JP2008071833A - 有機無機複合材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】無機材料11及び無機材料11上に設けられた有機材料膜12を含む有機無機複合材料10において、有機材料膜12は、複数のベンゼン環13を有機材料膜12の表面に露出する膜であることを特徴とする有機無機複合材料10である。
【選択図】図1
Description
図2は、本発明の実施例1の微小角入射X線回折測定結果を示す特性図である。
無機基板は、30mm角のBドープシリコン基板表面を熱酸化して、膜厚200nmのSiO2絶縁膜を形成することにより製造される。シリコン基板を、0.05mMフェニルトリクロロシランを含むトルエン溶液に5分間浸漬させる。その後、シリコン基板を乾燥させることにより、有機材料層を作製した。
11、21 無機基板
12、22 有機材料膜
13、23 ベンゼン環
14、24 有機材料層
Claims (4)
- 無機材料及び前記無機材料上に設けられた有機材料膜を含む有機無機複合材料において、
前記有機材料膜は、複数のベンゼン環を前記有機材料膜の表面に露出する膜であることを特徴とする有機無機複合材料。 - 前記複数のベンゼン環の面間隔は、2.8Å以上3.0Å以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機無機複合材料。
- 前記有機材料膜上に有機材料層をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機無機複合材料。
- 前記無機材料は、ケイ素の酸化物を含み、且つ前記有機材料膜は、ケイ素原子及びベンゼン環を有する化合物を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機無機複合材料。
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JP2005251876A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及びこれを用いた回路装置 |
WO2005109538A2 (de) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Qimonda Ag | Ultradünne dielektrika und deren anwendung in organischen feldeffekt-transistoren |
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