JP2008009273A - Liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display wherein generation of an afterimage during image switching is prevented while a manufacturing cost is suppressed. <P>SOLUTION: In the liquid crystal display which is constituted of an array substrate, a color filter substrate and a liquid crystal layer packed between the substrates and wherein one pixel is divided into a plurality of sub pixels, a contact hole for electrically connecting a source electrode provided on a thin film transistor for driving the pixel and an ITO transparent electrode for applying voltage to the liquid crystal layer is provided in the vicinity of a step difference part in a transmission region and at a connection part connecting the sub pixels to each other. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は液晶表示装置に関し、特に、携帯電話機の画面やコンピュータのディスプレイ装置などに用いる液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device used for a screen of a mobile phone, a display device of a computer, or the like.

小型のTFT−LCD(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display:薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ)が、近年、携帯電話機をはじめ、多く用いられている。このような機器は、室内だけでなく、屋外での使用、更には、デジタル地上波の受信環境が整ったことなどにより、広視野角で、動画表示可能で、かつ、直射日光下でも見ることが出来るディスプレイが求められてきている。   Small TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) has been widely used in recent years including cellular phones. Such devices can be used not only indoors but also outdoors, and with a digital terrestrial reception environment, etc. so that movies can be displayed with a wide viewing angle and can be viewed in direct sunlight. There is a need for a display that can be used.

このような要求に対して、半透過型の垂直配向型液晶表示装置が普及しつつある。代表的な構造を図1および図2に示す。図1はカラーフィルタ基板側に透明樹脂層を設けて、反射表示領域のセル厚を薄くした従来例である。液晶表示装置は、一般に、単位画素がマトリクス状に配列されるアレイ基板と、アレイ基板と対向して設けられて、色相を表示するためのカラーフィルタ基板と、これら2つの基板の間に充填される液晶層とから構成される。アレイ基板とカラーフィルタ基板とは、その縁部でシールラインにより貼り合わせられて所定のセルギャップ(セル厚)を形成する。これら2つの基板間のセルギャップは、スペーサもしくはリベットにより均一に維持され、そこに液晶層が充填されて構成される。スペーサは、その形状によって、球状スペーサと柱状スペーサに区分できる。球状スペーサは、微細な球状を有し、散布方式により、上部のカラーフィルタ基板又は下部のアレイ基板に形成され、柱状スペーサは、フォト工程により感光性有機膜で形成される。   In response to such demands, transflective vertical alignment liquid crystal display devices are becoming popular. A typical structure is shown in FIGS. FIG. 1 shows a conventional example in which a transparent resin layer is provided on the color filter substrate side to reduce the cell thickness of the reflective display region. In general, a liquid crystal display device is provided with an array substrate in which unit pixels are arranged in a matrix, a color filter substrate that is provided opposite to the array substrate and displays a hue, and is filled between these two substrates. Liquid crystal layer. The array substrate and the color filter substrate are bonded together by a seal line at an edge thereof to form a predetermined cell gap (cell thickness). The cell gap between these two substrates is uniformly maintained by spacers or rivets, and is filled with a liquid crystal layer. Spacers can be classified into spherical spacers and columnar spacers according to their shapes. The spherical spacer has a fine spherical shape and is formed on the upper color filter substrate or the lower array substrate by a spraying method, and the columnar spacer is formed of a photosensitive organic film by a photo process.

図1において、200はアレイ基板であり、201はカラーフィルタ基板である。アレイ基板200においては、透明な絶縁物質からなる第1基板100上に、ゲート電極105(ゲートライン)が形成されている。ゲート電極105は、実際には複数本が並行に設けられているが、図1においては、そのうちの1つのみを示している。また、当該ゲート電極105が形成されている第1基板100上には、ゲート電極105を絶縁するためのゲート絶縁層101が形成され、ゲート絶縁層101上には、ゲート電極と実質的に交差するデータ電極(図示せず)が形成されている。なお、データ電極も複数本が並行に設けられており、ゲート電極とデータ電極とは相互に交差して各画素領域を定義する。さらに、データ電極が形成されたゲート絶縁層101上には、データ電極を絶縁し、所定の段差を平坦化するための保護層であるフォトアクリル層102が形成されている。フォトアクリル層102上の反射領域に対応する領域には、反射電極103が形成されている。透過領域のフォトアクリル層102上と反射領域の反射電極103上には、ITO(Indium Tin Oxide)透明電極108が設けられている。さらに、ITO透明電極108上には、配向膜(図示せず)が塗布されている。なお、アレイ基板200においては、ゲート電極105とデータ電極が交差する領域に、スイッチング素子として薄膜トランジスタTrが形成されている。薄膜トランジスタTrは、最下位に設けられた、ゲート電極105と、その上部にゲート絶縁膜101を介して設けられた、互いに離間しているドレイン電極106およびソース電極107とから構成されている。なお、本明細書においては、データ線に接続されたものをドレイン電極と呼び、ITO透明電極及び反射電極に接続されたものをソース電極と呼ぶこととする。さらに、フォトアクリル層102を貫通して、コンタクトホール122が形成されている。コンタクトホール122は、ソース電極107を、反射電極103及びITO透明電極108に接続するためのものである。   In FIG. 1, reference numeral 200 denotes an array substrate, and 201 denotes a color filter substrate. In the array substrate 200, a gate electrode 105 (gate line) is formed on a first substrate 100 made of a transparent insulating material. Although a plurality of gate electrodes 105 are actually provided in parallel, only one of them is shown in FIG. A gate insulating layer 101 for insulating the gate electrode 105 is formed on the first substrate 100 on which the gate electrode 105 is formed. The gate insulating layer 101 substantially crosses the gate electrode. Data electrodes (not shown) are formed. A plurality of data electrodes are also provided in parallel, and the gate electrode and the data electrode intersect with each other to define each pixel region. Further, a photoacryl layer 102 is formed on the gate insulating layer 101 on which the data electrode is formed as a protective layer for insulating the data electrode and flattening a predetermined step. A reflective electrode 103 is formed in a region corresponding to the reflective region on the photoacryl layer 102. An ITO (Indium Tin Oxide) transparent electrode 108 is provided on the photoacrylic layer 102 in the transmissive region and the reflective electrode 103 in the reflective region. Further, an alignment film (not shown) is applied on the ITO transparent electrode 108. In the array substrate 200, a thin film transistor Tr is formed as a switching element in a region where the gate electrode 105 and the data electrode intersect. The thin film transistor Tr is composed of a gate electrode 105 provided at the lowest level, and a drain electrode 106 and a source electrode 107 provided above the gate electrode 105 via a gate insulating film 101 and spaced apart from each other. In the present specification, the electrode connected to the data line is called a drain electrode, and the electrode connected to the ITO transparent electrode and the reflective electrode is called a source electrode. Further, a contact hole 122 is formed through the photoacrylic layer 102. The contact hole 122 is for connecting the source electrode 107 to the reflective electrode 103 and the ITO transparent electrode 108.

一方、カラーフィルタ基板201は、透明な絶縁物質からなる第2基板110と、第2基板110上に形成されるブラックマトリクスとブラックマトリクスにより分離されるサブカラーフィルタ層とを備えるカラーフィルタ層111とを備える。また、図1に示すように、カラーフィルタ層111の一部分に、色層を抜いた穴114が形成されており、その色層を抜いた穴114には、第1のオーバーコート層(透明樹脂層)115が埋設されている。また、カラーフィルタ層111上及び第1のオーバーコート層115上には、カラーフィルタ層111の段差を形成するための第2のオーバーコート層(透明樹脂層)112が形成されている。また、カラーフィルタ層111、色層を抜いた穴114、第1のオーバーコート層115及び第2のオーバーコート層112が形成された後に、アレイ基板200に形成された画素電極と対をなして液晶層に電界を印加するための共通電極(図示せず)が形成され、その上に、柱状スペーサ104とリベット113が形成される。さらに、その上に、配向膜(図示せず)が塗布されている。   Meanwhile, the color filter substrate 201 includes a color filter layer 111 including a second substrate 110 made of a transparent insulating material, a black matrix formed on the second substrate 110, and a sub color filter layer separated by the black matrix. Is provided. Further, as shown in FIG. 1, a hole 114 from which a color layer is removed is formed in a part of the color filter layer 111, and the first overcoat layer (transparent resin) is formed in the hole 114 from which the color layer has been removed. Layer) 115 is buried. Further, a second overcoat layer (transparent resin layer) 112 for forming a step in the color filter layer 111 is formed on the color filter layer 111 and the first overcoat layer 115. In addition, after the color filter layer 111, the hole 114 from which the color layer has been removed, the first overcoat layer 115, and the second overcoat layer 112 are formed, they are paired with the pixel electrodes formed on the array substrate 200. A common electrode (not shown) for applying an electric field to the liquid crystal layer is formed, and columnar spacers 104 and rivets 113 are formed thereon. Further, an alignment film (not shown) is applied thereon.

図1の従来例においては、カラーフィルタ基板201側に、第1のオーバーコート層115と第2のオーバーコート層112から構成される厚い樹脂を形成する必要がある。これらのオーバーコート層115,112を形成するときに、同じ材料を使って一度に塗布してもよいが、その場合には、平坦化することはできない。平坦化されたオーバーコート層を得るためには、それぞれの層115,112を別々に形成する必要があるため、図1の構成においては、オーバーコート層を形成するための工程が2回必要となる。そのため、コストアップにつながってしまうという問題点があった。   In the conventional example of FIG. 1, it is necessary to form a thick resin composed of the first overcoat layer 115 and the second overcoat layer 112 on the color filter substrate 201 side. When these overcoat layers 115 and 112 are formed, they may be applied at once using the same material, but in that case, they cannot be planarized. In order to obtain a flattened overcoat layer, it is necessary to form each of the layers 115 and 112 separately. Therefore, in the configuration of FIG. 1, the process for forming the overcoat layer requires two times. Become. For this reason, there is a problem that it leads to cost increase.

図2は、この観点から、図1で示したカラーフィルタ基板201側の第2のオーバーコート層112を無くし、透明樹脂層であるフォトアクリル層120をアレイ基板200側に設けたものである。フォトアクリル層120は、図2に示すように、アレイ基板200側のTFTトランジスタが設けられている反射領域に形成されている。また、反射領域のフォトアクリル層120および透明領域のゲート絶縁層101上には、SiN層121が設けられている。また、反射領域のSiN層121上には、反射電極103が形成されている。反射領域の反射電極103上及び透過領域のSiN層121上には、ITO透明電極108が設けられている。さらに、ITO透明電極108上には、配向膜(図示せず)が塗布されている。また、フォトアクリル層120およびSiN層121を貫通してコンタクトホール122が形成されており、コンタクトホール122を介して、反射電極103およびITO透明電極108とソース電極107とが電気的に接続される。一方、カラーフィルタ基板201側は、第2基板110上に、カラーフィルタ層111が形成されている。また、図2に示すように、カラーフィルタ層111の一部分に、色層を抜いた穴114が形成されており、その色層を抜いた穴114には、第1のオーバーコート層(透明樹脂層)115が埋設されている。また、カラーフィルタ層111上及び第1のオーバーコート層115上には、共通電極(図示せず)が形成されている。さらに、その上には、リベット113が形成されている。カラーフィルタ層111上及びリベット113上には配向膜(図示せず)が塗布されている。他の構成については、図1と基本的に同じであるため、同一符号を付して示し、ここではその説明を省略する。   From this point of view, FIG. 2 eliminates the second overcoat layer 112 on the color filter substrate 201 side shown in FIG. 1 and provides a photoacrylic layer 120, which is a transparent resin layer, on the array substrate 200 side. As shown in FIG. 2, the photoacryl layer 120 is formed in the reflective region where the TFT transistor on the array substrate 200 side is provided. An SiN layer 121 is provided on the photoacryl layer 120 in the reflective region and the gate insulating layer 101 in the transparent region. A reflective electrode 103 is formed on the SiN layer 121 in the reflective region. An ITO transparent electrode 108 is provided on the reflective electrode 103 in the reflective region and the SiN layer 121 in the transmissive region. Further, an alignment film (not shown) is applied on the ITO transparent electrode 108. A contact hole 122 is formed through the photoacrylic layer 120 and the SiN layer 121, and the reflective electrode 103, the ITO transparent electrode 108, and the source electrode 107 are electrically connected through the contact hole 122. . On the other hand, a color filter layer 111 is formed on the second substrate 110 on the color filter substrate 201 side. In addition, as shown in FIG. 2, a hole 114 from which a color layer is removed is formed in a part of the color filter layer 111, and the first overcoat layer (transparent resin) is formed in the hole 114 from which the color layer has been removed. Layer) 115 is buried. A common electrode (not shown) is formed on the color filter layer 111 and the first overcoat layer 115. Furthermore, a rivet 113 is formed thereon. An alignment film (not shown) is applied on the color filter layer 111 and the rivet 113. Since other configurations are basically the same as those in FIG. 1, the same reference numerals are given and description thereof is omitted here.

図2の従来例においては、カラーフィルタ基板201側に設ける透明樹脂層としては、色層を抜いた穴114を埋めるのみで良いため、第1のオーバーコート層(透明樹脂層)115を設けるのみで良い。これにより、オーバーコート層を形成するための工程が1回のみになるので、製造コストを抑えることができる。   In the conventional example of FIG. 2, as the transparent resin layer provided on the color filter substrate 201 side, only the first overcoat layer (transparent resin layer) 115 is provided because it is only necessary to fill the hole 114 from which the color layer is removed. Good. Thereby, since the process for forming an overcoat layer will be only once, manufacturing cost can be held down.

しかしながら、図2に示す従来例においては、反射電極103あるいはITO透明電極108と、薄膜トランジスタTrから延びるソース電極107とを如何にして接続させるかが課題となった。図2に示す従来例においては、反射電極103が設けられている反射領域の中央にコンタクトホール122を設け、反射電極103あるいはITO透明電極108と、ソース電極107とを接続することが行われてきた。この場合には、コンタクトホール122があるため、セルギャップを確保するための柱状スペーサ(図1の104参照)を反射領域に設けることが出来ないため、画素領域の外に柱状スペーサが設けられてきた。しかしながら、この柱状スペーサ自体が配向規制能力を有しており、コンタクトホール122とは異なる動作を行ってしまうため、その配向規制する方位が本来の液晶の配向と矛盾する。このため、液晶表示装置に表示する映像を切り替えた時に、残像が発生するという問題が生じ安い。例えば、白地に黒の四角形を表示していて、画面全体を白に切り替えた場合に、黒い四角形の跡が数秒観察させるような不良が発生するという問題点があった。さらには、コンタクトホール122は、フォトアクリル層120およびSiN層121を貫通して設けられているので、その深さ及び直径は大きいものとなり、液晶分子の配向への影響が大きいという問題点があった。   However, the conventional example shown in FIG. 2 has a problem of how to connect the reflective electrode 103 or the ITO transparent electrode 108 and the source electrode 107 extending from the thin film transistor Tr. In the conventional example shown in FIG. 2, a contact hole 122 is provided in the center of the reflective region where the reflective electrode 103 is provided, and the reflective electrode 103 or the ITO transparent electrode 108 is connected to the source electrode 107. It was. In this case, since there is the contact hole 122, a columnar spacer (see 104 in FIG. 1) for securing the cell gap cannot be provided in the reflective region, and thus the columnar spacer has been provided outside the pixel region. It was. However, since the columnar spacer itself has an alignment regulating ability and performs an operation different from that of the contact hole 122, the orientation regulating orientation is inconsistent with the original alignment of the liquid crystal. For this reason, there is a problem that an afterimage occurs when the image displayed on the liquid crystal display device is switched, and the cost is low. For example, when a black square is displayed on a white background and the entire screen is switched to white, there is a problem that a defect such that a black square trace is observed for several seconds occurs. Furthermore, since the contact hole 122 is provided through the photoacrylic layer 120 and the SiN layer 121, the depth and diameter of the contact hole 122 are large, and there is a problem that the influence on the alignment of liquid crystal molecules is large. It was.

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、製造コストを抑えながら映像切替時の残像の発生を防止する液晶表示装置を得ることを目的としている。   The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to obtain a liquid crystal display device capable of preventing the occurrence of an afterimage at the time of video switching while suppressing the manufacturing cost.

この発明は、アレイ基板とカラーフィルタ基板とそれらの基板の間に充填された液晶層とから構成されるとともに、一つの画素が複数の副画素に分かれている液晶表示装置において、前記画素を駆動するための薄膜トランジスタに設けられた電圧供給電極と、前記液晶層に電圧を印加するための電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが、前記副画素同士をつないでいる接続部分に設けられている液晶表示装置である。   The present invention drives a pixel in a liquid crystal display device comprising an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer filled between the substrates, and one pixel is divided into a plurality of sub-pixels. A contact hole for electrically connecting a voltage supply electrode provided in the thin film transistor for applying a voltage to an electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer is provided in a connection portion connecting the sub-pixels to each other. It is a liquid crystal display device.

この発明は、アレイ基板とカラーフィルタ基板とそれらの基板の間に充填された液晶層とから構成されるとともに、一つの画素が複数の副画素に分かれている液晶表示装置において、前記画素を駆動するための薄膜トランジスタに設けられた電圧供給電極と、前記液晶層に電圧を印加するための電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが、前記副画素同士をつないでいる接続部分に設けられている液晶表示装置であるので、製造コストを抑えながら映像切替時の残像の発生を防止することができる。   The present invention drives a pixel in a liquid crystal display device comprising an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer filled between the substrates, and one pixel is divided into a plurality of sub-pixels. A contact hole for electrically connecting a voltage supply electrode provided in the thin film transistor for applying a voltage to an electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer is provided in a connection portion connecting the sub-pixels to each other. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of an afterimage at the time of video switching while suppressing the manufacturing cost.

実施の形態1.
以下、添付の図面を参照してこの発明による液晶表示装置の好ましい実施の形態を説明する。図3及び図4は、この発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の構成を示す断面図および平面図である。図3及び図4は、A−Si型の半透過型液晶表示装置を例に挙げて記載している。また、QVGAのレゾリューションであり、画面の大きさは、対角2.4インチであり、垂直配向型の液晶表示装置である。また、誘電率異方性が負の液晶が使用されていて、電圧無印加にて垂直配向している。但し、これは一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
Embodiment 1 FIG.
Hereinafter, preferred embodiments of a liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 3 and 4 are a cross-sectional view and a plan view showing the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 3 and 4 show an A-Si type transflective liquid crystal display device as an example. Further, the resolution is QVGA, and the screen size is 2.4 inches diagonal, which is a vertical alignment type liquid crystal display device. In addition, liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is used, and the liquid crystal is vertically aligned when no voltage is applied. However, this is an example, and the present invention is not limited to this.

図3及び図4において、10はアレイ基板であり、30はカラーフィルタ基板である。アレイ基板10は、透明な絶縁物質からなる第1基板11上にゲート電極14が形成されている。図3においては、1つしか記載されていないが、ゲート電極14は、実際には、第1基板上に、複数本が並行に配列されている。また、ゲート電極14が形成された第1基板11上には、ゲート電極14を絶縁するためのゲート絶縁層12が形成され、ゲート絶縁層12上には、ゲート電極14と実質的に交差するデータ電極41(図4参照)が形成されている。さらに、データ電極が形成されたゲート絶縁層12上には、データ電極を絶縁し、所定の段差を形成するためのフォトアクリル層13が薄膜トランジスタTr側(反射領域側)に形成されている。フォトアクリル層13の厚さは、適宜任意の厚さに設定してよいが、約2ミクロン程度が適当である。薄膜トランジスタTrは、スイッチング素子として、各画素領域毎に、ゲート電極14とデータ電極41とが交差する領域に設けられている。薄膜トランジスタTrは、最下位に設けられた、ゲート電極14と、その上部にゲート絶縁膜12を介して設けられた、互いに離間しているドレイン電極15およびソース電極(電圧供給電極)16とから構成されている。また、反射領域のフォトアクリル層13および透過領域のゲート絶縁層12上には、SiN層17が設けられている。また、反射領域におけるSiN層17上には、反射電極18が形成され、反射領域の反射電極18上及び透過領域のSiN層17上には、液晶層に電圧を印加するためのITO透明電極19が設けられている。また、ITO透明電極19上には、配向膜(図示せず)が塗布されている。   3 and 4, 10 is an array substrate, and 30 is a color filter substrate. In the array substrate 10, a gate electrode 14 is formed on a first substrate 11 made of a transparent insulating material. Although only one gate electrode 14 is shown in FIG. 3, a plurality of gate electrodes 14 are actually arranged in parallel on the first substrate. A gate insulating layer 12 for insulating the gate electrode 14 is formed on the first substrate 11 on which the gate electrode 14 is formed. The gate insulating layer 12 substantially intersects the gate electrode 14. Data electrodes 41 (see FIG. 4) are formed. Further, a photoacryl layer 13 for insulating the data electrode and forming a predetermined step is formed on the thin film transistor Tr side (reflection region side) on the gate insulating layer 12 on which the data electrode is formed. The thickness of the photoacrylic layer 13 may be set to an arbitrary thickness as appropriate, but about 2 microns is appropriate. The thin film transistor Tr is provided as a switching element in a region where the gate electrode 14 and the data electrode 41 intersect for each pixel region. The thin film transistor Tr is composed of a gate electrode 14 provided at the lowest level, and a drain electrode 15 and a source electrode (voltage supply electrode) 16 provided above the gate electrode 14 with a gate insulating film 12 interposed therebetween. Has been. An SiN layer 17 is provided on the photoacrylic layer 13 in the reflective region and the gate insulating layer 12 in the transmissive region. A reflective electrode 18 is formed on the SiN layer 17 in the reflective region, and an ITO transparent electrode 19 for applying a voltage to the liquid crystal layer on the reflective electrode 18 in the reflective region and on the SiN layer 17 in the transmissive region. Is provided. An alignment film (not shown) is applied on the ITO transparent electrode 19.

さらに、本実施の形態においては、ソース電極16を延長させたソース電極延長部16Aが形成されている。また、ソース電極延長部16AとITO透明電極19とを電気的に接続するためのコンタクトホール20が、SiN層17を貫通して設けられている。本実施の形態においては、上述したように、フォトアクリル層13が設けられている反射領域と、フォトアクリル層13が設けられていない透過領域の両方の部位にITO透明電極19が設けられている。このフォトアクリル層13のある部位とない部位との境界には、当然ながら、段差が生じている。コンタクトホール20は、フォトアクリル層13が設けられていない透過領域で、且つ、段差部に近い部分(段差部から微細な所定距離だけ離された位置)に、形成されている。段差部からの所定距離は特に限定せず、適宜、決定してよい。また、特に、図4に示すように、1つの画素が複数個の副画素に分割されている場合において、副画素同士をつなぐ接続部にコンタクトホール20を設け、コンタクトホール20が設けられている位置まで、ソース電極延長部16Aによりソース電極16を延ばすようにする。   Furthermore, in the present embodiment, a source electrode extension 16A is formed by extending the source electrode 16. A contact hole 20 for electrically connecting the source electrode extension 16 </ b> A and the ITO transparent electrode 19 is provided through the SiN layer 17. In the present embodiment, as described above, the ITO transparent electrode 19 is provided in both the reflection region where the photoacrylic layer 13 is provided and the transmission region where the photoacrylic layer 13 is not provided. . Naturally, a step is formed at the boundary between the portion where the photoacrylic layer 13 is present and the portion where the photoacrylic layer 13 is not present. The contact hole 20 is formed in a transmission region where the photoacrylic layer 13 is not provided and in a portion close to the step portion (a position separated from the step portion by a minute predetermined distance). The predetermined distance from the step portion is not particularly limited and may be determined as appropriate. In particular, as shown in FIG. 4, when one pixel is divided into a plurality of subpixels, a contact hole 20 is provided at a connection portion connecting the subpixels, and the contact hole 20 is provided. The source electrode 16 is extended to the position by the source electrode extension 16A.

一方、カラーフィルタ基板30は、透明な絶縁物質からなる第2基板31と、第2基板31上に形成されるブラックマトリクスとブラックマトリクスにより分離されるサブカラーフィルタ層とを備えるカラーフィルタ層32とを備えている。また、図3に示すように、カラーフィルタ層32の一部分に、色層を抜いた穴34が形成されており、その色層を抜いた穴34には、オーバーコート層(透明樹脂層)35が埋設されている。カラーフィルタ層32上及びオーバーコート層35上には、アレイ基板10に形成された画素電極と対をなして液晶層に電界を印加するための共通電極(図示せず)が形成されている。さらに、その上には、配向を規制するためのリベット33が形成されている。カラーフィルタ層32上及びリベット33上には液晶の初期配向方向を決定するための配向膜(図示せず)が塗布されている。   On the other hand, the color filter substrate 30 includes a color filter layer 32 including a second substrate 31 made of a transparent insulating material, a black matrix formed on the second substrate 31, and a sub color filter layer separated by the black matrix. It has. Further, as shown in FIG. 3, a hole 34 from which a color layer is removed is formed in a part of the color filter layer 32, and an overcoat layer (transparent resin layer) 35 is formed in the hole 34 from which the color layer has been removed. Is buried. On the color filter layer 32 and the overcoat layer 35, a common electrode (not shown) for applying an electric field to the liquid crystal layer in a pair with the pixel electrode formed on the array substrate 10 is formed. Furthermore, a rivet 33 for regulating the orientation is formed thereon. An alignment film (not shown) for determining the initial alignment direction of the liquid crystal is applied on the color filter layer 32 and the rivet 33.

図4を参照しながら、本実施の形態の構成をさらに説明する。図4に示すように、アレイ基板10上には、並行に配列された複数のゲート電極14と、これらゲート電極14と実質的に交差し、かつ、並行に配列された、複数のデータ電極41とが形成されている。また、ゲート電極14とデータ電極41とが交差して各画素領域が定義される。図4は、1単位分の画素領域を示している。   The configuration of the present embodiment will be further described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, on the array substrate 10, a plurality of gate electrodes 14 arranged in parallel, and a plurality of data electrodes 41 substantially intersecting with these gate electrodes 14 and arranged in parallel. And are formed. Each pixel region is defined by the intersection of the gate electrode 14 and the data electrode 41. FIG. 4 shows a pixel area for one unit.

各画素領域には、該当画素を駆動するためのスイッチング素子として、薄膜トランジスタTrが形成されている。また、各画素領域には、液晶層に電界を印加するためのITO透明電極19が形成されている。ここで、ITO透明電極19は、ITO以外の透明な導電物質で形成するようにしてもよい。本実施の形態においては、上述したように、1つの画素が、複数の副画素43に分けられており、各副画素間をつないでいる接続部(連結部)43Aは、図4に示すように、副画素43の部分より、幅が小さくなるように形成されている。   In each pixel region, a thin film transistor Tr is formed as a switching element for driving the corresponding pixel. In each pixel region, an ITO transparent electrode 19 for applying an electric field to the liquid crystal layer is formed. Here, the ITO transparent electrode 19 may be formed of a transparent conductive material other than ITO. In the present embodiment, as described above, one pixel is divided into a plurality of sub-pixels 43, and the connecting portion (connecting portion) 43A connecting the sub-pixels is as shown in FIG. In addition, the width is smaller than that of the sub-pixel 43.

本実施の形態においては、上述したように、フォトアクリル層13が設けられていない透過領域で、かつ、ITO透明電極19が形成されている、段差部に近い副画素間をつなぐ接続部43Aに、ソース電極16とITO透明電極19とを接続するためのコンタクトホール20が形成され、そこの位置まで、ソース電極延長部16Aによりソース電極16を延長させている。また、ソース電極延長部16Aが設けられている領域に、コンタクトホール20が設けられていて、ソース電極延長部16Aおよびコンタクトホール20を介して、ソース電極16とITO透明電極19とが電気的に接続されている。層構成としては、SiN層17の下にソース電極16あるいはソース電極延長部16Aがあり、SiN層17を貫通させてコンタクトホール20が開いていて、このコンタクトホール20を埋める形でITO透明電極19がコンタクトホール20内に形成されている(図3においては、図の簡略化のため、ITO透明電極19がコンタクトホール20内に設けられていないが、実際には、コンタクトホール20内に入り込んだ形で設けられている。)。このITO透明電極19は、副画素43であるITO透明電極同士をつないでいる。   In the present embodiment, as described above, the connection portion 43A that connects the sub-pixels close to the stepped portion where the ITO transparent electrode 19 is formed in the transmissive region where the photoacrylic layer 13 is not provided. A contact hole 20 for connecting the source electrode 16 and the ITO transparent electrode 19 is formed, and the source electrode 16 is extended to the position by the source electrode extension 16A. Further, a contact hole 20 is provided in a region where the source electrode extension 16A is provided, and the source electrode 16 and the ITO transparent electrode 19 are electrically connected via the source electrode extension 16A and the contact hole 20. It is connected. The layer structure includes the source electrode 16 or the source electrode extension 16A under the SiN layer 17, and the contact hole 20 is opened through the SiN layer 17, and the ITO transparent electrode 19 is filled in the contact hole 20. Is formed in the contact hole 20 (in FIG. 3, for the sake of simplification, the ITO transparent electrode 19 is not provided in the contact hole 20, but actually, it has entered the contact hole 20. It is provided in the form.) The ITO transparent electrode 19 connects the ITO transparent electrodes that are the sub-pixels 43 to each other.

また、副画素43、特に、反射領域の配向を安定化させるために、配向安定用のリベット33を反射用の副画素43の中央に配置している。このリベット33のうち、例えば、8個に1個を、カラーフィルタ基板上に柱状に形成されたレジストあるいはアクリル樹脂からなるスペーサで置き換えるようにしてもよい。すなわち、この柱状スペーサも反射領域の副画素43の中央に配置される。このスペーサは反射電極18表面に接触することになるが、その傾斜面が配向をコントロールすることとなる。これにより、柱状スペーサを中心とする配向も安定化することが可能となり、良好な表示が実現される。   In addition, in order to stabilize the orientation of the sub-pixel 43, particularly the reflective region, the orientation stabilizing rivet 33 is arranged at the center of the reflective sub-pixel 43. For example, one of the rivets 33 may be replaced with a spacer made of resist or acrylic resin formed in a column shape on the color filter substrate. That is, this columnar spacer is also arranged at the center of the sub-pixel 43 in the reflection region. The spacer comes into contact with the surface of the reflective electrode 18, but the inclined surface controls the orientation. As a result, it is possible to stabilize the orientation with the columnar spacer as the center, thereby realizing a good display.

以上のように、本実施の形態においては、段差形成用のオーバーコート層をカラーフィルタ基板30側には設けずに、アレイ基板10側に形成するようにして、製造工程を削減し、製造コストを抑えるようにした。また、ソース電極16とITO透明電極19とを電気的に接続するためのコンタクトホール20を、アレイ基板のフォトアクリル層13による段差に近く、透過領域における副画素43間を連結する接続部43Aに設けるとともに、そこの位置まで、ソース電極16をソース電極延長部16Aにより延長させるようにしたので、コンタクトホール20はSiN層17にのみ形成されるので、その深さ及び直径は小さいものとなり、液晶分子の配向への影響を大幅に抑えることが出来る。また、副画素43の間の接続部43A部分は、元々、液晶分子は垂直に配向しやすく、白輝度への寄与は小さく、元々黒かったので、この接続部43Aにコンタクトホール20を設ける場合には、ソース電極延長部16Aという不透明な領域がこの接続部43Aにきたとしても、白輝度の低下は最低減抑えることができる。   As described above, in this embodiment, the overcoat layer for forming a step is not provided on the color filter substrate 30 side, but is formed on the array substrate 10 side, thereby reducing the manufacturing process and the manufacturing cost. I tried to suppress it. Further, the contact hole 20 for electrically connecting the source electrode 16 and the ITO transparent electrode 19 is close to a step due to the photoacrylic layer 13 of the array substrate, and is connected to a connection portion 43A that connects the sub-pixels 43 in the transmission region. Since the source electrode 16 is extended to the position by the source electrode extension 16A, the contact hole 20 is formed only in the SiN layer 17, so that the depth and diameter are small, and the liquid crystal The influence on molecular orientation can be greatly suppressed. Further, since the connection portion 43A portion between the sub-pixels 43 originally originally had liquid crystal molecules that were easily aligned vertically and contributed little to white luminance and was originally black, the contact hole 20 was provided in the connection portion 43A. Even if an opaque region called the source electrode extension portion 16A comes to the connection portion 43A, the decrease in white luminance can be minimized.

なお、この接続部43A部分の配向を安定化させるために、図5に示すように、副画素43をつなぐ接続部43Aの両側および副画素43間に、コモン電位の層であるコモン電極延長部50を設けるようにしてもよい。カラーフィルタ基板30側の透明電極(図示せず)はコモン電圧になっており、アレイ基板10側のコモン電極45と同一電位である。これにより、接続部43Aにおいて液晶分子は垂直に配向することになり、接続部43Aを境にして、その両側の部分とで配向を分けることができる。また、このアレイ基板上のコモン電極45とITO透明電極19との間に電界が生じるが、この電界によって、液晶分子の配向が安定になる効果もある。層構成としては、副画素同士の空隙部においては、コモン電極45、SiN層17となっており、接続部43Aでは、コモン電極45、SiN層17、ソース電極16、コンタクトホール20(あるいはSiN層)、ITO透明電極19となっている。   In order to stabilize the orientation of the connection portion 43A, as shown in FIG. 5, the common electrode extension portion which is a common potential layer between both sides of the connection portion 43A connecting the subpixels 43 and between the subpixels 43. 50 may be provided. A transparent electrode (not shown) on the color filter substrate 30 side has a common voltage, and has the same potential as the common electrode 45 on the array substrate 10 side. As a result, the liquid crystal molecules are aligned vertically in the connection portion 43A, and the alignment can be divided into portions on both sides of the connection portion 43A. In addition, an electric field is generated between the common electrode 45 and the ITO transparent electrode 19 on the array substrate. This electric field also has an effect of stabilizing the alignment of liquid crystal molecules. As for the layer structure, the common electrode 45 and the SiN layer 17 are formed in the space between the sub-pixels, and the common electrode 45, the SiN layer 17, the source electrode 16, and the contact hole 20 (or the SiN layer) are formed in the connection portion 43A. ), An ITO transparent electrode 19.

なお、上記の実施の形態1においては、垂直配向型液晶表示装置を例にしたが、水平配向、ECB、IPS型においても、この発明が有効であることは言うまでもない。   In the first embodiment, the vertical alignment type liquid crystal display device is taken as an example, but it goes without saying that the present invention is also effective for horizontal alignment, ECB, and IPS types.

従来の液晶表示装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the conventional liquid crystal display device. 他の従来の液晶表示装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the other conventional liquid crystal display device. この発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の構成を示した平面図である。It is the top view which showed the structure of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の変形例の構成を示した平面図である。It is the top view which showed the structure of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 アレイ基板、11 第1基板、12 ゲート絶縁層、13 フォトアクリル層、14 ゲート電極、15 ドレイン電極、16 ソース電極、16A ソース電極延長部、17 SiN層、18 反射電極、19 ITO透明電極、20 コンタクトホール、30 カラーフィルタ基板、31 第2基板、32 カラーフィルタ層、33 リベット、34 色層を抜いた穴、35 オーバーコート層、41 データ電極、43 副画素、43A 接続部、45 コモン電極、50 コモン電極延長部、100 第1基板、101 ゲート絶縁層、102 フォトアクリル層、103 反射電極、104 柱状スペーサ、105 ゲート電極、107 ソース電極、108 ITO透明電極、110 第2基板、111 カラーフィルタ層、112 第1のオーバーコート層、113 リベット、114 色層を抜いた穴、115 第2のオーバーコート層、120 フォトアクリル層、121 SiN層、122 コンタクトホール、200 アレイ基板、201 カラーフィルタ基板。
10 array substrate, 11 first substrate, 12 gate insulating layer, 13 photoacrylic layer, 14 gate electrode, 15 drain electrode, 16 source electrode, 16A source electrode extension, 17 SiN layer, 18 reflective electrode, 19 ITO transparent electrode, 20 contact hole, 30 color filter substrate, 31 second substrate, 32 color filter layer, 33 rivet, 34 hole with color layer removed, 35 overcoat layer, 41 data electrode, 43 subpixel, 43A connection, 45 common electrode 50 common electrode extension, 100 first substrate, 101 gate insulating layer, 102 photoacrylic layer, 103 reflective electrode, 104 columnar spacer, 105 gate electrode, 107 source electrode, 108 ITO transparent electrode, 110 second substrate, 111 color Filter layer, 112 First overcoat layer, 113 Tsu DOO, holes disconnect the 114-color layer, 115 second overcoat layer, 120 photoacryl layer, 121 SiN layer, 122 a contact hole, 200 array substrate, 201 a color filter substrate.

Claims (4)

アレイ基板とカラーフィルタ基板とそれらの基板の間に充填された液晶層とから構成されるとともに、一つの画素が複数の副画素に分かれている液晶表示装置において、
前記画素を駆動するための薄膜トランジスタに設けられた電圧供給電極と、前記液晶層に電圧を印加するための電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが、前記副画素同士をつないでいる接続部分に設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
In a liquid crystal display device that is composed of an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer filled between the substrates, and one pixel is divided into a plurality of sub-pixels,
A connection hole for electrically connecting a voltage supply electrode provided in a thin film transistor for driving the pixel and an electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer connects the sub-pixels to each other. A liquid crystal display device characterized by being provided in a portion.
前記薄膜トランジスタ側に、前記液晶層のセル厚を変化させるための段差形成用の樹脂層が設けられており、
前記樹脂層が前記薄膜トランジスタの少なくとも一部分を覆っており、
前記コンタクトホールは、前記樹脂層が設けられていない領域で、かつ、前記段差近傍に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
On the thin film transistor side, a resin layer for forming a step for changing the cell thickness of the liquid crystal layer is provided,
The resin layer covers at least a portion of the thin film transistor;
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the contact hole is disposed in a region where the resin layer is not provided and in the vicinity of the step.
前記樹脂層上に反射電極が設けられて反射表示領域を形成しており、
前記反射表示領域の中央部分にセルギャップを保持するための柱状の突起が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
A reflective electrode is provided on the resin layer to form a reflective display region;
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein a columnar protrusion for holding a cell gap is provided at a central portion of the reflective display region.
前記副画素同士をつないでいる接続部分の両側および前記副画素間にコモン電位の層を設けたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a common potential layer is provided on both sides of a connection portion connecting the sub-pixels and between the sub-pixels. 5.
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