JP2008060320A - Solid-state image pickup element and its manufacturing method - Google Patents

Solid-state image pickup element and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2008060320A
JP2008060320A JP2006235471A JP2006235471A JP2008060320A JP 2008060320 A JP2008060320 A JP 2008060320A JP 2006235471 A JP2006235471 A JP 2006235471A JP 2006235471 A JP2006235471 A JP 2006235471A JP 2008060320 A JP2008060320 A JP 2008060320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
solid
imaging device
state imaging
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006235471A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironori Godaiin
弘典 後醍院
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, ソニー株式会社 filed Critical Sony Corp
Priority to JP2006235471A priority Critical patent/JP2008060320A/en
Publication of JP2008060320A publication Critical patent/JP2008060320A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make improvement in photosensitivity compatible with improvement in optical characteristics by arranging an intralayer optical filter without expanding a distance between a light-receiving face of a photodiode (a photoelectric conversion part) and a microlens. <P>SOLUTION: A rear-side irradiation structure and an intralayer optical filter structure are combined with each other, so that a laminated film including an IR cut filter 210 and an intralayer lens 211 is formed on the rear side of a silicon substrate 200 while the microlens 214 is arranged on the upper face of the laminated film via a color filter 213. The IR cut filter 210 is composed by alternately laminating a plurality of SiO films and SiN films or the like. By such a structure, there is no laminated film of a multilayer wiring structure between the photodiode 201 and the microlens 214. Therefore, it is possible to achieve the improvement in sensitivity while reducing the distance between the light-receiving face of the photodiode 201 and the microlens 214. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、光電変換部を設けた半導体基板上に配線や絶縁膜等の積層膜を設けた固体撮像素子に関し、特に積層膜中に光電変換部の受光領域に対応して層内光学フィルタを配置した固体撮像素子及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a solid-state imaging device having a stacked film such as a wiring or an insulating film on a semiconductor substrate provided with a photoelectric conversion unit, in particular layers in the optical filter corresponding to the light receiving region of the photoelectric conversion unit in the laminated film It arranged solid imaging device and a manufacturing method thereof.

従来より、CMOSイメージセンサやCCDイメージセンサといった各種の固体撮像素子が提案されている。 Conventionally, various solid-state imaging device has been proposed, such as a CMOS image sensor, a CCD image sensor. 例えば、CMOSイメージセンサは、同一チップ上に、フォトダイオード(光電変換部)を含む複数の画素を2次元方向に配置して画素アレイ部を構成した撮像領域と、この撮像領域の外部に形成された周辺回路領域とを設けたものであり、共通のMOSプロセスによって作成される。 Eg, CMOS image sensor, on the same chip, and the imaging region configured in the pixel array portion by arranging a plurality of pixels including a photodiode (photoelectric conversion unit) in a two-dimensional direction, is formed on the outside of the imaging area and having thereon a peripheral circuit region, is prepared by a common MOS process.
撮像領域には、各画素毎に、受光量に応じた信号電荷を生成するフォトダイオードと、このフォトダイオードの信号電荷をFD(フローティングデフュージョン)に読み出す読み出しトランジスタ(転送ゲート)、FDの電位に応じた画素信号を生成する増幅トランジスタ、画素信号を出力する画素を選択する選択トランジスタ、FDをリセットするリセットトランジスタ等の各種画素トランジスタが設けられ、さらに、このような画素アレイ部と周辺回路領域との間で各種の信号や電源をやり取りするための配線やその他の素子が設けられている。 The imaging area, for each pixel, a photodiode for generating a signal charge according to the amount of light received, the signal charges of the photodiode FD read transistor for reading the (floating diffusion) (transfer gate), the potential of the FD amplifying transistor for generating a pixel signal corresponding selection transistor for selecting a pixel that outputs a pixel signal, various pixel reset transistor such that resets the FD is provided, furthermore, with such a pixel array section and a peripheral circuit region wiring and other elements for exchanging various signals and power is provided between the.
一方、周辺回路領域には、画素アレイ部に各種の制御パルスを供給して画素信号の読み出しを制御する駆動制御回路、読み出された画素信号に対して各種の信号処理を行う信号処理回路、駆動電源を生成する電源制御回路等が設けられている。 On the other hand, in the peripheral circuit region, the drive control circuit, a signal processing performs various kinds of signal processing on the read pixel signal circuit which controls the reading of the pixel signal and supplies various control pulses of the pixel array unit, power supply control circuit for generating a driving power source is provided.

そして、このようなCMOSイメージセンサにおいて、例えば赤外線(IR)カットフィルタ等の層内光学フィルタを設けたものが知られている(例えば特許文献1参照)。 Then, in such a CMOS image sensor, for example an infrared those in which a layer within an optical filter such as (IR) cut filter is known (e.g., see Patent Document 1).
図4はこのような従来のCMOSイメージセンサの一例を示す部分断面図である。 Figure 4 is a partial sectional view showing an example of a conventional CMOS image sensor.
図4において、シリコン基板100上には、各種の配線や絶縁膜を積層した積層膜110が配置され、その上にカラーフィルタ121及びマイクロレンズ122が配置されている。 4, on a silicon substrate 100, the laminated film 110 formed by laminating various wiring or an insulating film is disposed, the color filter 121 and a microlens 122 are disposed thereon. また、シリコン基板100の左側が撮像領域の一部を示し、右側が周辺回路領域の一部を示している。 Also, the left side of the silicon substrate 100 shows a portion of the imaging region, and the right side shows the part of the peripheral circuit region.
シリコン基板100の上層部には、素子分離部101によって分離された領域に、フォトダイオード(PD)102、FD103、各種トランジスタ(Tr)104等が形成されている。 At the top of the silicon substrate 100, the region isolated by the element isolation portion 101, a photodiode (PD) 102, FD 103, various transistors (Tr) 104, etc. are formed. また、シリコン基板100の上面には、ゲート絶縁膜105を介して各トランジスタ104のゲート電極104Aが形成され、その上部に層間絶縁膜111を介して各種の配線112が多層構造で形成されている。 Further, the upper surface of the silicon substrate 100 via a gate insulating film 105 is a gate electrode 104A is formed of the transistors 104, various wiring lines 112 are formed in a multilayer structure with an interlayer insulating film 111 thereon . また、シリコン基板100の拡散領域、ゲート電極104A、配線112の間には、コンタクトやビア等のプラグ113が適宜形成されている。 The diffusion region of the silicon substrate 100, the gate electrode 104A, while the wiring 112, plug 113, such as contacts and vias are properly formed.

また、層間絶縁膜111の上層には、フォトダイオード102の受光領域に対応してIRカットフィルタ114が形成されている。 Further, the upper layer of the interlayer insulating film 111, and IR cut filter 114 in response to the light receiving area of ​​the photodiode 102 is formed. このIRカットフィルタ114は、例えばシリコン窒化(SiN)膜とプラズマシリコン酸化(P−SiO)膜とを交互に積層した構造を有し、入射光中の赤外線成分をカットする。 The IR cut filter 114, for example, silicon nitride (SiN) film and the plasma silicon oxide and (P-SiO) film has a stacked structure alternately cuts infrared light component in incident light.
また、周辺回路領域側には、層間絶縁膜111の上層にコネクタ用の電極部115等が形成されている。 Further, in the peripheral circuit region side electrode portion 115 or the like for the connector on the upper layer of the interlayer insulating film 111 is formed.
さらに、このIRカットフィルタ114や電極部115の上層には層内レンズ116が形成され、その上に平坦化膜117を介してカラーフィルタ121、マイクロレンズ122が配置されている。 Moreover, this is the upper layer of the IR cut filter 114 and the electrode unit 115 layer lens 116 is formed, a color filter 121, a microlens 122 is disposed over the planarization layer 117 thereon.

次に、IRカットフィルタの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the IR cut filter.
図5はIRカットフィルタの形成工程を示す断面図である。 Figure 5 is a view showing the step of forming the IR cut filter.
まず、図5(A)において、下地の層間絶縁膜(例えばP−SiO膜)111の上面(例えばHDP(高純度)シリコンコーティングによる平坦化面)に、IRカットフィルタ114となるSiN/P−SiO膜114Aを積層する。 First, in FIG. 5 (A), the upper surface of the underlying interlayer insulating film (e.g., P-SiO film) 111 (e.g., HDP (flattened surface by high purity) silicon coating), SiN / P- as the IR cut filter 114 laminating the SiO film 114A. 例えば、約100nmのSiN膜と約100nmのP−SiO膜を交互に5〜10層程度積層する。 For example, the thickness of approximately 5 to 10 layers of P-SiO film of SiN film about 100nm to about 100nm alternately.
その後、このSiN/P−SiO膜114Aの上に、フォトレジスト130をパターニングし、フォトダイオード102の受光領域をマスクしてドライエッチングを行い、図5(B)に示すように、フォトダイオード102の受光領域に対応したIRカットフィルタ114を形成する。 Thereafter, on the SiN / P-SiO film 114A, a photoresist is patterned 130, dry etching is performed while masking the light receiving region of the photodiode 102, as shown in FIG. 5 (B), the photodiode 102 forming the IR cut filter 114 corresponding to the light receiving region.
特開2006−190958号公報 JP 2006-190958 JP

しかしながら、上述のようなIRカットフィルタを層内に設けたイメージセンサでは、図4に示すように、IRカットフィルタが約1μm程度の膜厚を有するため、フォトダイオード102の受光面とマイクロレンズ122との距離(矢印α)が大きくなり、その分、感度が低下するという問題がある。 However, the image sensor provided an IR cut filter, such as described above in the layer, as shown in FIG. 4, since the IR cut filter has a thickness of about 1 [mu] m, the light-receiving surface of the photodiode 102 and the microlens 122 distance between (arrow alpha) becomes large, correspondingly, there is a problem that sensitivity is lowered.

また、上述したIRカットフィルタでは、入射光を平坦な面で受ける形状となっているため、いわゆるリップルが発生しやすくなるという問題がある。 Further, the IR cut filter described above, because that is the shape for receiving the incident light in the flat surface, there is a problem that a so-called ripple is likely to occur.
図6は光の入射角度を変化させた場合の波長毎の反射率をシュミレーションした結果を示す説明図であり、縦軸は反射率R、横軸は波長亜λを示し、0°、10°、20°、30°、40°の各入射角度の波長毎の反射率を示している。 Figure 6 is an explanatory view showing a result of simulating the reflectance of each wavelength in the case of changing the incident angle of light, and the vertical axis the reflectance R, the horizontal axis represents the wavelength sub lambda, 0 °, 10 ° , 20 °, 30 °, shows a reflectance of each wavelength of the incident angle of 40 °.
本図から分かるように、光がIRカットフィルタに入射する場合、その入射角度に応じて固有の波長−反射特性を有しており、特に短波長側では微細な波形特性(リップル成分)を有している。 As can be seen from this figure, when light is incident on the IR cut filter, specific wavelength depending on the incident angle - Yes have reflective properties, particularly a fine waveform characteristics in the short wavelength side (ripple component) doing. しかし、上記従来技術のようにIRカットフィルタの受光面が平坦である場合には、入射角度0°の光が主となり、この0°入射光の短波長側のリップル成分がそのまま画質に反映され、悪影響を及ぼすことになる。 However, the if the light receiving surface of the IR cut filter as in the prior art is flat, the incident angle 0 ° of the light is the main, the ripple component of the short wavelength side of the 0 ° incident light is directly reflected in image quality , will be adversely affected.

また、図5に示す従来技術において、IRカットフィルタをドライエッチングを行う場合、下地配線が露出しないように、十分な強度のストッパを設けることが必要になるが、プロセス条件によっては酸化膜はストッパの役目を果たすことが困難であるため、強力なストッパで正確に止める代わりに、そのまま下地のP−SiO膜をエッチングで削って行き、膜の途中で止めるといった作業が必要になる。 Further, in the prior art shown in FIG. 5, when the IR cut filter is dry etching, so that the base line is not exposed, but it is necessary to provide a stopper of sufficient strength, the oxide film by the process conditions stopper since it is difficult to play a role, instead of stopping in exactly the powerful stopper, as it is going to cut the P-SiO film of the base in the etching, it is necessary to work, such as stop in the middle of the film. このため、下地のP−SiO膜のおおよその必要膜厚の目安はエッチングレートの均一性±10%を見込んでIRカットフィルタ1μmに対し、300nm程度は必要と考えられる。 Therefore, a measure of the approximate required thickness of the P-SiO film underlying whereas IR cut filter 1μm anticipate uniformity ± 10% of the etching rate of about 300nm is considered necessary.
また、P−SiOの残膜は、エッチングレートの面内均一性を反映して、ほぼそのままばらつくことになる。 Further, the residual film of the P-SiO, reflecting the in-plane uniformity of the etching rate, so that almost as varied.
この結果、図5に示す従来技術では、IRカットフィルタの膜厚に対して、30%程度の厚さのストッパ(下地追加分)が必要であり、トータルの膜厚が厚くなる。 As a result, in the prior art shown in FIG. 5, for a film thickness of the IR cut filter, it is necessary to stop a thickness of about 30% (base Additions), the total film thickness of the thicker. また、IRカットフィルタ形成のためのエッチング後に、半導体ウエハ内で各画素のP−SiO残膜がばらつき、その結果、撮像特性のばらつきに繋がるという問題がある。 Further, after the etching for the IR cut filter formed, variation P-SiO residual film of each pixel in a semiconductor wafer, resulting in a problem that leads to variation in imaging characteristics.

そこで本発明の第1の目的は、光電変換部の受光面とマイクロレンズとの距離を拡大することなく層内光学フィルタを配置でき、受光感度の向上と光学特性の向上を両立できる固体撮像素子を提供することにある。 Therefore a first object of the present invention can place the layers in the optical filter without enlarging the distance between the photoelectric conversion portion of the light-receiving surface and the microlens, the solid-state imaging device that can achieve both an improvement in improving the optical characteristics of the light-receiving sensitivity It is to provide a.
また、本発明の第2の目的は、層内光学フィルタによって生じるリップルを防止し、色感度等の画質の改善を図ることができる固体撮像素子及び製造方法を提供することにある。 A second object of the present invention is to prevent the ripple caused by the layers in the optical filter is to provide a solid-state imaging device and a manufacturing method which can improve the image quality such as color sensitivity.
さらに本発明の第3の目的は、層内光学フィルタの形成工程によって生じる絶縁膜の膜厚の増大や、画素間の残膜のばらつきを防止でき、素子の薄型化や均一性の向上を図ることが可能な固体撮像素子の製造方法を提供することにある。 A third object of the present invention, increase in the thickness of the insulating film caused by the step of forming the layer in the optical filter, it is possible to prevent variations in the remaining film between pixels, to improve the thickness and uniformity of the device it is to provide a method of manufacturing can be solid-state imaging device.

上述の目的を達成するため、本発明は、半導体基板の第2面に沿って受光面が形成された光電変換部と、前記半導体基板の第1面側に形成され、前記光電変換部によって生成された信号電荷を読み出す読み出し回路と、前記半導体基板の第1面上に形成された配線及び絶縁膜を含む第1の積層膜と、前記半導体基板の第2面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む第2の積層膜と、前記第2の積層膜上に配置されたレンズ層とを有することを特徴とする。 To achieve the above object, the present invention includes a photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the second surface of the semiconductor substrate, is formed on the first surface side of the semiconductor substrate, generated by the photoelectric conversion portion a read circuit for reading out signal charges, the a first multilayer film including a first surface which is formed on the wiring and the insulating film of the semiconductor substrate, is formed on the second surface of the semiconductor substrate, the photoelectric conversion and having a second multilayer film including a layer in an optical filter for modulating the light incident on the parts, and the second lens layer disposed on the laminated film.
また本発明は、半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、前記半導体基板面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む積層膜と、前記積層膜上に配置されたレンズ層とを有し、前記層内光学フィルタは入射面に凹凸を有することを特徴とする。 The present invention includes a photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface, formed on the semiconductor substrate surface, the laminated film comprising a layer in the optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion portion When, and a said laminated film on the lens disposed layer, the layer optical filter is characterized by having irregularities on the incident surface.

また本発明は、半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、前記半導体基板面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む積層膜と、前記積層膜上に配置されたレンズ層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記層内光学フィルタの入射面上にレジストをパターニングしてエッチングを行うことにより、前記入射面に凹凸を形成することを特徴とする。 The present invention includes a photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface, formed on the semiconductor substrate surface, the laminated film comprising a layer in the optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion portion When a method for manufacturing a solid-state imaging device having a lens layer disposed on the laminated film, by etching by patterning the resist on the incident surface of the layer in the optical filter, the incident surface and forming an uneven.
また本発明は、半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、前記半導体基板面上に形成された配線及び絶縁膜を含む第1の積層膜と、前記第1の積層膜上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む第2の積層膜と、前記第2の積層膜上に配置されたレンズ層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記第1の積層膜上に所定膜厚を有するエッチングストッパ膜を形成する第1の工程と、前記第1の積層膜上のエッチングストッパ膜を下地として、前記層内光学フィルタとなる膜を積層する第2の工程と、前記層内光学フィルタとなる膜の面上にレジストをパターニングしてエッチングを行うことにより、前記光電変換部の受光領域に対応した層内光学フィルタを形成する第3の工程とを The present invention includes a photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface, a first multilayer film including the wiring and the insulating film formed on a semiconductor substrate surface, the first stacked film formed thereon, the production of the solid-state imaging device having a second multilayer film including a layer in an optical filter for modulating the light incident, and the second lens layer disposed on the laminated film of the photoelectric conversion portion a method, wherein a first step of forming an etching stopper film having a predetermined thickness on a first laminated film, an etching stopper film on the first multilayer film as a base, the layer optical filter a second step of laminating a with a film, by etching by patterning the resist on the surface of the film to be the layer in the optical filter, the layers in the optical filter corresponding to the light receiving region of the photoelectric conversion portion and a third step of forming することを特徴とする。 Characterized in that it.

本発明の固体撮像素子によれば、光電変換部の受光面とは反対側に読み出し回路の配線を設けた、いわゆる裏面照射型の構造において、光電変換部に対応する層内光学フィルタを設け、その上にレンズ層を設けたことから、光電変換部の受光面とレンズ層との距離を拡大することなく層内光学フィルタを配置でき、受光感度の向上と光学特性の向上の両立を実現できる。 According to the solid-state imaging device of the present invention, the light-receiving surface of the photoelectric conversion unit provided with the wiring of the read circuit on the other side, in the structure of so-called back-illuminated, a layer in an optical filter corresponding to the photoelectric conversion unit is provided, from above providing the lens layer on the inner-layer can be placed an optical filter without enlarging the distance between the light receiving surface of the photoelectric conversion unit and the lens layer, it can realize both improvement of improving the optical characteristics of the light-receiving sensitivity .
また、本発明の固体撮像素子及びその製造方法によれば、層内光学フィルタの入射面に凹凸を設けたことにより、入射光の反射角度を分散させることができるので、層内光学フィルタによって生じるリップルを防止し、色感度等の画質の改善を図ることができる。 Further, according to the solid-state imaging device and its manufacturing method of the present invention, by providing the irregularities on the incident surface of the optical filter layers, it is possible to disperse the reflection angle of incident light caused by the layers in the optical filter preventing ripples, it is possible to improve the image quality such as color sensitivity.
また、本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、層内光学フィルタをエッチングによって形成する場合に、予め下地にエッチングストッパ膜を設けたことから、層内光学フィルタの形成工程によって生じる絶縁膜の膜厚の増大や、画素間の残膜のばらつきを防止でき、素子の薄型化や均一性の向上を図ることができる。 According to the manufacturing method of a solid-state imaging device of the present invention, in the case of forming a layer in the optical filter by etching, since the provision of the etching stopper film in advance underlying insulating film caused by the process of forming the optical filter in the layer film thickness increase in the, prevents variations in the remaining film between pixels, it is possible to improve the thickness and uniformity of the device.

まず、本発明の第1の実施の形態について説明する。 First, a description will be given of a first embodiment of the present invention.
図1は本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子を示す部分断面図であり、本発明をCMOSイメージセンサに適用した例を示している。 Figure 1 is a partial sectional view showing a solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention, an example of applying the present invention to a CMOS image sensor.
本形態のイメージセンサは、いわゆる裏面照射型イメージセンサにIRカットフィルタを設けることにより、フォトダイオードとマイクロレンズとの距離の短縮と層内光学フィルタ構造とを両立したものである。 The image sensor of this embodiment, by providing the IR cut filter to a so-called back-illuminated image sensor, is obtained by both shortening and intralayer optical filter structure of the distance between the photodiode and the microlens.
図1に示すように、シリコン基板200には、素子分離部(図1では省略)によって分離された領域に、フォトダイオード(PD)201や各種トランジスタ(Tr)202等が形成されているが、図示のように、フォトダイオード201の受光面はシリコン基板200の裏面(図中上面=第2面)側に形成され、各トランジスタ202の拡散領域はシリコン基板200の表面(図中下面=第1面)側の層に形成されている。 As shown in FIG. 1, the silicon substrate 200, the region isolated by the element isolation portion (not shown in FIG. 1), although a photodiode (PD) 201 and various transistors (Tr) 202, etc. are formed, as shown, the light receiving surface of the photodiode 201 is formed on the back surface (second surface in the drawing top =) side of the silicon substrate 200, the diffusion region of each transistor 202 is the surface of the silicon substrate 200 (in the drawing the underside = first It formed in the layer surface) side.

シリコン基板200の表面上(図中下方)には、ゲート絶縁膜(SiO膜等)203を介してゲート電極(poly−Si膜等)204が設けられ、その上に複数層の層間絶縁膜(SiO膜、SiN膜等)205を介して各種の配線(poly−Si膜、Cu膜等)206を積層した積層膜207が形成され、シリコン基板200の拡散領域及び各配線間にはコンタクトやビアのプラグ208が設けられている。 On the surface of the silicon substrate 200 in (in the figure downwards), a gate insulating film gate electrode through the (SiO film) 203 (poly-Si film) 204 is provided, an interlayer insulating film of a plurality of layers thereon ( SiO film, various wiring through the SiN film or the like) 205 (poly-Si film, laminated film 207 formed by laminating a Cu film or the like) 206 is formed, between the diffusion region and the wiring of the silicon substrate 200 contact and vias of the plug 208 is provided. そして、このような積層膜207の最表面には、絶縁性の保護カバー209が設けられている。 Then, such a top surface of the laminated film 207, an insulating protective cover 209 is provided.
一方、シリコン基板200の裏面上(図中上方)には、IRカットフィルタ(層内光学フィルタ)210及び層内レンズ211を含む積層膜212が形成され、その上面にカラーフィルタ213を介してマイクロレンズ214が配置されている。 On the other hand, on the back surface of the silicon substrate 200 (upward in the drawing) is formed laminate film 212 comprising an IR cut filter (intralayer optical filter) 210 and inner lens 211, through the color filter 213 on its upper surface a micro lens 214 is disposed.
IRカットフィルタ210は、上述したようにSiO膜とSiN膜等を交互に複数層積層したものである。 IR cut filter 210 is obtained by a plurality of layers alternately stacked SiO film and SiN film or the like as described above.

以上のような構造のCMOSイメージセンサでは、裏面照射型の構造と層内光学フィルタ構造とを組み合わせることにより、フォトダイオード201とマイクロレンズ214との間に多層配線構造の積層膜が存在しないため、フォトダイオード201の受光面とマイクロレンズ214との距離(矢印β)が短くなり、図4に示した従来例に比較して、感度の向上を達成できる。 Since as described above in the CMOS image sensor structure, which by combining the structure of the back-illuminated type and intralayer optical filter structure, a stacked film of a multilayer wiring structure is not present between the photodiode 201 and the microlens 214, photo distance between the light receiving surface and the microlens 214 of the diode 201 (arrow beta) is shortened, as compared with the conventional example shown in FIG. 4 can be achieved to improve the sensitivity. 一方、IRカットフィルタによる機能については、図4に示した従来例と同様に得ることができ、フォトダイオードの受光領域(開口率)を大きくとることができるという裏面照射型センサの利点と相俟って、高感度、高画質のイメージセンサを実現することが可能である。 On the other hand, the function of the IR cut filter, the conventional example can be obtained in the same manner shown in FIG. 4, coupled with the advantages of the backside illuminated sensor being able to increase the light receiving region of the photodiode (aperture ratio) it, it is possible to realize high sensitivity, high quality image sensor.

次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。 Next, a description will be given of a second embodiment of the present invention.
図2は本発明の第2の実施の形態による固体撮像素子を示す部分断面図であり、本発明をCMOSイメージセンサに適用した例を示している。 Figure 2 is a partial sectional view showing a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention, an example of applying the present invention to a CMOS image sensor.
本形態のイメージセンサは、図4に示した従来のCMOSイメージセンサにおいて、IRカットフィルタの入射面に細かい凹凸を設けることにより、光の入射角度を分散させ、リップルを抑制するようにしたものである。 The image sensor of this embodiment, in the conventional CMOS image sensor shown in FIG. 4, by providing fine irregularities on the incident surface of the IR cut filter, the incident angle of the light is dispersed, obtained by so as to suppress the ripple is there.

図2に示すように、シリコン基板300の上層部には、素子分離部301によって分離された領域に、フォトダイオード302、FD303、各種トランジスタ304等が形成されている。 As shown in FIG. 2, the upper layer portion of the silicon substrate 300, the region isolated by the element isolation portion 301, a photodiode 302, FD 303, and various transistor 304 is formed. また、シリコン基板300の上面には、ゲート絶縁膜305を介して各トランジスタ304のゲート電極304Aが形成され、その上部に層間絶縁膜311を介して各種の配線312が多層構造で形成されている。 Further, the upper surface of the silicon substrate 300 is a gate electrode 304A of each transistor 304 through the gate insulating film 305 is formed, various wiring lines 312 are formed in a multilayer structure with an interlayer insulating film 311 thereon . また、シリコン基板300の拡散領域、ゲート電極304A、配線312の間には、コンタクトやビア等のプラグ313が適宜形成されている。 The diffusion region of the silicon substrate 300, the gate electrode 304A, while the wiring 312, plug 313, such as contacts and vias are properly formed.
また、層間絶縁膜311の上層には、フォトダイオード302の受光領域に対応してIRカットフィルタ314が形成されている。 Further, the upper layer of the interlayer insulating film 311, and IR cut filter 314 in response to the light receiving area of ​​the photodiode 302 is formed.
また、周辺回路領域側には、層間絶縁膜311の上層にコネクタ用の電極部315等が形成されている。 Further, in the peripheral circuit region side electrode 315, etc. of the connector is formed on the upper interlayer insulating film 311.
さらに、このIRカットフィルタ314や電極部315の上層には層内レンズ316が形成され、その上に平坦化膜317を介してカラーフィルタ321、マイクロレンズ322が配置されている。 Moreover, this is the upper layer of the IR cut filter 314 and the electrode unit 315 layer lens 316 is formed, a color filter 321, a microlens 322 is disposed over the planarization layer 317 thereon.

このようなCMOSイメージセンサにおいて、IRカットフィルタ314の入射面に細かい凹凸314Aを付けることで、光の入射角をばらばらにし、図6で示した短波長成分の光の反射率が打ち消され合い、平均化されるようにして、リップルに対して強い構造を実現する。 In such a CMOS image sensor is to add fine irregularities 314A on the incident surface of the IR cut filter 314, the incident angle of light to break apart, mutually light reflectance of short-wavelength components shown in FIG. 6 is canceled, so as to be averaged to achieve a strong structure to ripple.
本例では、以下のようにしてIRカットフィルタ314の最上層膜をパターニングし、表面に凹凸を付けるものとする。 In this example, as follows by patterning the uppermost layer of the IR cut filter 314, it is assumed that put an uneven surface. なお、IRカットフィルタ314の積層構造は、従来と同様に、例えば、SiN膜とP−SiO膜を交互に100nm程度の膜厚で5〜10層ずつ積層したものとする。 Incidentally, the laminated structure of the IR cut filter 314, like the conventional example, it is assumed that the stacked by 5-10 layers have a film thickness of about 100nm SiN film and P-SiO film alternately.
そして、凹凸314Aを加工する方法としては、まず、最上層の膜(ここではSiN膜とする)を通常より厚めに成膜する。 Then, as a method for processing irregularities 314A, first, forming the top layer of the film (here, the SiN film) thicker than usual. 例えば、通常の膜厚が100nmの場合には、最上層の膜は150nm程度で成膜する。 For example, the film thickness of usually in the case of 100nm, the uppermost layer is deposited at about 150 nm. そして、この成膜後に、例えばドット状にフォトレジスト等をパターニングし、ドライエッチングで50nm程度を彫って凹凸を付ける。 Then, after the film formation, for example, by patterning a photoresist or the like in a dot pattern, put uneven carving 50nm approximately by dry etching. この方法で、最上層に凹凸を付けることができる。 In this way, it is possible to apply the unevenness in the top layer. なお、この後、IRカットフィルタの膜をフォトダイオードの受光領域に応じたパターンに加工し、IRカットフィルタ314を完成する。 Note that, after this, is processed into a pattern corresponding membranes IR cut filter on the light receiving region of the photodiode, to complete the IR cut filter 314.
なお、凹凸を付けるパターンとしては、ドットパターンの他に例えばストライプパターン(いわゆるLine&Spaceパターン)を採用できる。 It should be noted that, as the pattern to give the unevenness, can be employed in addition to, for example, a stripe pattern of the dot pattern (the so-called Line & Space patterns). また、フォトレジストをドット状にパターニングした後、高温でリフロー処理を行い、ドット状のパターンに丸みを付け、その後、エッチングを行うことにより、加工後の凹凸を丸みを帯びたレンズ状に形成することも可能である。 Moreover, after patterning the photoresist in a dot shape, subjected to a reflow treatment at a high temperature, rounded dot-like pattern, then, by etching, to form the lens shape with rounded irregularities after processing it is also possible.

また、凹凸を形成する膜をIRカットフィルタ314の最上層のSiN膜としたが、それとは別に、新たにSiN/poly−Si膜等を成膜して凹凸面を作ることができる。 Although the film forming the unevenness to the top layer of the SiN film of the IR cut filter 314, and it separately, it is possible to make the uneven surface by forming a new SiN / poly-Si film or the like.
また、本例では、最上膜を彫る深さを50nm程度としているが、図6のシュミレーション結果から分かるように、入射角度が0〜20°にばらつかせることができるように形状、深さなどを最適化することが好ましく、例えば各種の形状や深さについて試作や実験等を行い、最適な形状や深さを選択することが有効である。 Further, in this embodiment, although the order of 50nm depth carve uppermost layer, as can be seen from the simulation results of FIG. 6, the shape such that the incident angle may be fluctuated to 0 to 20 °, such as depth it is preferable to optimize, for example, performs a trial and experiments for various shapes and depths, it is effective to select the optimum shape and depth.
なお、このような凹凸面を有するIRカットフィルタを図1に示した裏面照射型のイメージセンサにおけるIRカットフィルタに適用できることは勿論である。 Incidentally, it is needless to say applicable to the IR cut filter in back-illuminated image sensor showing an IR cut filter having such uneven surface in FIG. 1. 第1の実施の形態と第2の実施の形態との双方の効果を有するイメージセンサを提供できる。 It can provide an image sensor having both of the effects of the first embodiment and the second embodiment.

次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。 Next, a description will be given of a third embodiment of the present invention.
図3は本発明の第3の実施の形態による固体撮像素子のIRカットフィルタ形成工程を示す部分断面図であり、本発明をCMOSイメージセンサに適用した例を示している。 Figure 3 is a partial sectional view showing the IR cut filter forming process of the solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention, an example of applying the present invention to a CMOS image sensor.
本例においても、シリコン基板400の上層部には、素子分離部401によって分離された領域にフォトダイオード402等の要素が形成されており、また、シリコン基板400の上面には、ゲート絶縁膜403を介して各トランジスタのゲート電極404が形成され、その上部に層間絶縁膜405を介して各種の配線406が多層構造で形成されている。 In this example, the upper layer portion of the silicon substrate 400, and elements such as photodiodes 402 are formed in isolated regions by the element isolation portion 401, On the upper surface of the silicon substrate 400, the gate insulating film 403 is the gate electrode 404 of each transistor is formed via various wirings 406 are formed in a multilayer structure with an interlayer insulating film 405 thereon. また、シリコン基板400の拡散領域、ゲート電極404、配線406の間には、コンタクトやビア等のプラグ407が適宜形成されている。 The diffusion region of the silicon substrate 400, a gate electrode 404, between the wiring 406, plug 407, such as contacts and vias are properly formed. なお、層間絶縁膜405の上層は、HDPシリコンコーティングによる平坦化面408が形成されている。 Incidentally, the upper interlayer insulating film 405 is planarized surface 408 by HDP silicon coating is formed.

そして、この平坦化面408の上にIRカットフィルタの形成に用いるエッチングストッパ膜409が形成され、その上にP−SiO膜410を介してIRカットフィルタとなるSiN膜とP−SiO膜を交互に積層したSiN/P−SiO膜411が形成されている。 Then, the etching stopper film 409 used for forming the IR cut filter on the planarizing surface 408 is formed, alternately SiN film and the P-SiO film serving as the IR cut filter via a P-SiO film 410 is formed thereon SiN / P-SiO film 411 is formed by stacking a. なお、このSiN/P−SiO膜411は、例えば従来例と同様に、約100nmのSiN膜と約100nmのP−SiO膜を交互に5〜10層程度積層したものとする。 Incidentally, the SiN / P-SiO film 411, for example as in the conventional example, it is assumed that the alternate stacking of about 5 to 10 layers of P-SiO film of SiN film about 100nm to about 100nm.
また、エッチングストッパ膜409としては、シリコン窒化膜(SiN)、シリコン酸窒化膜(SiON)の他に、ポリシリコン膜(poly−Si)等も採用できる。 Further, as the etching stopper film 409, silicon nitride film (SiN), in addition to the silicon oxynitride film (SiON), polysilicon film (poly-Si) or the like can be employed.

さらに、このSiN/P−SiO膜411の上に、フォトダイオードの受光領域に対応したフォトレジスト420をパターニングし、これをマスクとしてドライエッチングを行うことにより、IRカットフィルタを完成する。 Furthermore, on this SiN / P-SiO film 411, a photoresist is patterned 420 corresponding to the light receiving region of the photodiode, by dry etching as a mask, to complete the IR cut filter.
例えばIRカットフィルタは、SiN膜100nmとP−SiO膜100nmとを交互に5層ずつ積層するとして、トータルで1.0μmとなる。 For example IR cut filter, a laminated five layers and SiN film 100nm and P-SiO film 100nm alternately becomes 1.0μm in total. また、SiN/P−SiO膜のエッチングレートの面内均一性、ウエハ間マージンを乗せて±10%=rangeで200nmである。 The in-plane uniformity of the etching rate of the SiN / P-SiO film, put the wafer between margin is 200nm at ± 10% = range. また、Oxレート/SiNレート=20〜30程度はとれるため、P−SiO膜100nm相当のオーバーエッチングをかけてもSiNの削れは5nm程度となる。 Further, since the take about Ox rate / SiN rate = 20-30, even over overetching P-SiO film 100nm corresponding scraping of SiN is about 5 nm. そこで、安全を見て、ストッパ膜409の膜厚が30nm〜40nmもあれば、十分にエッチングを止めることができると予測される。 Therefore, a look at the safety, the thickness of the stopper film 409 Some 30 nm to 40 nm, is expected to be able to stop sufficiently etched.

このように本例では、IRカットフィルタを形成する際に、下地にエッチングストッパ膜を用いることにより、フィルタの膜厚を1μm程度とした場合、従来のP−SiO膜を300nm用いる構造に対して、P−SiO膜200nm+SiN膜40nmで済み、60nm程度の薄膜化が可能となる。 As described above, in this embodiment, when forming the IR cut filter, by using an etching stopper film on the base, if the thickness of the filter was about 1 [mu] m, the conventional P-SiO film on the structure used 300nm , it requires only P-SiO film 200 nm + SiN film 40 nm, it is possible to 60nm about thinning. この結果、フォトダイオード上の層間膜の薄膜化により、感度の向上を図ることが可能となる。 Consequently, the thinning of the interlayer film on the photodiode, it is possible to improve the sensitivity.
また、面内のばらつきとして従来例では残膜が±100nm程度は発生すると予測されるが、本例では、一律に成膜時レベルのSiN膜が残ることになり、ばらつきのない面を形成できる。 Further, in the conventional example as variation within the plane is predicted that the remaining film is about ± 100 nm is generated, in this example, will be SiN film during deposition level remains uniformly, it can be formed with no variations plane . これにより、製品の歩留まりを向上できる。 As a result, it is possible to improve the yield of the product.
なお、このようなIRカットフィルタの製造方法は、上述した第1の実施の形態、第2の実施の形態に組み合わせることが可能であり、それぞれ相乗効果を期待できる。 The manufacturing method of such a IR cut filter, the first embodiment described above, it is possible to combine the second embodiment can be expected a synergistic effect, respectively.

なお、以上のような本発明の実施の形態において、層内レンズやマイクロレンズによる集光構造は、凹レンズや凸レンズの組み合わせを含め、適宜選択できるものであり、図示の例に限定されないものとする。 In the embodiments of the present invention as described above, the condensing structure by the inner-layer lens, a micro lens, including a combination of a concave lens and a convex lens, which can appropriately be selected, and shall not be limited to the examples shown in the drawings .
また、本例では、CMOSイメージセンサ内にIRカットフィルタを設ける場合について説明したが、本発明は、これに限定されず、例えばUVカットフィルタ等の他の層内光学フィルタを設ける構成についても同様に適用でき、また、必ずしもCMOSイメージセンサに限定されず、層内光学フィルタを有する各種の固体撮像素子に広く適用できるものである。 Similarly in the present embodiment has described the case of providing the IR cut filter in CMOS image sensor, the present invention is not limited thereto, and the structure provided, for example the other layers in the optical filter such as a UV-cut filter application can turn, also those which not necessarily limited to the CMOS image sensor can be widely applied to various solid-state imaging device having a layer in the optical filter.
また、層内光学フィルタとしては、上記の例ではSiN/SiO 膜を用いたが、変形例としては、Si/SiO 膜やHfOx/SiO 膜等を用いることができ、原則的には、屈折率の異なる2層であれば可能である。 Further, as the optical filter in the layer, in the above example using a SiN / SiO 2 film, but as a variant, can be used constitutions: Si / SiO 2 film and HfOx / SiO 2 film or the like, in principle the It can be as long as two layers having different refractive index. ただし、そのときの厚さdは、反射波長バンドの中心波長をλ、屈折率をnとすると、d=λ/4nとなる。 However, the thickness d of that time, the center wavelength of the reflected wavelength band lambda, and the refractive index is n, the d = lambda / 4n. また、Si使用の場合は、可視光の吸収があるため、層数を減らすなどの工夫が必要となる。 In the case of Si used, because of the absorption of visible light, it is necessary to scheme such as reducing the number of layers.

本発明の第1の実施の形態による固体撮像素子を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態による固体撮像素子を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a solid state image pickup device of the second embodiment of the present invention. 本発明の第3の実施の形態による固体撮像素子のIRカットフィルタ形成工程を示す部分断面図である。 It is a partial cross-sectional view showing the IR cut filter forming process of the solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention. 従来の固体撮像素子を示す部分断面図である。 It is a partial sectional view showing a conventional solid-state imaging device. 従来の固体撮像素子におけるIRカットフィルタ形成工程を示す部分断面図である。 It is a partial cross-sectional view showing the IR cut filter forming step of the conventional solid-state imaging device. 従来のIRカットフィルタのリップル特性を示す説明図である。 It is an explanatory diagram showing a ripple characteristic of the conventional IR cut filter.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

200……シリコン基板、201……フォトダイオード、202……トランジスタ、203……ゲート絶縁膜、204……ゲート電極、205……層間絶縁膜、206……配線、207……積層膜、208……プラグ、209……保護カバー、210……IRカットフィルタ、211……層内レンズ、212……積層膜、213……カラーフィルタ、214……マイクロレンズ。 200 ...... silicon substrate, 201 ...... photodiode, 202 ...... transistors, 203 ...... gate insulating film, 204 ...... gate electrode, 205 ...... interlayer insulating film, 206 ...... wiring, 207 ...... laminate film, 208 ... ... plug, 209 ...... protective cover, 210 ...... IR cut filter, 211 ...... layer lens, 212 ...... laminate film, 213 ...... color filter, 214 ...... microlenses.

Claims (19)

  1. 半導体基板の第2面に沿って受光面が形成された光電変換部と、 A photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the second surface of the semiconductor substrate,
    前記半導体基板の第1面側に形成され、前記光電変換部によって生成された信号電荷を読み出す読み出し回路と、 A read circuit for reading the formed on the first surface side of the semiconductor substrate, a signal charge generated by the photoelectric conversion unit,
    前記半導体基板の第1面上に形成された配線及び絶縁膜を含む第1の積層膜と、 A first multilayer film comprising a first surface formed on the wiring and the insulating film of the semiconductor substrate,
    前記半導体基板の第2面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む第2の積層膜と、 Wherein formed on the second surface of the semiconductor substrate, and a second multilayer film including a layer in an optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion unit,
    前記第2の積層膜上に配置されたレンズ層と、 A lens layer disposed on the second multilayer film,
    を有することを特徴とする固体撮像素子。 Solid-state imaging device characterized by having a.
  2. 前記光電変換部は複数設けられ、前記層内光学フィルタは光電変換部の受光領域に対応して形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 The photoelectric conversion unit is provided in plurality, the layer optical filter is a solid-state imaging device according to claim 1, characterized in that it is formed corresponding to the light receiving region of the photoelectric conversion unit.
  3. 前記レンズ層は複数の光電変換部毎に光を集光するマイクロレンズよりなることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。 The lens layer is a solid-state imaging device according to claim 2, wherein the light composed of microlenses for focusing each of the plurality of photoelectric conversion unit.
  4. 前記読み出し回路は前記光電変換部で生成された信号電荷をフローティングデフュージョンに読み出す転送トランジスタと、前記フローティングデフュージョンに読み出された信号電荷を画素信号に変換する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタの出力を信号線に出力する選択トランジスタと、前記フローティングデフュージョンをリセットするリセットトランジスタとを含むことを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。 The readout circuit includes a transfer transistor for reading a signal charge generated by the photoelectric conversion unit to the floating diffusion, an amplifying transistor for converting the signal charge read to the floating diffusion to the pixel signal, an output of the amplifying transistor a selection transistor for outputting the signal line, the solid-state imaging device according to claim 2, characterized in that it comprises a reset transistor for resetting the floating diffusion.
  5. 前記層内光学フィルタは特定の波長光を遮光するフィルタであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 1, wherein said layer optical filter is a filter for blocking the specific wavelength light.
  6. 前記層内光学フィルタはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを交互に複数層積層したフィルタであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 1, wherein said layer optical filter is a filter in which a plurality of layers laminated and the silicon nitride film and a silicon oxide film alternately.
  7. 前記層内光学フィルタは入射面に凹凸を有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 1, wherein said layer optical filter is characterized by having irregularities on the incident surface.
  8. 半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、 A photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface,
    前記半導体基板面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む積層膜と、 Said formed on the semiconductor substrate surface, the laminated film comprising a layer in the optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion unit,
    前記積層膜上に配置されたレンズ層とを有し、 And a lens layer disposed on the multilayer film,
    前記層内光学フィルタは入射面に凹凸を有する、 The layer optical filter having an uneven incident surface,
    ことを特徴とする固体撮像素子。 A solid-state imaging device, characterized in that.
  9. 前記光電変換部は複数設けられ、前記層内光学フィルタは光電変換部の受光領域に対応して形成されていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子。 The photoelectric conversion unit is provided in plurality, the layer optical filter is a solid-state imaging device according to claim 8, characterized in that it is formed corresponding to the light receiving region of the photoelectric conversion unit.
  10. 前記層内光学フィルタは特定の波長光を遮光するフィルタであることを特徴とする請求項9記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 9, wherein said layer optical filter is a filter for blocking the specific wavelength light.
  11. 前記層内光学フィルタはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを交互に複数層積層したフィルタであることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 8, wherein said layer optical filter is a filter in which a plurality of layers laminated and the silicon nitride film and a silicon oxide film alternately.
  12. 前記凹凸は微細ドットパターン状に形成されていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子。 Solid-state imaging device according to claim 8, wherein said irregularities characterized by being formed into fine dot pattern.
  13. 半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、 A photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface,
    前記半導体基板面上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む積層膜と、 Said formed on the semiconductor substrate surface, the laminated film comprising a layer in the optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion unit,
    前記積層膜上に配置されたレンズ層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、 A method of manufacturing a solid-state imaging device having a lens layer disposed on the multilayer film,
    前記層内光学フィルタの入射面上にレジストをパターニングしてエッチングを行うことにより、前記入射面に凹凸を形成する、 By etching and patterning a resist on the incident surface of the layer in the optical filter, forming irregularities on the incident surface,
    ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 Method of manufacturing a solid-state imaging device, characterized in that.
  14. 前記凹凸は微細ドットパターン状に形成することを特徴とする請求項13記載の固体撮像素子の製造方法。 Method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 13, wherein said irregularities characterized by forming a fine dot pattern.
  15. 半導体基板面に沿って受光面が形成された光電変換部と、 A photoelectric conversion portion receiving surface is formed along the semiconductor substrate surface,
    前記半導体基板面上に形成された配線及び絶縁膜を含む第1の積層膜と、 A first multilayer film including the semiconductor substrate wiring and an insulating film formed on the surface,
    前記第1の積層膜上に形成され、前記光電変換部に入射する光を変調する層内光学フィルタを含む第2の積層膜と、 Said formed on the first multilayer film, the second multilayer film including a layer in an optical filter for modulating the light incident on the photoelectric conversion unit,
    前記第2の積層膜上に配置されたレンズ層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、 A method of manufacturing a solid-state imaging device having a lens layer disposed on the second multilayer film,
    前記第1の積層膜上に所定膜厚を有するエッチングストッパ膜を形成する第1の工程と、 A first step of forming an etching stopper film having a predetermined thickness on the first lamination layer,
    前記第1の積層膜上のエッチングストッパ膜を下地として、前記層内光学フィルタとなる膜を積層する第2の工程と、 The etching stopper film on the first multilayer film as a base, and a second step of laminating a film to be the layer in the optical filter,
    前記層内光学フィルタとなる膜の面上にレジストをパターニングしてエッチングを行うことにより、前記光電変換部の受光領域に対応した層内光学フィルタを形成する第3の工程と、 By etching and patterning a resist on the surface of the film to be the layer in the optical filter, and a third step of forming a layer in an optical filter corresponding to the light receiving region of the photoelectric conversion unit,
    を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 Method of manufacturing a solid-state imaging device characterized by having a.
  16. 前記層内光学フィルタはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを交互に複数層積層して形成することを特徴とする請求項15記載の固体撮像素子の製造方法。 Method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 15, wherein said layer optical filter, which comprises forming a plurality layers laminating the silicon nitride film and a silicon oxide film alternately.
  17. 前記エッチングストッパ膜はシリコン窒化膜より形成することを特徴とする請求項15記載の固体撮像素子の製造方法。 The etching stopper film manufacturing method of a solid-state imaging device according to claim 15, wherein the forming the silicon nitride film.
  18. 前記エッチングストッパ膜はシリコン酸窒化膜より形成することを特徴とする請求項15記載の固体撮像素子の製造方法。 The etching stopper film manufacturing method of a solid-state imaging device according to claim 15, wherein the forming a silicon oxynitride film.
  19. 前記エッチングストッパ膜はポリシリコン膜より形成することを特徴とする請求項15記載の固体撮像素子の製造方法。 The etching stopper film manufacturing method of a solid-state imaging device according to claim 15, wherein the forming the polysilicon film.

JP2006235471A 2006-08-31 2006-08-31 Solid-state image pickup element and its manufacturing method Pending JP2008060320A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006235471A JP2008060320A (en) 2006-08-31 2006-08-31 Solid-state image pickup element and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006235471A JP2008060320A (en) 2006-08-31 2006-08-31 Solid-state image pickup element and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008060320A true JP2008060320A (en) 2008-03-13

Family

ID=39242717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006235471A Pending JP2008060320A (en) 2006-08-31 2006-08-31 Solid-state image pickup element and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008060320A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009223251A (en) * 2008-03-19 2009-10-01 Olympus Corp Image pickup apparatus
JP2011159985A (en) * 2011-03-22 2011-08-18 Sony Corp Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus
US20120187515A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate with lens formed therein
US8803068B2 (en) 2011-01-26 2014-08-12 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having a contiguous IR suppression filter and a transparent substrate
US8803270B2 (en) 2011-01-26 2014-08-12 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having IR cut and color pass interference filter integrated on-chip
US8809099B2 (en) 2011-01-26 2014-08-19 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip
US8928784B2 (en) 2009-02-10 2015-01-06 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2016103541A (en) * 2014-11-27 2016-06-02 キヤノン株式会社 The solid-state imaging device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353631A (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Sony Corp Manufacturing method of solid-state image pickup device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353631A (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Sony Corp Manufacturing method of solid-state image pickup device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009223251A (en) * 2008-03-19 2009-10-01 Olympus Corp Image pickup apparatus
US8928784B2 (en) 2009-02-10 2015-01-06 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US8809099B2 (en) 2011-01-26 2014-08-19 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip
US8749007B1 (en) 2011-01-26 2014-06-10 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate and diffuser formed therein
US8779540B2 (en) 2011-01-26 2014-07-15 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate with lens formed therein
US8791404B2 (en) 2011-01-26 2014-07-29 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having a transparent substrate, a contiguous IR suppression filter and through-substrate vias
US8803068B2 (en) 2011-01-26 2014-08-12 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having a contiguous IR suppression filter and a transparent substrate
US8803270B2 (en) 2011-01-26 2014-08-12 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having IR cut and color pass interference filter integrated on-chip
US20120187515A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate with lens formed therein
US9472696B1 (en) 2011-01-26 2016-10-18 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having a contiguous IR suppression filter and transparent substrate
US9129874B1 (en) 2011-01-26 2015-09-08 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip
US9224890B1 (en) 2011-01-26 2015-12-29 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate with lens formed therein
US9224884B2 (en) 2011-01-26 2015-12-29 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate and diffuser formed therein
US9472586B1 (en) 2011-01-26 2016-10-18 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor having transparent substrate and through-substrate vias and a contiguous IR suppression filter
JP2011159985A (en) * 2011-03-22 2011-08-18 Sony Corp Solid-state imaging apparatus, and electronic apparatus
JP2016103541A (en) * 2014-11-27 2016-06-02 キヤノン株式会社 The solid-state imaging device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9049392B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
JP4798232B2 (en) The solid-state imaging device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus
CN100530665C (en) Image sensor integrated circuit devices including a photo absorption layer and methods of forming the same
KR100687102B1 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
JP4436326B2 (en) Cmos image sensor
JP5358130B2 (en) Backside illuminated image sensor
KR100710210B1 (en) CMOS image sensor and method for fabricating the same
JP5422914B2 (en) Method of manufacturing a solid-state imaging device
CN102446937B (en) Solid-state imaging device, a solid-state imaging device manufacturing method and an electronic device
KR100477789B1 (en) Method for fabricating image sensor
JP4603851B2 (en) Method of manufacturing a Cmos image sensor
CN105244358B (en) Solid-state image pickup device, a manufacturing method thereof and an image pickup system
KR100660714B1 (en) Cmos image sensor with backside illumination and method for manufacturing the same
JP5745760B2 (en) Image sensor element
CN102893400B (en) Solid-state image pickup device and method for manufacturing same
JP2005142221A (en) Solid state imaging element and its manufacturing method
JP2011029337A (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
KR101504598B1 (en) A solid-state imaging device and a camera module
JP2005012189A (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP2006261372A (en) Solid-state image sensing device, its manufacturing method and imaging device
CN101180730B (en) An imaging device having a pixel cell with a transparent conductive interconnect line and the method of making the pixel cell
JP5247042B2 (en) The color filter array and image sensor
KR20080097715A (en) Image sensor and method for manufacturing thereof
JP5357441B2 (en) Method of manufacturing a solid-state imaging device
US7393477B2 (en) Method of fabricating microlens structure

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090819

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121016