JP2007538352A - メモリセルの修復 - Google Patents
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Abstract
Description
予備の列エレメント0はデータビット0、4、8及び12を修復することができる。
予備の列エレメント1はデータビット1、5、9及び13を修復することができる。
予備の列エレメント2は修復データビット2、6、10及び14を修復することができる。
予備の列エレメント3は修復データビット3、7、11及び15を修復することができる。
Claims (16)
- データ列を有するメモリセルからなる少なくとも1つのサブアレイと、
予備の列を有する少なくとも1つの予備のサブアレイであって、前記メモリセルのサブアレイ内にある個々のエレメントを、前記予備のサブアレイからの個々のエレメントを用いて修復することができる、予備のサブアレイと、
を含むメモリデバイス。 - 前記メモリセルからなる前記少なくとも1つのサブアレイと前記予備の列からなる前記少なくとも1つのサブアレイが同一のサブアレイである、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記1つの予備のサブアレイが予備のサブアレイを更に含み、これにより、該予備のサブアレイからの個々のエレメントがデータワード内のビットのサブセットを選択的に修復し、該ビットのサブセットが完全なワードよりも小さい、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリセルのサブアレイ内の前記データ列に対応する列転送回路を更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記予備のサブアレイ内の前記予備の列に対応する予備の列転送回路を更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリセルのサブアレイに対応するセンス増幅器アレイを更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記予備のサブアレイに対応する予備のセンス増幅器アレイを更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリデバイス内の内部バスのデータを制御する制御回路を更に含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記制御回路が、前記予備のサブアレイ内でとばされたヒューズに関するデータを記憶する少なくとも1つのヒューズラッチを更に含む、請求項8に記載のメモリデバイス。
- 前記制御回路が、前記データ列と前記予備の列との間で選択するための選択信号を提供する少なくとも1つのデコーダを更に含む、請求項8に記載のメモリデバイス。
- 前記選択信号が分散マッピングを用いて予備の列を選択する、請求項10に記載のメモリデバイス。
- 前記予備のサブアレイがm個の予備のエレメントを有し、予備のエレメントnがビットを位置nで修復することができ、mの倍数がnに加えられる、請求項1に記載のメモリデバイス。
- プロセッサと、
データ列を有するメモリセルからなる少なくとも1つのサブアレイと、予備の列を有する少なくとも1つの予備のサブアレイとを含むメモリアレイであって、前記予備のサブアレイの個々のエレメントを用いて前記サブアレイ内の欠陥のあるセルを修復することのできる、メモリアレイと、
を含むシステム。 - 前記メモリアレイが、データ列及び予備の列の双方を有する1つのサブアレイを更に含む、請求項13に記載のシステム。
- 前記予備のサブアレイがデータワードのビットのサブセットを選択的に修復し、前記ビットのサブセットが前記データワードよりも小さい、請求項13に記載のシステム。
- 前記メモリアレイが4つのサブアレイ及び2つの予備のサブアレイを更に含む、請求項13に記載のシステム。
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