JP2008033158A - Positive photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, and electronic component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive resin composition which satisfies both of good photosensitive characteristics and cured film properties, a method for producing a patterned cured film and electronic components. <P>SOLUTION: A semiconductor substrate 1 on which a first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulation film 4 have been formed is spin-coated with the positive photosensitive resin composition. This composition is dried and irradiated with light through a mask having a pattern for forming a window 6C in a predetermined part, and after development with an alkaline aqueous solution, heating (curing) is carried out to form a surface protective film layer 8. The positive photosensitive resin composition comprises (a) a polymer component consisting of two or more different heat-resistant polymers each having a reactive end group and (b) a compound which generates an acid upon irradiation with active light. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品に関し、さらに詳しくは、感光性を有する耐熱性高分子を含有する耐熱性のポジ型感光性樹脂組成物、これを用いたパターン硬化膜の製造方法および電子部品に関するものである。   The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method for producing a patterned cured film, and an electronic component. More specifically, the present invention relates to a heat-resistant positive photosensitive resin composition containing a photosensitive heat-resistant polymer, The present invention relates to a method for producing a patterned cured film using a stencil and an electronic component.

従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には、優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。しかし、近年半導体素子の高集積化、大型化が進む中、封止樹脂パッケージの薄型化、小型化の要求がありLOC(リード・オン・チップ)や半田リフローによる表面実装などの方式が取られてきており、これまで以上に機械特性、耐熱性等に優れたポリイミド樹脂が必要とされるようになってきた。   Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics, and the like has been used for a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element. However, in recent years, as semiconductor elements have been highly integrated and increased in size, there has been a demand for thinner and smaller sealing resin packages, and LOC (lead-on-chip) and surface mounting methods such as solder reflow have been adopted. Thus, a polyimide resin excellent in mechanical properties, heat resistance and the like has been required more than ever.

一方、ポリイミド樹脂自身に感光特性を付与した感光性ポリイミドが用いられてきているが、これを用いるとパターン作製工程が簡略化でき、煩雑な製造工程の短縮が行えるという特徴を有する。従来の感光性ポリイミドまたはその前駆体を用いてなる耐熱性フォトレジストや、その用途については良く知られている。ネガ型では、ポリイミド前駆体にエステル結合またはイオン結合を介してメタクリロイル基を導入する方法(例えば、特許文献1〜4参照)、光重合性オレフィンを有する可溶性ポリイミド(例えば、特許文献5〜10参照)、ベンゾフェノン骨格を有し、かつ窒素原子が結合する芳香環のオルソ位にアルキル基を有する自己増感型ポリイミド(例えば、特許文献11、12参照)などがある。   On the other hand, photosensitive polyimide having a photosensitive property imparted to the polyimide resin itself has been used. However, if this is used, the pattern production process can be simplified and complicated manufacturing processes can be shortened. A heat-resistant photoresist using a conventional photosensitive polyimide or its precursor and its application are well known. In the negative type, a method of introducing a methacryloyl group into a polyimide precursor via an ester bond or an ionic bond (for example, see Patent Documents 1 to 4), a soluble polyimide having a photopolymerizable olefin (for example, see Patent Documents 5 to 10) ), A self-sensitized polyimide having a benzophenone skeleton and an alkyl group at the ortho position of an aromatic ring to which a nitrogen atom is bonded (see, for example, Patent Documents 11 and 12).

上記のネガ型では、現像の際にN−メチルピロリドン等の有機溶剤を必要とするため、最近では、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂の提案がなされている。ポジ型では、ポリイミド前駆体にエステル結合を介してo−ニトロベンジル基を導入する方法(例えば、非特許文献1参照)、可溶性ヒドロキシルイミドまたはポリオキサゾール前駆体にナフトキノンジアジド化合物を混合する方法(例えば、特許文献13、14参照)、可溶性ポリイミドにエステル結合を介してナフトキノンジアジドを導入する方法(例えば、非特許文献2参照)、ポリイミド前駆体にナフトキノンジアジドを混合するもの(例えば、特許文献15参照)などがある。   Since the above negative type requires an organic solvent such as N-methylpyrrolidone for development, a positive photosensitive resin that can be developed with an aqueous alkaline solution has recently been proposed. In the positive type, a method in which an o-nitrobenzyl group is introduced into a polyimide precursor via an ester bond (for example, see Non-Patent Document 1), a method in which a naphthoquinonediazide compound is mixed in a soluble hydroxylimide or polyoxazole precursor (for example, , Patent Documents 13 and 14), a method of introducing naphthoquinone diazide into a soluble polyimide via an ester bond (for example, see Non-Patent Document 2), and a method in which naphthoquinone diazide is mixed into a polyimide precursor (for example, see Patent Document 15) )and so on.

しかしながら、上記のネガ型ではその機能上、解像度に問題があったり、用途によっては製造時の歩留まり低下を招くなどの問題がある。また、上記のものでは用いるポリマーの構造が限定されるために、最終的に得られる被膜の物性が限定されてしまい多目的用途には不向きなものである。一方、ポジ型においても上記のように感光剤の吸収波長に伴う問題から感度や解像度が低かったり、構造が限定され、同様の問題を有する。   However, the negative type has a problem in resolution due to its function, and in some applications, there is a problem in that the yield in manufacturing is reduced. In addition, since the structure of the polymer to be used is limited in the above, the physical properties of the finally obtained film are limited, which is not suitable for multipurpose use. On the other hand, the positive type also has the same problems because the sensitivity and resolution are low and the structure is limited due to the problem with the absorption wavelength of the photosensitive agent as described above.

また、ポリベンゾオキサゾール前駆体にジアゾナフトキノン化合物を混合したもの(例えば、特許文献16参照)や、ポリアミド酸にエステル結合を介してフェノール部位を導入したもの(例えば、特許文献17参照)などカルボン酸の代わりにフェノール性水酸基を導入したものがあるが、これらのものは現像性が不十分であり未露光部の膜減りや樹脂の基材からの剥離が起こる。また、こうした現像性や接着の改良を目的に、シロキサン部位をポリマー骨格中に有するポリアミド酸を混合したもの(例えば、特許文献18、19参照)が提案されているが、前述のごとくポリアミド酸を用いるため保存安定性が悪化する。加えて保存安定性や接着の改良を目的に、アミン末端基を重合性基で封止したもの(例えば、特許文献20〜22参照)も提案されているが、これらのものは、酸発生剤として芳香環を多数含むジアゾキノン化合物を用いるため、感度が低く、ジアゾキノン化合物の添加量を増やす必要から、熱硬化後の機械物性を著しく低下させるという問題があり、実用レベルの材料とは言い難いものである。   Also, carboxylic acids such as polybenzoxazole precursor mixed with a diazonaphthoquinone compound (see, for example, Patent Document 16), or polyamic acid having a phenol moiety introduced via an ester bond (for example, see Patent Document 17). Instead of these, phenolic hydroxyl groups have been introduced, but these have insufficient developability, resulting in film loss at unexposed areas and peeling of the resin from the substrate. For the purpose of improving developability and adhesion, a mixture of polyamic acids having a siloxane moiety in the polymer skeleton has been proposed (for example, see Patent Documents 18 and 19). Storage stability deteriorates due to use. In addition, for the purpose of improving storage stability and adhesion, amine end groups sealed with a polymerizable group (see, for example, Patent Documents 20 to 22) have also been proposed. As a diazoquinone compound containing a large number of aromatic rings is used, the sensitivity is low, and it is necessary to increase the amount of diazoquinone compound added. It is.

前記ジアゾキノン化合物の問題点の改良を目的に、種々の化学増幅システムを適用したものも提案されている。そのようなものとしては、化学増幅型のポリイミド(例えば、特許文献23参照)、化学増幅型のポリイミドあるいはポリベンゾオキサゾール前駆体(例えば、特許文献24〜30参照)が挙げられる。しかしながら、これらにおいては、高感度とするためには、低分子量成分を用いることになり、その場合、低分子量が招く膜特性の低下が見られ、逆に膜特性に優れるものを得るためには、高分子量成分を用いることになり、かかる高分子量が招く溶解性不十分による感度の低下が見られ、いずれも実用レベルの材料とは言い難いものである。   In order to improve the problems of the diazoquinone compound, those using various chemical amplification systems have been proposed. Examples of such materials include chemically amplified polyimide (see, for example, Patent Document 23), chemically amplified polyimide, or polybenzoxazole precursor (for example, see Patent Documents 24 to 30). However, in these, in order to achieve high sensitivity, a low molecular weight component is used, and in that case, a decrease in film characteristics caused by the low molecular weight is seen, and conversely, in order to obtain a film having excellent film characteristics. Therefore, a high molecular weight component is used, and a decrease in sensitivity due to insufficient solubility caused by such a high molecular weight is observed, and it is difficult to say that both are materials at a practical level.

また、酸触媒の存在下で進行する架橋反応を利用したネガ型の化学増幅システムを利用したもの(例えば、前出特許文献17および31参照)も提案されているが、これらは分子鎖中の水酸基が架橋点となっており、実際には架橋反応効率は低く、高感度とはならない。   In addition, a method using a negative chemical amplification system using a crosslinking reaction that proceeds in the presence of an acid catalyst (see, for example, the above-mentioned Patent Documents 17 and 31) has been proposed. A hydroxyl group serves as a cross-linking point. Actually, the cross-linking reaction efficiency is low and the sensitivity is not high.

さらに、感光性樹脂組成物には、上記に加えて、硬化膜特性との両立が必要とされる。一例として低熱膨張の要求について述べる。基板となるシリコンウエハの径は、年々大きくなり、ポリイミドとシリコンウエハの熱膨張係数差により、表面保護膜としてのポリイミドあるいはポリベンゾオキサゾールを形成したシリコンウエハの反りが以前より大きくなるという問題が発生している。そのため、従来よりも更に低熱膨張性を有する感光性材料が強く求められている。一般に分子構造を剛直にすることにより低熱膨張性は達成できるが、剛直構造の場合i線をほとんど透過しないため感光性特性が低下する問題がある。このように低熱膨張性に限らず硬化膜特性と感光特性を同時に満足することは困難を極めた状況にある。   Furthermore, in addition to the above, the photosensitive resin composition is required to be compatible with cured film characteristics. As an example, the requirement for low thermal expansion will be described. The diameter of the silicon wafer that becomes the substrate increases year by year, and the problem of warping of the silicon wafer formed with polyimide or polybenzoxazole as a surface protection film becomes larger due to the difference in thermal expansion coefficient between polyimide and silicon wafer. is doing. For this reason, there is a strong demand for a photosensitive material having a lower thermal expansibility than before. Generally, low thermal expansion can be achieved by making the molecular structure rigid. However, in the case of the rigid structure, there is a problem that the i-line is hardly transmitted and the photosensitive property is lowered. Thus, it is extremely difficult to satisfy not only the low thermal expansion property but also the cured film property and the photosensitive property at the same time.

特開昭49−11541号公報Japanese Patent Laid-Open No. 49-11541 特開昭50−40922号公報Japanese Patent Laid-Open No. 50-40922 特開昭54−145794号公報JP 54-145794 A 特開昭56−38038号公報等JP-A-56-38038, etc. 特開昭59−108031号公報JP 59-108031 A 特開昭59−220730号公報JP 59-220730 A 特開昭59−232122号公報JP 59-232122 A 特開昭60−6729号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-6729 特開昭60−72925号公報JP-A-60-72925 特開昭61−57620号公報JP-A-61-57620 特開昭59−219330号公報JP 59-219330 A 特開昭59−231533号公報JP 59-231533 A 特公昭64−60630号公報Japanese Examined Patent Publication No. 64-60630 米国特許第4395482号明細書US Pat. No. 4,395,482 特開昭52−13315号公報JP 52-13315 A 特開平1−46862号公報JP-A-1-46862 特開平10−307393号公報JP-A-10-307393 特開平4−31861号公報JP-A-4-31861 特開平4−46345号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-46345 特開平5−197153号公報JP-A-5-197153 特開平9−183846号公報JP-A-9-183846 特開2001−183835号公報JP 2001-183835 A 特開平3−763号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-763 特開平7−219228号公報JP 7-219228 A 特開平10−186664号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-186664 特開平11−202489号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-202489 特開2000−56559号公報JP 2000-56559 A 特開2001−194791号公報JP 2001-194791 A 特表2002−526793号公報JP 2002-526793 A 米国特許第6143467号明細書US Pat. No. 6,143,467 特開2001−125267号公報JP 2001-125267 A J.Macromol.Sci.Chem.,A24,10,1407,1987J. et al. Macromol. Sci. Chem. , A24, 10, 1407, 1987 Macromolecules,23,4796,1990Macromolecules, 23, 4796, 1990

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その課題は、感光特性と硬化膜特性とを両立するポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。   This invention is made | formed in view of the said situation, The subject is providing the positive type photosensitive resin composition which makes a photosensitive characteristic and a cured film characteristic compatible.

また、本発明は、前記感光性樹脂組成物の使用により、アルカリ水溶液で現像可能であり、耐熱性、機械特性に優れる良好な形状のパターン硬化膜が得られるパターン硬化膜の製造方法を提供することを課題とする。さらに、本発明は、良好な形状と特性のパターン硬化膜を有することにより高い信頼性を有する電子部品を提供することを課題とする。   In addition, the present invention provides a method for producing a patterned cured film that can be developed with an alkaline aqueous solution by using the photosensitive resin composition and that can obtain a patterned cured film having a good shape excellent in heat resistance and mechanical properties. This is the issue. Furthermore, this invention makes it a subject to provide the electronic component which has high reliability by having a pattern cured film of a favorable shape and characteristic.

前記課題を解決するために、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、(a)反応性の末端基を有する異なる2種類以上の耐熱性ポリマーからなるポリマー成分と、(b)活性光線照射により酸を発生する化合物とを含有してなることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (a) a polymer component comprising two or more different heat-resistant polymers having reactive end groups, and (b) actinic ray irradiation. And a compound capable of generating an acid.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、前記(a)ポリマー成分の少なくとも1種が、それぞれポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドおよびこれらの共重合体からなる群から選択される耐熱性高分子化合物であることを特徴とする。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, at least one of the polymer components (a) is polyimide, polyoxazole, polyamideimide, polyamide, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide, respectively. And a heat-resistant polymer compound selected from the group consisting of these copolymers.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、前記(a)ポリマー成分の少なくとも1種がアルカリ水溶液に可溶であることを特徴とする。   The positive photosensitive resin composition of the present invention is characterized in that at least one of the polymer components (a) is soluble in an alkaline aqueous solution.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、前記(a)ポリマー成分、(b)成分に加え、(c)熱により前記(a)ポリマー成分の少なくとも一つのポリマーの末端基と架橋し得る化合物を含有してなることを特徴とする。   Moreover, in the positive photosensitive resin composition of the present invention, in addition to the (a) polymer component and the (b) component, (c) the end group of at least one polymer of the (a) polymer component by heat. It contains the compound which can be bridge | crosslinked with.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、(a)成分の少なくとも一つが、1級または2級アルコール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、フェノールおよび芳香環からなる群から選択される官能基または結合を含み、かつ前記(c)成分が、メチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコール、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネートおよびイソシアナートからなる群から選択される官能基または結合を含むことを特徴とする。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, at least one of the components (a) is selected from the group consisting of primary or secondary alcohols, carboxyl groups, amino groups, thiols, phenols and aromatic rings. And the component (c) is a methyl ether, an alkoxyalkyl group, a tertiary alcohol, a cycloalkyl group, an olefin, a triple bond, a halogenated alkyl, an epoxy group or other cyclic ether, an ester bond, It contains a functional group or bond selected from the group consisting of carbonate and isocyanate.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、(a)成分の少なくとも一つが、メチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコール、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネートおよびイソシアナートからなる群から選択される官能基または結合を含み、かつ前記(c)成分が、1級または2級アルコール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、フェノールおよび芳香環からなる群から選択される官能基または結合を含むことを特徴とする。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, at least one of the components (a) is methylol, alkoxyalkyl group, tertiary alcohol, cycloalkyl group, olefin, triple bond, alkyl halide, epoxy. A functional group or bond selected from the group consisting of cyclic ethers such as groups, ester bonds, carbonates and isocyanates, and the component (c) is a primary or secondary alcohol, carboxyl group, amino group, thiol, It comprises a functional group or bond selected from the group consisting of phenol and aromatic rings.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、(b)成分が、o−キノンジアジド化合物であることを特徴とする。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the component (b) is an o-quinonediazide compound.

また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にあっては、前記(a)ポリマー成分の総量100重量部に対して、前記(b)成分0.01〜50重量部、および前記(c)成分0.1〜50重量部を含有することを特徴とする。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, 0.01 to 50 parts by weight of the component (b) and (c) with respect to 100 parts by weight of the total amount of the (a) polymer component. It contains 0.1 to 50 parts by weight of the component.

また、本発明のパターン硬化膜の製造方法は、前記ポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、前記感光性樹脂膜を露光する露光工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン化樹脂膜を得る現像工程と、前記パターン化樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱固化工程とを含むことを特徴とする。   In addition, the method for producing a patterned cured film of the present invention includes a photosensitive resin film forming step in which the positive photosensitive resin composition is applied on a support substrate and dried to form a photosensitive resin film, and the photosensitive resin is formed. An exposure step of exposing the film, a development step of developing the exposed photosensitive resin film using an aqueous alkaline solution to obtain a patterned resin film, and a heat treatment of the patterned resin film to obtain a patterned cured film A heat-solidifying step.

また、本発明の電子部品にあっては、前記パターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜の層を有してなる電子デバイスを有する電子部品であって、前記電子デバイス中に前記パターン硬化膜の層が層間絶縁膜層または/および表面保護膜層として設けられていることを特徴とする。   The electronic component of the present invention is an electronic component having an electronic device having a layer of a patterned cured film obtained by the method for producing a patterned cured film, wherein the pattern curing is performed in the electronic device. The film layer is provided as an interlayer insulating film layer and / or a surface protective film layer.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いることで、感度、解像度に優れたパターン硬化膜の形成が可能となる。また、感光特性に優れる樹脂と硬化膜特性に優れる樹脂をブレンドして用いることで本発明のポジ型感光性樹脂組成物をパターン形成、加熱硬化したパターン硬化膜は、耐熱性および機械特性に優れたものとすることができる。また、低熱膨張性や高弾性、低弾性など特徴ある樹脂を加えることで、これらの特性を感光特性、耐熱性等に加えて任意に発現させることができる。   By using the positive photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to form a cured pattern film having excellent sensitivity and resolution. In addition, a patterned cured film obtained by patterning and heat-curing the positive photosensitive resin composition of the present invention by blending and using a resin excellent in photosensitive characteristics and a resin excellent in cured film characteristics is excellent in heat resistance and mechanical characteristics. Can be. Further, by adding a resin having characteristics such as low thermal expansion, high elasticity, and low elasticity, these characteristics can be arbitrarily expressed in addition to the photosensitive characteristics and heat resistance.

また、本発明のパターン硬化膜の製造方法によれば、前記ポジ型感光性樹脂組成物の使用により、感度、解像度および硬化膜特性に優れ、良好な形状のパターン硬化膜を得ることができる。   Moreover, according to the method for producing a cured pattern film of the present invention, a cured pattern film having a good shape and excellent sensitivity, resolution and cured film characteristics can be obtained by using the positive photosensitive resin composition.

さらに、本発明の電子部品は、良好な形状と特性のパターン硬化膜を有することにより、信頼性が高いという効果を奏する。   Furthermore, the electronic component of the present invention has an effect of high reliability by having a patterned cured film having a good shape and characteristics.

以下に、本発明にかかるポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。   Embodiments of a positive photosensitive resin composition, a method for producing a patterned cured film, and an electronic component according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment.

[感光性樹脂組成物]
まず、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物について説明する。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、(a)反応性の末端基を有する異なる2種類以上の耐熱性ポリマーからなるポリマー成分(以下、単に「(a)成分」とする)と、(b)活性光線照射により酸を発生する化合物(以下、単に「(b)成分」とする)とを含有してなる。以下、各成分について説明する。
[Photosensitive resin composition]
First, the positive photosensitive resin composition according to the present invention will be described.
The positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (a) a polymer component composed of two or more different heat-resistant polymers having reactive end groups (hereinafter simply referred to as “component (a)”), b) A compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays (hereinafter, simply referred to as “component (b)”). Hereinafter, each component will be described.

[(a)成分]
本発明における(a)成分は、2種類以上の耐熱性ポリマーからなる。耐熱性ポリマーとしては、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドなどが挙げられる。また、この(a)成分の少なくとも一つは、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドとこれらの共重合体から選ばれることが、加工性、耐熱性の点で好ましい。さらに、この(a)成分の少なくとも一つは、アルカリ水溶液可溶性のポリマーであることが、アルカリ水溶液での現像性の観点で好ましい。
[(A) component]
The component (a) in the present invention comprises two or more types of heat resistant polymers. Examples of the heat resistant polymer include polyimide, polyoxazole, polyamideimide, polyamide, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide, and the like. In addition, at least one of the component (a) is selected from polyimide, polyoxazole, polyamideimide, polyamide, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide, and copolymers thereof, processability and heat resistance. This is preferable. Further, at least one of the component (a) is preferably a polymer that is soluble in an aqueous alkali solution from the viewpoint of developability in the aqueous alkali solution.

なお、アルカリ水溶液とは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等のアルカリ性の溶液である。一般には、濃度が2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が用いられるので、(a)成分の少なくとも一つは、この水溶液に対して可溶性であることが好ましい。   The alkaline aqueous solution is an alkaline solution such as a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, a metal hydroxide aqueous solution, or an organic amine aqueous solution. In general, since an aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution having a concentration of 2.38% by weight is used, it is preferable that at least one of the components (a) is soluble in this aqueous solution.

なお、本発明の(a)成分がアルカリ水溶液で可溶であることの1つの基準を、以下に説明する。
(a)成分単独、あるいは以下に順を追って説明する(b)成分、(c)成分とともに任意の溶剤に溶解して得られたワニス(樹脂溶液)を、シリコンウエハなどの基板上にスピン塗布して膜厚5μm程度の塗膜を形成する。これをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液のいずれか一つに20〜25℃において、浸漬する。この結果、均一な溶液として溶解し得るとき、この(a)成分はアルカリ水溶液で可溶であると判断する。
In addition, one reference | standard that (a) component of this invention is soluble in aqueous alkali solution is demonstrated below.
Spin coating of varnish (resin solution) obtained by dissolving component (a) alone or in any solvent together with component (b) and component (c) described below in order on a substrate such as a silicon wafer Thus, a coating film having a film thickness of about 5 μm is formed. This is immersed in any one of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, metal hydroxide aqueous solution, and organic amine aqueous solution at 20 to 25 ° C. As a result, when it can be dissolved as a uniform solution, it is determined that the component (a) is soluble in an alkaline aqueous solution.

2種類以上用いる(a)成分のポリマーの組み合わせに特に制限はないが、例えば、少なくとも一つを現像性、感光特性に優れたものとし、他の少なくとも一つを硬化膜特性に優れたものとして選べば、感光特性と硬化膜特性を両立することが可能となるので、好ましい。同様に二つ以上の異なる硬化膜特性を有するポリマーの組み合わせとすることで、両者の特性を併せて発現することも可能となる。例えば、低熱膨張性に優れるポリマーと、機械特性に優れるポリマーの組み合わせ、耐熱性に優れるポリマーと機械特性に優れるポリマーの組み合わせなども好ましい例として挙げることができる。   There are no particular restrictions on the combination of the polymers of the component (a) used in two or more types. For example, at least one of them is excellent in developability and photosensitive characteristics, and the other is excellent in cured film characteristics. If it is selected, it is possible to achieve both photosensitive characteristics and cured film characteristics, which is preferable. Similarly, by combining a polymer having two or more different cured film characteristics, both characteristics can be expressed together. For example, a combination of a polymer excellent in low thermal expansion and a polymer excellent in mechanical properties, a combination of a polymer excellent in heat resistance and a polymer excellent in mechanical properties, and the like can be given as preferable examples.

(a)成分の反応性の末端基は、複数の(a)成分の構成ポリマー同士を連結するか、あるいは後述する(c)成分を介することで連結するものである。これにより(a)成分の構成ポリマーの持つそれぞれの特徴がより強く発現されるとともに機械強度が向上するなど相乗効果を図ることが出来る。   The reactive terminal group of the component (a) connects the constituent polymers of the component (a) by connecting each other or via the component (c) described later. Thereby, each characteristic which the constituent polymer of the component (a) has can be expressed more strongly and a synergistic effect can be achieved such as improvement in mechanical strength.

前記反応性の末端基としては、アルコール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、芳香環、メチロール、アルコキシアルキル基、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネート、イソシアナートなどが好ましいものとして挙げられるが、これに限定されるものではない。   Examples of the reactive terminal group include alcohol, carboxyl group, amino group, thiol, aromatic ring, methylol, alkoxyalkyl group, cycloalkyl group, olefin, triple bond, halogenated alkyl, epoxy group, and other cyclic ethers and ester bonds. , Carbonate, isocyanate and the like are preferable, but not limited thereto.

(a)成分として用いることのできるアルカリ水溶液可溶性のポリマーについて、さらに説明する。ポリイミドは、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。ポリオキサゾールは、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジヒドロキシジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。ポリアミドイミドは、例えば、トリカルボン酸とジアミンを反応させ、脱水閉環することにより得ることができる。ポリアミドは、例えば、ジカルボン酸ジクロリドとジアミンを反応させることにより得ることができる。ポリアミド酸は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させることにより得ることができる。ポリアミド酸エステルは、例えば、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンを反応させることにより得ることができる。   The polymer soluble in an alkaline aqueous solution that can be used as the component (a) will be further described. Polyimide can be obtained, for example, by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine and dehydrating and ring-closing. Polyoxazole can be obtained, for example, by reacting dicarboxylic acid dichloride and dihydroxydiamine, followed by dehydration and ring closure. Polyamideimide can be obtained, for example, by reacting tricarboxylic acid and diamine and dehydrating and ring-closing. Polyamide can be obtained, for example, by reacting dicarboxylic acid dichloride with diamine. The polyamic acid can be obtained, for example, by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine. The polyamic acid ester can be obtained, for example, by reacting a tetracarboxylic acid diester dichloride with a diamine.

(a)成分として用いることのできるポリマーにおいて、現像性(感光特性)に優れるポリマーと硬化膜特性に優れるポリマーとして好ましいものの例をそれぞれ説明する。   In the polymer that can be used as the component (a), examples of polymers that are excellent in developability (photosensitive characteristics) and polymers that are excellent in cured film characteristics will be described.

上記、アルカリ水溶液可溶性のポリマーの中でも、現在、電子部品用としては、加熱によりポリベンゾオキサゾールに閉環し得るポリヒドロキシアミドが、アルカリ水溶液に対する現像性に加え、耐熱性、機械特性、電気特性に優れることから、多用されつつある。したがって、本発明における現像性(感光特性)に優れるポリマー成分として、このポリヒドロキシアミドを好ましく用いることができる。このポリヒドロキシアミドは下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する。ヒドロキシ基を含有するアミドユニットは、最終的には、硬化時の脱水閉環により、耐熱性、機械特性、電気特性に優れるオキサゾール体に変換される。   Among the above-mentioned polymers that are soluble in an alkaline aqueous solution, polyhydroxyamide that can be ring-closed to polybenzoxazole by heating is excellent in heat resistance, mechanical properties, and electrical properties in addition to developability for alkaline aqueous solutions. Therefore, it is being used frequently. Therefore, this polyhydroxyamide can be preferably used as a polymer component excellent in developability (photosensitive characteristics) in the present invention. This polyhydroxyamide has a repeating unit represented by the following general formula (1). The amide unit containing a hydroxy group is finally converted into an oxazole having excellent heat resistance, mechanical properties, and electrical properties by dehydration and ring closure during curing.

Figure 2008033158
(式中、Uは4価の有機基を示し、Vは2価の有機基を示す)
Figure 2008033158
(In the formula, U represents a tetravalent organic group, and V represents a divalent organic group.)

本発明で用いることができる一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドは、前記繰り返し単位を有していればよいが、ポリヒドロキシアミドのアルカリ水溶液に対する可溶性は、フェノール性水酸基に由来するため、ヒドロキシ基を含有するアミドユニットが、ある割合以上含まれていることが好ましい。
即ち、次式(2)
The polyhydroxyamide having a repeating unit represented by the general formula (1) that can be used in the present invention may have the repeating unit, but the solubility of the polyhydroxyamide in an alkaline aqueous solution is a phenolic hydroxyl group. Therefore, it is preferable that an amide unit containing a hydroxy group is contained in a certain proportion or more.
That is, the following formula (2)

Figure 2008033158
(式中、Uは4価の有機基を示し、VとWは2価の有機基を示す。jとkは、モル分率を示し、jとkの和は100モル%であり、jが60〜100モル%、kが40〜0モル%である。)
で表されるポリヒドロキシアミドであることが好ましい。ここで、式中のjとkのモル分率は、j=80〜100モル%、k=20〜0モル%であることがより好ましい。
Figure 2008033158
(In the formula, U represents a tetravalent organic group, V and W represent a divalent organic group, j and k represent a mole fraction, and the sum of j and k is 100 mol%, j Is 60 to 100 mol%, and k is 40 to 0 mol%.)
It is preferable that it is polyhydroxyamide represented by these. Here, the molar fraction of j and k in the formula is more preferably j = 80 to 100 mol% and k = 20 to 0 mol%.

本発明において、一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドは、一般的にジカルボン酸誘導体とヒドロキシ基含有ジアミン類とから合成できる。具体的には、ジカルボン酸誘導体をジハライド誘導体に変換後、前記ジアミン類との反応を行うことにより、一般式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドを合成できる。ジハライド誘導体としては、ジクロリド誘導体が好ましい。   In the present invention, the polyamide having a repeating unit represented by the general formula (1) can be generally synthesized from a dicarboxylic acid derivative and a hydroxy group-containing diamine. Specifically, a polyamide having a repeating unit represented by the general formula (1) can be synthesized by converting a dicarboxylic acid derivative into a dihalide derivative and then reacting with the diamine. As the dihalide derivative, a dichloride derivative is preferable.

上記ジクロリド誘導体は、ジカルボン酸誘導体にハロゲン化剤を作用させて合成することができる。ハロゲン化剤としては、通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用されるもの、例えば、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リンなどが使用できる。   The dichloride derivative can be synthesized by reacting a dicarboxylic acid derivative with a halogenating agent. As the halogenating agent, those used in usual acid chlorideation reaction of carboxylic acid, for example, thionyl chloride, phosphoryl chloride, phosphorus oxychloride, phosphorus pentachloride and the like can be used.

上記ジクロリド誘導体を合成する方法としては、ジカルボン酸誘導体と前記ハロゲン化剤を溶媒中で反応させるか、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分を留去する方法で合成できる。反応溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。   The dichloride derivative can be synthesized by reacting the dicarboxylic acid derivative and the halogenating agent in a solvent or by reacting in an excess halogenating agent and then distilling off the excess. As the reaction solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, toluene, benzene and the like can be used.

これらのハロゲン化剤の使用量は、溶媒中で反応させる場合は、ジカルボン酸誘導体に対して、1.5〜3.0モルが好ましく、1.7〜2.5モルがより好ましく、ハロゲン化剤中で反応させる場合は、4.0〜50モルが好ましく、5.0〜20モルがより好ましい。反応温度は、−10〜70℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。   The amount of these halogenating agents to be used in a solvent is preferably 1.5 to 3.0 mol, more preferably 1.7 to 2.5 mol relative to the dicarboxylic acid derivative. When making it react in an agent, 4.0-50 mol is preferable and 5.0-20 mol is more preferable. The reaction temperature is preferably -10 to 70 ° C, more preferably 0 to 20 ° C.

ジクロリド誘導体とジアミン類との反応は、脱ハロゲン化水素剤の存在下に、有機溶媒中で行うことが好ましい。脱ハロゲン化水素剤としては、通常、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基が使用される。また、有機溶媒としは、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等が使用できる。反応温度は、−10〜30℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。   The reaction between the dichloride derivative and the diamine is preferably performed in an organic solvent in the presence of a dehydrohalogenating agent. As the dehydrohalogenating agent, organic bases such as pyridine and triethylamine are usually used. As the organic solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like can be used. The reaction temperature is preferably −10 to 30 ° C., more preferably 0 to 20 ° C.

ここで、一般式(1)および(2)において、Uで表される4価の有機基とは、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成する、2個のヒドロキシ基がそれぞれアミンのオルト位に位置した構造を有するジアミンの残基であり、4価の芳香族基が好ましく、炭素原子数としては6〜40のものが好ましく、炭素原子数6〜40の4価の芳香族基がより好ましい。4価の芳香族基としては、4個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。   Here, in the general formulas (1) and (2), the tetravalent organic group represented by U is generally an amine having two hydroxy groups that react with a dicarboxylic acid to form a polyamide structure. A residue of a diamine having a structure located in the ortho position, preferably a tetravalent aromatic group, preferably having 6 to 40 carbon atoms, and a tetravalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms Is more preferable. As the tetravalent aromatic group, those in which all four bonding sites are present on the aromatic ring are preferable.

このようなジアミン類としては、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。   Such diamines include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane. Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-) 4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3- Although hexafluoropropane etc. are mentioned, it is not limited to these. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

また、前記一般式(2)において、Wで表される2価の有機基とは、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成する、ジアミンの残基であり、前記Uを形成するジアミン以外の残基であり、2価の芳香族基または脂肪族基が好ましく、炭素原子数としては4〜40のものが好ましく、炭素原子数4〜40の2価の芳香族基がより好ましい。   In the general formula (2), the divalent organic group represented by W is generally a diamine residue that reacts with a dicarboxylic acid to form a polyamide structure, and forms the U. And a divalent aromatic group or aliphatic group is preferred, and those having 4 to 40 carbon atoms are preferred, and divalent aromatic groups having 4 to 40 carbon atoms are more preferred.

このようなジアミン類としては、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジシン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物、この他にもシリコーン基の入ったジアミンとして、LP−7100、X−22−161AS、X−22−161A、X−22−161B、X−22−161CおよびX−22−161E(いずれも信越化学工業株式会社製、商品名)等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
これらの化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of such diamines include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p. -Phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4 Examples of aromatic diamine compounds such as-(4-aminophenoxy) phenyl] ether and 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and other diamines containing a silicone group include LP-7100, X-22 161AS, X-22-161A, X-22-16 1B, X-22-161C, and X-22-161E (all are trade names manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like, but are not limited thereto.
These compounds can be used alone or in combination of two or more.

また、一般式(1)および(2)において、Vで表される2価の有機基とは、ジアミンと反応してポリアミド構造を形成する、ジカルボン酸の残基であり、2価の芳香族基が好ましく、炭素原子数としては6〜40のものが好ましく、炭素原子数6〜40の2価の芳香族基がより好ましい。2価の芳香族基としては、2個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。   In the general formulas (1) and (2), the divalent organic group represented by V is a dicarboxylic acid residue that reacts with diamine to form a polyamide structure and is a divalent aromatic group. A group having 6 to 40 carbon atoms is preferable, and a divalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms is more preferable. As the divalent aromatic group, those in which two bonding sites are both present on the aromatic ring are preferred.

このようなジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4'−ジカルボキシビフェニル、4,4'−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4'−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(p−カルボキシフェニル)プロパン、5−tert−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジカルボン酸、1,2−シクロブタンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族系ジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
これらの化合物を、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
Examples of such dicarboxylic acids include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and 4,4′-dicarboxybiphenyl. 4,4′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4′-dicarboxytetraphenylsilane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (p-carboxyphenyl) propane, 5-tert-butylisophthalic acid Aromatic dicarboxylic acids such as 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, Aliphatic dicarboxylic acids such as 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, oxalic acid, malonic acid and succinic acid While such carbon acid but not limited thereto.
These compounds can be used alone or in combination of two or more.

(a)成分として用いることのできるポリマーで硬化膜特性の向上が期待できるものに特に制限はないが、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステルあるいはポリヒドロキシアミドを用いるのが相溶性の観点で好ましい。   The polymer that can be used as the component (a) is not particularly limited as long as it can be expected to improve the cured film properties, but it is preferable to use polyamic acid, polyamic acid ester, or polyhydroxyamide from the viewpoint of compatibility.

好ましいポリアミド酸、ポリアミド酸エステルとしては下記一般式(3)において説明する。   Preferred polyamic acid and polyamic acid ester will be described in the following general formula (3).

Figure 2008033158
(式中、R1:四価の有機基、R2:二価の有機基、R3:独立に水素または一価の有機基を示す。)
Figure 2008033158
(In the formula, R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, and R 3 is independently hydrogen or a monovalent organic group.)

低熱膨張性および高弾性率に優れる構造としては上記一般式(3)中、R1にて表される四価の有機基としては、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、ベンゾフェノン、シクロブタン、シクロヘキサン、キサンテン、チオキサンテンなどが挙げられる。R2にて表される二価の有機基としては、ベンゼン、ビフェニル、ベンゾフェノン、シクロヘキサンなどが挙げられる。なお、これらの骨格にメチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子、水酸基などが置換していてもよいし、複数を組み合わせて用いても良い。 As a structure excellent in low thermal expansibility and high elastic modulus, the tetravalent organic group represented by R 1 in the general formula (3) includes benzene, biphenyl, naphthalene, benzophenone, cyclobutane, cyclohexane, xanthene, thio Xanthene and the like. Examples of the divalent organic group represented by R 2 include benzene, biphenyl, benzophenone, and cyclohexane. Note that these skeletons may be substituted with a methyl group, a trifluoromethyl group, a fluorine atom, a hydroxyl group, or the like, or a plurality thereof may be used in combination.

低弾性率となる構造を実現するためには、上記一般式(3)中、R1にて表される四価の有機基として、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。また、R2にて表される二価の有機基として、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。なお、これらの骨格に、メチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子などが置換していてもよい。また、シロキサン結合を有するものも好ましいものとして挙げることができる。これらは複数を組み合わせて用いても良い。 In order to realize a structure having a low elastic modulus, examples of the tetravalent organic group represented by R 1 in the general formula (3) include diphenyl ether, diphenylmethane, diphenylpropane, and diphenylhexafluoropropane. . Examples of the divalent organic group represented by R 2 include diphenyl ether, diphenylmethane, diphenylpropane, and diphenylhexafluoropropane. Note that these skeletons may be substituted with a methyl group, a trifluoromethyl group, a fluorine atom, or the like. Moreover, what has a siloxane bond can also be mentioned as a preferable thing. These may be used in combination.

上記一般式(3)にて示される構造単位中のR3で示される一価の有機基は、付与したい特性に依存しない。具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、フェニル基、ベンジル基等の炭素原子数が1〜10の脂肪族または芳香族炭化水素基およびこれにフッ素を含有するもの、メトキシエチル基などの炭素原子数が2〜10のアルコキシアルキル基およびこれにフッ素を含有するものなどが典型的な例として例示されるが、これらに限定されるものではない。これらのうち好ましい基としては、エチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ベンジル基が挙げられる。 The monovalent organic group represented by R 3 in the structural unit represented by the general formula (3) does not depend on the properties to be imparted. Specifically, an aliphatic or aromatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a t-butyl group, a phenyl group, or a benzyl group, and a fluorine-containing group. Typical examples include alkoxyalkyl groups having 2 to 10 carbon atoms, such as methoxyethyl group, and those containing fluorine, but are not limited thereto. Of these, preferred groups include an ethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, an isopropyl group, a t-butyl group, and a benzyl group.

上記に例示したポリアミド酸、ポリアミド酸エステルはいずれも概ね良好な耐熱性と機械特性を具備しているが、さらに好ましくは、耐熱性や破断強度を向上させるにはR1、R2に芳香族系の骨格を用い、破断伸びを向上させるためには脂環式の骨格や脂肪炭化水素、エーテル結合を有する骨格を用いる。 Both the polyamic acid and the polyamic acid ester exemplified above have generally good heat resistance and mechanical properties. More preferably, R 1 and R 2 are aromatic for improving heat resistance and breaking strength. In order to improve the elongation at break using a skeleton of the system, an alicyclic skeleton, a fatty hydrocarbon, or a skeleton having an ether bond is used.

好ましいポリヒドロキシアミドについて、下記一般式(1)において説明する。   A preferred polyhydroxyamide will be described in the following general formula (1).

Figure 2008033158
(式中、Uは4価の有機基を示し、Vは2価の有機基を示す)
Figure 2008033158
(In the formula, U represents a tetravalent organic group, and V represents a divalent organic group.)

低熱膨張性および高弾性率に優れる構造を実現するには、上記一般式(1)のUにて表される二価の有機基として、ベンゼン、ビフェニル、ベンゾフェノン、キサンテン、チオキサンテンなどが挙げられる。Vにて表される二価の有機基として、ベンゼン、ビフェニル、ベンゾフェノン、シクロヘキサンなどが挙げられる。なお、これらの骨格にメチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子などが置換していてもよいし、複数を組み合わせて用いても良い。   In order to realize a structure excellent in low thermal expansion and high elastic modulus, examples of the divalent organic group represented by U in the general formula (1) include benzene, biphenyl, benzophenone, xanthene, and thioxanthene. . Examples of the divalent organic group represented by V include benzene, biphenyl, benzophenone, and cyclohexane. Note that these skeletons may be substituted with a methyl group, a trifluoromethyl group, a fluorine atom, or the like, or a plurality thereof may be used in combination.

低弾性率となる構造を実現するには、上記一般式Uにて表される四価の有機基として、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。R2にて表される二価の有機基として、ジフェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタンなどが挙げられる。また、Vが単結合となったシュウ酸残基も挙げることができる。なお、これらの骨格にメチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子などが置換していてもよい。また、シロキサン結合を有するものも好ましいものとして挙げることができる。これらは複数を組み合わせて用いても良い。 In order to realize a structure having a low elastic modulus, examples of the tetravalent organic group represented by the general formula U include diphenyl ether, diphenylmethane, diphenylpropane, and diphenylhexafluoropropane. Examples of the divalent organic group represented by R 2 include diphenyl ether, diphenylmethane, diphenylpropane, diphenylhexafluoropropane, methane, ethane, propane, butane, and pentane. Moreover, the oxalic acid residue in which V became a single bond can also be mentioned. Note that these skeletons may be substituted with a methyl group, a trifluoromethyl group, a fluorine atom, or the like. Moreover, what has a siloxane bond can also be mentioned as a preferable thing. These may be used in combination.

上記に例示したポリヒドロキシアミドはいずれも概ね良好な耐熱性と機械特性を具備しているが、さらに好ましくは、耐熱性や破断強度を向上させるには、U、Vに芳香族系の骨格を用い、破断伸びを向上させるためには、脂環式の骨格や脂肪炭化水素、エーテル結合を有する骨格を用いる。   All of the polyhydroxyamides exemplified above have generally good heat resistance and mechanical properties. More preferably, in order to improve heat resistance and breaking strength, an aromatic skeleton is added to U and V. In order to improve the elongation at break, an alicyclic skeleton, a fatty hydrocarbon, or a skeleton having an ether bond is used.

本発明で用いる(a)成分において、末端基と繰り返し単位との割合は、モル比率で、末端基2に対して繰り返し単位(例えば、ポリイミドやポリアミドの場合、酸残基とアミン残基からなる繰り返し単位)1〜100であることが好ましく、2〜50であることがより好ましい。これよりも末端基比率が小さいと、架橋反応の効果が薄れるか、あるいは感光特性が低下してしまうおそれがある。逆に、これよりも比率が大きいときには、分子量の低下により架橋反応が十分に進行しても、十分な膜物性が得られないおそれがある。   In the component (a) used in the present invention, the ratio of the terminal group to the repeating unit is a molar ratio and is a repeating unit with respect to the terminal group 2 (for example, in the case of polyimide or polyamide, an acid residue and an amine residue). (Repeating unit) 1 to 100 is preferable, and 2 to 50 is more preferable. If the terminal group ratio is smaller than this, the effect of the crosslinking reaction may be diminished, or the photosensitivity may be deteriorated. On the contrary, when the ratio is larger than this, even if the crosslinking reaction sufficiently proceeds due to the decrease in the molecular weight, there is a possibility that sufficient film properties cannot be obtained.

(a)成分にポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドを用いる場合、酸残基とアミン残基のモル比は特に制限はないが、末端基がアミノフェノールに起因する場合は、酸残基がアミン残基より一つ多く、100:99〜2:1の範囲であることが好ましく、50:49〜3:2の範囲であることがより好ましい。末端基がヒドロキシ安息香酸誘導体の場合は、酸残基がアミン残基より一つ少なく、99:100〜1:2の範囲とするのが好ましく、49:50〜2:3の範囲であることがより好ましい。その定量方法としては、1H NMRの測定により行うことができる。 In the case of using polyimide, polyoxazole, polyamideimide, polyamide, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide as the component (a), the molar ratio of acid residue to amine residue is not particularly limited, but the terminal group is amino. When attributed to phenol, the acid residue is one more than the amine residue, preferably in the range of 100: 99 to 2: 1, and more preferably in the range of 50:49 to 3: 2. When the terminal group is a hydroxybenzoic acid derivative, the acid residue is less than the amine residue, preferably in the range of 99: 100 to 1: 2, and in the range of 49:50 to 2: 3. Is more preferable. The quantitative method can be performed by 1 H NMR measurement.

上記(a)成分を構成するポリマーの分子量は、いずれも重量平均分子量で3,000〜200,000とすることが好ましく、5,000〜100,000とすることがより好ましい。ここで、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。   The molecular weight of the polymer constituting the component (a) is preferably 3,000 to 200,000, more preferably 5,000 to 100,000, in terms of weight average molecular weight. Here, the molecular weight is a value obtained by measuring by a gel permeation chromatography method and converting from a standard polystyrene calibration curve.

[(b)成分]
本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、前記(a)成分として用いるポリマーとともに、前記(b)成分として活性光線照射により酸を発生する化合物(以下、酸発生剤という)を用いる。この酸発生剤の含有量は、感光時の感度、解像度を良好とするために、(a)成分100重量部に対して、0.01〜50重量部とすることが好ましく、0.01〜20重量部とすることがより好ましく、0.5〜20重量部とすることがさらに好ましい。
[Component (b)]
In the positive photosensitive resin composition of the present invention, a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays (hereinafter referred to as an acid generator) is used as the component (b) together with the polymer used as the component (a). The content of the acid generator is preferably 0.01 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (a) in order to improve the sensitivity and resolution during exposure. It is more preferably 20 parts by weight, and further preferably 0.5 to 20 parts by weight.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物に使用する酸発生剤((b)成分の化合物)としては、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。但し、発生する酸により、(a)成分の末端基同士あるいは(a)成分の末端基と(c)成分の官能基が、結合(架橋)を生じさせるようなものでないことが好ましい。その種類としては、o−キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩などが挙げられ、特に制限はないが、o−キノンジアジド化合物が感度が高く、(a)成分の末端基と(c)成分の官能基が、結合(架橋)を生じさせるようなことがないので、好ましいものとして挙げられる。   The acid generator (compound of component (b)) used in the positive photosensitive resin composition of the present invention has a function of increasing the solubility of the light irradiated part in an alkaline aqueous solution. However, it is preferable that the terminal groups of the component (a) or the terminal groups of the component (a) and the functional group of the component (c) do not cause a bond (crosslinking) due to the acid generated. Examples of the type include o-quinonediazide compounds, aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, and the like. Although there is no particular limitation, the o-quinonediazide compound has high sensitivity, and the end group of the component (a) Since the functional group of the component (c) does not cause bonding (crosslinking), it is preferable.

上記o−キノンジアジド化合物は、例えば、o−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物などとを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。前記o−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド等が使用できる。   The o-quinonediazide compound can be obtained, for example, by subjecting o-quinonediazidesulfonyl chlorides to a hydroxy compound, an amino compound or the like in the presence of a dehydrochlorinating agent. Examples of the o-quinonediazide sulfonyl chlorides include benzoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride, and naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride. Etc. can be used.

前記ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,3’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン,2,3,4,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テトラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンなどが使用できる。   Examples of the hydroxy compound include hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 2,3,4-trihydroxybenzophenone. 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 3′-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4, 3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 4b, 5,9b, 10-tetrahydro -1,3,6,8-tetrahydroxy-5,10-dimethylindeno [2, -a] indene, tris (4-hydroxyphenyl) methane, and tris (4-hydroxyphenyl) ethane can be used.

前記アミノ化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、o−アミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンなどが使用できる。   Examples of the amino compound include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 4,4′-diaminodiphenyl. Sulfide, o-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3 -Amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-Amino-4-hydroxyphenyl) hexaph Oropuropan, and bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane can be used.

o−キノンジアジドスルホニルクロリドとヒドロキシ化合物および/またはアミノ化合物とは、o−キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基の合計が0.5〜1当量になるように配合されることが好ましい。脱塩酸剤とo−キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は、0.95/1〜1/0.95の範囲である。好ましい反応温度は0〜40℃、好ましい反応時間は1〜10時間とされる。   The o-quinonediazide sulfonyl chloride and the hydroxy compound and / or amino compound may be blended so that the total of hydroxy group and amino group is 0.5 to 1 equivalent with respect to 1 mol of o-quinonediazide sulfonyl chloride. preferable. A preferred ratio of the dehydrochlorinating agent and o-quinonediazide sulfonyl chloride is in the range of 0.95 / 1 to 1 / 0.95. A preferable reaction temperature is 0 to 40 ° C., and a preferable reaction time is 1 to 10 hours.

反応溶媒としては,ジオキサン,アセトン,メチルエチルケトン,テトラヒドロフラン,ジエチルエーテル,N−メチルピロリドン等の溶媒が用いられる。脱塩酸剤としては,炭酸ナトリウム,水酸化ナトリウム,炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウム,水酸化カリウム,トリメチルアミン,トリエチルアミン,ピリジンなどが挙げられる。   As the reaction solvent, solvents such as dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, diethyl ether, N-methylpyrrolidone and the like are used. Examples of the dehydrochlorination agent include sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, trimethylamine, triethylamine, pyridine and the like.

[(c)成分]
本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、上記(a)成分、(b)成分(酸発生剤)に加えて、硬化膜特性の性能向上や光線照射の有無による溶解速度差を向上させる目的で、(c)成分として熱により(a)成分の少なくとも一つのポリマーの末端基と架橋し得る化合物を併せて用いることが出来る。この(c)成分の架橋しうる温度としては、感光性樹脂組成物が塗布、乾燥、露光、現像の各工程で架橋が進行しないように、150℃以上であることが好ましい。
[Component (c)]
In the positive photosensitive resin composition of the present invention, in addition to the components (a) and (b) (acid generator), an object is to improve the performance of cured film properties and to improve the difference in dissolution rate depending on the presence or absence of light irradiation. In addition, as the component (c), a compound capable of crosslinking with the terminal group of at least one polymer of the component (a) by heat can be used in combination. The temperature at which component (c) can be crosslinked is preferably 150 ° C. or higher so that crosslinking does not proceed in the coating, drying, exposure, and development steps of the photosensitive resin composition.

本発明における(a)成分と(c)成分の架橋反応は、必ずしも末端のみに架橋点が限定されるものではなく、これと合わせて(a)成分の主鎖中の官能基と(c)成分の架橋反応が進行しても良い。   The crosslinking reaction of the component (a) and the component (c) in the present invention is not necessarily limited to the crosslinking point only at the terminal, and together with this, the functional group in the main chain of the component (a) and (c) The crosslinking reaction of the components may proceed.

(a)成分の末端基と(c)成分の官能基との組み合わせとしては、酸の存在下で熱により、共有結合、イオン結合、水素結合のいずれかの形態にて両者の間で結合が生ずれば良く、特に制限はない。   As a combination of the terminal group of component (a) and the functional group of component (c), a bond is formed between the two in the form of a covalent bond, an ionic bond, or a hydrogen bond by heat in the presence of an acid. There is no particular limitation as long as it is born.

最終的に得られる膜の機械特性の観点から、(a)成分、(c)成分の官能基や結合が次のA群、B群よりそれぞれ一つずつ選ばれるような組み合わせが好ましい。この場合、(a)成分をどちらの群から選んでも良いが、原則として(a)成分および(c)成分を互いに異なる群より選ばれた組み合わせとする必要がある。   From the viewpoint of the mechanical properties of the finally obtained film, a combination in which the functional groups and bonds of the component (a) and the component (c) are each selected from the following groups A and B is preferable. In this case, the component (a) may be selected from either group, but in principle, the component (a) and the component (c) need to be a combination selected from different groups.

〔A群〕 1級または2級アルコール、フェノール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、芳香環。
〔B群〕 メチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコール、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネート、イソシアナート。
[Group A] Primary or secondary alcohol, phenol, carboxyl group, amino group, thiol, aromatic ring.
[Group B] Cyclic ethers such as methylol, alkoxyalkyl groups, tertiary alcohols, cycloalkyl groups, olefins, triple bonds, alkyl halides, epoxy groups, ester bonds, carbonates, isocyanates.

しかしながら、上記に該当しない組み合わせでも、カルボキシル基またはエステルとアミノ基、カルボキシル基またはエステルと1級または2級アルコール、シクロアルキル基同士、カルボキシル基同士、アルコール同士、エポキシ基同士、オレフィンあるいは三重結合同士、メチロール同士なども反応性の高い好ましい組み合わせとして挙げることができる。   However, even in combinations not corresponding to the above, carboxyl groups or esters and amino groups, carboxyl groups or esters and primary or secondary alcohols, cycloalkyl groups, carboxyl groups, alcohols, epoxy groups, olefins or triple bonds Further, methylols can also be mentioned as preferable combinations having high reactivity.

好ましい(a)成分として例示したポリマーを用いる場合、末端基導入の容易さの観点で、(a)成分の末端がカルボキシル基またはそれより誘導されるエステル、フェノール、アミノ基またはそれより誘導されるイソシアナート前駆体であることが望ましい。このような観点から、特に好ましい組み合わせとしては、(a)成分としてフェノール、(c)成分としてメチロール、3級アルコール、(a)成分としてカルボキシル基またはエステルと、(c)成分として1級または2級アルコール、エポキシ基、ビニルエーテルまたはイソシアナートとの組み合わせ、(a)成分としてアミノ基と、(c)成分としてエポキシ基、カルボキシル基、またはエステルとの組合せ、(a)成分としてイソシアナートと、(c)成分として1または2級アルコール、フェノール、カルボキシル基またはエステルとの組合せを挙げることができる。   When the polymer exemplified as the preferred component (a) is used, the end of component (a) is derived from a carboxyl group or an ester, phenol, amino group or derived from the carboxyl group or from the viewpoint of ease of introduction of the end group. It is desirable to be an isocyanate precursor. From this point of view, as a particularly preferable combination, (a) component is phenol, (c) component is methylol, tertiary alcohol, (a) component is carboxyl group or ester, and (c) component is primary or 2 A combination of a secondary alcohol, an epoxy group, a vinyl ether or an isocyanate, an amino group as the component (a), a combination of an epoxy group, a carboxyl group or an ester as the component (c), an isocyanate as the component (a), ( As a component c), a combination with a primary or secondary alcohol, phenol, carboxyl group or ester can be mentioned.

加えて、良好な硬化膜強度が得られる組み合わせという点で、(a)成分および(c)成分がオレフィンあるいは三重結合同士、あるいは(a)成分としてフェノール、(c)成分としてメチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコールまたはビニルエーテルとの組合せ、(a)成分としてアミノ基またはイソシアナート、(c)成分としてカルボキシル基またはエステルの組み合わせが特に好ましいものとして挙げることができる。   In addition, (a) component and (c) component are olefins or triple bonds, or (a) component is phenol, (c) component is methylol, alkoxyalkyl group in terms of a combination that provides good cured film strength. A combination with a tertiary alcohol or vinyl ether, an amino group or isocyanate as the component (a), and a combination of a carboxyl group or an ester as the component (c) are particularly preferable.

なお、(a)成分の末端基と(c)成分の官能基との組み合わせは、感光性樹脂組成物の塗布時には、基本的には結合(架橋)が生じない組み合わせとする。すなわち、その組み合わせにおいて架橋の生じる温度として、酸の非存在下で150℃以上であることが好ましい。そのため、これまでに組み合わせの例示として挙げた各官能基を保護基や誘導体とする方法などで潜在化させ、露光による光化学反応あるいはその後の露光後加熱工程の際の熱による化学変化等で所望の官能基に変換するなどの手法を併せて取ることもできる。例えば、イソシアナートは150℃以下の低温でも反応してしまうため、アミノ基をアルコキシカルボニル基などでブロック化した前駆体の状態で(a)成分の末端基や(c)成分に導入することができる。   The combination of the terminal group of the component (a) and the functional group of the component (c) is basically a combination that does not cause bonding (crosslinking) when the photosensitive resin composition is applied. That is, the temperature at which crosslinking occurs in the combination is preferably 150 ° C. or higher in the absence of acid. Therefore, each functional group listed as an example of the combination so far is made latent by a method such as a protective group or a derivative, etc., and desired by a photochemical reaction due to exposure or a chemical change due to heat in a subsequent post-exposure heating step. A technique such as conversion to a functional group can also be taken. For example, since isocyanate reacts even at a low temperature of 150 ° C. or lower, it can be introduced into the terminal group of component (a) or component (c) in a precursor state in which an amino group is blocked with an alkoxycarbonyl group or the like. it can.

かかる(c)成分として好ましいものは、分子内に2個以上のメチロール基、アルコキシメチル基、エポキシ基、オキセタン、ビニルエーテル基、オレフィン、アルキニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、エステル結合、シクロアルキル基、アミノ基、イソシアナート基など、先に例示した(a)成分と組み合わせるのに好ましいものに該当する官能基を有する化合物を挙げることができる。特に好ましくは、これらの置換基が芳香環上に置換した化合物すなわちフェノール、ビスフェノール、ポリフェノール、ノボラック樹脂、レゾール樹脂やこれらの置換基でN位を置換したメラミン、ベンゾグアナミン、グリコールウリル、尿素化合物が特に好ましい。これら好ましい化合物群の例を以下の一般式(4)、(5)として挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Preferred as the component (c) are two or more methylol groups, alkoxymethyl groups, epoxy groups, oxetanes, vinyl ether groups, olefins, alkynyl groups, cyano groups, hydroxy groups, carboxyl groups, ester bonds, cyclohexanes in the molecule. The compound which has a functional group applicable to what is preferable in combination with (a) component illustrated previously, such as an alkyl group, an amino group, an isocyanate group, can be mentioned. Particularly preferred are compounds in which these substituents are substituted on the aromatic ring, namely phenols, bisphenols, polyphenols, novolac resins, resole resins, and melamine, benzoguanamine, glycoluril, urea compounds in which the N-position is substituted with these substituents. preferable. Examples of these preferable compound groups are given as the following general formulas (4) and (5), but the present invention is not limited to these.

Figure 2008033158
(式中、Xは単結合、または1〜4価の有機基を示し、Zは(a)成分と反応する官能基を示し、R1は水素原子、水酸基または一価の有機基を示し、nは1〜4の整数であり、p、qは各々独立に0〜4の整数である。)
Figure 2008033158
(In the formula, X represents a single bond or a 1 to 4 valent organic group, Z represents a functional group that reacts with the component (a), R 1 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a monovalent organic group, n is an integer of 1 to 4, and p and q are each independently an integer of 0 to 4.)

Figure 2008033158
(式中、Zは各々独立に(a)成分と反応する官能基を示し、R2は各々独立に水素原子または一価の有機基を示し、互いが結合することで環構造となっていても良い。)
Figure 2008033158
(In the formula, each Z independently represents a functional group that reacts with the component (a), each R 2 independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and is bonded to each other to form a ring structure. Is also good.)

一般式(4)において、Xで示される有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数が1〜10のアルキレン基、エチリデン基等の炭素数が2〜10のアルキリデン基、フェニレン基等の炭素数が6〜30のアリーレン基、これら炭化水素基の水素原子の一部または全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基、スルホン基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合等が挙げられ、また下記一般式(6)   In the general formula (4), as the organic group represented by X, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group or a propylene group, an alkylidene group having 2 to 10 carbon atoms such as an ethylidene group, Arylene groups having 6 to 30 carbon atoms such as phenylene groups, groups in which some or all of the hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with halogen atoms such as fluorine atoms, sulfone groups, carbonyl groups, ether bonds, thioether bonds, Amide bond, etc., and the following general formula (6)

Figure 2008033158
(式中、個々のX’は、各々独立に、単結合、アルキレン基(例えば、炭素原子数が1〜10のもの)、アルキリデン基(例えば、炭素数が2〜10のもの)、それらの水素原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した基、スルホン基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合等から選択されるものであり、R3は水素原子、ヒドロキシ基、アルキル基またはハロアルキル基であり、複数存在する場合は互いに同一でも異なっていてもよく、mは1〜10である。)
で示される2価の有機基が好ましいものとして挙げられる。さらに、下記一般式(7)に挙げられるものは、感度、解像度にも優れるため、特に好ましいものとして挙げられる。
Figure 2008033158
(In the formula, each X ′ is independently a single bond, an alkylene group (for example, having 1 to 10 carbon atoms), an alkylidene group (for example, having 2 to 10 carbon atoms), A group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted with a halogen atom, a sulfone group, a carbonyl group, an ether bond, a thioether bond, an amide bond, etc., and R 3 is a hydrogen atom, a hydroxy group, an alkyl group or It is a haloalkyl group, and when there are a plurality of them, they may be the same as or different from each other, and m is 1 to 10.)
A divalent organic group represented by the formula is preferable. Furthermore, those listed in the following general formula (7) are particularly preferable because they are excellent in sensitivity and resolution.

Figure 2008033158
(式中、2つのYは各々独立に水素原子または炭素原子数1〜10のアルキル基であり酸素原子またはフッ素原子を含んでいても良く、R4〜R5は各々独立に水素原子または一価の有機基を示し、p、q、rおよびsは各々独立に0〜4の整数である。)
Figure 2008033158
(In the formula, two Y's are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and may contain an oxygen atom or a fluorine atom, and R 4 to R 5 are each independently a hydrogen atom or Valent organic group, p, q, r and s are each independently an integer of 0 to 4.)

これらの架橋剤は単独で使用しても良く、また2種類以上を組み合わせて使用しても良い。   These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.

本発明に使用する(c)成分の含有量は、感光時の感度、解像度、また加熱硬化時のパターン硬化膜の溶融を抑止するために、(a)成分100重量部に対して、0.1〜50重量部とすることが好ましく、0.1〜20重量部とすることがより好ましく、0.5〜20重量部とすることがさらに好ましい。   The content of the component (c) used in the present invention is 0. 0.1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (a) in order to suppress the sensitivity and resolution at the time of exposure and to prevent the pattern cured film from melting at the time of heat curing. The amount is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, and still more preferably 0.5 to 20 parts by weight.

[その他の成分]
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、前記(a)成分〜(c)成分の他に、(d)酸発生化合物、(e)密着性付与剤、(f)界面活性剤あるいはレベリング剤、(g)溶剤等を含有しても良い。
[Other ingredients]
In addition to the components (a) to (c), the positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (d) an acid generating compound, (e) an adhesion-imparting agent, (f) a surfactant or a leveling agent. (G) You may contain a solvent etc.

[その他の成分:(d)酸発生化合物]
まず、(c)成分の架橋反応を熱硬化時に促進するために、熱により酸を発生する(d)酸発生化合物を併用しても良い。触媒として用いる酸としては、強酸が好ましく、具体的には、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸が望ましい。熱により上記酸を発生するために、かかる酸発生化合物は、オニウム塩として塩の形や、イミドスルホナートのような共有結合の形で、本発明のポジ型感光性樹脂組成物に添加される。
[Other components: (d) Acid generating compound]
First, in order to accelerate the crosslinking reaction of component (c) at the time of thermosetting, (d) an acid generating compound that generates an acid by heat may be used in combination. The acid used as a catalyst is preferably a strong acid. Specifically, aryl acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid, camphorsulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, and perafluorosulfonic acid such as nonafluorobutanesulfonic acid. Alkyl sulfonic acids such as fluoroalkyl sulfonic acids, methane sulfonic acids, ethane sulfonic acids, butane sulfonic acids are desirable. In order to generate the acid by heat, the acid generating compound is added to the positive photosensitive resin composition of the present invention in the form of a salt as an onium salt or in the form of a covalent bond such as imide sulfonate. .

中でも熱分解開始温度が50℃〜270℃であるものが望ましい。具体的には、熱重量分析(TG)で測定される1%重量減少温度が50℃〜270℃、あるいは5%重量減少温度が60℃〜300℃であるものが望ましい。さらには、熱分解開始温度が140℃〜250℃であるものが、プリベーク時の際に酸が発生せず、感光特性等に悪影響を与える可能性がないので、より好ましい。具体的には、熱重量分析(TG)で測定される1%重量減少温度が140℃〜250℃、あるいは5%重量減少温度が170℃〜265℃であるものが望ましい。これらの酸触媒あるいは熱により酸を発生する化合物を用いる場合は、(a)成分100重量部に対して、10重量部以下が好ましく、5重量部以下がより好ましい。添加量が多い場合には、プリベーク時の熱分解による影響が無視できない恐れがある。   Among them, those having a thermal decomposition starting temperature of 50 ° C. to 270 ° C. are desirable. Specifically, it is desirable that the 1% weight loss temperature measured by thermogravimetric analysis (TG) is 50 ° C. to 270 ° C., or the 5% weight loss temperature is 60 ° C. to 300 ° C. Furthermore, it is more preferable that the thermal decomposition starting temperature is 140 ° C. to 250 ° C., since no acid is generated during pre-baking and there is no possibility of adversely affecting the photosensitive characteristics and the like. Specifically, it is desirable that the 1% weight loss temperature measured by thermogravimetric analysis (TG) is 140 ° C to 250 ° C, or the 5% weight loss temperature is 170 ° C to 265 ° C. When these acid catalysts or compounds that generate an acid by heat are used, the amount is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, relative to 100 parts by weight of component (a). If the amount added is large, the influence of thermal decomposition during pre-baking may not be negligible.

[その他の成分:(e)密着性付与剤]
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、硬化膜の基板との接着性を高めるために、有機シラン化合物、アルミキレート化合物等の(e)密着性付与剤を含むことができる。
[Other components: (e) Adhesion imparting agent]
The positive photosensitive resin composition of the present invention can contain (e) an adhesion-imparting agent such as an organic silane compound and an aluminum chelate compound in order to enhance the adhesion of the cured film to the substrate.

上記有機シラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n−ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4−ビス(トリヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(メチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(エチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(プロピルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ブチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジエチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジプロピルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジブチルヒドロキシシリル)ベンゼン等が挙げられる。   Examples of the organic silane compound include vinyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, ureapropyltriethoxysilane, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n -Propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert-butylphenylsilanediol, diphenylsilanediol, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol , N-butylmethylphenylsilanol, isobutylmethylphenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol , Ethyl n-propylphenylsilanol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, ethyldiphenylsilanol, n-propyldiphenylsilanol, isopropyldiphenyl Silanol, n-butyldiphenylsilanol, isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, phenylsilanetriol, 1,4-bis (trihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (methyldihydroxysilyl) benzene, 1,4- Bis (ethyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (propyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (butyl Hydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dimethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (diethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dipropylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dibutylhydroxy) And silyl) benzene.

上記アルミキレート化合物としては、例えば、トリス(アセチルアセトネート)アルミニウム、アセチルアセテートアルミニウムジイソプロピレート等が挙げられる。   Examples of the aluminum chelate compound include tris (acetylacetonate) aluminum, acetylacetate aluminum diisopropylate, and the like.

これらの(e)密着性付与剤を用いる場合は、(a)成分100重量部に対して、0.1〜20重量部含有させるのが好ましく、0.5〜10重量部含有させるのがより好ましい。   When using these (e) adhesion imparting agents, it is preferable to contain 0.1 to 20 parts by weight, and more preferably 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (a). preferable.

[その他の成分:(f)界面活性剤あるいはレベリング剤]
また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、塗布性、例えばストリエーション(膜厚のムラ)を防いだり、現像性を向上させるために、適当な界面活性剤あるいはレベリング剤を添加することができる。このような界面活性剤あるいはレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等があり、市販品としては、メガファックスF171、F173、R−08(大日本インキ化学工業株式会社製商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム株式会社製商品名)、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工業株式会社製商品名)等が挙げられる。
[Other components: (f) Surfactant or leveling agent]
In addition, the positive photosensitive resin composition of the present invention may be added with an appropriate surfactant or leveling agent in order to prevent coating properties such as striation (film thickness unevenness) or improve developability. Can do. Examples of such a surfactant or leveling agent include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, and the like. Megafax F171 is a commercially available product. , F173, R-08 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC430, FC431 (trade name, manufactured by Sumitomo 3M), organosiloxane polymer KP341, KBM303, KBM403, KBM803 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Product name).

[その他の成分:(g)溶剤]
本発明においてはこれらの成分を(g)溶剤に溶解し、一般にワニス(樹脂液)状にして使用する。かかる溶剤としては、N‐メチル‐2‐ピロリドン、γ‐ブチロラクトン、N,N‐ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、2‐メトキシエタノール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル‐1,3‐ブチレングリコールアセテート、1,3‐ブチレングリコールアセテート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフランなどがあり、単独でも混合して用いても良い。
[Other components: (g) Solvent]
In the present invention, these components are dissolved in (g) a solvent and generally used in the form of a varnish (resin liquid). Such solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, 2-methoxyethanol, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether , Propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol acetate, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, etc. It may be used.

[パターン硬化膜の製造方法]
次に、本発明のパターン硬化膜の製造方法について説明する。本発明によるパターン硬化膜の製造方法は、上述したポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、前記感光性樹脂膜を露光する露光工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン化樹脂膜を得る現像工程と、および前記パターン化樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱硬化工程とを経て、所望の耐熱性高分子のパターン硬化膜を製造することができる。以下、各工程について説明する。
[Method for producing patterned cured film]
Next, the manufacturing method of the pattern cured film of this invention is demonstrated. The method for producing a patterned cured film according to the present invention includes a photosensitive resin film forming step of forming the photosensitive resin film by applying the above-described positive photosensitive resin composition onto a supporting substrate and drying the photosensitive resin film, and the photosensitive resin film. An exposure step for exposing the photosensitive resin film, a developing step for developing the exposed photosensitive resin film using an alkaline aqueous solution to obtain a patterned resin film, and a patterned cured film obtained by heat-treating the patterned resin film Through the heat curing step, a desired heat-resistant polymer pattern cured film can be produced. Hereinafter, each step will be described.

(感光性樹脂膜形成工程)
ポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体(例えば、TiO2、SiO2等)、窒化ケイ素などの支持基板上に、上述した感光性樹脂組成物を、スピンナーなどを用いて回転塗布する。その後、ホットプレート、オーブンなどを用いて乾燥することにより、支持基板上に感光性樹脂組成物の被膜である感光性樹脂膜を形成する。
(Photosensitive resin film forming process)
In the step of forming a photosensitive resin film by applying a positive photosensitive resin composition on a support substrate and drying, a glass substrate, a semiconductor, a metal oxide insulator (eg, TiO 2 , SiO 2, etc.), silicon nitride The photosensitive resin composition described above is spin-coated using a spinner or the like on a support substrate such as. Then, the photosensitive resin film which is a film of the photosensitive resin composition is formed on a support substrate by drying using a hot plate, oven, etc.

(露光工程)
次に、露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性樹脂組成物(感光性樹脂膜)に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線などの活性光線を照射する。なお、所望により露光後の感光性樹脂膜を加熱する工程をさらに含んでも良い。
(Exposure process)
Next, in the exposure step, the photosensitive resin composition (photosensitive resin film) formed as a film on the support substrate is irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays, and radiations through a mask. In addition, you may further include the process of heating the photosensitive resin film after exposure if desired.

(現像工程)
続いて、現像工程では、露光部を現像液で除去することによりパターン化樹脂膜が得られる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)などのアルカリ水溶液が好ましいものとして挙げられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.1〜10重量%とすることが好ましい。さらに、上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100重量部に対して、好ましくは0.01〜10重量部、より好ましくは0.1〜5重量部の範囲で配合することができる。
(Development process)
Subsequently, in the development step, a patterned resin film is obtained by removing the exposed portion with a developer. Preferred examples of the developer include aqueous alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, and tetramethylammonium hydroxide (TMAH). The base concentration of these aqueous solutions is preferably 0.1 to 10% by weight. Furthermore, alcohols and surfactants can be added to the developer and used. Each of these can be blended in the range of preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the developer.

(加熱硬化工程)
次いで、加熱硬化工程では、例えば、種々の熱拡散炉、加熱炉や硬化炉を使用して、得られたパターン化樹脂膜に好ましくは150〜450℃の加熱処理を施すことにより、耐熱性高分子のパターン(パターン硬化膜)になる。本発明においては、加熱処理を350℃以下、好ましくは150〜300℃で行っても十分な膜特性を得ることができる。
(Heat curing process)
Next, in the heat curing step, for example, by using various heat diffusion furnaces, heating furnaces and curing furnaces, the obtained patterned resin film is preferably heat-treated at 150 to 450 ° C. It becomes a molecular pattern (pattern cured film). In the present invention, sufficient film characteristics can be obtained even if the heat treatment is performed at 350 ° C. or lower, preferably 150 to 300 ° C.

(マイクロ波硬化)
また、加熱処理には、熱拡散炉等に限らず、マイクロ波を用いることもできる。マイクロ波を、周波数を変化させながらパルス状に照射した場合は、定在波を防ぐことができ、基板面を均一に加熱することができる点で好ましい。さらに、基板として電子部品のように金属配線を含む場合は、周波数を変化させながらマイクロ波をパルス状に照射すると、金属からの放電等の発生を防ぐことができ、電子部品を破壊から守ることができる点で好ましい。
(Microwave curing)
The heat treatment is not limited to a thermal diffusion furnace or the like, and microwaves can also be used. When the microwave is irradiated in the form of pulses while changing the frequency, standing waves can be prevented and the substrate surface can be heated uniformly. In addition, when metal wiring is included as an electronic component as a substrate, it is possible to prevent the occurrence of electric discharge from the metal and to protect the electronic component from destruction by irradiating microwaves in pulses while changing the frequency. It is preferable at the point which can do.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、照射するマイクロ波の周波数は0.5〜20GHzの範囲であるが、実用的には1〜10GHzの範囲が好ましく、さらに2〜9GHzの範囲がより好ましい。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the microwave frequency to be irradiated is in the range of 0.5 to 20 GHz, but is practically preferably in the range of 1 to 10 GHz, and more preferably in the range of 2 to 9 GHz. preferable.

照射するマイクロ波の周波数は連続的に変化させることが望ましいが、実際は周波数を階段状に変化させて照射する。その際、単一周波数のマイクロ波を照射する時間はできるだけ短い方が定在波や金属からの放電等が生じにくく、その時間は1ミリ秒以下が好ましく、100マイクロ秒以下が特に好ましい。   Although it is desirable to continuously change the frequency of the microwave to be irradiated, the irradiation is actually performed by changing the frequency stepwise. At that time, the shorter the time for irradiating a single-frequency microwave, the less likely it is that standing waves or metal discharges occur, and the time is preferably 1 millisecond or less, particularly preferably 100 microseconds or less.

照射するマイクロ波の出力は、装置の大きさや被加熱体の量によっても異なるが、概ね10〜2000Wの範囲であり、実用上は100〜1000Wがより好ましく、100〜700Wがさらに好ましく、100〜500Wが最も好ましい。出力が10W以下では被加熱体を短時間で加熱することが難しく、2000W以上では急激な温度上昇が起こりやすい。   The output of the microwave to be irradiated varies depending on the size of the apparatus and the amount of the object to be heated, but is generally in the range of 10 to 2000 W, practically preferably 100 to 1000 W, more preferably 100 to 700 W, further preferably 100 to 700 W. 500 W is most preferred. If the output is 10 W or less, it is difficult to heat the object to be heated in a short time, and if it is 2000 W or more, a rapid temperature rise is likely to occur.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物において、照射するマイクロ波はパルス状にオン/オフさせることが好ましい。マイクロ波をパルス状に照射することにより、設定した加熱温度を保持することができ、また、ポリイミド薄膜や基材へのダメージを避けることができる点で好ましい。パルス状のマイクロ波を1回に照射する時間は、条件によって異なるが、概ね10秒以下である。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the microwave to be irradiated is preferably turned on / off in a pulsed manner. By irradiating the microwaves in a pulsed manner, the set heating temperature can be maintained, and damage to the polyimide thin film and the substrate can be avoided. Although the time for irradiating the pulsed microwave at one time varies depending on the conditions, it is approximately 10 seconds or less.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物において熱硬化させる時間は、残存溶剤や揮発成分の飛散が十分進行するまでの時間であるが、作業効率との兼ね合いから概ね5時間以下である。また、熱処理の雰囲気は、大気中、または窒素等の不活性雰囲気中いずれを選択することもできる。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the time for heat curing is the time until the remaining solvent and volatile components are sufficiently scattered, but is approximately 5 hours or less in view of work efficiency. The atmosphere for the heat treatment can be selected from the air or an inert atmosphere such as nitrogen.

[半導体装置(電子部品)の製造工程]
次に、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターンの製造方法の一例として、半導体装置(電子部品)の製造工程の一例を図面に基づいて説明する。図1〜図5は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。これらの図1〜図5において、回路素子(図示しない)を有するSi基板等の半導体基板1は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜2で被覆され、露出した回路素子上に第1導体層3が形成されている。この半導体基板1上に、スピンコート法等で層間絶縁膜としてのポリイミド樹脂等の層間絶縁膜層4が形成される(図1)。
[Manufacturing process of semiconductor devices (electronic parts)]
Next, as an example of a pattern manufacturing method using the positive photosensitive resin composition according to the present invention, an example of a manufacturing process of a semiconductor device (electronic component) will be described with reference to the drawings. 1 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayer wiring structure. 1 to 5, a semiconductor substrate 1 such as a Si substrate having a circuit element (not shown) is covered with a protective film 2 such as a silicon oxide film except for a predetermined portion of the circuit element, and is exposed. A first conductor layer 3 is formed thereon. On this semiconductor substrate 1, an interlayer insulating film layer 4 such as a polyimide resin as an interlayer insulating film is formed by a spin coat method or the like (FIG. 1).

次に、塩化ゴム系またはフェノールノボラック系の感光性樹脂層5が、前記層間絶縁膜層4上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層4が露出するように窓6Aが設けられる(図2)。前記窓6Aにより露出した層間絶縁膜層4は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓6Bが空けられている。次いで、窓6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光性樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層5が完全に除去される(図3)。   Next, a chlorinated rubber-based or phenol novolac-based photosensitive resin layer 5 is formed on the interlayer insulating film layer 4 by a spin coating method, and a predetermined portion of the interlayer insulating film layer 4 is exposed by a known photolithography technique. A window 6A is provided as shown in FIG. The interlayer insulating film layer 4 exposed by the window 6A is selectively etched by a dry etching means using a gas such as oxygen or carbon tetrafluoride to open the window 6B. Next, the photosensitive resin layer 5 is completely removed using an etching solution that corrodes only the photosensitive resin layer 5 without corroding the first conductor layer 3 exposed from the window 6B (FIG. 3).

さらに、公知の写真食刻技術を用いて、第2導体層7を形成させ、第1導体層3との電気的接続が完全に行われる(図4)。3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。   Further, the second conductor layer 7 is formed by using a known photolithography technique, and the electrical connection with the first conductor layer 3 is completely performed (FIG. 4). When a multilayer wiring structure having three or more layers is formed, each layer can be formed by repeating the above steps.

次に、表面保護膜層8を形成する。図示の例では、この表面保護膜層8を、前記感光性樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓6Cを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成し、加熱して耐熱性高分子膜とする(図5)。この表面保護膜層8としての耐熱性高分子膜は、導体層7,3を外部からの応力、α線などから保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。なお、上記例において、表面保護膜層8だけでなく、層間絶縁膜層4を本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。   Next, the surface protective film layer 8 is formed. In the illustrated example, the surface protective film layer 8 is coated with the photosensitive resin composition by a spin coat method, dried, and irradiated with light from a mask on which a pattern for forming a window 6C is formed at a predetermined portion. Then, development is performed with an aqueous alkali solution to form a pattern, which is then heated to form a heat resistant polymer film (FIG. 5). This heat-resistant polymer film as the surface protective film layer 8 protects the conductor layers 7 and 3 from external stress, α rays, etc., and the obtained semiconductor device is excellent in reliability. In the above example, not only the surface protective film layer 8 but also the interlayer insulating film layer 4 can be formed using the positive photosensitive resin composition of the present invention.

[電子部品]
次に、本発明による電子部品について説明する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、半導体装置や多層配線板等の電子部品に使用することができ、具体的には、半導体装置の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用することができる。本発明の半導体装置は、前記ポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。本発明による電子部品は、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて上記パターン硬化膜の製造方法によって形成されるパターン硬化膜を含む。また、電子部品としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイス等を含む。
[Electronic parts]
Next, the electronic component according to the present invention will be described. The positive photosensitive resin composition of the present invention can be used for electronic components such as semiconductor devices and multilayer wiring boards. Specifically, the surface protective film, interlayer insulating film of semiconductor devices, and interlayers of multilayer wiring boards are used. It can be used for forming an insulating film or the like. The semiconductor device of the present invention is not particularly limited except that it has a surface protective film and an interlayer insulating film formed using the positive photosensitive resin composition, and can have various structures. The electronic component according to the present invention includes a cured pattern film formed by the above-described method for producing a cured pattern film using the positive photosensitive resin composition of the present invention. Moreover, as an electronic component, a semiconductor device, a multilayer wiring board, various electronic devices, etc. are included.

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited to these Examples.

(実施例1〜12)
実施例および後述する比較例において、合成したポリマーの重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー法(GPC、装置は(株)日立製作所製、カラムは日立化成工業(株)製ゲルパック)を用いて、標準ポリスチレン換算により求めた。
(Examples 1-12)
In Examples and Comparative Examples described later, the weight average molecular weight of the synthesized polymer was determined by gel permeation chromatography (GPC, apparatus manufactured by Hitachi, Ltd., column manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. Gel Pack), It calculated | required by standard polystyrene conversion.

[合成例1] ポリベンゾオキサゾール前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g(60mmol)、N−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル23.9g(120mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)18.30g(50 mmol)を攪拌溶解した後、ピリジン9.48g(120 mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥してカルボキシル基末端のポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIとする)。ポリマーIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は17,600、分散度は1.6であった。
[Synthesis Example 1] Synthesis of polybenzoxazole precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 15.48 g (60 mmol) of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid, N -After 90 g of methylpyrrolidone was charged and the flask was cooled to 5 ° C, 23.9 g (120 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 87.5 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 18.30 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (6FAP) (50 After stirring and dissolving, 9.48 g (120 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes. Stirring was continued for a minute. The solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed three times with pure water, and then dried under reduced pressure to obtain carboxyl group-terminated polyhydroxyamide (hereinafter referred to as polymer I). The polymer I had a weight average molecular weight of 17,600 and a dispersity of 1.6 determined by GPC standard polystyrene conversion.

[合成例2] ポリベンゾオキサゾール前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸12.90g(50mmol)、N−メチルピロリドン75gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル19.9g(100mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン105gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン22.0g(60mmol)と5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物3.28 g(20 mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン7.9g(100mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。得られた溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して二重結合を末端に持つポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIIとする)。ポリマーIIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は22,800、分散度は1.8であった。
[Synthesis Example 2] Synthesis of polybenzoxazole precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 12.90 g (50 mmol) of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid, N -After charging 75 g of methylpyrrolidone and cooling the flask to 5 ° C., 19.9 g (100 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 105 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 22.0 g (60 mmol) of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 5-norbornene were added. 2.28 g (20 mmol) of 2,3-dicarboxylic acid anhydride was added and dissolved by stirring. Then, 7.9 g (100 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., 4,4 A solution of '-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. The obtained solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed with pure water three times, and then dried under reduced pressure to obtain polyhydroxyamide having a double bond at the end (hereinafter referred to as Polymer II and To do). The polymer II had a weight average molecular weight of 22,800 and a dispersity of 1.8 determined by GPC standard polystyrene conversion.

[合成例3] ポリベンゾオキサゾール前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸12.90g(50mmol)、N−メチルピロリドン75gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル19.9g(100mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン105gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン14.7g(40mmol)とm−アミノフェノール2.16g(20mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン7.9g(100mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。得られた溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥してフェノールを末端に持つポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIIIとする)。ポリマーIIIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は15,600、分散度は1.7であった。
[Synthesis Example 3] Synthesis of polybenzoxazole precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 12.90 g (50 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid, N -After charging 75 g of methylpyrrolidone and cooling the flask to 5 ° C., 19.9 g (100 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 105 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 14.7 g (40 mmol) of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and m-amino were added. After 2.16 g (20 mmol) of phenol was added and dissolved by stirring, 7.9 g (100 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added to the solution. After dropwise addition in minutes, stirring was continued for 30 minutes. The obtained solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed with pure water three times, and then dried under reduced pressure to obtain polyhydroxyamide having a phenol terminal (hereinafter referred to as polymer III). . The polymer III had a weight average molecular weight of 15,600 and a dispersity of 1.7 determined by GPC standard polystyrene conversion.

[合成例4] ポリイミド前駆体((a)成分)の合成
攪拌機および温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3',4,4'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)10g(32mmol)とイソプロピルアルコール3.87g(65mmol)とをN−メチルピロリドン45gに溶解し、1,8−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加の後に、60℃にて2時間加熱を行い、続いて室温下(25℃)で15時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを7.61g(64mmol)加え、室温に戻し2時間反応を行い酸クロリドの溶液を得た。この溶液を酸クロ溶液Aと呼ぶ。
[Synthesis Example 4] Synthesis of polyimide precursor (component (a)) In a 0.2 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride ( (ODPA) 10 g (32 mmol) and isopropyl alcohol 3.87 g (65 mmol) were dissolved in 45 g of N-methylpyrrolidone, and after adding a catalytic amount of 1,8-diazabicycloundecene, heating was performed at 60 ° C. for 2 hours. Subsequently, the mixture was stirred at room temperature (25 ° C.) for 15 hours for esterification. Thereafter, 7.61 g (64 mmol) of thionyl chloride was added under ice cooling, and the mixture was returned to room temperature and reacted for 2 hours to obtain an acid chloride solution. This solution is referred to as acid chromate solution A.

次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、6FAP 10.25g(28 mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン5.06g(64 mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先に調製した酸クロ溶液Aを30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってカルボキシル基末端のポリアミド酸エステルを得た(以下、ポリマーIVとする)。ポリマーIVの重量平均分子量は19,400、分散度は2.2であった。   Next, in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 40 g of N-methylpyrrolidone was charged, 10.25 g (28 mmol) of 6FAP was added, dissolved by stirring, and then 5.06 g (64 mmol) of pyridine. ) Was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., the previously prepared acid chromatography solution A was added dropwise over 30 minutes, and then stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was added dropwise to distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a carboxylate-terminated polyamic acid ester (hereinafter referred to as polymer IV). Polymer IV had a weight average molecular weight of 19,400 and a dispersity of 2.2.

[合成例5] ポリイミド前駆体((a)成分)の合成
攪拌機および温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、ピロメリット酸二無水物(PMDA)6.54g(30 mmol)とメチルアルコール1.92g(60 mmol)とをN−メチルピロリドン20gに溶解し、1,8−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加の後に、60℃にて2時間加熱を行い、続いて室温下(25℃)で15時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを7.25g(61mmol)加え、室温に戻し2時間反応を行い酸クロリドの溶液を得た。この溶液を酸クロ溶液Bと呼ぶ。
[Synthesis Example 5] Synthesis of polyimide precursor (component (a)) In a 0.2 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 6.54 g (30 mmol) of pyromellitic dianhydride (PMDA) and methyl were added. 1.92 g (60 mmol) of alcohol was dissolved in 20 g of N-methylpyrrolidone, and a catalytic amount of 1,8-diazabicycloundecene was added, followed by heating at 60 ° C. for 2 hours, and subsequently at room temperature ( The mixture was stirred at 25 ° C. for 15 hours for esterification. Thereafter, 7.25 g (61 mmol) of thionyl chloride was added under ice cooling, and the mixture was returned to room temperature and reacted for 2 hours to obtain an acid chloride solution. This solution is referred to as acid chloride solution B.

次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン12.3gを仕込み、2,2’−ジメチルベンジジン(DMAP) 5.73g(27mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン4.82g(61mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先に調製した酸クロ溶液Bを30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってカルボキシル基末端のポリアミド酸エステルを得た。(以下、ポリマーVとする)。ポリマーVの重量平均分子量は32,800、分散度は2.5であった。   Next, in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 12.3 g of N-methylpyrrolidone was charged, and 5.73 g (27 mmol) of 2,2′-dimethylbenzidine (DMAP) was added and dissolved by stirring. Then, 4.82 g (61 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., the previously prepared acid chromatography solution B was added dropwise over 30 minutes, and then stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was added dropwise to distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a carboxylate terminal polyamic acid ester. (Hereinafter referred to as polymer V). Polymer V had a weight average molecular weight of 32,800 and a dispersity of 2.5.

[合成例6] ポリイミド前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、DMAP 7.64g(36mmol)と、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.31g(8 mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン5.06g(64 mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先と同様に調製した酸クロ溶液B(PMDA32mmol相当)を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによって二重結合を末端に持つポリアミド酸エステルを得た(以下、ポリマーVIとする)。ポリマーVIの重量平均分子量は31,400、分散度は2.1であった。
[Synthesis Example 6] Synthesis of polyimide precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 40 g of N-methylpyrrolidone was charged, and 7.64 g (36 mmol) of DMAP and 5 -After adding 1.31 g (8 mmol) of norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride and stirring and dissolving, 5.06 g (64 mmol) of pyridine is added and the temperature is kept at 0 to 5 ° C. The acid chromate solution B (corresponding to PMDA 32 mmol) prepared in the same manner as above was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was dropped into distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a polyamic acid ester having a double bond at the end (hereinafter referred to as polymer VI). The weight average molecular weight of polymer VI was 31,400, and the degree of dispersion was 2.1.

[合成例7] ポリイミド前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFDB) 12.81g(40mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン6.01g(76mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先と同様に調製した酸クロ溶液B(PMDA38mmol相当)を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってアミノ基を末端に持つポリアミド酸エステルを得た(以下、ポリマーVIIとする)。ポリマーVIIの重量平均分子量は29,100、分散度は1.7であった。
[Synthesis Example 7] Synthesis of polyimide precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 40 g of N-methylpyrrolidone was charged and 2,2′-bis (trifluoromethyl). ) 12.81 g (40 mmol) of benzidine (TFDB) was added and dissolved by stirring. Then, 6.01 g (76 mmol) of pyridine was added and the temperature was kept at 0 to 5 ° C. B (equivalent to PMDA 38 mmol) was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. This reaction solution was added dropwise to distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a polyamic acid ester having an amino group at the terminal (hereinafter referred to as polymer VII). The weight average molecular weight of polymer VII was 29,100, and the degree of dispersion was 1.7.

[合成例8] ポリイミド前駆体((a)成分)の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、TFDB 11.53g(36mmol)、m−アミノフェノール0.43g(4 mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン6.01g(76mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先と同様に調製した酸クロ溶液B(PMDA38mmol相当)を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することによってフェノールを末端に持つポリアミド酸エステルを得た(以下、ポリマーVIIIとする)。ポリマーVIIIの重量平均分子量は31,100、分散度は1.8であった。
[Synthesis Example 8] Synthesis of polyimide precursor (component (a)) In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 40 g of N-methylpyrrolidone was charged, and 11.53 g (36 mmol) of TFDB, m- After adding 0.43 g (4 mmol) of aminophenol and dissolving by stirring, 6.01 g (76 mmol) of pyridine was added and the temperature was kept at 0 to 5 ° C., while the acid chromate solution B ( PMDA 38 mmol) was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was dropped into distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a polyamic acid ester having a phenol terminal (hereinafter referred to as polymer VIII). Polymer VIII had a weight average molecular weight of 31,100 and a dispersity of 1.8.

[感光特性評価]
表1に配合した(a)〜(c)成分を示す。表記として、(a)成分の重量の総和が100重量部となるよう、(a)成分として複数選択したポリマーを重量部単位で示した。また(b)成分、(c)成分、および有機溶媒を、(a)成分100重量部に対する重量部として示した。有機溶媒としては、N−メチルピロリドン(NMP)を用いた。表1中、( )内にはポリマー総量100重量部に対する添加量を重量部で示した。
[Photosensitive evaluation]
Table 1 shows the components (a) to (c) blended. As a notation, the polymer selected as the component (a) is shown in units of parts by weight so that the total weight of the component (a) is 100 parts by weight. Moreover, (b) component, (c) component, and the organic solvent were shown as a weight part with respect to 100 weight part of (a) component. As the organic solvent, N-methylpyrrolidone (NMP) was used. In Table 1, the amount added in () is shown in parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of polymer.

Figure 2008033158
Figure 2008033158

上記(表1)中、(b)成分として用いたB1、B2、(c)成分として用いたC1〜C7は、下記の[化9]および[化10]に示す化合物である。   In the above (Table 1), B1 and B2 used as the component (b) and C1 to C7 used as the component (c) are compounds shown in the following [Chemical 9] and [Chemical 10].

Figure 2008033158
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Figure 2008033158
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前記溶液をシリコンウエハ上にスピンコートして、乾燥膜厚7〜12μmの塗膜を形成し、そののち干渉フィルターを介して、超高圧水銀灯を用いて100〜1000mJ/cm2のi線露光を行った。露光後、120℃で3分間加熱し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38重量%水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスし残膜率(現像前後の膜厚の比)80%以上が得られるパターン形成に必要な最小露光量(感度)と解像度を求めた。その結果を下記(表2)にまとめて示した。 The solution is spin-coated on a silicon wafer to form a coating film having a dry film thickness of 7 to 12 μm, and then an i-line exposure of 100 to 1000 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp through an interference filter. went. After exposure, the film is heated at 120 ° C. for 3 minutes, developed with a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) until the exposed silicon wafer is exposed, and then rinsed with water to maintain the remaining film ratio (development) The minimum exposure amount (sensitivity) and the resolution required for pattern formation with which the ratio of the film thickness before and after) was 80% or more were determined. The results are summarized in the following (Table 2).

Figure 2008033158
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続いて、前記溶液をシリコンウエハ上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚15μmの塗膜を形成した。   Subsequently, the solution was spin-coated on a silicon wafer and heated at 120 ° C. for 3 minutes to form a coating film having a thickness of 15 μm.

その後、前記塗膜をイナートガスオーブン中、窒素雰囲気下、150℃で30分加熱した後、さらに320℃で1時間加熱して硬化膜を得た。次に、得られた膜をシリコン基板ごとフッ酸水溶液に浸漬し、基板から硬化膜を剥離し、水洗、乾燥した後、ガラス転移点(Tg)、熱膨張係数(CTE)、破断伸び、弾性率(引っ張り試験機で測定)を測定した。これらの結果を下記(表3)に示した。   Thereafter, the coating film was heated in an inert gas oven at 150 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and further heated at 320 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. Next, the obtained film is immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution together with the silicon substrate, the cured film is peeled off from the substrate, washed with water and dried, and then the glass transition point (Tg), thermal expansion coefficient (CTE), elongation at break, elasticity The rate (measured with a tensile tester) was measured. These results are shown below (Table 3).

Figure 2008033158
Figure 2008033158

(比較例1〜5)
下記(表4)に示した所定量にて配合し、その後の処理を前記実施例と同様にして、得られた硬化膜の評価を行った。
(Comparative Examples 1-5)
The prescribed amounts shown below (Table 4) were blended, and the cured film thus obtained was evaluated in the same manner as in the previous examples.

Figure 2008033158
Figure 2008033158

上記(表4)中、( )内はポリマー総量100重量部に対する添加量を重量部で示した。(表4)中、(b)成分として用いたB1、B2、(c)成分として用いたC1、C2は、上記[化9]および[化10]に示す構造の化合物である。   In the above (Table 4), the amount in () indicates the amount added relative to 100 parts by weight of the total amount of polymer in parts by weight. In Table 4, B1 and B2 used as the component (b), and C1 and C2 used as the component (c) are compounds having the structures shown in the above [Chemical 9] and [Chemical 10].

次に、実施例と同様に、前記溶液をシリコンウエハ上にスピンコートし、露光、現像後、水でリンスし残膜率(現像前後の膜厚の比)80%以上が得られるパターン形成に必要な最小露光量(感度)と解像度を求めた。その結果を下記(表5)にまとめて示した。   Next, in the same manner as in the examples, the solution is spin-coated on a silicon wafer, and after exposure and development, rinsed with water to form a pattern with a remaining film ratio (ratio of film thickness before and after development) of 80% or more. The required minimum exposure (sensitivity) and resolution were determined. The results are summarized in the following (Table 5).

Figure 2008033158
Figure 2008033158

比較例2の場合は(b)成分が添加されておらず、露光部の光反応が起こらずパターン形成はされなかった。比較例4、5の場合は、露光部において(b)成分は反応しているが、用いた(a)成分がアルカリ性の現像液に対して溶解しなかったため、露光部は溶解せず、結果、パターン形成はされなかった。   In the case of Comparative Example 2, the component (b) was not added, no photoreaction occurred in the exposed area, and no pattern was formed. In Comparative Examples 4 and 5, the component (b) reacted in the exposed area, but the exposed area did not dissolve because the component (a) used did not dissolve in the alkaline developer. The pattern was not formed.

また、比較例1〜5の硬化膜特性を実施例と同様にして測定した。結果を表6に示した。   Moreover, the cured film characteristic of Comparative Examples 1-5 was measured like the Example. The results are shown in Table 6.

Figure 2008033158
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比較例1、3は感光特性は実施例に比べ遜色なく良好であったが、硬化膜特性では実施例に比べ大きく劣る。反対に比較例2、4、5はパターン形成できなかったが、硬化膜特性では良好であった。以上のように、比較例では感光特性と硬化膜特性を両立することは出来なかった。   In Comparative Examples 1 and 3, the photosensitive characteristics were inferior to those in Examples, but the cured film characteristics were greatly inferior to those in Examples. On the contrary, Comparative Examples 2, 4, and 5 could not form a pattern, but the cured film characteristics were good. As described above, in the comparative example, it was not possible to achieve both photosensitive characteristics and cured film characteristics.

以上のように、本発明にかかるポジ型感光性樹脂組成物は、感度、解像度に優れたパターン形成が可能となる。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物をパターン形成に優れる上、加熱硬化した膜は、耐熱性に優れ、かつ低熱膨張性や高弾性、低弾性など任意の特性を具備することが出来る。また、本発明のパターン硬化膜の製造方法によれば、前記ポジ型感光性樹脂組成物の使用により、感度、解像度および耐熱性に優れ、良好な形状のパターン硬化膜が得られる。さらに、本発明の電子部品は、良好な形状と特性のパターン硬化膜を有することにより、信頼性が高い。従って、本発明は、電子デバイス等の電子部品に有用である。   As described above, the positive photosensitive resin composition according to the present invention enables pattern formation with excellent sensitivity and resolution. In addition, the positive photosensitive resin composition of the present invention is excellent in pattern formation, and the heat-cured film is excellent in heat resistance and can have arbitrary characteristics such as low thermal expansion, high elasticity, and low elasticity. . Moreover, according to the method for producing a cured pattern film of the present invention, a cured pattern film having a good shape and excellent sensitivity, resolution, and heat resistance can be obtained by using the positive photosensitive resin composition. Furthermore, the electronic component of the present invention has high reliability by having a pattern cured film having a good shape and characteristics. Therefore, the present invention is useful for electronic components such as electronic devices.

本発明の実施の形態における多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure in embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体基板
2 保護膜
3 第1導体層
4 層間絶縁膜層
5 感光樹脂層
6A、6B、6C、6D 窓
7 第2導体層
8 表面保護膜層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Protective film 3 1st conductor layer 4 Interlayer insulation film layer 5 Photosensitive resin layer 6A, 6B, 6C, 6D Window 7 2nd conductor layer 8 Surface protective film layer

Claims (10)

(a)反応性の末端基を有する異なる2種類以上の耐熱性ポリマーからなるポリマー成分と、(b)活性光線照射により酸を発生する化合物とを含有してなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。   A positive photosensitive material comprising: (a) a polymer component comprising two or more different heat-resistant polymers having reactive end groups; and (b) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays. Resin composition. 前記(a)ポリマー成分の少なくとも1種が、それぞれポリイミド、ポリオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミドおよびこれらの共重合体からなる群から選択される耐熱性高分子化合物であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   (A) a heat-resistant polymer in which at least one of the polymer components is selected from the group consisting of polyimide, polyoxazole, polyamideimide, polyamide, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide, and copolymers thereof The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the positive photosensitive resin composition is a compound. 前記(a)ポリマー成分の少なくとも1種がアルカリ水溶液に可溶であることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein at least one of the polymer components (a) is soluble in an alkaline aqueous solution. 前記(a)ポリマー成分、(b)成分に加え、(c)熱により前記(a)ポリマー成分の少なくとも一つのポリマーの末端基と架橋し得る化合物を含有してなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The component (a) contains a compound capable of crosslinking with an end group of at least one polymer of the (a) polymer component by heat in addition to the (a) polymer component and the (b) component. The positive photosensitive resin composition of any one of 1-3. 前記(a)ポリマー成分の少なくとも一つが、1級または2級アルコール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、フェノールおよび芳香環からなる群から選択される官能基または結合を含み、かつ前記(c)成分が、メチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコール、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネートおよびイソシアナートからなる群から選択される官能基または結合を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   (A) at least one of the polymer components contains a functional group or a bond selected from the group consisting of primary or secondary alcohols, carboxyl groups, amino groups, thiols, phenols and aromatic rings, and the component (c) Is a functional group or bond selected from the group consisting of methylol, alkoxyalkyl groups, tertiary alcohols, cycloalkyl groups, olefins, triple bonds, halogenated alkyls, epoxy groups and other cyclic ethers, ester bonds, carbonates and isocyanates The positive photosensitive resin composition according to claim 1, comprising: 前記(a)ポリマー成分の少なくとも一つが、メチロール、アルコキシアルキル基、3級アルコール、シクロアルキル基、オレフィン、三重結合、ハロゲン化アルキル、エポキシ基などの環状エーテル、エステル結合、カーボネートおよびイソシアナートからなる群から選択される官能基または結合を含み、かつ前記(c)成分が、1級または2級アルコール、カルボキシル基、アミノ基、チオール、フェノールおよび芳香環からなる群から選択される官能基または結合を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   (A) At least one of the polymer components comprises a methyl ether, an alkoxyalkyl group, a tertiary alcohol, a cycloalkyl group, an olefin, a triple bond, an alkyl halide, a cyclic ether such as an epoxy group, an ester bond, a carbonate and an isocyanate. A functional group or bond selected from the group, and wherein the component (c) is selected from the group consisting of primary or secondary alcohols, carboxyl groups, amino groups, thiols, phenols and aromatic rings The positive photosensitive resin composition according to claim 1, comprising: 前記(b)成分が、o−キノンジアジド化合物である請求項1〜6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (b) is an o-quinonediazide compound. 前記(a)ポリマー成分の総量100重量部に対して、前記(b)成分0.01〜50重量部、および前記(c)成分0.1〜50重量部を含有することを特徴とする請求項7に記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The component (b) contains 0.01 to 50 parts by weight of the component (b) and 0.1 to 50 parts by weight of the component (c) with respect to 100 parts by weight of the total amount of the polymer components. Item 8. The positive photosensitive resin composition according to Item 7. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記感光性樹脂膜を露光する露光工程と、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン化樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン化樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱硬化工程とを含むことを特徴とするパターン硬化膜の製造方法。
A photosensitive resin film forming step in which the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8 is applied on a support substrate and dried to form a photosensitive resin film;
An exposure step of exposing the photosensitive resin film;
A development step of developing the exposed photosensitive resin film using an aqueous alkaline solution to obtain a patterned resin film;
And a heat-curing step of obtaining a patterned cured film by heat-treating the patterned resin film.
請求項9に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜の層を有してなる電子デバイスを有する電子部品であって、前記電子デバイス中に前記パターン硬化膜の層が層間絶縁膜層または/および表面保護膜層として設けられていることを特徴とする電子部品。   An electronic component having an electronic device having a patterned cured film layer obtained by the method for producing a patterned cured film according to claim 9, wherein the patterned cured film layer is an interlayer insulating film in the electronic device. An electronic component provided as a layer or / and a surface protective film layer.
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