JP2008038249A - Nickel alloy sputtering target - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for forming a barrier layer which is excellent in wettability with a Sn-Pb solder bump, can inhibit the diffusion of Sn being a component of the Sn-Pb solder, and can effectively prevent the reaction with an undercoat when the Sn-Pb solder bump is formed on the undercoat or a pad of a wiring and an electrode, formed on a substrate such as a semiconductor wafer and an electronic circuit, particularly the undercoat or the pad made of copper or a copper alloy. <P>SOLUTION: The nickel alloy sputtering target for forming the barrier layer is a Ni-Sn alloy sputtering target capable of inhibiting the diffusion of Sn between the undercoat or the pad and the Sn-Pb solder bump. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドと、この上に形成されたSn−Pb系ハンダバンプとの間の、該Sn−Pb系ハンダの成分であるSnの拡散を抑制することのできるバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲットに関する The present invention, the underlying layer or pad of the wiring and electrodes and the like formed on a substrate such as a semiconductor wafer or electronic circuits, and the underlying layer or pad made of particularly copper or a copper alloy, Sn-Pb-based solder bump formed on the relates to a nickel alloy sputtering target for a barrier layer formed capable of suppressing the diffusion of the Sn-Pb system is a solder component Sn between.

一般に、半導体ウエハや電子回路基板上にアルミニウムや銅の電極やパッドが形成され、さらにその上に導電性ハンダバンプ、金バンプ、ニッケルバンプ等が形成されている。 In general, the electrode or pad of aluminum or copper is formed on a semiconductor wafer or an electronic circuit board, further conductive solder bumps thereon, the gold bumps, nickel bumps are formed. なかでもハンダバンプが実装の容易さやリペア性が容易であることから、現在の主流な材料となっている。 Among these solder bumps since it is easier to ease and repair of the implementation, is the current mainstream material.
しかし、銅等の電極下地層又はパッドがSn−Pb系ハンダと反応し易いため、ハンダバンプが形成された後、製造工程又は使用環境下の熱でハンダ中のSn拡散が生じ、下地層である銅等の電極下地層又はパッドと反応して、電極層又はパッドの剥離あるいは素子中へのハンダの拡散による特性劣化を起こすという問題があった。 However, since the electrode foundation layer or pad made of copper or the like is liable to react with Sn-Pb based solder, after solder bumps are formed, occurs Sn diffusion in solder in the manufacturing process or the use of environment heat is the underlying layer reacts with the electrode foundation layer or pad made of copper or the like, there is a problem that causes characteristic deterioration due to solder diffusion into the electrode layer or pad of the release or in the element.

このようなことから、銅等の電極下地層又はパッドとSn−Pb系ハンダバンプとの反応を防止できる中間のバリヤー層をスパッタリング法により形成するという提案がなされた。 For this reason, proposal barrier layer of the intermediate which can prevent the reaction between the electrode base layer or pad and Sn-Pb-based solder bump such as copper is formed by a sputtering method has been made.
この中間のバリヤー層は、銅等の電極下地層との接着性が良好であり、かつSn−Pb系ハンダバンプの濡れ性が良好であることが必要とされる。 The intermediate barrier layer has good adhesion to the electrode base layer of copper, and the wettability of the Sn-Pb-based solder bump is required to be good.
このような材料として選ばれたのがニッケルである。 A nickel was selected as such a material. しかし、このニッケルは強磁性体であるためスパッタ効率が悪く、このスパッタ効率を上げるためにはニッケルターゲットを極端に薄くしなければならず、このためターゲットの製造が複雑となり、製造コストも増大するという問題があった。 However, the nickel is poor in sputtering efficiency because of a ferromagnetic material, this in order to increase the sputtering efficiency must extremely thin nickel target, the production of this for the target becomes complicated, also increases manufacturing costs there is a problem in that.

このため、Niターゲットの磁性を低下させてスパッタ効率を上げるための材料としてNi−V合金膜が提案された。 Therefore, Ni-V alloy films have been proposed as a material for increasing the sputtering efficiency by reducing the magnetism of the Ni target. しかし、このNi−V合金膜はSnのバリヤー性が必ずしも十分ではなく、下地膜と反応して電気抵抗が増加するなどの問題があった。 However, the Ni-V alloy films is not always sufficient barrier properties of Sn, a problem such as an electrical resistance increases by reacting a base film.
このように、中間層となるハンダ濡れ性が良く、かつ効果的なバリヤー層を形成することのできるスパッタリングターゲット材料が見出せないために、Sn−Pb系ハンダバンプを使用する場合には、しばしば下地銅層との反応が起きるという問題があった。 Thus, in order to solder wettability as the intermediate layer is good, and is not found sputtering target material capable of forming an effective barrier layer, when using the Sn-Pb-based solder bump is often base copper there is a problem that the reaction of the layer occurs.

本発明は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にSn−Pb系ハンダバンプを形成するに際し、該Sn−Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好であると共に、該Sn−Pb系ハンダの成分であるSnの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することのできるバリヤー層を形成するためのニッケル合金スパッタリングターゲットを提供する Upon this invention, the underlying layer or pad of the wiring and electrodes and the like formed on a substrate such as a semiconductor wafer or electronic circuitry, to form the Sn-Pb-based solder bump, especially on the underlying layer or pad made of copper or a copper alloy, with wettability with the Sn-Pb-based solder bump it is good, and suppressing the diffusion of Sn is a component of the Sn-Pb based solder, a barrier layer capable of preventing the reaction between the underlying layer effectively providing a nickel alloy sputtering target for forming a.

本発明は、 The present invention,
1. 1. Sn10〜80wt%、残部NiからなるNi−Sn合金スパッタリングターゲットであって、Niマトリックス中にNi Sn、Ni Sn 又はNi Sn が分散し、平均粒径が100μm以下の組織を備えていることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット2. Sn10~80wt%, a Ni-Sn alloy sputtering target comprising the balance Ni, Ni 3 Sn, Ni 3 Sn 2 or Ni 3 Sn 4 is dispersed in a Ni matrix, the average particle size with the following tissue 100μm nickel alloy sputtering target 2, characterized in that is. Sn15〜73wt%、残部Niからなる合金であることを特徴とする上記1記載のニッケル合金スパッタリングターゲット3. Sn15~73wt%, claim 1, wherein the nickel alloy sputtering target 3, characterized in that the alloy and the balance Ni. 添加元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ボロン、バナジウム、ニオブ、タンタル、希土類から選択した少なくとも1種類以上の元素を1〜10wt%含有することを特徴とする上記1又は2記載のニッケル合金スパッタリングターゲット、を提供する As an additive element, titanium, zirconium, hafnium, boron, vanadium, niobium, tantalum, 1 or 2 above, a nickel alloy sputtering target according to, characterized in that the at least one element selected from rare earth containing 110 wt.% , to provide.

本発明のニッケル合金スパッタリングターゲットにより形成されたバリヤー層は 、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にSn−Pb系ハンダバンプを形成するに際して、該Sn−Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好であり、かつ該Sn−Pb系ハンダの成分であるSnの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することができるという優れた効果を有する。 Barrier layer formed by a nickel alloy sputtering target of the present invention, a semiconductor wafer or the underlying layer or pad of the wiring and electrodes and the like formed on a substrate such as an electronic circuit, in particular on the underlying layer or pad made of copper or a copper alloy to when forming the Sn-Pb-based solder bump, good wettability with the Sn-Pb-based solder bump, and suppressing the diffusion of Sn is a component of the Sn-Pb based solder, a reaction between the underlying layer It has an excellent effect that it is possible to effectively prevent.

半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上に、Sn−Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好である、本発明のNi−Sn合金スパッタリングターゲットを用いてバリヤー層を形成する。 Semiconductor wafer or the underlying layer or pad of the wiring and electrodes and the like formed on a substrate such as an electronic circuit, in particular on the underlying layer or pad made of copper or a copper alloy, is good wettability with the Sn-Pb-based solder bump to form a barrier layer using a Ni-Sn alloy sputtering target of the present invention. このバリヤー層は1層のみである必要はなく、他の材料との複合層であっても良い。 The barrier layer need not be only one layer, or may be a composite layer with other materials.
本発明のNi−Sn合金スパッタリングターゲットを用いて形成したバリヤー層の上に、さらにSn−Pb系ハンダバンプが形成されるが、このハンダバンプの成分であるSnの拡散を、このバリヤー層によって効果的に抑制し、下地層である銅層との反応を効果的に防止することができる。 On the barrier layer formed by using the Ni-Sn alloy sputtering target of the present invention are further Sn-Pb-based solder bump is formed, the diffusion of Sn is a component of the solder bump, effectively by the barrier layer suppressing can be effectively prevent reaction between the copper layer as an underlying layer.
さらに、このNi−Sn合金バリヤー層は、上記の通りSn−Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好であるという特徴を有する。 Further, the Ni-Sn alloy barrier layer is characterized in that the wettability between the street Sn-Pb-based solder bump is excellent.
上記Ni−Sn合金バリヤー層によるSnの拡散の抑止効果は、中間バリヤーであるNi−Sn膜中において、すでにSnが飽和しているため、Sn−Pb系ハンダバンプからのSn移動、拡散が防止されるとためと考えられる。 Deterrent effect of the diffusion of Sn by the Ni-Sn alloy barrier layer, the Ni-Sn film is an intermediate barrier already since Sn is saturated, Sn transfer from Sn-Pb-based solder bump, diffusion is prevented considered Rutotame.

Ni−Sn合金バリヤー層を形成するためのニッケル合金スパッタリングターゲットの成分としては、Sn10〜80wt%、残部Niからなる合金であることが望ましい。 The components of the nickel alloy sputtering target for forming a Ni-Sn alloy barrier layer, Sn10~80wt%, it is desirable that the alloy and the balance Ni. Sn10wt%未満では、Niの持つ強磁性体としての磁性が持続し、薄膜層を形成するためのスパッタ効率が低いからである。 In less than Sn10wt%, magnetic persists as the ferromagnetic body having a Ni, because low sputtering efficiency for forming a thin film layer.
Ni−Sn合金中におけるSnは、固溶体として又はNiマトリックス中にNi Sn、Ni Sn 、Ni Sn のいずれか1又は2以上の金属間化合物として存在するが、Sn80wt%を超えるとフリーのSnが増加するので、これが成膜中を拡散し、下地銅層との反応を引き起こす原因となる可能性があるため、Sn80wt%以下とするのが望ましい。 Sn in Ni-Sn alloy is present as Ni 3 Sn, Ni 3 Sn 2, Ni 3 any one or more of the intermetallic compound of Sn 4 or Ni matrix as a solid solution, exceeds Sn80wt% since free Sn is increased, which is diffused through the film deposition, there is a possibility that the cause of the reaction between the underlying copper layer is desirably set to less Sn80wt%. 好ましくは、Sn15〜73wt%、残部Niからなる合金である。 Preferably, Sn15~73wt%, an alloy and the balance Ni.

本発明のNi−Sn合金は、さらに添加元素としてチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ボロン、ニオブ、タンタル、希土類から選択した少なくとも1種類以上の元素を1〜10wt%含有させることができる。 Ni-Sn alloy of the present invention may further titanium as an additional element, zirconium, hafnium, vanadium, boron, niobium, tantalum, is contained 110 wt.% Of at least one element selected from rare earth.
これによって、本発明のバリヤー膜によって、Sn−Pb系ハンダの成分であるSnの拡散をさらに効果的に抑制し、前記下地層との反応を防止することができる。 Thus, the barrier membrane of the present invention further effectively suppress the diffusion of Sn is a component of the Sn-Pb based solder, it is possible to prevent the reaction between the underlying layer.
したがって、バリヤー膜それ自体が通常の膜厚よりも薄くすることが可能であり、生産効率を高め、製造コストを下げることができる。 Therefore, it is possible to the barrier film itself is thinner than the normal thickness, increase production efficiency, the manufacturing cost can be reduced.

本発明のバリヤー層形成用ニッケル合金ターゲットは、溶製法、すなわちNi−Sn合金を溶解し、鋳造、鍛造、圧延等の工程を経て、ターゲットに形成する。 The barrier layer forming a nickel alloy target of the present invention, melting method, i.e., by dissolving the Ni-Sn alloy, casting, forging, through processes such as rolling, to form a target.
溶製ターゲット品は、合金中のSnが一部は、固溶体として及びSn含有量が少ない場合は、ニッケルマトリックス中にSnがNi Snの金属間化合物として存在し、Sn含有量が増加するにしたがって、Ni Sn 、Ni Sn 金属間化合物の量が増加する。 Melting the target product, a portion of Sn in the alloy, if a small as a solid solution and Sn content, Sn in the nickel matrix is present as an intermetallic compound of Ni 3 Sn, the Sn content increases Accordingly, the amount of Ni 3 Sn 2, Ni 3 Sn 4 intermetallic compound is increased. そして、およそ73wt%を超えるとフリーのSnが増えてくる。 Then, come free of Sn increases of more than about 73wt%.
上記の通り、フリーのSnの増加は下地層であるCu層との反応が生じる虞があるので、Sn量を80wt%以下、好ましくは73wt%以下とする。 As described above, since an increase in the free Sn is a possibility that reaction between the Cu layer as the underlying layer occurs, 80 wt% of Sn amount or less, and preferably less 73 wt%.

また、本発明のバリヤー層形成用ニッケル合金ターゲットは、粉末冶金によっても製造することができる。 Moreover, a barrier layer forming a nickel alloy target of the present invention can be produced by powder metallurgy.
この場合、アトマイズ法などの微粉化プロセスを用いて作製したニッケル合金粉を使用して焼結体ニッケル合金ターゲットとすることが有効である。 In this case, it is effective to sinter nickel alloy target using a nickel alloy powder produced by using micronized processes such as atomization method. このようなニッケル合金アトマイズ粉を使用した場合は、均一性に優れた焼結体が得られる。 When using such a nickel alloy atomized powder, a sintered body having excellent uniformity can be obtained. 通常のニッケル粉、錫粉を用いて焼結体ターゲットとするよりも品質の良いターゲットが作製できる。 Typical nickel powder, the target can be produced with good quality than a sintered body target with tin powder.
焼結工程においては、例えばHP又はHIPを用いてターゲットを製造する。 In the sintering step, for example, to produce the target using the HP or HIP. このようなニッケル合金スパッタリングターゲットは、組成や製造プロセスによって、Snが固溶したNiやNi Sn、Ni Sn 、Ni Sn 等の金属間化合物が分散した組織を備えている。 Such nickel alloy sputtering target, depending on the composition and manufacturing process, and a Sn is solid-dissolved Ni or Ni 3 Sn, intermetallic compounds such as Ni 3 Sn 2, Ni 3 Sn 4 are dispersed organization.
結晶組織は、平均粒径が100μm以下であることが望ましい。 Crystal structure, it is preferable average particle size of 100μm or less. これによって、均一なバリヤー膜を形成することができる。 This makes it possible to form a uniform barrier film. 半導体又はその他の電子部品への汚染を防止するため、ターゲットの原料となるニッケル及び錫並びに添加元素の純度が3N(99.9%)以上、好ましくは5N以上であることが望ましい。 To prevent contamination of the semiconductor or other electronic components, the purity nickel is the target of the starting material and tin, as well as the additional element 3N (99.9%) or more, preferably at most than 5N.

次に、実施例に基づいて説明する。 Next, it will be described based on examples. なお、これらは本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらに制限されるものではなく、本発明の技術思想の範囲にある、他の実施例又は変形はいずれも本発明の範囲に含まれる。 Note that these are intended to facilitate the understanding of the present invention, the present invention is not limited thereto, it is in the scope of the technical idea of ​​the present invention, any other embodiments or variations present within the scope of the invention.
実施例1(溶製法) Example 1 (melting method)
原料として純度5N(99.999wt%)のNiブロックと純度4N(99.99wt%)のSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity 5N (99.999wt%) (99.99wt%) as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて15700gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 15700g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に4300g(Sn含有量21.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, finally dissolving 4300 g (Sn content 21.5 wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを900°C〜1130°C未満で熱間鍛造・熱間圧延した。 The ingot was hot rolled forging and heat at less than 900 ° C~1130 ° C. これらから、機械加工にてφ80mm×厚さ10mmのターゲットを作製した。 These, a target was prepared in 80 mm × 10mm thick at machining.

実施例2(溶製法) Example 2 (melting method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットと純度5NのZrブロックを使用した。 Using Zr block of Sn shot and purity of 5N Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて15500gのNiと、200gのZrを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible, and Ni of 15500g at a vacuum atmosphere to dissolve Zr in 200 g. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に4300g(Sn含有量21.5wt%、Zr含有量1wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, and finally 4300 g (Sn content 21.5 wt%, Zr content 1 wt%) was dissolved.
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを900°C〜1130°C未満で熱間鍛造・熱間圧延した。 The ingot was hot rolled forging and heat at less than 900 ° C~1130 ° C. これらから、機械加工にてφ80mm×厚さ10mmのターゲットを作製した。 These, a target was prepared in 80 mm × 10mm thick at machining.

実施例3(アトマイズ、粉末冶金法) Example 3 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて15700gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 15700g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に4300g(Sn含有量21.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, finally dissolving 4300 g (Sn content 21.5 wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、1100°C、面圧250kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 1100 ° C, and sintered at a surface pressure of 250 kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例4(アトマイズ、粉末冶金法) Example 4 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて11800gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 11800g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に8200g(Sn含有量41.0wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, finally dissolving 8200 g (Sn content 41.0wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、900°C、面圧250kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 900 ° C, and sintered at a surface pressure of 250 kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例5(アトマイズ、粉末冶金法) Example 5 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットと純度5NのHfブロックを使用した。 Using Hf blocks Sn shots and purity of 5N of Ni blocks and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて11200gのNiと600gのHfを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni and 600g of Hf of 11200g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に8200g(Sn含有量41.0wt%、Hf含有量3.0wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, and finally 8200 g (Sn content 41.0wt%, Hf content 3.0 wt%) were dissolved.
溶湯温度1500°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1500 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度マグネシア製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity magnesia crucible was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、900°C、面圧250kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 900 ° C, and sintered at a surface pressure of 250 kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例6(アトマイズ、粉末冶金法) Example 6 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて8500gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 8500g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に11500g(Sn含有量57.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, was finally dissolved 11500G (Sn content 57.5wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、1200°C、面圧310kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 1200 ° C, and sintered at a surface pressure of 310kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例7(アトマイズ、粉末冶金法) Example 7 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットと純度5NのNbブロックを使用した。 Using Nb blocks Sn shots and purity of 5N of Ni blocks and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて7700gのNiと800gのNbを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Nb of 7700g of Ni and 800g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に11500g(Sn含有量57.5wt%、Nb含有量4.0wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, eventually 11500G (Sn content 57.5wt%, Nb content 4.0 wt%) were dissolved.
溶湯温度1450°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping at molten metal temperature 1450 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、1200°C、面圧310kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 1200 ° C, and sintered at a surface pressure of 310kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例8(アトマイズ、粉末冶金法) Example 8 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットと純度3NのNd(ネオジウム)チップを使用した。 Using Nd (neodymium) chips Sn shots and purity 3N of Ni blocks and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて8200gのNiと300gのNdを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Nd of 8200g of Ni and 300g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に11500g(Sn含有量57.5wt%、Nd含有量1.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, eventually 11500G (Sn content 57.5wt%, Nd content 1.5 wt%) were dissolved.
溶湯温度1450°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping at molten metal temperature 1450 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、1200°C、面圧310kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 1200 ° C, and sintered at a surface pressure of 310kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例9(アトマイズ、粉末冶金法) Example 9 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて5500gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 5500g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に114500g(Sn含有量72.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, was finally dissolved 114500G (Sn content 72.5wt%).
溶湯温度1350°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping at molten metal temperature 1350 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、780°C、面圧310kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 780 ° C, and sintered at a surface pressure of 310kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例10(アトマイズ、粉末冶金法) Example 10 (atomized powder metallurgy method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットと純度5NのVブロックを使用した。 Using V-block of Sn shot and purity of 5N Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて5200gのNiと300gのVを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved V of 5200g of Ni and 300g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に14500g(Sn含有量72.5wt%、V含有量1.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, eventually 14500G (Sn content 72.5wt%, V content 1.5 wt%) were dissolved.
溶湯温度1350°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping at molten metal temperature 1350 ° C. このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。 By cutting the ingot into blocks, to produce an alloy powder was dissolved and sprayed with a gas atomizing apparatus. ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス(ゲージ圧40〜50kgf/cm )で噴霧して300μm以下の球状合金粉を作製した。 As the crucible of gas atomizing apparatus, using high-purity alumina crucible, was prepared following the spherical alloy powder 300μm by spraying with argon gas after melted by high-frequency heating method (gauge pressure 40~50kgf / cm 2).
この合金から60μm以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、780°C、面圧310kgf/cm で焼結した。 This 60μm following powder alloy sieved using a graphite die in a hot press, 780 ° C, and sintered at a surface pressure of 310kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

実施例11(メカニカルアロイング、粉末冶金法) Example 11 (mechanical alloying, powder metallurgy)
原料として純度3NのNiパウダー(平均粒径200μm)と純度4NのSnパウダー(平均粒径20μm)を使用した。 Ni powder having a purity of 3N as a raw material using Sn powder (average particle size 200 [mu] m) and purity 4N (average particle size 20 [mu] m). アルゴンガス雰囲気でハイブリタイザー(奈良機械製)にて、5500gのNiパウダーと14500gのSnパウダー(Sn含有量72.5wt%)を処理して、Ni粒子表面にSn粒子を付着させた。 In an argon gas atmosphere at a hybridizer (manufactured by Nara Machinery), it processes the Sn powder Ni powder and 14500g of 5500 g (Sn content 72.5Wt%), were deposited Sn particles Ni particle surface.
この表面改質したパウダーをアルゴン置換したロッドミルにて、24時間メカニカルアロイングした。 The surface-modified powder in a rod mill, which was replaced with argon, for 24 hours mechanical alloying. さらにホットプレスでグラファイトダイスに充填して、780°C、面圧300kgf/cm で焼結した。 Was further filled in a graphite die in a hot press, 780 ° C, and sintered at a surface pressure of 300 kgf / cm 2. この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ80mm×厚さ5mmのターゲットを作製した。 A target was prepared in 80 mm × thickness 5mm this carburized layer from the sintered body was machined off.

比較例1(粉末冶金法) Comparative Example 1 (powder metallurgy)
原料として純度3NのNiパウダー(粒径40μm以下)と純度4NのSnパウダー(粒径35μm以下)を使用した。 Using a Ni powder having a purity of 3N (particle size 40μm or below) Sn powder purity 4N (particle size 35μm or less) as a raw material. アルゴンガス雰囲気で置換したボールミル中にて、800gのNiパウダーと200gのSnパウダー(Sn含有量20.0wt%)を1時間処理して十分混合した。 C. in a ball mill was replaced by argon gas atmosphere and Sn powder Ni powder and 200g of 800g of (Sn content 20.0 wt%) was 1 hour and thoroughly mixed.
この混合粉をホットプレスでグラファイトダイスを用い、210°C、面圧250kgf/cm で固化した。 Using a graphite die of the mixed powder by hot pressing, 210 ° C, and solidified at a surface pressure of 250 kgf / cm 2. その後、真空雰囲気で1050°C×5時間焼結した。 Then 1050 ° C × 5 hours sintered in a vacuum atmosphere. これから、φ80mm×厚さ3mmのターゲットを作製した。 From now on, to prepare a target of φ80mm × thickness 3mm.

比較例2(溶製法) Comparative Example 2 (melting method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて13000gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 13000g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に7000g(Sn含有量35.0wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, finally dissolving 7000 g (Sn content 35.0 wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。 The ingot was attempted to plastic working by a method such as hot forging and hot rolling, but was not able to be cracked to produce a target.

比較例3(溶製法) Comparative Example 3 (melting method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて11800gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 11800g at a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に8200g(Sn含有量41.0wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, finally dissolving 8200 g (Sn content 41.0wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。 The ingot was attempted to plastic working by a method such as hot forging and hot rolling, but was not able to be cracked to produce a target.

比較例4(溶製法) Comparative Example 4 (melting method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて8500gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 8500g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に11500g(Sn含有量57.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, was finally dissolved 11500G (Sn content 57.5wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。 The ingot was attempted to plastic working by a method such as hot forging and hot rolling, but was not able to be cracked to produce a target.

比較例5(溶製法) Comparative Example 5 (melting method)
原料として純度5NのNiブロックと純度4NのSnショットを使用した。 Using Sn shots Ni block and purity of 4N purity of 5N as a raw material. 水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて5500gのNiを溶解した。 In a vacuum high frequency induction furnace having a water-cooled copper crucible was dissolved Ni of 5500g in a vacuum atmosphere. その中にSnを少量ずつ加えて、最終的に14500g(Sn含有量72.5wt%)を溶解した。 Added portionwise Sn therein, was finally dissolved 14500G (Sn content 72.5wt%).
溶湯温度1400°Cで出湯して鋳造インゴットを作製した。 To prepare a cast ingot by tapping in the molten metal temperature 1400 ° C. このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。 The ingot was attempted to plastic working by a method such as hot forging and hot rolling, but was not able to be cracked to produce a target.

上記実施例1〜11及び比較例1〜5の製造方法、原料組成、不純物濃度の分析結果等を一覧表(表1)にして示す。 The method of manufacturing the above Examples 1-11 and Comparative Examples 1-5, raw material composition, shown in the table of analysis results of impurity concentration (Table 1).
なお、表1において、符号ATはアトマイズ粉、符号MAはメカニカルアロイング粉を使用した場合を示す。 In Table 1, reference numeral AT is atomized powder, numeral MA denotes a case of using a mechanical alloying powder. また、−の表示は、割れが発生しターゲットに作製できなかったために、不純物濃度の分析しなかったことを示す。 Further, - a display of, for cracks could not be fabricated by generating target, it indicates not analyzed impurity concentration.

(評価結果) (Evaluation results)
(Sn−Pb(Sn:Pb=4:6)ハンダとの濡れ性評価試験) (Sn-Pb (Sn: Pb = 4: 6) Wettability Evaluation Test with solder)
Si基板上に1000ÅのTi膜をマグネトロンスパッタ成膜した後、実施例1〜11及び比較例1のターゲット、並びにNi−7wt%Vターゲット(比較例6とする)及びNi−30wt%Cuターゲット(比較例7とする)を使用して、それぞれNi合金膜4000Åをマグネトロンスパッタ成膜した。 After magnetron sputtering a Ti film of 1000Å on the Si substrate, the target Examples 1 to 11 and Comparative Example 1, and (a Comparative Example 6) Ni-7wt% V target and Ni-30 wt% Cu target ( use as in Comparative example 7), was magnetron sputtering a Ni alloy film 4000Å respectively. スパッタ成膜開始時には、特に問題はなかった。 At the start sputtering, there was no particular problem.
このスパッタ膜上に、直径0.60mmのSn−Pb(Sn:Pb=4:6)ハンダボールを置いて、大気中で240°Cに加熱し、ハンダボールの直径の広がりを測定した。 This sputtered film, the diameter 0.60mm Sn-Pb (Sn: Pb = 4: 6) at a solder ball, and heated to 240 ° C in air, was measured spread of the solder ball diameter.
その結果を表2に示す。 The results are shown in Table 2. 表2から明らかなように、本発明の実施例1〜11では、加熱ハンダボールの平均直径が0.76〜1.36mmの範囲にあり、Sn−Pbハンダとの濡れ性が良好であることが分かる。 As apparent from Table 2 that, in Examples 1 to 11 of the present invention, the range the average diameter of 0.76~1.36mm heating the solder balls, wettability with the Sn-Pb solder is excellent It can be seen.
これに対し、比較例6及び7については、ハンダ濡れ性は不良であった。 In contrast, Comparative Examples 6 and 7, the solder wettability was poor. なお、比較例1は実施例と同等の良好なハンダ濡れ性を示した。 Incidentally, Comparative Example 1 exhibited good solderability comparable to Example.

(Snの拡散評価試験) (Diffusion evaluation test of Sn)
図1に示すように、Si基板上に6000ÅのCu膜をスパッタ成膜した後、実施例1、2、6、8と比較例1、6のターゲットを使用して、それぞれNi合金膜5000Åをスパッタ成膜した。 As shown in FIG. 1, after the sputtering of Cu film 6000Å on Si substrates, using a target of Comparative Example 1, 6 to Example 1,2,6,8, a Ni alloy film 5000Å respectively It was formed by sputtering.
このスパッタ膜上に240°CでSn−Pb(Sn:Pb=4:6)ハンダ付けを行ってから、100°Cにて720時間保持した。 This sputtered film on a 240 ° C Sn-Pb (Sn: Pb = 4: 6) after performing the soldering, and held for 720 hours at 100 ° C. その後、Si基板を除去して、2次イオン質量分析器(SIMS)でCu膜側から、深さ方向でのSnの強度を測定した。 Thereafter, by removing the Si substrate, a Cu film side by a secondary ion mass spectrometer (SIMS), to measure the intensity of the Sn in the depth direction. その結果を図2に示す。 The results are shown in Figure 2.
図2から明らかなように、実施例1、2、6、8はいずれもSnの拡散が少なく抑えられているのが分かる。 As apparent from FIG. 2, it can be seen that the embodiment 1,2,6,8 are both suppressed little diffusion of Sn. これに対して、比較例6はSnの拡散が著しい。 In contrast, Comparative Example 6 is significant diffusion of Sn. 比較例1は、ハンダ濡れ性が良好であり、またSnの拡散が抑えられているが、ターゲットにポアが多く存在し、スパッタ成膜中のパーティクルが多いという問題があった。 Comparative Example 1 is a solder wettability is satisfactory, Although the diffusion of Sn is suppressed, pores are often present in the target, there is a problem that particles are often in the sputter deposition. このSnの拡散は、本実施例の全てに亘って良好な結果を示した。 This diffusion of Sn showed good results over all the present embodiment.

本発明の、 ニッケル合金スパッタリングターゲットにより形成されたバリヤー層は 、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にSn−Pb系ハンダバンプを形成するに際して、該Sn−Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好であり、かつ該Sn−Pb系ハンダの成分であるSnの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することができるという優れた効果を有する。 Of the present invention, a barrier layer formed by a nickel alloy sputtering target, such as a substrate formed wiring or electrodes, such as a semiconductor wafer or an electronic circuitry underlying layer or pad, the underlying layers or pads, especially made of copper or a copper alloy in forming the Sn-Pb-based solder bump above, it has good wettability with the Sn-Pb-based solder bump, and suppressing the diffusion of Sn is a component of the Sn-Pb based solder, and the underlying layer It has an excellent effect that the reaction can be effectively prevented. そして、スパッタ成膜中のパーティクルが少なく、ニッケル合金スパッタリングターゲットとして有用である Then, particles less during sputter deposition, it is useful as a nickel alloy sputtering target.

Si基板上にCuをスパッタ成膜した後、Ni合金をスパッタ成膜し、さらにハンダ付けして、該ハンダの成分であるSnの拡散を調べるための概略説明図である。 After sputtering a Cu on an Si substrate, a Ni alloy sputtering, further soldered is a schematic explanatory view for examining the diffusion of Sn is a component of the solder. 実施例及び比較例のターゲットを使用して成膜した後の、Cuスパッタ成膜側からの深さ方向でのハンダ成分であるSnの強度を測定した結果を示す図である。 After film formation using the targets of Examples and Comparative Examples, a diagram showing the results of measuring the strength of the Sn is a solder component in the depth direction from the Cu sputtering side.

Claims (9)

  1. Ni−Sn合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとSn−Pb系ハンダバンプとの間におけるSn拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。 A Ni-Sn alloy sputtering target, a nickel alloy sputtering target for the barrier layer formation which comprises suppressing the Sn diffusion between the underlying layer or pad and Sn-Pb-based solder bump.
  2. Sn10〜80wt%、残部Niからなる合金であることを特徴とする請求項1記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Sn10~80wt%, nickel alloy sputtering target according to claim 1, characterized in that the alloy and the balance Ni.
  3. Sn15〜73wt%、残部Niからなる合金であることを特徴とする請求項1記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Sn15~73wt%, nickel alloy sputtering target according to claim 1, characterized in that the alloy and the balance Ni.
  4. 添加元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ボロン、バナジウム、ニオブ、タンタル、希土類から選択した少なくとも1種類以上の元素を1〜10wt%含有することを特徴とする請求項2又は3記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 As an additive element, titanium, zirconium, hafnium, boron, vanadium, niobium, tantalum, nickel alloy sputtering according to claim 2 or 3 further characterized in that the at least one element selected from rare earth containing 110 wt.% target.
  5. 溶製又は粉末冶金によるターゲットであることを特徴とする請求項1〜4のそれぞれに記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Nickel alloy sputtering target according to each of claims 1 to 4, characterized in that a melting or target by powder metallurgy.
  6. アトマイズ粉の焼結体であることを特徴とする請求項1〜5のそれぞれに記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Nickel alloy sputtering target according to each of claims 1 to 5, characterized in that a sintered body of atomized powder.
  7. ターゲットの原料となるニッケル及び錫並びに添加元素の純度が3N(99.9%)以上であることを特徴とする請求項5又は6に記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Nickel alloy sputtering target according to claim 5 or 6, wherein the purity of the target material nickel and tin, as well as the additional element is 3N (99.9%) or more.
  8. Niマトリックス中にNi Sn、Ni Sn 又はNi Sn が分散している組織を備えていることを特徴とする請求項1〜7のそれぞれに記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Nickel alloy sputtering target according to each of claims 1 to 7, Ni 3 Sn in Ni matrix, Ni 3 Sn 2 or Ni 3 Sn 4 is characterized in that it comprises a tissue are dispersed.
  9. 平均粒径が100μm以下である組織を備えていることを特徴とする請求項1〜8のそれぞれに記載のニッケル合金スパッタリングターゲット。 Nickel alloy sputtering target according to each of claims 1-8, characterized in that it comprises a tissue average particle diameter of 100μm or less.
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