JP2008053488A - Conductive paste, electronic component, laminated ceramic capacitor, and its manufacturing method - Google Patents

Conductive paste, electronic component, laminated ceramic capacitor, and its manufacturing method Download PDF

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JP2008053488A JP2006228643A JP2006228643A JP2008053488A JP 2008053488 A JP2008053488 A JP 2008053488A JP 2006228643 A JP2006228643 A JP 2006228643A JP 2006228643 A JP2006228643 A JP 2006228643A JP 2008053488 A JP2008053488 A JP 2008053488A
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Kazutaka Suzuki
和孝 鈴木
Shigeki Sato
佐藤  茂樹
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the provision of good electrode coverage, breakdown voltage, and DC equivalent resistance with the suppression of reduction of an electrostatic capacity, by effectively preventing the spherical formation of the particles, the interrupted electrode or the like, without producing any differences in the effect of increasing the sintering start temperature of conductive particles and with remarkable effect to the suppression of growth of the conductive particles even when especially profiles of internal electrode layers get thinner and the particle size distribution of the conductive particles varies. <P>SOLUTION: A conductive paste contains an alloy of Ni and noble metal as a main component, first conductive particles having an average particle size of 200 to 400 nm, and second conductive particles having an average particle size of 40 to 80 nm. An amount of the noble metal contained in all the conductive components in the paste exceeds 0.3 mol% and is not larger than 13 mol%. An amount of the noble metal contained in the first conductive particles is between 0.3 and 1.5 mol%, and an amount of the noble metal contained in the second conductive particles is between 3.3 and 10 mol%. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に係り、さらに詳しくは、内部電極層の厚みが薄層化した場合においても、焼成段階での導電性粒子の粒成長を抑制し、粒子の球状化や内部電極の途切れなどを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造工程に用いられる導電性ペーストに関する。   The present invention relates to a conductive paste, an electronic component, a multilayer ceramic capacitor, and a manufacturing method thereof. More specifically, even when the thickness of an internal electrode layer is reduced, the growth of conductive particles in the firing stage is performed. Suppresses and effectively prevents particle spheroidization and internal electrode breakage, and effectively suppresses the decrease in capacitance while maintaining other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent resistance, etc.) The present invention relates to a conductive paste used in a manufacturing process of an electronic component such as a multilayer ceramic capacitor.

電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に複数配置された積層構造の素子本体を有する。素子本体の両端部には、一対の外部端子電極が形成してある。この積層セラミックコンデンサは、まずセラミックグリーンシートと焼成前内部電極層とを必要枚数だけ交互に複数積層させて焼成前素子本体を製造し、次にこれを焼成した後、焼成後素子本体の両端部に一対の外部端子電極を形成して製造される。焼成前内部電極層は、所定パターンの内部電極ペースト膜や金属薄膜などが用いられる。   A multilayer ceramic capacitor as an example of an electronic component has an element body having a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers and internal electrode layers are alternately arranged. A pair of external terminal electrodes is formed at both ends of the element body. This multilayer ceramic capacitor is manufactured by first laminating a plurality of ceramic green sheets and pre-fired internal electrode layers alternately in a necessary number to produce a pre-fired element body, and then firing this, followed by both ends of the fired element body. And a pair of external terminal electrodes. As the internal electrode layer before firing, an internal electrode paste film or a metal thin film having a predetermined pattern is used.

このように、積層セラミックコンデンサの製造に際しては、セラミックグリーンシートと焼成前内部電極層とを同時に焼成することになる。このため、焼成前内部電極層に含まれる導電材には、セラミックグリーンシートに含まれる誘電体原料粉末の焼結温度に近い焼結温度を持つこと、誘電体粉末と反応しないこと、焼成後の誘電体層に拡散しないこと、などが要求される。   Thus, when manufacturing the multilayer ceramic capacitor, the ceramic green sheet and the internal electrode layer before firing are fired simultaneously. For this reason, the conductive material contained in the internal electrode layer before firing has a sintering temperature close to the sintering temperature of the dielectric material powder contained in the ceramic green sheet, does not react with the dielectric powder, It is required not to diffuse into the dielectric layer.

従来は、これらの要求を満足させるために、焼成前内部電極層に含まれる導電材には、PtやPdなどの貴金属を使用してきた。しかしながら、貴金属はそれ自体が高価であり、結果として最終的に得られる積層セラミックコンデンサがコスト高になるという欠点があった。そこで、従来は、誘電体粉末の焼結温度を900〜1100°Cに低下させ、焼成前内部電極層に含まれる導電材にAg−Pd合金を用いたり、Niなどの安価な卑金属を用いたものが広く知られている。   Conventionally, in order to satisfy these requirements, noble metals such as Pt and Pd have been used for the conductive material contained in the internal electrode layer before firing. However, the noble metal itself is expensive, and as a result, there is a disadvantage that the finally obtained multilayer ceramic capacitor is expensive. Therefore, conventionally, the sintering temperature of the dielectric powder is lowered to 900 to 1100 ° C., and an Ag—Pd alloy is used as the conductive material included in the internal electrode layer before firing, or an inexpensive base metal such as Ni is used. Things are widely known.

ところで、近年、各種電子機器の小型化により、電子機器の内部に装着される積層セラミックコンデンサの小型化および大容量化が進んでいる。この積層セラミックコンデンサの小型化および大容量化を進めるために、誘電体層はもとより、薄くて欠陥の少ない内部電極層を積層することが求められる。   By the way, in recent years, with the miniaturization of various electronic devices, miniaturization and large capacity of the multilayer ceramic capacitor mounted inside the electronic device are progressing. In order to reduce the size and increase the capacity of the multilayer ceramic capacitor, it is required to stack not only a dielectric layer but also a thin internal electrode layer with few defects.

しかしながら、焼成前内部電極層に含まれる導電材にNiを用いた場合を例示すると、このNiは、セラミックグリーンシートに含まれる誘電体粉末と比較して融点が低い。このため、これらを同時焼成した場合、両者の焼結温度の間で大きな差が生じていた。焼結温度に大きな差がある場合に高い温度で焼結させると、内部電極層の割れや剥離が生じ、一方、低い温度で焼結させると、誘電体粉末の焼成不良を生じることがある。   However, when Ni is used as the conductive material contained in the internal electrode layer before firing, this Ni has a lower melting point than the dielectric powder contained in the ceramic green sheet. For this reason, when these were baked simultaneously, the big difference had arisen between both sintering temperature. If there is a large difference in sintering temperature, sintering at a high temperature will cause cracking and peeling of the internal electrode layer, while sintering at a low temperature may cause firing failure of the dielectric powder.

また、焼成前内部電極層の厚みを薄くしていくと、還元雰囲気での焼成中に、導電材に含まれるNi粒子は粒成長により球状化し、焼成前には連結していた隣接するNi粒子同士の間隔が開いて任意の箇所に空孔を生じ、その結果、焼成後内部電極層を連続的に形成することが困難になる。焼成後の内部電極層が連続していない(途切れている)場合、積層セラミックコンデンサの静電容量が低下するという問題がある。   Further, when the thickness of the internal electrode layer before firing is reduced, Ni particles contained in the conductive material are spheroidized by grain growth during firing in a reducing atmosphere, and adjacent Ni particles that were connected before firing The space | interval between them opens and a void | hole is produced in arbitrary places, As a result, it becomes difficult to form an internal electrode layer continuously after baking. When the internal electrode layer after firing is not continuous (disconnected), there is a problem that the capacitance of the multilayer ceramic capacitor is reduced.

そこで、本出願人は、これらの課題を解決するために、下記の特許文献1に示すように、Ni粒子の周囲を白金層で被覆してある導電性粒子と、スパッタリングによりNiと貴金属との合金薄膜を作製し、この薄膜を粉砕して合金粉を得て、内部電極層形成用とした導電性粒子と、を開示している。このように構成してある導電性粒子を用いることにより、特に内部電極層の各厚みが薄層化した場合でも、焼成段階でのNi粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制することができることを見出した。   Therefore, in order to solve these problems, the present applicant, as shown in Patent Document 1 below, includes conductive particles in which the periphery of Ni particles is covered with a platinum layer, and Ni and a noble metal by sputtering. An alloy thin film is prepared, and the thin film is pulverized to obtain an alloy powder, which is disclosed as conductive particles for forming an internal electrode layer. By using the conductive particles configured in this way, even when the thickness of the internal electrode layer is reduced, the grain growth of Ni particles in the firing stage is suppressed, and spheroidization and electrode breakage are effective. It was found that the decrease in capacitance can be effectively suppressed.

しかしながら、Ni粒子を白金で被覆した粒子の場合には、以下のような問題が生じた。すなわち、Ni粒子を白金で被覆した粒子は、被覆層の厚みが一定であると考えた場合、Ni粒子の径によりNiと白金の組成比率が異なってしまう問題がある。つまり、Ni粒子の粒子径が大きい場合には、白金に対して相対的にNiの含有量が多くなり、逆に、Ni粒子の粒子径が小さい場合には、白金に対して相対的にNiの含有量が少なくなる。   However, in the case of particles in which Ni particles are coated with platinum, the following problems occur. That is, the particle | grains which coat | covered Ni particle | grains with platinum have the problem that the composition ratio of Ni and platinum will differ with the diameter of Ni particle | grains, when the thickness of a coating layer is considered constant. That is, when the particle diameter of the Ni particles is large, the Ni content is relatively large with respect to platinum. Conversely, when the particle diameter of the Ni particles is small, the Ni content is relatively small with respect to platinum. The content of is reduced.

コア粒子の粒度分布にバラツキがなければ、1粒子ごとの組成は均一のはずであるが、実際には、Ni粒子の粒度分布にはバラツキがある。このため、内部電極層内で、粒子径の大きいNi粒子が多く集まっているところでは、相対的に白金の含有量が少なくなり、Ni粒子の粒成長の抑制、球状化の防止、内部電極の途切れなどの効果が小さい。逆に、粒子径の小さいNi粒子が多く集まっているところでは、相対的に白金の含有量が多くなり、Ni粒子の粒成長の抑制などの効果が大きい。その結果、静電容量値は満足するが、球状化が抑制されている部分と抑制されていない部分とが生じ、内部電極の厚みのバラツキが大きくなる。したがって、誘電体層の厚みのバラツキも大きくなるため、破壊電圧(VB)値が上がらない。   If there is no variation in the particle size distribution of the core particles, the composition of each particle should be uniform, but actually, the particle size distribution of the Ni particles varies. For this reason, in the internal electrode layer, where a large amount of Ni particles having a large particle diameter are gathered, the content of platinum is relatively reduced, suppressing grain growth of Ni particles, preventing spheroidization, Small effects such as breaks. Conversely, where a large number of Ni particles having a small particle diameter are gathered, the platinum content is relatively large, and effects such as suppression of grain growth of Ni particles are great. As a result, although the electrostatic capacitance value is satisfied, a portion where the spheroidization is suppressed and a portion where the spheroidization is not suppressed are generated, and the variation in the thickness of the internal electrode is increased. Accordingly, the variation in the thickness of the dielectric layer also increases, and the breakdown voltage (VB) value does not increase.

また、Niと貴金属との合金粉の場合には、焼成前の内部電極層において、各粒子の充填性が低いという問題があった。その結果、静電容量値は満足するが、焼成後の内部電極層において、電極の途切れが生じ、電極被覆率が低下し、さらには、破壊電圧値や直流等価抵抗が悪化する問題が生じた。   Further, in the case of an alloy powder of Ni and a noble metal, there is a problem that the filling property of each particle is low in the internal electrode layer before firing. As a result, the capacitance value is satisfactory, but in the internal electrode layer after firing, the electrode is interrupted, the electrode coverage is reduced, and further, the breakdown voltage value and the DC equivalent resistance are deteriorated. .

さらに、上記の2種類の導電性粒子を製造するには、合金粒子の場合、スパッタリング等の工程が増え、製造プロセスが長くなるという課題があった。また、被覆粒子の場合には、Ni粒子の周囲に白金を析出させる際に、数μm以上の白金の偏析粒子が生成し、Ni粒子が白金で被膜されない場合があり、被覆粒子の製造効率が悪いという課題があった。そのため、上記の2種類の導電性粒子は、安価に作製できないというデメリットがある。
国際公開第2004/070748号パンフレット
Furthermore, in order to produce the above-described two kinds of conductive particles, in the case of alloy particles, there is a problem that the number of steps such as sputtering increases and the production process becomes long. In the case of coated particles, when platinum is precipitated around the Ni particles, platinum segregated particles of several μm or more are generated, and the Ni particles may not be coated with platinum. There was a problem of being bad. Therefore, the above-mentioned two kinds of conductive particles have a demerit that they cannot be produced at low cost.
International Publication No. 2004/070748 Pamphlet

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に内部電極層の各厚みが薄層化した場合であっても、内部電極層の全体にわたり、導電性粒子の粒成長を抑制する効果に差が生じず、導電性粒子の球状化、電極途切れなどを有効に防止でき、静電容量の低下を効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる導電性ペーストを提供することである。本発明の別の目的は、前記導電性ペーストを用いて形成された内部電極層と、誘電体層とを有する積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such a situation, and the object thereof is to suppress the growth of conductive particles throughout the internal electrode layer even when the thickness of the internal electrode layer is particularly reduced. There is no difference in the effect of conducting, effectively preventing spheroidization of conductive particles, electrode breakage, etc., while effectively suppressing the decrease in capacitance, other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent) It is to provide a conductive paste capable of improving resistance and the like. Another object of the present invention is to provide an electronic component such as a multilayer ceramic capacitor having an internal electrode layer formed using the conductive paste and a dielectric layer, and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために、本発明に係る導電性ペーストは、
ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が200nm以上、400nm以下である第1導電性粒子と、
ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が40nm以上、80nm以下である第2導電性粒子と、を含有する導電性ペーストであって、
前記導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下であり、
前記第1導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、0.3モル%以上、1.5モル%以下であり、
前記第2導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、3.3モル%以上、10モル%以下であることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the conductive paste according to the present invention comprises:
First conductive particles mainly composed of an alloy of nickel and a noble metal and having an average particle diameter of 200 nm or more and 400 nm or less;
A conductive paste containing an alloy of nickel and a noble metal as a main component and second conductive particles having an average particle diameter of 40 nm or more and 80 nm or less,
The content of the noble metal with respect to all the conductive components in the conductive paste is more than 0.3 mol% and not more than 13 mol%,
The content ratio of the noble metal in the first conductive particles is 0.3 mol% or more and 1.5 mol% or less,
The content ratio of the noble metal in the second conductive particles is 3.3 mol% or more and 10 mol% or less.

本発明に係る導電性ペーストには、Niと貴金属との合金を主成分とする導電性粒子を含有させる。貴金属は、Niよりも融点が高く、誘電体層との濡れ性および密着性に優れている。したがって、Niと貴金属との合金を主成分とする導電性粒子は、Ni粒子よりも焼結温度が高いため、焼結開始温度を高くすることができ、導電性粒子の球状化が抑制できる。   The conductive paste according to the present invention contains conductive particles mainly composed of an alloy of Ni and a noble metal. The noble metal has a higher melting point than Ni and is excellent in wettability and adhesion to the dielectric layer. Therefore, since the conductive particles mainly composed of an alloy of Ni and a noble metal have a sintering temperature higher than that of the Ni particles, the sintering start temperature can be increased and the spheroidization of the conductive particles can be suppressed.

また、Niと貴金属との合金を主成分とする導電性粒子として、平均粒子径が200〜400nm、好ましくは、200〜350nmである第1導電性粒子と、平均粒子径が40〜80nm、好ましくは、45〜75nmである第2導電性粒子とを使用する。導電性ペースト中に、比較的に粒子径の大きい第1導電性粒子と、比較的に粒子径の小さい第2導電性粒子とが含まれることで、この導電性ペーストを用いて形成された電極ペースト膜において、粒子径の大きい第1導電性粒子の粒子間に、粒子径の小さい第2導電性粒子が充填される。その結果、電極ペースト膜における各粒子の充填性が良くなるため、電極ペースト膜の密度が上がり、焼成後においても内部電極層の途切れが少なくなる傾向にある。   Further, as the conductive particles mainly composed of an alloy of Ni and a noble metal, the first conductive particles having an average particle diameter of 200 to 400 nm, preferably 200 to 350 nm, and the average particle diameter of 40 to 80 nm, preferably Uses second conductive particles that are 45-75 nm. An electrode formed using the conductive paste by including the first conductive particles having a relatively large particle diameter and the second conductive particles having a relatively small particle diameter in the conductive paste. In the paste film, the second conductive particles having a small particle size are filled between the particles of the first conductive particles having a large particle size. As a result, the filling property of each particle in the electrode paste film is improved, so that the density of the electrode paste film is increased and the discontinuity of the internal electrode layer tends to be reduced even after firing.

また、導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下、好ましくは、0.3モル超、5.0モル%以下である。貴金属の含有量が少なすぎると、本発明の効果が得られない傾向にあり、一方、貴金属の含有量が多すぎると、tanδおよび直流等価抵抗が悪化する傾向にある。   Further, the content of the noble metal with respect to all the conductive components in the conductive paste is more than 0.3 mol% and 13 mol% or less, preferably more than 0.3 mol and 5.0 mol% or less. If the content of the noble metal is too small, the effects of the present invention tend not to be obtained. On the other hand, if the content of the noble metal is too large, tan δ and DC equivalent resistance tend to deteriorate.

さらに、第1導電性粒子における貴金属の含有割合(貴金属濃度)を、0.3〜1.5モル%、好ましくは、0.5〜1.3モル%とし、第2導電性粒子における貴金属の含有割合(貴金属濃度)を、3.3〜10モル%、好ましくは、4〜8モル%とする。この場合には、粒子径の大きい第1導電性粒子の粒子間に、粒径の小さい第2導電性粒子は充填されており、かつ、第2導電性粒子は、第1導電性粒子よりも貴金属濃度が高いため、焼結温度が高い。したがって、焼成時において、第2導電性粒子は、第1導電性粒子同士の焼結を遅らせる働きがある。すなわち、第1導電性粒子における貴金属濃度を高くしなくても、第1導電性粒子の焼結開始温度を上昇させることができ、第1導電性粒子の球状化を効果的に抑制できる。   Further, the content ratio (noble metal concentration) of the noble metal in the first conductive particles is 0.3 to 1.5 mol%, preferably 0.5 to 1.3 mol%, and the noble metal content in the second conductive particles is The content ratio (noble metal concentration) is 3.3 to 10 mol%, preferably 4 to 8 mol%. In this case, the second conductive particles having a small particle size are filled between the particles of the first conductive particles having a large particle size, and the second conductive particles are more than the first conductive particles. Due to the high precious metal concentration, the sintering temperature is high. Therefore, at the time of firing, the second conductive particles have a function of delaying the sintering of the first conductive particles. That is, the sintering start temperature of the first conductive particles can be increased without increasing the noble metal concentration in the first conductive particles, and the spheroidization of the first conductive particles can be effectively suppressed.

したがって、本発明の導電性ペーストでは、内部電極層が薄層化されたとしても、さらには、第1導電性粒子の粒度分布にバラツキがあったとしても、焼成段階での導電性粒子の焼結開始温度を上昇させる効果に差が生じない。その結果、導電性粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れなどを有効に防止できるため、静電容量の低下を効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる。   Therefore, in the conductive paste of the present invention, even if the internal electrode layer is thinned, and even if there is a variation in the particle size distribution of the first conductive particles, the conductive particles are fired at the firing stage. There is no difference in the effect of increasing the starting temperature. As a result, it is possible to suppress the grain growth of the conductive particles and effectively prevent spheroidization, electrode breakage, etc., so that other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent resistance, etc.) can be improved.

これに対して、前述した特許文献1(国際公開第2004/070748号パンフレット)に記載の貴金属被覆Ni粒子の場合には、コアとなるNi粒子の粒度バラツキが大きくなると、各粒子における組成比率が異なり、電極層の箇所によって、球状化および途切れ防止に効果が大きい部分と小さい部分が生じてしまう。その結果、静電容量を満足するデータは得られるが、充分な電極被覆率が得られず、破壊電圧や直流等価抵抗などの電気特性を改善できない。   On the other hand, in the case of the noble metal-coated Ni particles described in Patent Document 1 (International Publication No. 2004/070748 pamphlet) described above, when the particle size variation of the core Ni particles increases, the composition ratio in each particle In contrast, depending on the location of the electrode layer, a portion having a large effect and a portion having a small effect on prevention of spheroidization and breakage are generated. As a result, data satisfying the capacitance can be obtained, but sufficient electrode coverage cannot be obtained, and electrical characteristics such as breakdown voltage and DC equivalent resistance cannot be improved.

また、特許文献1に記載されたNiと貴金属との合金粒子のみを含む従来の導電性ペーストに比較して、本発明の導電性ペーストは、次に示す作用効果を有する。すなわち、本発明の導電性ペーストの導電性粒子は、比較的に粒子径が大きく貴金属濃度が低い第1導電性粒子と、比較的に粒子径が小さく貴金属濃度が高い第2導電性粒子とに分かれている。第2導電性粒子は、第1導電性粒子よりも貴金属濃度が高いため、焼結開始温度が高い。また、粒子径の差を利用して、第1導電性粒子の粒子間に第2導電性粒子が充填させることが可能であり、焼成前の電極ペースト膜の密度を上げることができる。したがって、焼成時には、第2導電性粒子が、第1導電性粒子同士の焼結を遅らせ、第1導電性粒子の焼結開始温度を上昇させることができる。その結果、静電容量の低下を抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる。   Moreover, compared with the conventional electroconductive paste containing only the alloy particle | grains of Ni and a noble metal described in patent document 1, the electroconductive paste of this invention has the effect shown next. That is, the conductive particles of the conductive paste of the present invention include first conductive particles having a relatively large particle size and a low precious metal concentration, and second conductive particles having a relatively small particle size and a high precious metal concentration. I know. Since the second conductive particles have a higher precious metal concentration than the first conductive particles, the sintering start temperature is high. Further, by utilizing the difference in particle diameter, the second conductive particles can be filled between the particles of the first conductive particles, and the density of the electrode paste film before firing can be increased. Therefore, at the time of firing, the second conductive particles can delay the sintering of the first conductive particles and increase the sintering start temperature of the first conductive particles. As a result, it is possible to improve other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent resistance, etc.) while suppressing a decrease in capacitance.

なお、本発明において、第1導電性粒子の平均粒子径が小さすぎると、他の添加材との分散性が低下すると共に、電極ペースト膜の密度が低下し、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗が悪化する傾向にある。また、第1導電性粒子の平均粒子径が大きすぎると、第1導電性粒子の充填性が悪くなるため、ペースト膜の表面が粗くなり、さらには、内部電極層の薄層化も困難になる。その結果、焼結後の電極途切れが多くなる傾向にある。また、第2導電性粒子の平均粒子径が大きすぎると、第1導電性粒子の粒子間に、第2導電性粒子が充填されにくく、電極ペースト膜の密度が上がらない傾向にある。また、第2導電性粒子の平均粒子径が小さすぎると、粒子の製造が困難になると共に、導電性ペーストの粘度が高くなり、電極の印刷が困難になる傾向にある。   In the present invention, if the average particle size of the first conductive particles is too small, the dispersibility with other additives is lowered, the density of the electrode paste film is lowered, and the electrode coverage, breakdown voltage, DC Equivalent resistance tends to deteriorate. In addition, if the average particle diameter of the first conductive particles is too large, the filling property of the first conductive particles is deteriorated, the surface of the paste film becomes rough, and further, it is difficult to make the internal electrode layer thin. Become. As a result, electrode discontinuity after sintering tends to increase. On the other hand, if the average particle diameter of the second conductive particles is too large, the second conductive particles are hardly filled between the particles of the first conductive particles, and the density of the electrode paste film tends not to increase. On the other hand, if the average particle diameter of the second conductive particles is too small, it is difficult to produce the particles, and the viscosity of the conductive paste is increased, which tends to make it difficult to print the electrode.

好ましくは、前記貴金属が、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)およびオスミウム(Os)から選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする。より好ましくは、Reである。   Preferably, the noble metal contains at least one element selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir) and osmium (Os) as a main component. More preferably, it is Re.

好ましくは、前記導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記第1導電性粒子と前記第2導電性粒子との含有割合が、重量比で、第1導電性粒子:第2導電性粒子=70:30〜99:1、好ましくは、75:25〜95:5の範囲である。第1導電性粒子の含有割合が少なすぎる(第2導電性粒子の含有割合が多すぎる)と、焼成後の電極層の貴金属濃度ムラが大きくなり、その結果、電極被覆率、静電容量、破壊電圧、直流等価抵抗が低下する。第1導電性粒子の含有割合が多すぎる(第2導電性粒子の含有割合が少なすぎる)と、第1導電性粒子の粒子間に、第2導電性粒子が充填されない部分が存在し、本発明の作用効果が小さくなる傾向にある。   Preferably, the content ratio of the first conductive particles and the second conductive particles to the total conductive components in the conductive paste is, by weight ratio, the first conductive particles: second conductive particles = 70. : 30 to 99: 1, preferably 75:25 to 95: 5. If the content ratio of the first conductive particles is too small (the content ratio of the second conductive particles is too large), the noble metal concentration unevenness of the electrode layer after firing becomes large. As a result, the electrode coverage, capacitance, The breakdown voltage and DC equivalent resistance are reduced. When the content ratio of the first conductive particles is too large (the content ratio of the second conductive particles is too small), there is a portion that is not filled with the second conductive particles between the particles of the first conductive particles. There exists a tendency for the effect of invention to become small.

好ましくは、前記導電性ペーストは、前記第1導電性粒子および前記第2導電性粒子以外に、共材粒子、バインダー、溶剤および分散剤を含有する。共材粒子は、電子部品の誘電体層を構成する誘電体粒子と同様の組成を有する誘電体粒子であり、導電性粒子の周囲に介在され、導電性粒子の粒成長を抑制する。共材粒子を、比較的に粒子径が小さく貴金属濃度が高い第2導電性粒子と共に、導電性ペースト中に含ませることで、共材粒子と第2導電性粒子とが、第1導電性粒子の周囲に分散し、より効果的に、第1導電性粒子の球状化を抑制することができる。   Preferably, the conductive paste contains co-material particles, a binder, a solvent, and a dispersant in addition to the first conductive particles and the second conductive particles. The co-material particles are dielectric particles having the same composition as the dielectric particles constituting the dielectric layer of the electronic component, and are interposed around the conductive particles to suppress the growth of the conductive particles. By including the common material particles in the conductive paste together with the second conductive particles having a relatively small particle size and a high precious metal concentration, the common material particles and the second conductive particles become the first conductive particles. It is possible to suppress the spheroidization of the first conductive particles more effectively.

本発明に係る電子部品の製造方法は、内部電極層と誘電体層とを有する電子部品を製造する方法であって、
上記のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて、焼成後に内部電極層となる電極ペースト膜を形成する工程と、
前記電極ペースト膜を、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと積層させる工程と、
前記グリーンシートと前記電極ペースト膜との積層体を焼成する工程と、
前記積層体を焼成した後に、焼成後の前記積層体をアニールする工程と、を有する。
An electronic component manufacturing method according to the present invention is a method of manufacturing an electronic component having an internal electrode layer and a dielectric layer,
Using the conductive paste according to any one of the above, a step of forming an electrode paste film that becomes an internal electrode layer after firing,
Laminating the electrode paste film with a green sheet that becomes a dielectric layer after firing;
Firing a laminate of the green sheet and the electrode paste film;
And annealing the laminated body after firing after firing the laminated body.

前記電極ペースト膜と前記グリーンシートとの間には、接着層を介在させても良い。グリーンシートおよび電極ペースト膜が薄層化されると、通常の印刷法などによりグリーンシートの表面に電極ペースト膜を形成することが困難になる傾向にあり、電極ペースト膜は、転写法によりグリーンシートの表面に積層されることが好ましい。その場合において、電極ペースト膜とグリーンシートとの接着が困難になる傾向にあり、これらは接着層により接着させることが好ましい。なお、接着層は、積層体の脱バインダ処理および/または焼成処理により除去される。   An adhesive layer may be interposed between the electrode paste film and the green sheet. If the green sheet and the electrode paste film are made thin, it tends to be difficult to form the electrode paste film on the surface of the green sheet by a normal printing method or the like. It is preferable to be laminated on the surface. In that case, adhesion between the electrode paste film and the green sheet tends to be difficult, and these are preferably adhered by an adhesive layer. Note that the adhesive layer is removed by a binder removal treatment and / or a firing treatment of the laminate.

好ましくは、乾燥後の前記電極ペースト膜の密度が、乾燥後の前記電極ペースト膜の理論密度の90%以上である。上記のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて、電極ペースト膜を形成した場合には、前記電極ペースト膜を乾燥させる。乾燥は、電極ペースト膜中に含まれている溶剤などの揮発成分を除去するために行われる。乾燥温度は、特に限定されないが、好ましくは70〜120°Cであり、乾燥時間は、好ましくは1〜30分である。   Preferably, the density of the electrode paste film after drying is 90% or more of the theoretical density of the electrode paste film after drying. When an electrode paste film is formed using any of the conductive pastes described above, the electrode paste film is dried. Drying is performed to remove volatile components such as a solvent contained in the electrode paste film. The drying temperature is not particularly limited, but is preferably 70 to 120 ° C., and the drying time is preferably 1 to 30 minutes.

この乾燥後の電極ペースト膜には、構成成分として、不揮発成分である導電性粒子、共材、バインダ、分散剤等が含まれる。乾燥後の電極ペースト膜の実際の密度と、構成成分の密度および配合比から算出される理論的な電極ペースト膜の密度(電極ペースト膜の理論密度)とから、以下に示す相対ペースト膜密度が算出される。
相対ペースト膜密度[%]=(乾燥後の電極ペースト膜の実際の密度/電極ペースト膜の理論密度)×100
相対ペースト膜密度は、電極ペースト膜における構成成分の充填性を表しており、好ましくは、90%以上である。相対ペースト膜密度が低すぎると、ペースト膜中の各構成成分の分散性が悪く、焼成後の電極被覆率が悪化する傾向にある。
The dried electrode paste film includes conductive particles, co-materials, binders, dispersants, and the like, which are non-volatile components, as constituent components. From the actual density of the electrode paste film after drying and the theoretical electrode paste film density (theoretical density of the electrode paste film) calculated from the density and composition ratio of the components, the relative paste film density shown below is Calculated.
Relative paste film density [%] = (actual density of electrode paste film after drying / theoretical density of electrode paste film) × 100
The relative paste film density represents the filling property of the constituent components in the electrode paste film, and is preferably 90% or more. If the relative paste film density is too low, the dispersibility of each component in the paste film is poor, and the electrode coverage after firing tends to deteriorate.

好ましくは、前記積層体を、10−10 〜10−2Paの酸素分圧を持つ雰囲気中で、1000〜1300°Cの温度で焼成する。 Preferably, the laminate is fired at a temperature of 1000 to 1300 ° C. in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10 −10 to 10 −2 Pa.

好ましくは、前記積層体を焼成した後に、10−2〜100Paの酸素分圧を持つ雰囲気中で、1200°C以下の温度でアニールする。上記焼成後に、特定の条件でアニールすることで、誘電体層の再酸化が図られ、誘電体層の半導体化を阻止し、高い絶縁抵抗を取得することができる。 Preferably, after firing the laminate, annealing is performed at a temperature of 1200 ° C. or lower in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10 −2 to 100 Pa. After the firing, annealing is performed under specific conditions, whereby the dielectric layer is re-oxidized, preventing the dielectric layer from becoming a semiconductor, and high insulation resistance can be obtained.

好ましくは、上記のいずれかに記載の方法により製造された電子部品が有する前記内部電極層の厚みが、0.1〜0.7μm、さらに好ましくは、0.1〜0.5μmである。本発明の導電性ペーストを用いることで、内部電極層の薄層化を実現することができる。   Preferably, the thickness of the internal electrode layer of the electronic component manufactured by any one of the methods described above is 0.1 to 0.7 μm, and more preferably 0.1 to 0.5 μm. By using the conductive paste of the present invention, the internal electrode layer can be thinned.

好ましくは、焼成およびアニール後の前記内部電極層が前記誘電体層を覆う理想の設計面積に対して、焼成およびアニール後の前記内部電極層が前記誘電体層を実際に覆う面積の割合を示す電極被覆率が、80%以上である。電極被覆率が小さくなると、焼成後の内部電極層における途切れが多くなるので、結果として、静電容量が低下する傾向にある。   Preferably, a ratio of an area where the internal electrode layer after firing and annealing actually covers the dielectric layer to an ideal design area where the internal electrode layer after firing and annealing covers the dielectric layer is shown. The electrode coverage is 80% or more. When the electrode coverage is reduced, the discontinuity in the internal electrode layer after firing increases, and as a result, the capacitance tends to decrease.

本発明において、前記誘電体層が、還元雰囲気焼成が可能な誘電体材料で構成してあることが好ましい。内部電極層は、Niと貴金属との合金で構成されるので、同時焼成時に酸化しないように、誘電体層は、還元雰囲気焼成が可能な誘電体材料で構成することが好ましい。   In the present invention, the dielectric layer is preferably composed of a dielectric material that can be fired in a reducing atmosphere. Since the internal electrode layer is made of an alloy of Ni and a noble metal, the dielectric layer is preferably made of a dielectric material that can be fired in a reducing atmosphere so as not to be oxidized during simultaneous firing.

なお、本発明で用いることができるグリーンシートの材質および製造方法などは、特に限定されず、ドクターブレード法により成形されるセラミックグリーンシート、押出成形されたフィルムを二軸延伸して得られる多孔質のセラミックグリーンシートなどであっても良い。   In addition, the material and manufacturing method of the green sheet that can be used in the present invention are not particularly limited, and the ceramic green sheet formed by the doctor blade method, the porous obtained by biaxially stretching the extruded film A ceramic green sheet or the like may be used.

また、本発明において、電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装(SMD)チップ型電子部品が例示される。   In the present invention, the electronic component is not particularly limited, and examples thereof include multilayer ceramic capacitors, piezoelectric elements, chip inductors, chip varistors, chip thermistors, chip resistors, and other surface mount (SMD) chip type electronic components. .

以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、
図1は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図、
図2は、本発明の一実施形態に係る導電性ペーストの概略図、
図3(A)〜図3(C)および図4(A)〜図4(C)は、電極ペースト膜の転写方法を示す要部断面図、
図5は、CVD法による本発明の導電性粒子の製造装置の模式図、
図6(A)は図2に示す導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図、図6(B)は従来例に係る貴金属被覆Ni粒子を含む導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図、図6(C)は、従来例に係るNiと貴金属との合金粒子を含む導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図である。
Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments shown in the drawings. put it here,
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of a conductive paste according to an embodiment of the present invention,
3 (A) to 3 (C) and FIGS. 4 (A) to 4 (C) are main part sectional views showing a method of transferring the electrode paste film,
FIG. 5 is a schematic view of an apparatus for producing conductive particles of the present invention by a CVD method,
6A is a schematic diagram of an electrode paste film formed using the conductive paste shown in FIG. 2, and FIG. 6B is an electrode formed using a conductive paste containing noble metal-coated Ni particles according to a conventional example. FIG. 6C is a schematic diagram of a paste film, and FIG. 6C is a schematic diagram of an electrode paste film formed using a conductive paste containing alloy particles of Ni and noble metal according to a conventional example.

まず、本発明に係る電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。   First, an overall configuration of a multilayer ceramic capacitor will be described as an embodiment of an electronic component according to the present invention.

図1に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ2は、コンデンサ素体4と、第1端子電極6と、第2端子電極8とを有する。コンデンサ素体4は、誘電体層10と、内部電極層12とを有し、誘電体層10の間に、これらの内部電極層12が交互に積層してある。交互に積層される一方の内部電極層12は、コンデンサ素体4の第1端部4aの外側に形成してある第1端子電極6の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層12は、コンデンサ素体4の第2端部4bの外側に形成してある第2端子電極8の内側に対して電気的に接続してある。   As shown in FIG. 1, the multilayer ceramic capacitor 2 according to the present embodiment includes a capacitor body 4, a first terminal electrode 6, and a second terminal electrode 8. The capacitor body 4 includes dielectric layers 10 and internal electrode layers 12, and the internal electrode layers 12 are alternately stacked between the dielectric layers 10. One internal electrode layer 12 that is alternately stacked is electrically connected to the inside of the first terminal electrode 6 that is formed outside the first end 4 a of the capacitor body 4. Further, the other internal electrode layers 12 stacked alternately are electrically connected to the inside of the second terminal electrode 8 formed outside the second end portion 4 b of the capacitor body 4.

誘電体層10の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび/またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。この誘電体層10は、好ましくは、還元雰囲気焼成が可能な誘電体材料で構成してある。   The material of the dielectric layer 10 is not particularly limited, and is made of a dielectric material such as calcium titanate, strontium titanate and / or barium titanate. The dielectric layer 10 is preferably made of a dielectric material that can be fired in a reducing atmosphere.

各誘電体層10の厚みは、特に限定されないが、数μm〜数百μmのものが一般的である。特に本実施形態では、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下に薄層化されている。   The thickness of each dielectric layer 10 is not particularly limited, but is generally several μm to several hundred μm. In particular, in this embodiment, the thickness is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less.

本実施形態では、図1に示す各内部電極層12は、ニッケルと貴金属との合金層で構成してある。内部電極層12の詳細な製造方法に関しては、後述するが、図2に示す導電性ペースト12aを用いて形成され、図3〜4に示すように、電極ペースト膜12bをグリーンシート10aに転写して形成される。内部電極層12の厚みは、焼成による水平方向の収縮分だけ電極ペースト膜12bよりも厚くなる。なお、図2においては、導電性粒子と共材以外の成分の図示は省略した。   In this embodiment, each internal electrode layer 12 shown in FIG. 1 is composed of an alloy layer of nickel and a noble metal. Although a detailed manufacturing method of the internal electrode layer 12 will be described later, it is formed using the conductive paste 12a shown in FIG. 2, and the electrode paste film 12b is transferred to the green sheet 10a as shown in FIGS. Formed. The thickness of the internal electrode layer 12 is thicker than that of the electrode paste film 12b by the amount of horizontal contraction caused by firing. In FIG. 2, illustration of components other than the conductive particles and the common material is omitted.

端子電極6および8の材質も特に限定されないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極6および8の厚みも特に限定されないが、通常10〜50μm程度である。   Although the material of the terminal electrodes 6 and 8 is not particularly limited, copper, a copper alloy, nickel, a nickel alloy, or the like is usually used, but silver, an alloy of silver and palladium, or the like can also be used. The thickness of the terminal electrodes 6 and 8 is not particularly limited, but is usually about 10 to 50 μm.

積層セラミックコンデンサ2の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサ2が直方体形状の場合は、通常、縦(0.6〜5.6mm、好ましくは0.6〜3.2mm)×横(0.3〜5.0mm、好ましくは0.3〜1.6mm)×厚み(0.1〜1.9mm、好ましくは0.3〜1.6mm)程度である。   The shape and size of the multilayer ceramic capacitor 2 may be appropriately determined according to the purpose and application. When the multilayer ceramic capacitor 2 has a rectangular parallelepiped shape, it is usually vertical (0.6 to 5.6 mm, preferably 0.6 to 3.2 mm) × horizontal (0.3 to 5.0 mm, preferably 0.3 to 1.6 mm) × thickness (0.1 to 1.9 mm, preferably 0.3 to 1.6 mm).

次に、積層セラミックコンデンサ2の製造方法の一例を説明する。
まず、焼成後に図1に示す誘電体層10を構成することになるセラミックグリーンシートを製造するために、誘電体ペーストを準備する。誘電体ペーストは、通常、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。
Next, an example of a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor 2 will be described.
First, a dielectric paste is prepared in order to manufacture a ceramic green sheet that will form the dielectric layer 10 shown in FIG. 1 after firing. The dielectric paste is usually composed of an organic solvent-based paste obtained by kneading a dielectric material and an organic vehicle, or an aqueous paste.

誘電体原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体原料は、通常、平均粒子径が0.1〜3.0μm程度の粉末として用いられる。なお、きわめて薄いグリーンシートを形成するためには、グリーンシート厚みよりも細かい粉末を使用することが望ましい。   As the dielectric material, various compounds to be complex oxides and oxides, for example, carbonates, nitrates, hydroxides, organometallic compounds, and the like are appropriately selected and used by mixing. The dielectric material is usually used as a powder having an average particle size of about 0.1 to 3.0 μm. In order to form a very thin green sheet, it is desirable to use a powder finer than the thickness of the green sheet.

有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダが例示される。   An organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent. The binder used for the organic vehicle is not particularly limited, and examples thereof include various usual binders such as ethyl cellulose, polyvinyl butyral, and acrylic resin.

また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も特に限定されず、テルピネオール、アルコール、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、トルエン、キシレン、酢酸エチル、ステアリン酸ブチル、ブチルカルビトール、イソボニルアセテートなどの通常の有機溶剤が例示される。また、誘電体ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。   Also, the organic solvent used in the organic vehicle is not particularly limited, and usual organic solvents such as terpineol, alcohol, acetone, methyl ethyl ketone (MEK), toluene, xylene, ethyl acetate, butyl stearate, butyl carbitol, isobornyl acetate, etc. Is exemplified. Further, the dielectric paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, glass frit, insulators and the like as required.

次に、上記誘電体ペーストを用いて、ドクターブレード法などにより、図4(A)に示すように、第2支持シートとしてのキャリアシート30上に、好ましくは0.5〜30μm、より好ましくは0.5〜10μm程度の厚みで、グリーンシート10aを形成する。グリーンシート10aは、キャリアシート30に形成された後に乾燥される。グリーンシート10aの乾燥温度は、好ましくは50〜100°Cであり、乾燥時間は、好ましくは1〜5分である。   Next, using the dielectric paste, by a doctor blade method or the like, as shown in FIG. 4A, on the carrier sheet 30 as the second support sheet, preferably 0.5 to 30 μm, more preferably The green sheet 10a is formed with a thickness of about 0.5 to 10 μm. The green sheet 10 a is dried after being formed on the carrier sheet 30. The drying temperature of the green sheet 10a is preferably 50 to 100 ° C., and the drying time is preferably 1 to 5 minutes.

次に、上記のキャリアシート30とは別に、図3(A)に示すように、第1支持シートとしてのキャリアシート20を準備し、その上に、剥離層22を形成する。次に、剥離層22の表面に、焼成後に内部電極層12を構成することになる電極ペースト膜12bを所定パターンで形成する。   Next, separately from the carrier sheet 30, as shown in FIG. 3A, a carrier sheet 20 as a first support sheet is prepared, and a release layer 22 is formed thereon. Next, an electrode paste film 12b that will form the internal electrode layer 12 after firing is formed in a predetermined pattern on the surface of the release layer 22.

電極ペースト膜12bは、図2に示す導電性ペースト12aで形成される。形成される電極ペースト膜12bの厚さt1(図3参照)は、好ましくは0.1〜1μm、より好ましくは0.1〜0.5μm程度である。なお、剥離層22の厚さt2は、グリーンシート10aの厚さに対して、50%以下の厚さである。   The electrode paste film 12b is formed of the conductive paste 12a shown in FIG. The thickness t1 (see FIG. 3) of the formed electrode paste film 12b is preferably about 0.1 to 1 μm, more preferably about 0.1 to 0.5 μm. The thickness t2 of the release layer 22 is 50% or less with respect to the thickness of the green sheet 10a.

電極ペースト膜12bは、たとえば印刷法により形成される。印刷法としては、たとえば、スクリーン印刷などが挙げられる。印刷法の1種であるスクリーン印刷法により、剥離層22の表面に電極ペースト膜12bを形成する。   The electrode paste film 12b is formed by a printing method, for example. Examples of the printing method include screen printing. An electrode paste film 12b is formed on the surface of the release layer 22 by a screen printing method which is a kind of printing method.

電極ペースト膜12bは、図2に示す導電性ペースト12aを印刷法により印刷することで形成することができる。この導電性ペースト12aは、第1導電性粒子42と、第2導電性粒子44とを有している。   The electrode paste film 12b can be formed by printing the conductive paste 12a shown in FIG. 2 by a printing method. The conductive paste 12 a has first conductive particles 42 and second conductive particles 44.

本実施形態では、第1導電性粒子および第2導電性粒子は、CVD(化学気相成長)法により製造される。CVD法は、気相での化学反応を利用した製造方法であり、CVD法による導電性粒子の製造においては、平均粒子径の精密な制御が可能であること、粒度分布がシャープであること、などが利点として挙げられる。以下に製造方法を説明する。   In the present embodiment, the first conductive particles and the second conductive particles are manufactured by a CVD (chemical vapor deposition) method. The CVD method is a manufacturing method using a chemical reaction in the gas phase, and in the production of conductive particles by the CVD method, it is possible to precisely control the average particle diameter, the particle size distribution is sharp, And so on. The manufacturing method will be described below.

図5にCVD法による導電性粒子の製造装置60を示す。この製造装置は、石英管を反応容器62とし、反応容器62は、原料気化部、反応部、冷却部から構成されている。原料気化部および反応部は、電気炉64による独立した温度制御が可能である。   FIG. 5 shows an apparatus 60 for producing conductive particles by the CVD method. This manufacturing apparatus uses a quartz tube as a reaction vessel 62, and the reaction vessel 62 includes a raw material vaporization unit, a reaction unit, and a cooling unit. The raw material vaporization section and the reaction section can be independently controlled by the electric furnace 64.

CVD法による金属または合金の製造方法としては、原料として金属のハロゲン化物や金属のアルコキシドなどを用い、これらを気化させ、たとえばHガスなどで還元する方法が一般的である。本実施形態では、第1導電性粒子および第2導電性粒子の原料として、塩化Niと貴金属の塩化物とを使用する。 As a method for producing a metal or alloy by the CVD method, a method of using a metal halide, a metal alkoxide, or the like as a raw material, vaporizing them, and reducing with, for example, H 2 gas is common. In this embodiment, Ni chloride and a noble metal chloride are used as raw materials for the first conductive particles and the second conductive particles.

反応容器の原料気化部に、塩化Niを投入したルツボ70と、貴金属の塩化物を投入したルツボ70とを設置し、電気炉により加熱して、塩化Niおよび貴金属の塩化物を気化させる。気化した塩化Niおよび貴金属の塩化物は、微粒子状であり、これらの微粒子はキャリアガス導入ノズル66から導入されたキャリアガス(たとえば、ArガスやNガス)とともに反応容器の反応部に輸送される。反応部においては、還元ガス導入ノズル68から導入された還元ガス(たとえば、Hガス)により、塩化Niおよび貴金属の塩化物が還元され、同時にNiと貴金属との合金粒子が生成する。生成したNiと貴金属との合金粒子は、キャリアガスとともに冷却部に輸送され、冷却される。冷却されたNiと貴金属との合金粒子は、反応容器から排出され、捕集器により回収される。 A crucible 70 charged with Ni chloride and a crucible 70 charged with a noble metal chloride are installed in the raw material vaporization section of the reaction vessel and heated by an electric furnace to vaporize the Ni chloride and the noble metal chloride. The vaporized Ni chloride and the noble metal chloride are in the form of fine particles, and these fine particles are transported to the reaction section of the reaction vessel together with the carrier gas (for example, Ar gas or N 2 gas) introduced from the carrier gas introduction nozzle 66. The In the reaction section, Ni chloride and noble metal chloride are reduced by the reducing gas (for example, H 2 gas) introduced from the reducing gas introduction nozzle 68, and at the same time, alloy particles of Ni and noble metal are generated. The produced alloy particles of Ni and noble metal are transported to the cooling unit together with the carrier gas and cooled. The cooled alloy particles of Ni and noble metal are discharged from the reaction vessel and collected by a collector.

上記の方法により製造される導電性粒子の平均粒子径や導電性粒子における貴金属濃度は、キャリアガスの流量、反応温度、反応させる原料の量比などにより制御できる。したがって、平均粒子径および貴金属濃度が異なる粒子であっても、上記の条件を変化させることにより、比較的容易に製造できる。   The average particle diameter of the conductive particles produced by the above method and the noble metal concentration in the conductive particles can be controlled by the flow rate of the carrier gas, the reaction temperature, the ratio of the raw materials to be reacted, and the like. Therefore, even particles having different average particle diameters and noble metal concentrations can be manufactured relatively easily by changing the above conditions.

本実施形態では、第1導電性粒子42の平均粒子径は、200〜400nm、好ましくは、200〜350nmである。また、第2導電性粒子44の平均粒子径は、40〜80nm、好ましくは、45〜75nmである。好ましくは、第1導電性粒子42の平均粒子径は、第2導電性粒子44の平均粒子径に対して、2.5〜10倍、さらに好ましくは2.7〜7.7倍のサイズである。   In this embodiment, the average particle diameter of the 1st electroconductive particle 42 is 200-400 nm, Preferably, it is 200-350 nm. Moreover, the average particle diameter of the 2nd electroconductive particle 44 is 40-80 nm, Preferably, it is 45-75 nm. Preferably, the average particle diameter of the first conductive particles 42 is 2.5 to 10 times, more preferably 2.7 to 7.7 times the average particle diameter of the second conductive particles 44. is there.

第1導電性粒子42の平均粒子径が小さすぎると、他の添加材との分散性が低下すると共に、電極ペースト膜の密度が低下し、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗が悪化する傾向にある。また、第1導電性粒子42の平均粒子径が大きすぎると、第1導電性粒子の充填性が悪くなるため、ペースト膜の表面が粗くなり、さらには、内部電極層の薄層化も困難になる。その結果、焼結後の電極途切れが多くなる傾向にある。また、第2導電性粒子44の平均粒子径が大きすぎると、第1導電性粒子42の粒子間に、第2導電性粒子44が充填されにくく、電極ペースト膜の密度が上がらない傾向にある。また、第2導電性粒子44の平均粒子径が小さすぎると、粒子の製造が困難になると共に、導電性ペーストが増粘し、電極の印刷が困難になる傾向にある。   If the average particle diameter of the first conductive particles 42 is too small, the dispersibility with other additives is lowered, the density of the electrode paste film is lowered, and the electrode coverage, breakdown voltage, and DC equivalent resistance are deteriorated. There is a tendency. Further, if the average particle diameter of the first conductive particles 42 is too large, the filling property of the first conductive particles is deteriorated, the surface of the paste film becomes rough, and further, it is difficult to make the internal electrode layer thin. become. As a result, electrode discontinuity after sintering tends to increase. If the average particle diameter of the second conductive particles 44 is too large, the second conductive particles 44 are not easily filled between the particles of the first conductive particles 42, and the density of the electrode paste film tends not to increase. . On the other hand, if the average particle diameter of the second conductive particles 44 is too small, it is difficult to produce the particles, the conductive paste is thickened, and the electrode tends to be difficult to print.

本実施形態では、導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下、好ましくは、0.3モル超、5.0モル%以下である。貴金属の含有量が少なすぎると、本発明の効果が得られない傾向にあり、一方、貴金属の含有量が多すぎると、tanδおよび直流等価抵抗が悪化する傾向にある。   In the present embodiment, the content of the noble metal with respect to all the conductive components in the conductive paste is more than 0.3 mol% and 13 mol% or less, preferably more than 0.3 mol and 5.0 mol% or less. is there. If the content of the noble metal is too small, the effects of the present invention tend not to be obtained. On the other hand, if the content of the noble metal is too large, tan δ and DC equivalent resistance tend to deteriorate.

本実施形態では、第1導電性粒子における貴金属の含有割合が、0.3〜1.5モル%、好ましくは、0.5〜1.3モル%である。第1導電性粒子における貴金属の含有割合が少なすぎると、第1導電性粒子の球状化を抑制する効果が少なくなる傾向にある。   In the present embodiment, the content ratio of the noble metal in the first conductive particles is 0.3 to 1.5 mol%, preferably 0.5 to 1.3 mol%. When the content ratio of the noble metal in the first conductive particles is too small, the effect of suppressing the spheroidization of the first conductive particles tends to decrease.

第2導電性粒子における貴金属の含有割合が、3.3〜10モル%、好ましくは、4〜8モル%である。第2導電性粒子における貴金属の含有割合が少なすぎると、第1導電性粒子の球状化を抑制する効果が少なくなる傾向にある。   The content ratio of the noble metal in the second conductive particles is 3.3 to 10 mol%, preferably 4 to 8 mol%. When the content ratio of the noble metal in the second conductive particles is too small, the effect of suppressing the spheroidization of the first conductive particles tends to decrease.

第1導電性粒子42および第2導電性粒子44における貴金属は、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)およびオスミウム(Os)から選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする金属であることが好ましい。より好ましくは、Reである。   The noble metal in the first conductive particle 42 and the second conductive particle 44 is at least selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir) and osmium (Os). A metal containing one kind of element as a main component is preferable. More preferably, it is Re.

導電性ペースト中の全導電性粒子に対する第1導電性粒子42と第2導電性粒子44との含有割合が、重量比で、第1導電性粒子:第2導電性粒子=70:30〜99:1、好ましくは、75:25〜95:5の範囲である。第1導電性粒子42の含有割合が少なすぎる(第2導電性粒子44の含有割合が多すぎる)と、焼成後の電極層の貴金属濃度ムラが大きくなり、その結果、電極被覆率、静電容量、破壊電圧、直流等価抵抗が低下する。一方、第1導電性粒子42の含有割合が多すぎる(第2導電性粒子44の含有割合が少なすぎる)と、第1導電性粒子42の粒子間に、第2導電性粒子44が充填されない部分が存在し、本発明の作用効果が小さくなる。   The content ratio of the first conductive particles 42 and the second conductive particles 44 to the total conductive particles in the conductive paste is, by weight ratio, first conductive particles: second conductive particles = 70: 30 to 99. : 1, preferably in the range of 75:25 to 95: 5. If the content ratio of the first conductive particles 42 is too small (the content ratio of the second conductive particles 44 is too large), the precious metal concentration unevenness of the electrode layer after firing becomes large. The capacity, breakdown voltage, and DC equivalent resistance are reduced. On the other hand, if the content ratio of the first conductive particles 42 is too large (the content ratio of the second conductive particles 44 is too small), the second conductive particles 44 are not filled between the particles of the first conductive particles 42. There is a portion, and the effect of the present invention is reduced.

第1導電性粒子42および第2導電性粒子44に主成分として含まれるNiと貴金属との合金の割合は、第1導電性粒子42または第2導電性粒子44の全体を100重量%として、好ましくは99〜100重量%、さらに好ましくは99.5〜100重量%である。主成分の割合が少なすぎると、焼成時における導電性粒子の球状化を抑制する効果が少なくなる傾向にある。第1導電性粒子42および/または第2導電性粒子44中に、主成分以外に含まれても良い金属成分(不純物)としては、Cu,Co,Fe,Ta,Nb,W,Zr,Au,Pdなどが例示される。また、S、C、P等の各種微量成分が0.1モル%程度以下で含まれていてもよい。   The ratio of the alloy of Ni and noble metal contained as the main component in the first conductive particles 42 and the second conductive particles 44 is such that the first conductive particles 42 or the second conductive particles 44 as a whole is 100% by weight. Preferably it is 99-100 weight%, More preferably, it is 99.5-100 weight%. When the ratio of the main component is too small, the effect of suppressing the spheroidization of the conductive particles during firing tends to be reduced. Examples of metal components (impurities) that may be contained in the first conductive particles 42 and / or the second conductive particles 44 in addition to the main component include Cu, Co, Fe, Ta, Nb, W, Zr, and Au. , Pd, etc. Moreover, various trace components, such as S, C, and P, may be contained at about 0.1 mol% or less.

導電性ペースト12aは、第1導電性粒子42および第2導電性粒子44が、有機ビヒクルとともに混練されて、ペースト化される。有機ビヒクルは、上記の誘電体ペーストにおける場合と同様なものを用いることができる。本実施形態では、導電性ペースト12aには、図2に示す共材46も含まれる。共材46の粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、具体的には、10〜50nmが好ましい。   The conductive paste 12a is made into a paste by kneading the first conductive particles 42 and the second conductive particles 44 together with the organic vehicle. As the organic vehicle, the same one as in the above dielectric paste can be used. In the present embodiment, the conductive paste 12a also includes the common material 46 shown in FIG. Although the average particle diameter of the particle | grains of the common material 46 is not specifically limited, Specifically, 10-50 nm is preferable.

共材46は、誘電体ペーストに含まれる誘電体粒子と同様の組成を有する誘電体粒子であり、導電性粒子の周囲に存在し、第2導電性粒子44と共に、第1導電性粒子42の粒成長および球状化をより効果的に抑制することができる。   The common material 46 is a dielectric particle having a composition similar to that of the dielectric particles contained in the dielectric paste, and is present around the conductive particles, and together with the second conductive particles 44, the first conductive particles 42. Grain growth and spheroidization can be more effectively suppressed.

この導電性ペースト12aを用いて図3(A)に示す電極ペースト膜12bを形成した後は、次に、上記のキャリアシート20および30とは別に、キャリアシート26の表面に接着層28が形成してある接着層転写用シートを準備する。キャリアシート26は、キャリアシート20および30と同様なシートで構成される。   After the electrode paste film 12b shown in FIG. 3A is formed using the conductive paste 12a, next, the adhesive layer 28 is formed on the surface of the carrier sheet 26 separately from the carrier sheets 20 and 30 described above. An adhesive layer transfer sheet is prepared. The carrier sheet 26 is composed of a sheet similar to the carrier sheets 20 and 30.

図3(A)に示す電極ペースト膜12bの表面に、接着層を形成するために、本実施形態では、転写法を採用している。すなわち、図3(B)に示すように、キャリアシート26の接着層28を、電極ペースト膜12bの表面に押し付け、加熱加圧して、その後キャリアシート26を剥がすことにより、図3(C)に示すように、接着層28を、電極ペースト膜12bの表面に転写する。   In this embodiment, a transfer method is employed in order to form an adhesive layer on the surface of the electrode paste film 12b shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3 (B), the adhesive layer 28 of the carrier sheet 26 is pressed against the surface of the electrode paste film 12b, heated and pressurized, and then the carrier sheet 26 is peeled off. As shown, the adhesive layer 28 is transferred to the surface of the electrode paste film 12b.

その時の加熱温度は、40〜100°Cが好ましく、また、加圧力は、0.2〜15MPaが好ましい。加圧は、プレスによる加圧でも、カレンダロールによる加圧でも良いが、一対のロールにより行うことが好ましい。   The heating temperature at that time is preferably 40 to 100 ° C., and the pressure is preferably 0.2 to 15 MPa. The pressurization may be a pressurization or a calender roll, but is preferably performed by a pair of rolls.

その後に、電極ペースト膜12bを、図4(A)に示すキャリアシート30の表面に形成してあるグリーンシート10aの表面に接着する。そのために、図4(B)に示すように、キャリアシート20の電極ペースト膜12bを、接着層28を介して、グリーンシート10aの表面にキャリアシート20と共に押し付け、加熱加圧して、図4(C)に示すように、電極ペースト膜12bを、グリーンシート10aの表面に転写する。ただし、グリーンシート側のキャリアシート30が引き剥がされることから、グリーンシート10a側から見れば、グリーンシート10aが電極ペースト膜12bに接着層28を介して転写される。   Thereafter, the electrode paste film 12b is bonded to the surface of the green sheet 10a formed on the surface of the carrier sheet 30 shown in FIG. For that purpose, as shown in FIG. 4B, the electrode paste film 12b of the carrier sheet 20 is pressed against the surface of the green sheet 10a together with the carrier sheet 20 through the adhesive layer 28, and is heated and pressurized, so that FIG. As shown in C), the electrode paste film 12b is transferred to the surface of the green sheet 10a. However, since the carrier sheet 30 on the green sheet side is peeled off, the green sheet 10a is transferred to the electrode paste film 12b through the adhesive layer 28 when viewed from the green sheet 10a side.

この転写時の加熱および加圧は、プレスによる加圧・加熱でも、カレンダロールによる加圧・加熱でも良いが、一対のロールにより行うことが好ましい。その加熱温度および加圧力は、接着層28を転写するときと同様である。   The heating and pressurization at the time of transfer may be pressurization / heating with a press or pressurization / heating with a calender roll, but is preferably performed with a pair of rolls. The heating temperature and pressure are the same as when the adhesive layer 28 is transferred.

このような図3(A)〜図4(C)に示す工程により、単一のグリーンシート10a上に、所定パターンの電極ペースト膜12bが形成される。これを用いて、電極ペースト膜12bおよびグリーンシート10aが交互に多数積層された積層体を得る。その後、この積層体を最終加圧した後、キャリアシート20を引き剥がす。最終加圧時の圧力は、好ましくは10〜200MPaである。また、加熱温度は、40〜100°Cが好ましい。得られた積層体を所定サイズに切断し、グリーンチップを形成する。そして、グリーンチップを脱バインダ処理および焼成する。   3A to 4C, an electrode paste film 12b having a predetermined pattern is formed on the single green sheet 10a. Using this, a laminated body in which a large number of electrode paste films 12b and green sheets 10a are alternately laminated is obtained. Thereafter, the final pressure is applied to the laminate, and then the carrier sheet 20 is peeled off. The pressure at the time of final pressurization is preferably 10 to 200 MPa. The heating temperature is preferably 40 to 100 ° C. The obtained laminated body is cut into a predetermined size to form a green chip. Then, the green chip is subjected to binder removal processing and firing.

本発明のように内部電極層を形成するための導電性粒子に、卑金属としてのNiが含有される場合、脱バインダ処理における雰囲気は、AirまたはN雰囲気にすることが好ましい。また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは5〜300°C/時間、より好ましくは10〜50°C/時間、保持温度を好ましくは200〜400°C、より好ましくは250〜350°C、温度保持時間を好ましくは0.5〜20時間、より好ましくは1〜10時間とする。 When Ni as a base metal is contained in the conductive particles for forming the internal electrode layer as in the present invention, the atmosphere in the debinding process is preferably an Air or N 2 atmosphere. As other binder removal conditions, the temperature rising rate is preferably 5 to 300 ° C./hour, more preferably 10 to 50 ° C./hour, and the holding temperature is preferably 200 to 400 ° C., more preferably. The temperature holding time is preferably 250 to 350 ° C., and preferably 0.5 to 20 hours, more preferably 1 to 10 hours.

本発明では、グリーンチップを、10−10 〜10−2Paの酸素分圧を持つ雰囲気中で焼成する。酸素分圧は、好ましくは10−10〜10−5Paである。焼成時の酸素分圧が低すぎると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがあり、逆に酸素分圧が高すぎると、内部電極層が酸化する傾向がある。 In the present invention, the green chip is fired in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10 −10 to 10 −2 Pa. The oxygen partial pressure is preferably 10 −10 to 10 −5 Pa. If the oxygen partial pressure during firing is too low, the conductive material of the internal electrode layer may abnormally sinter and break, and conversely if the oxygen partial pressure is too high, the internal electrode layer tends to oxidize. .

本発明では、グリーンチップの焼成を、1000〜1300°Cの温度、好ましくは1150〜1250°Cの温度で行う。焼成温度が低すぎると、焼結後の誘電体層の緻密化が不十分となり、静電容量が不足する傾向にあり、また、高すぎると、誘電体層が過焼成となり、直流電界印加時の容量経時変化が大きくなる傾向にある。   In the present invention, the green chip is fired at a temperature of 1000 to 1300 ° C, preferably 1150 to 1250 ° C. If the firing temperature is too low, the dielectric layer after sintering will be insufficiently densified and the capacitance will tend to be insufficient. If it is too high, the dielectric layer will be overfired, and a DC electric field is applied. There is a tendency that the change with time of the capacity increases.

これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは200〜300°C/時間、温度保持時間を好ましくは0.5〜8時間、より好ましくは1〜3時間、冷却速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは200〜300°C/時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、NとHとの混合ガスをウェット(加湿)状態で用いることが好ましい。 As other firing conditions, the heating rate is preferably 50 to 500 ° C./hour, more preferably 200 to 300 ° C./hour, and the temperature holding time is preferably 0.5 to 8 hours, more preferably 1 The cooling rate is preferably 50 to 500 ° C / hour, more preferably 200 to 300 ° C / hour for -3 hours. The firing atmosphere is preferably a reducing atmosphere, and as the atmosphere gas, for example, a mixed gas of N 2 and H 2 is preferably used in a wet (humidified) state.

本発明では、焼成後のコンデンサチップ体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗(IR)の加速寿命を著しく長くすることができ、信頼性が向上する。   In the present invention, it is preferable to anneal the sintered capacitor chip body. Annealing is a process for re-oxidizing the dielectric layer, whereby the accelerated lifetime of the insulation resistance (IR) can be remarkably increased, and the reliability is improved.

本発明では、焼成後コンデンサチップ体のアニールを、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧下で行うことが好ましく、具体的には、酸素分圧が好ましくは10−2〜100Pa、より好ましくは10−2〜10Paの雰囲気で行う。アニール時の酸素分圧が低すぎると、誘電体層10の再酸化が困難であり、逆に高すぎると、内部電極層のニッケルが酸化して絶縁化する傾向にある。 In the present invention, it is preferable to anneal the capacitor chip body after firing under an oxygen partial pressure higher than the reducing atmosphere during firing. Specifically, the oxygen partial pressure is preferably 10 −2 to 100 Pa, more preferably It is performed in an atmosphere of 10 −2 to 10 Pa. If the oxygen partial pressure at the time of annealing is too low, it is difficult to re-oxidize the dielectric layer 10, and if it is too high, nickel in the internal electrode layer tends to be oxidized and insulated.

本発明では、アニール時の保持温度または最高温度を、好ましくは1200°C以下の温度、より好ましくは900〜1150°C、さらに好ましくは、1000〜1100°Cとする。また、本発明では、これらの温度の保持時間を、好ましくは0.5〜4時間とする。アニール時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のNiが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。   In the present invention, the holding temperature or maximum temperature during annealing is preferably 1200 ° C. or lower, more preferably 900 to 1150 ° C., and still more preferably 1000 to 1100 ° C. In the present invention, the holding time of these temperatures is preferably 0.5 to 4 hours. If the holding temperature or maximum temperature during annealing is less than the above range, the dielectric material is insufficiently oxidized and the insulation resistance life tends to be shortened. In addition to a decrease, it tends to react with the dielectric substrate and shorten its lifetime. Note that annealing may be composed of only a temperature raising process and a temperature lowering process. That is, the temperature holding time may be zero. In this case, the holding temperature is synonymous with the maximum temperature.

これ以外のアニール条件としては、冷却速度を好ましくは50〜500°C/時間、より好ましくは100〜300°C/時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したNガス等を用いることが好ましい。Nガスを加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は0〜75°C程度が好ましい。なお、脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行っても、独立に行ってもよい。 As other annealing conditions, the cooling rate is preferably 50 to 500 ° C./hour, more preferably 100 to 300 ° C./hour. Further, as the annealing atmosphere gas, for example, humidified N 2 gas or the like is preferably used. In order to humidify the N 2 gas, for example, a wetter or the like may be used. In this case, the water temperature is preferably about 0 to 75 ° C. The binder removal treatment, firing and annealing may be performed continuously or independently.

このようにして得られた焼結体(素子本体4)には、例えばバレル研磨、サンドブラスト等にて端面研磨を施し、端子電極用ペーストを焼きつけて端子電極6,8が形成される。端子電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したNとHとの混合ガス中で600〜800°Cにて10分間〜1時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、端子電極6,8上にめっき等を行うことによりパッド層を形成する。なお、端子電極用ペーストは、上記した電極ペーストと同様にして調製すればよい。 The sintered body (element body 4) thus obtained is subjected to end face polishing by, for example, barrel polishing, sand blasting, etc., and terminal electrode paste is baked to form terminal electrodes 6 and 8. The firing conditions for the terminal electrode paste are preferably, for example, about 10 minutes to 1 hour at 600 to 800 ° C. in a humidified mixed gas of N 2 and H 2 . Then, if necessary, a pad layer is formed on the terminal electrodes 6 and 8 by plating or the like. In addition, what is necessary is just to prepare the paste for terminal electrodes like the above-mentioned electrode paste.

このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。   The multilayer ceramic capacitor of the present invention thus manufactured is mounted on a printed circuit board by soldering or the like and used for various electronic devices.

本実施形態では、静電容量の低下が効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる積層セラミックコンデンサ2を提供することができる。その理由は、たとえば次のようにして説明することができる。   In the present embodiment, it is possible to provide a multilayer ceramic capacitor 2 capable of improving other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent resistance, etc.) while effectively suppressing a decrease in capacitance. it can. The reason can be explained as follows, for example.

図6(A)に示すように、本実施形態では、粒子径が大きく貴金属濃度が低い第1導電性粒子42と、粒径が小さく貴金属濃度が高い第2導電性粒子44とが、導電性ペーストに含まれている。第1導電性粒子42と第2導電性粒子44との粒子径の差を利用して、第1導電性粒子の粒子間に、第2導電性粒子を充填することができる。また、第2導電性粒子44は、第1導電性粒子42よりも貴金属濃度が高いため、焼結開始温度が高い。その結果、焼成時において、第2導電性粒子44は、第1導電性粒子同士の焼結を遅らせる働きがあり、焼結開始温度を上昇させることができ、第1導電性粒子42の球状化を抑制できる。   As shown in FIG. 6A, in this embodiment, the first conductive particles 42 having a large particle diameter and a low precious metal concentration and the second conductive particles 44 having a small particle size and a high precious metal concentration are electrically conductive. Included in the paste. Utilizing the difference in particle diameter between the first conductive particles 42 and the second conductive particles 44, the second conductive particles can be filled between the particles of the first conductive particles. Further, since the second conductive particles 44 have a higher precious metal concentration than the first conductive particles 42, the sintering start temperature is high. As a result, at the time of firing, the second conductive particles 44 have a function of delaying the sintering of the first conductive particles, can increase the sintering start temperature, and the first conductive particles 42 are spheroidized. Can be suppressed.

したがって、本発明の導電性ペーストでは、内部電極層が薄層化されたとしても、さらには、第1導電性粒子42の粒度分布にバラツキがあったとしても、焼成段階での導電性粒子の焼結開始温度を上昇させる効果に差が生じない。その結果、導電性粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れなどを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる。   Therefore, in the conductive paste of the present invention, even if the internal electrode layer is thinned, and even if the particle size distribution of the first conductive particles 42 varies, the conductive particles in the firing stage are not affected. There is no difference in the effect of increasing the sintering start temperature. As a result, it suppresses grain growth of conductive particles, effectively prevents spheroidization, electrode breakage, etc., and effectively suppresses the decrease in capacitance, while other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, direct current) Equivalent resistance, etc.) can be improved.

また、本実施形態では、共材46を導電性ペーストに含ませることにより、共材46が導電性粒子の周囲に存在し、第2導電性粒子44と共に、第1導電性粒子42の粒成長および球状化をより効果的に抑制することができる。   Further, in the present embodiment, by including the common material 46 in the conductive paste, the common material 46 exists around the conductive particles, and the first conductive particles 42 grow along with the second conductive particles 44. And spheroidization can be more effectively suppressed.

これに対し、図6(B)に示すように、前述した特許文献1(国際公開第2004/070748号パンフレット)に記載の貴金属被覆Ni粒子48は、コアとなるNi粒子の粒度バラツキが大きいと組成比率が異なり、ペースト膜12cの箇所によって、貴金属がリッチな箇所と、貴金属がプアな箇所が生じる。このため、ペースト膜12c中に、球状化途切れ防止に効果がでる部分と効果の少ない部分が発生してしまう。また、貴金属被覆Ni粒子48を製造するには、製造プロセスが長く、安価に作製できないというデメリットがある。   On the other hand, as shown in FIG. 6 (B), the precious metal-coated Ni particles 48 described in Patent Document 1 (International Publication No. 2004/070748 pamphlet) described above have large particle size variation of the Ni particles as the core. The composition ratio is different, and a location where the noble metal is rich and a location where the noble metal is poor are generated depending on the location of the paste film 12c. For this reason, in the paste film 12c, a portion that is effective for preventing the spheroidization interruption and a portion that is less effective are generated. Further, the production of the noble metal-coated Ni particles 48 has the disadvantage that the production process is long and cannot be produced inexpensively.

また、図6(C)に示すように、特許文献1に記載されたNiと貴金属との合金粒子50のみを含む従来の導電性ペーストの場合には、電極ペースト膜12dにおける各粒子の充填性が悪い。したがって、焼成後の内部電極層において、電極の途切れが見られ、電極被覆率が悪化し、破壊電圧、直流等価抵抗などの特性も悪化する。また、Niと貴金属との合金粒子50は、スパッタリングで形成された薄膜合金を粉砕して、導電性粒子としているので、製造プロセスが長く、安価に作製できないというデメリットがある。なお、図6(A)〜(C)においては、導電性粒子と共材以外の成分の図示は省略した。   As shown in FIG. 6C, in the case of the conventional conductive paste including only the alloy particles 50 of Ni and noble metal described in Patent Document 1, the filling property of each particle in the electrode paste film 12d. Is bad. Therefore, in the internal electrode layer after firing, the electrodes are interrupted, the electrode coverage is deteriorated, and the characteristics such as breakdown voltage and DC equivalent resistance are also deteriorated. Further, since the alloy particles 50 of Ni and noble metal are made into conductive particles by pulverizing a thin film alloy formed by sputtering, there is a demerit that the manufacturing process is long and cannot be manufactured at low cost. 6A to 6C, illustration of components other than the conductive particles and the common material is omitted.

本実施形態では、CVD法により第1導電性粒子42および第2導電性粒子44を製造しているため、導電性粒子の製造が容易である。したがって、貴金属被覆Ni粒子48またはNiと貴金属との合金粒子50を含む従来のペーストに比較し、同等以上の性能を有し、しかも製造プロセスが短く、安価に製造することができる導電性ペーストを提供することができる。   In this embodiment, since the 1st electroconductive particle 42 and the 2nd electroconductive particle 44 are manufactured by CVD method, manufacture of an electroconductive particle is easy. Therefore, a conductive paste having a performance equal to or higher than that of the conventional paste containing the noble metal-coated Ni particles 48 or the alloy particles 50 of Ni and noble metal, and has a short manufacturing process and can be manufactured at low cost. Can be provided.

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
たとえば、本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、その他の電子部品に適用することが可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified within the scope of the present invention.
For example, the present invention is not limited to a multilayer ceramic capacitor and can be applied to other electronic components.

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1
導電性ペーストの作製
Hereinafter, the present invention will be described based on further detailed examples, but the present invention is not limited to these examples.
Example 1
Production of conductive paste

まず、CVD法により、第1導電性粒子および第2導電性粒子を製造した。第1導電性粒子の原料として、塩化Niおよび塩化Reを用いた。塩化Niを200g投入したルツボと、塩化Reを5g投入したルツボとを、原料気化部に設置し、塩化Niおよび塩化Reを気化させた。この気化した塩化Niおよび塩化Re微粒子をキャリアガスであるNにより、反応部まで輸送した。キャリアガスの流量は、3L/minとした。反応部は、1100℃に加熱されており、反応部に5L/minで供給される還元ガスとしてのHガスにより、塩化Niおよび塩化Reの還元反応が生じ、Ni−Re合金粒子が生成した。生成したNi−Re合金粒子は、キャリアガスとともに、冷却部において冷却され、その後反応容器から排出され、捕集装置により回収した。 First, the 1st electroconductive particle and the 2nd electroconductive particle were manufactured by CVD method. Ni chloride and Re chloride were used as raw materials for the first conductive particles. A crucible charged with 200 g of Ni chloride and a crucible charged with 5 g of Re chloride were placed in the raw material vaporization section to vaporize Ni chloride and Re chloride. The vaporized Ni chloride and Re chloride fine particles were transported to the reaction part by N 2 as a carrier gas. The flow rate of the carrier gas was 3 L / min. The reaction part was heated to 1100 ° C., and a reduction reaction of Ni chloride and Re chloride occurred by H 2 gas as a reducing gas supplied to the reaction part at 5 L / min, and Ni—Re alloy particles were generated. . The produced Ni—Re alloy particles were cooled together with the carrier gas in the cooling section, then discharged from the reaction vessel, and collected by a collection device.

また、塩化Niおよび塩化Reのルツボへの投入量を、それぞれ170gおよび35gとし、キャリアガスであるNガスの流量を5L/minとした以外は、上記と同様にして、第2導電性粒子を製造した。 The second conductive particles were the same as described above except that the amounts of Ni chloride and Re chloride introduced into the crucible were 170 g and 35 g, respectively, and the flow rate of the N 2 gas as the carrier gas was 5 L / min. Manufactured.

得られた第1導電性粒子は、平均粒子径が300nm、粒子におけるReの含有割合(Re濃度)が1モル%である均一なNi−Re合金粒子であった。一方、得られた第2導電性粒子は、平均粒子径が60nm、粒子におけるReの含有割合(Re濃度)が6.5モル%である均一なNi−Re合金粒子であった。また、第1導電性粒子および第2導電性粒子の粒子径について、それぞれの粒度分布の標準偏差を求め、それぞれのCV値(=標準偏差/対数化した平均粒子径)を算出すると、ともに、0.3となった。したがって、第1導電性粒子と第2導電性粒子とは同程度の粒度分布を有していることとなる。上記のようにして製造された第1導電性粒子および第2導電性粒子を、重量比で、85:15の割合で混合し、導電性粒子とした。   The obtained first conductive particles were uniform Ni—Re alloy particles having an average particle diameter of 300 nm and a Re content ratio (Re concentration) of 1 mol% in the particles. On the other hand, the obtained second conductive particles were uniform Ni—Re alloy particles having an average particle diameter of 60 nm and a Re content ratio (Re concentration) in the particles of 6.5 mol%. Further, regarding the particle diameters of the first conductive particles and the second conductive particles, the standard deviations of the respective particle size distributions were calculated, and the respective CV values (= standard deviation / logarithmized average particle diameter) were calculated. It became 0.3. Therefore, the first conductive particles and the second conductive particles have the same particle size distribution. The first conductive particles and the second conductive particles produced as described above were mixed at a weight ratio of 85:15 to obtain conductive particles.

この導電性粒子100重量部に対して、共材粒子としての平均粒子径50nmのBaTiO粉末(BT−005/堺化学工業(株))を20重量部加え、さらに有機ビヒクル(バインダー樹脂としてエチルセルロース樹脂4.5重量部をターピネオール228重量部に溶解したもの)を加え、3本ロールにより混練し、スラリー化して、内部電極形成用の導電性ペーストとした。
電極ペースト膜の評価
To 100 parts by weight of the conductive particles, 20 parts by weight of BaTiO 3 powder (BT-005 / Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) having an average particle diameter of 50 nm as co-material particles is added, and further an organic vehicle (ethyl cellulose as a binder resin) is added. A resin paste containing 4.5 parts by weight of resin dissolved in 228 parts by weight of terpineol) was added and kneaded with three rolls to form a slurry, which was used as a conductive paste for forming internal electrodes.
Evaluation of electrode paste film

次いで、上記にて作製した導電体ペーストを、Gap100μmのアプリケーターでPETフィルム上に塗布し、その後、送風乾燥器にて、100°C、30分の条件で乾燥することにより、塗布・乾燥後の電極ペースト膜を得た。本実施例では、乾燥後の膜厚が5〜10μmとなるように電極ペースト膜を形成した。そして、得られた電極ペースト膜の体積(=電極膜の形成面積×電極膜の厚み)と、重量とから、電極ペースト膜の乾燥後の密度を計算し、相対ペースト膜密度を算出した。相対ペースト膜密度は、90%以上が好ましい。結果を表1に示す。
誘電体層用ペーストの作製
Next, the conductor paste prepared above was applied on a PET film with an applicator of Gap 100 μm, and then dried under a condition of 100 ° C. for 30 minutes in a blower dryer. An electrode paste film was obtained. In this example, the electrode paste film was formed so that the film thickness after drying was 5 to 10 μm. Then, the density of the electrode paste film after drying was calculated from the volume of the obtained electrode paste film (= electrode film formation area × electrode film thickness) and weight, and the relative paste film density was calculated. The relative paste film density is preferably 90% or more. The results are shown in Table 1.
Preparation of dielectric layer paste

BaTiO粉末(BT−02/堺化学工業(株))と、MgCO、MnCO、(Ba0.6Ca0.4)SiOおよび希土類(Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y)から選択された粉末とを、ボールミルにより16時間、湿式混合し、乾燥させることにより誘電体材料とした。これら原料粉末の平均粒子径は0.1〜1μmであった。(Ba0.6Ca0.4)SiOは、BaCO、CaCOおよびSiOをボールミルにより湿式混合し、乾燥後に空気中で焼成したものを、ボールミルにより湿式粉砕して作製した。 BaTiO 3 powder (BT-02 / Sakai Chemical Industry Co., Ltd.), MgCO 3 , MnCO 3 , (Ba 0.6 Ca 0.4 ) SiO 3 and rare earths (Gd 2 O 3 , Tb 4 O 7 , Dy 2 A powder selected from O 3 , Ho 2 O 3 , Er 2 O 3 , Tm 2 O 3 , Yb 2 O 3 , Lu 2 O 3 , Y 2 O 3 ) with a ball mill for 16 hours. A dielectric material was obtained by drying. The average particle diameter of these raw material powders was 0.1 to 1 μm. (Ba 0.6 Ca 0.4 ) SiO 3 was prepared by wet-mixing BaCO 3 , CaCO 3 and SiO 2 with a ball mill, followed by drying and firing in the air using a ball mill.

得られた誘電体材料をペースト化するために、有機ビヒクルを誘電体材料に加え、ボールミルで混合し、誘電体グリーンシート用ペーストを得た。有機ビヒクルは、誘電体材料100質量部に対して、バインダとしてポリビニルブチラール:6質量部、可塑剤としてフタル酸ビス(2エチルヘキシル)(DOP):3質量部、酢酸エチル:55質量部、トルエン:10質量部、剥離剤としてパラフィン:0.5質量部の配合比である。   In order to make the obtained dielectric material into a paste, an organic vehicle was added to the dielectric material and mixed with a ball mill to obtain a dielectric green sheet paste. The organic vehicle is based on 100 parts by mass of the dielectric material, polyvinyl butyral: 6 parts by mass as a binder, bis (2-ethylhexyl) phthalate (DOP): 3 parts by mass, ethyl acetate: 55 parts by mass, toluene: The blending ratio is 10 parts by mass and 0.5 parts by mass of paraffin as a release agent.

次に、前記の誘電体グリーンシート用ペーストをエタノール/トルエン(55/10)によって重量比で2倍に希釈したものを剥離層用ペーストとした。   Next, a paste obtained by diluting the dielectric green sheet paste with ethanol / toluene (55/10) twice by weight was used as a release layer paste.

次に、誘電体粒子および剥離剤を入れない以外は同様な前記の誘電体グリーンシート用ペーストを、トルエンによって重量比で4倍に希釈したものを接着層用ペーストとした。
グリーンシートの形成
Next, an adhesive layer paste was prepared by diluting the same dielectric green sheet paste described above with toluene in a weight ratio of 4 with the exception that the dielectric particles and the release agent were not added.
Green sheet formation

まず、上記の誘電体グリーンシート用ペーストを用いて、PETフィルム(第2支持シート)上に、ワイヤーバーコーターを用いて、厚み1.0μmのグリーンシートを形成した。
電極ペースト膜の形成
First, a green sheet having a thickness of 1.0 μm was formed on a PET film (second support sheet) using the above dielectric green sheet paste, using a wire bar coater.
Formation of electrode paste film

上記の剥離層用ペーストを、別のPETフィルム(第1支持シート)上に、ワイヤーバーコーターにより塗布乾燥させて、厚み0.3μmの剥離層を形成した。   The release layer paste was applied and dried on another PET film (first support sheet) with a wire bar coater to form a release layer having a thickness of 0.3 μm.

上記の導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷により、図4に示すように、剥離層の表面に、所定パターンの電極ペースト膜12bを形成した。この膜12bの乾燥後の厚さは、0.5μmであった。なお、調製した導電性ペーストを用いてスクリーン印刷が不可能であった場合は、以降の工程は実施しなかった。
接着層の形成
Using the above conductive paste, an electrode paste film 12b having a predetermined pattern was formed on the surface of the release layer by screen printing as shown in FIG. The thickness of the film 12b after drying was 0.5 μm. In addition, when screen printing was impossible using the prepared conductive paste, the subsequent steps were not performed.
Formation of adhesive layer

上記の接着層用ペーストを、別の、表面にシリコーン系樹脂による剥離処理を施したPETフィルム(第3支持シート)の上に、ワイヤーバーコーターにより塗布乾燥させて、厚み0.2μmの接着層28を形成した。
最終積層体(焼成前素子本体)の形成
The above adhesive layer paste is coated and dried with a wire bar coater on another PET film (third support sheet) whose surface has been subjected to a release treatment with a silicone resin, and an adhesive layer having a thickness of 0.2 μm. 28 was formed.
Formation of final laminate (element body before firing)

まず、電極ペースト膜12bの表面に、図4に示す方法で接着層28を転写した。転写時には、一対のロールを用い、その加圧力は0.1MPa、温度は80°Cとした。   First, the adhesive layer 28 was transferred to the surface of the electrode paste film 12b by the method shown in FIG. At the time of transfer, a pair of rolls was used, the pressure was 0.1 MPa, and the temperature was 80 ° C.

次に、図5に示す方法で、接着層28を介してグリーンシート10aの表面に電極ペースト膜12bを接着(転写)した。転写時には、一対のロールを用い、その加圧力は0.1MPa、温度は80°Cとした。   Next, the electrode paste film 12b was adhered (transferred) to the surface of the green sheet 10a through the adhesive layer 28 by the method shown in FIG. At the time of transfer, a pair of rolls was used, the pressure was 0.1 MPa, and the temperature was 80 ° C.

次に、次々に電極ペースト膜12bおよびグリーンシート10aを積層し、最終的に、21層の電極ペースト膜12bが積層された最終積層体を得た。積層条件は、加圧力は50MPa、温度は120°Cとした。
焼結体の作製
Next, the electrode paste film 12b and the green sheet 10a were laminated one after another, and finally, a final laminated body in which 21 layers of the electrode paste film 12b were laminated was obtained. The lamination conditions were a pressure of 50 MPa and a temperature of 120 ° C.
Production of sintered body

次いで、最終積層体を所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニール(熱処理)を行って、チップ形状の焼結体を作製した。   Next, the final laminate was cut into a predetermined size and subjected to binder removal processing, firing, and annealing (heat treatment) to produce a chip-shaped sintered body.

脱バインダは、
昇温速度:5〜300°C/時間
保持温度:200〜400°C、
保持時間:0.5〜20時間、
雰囲気ガス:加湿したNガス、
で行った。
Binder removal
Temperature increase rate: 5-300 ° C / hour Holding temperature: 200-400 ° C,
Retention time: 0.5-20 hours,
Atmospheric gas: humidified N 2 gas,
I went there.

焼成は、
昇温速度:5〜500°C/時間
保持温度:1200°C、
保持時間:0.5〜8時間
冷却速度:50〜500°C/時間
雰囲気ガス:加湿したNとHの混合ガス、
酸素分圧:10−7Pa、
で行った。
Firing is
Temperature increase rate: 5 to 500 ° C / hour Holding temperature: 1200 ° C
Holding time: 0.5 to 8 hours Cooling rate: 50 to 500 ° C./hour Atmosphere gas: Mixed gas of humidified N 2 and H 2
Oxygen partial pressure: 10 −7 Pa,
I went there.

アニール(再酸化)は、
昇温速度:200〜300°C/時間、
保持温度:1050°C、
保持時間:2時間、
冷却速度:300°C/時間、
雰囲気ガス:加湿したNガス、
酸素分圧:10−1Pa、
で行った。なお、雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用い、水温0〜75°Cにて行った。
Annealing (reoxidation)
Temperature rising rate: 200 to 300 ° C / hour,
Holding temperature: 1050 ° C,
Retention time: 2 hours
Cooling rate: 300 ° C / hour,
Atmospheric gas: humidified N 2 gas,
Oxygen partial pressure: 10 −1 Pa,
I went there. The atmosphere gas was humidified using a wetter at a water temperature of 0 to 75 ° C.

次いで、チップ形状の焼結体の端面をサンドブラストにて研磨したのち、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿したN+H雰囲気中において、800°Cにて10分間焼成して外部電極を形成し、図1に示す構成の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。 Next, after polishing the end face of the chip-shaped sintered body with sand blasting, the external electrode paste is transferred to the end face and baked at 800 ° C. for 10 minutes in a humidified N 2 + H 2 atmosphere. A multilayer ceramic capacitor sample having the structure shown in FIG. 1 was obtained.

このようにして得られた各サンプルのサイズは、3.2mm×1.6mm×0.6mmであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は21、その厚さは1μmであり、内部電極層12の厚さは0.5μmであった。各層の厚み(膜厚)は、SEMで観測することにより測定した。   The size of each sample thus obtained is 3.2 mm × 1.6 mm × 0.6 mm, the number of dielectric layers sandwiched between internal electrode layers is 21, and the thickness is 1 μm. The thickness of the internal electrode layer 12 was 0.5 μm. The thickness (film thickness) of each layer was measured by observing with SEM.

また、各サンプルについて、特性評価として電極被覆率の測定を行った。   Moreover, about each sample, the electrode coverage was measured as characteristic evaluation.

電極被覆率は、積層セラミックコンデンサのサンプルを電極表面が露出するように切断し、その電極面をSEM観察し、画像処理することにより測定した。電極被覆率は、80%以上を良好とした。   The electrode coverage was measured by cutting a sample of a multilayer ceramic capacitor so that the electrode surface was exposed, observing the electrode surface with an SEM, and performing image processing. The electrode coverage was 80% or more.

さらに、各サンプルについて電気特性(静電容量C、誘電損失tanδ、破壊電圧VBおよび直流等価抵抗ESR)の特性評価を行った。電気特性(静電容量C、誘電損失tanδ、破壊電圧VBおよび直流等価抵抗ESR)は、次のようにして評価した。   Furthermore, the characteristics of each sample were evaluated for electrical characteristics (capacitance C, dielectric loss tan δ, breakdown voltage VB, and DC equivalent resistance ESR). Electrical characteristics (capacitance C, dielectric loss tan δ, breakdown voltage VB, and DC equivalent resistance ESR) were evaluated as follows.

静電容量C(単位はμF)は、サンプルに対し、基準温度25°CでデジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1Vrmsの条件下で測定した。静電容量Cは、好ましくは1.18μF以上、より好ましくは1.20μF以上を良好とした。   Capacitance C (unit: μF) was measured with a digital LCR meter (YHP 4274A) at a reference temperature of 25 ° C. and a frequency of 1 kHz and an input signal level (measurement voltage) of 1 Vrms. . The capacitance C is preferably 1.18 μF or more, more preferably 1.20 μF or more.

誘電損失tanδは、25°Cにおいて、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1Vrmsの条件下で測定した。誘電損失tanδは、好ましくは0.1未満を良好とした。   The dielectric loss tan δ was measured at 25 ° C. with a digital LCR meter (4274A manufactured by YHP) under the conditions of a frequency of 1 kHz and an input signal level (measurement voltage) of 1 Vrms. The dielectric loss tan δ is preferably less than 0.1.

破壊電圧VB(単位はV)は、昇圧スピード100V/sec、検出電流10mA時の電圧値を破壊電圧とした。破壊電圧は、好ましくは145V以上、より好ましくは150V以上を良好とした。   The breakdown voltage VB (unit: V) was defined as the breakdown voltage when the boosting speed was 100 V / sec and the detection current was 10 mA. The breakdown voltage is preferably 145 V or higher, more preferably 150 V or higher.

直流等価抵抗ESR(単位はmΩ)は、インピーダンスアナライザー(HP社製4194A)にて、測定電圧1Vrmsの条件下で、周波数−ESR特性を測定し、インピーダンスが最小となる値を読み取ることにより測定した。直流等価抵抗は、好ましくは9.5mΩ以下、より好ましくは9mΩ以下を良好とした。   The DC equivalent resistance ESR (unit: mΩ) was measured by measuring a frequency-ESR characteristic with an impedance analyzer (4194A manufactured by HP) under a measurement voltage of 1 Vrms and reading a value at which the impedance is minimized. . The DC equivalent resistance is preferably 9.5 mΩ or less, more preferably 9 mΩ or less.

なお、これらの特性値は、サンプル数n=10個を用いて測定した値の平均値から求めた。これらの結果を表1に示す。なお、表1において、評価基準の欄の「○」は、スクリーン印刷が可能で、積層セラミックコンデンサのサンプルを得ることができたもののうち、上記の全ての特性において良好な結果を示したものを示している。「×」は、スクリーン印刷が不可能で積層セラミックコンデンサが作製できなかったもの、または、上記特性の内の1つでも良好な結果が得られなかったものを示す。
実施例2〜9
In addition, these characteristic values were calculated | required from the average value of the value measured using the sample number n = 10 piece. These results are shown in Table 1. In Table 1, “◯” in the column of the evaluation criteria indicates that a screen printing was possible and a sample of a multilayer ceramic capacitor was obtained, and the results showing good results in all the above characteristics were obtained. Show. “X” indicates that a screen could not be printed and a multilayer ceramic capacitor could not be produced, or that one of the above characteristics did not give good results.
Examples 2-9

キャリアガスNの流量を変化させて、第1導電性粒子および第2導電性粒子の平均粒子径を表1に示す値とした以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を製造した。得られた導電性粒子を用いて、導電性ペーストを作製し、コンデンサのサンプルを作製し、特性評価を行った。結果を表1に示す。
比較例1〜12
Conductive particles are produced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate of the carrier gas N 2 is changed and the average particle diameters of the first conductive particles and the second conductive particles are set to the values shown in Table 1. did. Using the obtained conductive particles, a conductive paste was prepared, a capacitor sample was prepared, and the characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
Comparative Examples 1-12

キャリアガスNの流量を変化させて、第1導電性粒子および第2導電性粒子の平均粒子径を表1に示す値とした以外は、実施例1と同様にして、導電性粒子を製造した。得られた導電性粒子を用いて、導電性ペーストを作製し、さらにコンデンサのサンプルを作製し、特性評価を行った。なお、導電性ペーストのスクリーン印刷が不可能であった場合は、以降の工程は実施しなかった。結果を表1に示す。 Conductive particles are produced in the same manner as in Example 1 except that the flow rate of the carrier gas N 2 is changed and the average particle diameters of the first conductive particles and the second conductive particles are set to the values shown in Table 1. did. Using the obtained conductive particles, a conductive paste was prepared, a capacitor sample was further prepared, and the characteristics were evaluated. In addition, when screen printing of the conductive paste was impossible, the subsequent steps were not performed. The results are shown in Table 1.

Figure 2008053488
Figure 2008053488

表1より、実施例1〜9については、すべてスクリーン印刷が可能であり、さらに、すべての特性(相対ペースト膜密度、電極厚み、静電容量、tanδ、電極被覆率、破壊電圧および直流等価抵抗)が良好であった。   From Table 1, all of Examples 1 to 9 can be screen-printed, and all characteristics (relative paste film density, electrode thickness, capacitance, tan δ, electrode coverage, breakdown voltage, and DC equivalent resistance). ) Was good.

これに対し、第1導電性粒子の平均粒子径が、本発明の範囲よりも小さい場合(比較例1)は、導電性ペーストの分散性が低下し、相対ペースト膜密度、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗が悪化した。一方、第1導電性粒子の平均粒子径が、本発明の範囲よりも大きい場合(比較例2)には、ペースト膜の表面粗さが悪化し、内部電極にも途切れが見られ、静電容量および破壊電圧が低下した。
第2導電性粒子の平均粒子径が、本発明の範囲よりも小さい場合(比較例3、5、7)には、導電性ペーストが増粘し、スクリーン印刷が不可能となった。一方、第2導電性粒子の平均粒子径が、本発明の範囲よりも大きい場合(比較例4、6、8)には、相対ペースト膜密度が悪化し、内部電極にも途切れが見られ、静電容量、破壊電圧および直流等価抵抗が低下した。
第1導電性粒子および第2導電性粒子の平均粒子径を同じとした場合(比較例9)には、相対ペースト膜密度が低く、その結果、静電容量および電極被覆率が低下した。
さらに、第2導電性粒子を添加しない場合(比較例10、11)、すなわち、導電性ペースト中に第1導電性粒子のみを含む場合にも、相対ペースト膜密度および電極被覆率が低く、その結果、破壊電圧および直流等価抵抗が悪化した。また、第1導電性粒子を添加しない場合(比較例12)、すなわち、導電性ペースト中に第2導電性粒子のみを含む場合にも、比較例11と同様の結果であることが確認できる。
実施例10〜35、比較例13〜61
On the other hand, when the average particle diameter of the first conductive particles is smaller than the range of the present invention (Comparative Example 1), the dispersibility of the conductive paste is lowered, and the relative paste film density, the electrode coverage, and the breakdown Voltage and DC equivalent resistance deteriorated. On the other hand, when the average particle diameter of the first conductive particles is larger than the range of the present invention (Comparative Example 2), the surface roughness of the paste film is deteriorated, and the internal electrodes are discontinuous. Capacity and breakdown voltage decreased.
When the average particle diameter of the second conductive particles was smaller than the range of the present invention (Comparative Examples 3, 5, and 7), the conductive paste thickened and screen printing became impossible. On the other hand, when the average particle diameter of the second conductive particles is larger than the range of the present invention (Comparative Examples 4, 6, and 8), the relative paste film density deteriorates, and the internal electrodes are also discontinuous, Capacitance, breakdown voltage and DC equivalent resistance decreased.
When the average particle diameters of the first conductive particles and the second conductive particles were the same (Comparative Example 9), the relative paste film density was low, and as a result, the capacitance and the electrode coverage were reduced.
Furthermore, when the second conductive particles are not added (Comparative Examples 10 and 11), that is, when only the first conductive particles are included in the conductive paste, the relative paste film density and the electrode coverage are low. As a result, breakdown voltage and DC equivalent resistance deteriorated. Moreover, it can confirm that it is the same result as the comparative example 11 also when not adding 1st electroconductive particle (comparative example 12), ie, when only 2nd electroconductive particle is included in an electroconductive paste.
Examples 10-35, Comparative Examples 13-61

CVD装置の原料気化部に設置されたルツボへの塩化Niおよび塩化Reの投入量を変化させることで、導電性粒子におけるReの含有割合(Re濃度)を表2〜4に示す値とした以外は、実施例1と同様にして、第1導電性粒子および第2導電性粒子を製造した。得られた第1導電性粒子および第2導電性粒子を用いて導電性ペーストを作製し、さらにコンデンサのサンプルを作製し、特性評価を行った。なお、導電性ペーストのスクリーン印刷が不可能であった場合は、以降の工程は実施しなかった。結果を表2〜4に示す。
表2〜4のうち、表2は、第1導電性粒子と第2導電性粒子との混合比を、重量比で、70:30とした場合の特性評価結果を示す表である。また、表3は、第1導電性粒子と第2導電性粒子との混合比を、重量比で、85:15とした場合の特性評価結果を示す表である。表4は、第1導電性粒子と第2導電性粒子との混合比を、重量比で、99:1とした場合の特性評価結果を示す表である。
Other than changing the content of Re (Re concentration) in the conductive particles to the values shown in Tables 2 to 4 by changing the amount of Ni chloride and Re chloride introduced into the crucible installed in the raw material vaporization section of the CVD apparatus Produced the first conductive particles and the second conductive particles in the same manner as in Example 1. Using the obtained first conductive particles and second conductive particles, a conductive paste was prepared, and a capacitor sample was prepared and evaluated. In addition, when screen printing of the conductive paste was impossible, the subsequent steps were not performed. The results are shown in Tables 2-4.
Among Tables 2-4, Table 2 is a table | surface which shows the characteristic evaluation result at the time of setting the mixing ratio of 1st electroconductive particle and 2nd electroconductive particle to 70:30 by weight ratio. Table 3 is a table showing the characteristic evaluation results when the mixing ratio of the first conductive particles and the second conductive particles is 85:15 by weight. Table 4 is a table showing the characteristic evaluation results when the mixing ratio of the first conductive particles and the second conductive particles is 99: 1 by weight.

Figure 2008053488
Figure 2008053488

表2より、導電性粒子におけるRe濃度が本発明の範囲内である実施例10〜18は、実施例1〜9と同様に、すべての特性が良好であった。   From Table 2, Examples 10-18 in which the Re concentration in the conductive particles is within the range of the present invention were all good as in Examples 1-9.

これに対し、第1導電性粒子におけるRe濃度が、本発明の範囲外である場合(比較例13、17〜24、28)には、静電容量、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗のいずれの特性も悪化する傾向にあることが確認できる。
また、第2導電性粒子におけるRe濃度が、本発明の範囲よりも小さい場合(比較例13〜17)には、第1導電性粒子と同様に、静電容量、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗のいずれの特性も悪化する傾向にあり、特に静電容量の低下が顕著に見られた。第2導電性粒子におけるRe濃度が、本発明の範囲よりも大きい場合(比較例24〜28)には、焼成後の内部電極層が均一な合金層になりにくいため、静電容量、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗のいずれの特性も悪化する傾向にあり、特に直流等価抵抗の悪化が顕著に見られることが確認できる。
On the other hand, when the Re concentration in the first conductive particles is outside the range of the present invention (Comparative Examples 13, 17 to 24, 28), the capacitance, the electrode coverage, the breakdown voltage, and the DC equivalent resistance It can be confirmed that any of these characteristics tend to deteriorate.
Further, when the Re concentration in the second conductive particles is smaller than the range of the present invention (Comparative Examples 13 to 17), the capacitance, electrode coverage, breakdown voltage, All the characteristics of the DC equivalent resistance tended to deteriorate, and the decrease in capacitance was particularly noticeable. When the Re concentration in the second conductive particles is larger than the range of the present invention (Comparative Examples 24-28), the internal electrode layer after firing is less likely to be a uniform alloy layer. It can be confirmed that all of the characteristics of the rate, breakdown voltage, and DC equivalent resistance tend to deteriorate, and in particular, the deterioration of the DC equivalent resistance is noticeable.

Figure 2008053488
Figure 2008053488

表3より、第1導電性粒子と第2導電性粒子との混合比を、重量比で、85:15とした場合であっても、表2と同様の傾向であることが確認できる。なお、比較例45の試料は、第1導電性粒子および第2導電性粒子におけるRe濃度を0、すなわち、第1導電性粒子および第2導電性粒子を、Ni粒子とした場合である。この場合には、Ni粒子の球状化に起因する内部電極層の膨張が顕著に見られ、その結果、電極被覆率が悪化した。また、静電容量、破壊電圧、直流等価抵抗のいずれも悪化していることが確認できる。   From Table 3, it can be confirmed that even when the mixing ratio of the first conductive particles and the second conductive particles is 85:15 by weight, the same tendency as in Table 2 is observed. In the sample of Comparative Example 45, the Re concentration in the first conductive particles and the second conductive particles is 0, that is, the first conductive particles and the second conductive particles are Ni particles. In this case, the expansion of the internal electrode layer due to the spheroidization of the Ni particles was noticeable, and as a result, the electrode coverage was deteriorated. It can also be confirmed that all of the capacitance, breakdown voltage, and DC equivalent resistance are deteriorated.

Figure 2008053488
Figure 2008053488

表4より、第1導電性粒子と第2導電性粒子との混合比を、重量比で、99:1とした場合であっても、表2と同様の傾向であることが確認できる。   From Table 4, even when the mixing ratio of the first conductive particles and the second conductive particles is 99: 1 by weight, it can be confirmed that the tendency is the same as in Table 2.

なお、第1導電性粒子の含有割合が少なすぎる(第2導電性粒子の含有割合が多すぎる)と、焼成後の内部電極層におけるRe濃度のムラが大きくなる傾向にあり、第1導電性粒子の含有割合が多すぎる(第2導電性粒子の含有割合が少なすぎる)と、相対ペースト膜密度が低下し、その結果、静電容量、電極被覆率等が悪化する傾向にあることが本発明者等により確認された。   If the content ratio of the first conductive particles is too small (the content ratio of the second conductive particles is too large), unevenness of the Re concentration in the internal electrode layer after firing tends to increase, and the first conductivity If the content ratio of the particles is too large (the content ratio of the second conductive particles is too small), the relative paste film density decreases, and as a result, the capacitance, the electrode coverage ratio, etc. tend to deteriorate. It was confirmed by the inventors.

表1〜4より、本発明に係る導電性ペーストは、内部電極層を薄層化した場合であっても、乾燥後の電極ペースト膜の密度を上げることができる。さらに、焼成時においても導電性粒子の粒成長、球状化、電極途切れなどを有効に防止できるため、静電容量の低下を効果的に抑制しつつ、その他の特性(電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗等)を良好にすることができる。   From Tables 1 to 4, the conductive paste according to the present invention can increase the density of the electrode paste film after drying even when the internal electrode layer is thinned. Furthermore, since the grain growth, spheroidization, and electrode breakage of the conductive particles can be effectively prevented even during firing, other characteristics (electrode coverage, breakdown voltage, DC equivalent resistance, etc.) can be improved.

図1は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係る導電性ペーストの概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a conductive paste according to an embodiment of the present invention. 図3(A)〜図3(C)は、電極ペースト膜の転写方法を示す要部断面図である。FIG. 3A to FIG. 3C are cross-sectional views of relevant parts showing a method for transferring an electrode paste film. 図4(A)〜図4(C)は、図3(A)〜図3(C)の続きの工程を示す要部断面図である。4 (A) to 4 (C) are cross-sectional views showing the main part of the process subsequent to FIGS. 3 (A) to 3 (C). 図5は、CVD法による本発明の導電性粒子の製造装置の模式図である。FIG. 5 is a schematic view of an apparatus for producing conductive particles of the present invention by a CVD method. 図6(A)は図2に示す導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図、図6(B)は従来例に係る貴金属被覆Ni粒子を含む導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図、図6(C)は、従来例に係るNiと貴金属との合金粒子を含む導電性ペーストを用いて形成した電極ペースト膜の概略図である。6A is a schematic diagram of an electrode paste film formed using the conductive paste shown in FIG. 2, and FIG. 6B is an electrode formed using a conductive paste containing noble metal-coated Ni particles according to a conventional example. FIG. 6C is a schematic diagram of a paste film, and FIG. 6C is a schematic diagram of an electrode paste film formed using a conductive paste containing alloy particles of Ni and noble metal according to a conventional example.

符号の説明Explanation of symbols

2… 積層セラミックコンデンサ
4… コンデンサ素体
4a… 第1端部
4b… 第2端部
6,8… 端子電極
10… 誘電体層
10a… グリーンシート
12… 内部電極層
12a… 導電性ペースト
12b… 電極ペースト膜
12c… 電極ペースト膜
12d… 電極ペースト膜
20… キャリアシート
22… 剥離層
26… キャリアシート
28… 接着層
30… キャリアシート
42… 第1導電性粒子
44… 第2導電性粒子
46… 共材
48… 貴金属被覆Ni粒子
50… Niと貴金属との合金粒子
60… 導電性粒子製造装置
62… 反応容器
64… 電気炉
66… キャリアガス導入ノズル
68… 還元ガス導入ノズル
70… ルツボ
2 ... Multilayer ceramic capacitor 4 ... Capacitor body 4a ... First end 4b ... Second end 6,8 ... Terminal electrode 10 ... Dielectric layer 10a ... Green sheet 12 ... Internal electrode layer 12a ... Conductive paste 12b ... Electrode Paste film 12c ... Electrode paste film 12d ... Electrode paste film 20 ... Carrier sheet 22 ... Release layer 26 ... Carrier sheet 28 ... Adhesive layer 30 ... Carrier sheet 42 ... First conductive particle 44 ... Second conductive particle 46 ... Common material 48 ... Precious metal-coated Ni particles 50 ... Alloy particles of Ni and precious metals 60 ... Conductive particle manufacturing apparatus 62 ... Reaction vessel 64 ... Electric furnace 66 ... Carrier gas introduction nozzle 68 ... Reducing gas introduction nozzle 70 ... Crucible

Claims (11)

ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が200nm以上、400nm以下である第1導電性粒子と、
ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が40nm以上、80nm以下である第2導電性粒子と、を含有する導電性ペーストであって、
前記導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下であり、
前記第1導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、0.3モル%以上、1.5モル%以下であり、
前記第2導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、3.3モル%以上、10モル%以下であることを特徴とする導電性ペースト。
First conductive particles mainly composed of an alloy of nickel and a noble metal and having an average particle diameter of 200 nm or more and 400 nm or less;
A conductive paste containing an alloy of nickel and a noble metal as a main component and second conductive particles having an average particle diameter of 40 nm or more and 80 nm or less,
The content of the noble metal with respect to all the conductive components in the conductive paste is more than 0.3 mol% and not more than 13 mol%,
The content ratio of the noble metal in the first conductive particles is 0.3 mol% or more and 1.5 mol% or less,
The conductive paste, wherein the content ratio of the noble metal in the second conductive particles is 3.3 mol% or more and 10 mol% or less.
前記貴金属が、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、レニウム(Re)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)およびオスミウム(Os)から選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする請求項1に記載の導電性ペースト。   The noble metal according to claim 1, wherein at least one element selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir) and osmium (Os) is a main component. The conductive paste as described. 前記導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記第1導電性粒子と前記第2導電性粒子との含有割合が、重量比で、第1導電性粒子:第2導電性粒子=70:30〜99:1の範囲である請求項1または2に記載の導電性ペースト。   The content ratio of the first conductive particles and the second conductive particles to the total conductive components in the conductive paste is, by weight ratio, first conductive particles: second conductive particles = 70: 30 to The conductive paste according to claim 1 or 2, which is in a range of 99: 1. 前記第1導電性粒子および前記第2導電性粒子以外に、共材粒子、バインダー、溶剤および分散剤を含有する請求項1〜3のいずれかに記載の導電性ペースト。   The electrically conductive paste in any one of Claims 1-3 containing a co-material particle | grain, a binder, a solvent, and a dispersing agent other than a said 1st electroconductive particle and a said 2nd electroconductive particle. 内部電極層と誘電体層とを有する電子部品を製造する方法であって、
請求項1〜4のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて、焼成後に内部電極層となる電極ペースト膜を形成する工程と、
前記電極ペースト膜を、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと積層させる工程と、
前記グリーンシートと前記電極ペースト膜との積層体を焼成する工程と、
前記積層体を焼成した後に、焼成後の前記積層体をアニールする工程と、を有する電子部品の製造方法。
A method of manufacturing an electronic component having an internal electrode layer and a dielectric layer,
Using the conductive paste according to any one of claims 1 to 4, a step of forming an electrode paste film that becomes an internal electrode layer after firing;
Laminating the electrode paste film with a green sheet that becomes a dielectric layer after firing;
Firing a laminate of the green sheet and the electrode paste film;
And a step of annealing the laminated body after firing after firing the laminated body.
乾燥後の前記電極ペースト膜の密度が、乾燥後の前記電極ペースト膜の理論密度の90%以上である請求項5に記載の電子部品の製造方法。   The method for manufacturing an electronic component according to claim 5, wherein the density of the electrode paste film after drying is 90% or more of the theoretical density of the electrode paste film after drying. 前記積層体を、10−10 〜10−2Paの酸素分圧を持つ雰囲気中で、1000〜1300°Cの温度で焼成する請求項5または6に記載の電子部品の製造方法。 The manufacturing method of the electronic component of Claim 5 or 6 which bakes the said laminated body at the temperature of 1000-1300 degreeC in the atmosphere which has an oxygen partial pressure of 10 < -10 > -10 <-2 > Pa. 前記積層体を焼成した後に、10−2〜100Paの酸素分圧を持つ雰囲気中で、1200°C以下の温度でアニールする請求項5〜7のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 The method for manufacturing an electronic component according to any one of claims 5 to 7, wherein after firing the laminate, annealing is performed at a temperature of 1200 ° C or lower in an atmosphere having an oxygen partial pressure of 10 -2 to 100 Pa. 請求項5〜8のいずれかに記載の方法により製造された電子部品であって、
前記内部電極層の厚みが、0.1μm以上、1.0μm以下である電子部品。
An electronic component manufactured by the method according to claim 5,
An electronic component having a thickness of the internal electrode layer of 0.1 μm or more and 1.0 μm or less.
焼成およびアニール後の前記内部電極層が前記誘電体層を覆う理想の設計面積に対して、焼成およびアニール後の前記内部電極層が前記誘電体層を実際に覆う面積の割合を示す電極被覆率が、80%以上である請求項9に記載の電子部品。   The electrode coverage ratio indicating the ratio of the area where the internal electrode layer after firing and annealing actually covers the dielectric layer to the ideal design area where the internal electrode layer after firing and annealing covers the dielectric layer Is 80% or more, The electronic component according to claim 9. 内部電極層と誘電体層とが交互に積層してある素子本体を有する積層セラミックコンデンサを製造する方法であって、
請求項1〜4のいずれかに記載の導電性ペーストを用いて焼成後に内部電極層となる電極ペースト膜を形成する工程と、
前記電極ペースト膜を、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと交互に積層させる工程と、
前記グリーンシートと前記電極ペースト膜との積層体を焼成する工程と、
前記積層体を焼成した後に、前記積層体をアニールする工程と、を有する
積層セラミックコンデンサの製造方法。
A method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor having an element body in which internal electrode layers and dielectric layers are alternately stacked,
Forming an electrode paste film to be an internal electrode layer after firing using the conductive paste according to claim 1;
A step of alternately stacking the electrode paste film with a green sheet that becomes a dielectric layer after firing;
Firing a laminate of the green sheet and the electrode paste film;
And a step of annealing the multilayer body after firing the multilayer body.
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