JP2008023489A - 基板の処理装置 - Google Patents

基板の処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008023489A
JP2008023489A JP2006201149A JP2006201149A JP2008023489A JP 2008023489 A JP2008023489 A JP 2008023489A JP 2006201149 A JP2006201149 A JP 2006201149A JP 2006201149 A JP2006201149 A JP 2006201149A JP 2008023489 A JP2008023489 A JP 2008023489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
roller
processing apparatus
processing
curving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006201149A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4820705B2 (ja
Inventor
Harumichi Hirose
治道 廣瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2006201149A priority Critical patent/JP4820705B2/ja
Priority to TW096125407A priority patent/TWI453848B/zh
Priority to KR1020070072911A priority patent/KR101408758B1/ko
Priority to CN2007101386343A priority patent/CN101114581B/zh
Publication of JP2008023489A publication Critical patent/JP2008023489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4820705B2 publication Critical patent/JP4820705B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/54Arrangements for reducing warping-twist

Abstract

【課題】所定の角度で傾斜して搬送される基板の搬送方向後方の下端部が湾曲しすぎて損傷するのを防止した基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
チャンバ3と、チャンバ内に設けられ基板の傾斜方向下側の背面を支持する支持ローラ14と、背面が支持ローラによって支持された基板の下端を外周面によって支持し回転駆動されて基板を所定方向に搬送する駆動ローラ17と、基板の傾斜方向上側の前面に処理液を噴射するノズル体62と、駆動ローラの近傍に配置され基板の搬送方向後方の下端部がノズル体から噴射される処理液の圧力を受けたときにその下端部が基板の背面側に湾曲するのを阻止する湾曲防止ローラ64を具備する。
【選択図】 図3

Description

この発明は基板を所定の角度で傾斜した起立状態で搬送しながら処理液などの流体によって処理する基板の処理装置に関する。
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングする。そして、エッチング後にレジストを除去するという一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液によって基板を処理する工程、さらにリンス液によって洗浄する工程、洗浄後に基板に付着残留したリンス液を除去する乾燥工程が必要となる。
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによってほぼ水平な状態でそれぞれの処理を行なう処理チャンバに順次搬送し、各処理チャンバで基板を処理液によって処理したり、処理後に圧縮気体を噴射して乾燥処理するようにしている。
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。
さらに、基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化する。しかも、基板が大型化することで、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、それらのことによって搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は搬送軸が撓むことによっても撓みが生じ、均一な処理が行えなくなるということがある。
そこで、処理液によって基板を処理する際、上記基板が処理液の重量によって撓むのを防止するため、基板を所定の傾斜角度、たとえば垂直状態から15度傾斜させた75度の角度で搬送し、傾斜方向の上側に位置する前面に処理液を噴射することで、その基板の前面を処理するということが行なわれている。
基板を傾斜させて搬送し、その基板の前面に処理液を噴射供給するようにすれば、処理液は基板の板面に留まらず、板面を上方から下方へ向かって円滑に流れるから、処理液の重量によって基板が撓むのを防止することができる。
ところで、基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら処理する処理装置の場合、特許文献1に示されるように、基板は傾斜方向下側となる背面が支持ローラによって支持され、下端が駆動ローラによって支持される。駆動ローラは駆動軸に取付けられ、その駆動軸は駆動源によって回転駆動される。
上記処理装置には、複数の上記支持ローラと上記駆動ローラが上記基板の搬送方向に対して所定間隔で配置される。それによって、上記基板は上記支持ローラによって支持されながら、上記駆動ローラによって駆動されることになる。
特開2004−210511号公報
ところで、処理液の種類によってその効果を高めるために、搬送される基板の前面に噴射ノズルから、たとえば0.7MPa程度の高い圧力で噴射させるということが行なわれている。基板の前面に処理液が高圧で噴射されると、基板はその処理液の圧力によって背面側に湾曲する。
基板が処理液の圧力によって湾曲するだけであれば、その湾曲は基板の背面を支持した支持ローラによって制限されることになる。しかしながら、基板の搬送方向後方の下端部が処理液の圧力で背面側に湾曲し、湾曲した状態で駆動ローラの外周面に接触すると、この駆動ローラの駆動力がその外周面を介して基板の下端に伝達されることになる。
湾曲した基板の搬送方向の下端部に駆動ローラの駆動力が伝達されると、その駆動力によって基板の搬送方向後方の下端部はさらに湾曲する方向の力を受けるため、基板の搬送方向後方の下端部が湾曲し過ぎて損傷するということがある。
この発明は駆動ローラから受ける駆動力によって基板の搬送方向後方の下端部が背面側に湾曲するのを制限するようにした基板の処理装置を提供することにある。
この発明は、基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら流体によって処理する基板の処理装置であって、
チャンバと、
このチャンバ内に設けられ上記基板の傾斜方向下側の背面を支持する支持ローラと、
背面が上記支持ローラによって支持された上記基板の下端を外周面によって支持し回転駆動されて上記基板を所定方向に搬送する駆動ローラと、
上記基板の傾斜方向上側の前面に上記流体を噴射する流体供給手段と、
上記駆動ローラの近傍に配置され上記基板の搬送方向後方の下端部が上記流体供給手段から噴射される流体の圧力を受けたときにその下端部が上記基板の背面側に湾曲するのを阻止する湾曲防止ローラと
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
上記湾曲防止ローラは、上記駆動ローラの上記基板の搬送方向に沿う直径の範囲内に設けられていることが好ましい。
上記湾曲防止ローラは、上記基板の搬送方向上流側に設けられていることが好ましい。
上記湾曲防止ローラは、上記基板の搬送方向上流側と下流側に設けられていることが好ましい。
上記湾曲防止ローラは、回転軸線が上記基板の搬送方向において上記駆動ローラの回転軸線に直交する位置に設けられていることが好ましい。
この発明によれば、駆動ローラの近傍に基板の搬送方向後方の下端部が湾曲するのを阻止する湾曲防止ローラを設けたから、基板の搬送方向後方の下端部が湾曲した状態で駆動ローラから駆動力を受け、湾曲が増大して損傷するのを防止することができる。
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1乃至図4はこの発明の第1の実施の形態を示す。図1はこの発明の処理装置の概略的構成を示す斜視図であって、この処理装置は装置本体1を有する。この装置本体1は分割された複数の処理ユニット、この実施の形態では第1乃至第5の処理ユニット1A〜1Eを分解可能に一列に連結してなる。
各処理ユニット1A〜1Eは架台2を有する。この架台2の前面には箱型状のチャンバ3が所定の角度で傾斜して保持されている。上記架台2とチャンバ3の上面には上部搬送部4が設けられている。上記架台2の下端の幅方向両端には板状の一対の脚体5(一方のみ図示)が分解可能に設けられる。この脚体5によって上記架台2の下面側に空間部6が形成される。
上記空間部6には、上記チャンバ3で後述するように行なわれる基板Wの処理に用いられる薬液やリンス液などの処理液を供給するタンクやポンプ或いは処理液の供給を制御するための制御装置などの機器7をフレーム8に載置した機器部9が収納されるようになっている。つまり、各処理ユニット1A〜1Eは架台2を脚体5で支持してチャンバ3の下方に空間部6を形成することで、上下方向に位置するチャンバ3、上部搬送部4及び機器部9の3つの部分に分割されている。
上記チャンバ3は上記架台2に所定の角度である、たとえば垂直線に対して15度の角度で傾斜させた75度の角度で傾斜して保持されていて、幅方向の両側面には75度の角度で傾斜して搬送される基板Wが通過するスリット13(図1に一箇所だけ図示)が形成されている。
上記チャンバ3の内部には、図2と図3に示すように傾斜搬送手段を構成する複数の搬送軸15がチャンバ3の幅方向に所定間隔で設けられている。この搬送軸15には複数の支持ローラ14が軸方向に所定間隔で回転可能に設けられている。上記搬送軸15は、軸線が上記スリット13と同じ角度で傾斜するよう、上端及び下端がそれぞれブラケット15aによって支持されている。
上記チャンバ3内には、上記スリット13から基板Wが図1に鎖線で示す第1の姿勢変換部16によって水平状態から75度の角度に変換されて搬入される。すなわち、未処理の基板Wは上記上部搬送部4によって第5の処理ユニット1E側から第1の処理ユニット1A側に搬送されて上記第1の姿勢変換部16で水平状態から75度の角度に傾斜されて上記第1の処理ユニット1Aに搬入される。
第1の処理ユニット1Aのチャンバ3内に搬入された基板Wは上記搬送軸15に設けられた支持ローラ14によって非デバイス面である背面が支持される。この基板Wの下端は駆動ローラ17(図2に示す)の外周面によって支持される。
上記駆動ローラ17は駆動ユニット18の回転軸19に設けられている。そして、この回転軸19が回転駆動さることで、駆動ローラ17に下端が支持され背面が上記支持ローラ14に支持された上記基板Wが上記駆動ローラ17の回転方向に搬送されるようになっている。
基板Wは搬送方向上流側の第1乃至第3の処理ユニット1A〜1Cで処理液としての剥離液でレジストの除去が行なわれた後、第4の処理ユニット1Dで処理液としての洗浄液で洗浄処理が行なわれる。そして、第5の処理ユニット1Eで熱風による乾燥処理が行なわれる。
各処理ユニット1A〜1Eを順次通過して処理された基板Wは75度の角度で傾斜した状態で上記第5の処理ユニッチ1Eから搬出される。第5の処理ユニット1Eから搬出された基板Wは、図1に鎖線で示す第2の姿勢変換部23で傾斜状態から水平状態に姿勢が変換されて次工程に受け渡される。
図2に示すように、上記駆動ユニット18はチャンバ3の幅方向(基板Wの搬送方向)に沿って長い板状の下部ベース部材24を有する。この下部ベース部材24の上面には下部ベース部材24と同じ長さのチャンネル状の上部ベース部材25が両側下端を固着して設けられている。
上記上部ベース部材25には、上記下部ベース部材24とほぼ同じ大きさの平板状の取付け部材26の幅方向の一端部と他端部とが上部ベース部材25に対して傾きの調整可能に連結して設けられている。つまり、上記取り付け部材26はチャンバ3の前後方向に傾き角度の調整ができるようになっている。
上記取付け部材26の幅方向の一端と他端とには、それぞれ複数のブラケット31が上記取付け部材26の長手方向に対して所定間隔で、しかも幅方向に対応する位置に設けられている。幅方向において対応する一対のブラケットには図示しない軸受を介して上記回転軸19の軸方向の中途部が回転可能に支持されている。この回転軸19の先端には上記駆動ローラ17が取り付けられ、後端には第1の歯車33が嵌着される。
そして、上記架台2にチャンバ3を設置したならば、この架台2に設けられた支持部41の上面にロッド状の4本の基準部材35の下端面がねじ42によって取付け固定される。上記駆動ユニット18は、下部ベース部材24の四隅部下面が上記基準部材35の上端面にねじ42によって取付け固定される。4本の基準部材35の上端面は同一平面に位置している。そのため、駆動ユニット18はその下部ベース部材24の幅方向及び長手方向に歪が生じることなく取付け固定される。
上記駆動ユニット18を基準部材35の上端面を基準にしてチャンバ3内に組み込む際、駆動ユニット18に支持された複数の回転軸19の後端部はチャンバ3の前板12bに開口された導出孔44から駆動室45に突出する。そして、駆動ユニット18をチャンバ3内に組み込んだ後で、上記回転軸19の後端に上記第1の歯車33が嵌着される。
上記駆動室45には駆動源51が設けられている。この駆動源51の出力軸には駆動プーリ53が嵌着されている。この駆動プーリ53と従動プーリ54とにはベルト55が張設されている。上記従動プーリ54は図示しない第2の歯車が同軸に設けられている。この第2の歯車は上記第1の歯車33に噛合している。それによって、駆動源51が作動すれば、上記回転軸19が回転駆動されることになるから、この回転軸19の先端に設けられた上記駆動ローラ17も回転駆動される。
駆動ローラ17が回転駆動されれば、これらの駆動ローラ17によって下端が支持された基板Wは上記駆動ローラ17の回転方向に搬送されることになる。
図2と図4に示すように、基板Wの前面に剥離液を噴射してレジストの除去を行なう第1乃至第3の処理ユニット1A〜1Cには、傾斜して搬送される基板Wの傾斜方向の上側の面、つまり回路パターンが形成された前面と平行に離間対向して複数の給液管61が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で配設されている。
各給液管61には基板Wの搬送方向と交差する軸線方向に対して所定間隔で複数のノズル体62が設けられている。上記給液管61とノズル体62はこの発明の処理液供給手段を形成している。
上記給液管61には剥離液が0.7MPa程度の高い圧力で供給される。それによって、給液管61に設けられたノズル体62から上記基板Wの前面に上記処理液が高圧で噴射されるようになっている。
基板Wの下端を支持した駆動ローラ17の近傍には、下端が駆動ローラ17の外周面によって支持された基板Wの下端部がノズル体62から噴射される処理液の圧力で裏面側に湾曲するのを阻止する湾曲防止ローラ64が配置されている。この湾曲防止ローラ64は、上記チャンバ3の内底面から立設されたブラケット65に設けられた支軸66に回転可能に支持されている。
すなわち、上記湾曲防止ローラ64は駆動ローラ17の近傍に設けられていて、この実施の形態では、図3と図4に示すように駆動ローラ17の回転軸線よりも基板Wの搬送方向(矢印Xで示す)の上流側であって、しかも基板Wの搬送方向Xに沿う駆動ローラ17の直径D(図3に示す)の範囲内の上方に径方向の一部が位置し、さらに外周面が上記支持ローラ14によって背面が支持された基板Wの下端部の背面に接触する位置に配設されている。
このような構成によると、基板Wは下端が駆動ローラ17の外周面によって支持され、背面が支持ローラ14によって支持された状態で、上記駆動ローラ17が回転駆動される。それによって、基板Wはその下端と駆動ローラ17の外周面との接触抵抗によって上記駆動ローラ17の回転方向に沿って搬送される。そして、搬送される基板Wの前面には給液管61に設けられたノズル体62から高圧の処理液が噴射され、その前面が処理されることになる。
基板Wがノズル体62から噴射される処理液の圧力を受けると、基板Wの支持ローラ14によって支持されていない部分は背面側に湾曲することになり、とくに基板Wの搬送方向後方の下端部E(図3と図4に示す)を含む周辺部は他の部分に比べて背面側に湾曲し易い。
そして、基板Wの周辺部のうち、搬送方向後方の下端部Eが図4に鎖線で示すように湾曲した状態で駆動ローラ17の外周面に接触する位置に搬送されてくると、駆動ローラ17の外周面から受ける駆動力は湾曲した基板Wの搬送方向後方の下端部Eを図4に矢印Bで示すようにさらに湾曲させる方向に作用する。そのため、基板Wの搬送方向後方の下端部Eの湾曲が大きくなり、その下端部Eに割れなどの損傷が生じる虞がある。
しかしながら、駆動ローラ17の近傍には湾曲防止ローラ64が配設されている。そのため、基板Wは図4に実線で示すように駆動ローラ17の外周面との接触によって上記下端部Eが矢印Bで示す背面側の方向に湾曲するのが阻止される。
すなわち、基板Wが処理液の圧力を受け、搬送方向後方の下端部Eが湾曲した状態で駆動ローラ17の外周面に接触する位置の近傍まで搬送されてくると、その下端部Eは湾曲防止ローラ64によって湾曲状態が矯正されて駆動ローラ17の外周面に接触することになる。
したがって、基板Wの搬送方向後方の下端部Eは、処理液から受ける圧力で背面側に湾曲しても、その下端部Eが駆動ローラ17によってさらに大きく湾曲させられて損傷するのを確実に防止することができる。
上記湾曲防止ローラ64は、上記支持ローラ14が設けられた搬送軸15とは別の支軸66に設けられている。そのため、上記湾曲防止ローラ64は、駆動ローラ17の近傍において、支持ローラ14の設置状態に制限を受けることなく、設置位置を自由に設定することができる。
図5(a),(b)はこの発明の第2の実施の形態を示す。この実施の形態は、湾曲防止ローラ64が設置される位置である駆動ローラ17の近傍として、基板Wの搬送方向に沿う駆動ローラ17の直径Dの範囲内の上流側と下流側との両方に、一対の湾曲防止ローラ64が、上記直径Dの範囲内に径方向の一部が位置するように設けるようにした。
図6は(a),(b)この発明の第3の実施の形態を示す。この実施の形態では上記湾曲防止ローラ64は、駆動ローラ17の近傍として、湾曲防止ローラ64の回転軸線が基板Wの搬送方向において、上記駆動ローラ17の回転軸線に直交する位置に設けるようにしている。すなわち、基板Wの搬送方向に沿う駆動ローラ17の直径Dの中心に上記湾曲防止ローラ64が回転軸線を一致させて設けるようにした。
上記第2、第3の実施の形態においても、基板Wの搬送方向後方の下端部Eが処理液の圧力を受けて湾曲しても、駆動ローラ17の外周面に接触する位置に搬送されてくると、上記湾曲防止ローラ64によって湾曲状態が矯正される。
したがって、基板Wの搬送方向後方の下端部Eが駆動ローラ17から受ける駆動力によって湾曲され過ぎて損傷するのを、上記第1の実施の形態と同様、確実に防止することができる。
この発明の湾曲防止ローラは基板を剥離液によって処理する場合だけでなく、純水などの他の処理液や気体を噴射して処理する場合であっても適用することが可能であり、要は処理液や気体などの流体が高圧で基板に噴射される場合であれば有効である。
この発明の第1の実施の形態の処理装置の概略的構成を示す斜視図。 上記処理装置のチャンバの断面図。 支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す正面図。 支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す平面図。 この発明の第2の実施の形態を示し、(a)は支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す正面図、(b)は支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す平面図。 この発明の第3の実施の形態を示し、(a)は支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す正面図、(b)は支持ローラと駆動ローラの配置関係を示す平面図。
符号の説明
3…チャンバ、14…支持ローラ、17…駆動ローラ、19…回転軸、62…ノズル体、64…湾曲防止ローラ。

Claims (5)

  1. 基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら流体によって処理する基板の処理装置であって、
    チャンバと、
    このチャンバ内に設けられ上記基板の傾斜方向下側の背面を支持する支持ローラと、
    背面が上記支持ローラによって支持された上記基板の下端を外周面によって支持し回転駆動されて上記基板を所定方向に搬送する駆動ローラと、
    上記基板の傾斜方向上側の前面に上記流体を噴射する流体供給手段と、
    上記駆動ローラの近傍に配置され上記基板の搬送方向後方の下端部が上記流体供給手段から噴射される流体の圧力を受けたときにその下端部が上記基板の背面側に湾曲するのを阻止する湾曲防止ローラと
    を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
  2. 上記湾曲防止ローラは、上記駆動ローラの上記基板の搬送方向に沿う直径の範囲内に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  3. 上記湾曲防止ローラは、上記基板の搬送方向上流側に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の処理装置。
  4. 上記湾曲防止ローラは、上記基板の搬送方向上流側と下流側に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の処理装置。
  5. 上記湾曲防止ローラは、回転軸線が上記基板の搬送方向において上記駆動ローラの回転軸線に直交する位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の処理装置。
JP2006201149A 2006-07-24 2006-07-24 基板の処理装置 Expired - Fee Related JP4820705B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006201149A JP4820705B2 (ja) 2006-07-24 2006-07-24 基板の処理装置
TW096125407A TWI453848B (zh) 2006-07-24 2007-07-12 基板處理裝置
KR1020070072911A KR101408758B1 (ko) 2006-07-24 2007-07-20 기판의 처리 장치
CN2007101386343A CN101114581B (zh) 2006-07-24 2007-07-24 基板的处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006201149A JP4820705B2 (ja) 2006-07-24 2006-07-24 基板の処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008023489A true JP2008023489A (ja) 2008-02-07
JP4820705B2 JP4820705B2 (ja) 2011-11-24

Family

ID=39022827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006201149A Expired - Fee Related JP4820705B2 (ja) 2006-07-24 2006-07-24 基板の処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4820705B2 (ja)
KR (1) KR101408758B1 (ja)
CN (1) CN101114581B (ja)
TW (1) TWI453848B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010087435A1 (ja) * 2009-02-02 2010-08-05 シャープ株式会社 基板処理装置
US7906410B2 (en) 2007-02-08 2011-03-15 Panasonic Corporation Method of manufacturing semiconductor chip using laser light and plasma dicing

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI512659B (zh) * 2012-12-12 2015-12-11 Mitake Information Corp 基於Widget架構之金融報價更新狀態顯示裝置與方法
CN108569561A (zh) * 2017-03-07 2018-09-25 湖北新谛玻璃科技有限公司 一种中空铝条玻璃生产工艺及其装置
CN109285804B (zh) * 2017-07-21 2020-12-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法
JP7181013B2 (ja) * 2018-06-20 2022-11-30 Juki株式会社 電子部品実装装置及び電子部品実装方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6141257A (ja) * 1984-08-02 1986-02-27 Nec Corp ダイヤルインタ−フエ−ス回路
JP2003218497A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Tokyo Kakoki Kk 基板処理装置
JP2004331349A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Ulvac Japan Ltd インライン式真空処理装置
JP2006110541A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3535707B2 (ja) * 1997-08-28 2004-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW569288B (en) * 2001-06-19 2004-01-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method
JP4091357B2 (ja) * 2002-06-28 2008-05-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄方法
CN101615576B (zh) * 2004-07-19 2012-07-04 三星电子株式会社 基板处理设备及使用其的基板处理方法
JP4568059B2 (ja) * 2004-09-15 2010-10-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6141257A (ja) * 1984-08-02 1986-02-27 Nec Corp ダイヤルインタ−フエ−ス回路
JP2003218497A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Tokyo Kakoki Kk 基板処理装置
JP2004331349A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Ulvac Japan Ltd インライン式真空処理装置
JP2006110541A (ja) * 2004-09-14 2006-04-27 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7906410B2 (en) 2007-02-08 2011-03-15 Panasonic Corporation Method of manufacturing semiconductor chip using laser light and plasma dicing
WO2010087435A1 (ja) * 2009-02-02 2010-08-05 シャープ株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4820705B2 (ja) 2011-11-24
KR101408758B1 (ko) 2014-06-17
TW200818373A (en) 2008-04-16
CN101114581A (zh) 2008-01-30
TWI453848B (zh) 2014-09-21
KR20080009645A (ko) 2008-01-29
CN101114581B (zh) 2010-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4829710B2 (ja) 基板の処理装置
JP4859242B2 (ja) 基板の処理装置
JP4820705B2 (ja) 基板の処理装置
JP2010024042A (ja) 基板の搬送装置及び処理装置
JP4485853B2 (ja) 基板の搬送装置及び搬送方法
KR101204725B1 (ko) 기판의 처리 장치
JP4643384B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP4452033B2 (ja) 基板の搬送装置及び搬送方法
JP2008007227A (ja) 基板の処理装置
JP4871582B2 (ja) 基板の処理装置
JP4652991B2 (ja) 基板の処理装置
JP5058722B2 (ja) 基板の処理装置
JP5155778B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR101149455B1 (ko) 기판의 처리 장치, 반송 장치 및 처리 방법
KR100675064B1 (ko) 기판 건조장치
JP4323252B2 (ja) レジスト除去装置
JP2018073960A (ja) エッチング装置
JP2006206274A (ja) 基板の搬送装置
JP4834604B2 (ja) 基板の角度変換装置及び基板の処理装置
JP2009027099A (ja) 基板の搬送装置
JP2007165643A (ja) 基板の処理装置
JP2010034583A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR20080084385A (ko) 나이프 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090707

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110830

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110905

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees