JP2008083154A - Method for thinning glass substrate, manufacturing method of liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

Method for thinning glass substrate, manufacturing method of liquid crystal display element and manufacturing method of liquid crystal display device Download PDF

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州彦 糟谷
Tadahiro Nomura
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for thinning glass substrate capable of avoiding or reducing the occurrence of etching abnormality when thinning the thicknesses of glass substrates by etching the two sheets of glass substrates stuck to each other in a liquid crystal display element. <P>SOLUTION: Before performing etching for thinning the thicknesses of the first and second glass substrates 1, 2 stuck to each other, first and second conductive films 11, 12 formed on outer surfaces of the first and second glass substrates 1, 2 are made to develop heat and, thereafter, are annealed. Thereby, fine flaw or residual stress on the outer surfaces of the first and second glass substrates 1, 2 are removed or reduced. Therefore, when the thicknesses of the first and second glass substrates stuck to each other are thinned by etching the first and second glass substrates after the annealing, the occurrence of the etching abnormality can be avoided or reduced. Further, the outer surface sides of the glass substrates are heat-treated and the glass substrates are quenched after the etching for thinning the thicknesses of the first and second glass substrates 1, 2 stuck to each other, the outer surface sides of the glass substrates 1, 2 are tempered and the strength of the glass substrates can be enhanced. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明はガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a method for manufacturing a liquid crystal display device.

従来の液晶表示素子の製造方法には、完成された液晶表示素子を複数個形成することが可能な面積を有する2枚のガラス基板を、その間の各液晶表示素子形成領域に対応する部分に設けられた複数の単素子シール材およびその間の外周部に設けられた外周シール材を介して貼り合わせ、この状態でエッチング槽内のエッチング液に浸漬して2枚のガラス基板をエッチングし、これにより2枚のガラス基板の厚さを薄くするようにした方法がある(例えば、特許文献1参照)。   In a conventional method for manufacturing a liquid crystal display element, two glass substrates having an area capable of forming a plurality of completed liquid crystal display elements are provided in a portion corresponding to each liquid crystal display element formation region therebetween. The two single-element sealing materials and the outer peripheral sealing material provided between the outer peripheral sealing members are bonded together, and in this state, the two glass substrates are etched by being immersed in an etching solution in an etching tank. There is a method in which the thickness of two glass substrates is reduced (see, for example, Patent Document 1).

なお、この液晶表示素子の2枚のガラス基板間に液晶を注入して、更に、偏光板を貼り付け、一方のガラス基板上の駆動回路搭載領域に駆動回路を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。また、この液晶表示素子が備える2枚の基板のうち一方の基板における他方の基板に対向する面には、走査信号線、データ信号線、薄膜トランジスタ、画素電極、配向膜などが形成され、他方の基板における一方の基板に対向する面には、カラーフィルタ、共通電極、配向膜などが形成され、シール材によって2枚の基板が貼り合わされるとともに、これらの基板間に液晶が封止された構造を備えている。   In addition, liquid crystal is injected between two glass substrates of this liquid crystal display element, a polarizing plate is further attached, and a driving circuit is mounted on a driving circuit mounting region on one glass substrate, thereby providing a liquid crystal display device. Is completed. Further, a scanning signal line, a data signal line, a thin film transistor, a pixel electrode, an alignment film, and the like are formed on the surface of one of the two substrates included in the liquid crystal display element that faces the other substrate. A structure in which a color filter, a common electrode, an alignment film, and the like are formed on a surface of the substrate facing one substrate, two substrates are bonded together with a sealing material, and a liquid crystal is sealed between these substrates It has.

特開平4−116619号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-116619

ところで、ガラス基板の表面には機械研磨などによる微小な傷や残留応力が存在することがある。このようなガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、比較的大きなエッチピットが形成されるなどのエッチング異常が発生することがある。また、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くすると、当然のことながら、強度が低下する。   By the way, the surface of the glass substrate may have minute scratches or residual stress due to mechanical polishing or the like. When such a glass substrate is etched to reduce its thickness, etching abnormalities such as formation of relatively large etch pits may occur. Further, when the glass substrate is etched to reduce its thickness, the strength is naturally reduced.

そこで、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、ガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるガラス基板を薄くする方法、液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention provides a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a liquid crystal display device that can avoid or reduce the occurrence of abnormal etching when the thickness is reduced by etching the glass substrate. An object is to provide a manufacturing method.
The present invention also provides a method for thinning a glass substrate, a method for manufacturing a liquid crystal display element, and a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can increase the strength even if the glass substrate is etched to reduce its thickness. The purpose is to do.

上記目的を達成するため、請求項1に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするものである。   In order to achieve the above object, the method of thinning a glass substrate according to claim 1 includes a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and then heating the conductive film to heat the surface side of the glass substrate. The method includes a step of heat treatment, a step of cooling the glass substrate, a step of removing the conductive film, and a step of etching the surface side of the glass substrate.

請求項2に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of thinning a glass substrate according to claim 2 includes a step of etching a surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and then heating the conductive film to generate heat. The method includes a step of heat-treating the surface side of the glass substrate, a step of quenching the glass substrate, and a step of removing the conductive film.

請求項3に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1または2に記載の発明において、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするものである。   The method for thinning a glass substrate according to claim 3 further comprises a step of forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate in the invention according to claim 1 or 2. It is.

請求項4に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of thinning the glass substrate according to claim 4 includes the step of etching the surface side of the glass substrate, the step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and then heating the conductive film to generate heat. A step of heat-treating the surface side of the glass substrate, a step of quenching the glass substrate, and a step of patterning the conductive film to form an electrode element and an active element. .

請求項5に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするものである。   The method of thinning the glass substrate according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat treatment step is a heat treatment at a temperature equal to or higher than a strain point of the glass substrate. It is characterized by.

請求項6に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするものである。   The method of thinning the glass substrate according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat treatment step is performed at a temperature that is not less than the strain point of the glass substrate and less than the transition point. It is characterized by heat treatment with.

請求項7に記載のガラス基板を薄くする方法は、請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするものである。   The method for thinning a glass substrate according to claim 7 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the heat treatment is performed by a direct resistance heating method or a direct induction heating method. It is what.

請求項8に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of thinning the glass substrate according to claim 8 includes a step of forming a conductive film on a surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface of the glass substrate by heating the conductive film, A step of removing the glass substrate, a step of removing the conductive film, and a step of etching the front side of the glass substrate, and further forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate. And a step of bonding the glass substrate to another glass substrate via a sealing material.

請求項9に記載のガラス基板を薄くする方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of thinning the glass substrate according to claim 9 includes a step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and then heating the conductive film to generate heat. A step of heat-treating the front side of the glass substrate, a step of rapidly cooling the glass substrate, and a step of removing the conductive film, and further forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate And a step of bonding the glass substrate to another glass substrate through a sealing material.

請求項10に記載の液晶表示素子の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、を含み、更に、前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method for producing a liquid crystal display element according to claim 10, wherein the step of etching the surface side of the glass substrate, the step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and the heat generation of the conductive film are then performed. A step of heat-treating the surface side of the glass substrate, and then a step of rapidly cooling the glass substrate, and further, the step of patterning the conductive film to form an electrode element and an active element; And a step of bonding through a glass substrate and a sealing material.

請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法は、請求項8〜10の何れか一項に記載の発明において、前記2枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とするものである。   The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 11 is the invention according to any one of claims 8 to 10, wherein the step of bonding the two glass substrates is performed before the step of heat treatment. The heat treatment step is performed while cooling the other glass substrate.

請求項12に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 12, wherein the step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, the step of heat-treating the surface of the glass substrate by causing the conductive film to generate heat, A step of removing the glass substrate, a step of removing the conductive film, and a step of etching the front side of the glass substrate, and further forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate. And a step of bonding the glass substrate to another glass substrate through a sealing material, and then cutting the glass substrate into each element to form a liquid crystal display element, and then the liquid crystal display A step of attaching a polarizing plate to the element and mounting a driving device for driving the active element, and a step of injecting a liquid crystal between the two glass substrates. It is an feature.

請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 13 includes a step of forming a conductive film on a surface of a glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, A step of removing the glass substrate, a step of removing the conductive film, and a step of etching the front side of the glass substrate, and further forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate. And a step of bonding the glass substrate to another glass substrate through a sealing material, and then cutting the glass substrate into each element to form a liquid crystal display element, and then the liquid crystal display A step of attaching a polarizing plate to the element and mounting a driving device for driving the active element, and a step of injecting a liquid crystal between the two glass substrates. It is an feature.

請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とするものである。   The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 14, wherein the step of etching the surface side of the glass substrate, the step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, and the heating of the conductive film are then performed. A step of heat-treating the surface side of the glass substrate, a step of quenching the glass substrate, and a step of patterning the conductive film to form an electrode element and an active element. A step of bonding the glass substrate and a sealing material through a sealing material, and then cutting the glass substrate into each element to form a liquid crystal display element, and then attaching a polarizing plate to the liquid crystal display element and And a step of mounting a driving device for driving an active element and a step of injecting liquid crystal between the two glass substrates.

請求項1、8、12の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング前に、ガラス基板の表面側を熱処理して除冷すると、ガラス基板の表面の微小な傷や残留応力が除去または低減され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。
請求項2、9、13の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、ガラス基板の表面側を熱処理して急冷すると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。
請求項4、10、14の何れか一項に記載の発明によれば、ガラス基板の厚さを薄くするためのエッチング後に、次いでガラス基板の表面側に導電膜を形成して、ガラス基板の表面側を熱処理してガラス基板を急冷し、この導電膜をパターニングすると、ガラス基板の外面側が強化ガラス化され、したがってガラス基板をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができるとともに、上記の各発明と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。
According to the invention described in any one of claims 1, 8, and 12, before the etching for reducing the thickness of the glass substrate, when the surface side of the glass substrate is heat-treated and cooled, Small scratches and residual stress on the surface are removed or reduced, and therefore, when the glass substrate is etched to reduce its thickness, the occurrence of etching abnormalities can be avoided or reduced.
According to the invention of any one of claims 2, 9, and 13, after the etching for reducing the thickness of the glass substrate, when the surface side of the glass substrate is heat-treated and rapidly cooled, the outer surface side of the glass substrate becomes Even if the glass substrate is etched to reduce its thickness, the strength can be increased.
According to the invention described in any one of claims 4, 10, and 14, after the etching for reducing the thickness of the glass substrate, a conductive film is then formed on the surface side of the glass substrate, When the glass substrate is quenched by heat-treating the surface side and this conductive film is patterned, the outer surface side of the glass substrate is tempered glass, so that even if the glass substrate is etched to reduce its thickness, its strength is increased. In addition, the electrode element and the active element can be formed without increasing the number of manufacturing steps as compared with the above-described inventions.

図1(A)はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された液晶表示素子の一例の平面図を示し、図1(B)は図1(A)のB−B線に沿う断面図を示す。この液晶表示素子では、第1、第2のガラス基板1、2がほぼ方形枠状の単素子シール材3を介して貼り合わされ、単素子シール材3の内側における両ガラス基板1、2間に液晶4が単素子シール材3に形成された液晶注入口5を介して封入され、液晶注入口5が封止材6で封止された構造となっている。   FIG. 1A shows a plan view of an example of a liquid crystal display device manufactured by a manufacturing method as one embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross section taken along line BB in FIG. The figure is shown. In this liquid crystal display element, the first and second glass substrates 1 and 2 are bonded together via a substantially rectangular frame-shaped single element sealing material 3, and between the glass substrates 1 and 2 inside the single element sealing material 3. The liquid crystal 4 is sealed through a liquid crystal inlet 5 formed in the single element sealing material 3, and the liquid crystal inlet 5 is sealed with a sealing material 6.

ここで、この液晶表示素子を備える液晶表示装置はアクティブマトリクス型であり、図示していないが、下側の第1のガラス基板1の上面側(内面側)には複数の画素電極(電極素子)および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタ(能動素子)がマトリクス状に設けられ、上側の第2のガラス基板2の下面側(内面側)には共通電極(電極素子)が設けられている。この場合、第1のガラス基板1の一辺部は第2のガラス基板2から突出されている。第1、第2のガラス基板1、2の厚さは例えば約0.3mmと比較的薄くなっている。なお、上述の駆動回路はこの突出された領域に搭載される。   Here, the liquid crystal display device including the liquid crystal display element is an active matrix type, and although not shown, a plurality of pixel electrodes (electrode elements) are provided on the upper surface side (inner surface side) of the lower first glass substrate 1. ) And a plurality of thin film transistors (active elements) connected to the pixel electrodes are provided in a matrix, and a common electrode (electrode element) is provided on the lower surface side (inner surface side) of the upper second glass substrate 2. Yes. In this case, one side of the first glass substrate 1 protrudes from the second glass substrate 2. The thicknesses of the first and second glass substrates 1 and 2 are relatively thin, for example, about 0.3 mm. Note that the drive circuit described above is mounted in this protruding region.

次に、この液晶表示素子の製造方法の一例について、図2に示す製造工程図を参照して説明する。まず、図2のステップS1において、図3に示すように、完成された液晶表示素子を複数個(例えば、4×4=16個)形成することが可能な面積を有する第1、第2のガラス基板1、2を用意する。   Next, an example of a manufacturing method of the liquid crystal display element will be described with reference to a manufacturing process diagram shown in FIG. First, in step S1 of FIG. 2, as shown in FIG. 3, the first and second areas have areas where a plurality of completed liquid crystal display elements (for example, 4 × 4 = 16) can be formed. Glass substrates 1 and 2 are prepared.

この場合、図示していないが、下側の第1のガラス基板1の上面側(内面側)の各液晶表示素子形成領域には複数の画素電極および該画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタがマトリクス状に設けられている。下側の第1のガラス基板1の下面側(内面側)の各液晶表示素子形成領域には共通電極が設けられている。第1、第2のガラス基板1、2の厚さは例えば約0.5mmと比較的厚くなっている。   In this case, although not shown, a plurality of pixel electrodes and a plurality of thin film transistors connected to the pixel electrodes are provided in each liquid crystal display element formation region on the upper surface side (inner surface side) of the lower first glass substrate 1. It is provided in a matrix. A common electrode is provided in each liquid crystal display element formation region on the lower surface side (inner surface side) of the lower first glass substrate 1. The thickness of the 1st, 2nd glass substrates 1 and 2 is comparatively thick with about 0.5 mm, for example.

次に、図2のステップS2のシール材形成工程において、第1のガラス基板1の上面の各液晶表示素子形成領域に、スクリーン印刷法により、エポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の単素子シール材3を形成し、同時に、第1のガラス基板1の上面外周部に同じくエポキシ系樹脂などからなるほぼ方形枠状の外周シール材7を形成する。この場合、単素子シール材3の1箇所には液晶注入口5が形成され、外周シール材7の4箇所には空気逃げ口8が形成されている。   Next, in the sealing material forming step of step S2 in FIG. 2, a substantially rectangular frame-shaped single element made of epoxy resin or the like is formed on each liquid crystal display element forming region on the upper surface of the first glass substrate 1 by screen printing. The sealing material 3 is formed, and at the same time, a substantially rectangular frame-shaped outer peripheral sealing material 7 made of an epoxy resin or the like is formed on the outer peripheral portion of the first glass substrate 1. In this case, a liquid crystal inlet 5 is formed at one location of the single element sealing material 3, and an air escape port 8 is formed at four locations of the outer peripheral sealing material 7.

次に、図2のステップS3の貼り合わせ工程において、第1のガラス基板1上に形成された単素子シール材3および外周シール材7の上に第2のガラス基板2を重ね合わせ、次いで単素子シール材3および外周シール材7を加熱して硬化させることにより、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせる。このとき、外周シール材7の内側における両ガラス基板1、2間に存在する空気が熱膨張するが、この熱膨張した空気の一部が外周シール材7の空気逃げ口8を介して外部に放出され、外周シール材7の破壊が防止される。   Next, in the bonding process of step S3 in FIG. 2, the second glass substrate 2 is overlaid on the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7 formed on the first glass substrate 1, and then the single glass sealing material is formed. By heating and hardening the element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7, the first and second glass substrates 1 and 2 are bonded together via the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7. At this time, air existing between the glass substrates 1 and 2 inside the outer peripheral sealing material 7 is thermally expanded. A part of the thermally expanded air is exposed to the outside through the air escape port 8 of the outer peripheral sealing material 7. The outer peripheral sealing material 7 is prevented from being broken.

次に、図2のステップS4の封止材形成工程において、外周シール材7の空気逃げ口8を紫外線硬化型のエポキシ変性アクリル系樹脂などからなる封止材9で封止する。ここで、図2のステップS4の封止材形成工程を終えた状態における図3に示すものを、以下、液晶表示素子形成用構成体10という。次に、図2のステップS5の導電膜形成工程において、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2の外面に、蒸着法などにより、アルミニウム、銅などからなる第1、第2の導電膜11、12(図4参照)を形成する。   Next, in the sealing material forming step of step S4 in FIG. 2, the air escape port 8 of the outer peripheral sealing material 7 is sealed with a sealing material 9 made of an ultraviolet curable epoxy-modified acrylic resin or the like. Here, what is shown in FIG. 3 in the state where the sealing material forming step of Step S4 in FIG. 2 is completed is hereinafter referred to as a liquid crystal display element forming structure 10. Next, in the conductive film forming step of step S5 in FIG. 2, the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 are made of aluminum, copper, or the like by vapor deposition or the like. First and second conductive films 11 and 12 (see FIG. 4) are formed.

次に、図2のステップS6の熱処理工程において、図4に示すように、液晶表示素子形成用構成体10の第1のガラス基板1の外面に形成された第1の導電膜11を冷却装置13のステージ14の上面に当接させて配置する。冷却装置13は、一例として、熱伝導性の良い銅などの金属からなるステージ14の下面に圧縮空気を吹き付け、ステージ14を介してその上面に配置されたものを冷却するようになっている。   Next, in the heat treatment step of step S6 in FIG. 2, as shown in FIG. 4, the first conductive film 11 formed on the outer surface of the first glass substrate 1 of the liquid crystal display element forming structure 10 is cooled by a cooling device. 13 are placed in contact with the upper surface of the stage 14. As an example, the cooling device 13 blows compressed air to the lower surface of the stage 14 made of a metal such as copper having good thermal conductivity, and cools the one disposed on the upper surface via the stage 14.

次に、第2の導電膜12の上面両端部に棒状の電極15、16を配置し、これらの電極15、16間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第2の導電膜12を発熱させ、第2のガラス基板2の外面側を当該第2のガラス基板2の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第2のガラス基板2の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合、第1のガラス基板1の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第1のガラス基板1の外面側を第1の導電膜11を介して冷却装置13によって冷却する。   Next, rod-like electrodes 15 and 16 are disposed at both ends of the upper surface of the second conductive film 12, and a second conductive film is formed by flowing a current between these electrodes 15 and 16, that is, by a direct resistance heating method. 12 is heated, and the outer surface side of the second glass substrate 2 is heated to a temperature not less than the strain point of the second glass substrate 2 and less than the transition point, and then cooled down, whereby the second glass substrate 2 Minor scratches and residual stresses on the outer surface are removed or reduced. In this case, in order to prevent the thin film transistor, the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7 provided on the inner surface side of the first glass substrate 1 from being deteriorated or destroyed by heating, the outer surface side of the first glass substrate 1 is used. Is cooled by the cooling device 13 through the first conductive film 11.

次に、図5に示すように、液晶表示素子形成用構成体10の第2のガラス基板2の外面に形成された第2の導電膜12を冷却装置13のステージ14の上面に当接させて配置する。次に、第1の導電膜11の上面両端部に棒状の電極15、16を配置し、これらの電極15、16間に電流を流すことにより、すなわち直接抵抗加熱方式により、第1の導電膜11を発熱させ、第1のガラス基板1の外面側を当該第1のガラス基板1の歪点以上で転移点未満の温度となるように加熱し、次いで除冷すると、第1のガラス基板1の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。この場合も、第1のガラス基板1の内面側に設けられた薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊するのを防止するため、第2のガラス基板2の外面側を第2の導電膜12を介して冷却装置13によって冷却する。   Next, as shown in FIG. 5, the second conductive film 12 formed on the outer surface of the second glass substrate 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 is brought into contact with the upper surface of the stage 14 of the cooling device 13. Arrange. Next, rod-shaped electrodes 15 and 16 are disposed on both ends of the upper surface of the first conductive film 11, and a current is passed between the electrodes 15 and 16, that is, by a direct resistance heating method, the first conductive film. 11 is heated, and the outer surface side of the first glass substrate 1 is heated to a temperature higher than the strain point of the first glass substrate 1 and lower than the transition point, and then cooled down to remove the first glass substrate 1. Minor scratches and residual stresses on the outer surface are removed or reduced. Also in this case, the outer surface of the second glass substrate 2 is used to prevent the thin film transistor, the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7 provided on the inner surface side of the first glass substrate 1 from being deteriorated or destroyed by heating. The side is cooled by the cooling device 13 through the second conductive film 12.

次に、図2のステップS7の導電膜除去工程において、第1、第2の導電膜11、12をエッチングして除去する。次に、図2のステップS8のエッチング工程において、液晶表示素子形成用構成体10をエッチング槽(図示せず)内のエッチング液中に浸漬する。すると、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2がエッチングされ、その厚さが徐々に薄くなる。そして、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2の厚さが約0.3mmとなったら、液晶表示素子形成用構成体10をエッチング槽内のエッチング液中から取り出し、エッチングを終了する。   Next, in the conductive film removing step of step S7 in FIG. 2, the first and second conductive films 11 and 12 are removed by etching. Next, in the etching process of step S8 of FIG. 2, the liquid crystal display element forming structure 10 is immersed in an etching solution in an etching tank (not shown). Then, the first and second glass substrates 1 and 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 are etched, and the thickness gradually decreases. When the thickness of the first and second glass substrates 1 and 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 is about 0.3 mm, the liquid crystal display element forming structure 10 is placed in the etching solution in the etching tank. To finish etching.

この場合、図2のステップS6の熱処理工程において、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理して除冷することにより、第1、第2のガラス基板1、2の外面の微小な傷や残留応力が除去または低減されているので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くするとき、エッチング異常の発生を回避または低減することができる。   In this case, the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 are removed by cooling the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 in the heat treatment step of step S6 in FIG. Therefore, when the first and second glass substrates 1 and 2 are etched to reduce their thickness, the occurrence of etching abnormality can be avoided or reduced. it can.

次に、図2のステップS9の切断工程において、液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2を、ガラスカッターなどの切断手段によって封止材9を取り除くように切断した後に、封止材9が取り除かれた第1、第2のガラス基板1、2を切断して個片化する。次に、図2のステップS10の液晶注入工程において、図1(A)、(B)に示すように、単素子シール材3の内側における両ガラス基板1、2間に液晶4を単素子シール材3の液晶注入口5を介して注入する。次に、図2のステップS11の液晶注入口封止工程において、液晶注入口5を封止材6で封止すると、図1(A)、(B)に示す液晶表示素子が得られる。この液晶表示素子に偏光板(図示せず)を貼り付け、更に、上述の第1のガラス基板1におけるの第2のガラス基板2から突出した一辺部に駆動回路(図示せず)を搭載することにより、液晶表示装置が完成される。   Next, in the cutting process of step S9 in FIG. 2, the sealing material 9 is removed from the first and second glass substrates 1 and 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 by a cutting means such as a glass cutter. After cutting, the first and second glass substrates 1 and 2 from which the sealing material 9 has been removed are cut into individual pieces. Next, in the liquid crystal injection process in step S10 of FIG. 2, the liquid crystal 4 is sealed between the glass substrates 1 and 2 inside the single element sealing material 3 as shown in FIGS. Injection is performed through the liquid crystal injection port 5 of the material 3. Next, in the liquid crystal injection port sealing step of step S11 in FIG. 2, when the liquid crystal injection port 5 is sealed with the sealing material 6, the liquid crystal display elements shown in FIGS. 1A and 1B are obtained. A polarizing plate (not shown) is attached to the liquid crystal display element, and a driving circuit (not shown) is mounted on one side of the first glass substrate 1 protruding from the second glass substrate 2. Thus, the liquid crystal display device is completed.

なお、以上の説明では、液晶表示素子形成用構成体10の状態で、すなわち、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせた状態で熱処理する場合について説明したが、これに限らず、単体の第1、第2のガラス基板1、2に対して熱処理するようにしてもよい。   In the above description, the liquid crystal display element forming structure 10 is in a state in which the first and second glass substrates 1 and 2 are bonded together via the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7. However, the present invention is not limited to this, and the single first and second glass substrates 1 and 2 may be heat-treated.

すなわち、まず、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられた第1のガラス基板1の他面に第1の導電膜11を形成し、第1の導電膜11を発熱させて第1のガラス基板1の他面側を熱処理し、除冷し、第1の導電膜11を除去する。また、一面側に共通電極が設けられた第2のガラス基板2の他面に第2の導電膜12を形成し、第2の導電膜12を発熱させて第2のガラス基板12他面側を熱処理し、除冷し、第2の導電膜12を除去する。この後、第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体10を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。   That is, first, the first conductive film 11 is formed on the other surface of the first glass substrate 1 provided with the pixel electrode and the thin film transistor on one surface side, and the first conductive film 11 is heated to generate the first glass substrate. The other side of the first surface is heat-treated, cooled, and the first conductive film 11 is removed. Also, the second conductive film 12 is formed on the other surface of the second glass substrate 2 on which the common electrode is provided on the one surface side, and the second conductive film 12 is heated to generate the second glass substrate 12 on the other surface side. Is subjected to heat treatment, and then cooled, and the second conductive film 12 is removed. Thereafter, the first and second glass substrates 1 and 2 are bonded together via the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7 to form the liquid crystal display element forming structure 10, and then the liquid crystal display element forming structure The first and second glass substrates 1 and 2 of the body 10 are etched to reduce their thickness.

この場合、第1のガラス基板1については、単体の状態で熱処理するとき、薄膜トランジスタの加熱による劣化または破壊を考慮する必要があるため、冷却装置13を用いる。一方、第2のガラス基板2については、単体の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置13を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。   In this case, when the first glass substrate 1 is heat-treated in a single state, it is necessary to consider deterioration or destruction due to heating of the thin film transistor, so the cooling device 13 is used. On the other hand, since the second glass substrate 2 is heat-treated in a single state, there is no need to consider deterioration or destruction due to heating of the thin film transistor, the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7. It is not necessary to use it, and the temperature control during the heat treatment can be roughly performed.

また、一面側に画素電極および薄膜トランジスタが設けられていない単なる第1のガラス基板1および一面側に共通電極が設けられていない単なる第2のガラス基板2の状態で熱処理するようにしてもよい。すなわち、まず、単なる第1、第2のガラス基板1、2の他面に第1、第2の導電膜11、12を形成し、第1、第2の導電膜11、12を発熱させて第1、第2のガラス基板1、2の他面側を熱処理し、除冷し、第1、第2の導電膜11、12を除去する。この後、第1のガラス基板1の一面側に画素電極および薄膜トランジスタを形成し、且つ、第2のガラス基板2の一面側に共通電極を形成し、次いで第1、第2のガラス基板1、2を単素子シール材3および外周シール材7を介して貼り合わせて液晶表示素子形成用構成体10を形成し、次いで液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。   Alternatively, the heat treatment may be performed in a state of a mere first glass substrate 1 in which a pixel electrode and a thin film transistor are not provided on one side and a mere second glass substrate 2 in which a common electrode is not provided on the one side. That is, first, the first and second conductive films 11 and 12 are formed on the other surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2, and the first and second conductive films 11 and 12 are heated. The other surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 are heat-treated and cooled to remove the first and second conductive films 11 and 12. Thereafter, a pixel electrode and a thin film transistor are formed on one surface side of the first glass substrate 1, and a common electrode is formed on one surface side of the second glass substrate 2, and then the first and second glass substrates 1, 2 are bonded together via a single element sealing material 3 and an outer peripheral sealing material 7 to form a liquid crystal display element forming structure 10, and then the first and second glass substrates 1 of the liquid crystal display element forming structure 10, Etch 2 to reduce its thickness.

この場合、単なる第1、第2のガラス基板1、2の状態で熱処理しているので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7の加熱による劣化または破壊を考慮する必要がなく、冷却装置13を用いる必要がない上、熱処理時の温度管理をおおまかとすることができる。   In this case, since the heat treatment is simply performed in the state of the first and second glass substrates 1 and 2, there is no need to consider deterioration or destruction due to heating of the thin film transistor, the single element sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7, and cooling It is not necessary to use the apparatus 13, and the temperature control during the heat treatment can be roughly performed.

また、単なる第1のガラス基板1の場合には、第1のガラス基板1の一面および他面に導電膜を形成し、これらの導電膜を発熱させて第1のガラス基板1の一面側および他面側を熱処理し、除冷し、他面側の導電膜を除去し、この一面側の導電膜を引き続きパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。この場合、一面側の導電膜も除去し、第1のガラス基板1の一面に新たに形成した電極形成用導電膜をパターニングして薄膜トランジスタのゲート電極またはソース・ドレイン電極、並びに、ゲートラインまたはドレインラインを形成するようにしてもよい。何れの場合も、第1のガラス基板1の両面を熱処理することができ、従って、両外面の微小な傷や残留応力が除去または低減される。更に、上述の実施形態と比べて製造工程数を増加することなく、電極素子および能動素子を形成することができる。   Further, in the case of the mere first glass substrate 1, conductive films are formed on one surface and the other surface of the first glass substrate 1, and these conductive films are heated so that one surface side of the first glass substrate 1 and Heat treatment is performed on the other side, cooling is performed, the conductive film on the other side is removed, and the conductive film on the other side is subsequently patterned to form the gate electrode or source / drain electrode of the thin film transistor, and the gate line or drain line. You may make it form. In this case, the conductive film on one surface side is also removed, and a newly formed electrode forming conductive film is patterned on one surface of the first glass substrate 1 to form the gate electrode or source / drain electrode of the thin film transistor, and the gate line or drain. A line may be formed. In either case, both surfaces of the first glass substrate 1 can be heat-treated, so that minute scratches and residual stress on both outer surfaces are removed or reduced. Furthermore, the electrode element and the active element can be formed without increasing the number of manufacturing steps as compared with the above-described embodiment.

なお、上記説明では、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なう前に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理する場合について説明したが、これに限らず、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理するようにしてもよい。   In the above description, the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 are removed before performing the etching for reducing the thickness of the first and second glass substrates 1 and 2 bonded together. Although the case where it heat-processes was demonstrated, not only this but after performing the etching for making thickness of the 1st, 2nd glass substrates 1 and 2 bonded together thin, the 1st, 2nd glass substrate You may make it heat-process the outer surface side of 1 and 2.

すなわち、まず、図3に示す液晶表示素子形成用構成体10の第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くする。次に、第1、第2のガラス基板1、2の外面に第1、第2の導電膜を形成し、第1、第2の導電膜を発熱させて第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理し、次いで第1、第2の導電膜に圧縮空気を吹き付けて第1、第2のガラス基板1、2の外面側を急冷し、これにより第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化し、この後第1、第2の導電膜を除去する。   That is, first, the first and second glass substrates 1 and 2 of the liquid crystal display element forming structure 10 shown in FIG. 3 are etched to reduce their thickness. Next, first and second conductive films are formed on the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2, and the first and second conductive films are heated to generate heat. Heat treatment is performed on the outer surface side of the first and second conductive films, and then the outer surface side of the first and second glass substrates 1 and 2 is rapidly cooled to thereby cool the first and second conductive films. The outer surface side of the glass substrates 1 and 2 is tempered glass, and then the first and second conductive films are removed.

このように、互いに貼り合わされた第1、第2のガラス基板1、2の厚さを薄くするためのエッチングを行なった後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を熱処理して急冷して、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化しているので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。この場合、冷却装置13は用いる方が好ましい。   Thus, after performing the etching for reducing the thickness of the first and second glass substrates 1 and 2 bonded together, the outer surface side of the first and second glass substrates 1 and 2 is heat-treated. Since the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2 are tempered glass, the first and second glass substrates 1 and 2 are etched to reduce their thickness. , Its strength can be increased. In this case, it is preferable to use the cooling device 13.

ところで、導電膜の発熱は、直接抵抗加熱方式に限らず、直接誘導加熱方式であってもよい。すなわち、平面方形状の導電膜の平面形状に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用い、または導電膜の一辺部に対応する短冊形状で平面角渦巻き形状のコイルを用いて一方向に走査し、あるいは導電膜の一部に対応する平面角渦巻き形状のコイルを用いてXY方向に走査し、コイルに高周波電流を流したときに生じる磁界によりコイル下の導電膜に生じた誘導電流により、導電膜を発熱させるようにしてもよい。   By the way, the heat generation of the conductive film is not limited to the direct resistance heating method, but may be a direct induction heating method. That is, scan in one direction using a planar angular spiral coil corresponding to the planar shape of the planar rectangular conductive film, or using a rectangular prismatic coil corresponding to one side of the conductive film, Alternatively, the conductive film is formed by an induced current generated in the conductive film under the coil by a magnetic field generated when a high-frequency current is passed through the coil by scanning in the X and Y directions using a plane angle spiral coil corresponding to a part of the conductive film. May be caused to generate heat.

この場合、導電膜を均一に加熱するようにしてもよく、また鋼の表面焼入れのように導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱するようにしてもよい。導電膜を均一に加熱する場合には、冷却装置13を用いた方が好ましいが、導電膜の表面側だけを瞬間的に加熱する場合には、瞬間的な加熱であるので、薄膜トランジスタ、単素子シール材3および外周シール材7が加熱により劣化または破壊しないならば、冷却装置13は用いなくてもよい。   In this case, the conductive film may be heated uniformly, or only the surface side of the conductive film may be instantaneously heated like steel surface hardening. In the case where the conductive film is uniformly heated, it is preferable to use the cooling device 13. However, in the case where only the surface side of the conductive film is heated instantaneously, the heating is instantaneous. If the sealing material 3 and the outer peripheral sealing material 7 are not deteriorated or destroyed by heating, the cooling device 13 may not be used.

ここで、図2のステップS8のエッチング工程後に、第1、第2のガラス基板1、2の外面に別の第1、第2の導電膜を形成し、別の第1、第2の導電膜を発熱させることにより、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を再度熱処理し、次いで急冷し、次いで別の第1、第2の導電膜を除去するようにしてもよい。このようにした場合には、第1、第2のガラス基板1、2の外面側を強化ガラス化することができるので、第1、第2のガラス基板1、2をエッチングしてその厚さを薄くしても、その強度を高めることができる。   Here, after the etching process of step S8 in FIG. 2, different first and second conductive films are formed on the outer surfaces of the first and second glass substrates 1 and 2, and the different first and second conductive films are formed. By heating the film, the outer surface sides of the first and second glass substrates 1 and 2 may be heat-treated again, then rapidly cooled, and then the other first and second conductive films may be removed. In such a case, since the outer surface side of the first and second glass substrates 1 and 2 can be tempered glass, the thickness of the first and second glass substrates 1 and 2 is etched to obtain the thickness. Even if it is made thinner, its strength can be increased.

(A)はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された液晶表示素子の一例の平面図、(B)はそのB−B線に沿う断面図。(A) is a top view of an example of the liquid crystal display element manufactured by the manufacturing method as one Embodiment of this invention, (B) is sectional drawing which follows the BB line. 図1に示す液晶表示素子の製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the liquid crystal display element shown in FIG. 図2のステップS1〜S4を説明するために示す液晶表示素子形成用構成体の一部を切り欠いた平面図。The top view which notched some liquid crystal display element formation structural bodies shown in order to demonstrate step S1-S4 of FIG. 第2のガラス基板の外面側の熱処理を説明するために示す概略図。Schematic shown in order to demonstrate the heat processing of the outer surface side of a 2nd glass substrate. 第1のガラス基板の外面側の熱処理を説明するために示す概略図。Schematic shown in order to demonstrate the heat processing of the outer surface side of a 1st glass substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1 第1のガラス基板
2 第2のガラス基板
3 単素子シール材
4 液晶
5 液晶注入口
6 封止材
7 外周シール材
8 空気逃げ口
9 封止材
10 液晶表示素子形成用構成体
11 第1の導電膜
12 第2の導電膜
13 冷却装置
14 ステージ
15、16 電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st glass substrate 2 2nd glass substrate 3 Single element sealing material 4 Liquid crystal 5 Liquid crystal inlet 6 Sealing material 7 Perimeter sealing material 8 Air escape port 9 Sealing material 10 Structure for liquid crystal display element formation 11 1st Conductive film 12 second conductive film 13 cooling device 14 stage 15, 16 electrode

Claims (14)

ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。   Forming a conductive film on the surface of the glass substrate, then heat-treating the surface of the glass substrate by heating the conductive film, then removing the glass substrate, and then A method for thinning a glass substrate, comprising: a step of removing, and then a step of etching a surface side of the glass substrate. ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。   A step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, and then the glass A method of thinning a glass substrate, comprising: a step of rapidly cooling the substrate; and then a step of removing the conductive film. 請求項1または2に記載の発明において、
更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
In the invention according to claim 1 or 2,
Furthermore, the method of thinning a glass substrate characterized by including the process of forming an electrode element and an active element in the back surface of the said glass substrate.
ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含むことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。   A step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, and then the glass A method of thinning a glass substrate comprising: rapidly cooling the substrate; and then patterning the conductive film to form electrode elements and active elements. 請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate, wherein the heat treatment step includes performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than a strain point of the glass substrate.
請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、前記ガラス基板の歪点以上で転移点未満となる温度で熱処理することを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate is characterized in that the step of performing the heat treatment is a heat treatment at a temperature that is greater than or equal to a strain point of the glass substrate and less than a transition point.
請求項1〜4の何れか一項に記載の発明において、
前記熱処理する工程は、直接抵抗加熱方式または直接誘導加熱方式により行なうことを特徴とするガラス基板を薄くする方法。
In the invention according to any one of claims 1 to 4,
The method of thinning a glass substrate, wherein the heat treatment step is performed by a direct resistance heating method or a direct induction heating method.
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。   Forming a conductive film on the surface of the glass substrate, then heat-treating the surface of the glass substrate by heating the conductive film, then removing the glass substrate, and then And a step of etching the front side of the glass substrate, and further, forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate, and sealing the glass substrate with another glass substrate. A method of manufacturing a liquid crystal display element, comprising a step of bonding through a material. ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。   A step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, and then the glass A step of rapidly cooling the substrate, and then a step of removing the conductive film, and a step of forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate, and the glass substrate is separated from another glass substrate and a sealing material And a step of laminating them via a liquid crystal display element. ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、を含み、更に、前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。   A step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, and then the glass Quenching the substrate, patterning the conductive film to form electrode elements and active elements, and bonding the glass substrate to another glass substrate through a sealing material. A method for producing a liquid crystal display element, comprising: 請求項8〜10の何れか一項に記載の発明において、
前記2枚のガラス基板を貼り合わせる工程は、前記熱処理する工程の前に行い、
前記熱処理する工程は、前記別のガラス基板を冷却しながら行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
In the invention according to any one of claims 8 to 10,
The step of bonding the two glass substrates is performed before the heat treatment step,
The method of manufacturing a liquid crystal display element, wherein the heat treatment step is performed while cooling the another glass substrate.
ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   Forming a conductive film on the surface of the glass substrate, then heat-treating the surface of the glass substrate by heating the conductive film, then removing the glass substrate, and then And a step of etching the front side of the glass substrate, and further, forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate, and sealing the glass substrate with another glass substrate. And a step of forming a liquid crystal display element by cutting the glass substrate into each element, and then affixing a polarizing plate to the liquid crystal display element and driving the active element A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of mounting a driving device; and a step of injecting liquid crystal between the two glass substrates. ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を除冷する工程と、次いで前記導電膜を除去する工程と、次いで前記ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、を含み、更に、前記ガラス基板の裏面に電極素子および能動素子を形成する工程と、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   Forming a conductive film on the surface of the glass substrate, then heat-treating the surface of the glass substrate by heating the conductive film, then removing the glass substrate, and then And a step of etching the front side of the glass substrate, and further, forming an electrode element and an active element on the back surface of the glass substrate, and sealing the glass substrate with another glass substrate. And a step of forming a liquid crystal display element by cutting the glass substrate into each element, and then affixing a polarizing plate to the liquid crystal display element and driving the active element A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of mounting a driving device; and a step of injecting liquid crystal between the two glass substrates. ガラス基板の表面側をエッチングする工程と、次いで前記ガラス基板の表面に導電膜を形成する工程と、次いで前記導電膜を発熱させることにより前記ガラス基板の表面側を熱処理する工程と、次いで前記ガラス基板を急冷する工程と、次いで前記導電膜をパターニングして電極素子および能動素子を形成する工程と、を含み、更に、前記ガラス基板を別のガラス基板とシール材を介して貼り合わせる工程と、を含み、次いで前記ガラス基板を各素子に切断して液晶表示素子を形成する工程と、次いで前記液晶表示素子に偏光板を貼り付けるとともに前記能動素子を駆動する駆動装置を搭載する工程並びに前記2枚のガラス基板間に液晶を注入する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   A step of etching the surface side of the glass substrate, a step of forming a conductive film on the surface of the glass substrate, a step of heat-treating the surface side of the glass substrate by heating the conductive film, and then the glass A step of rapidly cooling the substrate, and then a step of patterning the conductive film to form an electrode element and an active element, and further bonding the glass substrate to another glass substrate through a sealing material; Next, a step of cutting the glass substrate into each element to form a liquid crystal display element, a step of attaching a polarizing plate to the liquid crystal display element and mounting a driving device for driving the active element, and 2 And a step of injecting liquid crystal between the glass substrates.
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