両面を熱処理することができ、従って、両外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。更に、上述の実施形態と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。
Further, in the case of the mere
なお、上記説明では、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なう前に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理する場合について説明したが、これに限らず、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理するようにしてもよい。
In the above description, the outer surfaces of the first and
すなわち、まず、図3に示す液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。次に、第1、第2のガラス基板1、2の外面に第1、第2の導電膜を形成し、第1、第2の導電膜を発熱させて第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理し、次いで第1、第2の導電膜に圧縮空気を吹き付けて第1、第2のガラス基板1、2の外面側を急冷し、これにより第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化し、この後第1、第2の導電膜を除去する。
That is, first, the first and
このように、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理して急冷して、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化しているので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。この場合、冷却装置13は用いる方が好ましい。
Thus, after performing the etching for reducing the thickness of the first and
ところで、導電膜の発熱は、直接抵抗加熱方式に限らず、直接誘導加熱方式であってもよい。すなわち、平面方形状の導電膜の平面形状に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用い、または導電膜の一辺部に対応する短冊形状で平面角渦巻き形状のコイルを用いて一方向に走査し、あるいは導電膜の一部に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用いてXY方向に走査し、コイルに高周波電流を流したときに生じる磁界によりコイル下の導電膜に生じた誘導電流により、導電膜を発熱させるようにしてもよい。 By the way, the heat generation of the conductive film is not limited to the direct resistance heating method, but may be a direct induction heating method. That is, scan in one direction using a planar angular spiral coil corresponding to the planar shape of the planar rectangular conductive film, or using a rectangular prismatic coil corresponding to one side of the conductive film, Alternatively, the conductive film is formed by an induced current generated in the conductive film under the coil by a magnetic field generated when a high-frequency current is passed through the coil by scanning in the X and Y directions using a plane angle spiral coil corresponding to a part of the conductive film. May be caused to generate heat.
この場合、導電膜を均一に加熱するようにしてもよく、また鋼の表面焼入れのように導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱するようにしてもよい。導電膜を均一に加熱する場合には、冷却装置13を用いた方が好ましいが、導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱する場合には、瞬間的な加熱であるので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊しないならば、冷却装置13は用いなくてもよい。
In this case, the conductive film may be heated uniformly, or only the surface side of the conductive film may be instantaneously heated like steel surface hardening. In the case where the conductive film is uniformly heated, it is preferable to use the
ここで、図2のステップS8のエッチング工程後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面に別の第1、第2の導電膜を形成し、別の第1、第2の導電膜を発熱させることにより、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を再度熱処理し、次いで急冷し、次いで別の第1、第2の導電膜を除去するようにしてもよい。このようにした場合には、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化することができるので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。
Here, after the etching process of step S8 in FIG. 2, different first and second conductive films are formed on the outer surfaces of the first and
1 第1のガラス基板
2 第2のガラス基板
3 単素子シール材
4 液晶
5 液晶注入口
6 封止材
7 外周シール材
8 空気逃げ口
9 封止材
10 液晶表示素子形成用構成体
11 第1の導電膜
12 第2の導電膜
13 冷却装置
14 ステージ
15、16 電極
DESCRIPTION OF
Claims (14)
更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。 In the invention according to claim 1 or 2,
Furthermore, the method of thinning a glass substrate characterized by including the process of forming an electrode element and an active element in the back surface of the said glass substrate.
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。 In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate, wherein the heat treatment step includes performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than a strain point of the glass substrate.
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。 In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate is characterized in that the step of performing the heat treatment is a heat treatment at a temperature that is greater than or equal to a strain point of the glass substrate and less than a transition point.
前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。 In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate, wherein the heat treatment step is performed by a direct resistance heating method or a direct induction heating method.
前記2枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、
前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 In the invention according to any one of claims 8 to 10,
The step of bonding the two glass substrates is performed before the heat treatment step,
The method of manufacturing a liquid crystal display element, wherein the heat treatment step is performed while cooling the another glass substrate.
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01192735A (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Production of electrically conductive glass |
JPH01249634A (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Conductive glass and production thereof |
JPH02201887A (en) * | 1988-12-27 | 1990-08-10 | Ppg Ind Inc | Transpernent body capable of electric heating and its manufacture and manufacture of windproof glass capable of electric heating |
JPH07146470A (en) * | 1993-09-20 | 1995-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Heat treatment method |
JP2000214476A (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nippon Seiki Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2004131314A (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | Chemically strengthened glass substrate with transparent conductive film and its manufacturing process |
JP2005258005A (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Manufacturing method of liquid crystal display panel and manufacturing apparatus of liquid crystal display panel |
-
2006
- 2006-09-26 JP JP2006260348A patent/JP2008083154A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01192735A (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Production of electrically conductive glass |
JPH01249634A (en) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Conductive glass and production thereof |
JPH02201887A (en) * | 1988-12-27 | 1990-08-10 | Ppg Ind Inc | Transpernent body capable of electric heating and its manufacture and manufacture of windproof glass capable of electric heating |
JPH07146470A (en) * | 1993-09-20 | 1995-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Heat treatment method |
JP2000214476A (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nippon Seiki Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2004131314A (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | Chemically strengthened glass substrate with transparent conductive film and its manufacturing process |
JP2005258005A (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Manufacturing method of liquid crystal display panel and manufacturing apparatus of liquid crystal display panel |
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