JP2007528607A - Euv light source - Google Patents

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Abstract

【課題】EUV集積回路リソグラフィに必要とされる電力レベルにおけるそのような用途に必要な所要線量安定性及び他のパラメータを有するEUV光の生成に関する技術を提供する。 To provide a technique relating to generation of the EUV light having a EUV integrated circuits required dose stability and other parameters needed for such applications in the power level required for lithography.
【解決手段】移動プラズマ開始ターゲットを送出するようになったターゲット送出システムと、望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するEUV光集光光学器械とを含むレーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源制御システムを含むことができるEUV光生成のための機器及び方法。 A and target delivery system adapted to deliver a moving plasma start target, laser-produced plasma comprising the EUV collector optics having a focal defining a desired plasma initiation site (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source equipment and methods for EUV light generation which may include a control system. レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源制御システムは、ターゲット追跡及びフィードバックシステムを含み、これは、個々のプラズマ形成ターゲットを撮像してターゲットストリーム進路として撮像されたターゲットストリームを形成するには遅すぎるカメラの撮像速度からもたらされるターゲットストリーム進路の画像を出力として供給する少なくとも1つの撮像装置と、望ましいプラズマ開始サイトと交差する望ましいストリーム進路からのターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも1つ軸線内でターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出するストリーム進路誤差検出器とを含む。 Laser-produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source control system includes a target tracking and feedback system, which, to form the target stream captured as a target stream path by picking individual plasma formation target at least one imaging device for supplying an image of the target stream path resulting from the imaging speed too slow camera as an output, the desired plasma initiation site and intersecting desired target stream path substantially perpendicular least one in the axis of the stream path in and a stream path error detector for detecting a position error of the target stream path. 少なくとも1つのターゲット横断検出器は、ターゲット進路に照準し、ターゲット進路内の選択スポットを通るプラズマ形成ターゲットの経路を検出することができる。 At least one target cross detector, to aim at the target track, it is possible to detect the path of the plasma formation target through selected spots in the target path. 駆動レーザトリガ機構は、ターゲット横断検出器の出力を利用し、駆動レーザ出力パルスがターゲット進路に沿って望ましいプラズマ開始サイトへのほぼその最も近い接近時に選択プラズマ開始サイトでプラズマ開始ターゲットと交差するように駆動レーザトリガのタイミングを判断する。 Drive laser trigger mechanism, so that by utilizing the output of the target cross detector, driving the laser output pulse crosses the plasma start target selected plasma initiation site at approximately its closest approach to the desired plasma initiation site along the target path determining the timing of driving the laser trigger. プラズマ開始検出器は、ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対するプラズマ開始サイトのターゲット通路に沿った位置を検出することができる。 Plasma start detector can be aimed to the target track, for detecting the position along the target path of the plasma initiation site for each target. 中間焦点照明器は、中間焦点に形成された開口を照らし、開口を少なくとも1つの撮像装置内で撮像することができる。 Intermediate focus illuminator illuminates an aperture formed in the intermediate focus, it is possible to image the aperture of at least one in the imaging device. この少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つ撮像装置とすることができ、各々は、少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものの画像の分析に基づいて中間焦点の画像の縦中心軸からのターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する。 The at least one imaging device may be at least two imaging devices, each of the target path from the central longitudinal axis of the intermediate focus of the image on the basis of the analysis of each one of the image of the at least two imaging devices supplying an error signal associated with the separation. ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、ターゲット送出ユニットと、少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線においてターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構とを含むことができる。 Target delivery feedback and control system, a target delivery unit, at least a first first and in the axial line corresponding to the displacement error signal at least a second image in the image pickup device derived from the analysis of the image in the imaging apparatus It may include a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the axial line corresponding to the second displacement error signal derived from the analysis.
【選択図】図3 .Field

Description

本発明は、例えば、EUV集積回路リソグラフィに必要とされる電力レベルでの、そのような用途に必要になる所要線量安定性及び他のパラメータを有するEUV光の生成に関する。 The present invention is, for example, in the power level required for EUV integrated circuit lithography, relates to the generation of EUV light having a required dose stability and other parameters needed for such applications.
関連出願 RELATED APPLICATIONS
本出願は、代理人整理番号第2003−0125−01号の2004年3月17日出願の「高繰返し数レーザ生成プラズマEUV光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第10/803,526号及び代理人整理番号第2003−0083−01号の2004年3月10日出願の「EUV光源用集光器」という名称の出願番号第10/798,740号の一部継続出願である代理人整理番号第2004−0044−01号の2004年7月27日出願の「EUV光源」という名称の米国特許出願出願番号第10/900,839号に対する優先権を主張するものであり、代理人整理番号第2003−0099−01号の2003年12月18日出願の「放電生成プラズマEUV光源」という名称の出願番号第10/742 The present application, Attorney Docket No. current US patent application Ser. No. pending patent application entitled "high repetition rate laser produced plasma EUV light source" of March 17, 2004 application of No. 2003-0125-01 10 / 803,526 Patent and Attorney Docket No. continuation-in-part application of application Ser. No. 10 / 798,740 entitled "EUV light source for the collector" of the 2003-0083-01 issue of March 10, 2004 filed It claims the attorney docket number priority to US patent application Ser. No. 10 / 900,839, entitled "EUV light source" in the July 27, 2004 application of No. 2004-0044-01 is , application number entitled "discharge produced plasma EUV light source" of December 18, 2003, filed in the Attorney Docket No. 2003-0099-01 No. 10/742 233号、代理人整理番号第2002−0030−01号の2003年4月8日出願の「極紫外線光源」という名称の出願番号第10/409,254号、及び代理人整理番号第2002−0007−01号の2002年7月3日出願の「改良型パルス電力システムを有するプラズマ集束光源」という名称の出願番号第10/189,824号に関連しており、その全ては、本出願と共通の出願人に譲渡され、その各々の開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。 233 No., Attorney Docket No. application Ser. No. 10 / 409,254, entitled "extreme ultraviolet light source" of April 8, 2003, filed in the No. 2002-0030-01, and Attorney Docket No. 2002-0007 is related to application Ser. No. 10 / 189,824, entitled -01 issue of July 03, 2002 entitled "improved pulsed plasma focusing light source having a power system", all of which in common with the present application assigned to the applicant, the disclosure of each of which are incorporated herein by reference.

先に引用した現在特許出願中の出願に説明されているように、毎秒10,000から20,000パルスのEUV光又はそれよりも高い率で作動して、例えば移動ターゲット、例えば質量制限液滴を用いるEUV光源の1つの態様は、ターゲットの位置及びタイミング及び望ましいプラズマ開始サイトのそのそれぞれの到着を追跡する機能である。 As currently cited above are described in application in patent application, operating at EUV light or higher rates than from per second to 10,000 to 20,000 pulses, for example, a moving target, for example, mass limits droplet one embodiment of the EUV light source using is the ability to track their respective arrival positions and timing and desired plasma initiation site of the target. これは、例えば、集光器及び望ましい開始サイトを収容するEUV光発生チャンバから、例えばEUV光の出口点でEUV光集光器によって中間焦点(IF)に画像化される3D空間内のスポットを判断する段階を伴っている。 This, for example, from the EUV light generation chamber that houses the collector and the desired initiation site, e.g., a spot in 3D space to be imaged in an intermediate focus (IF) by the EUV light collector at the exit point of the EUV light accompanied by a decision to stage. また、先に引用した現在特許出願中の出願に説明されているように、例えば、液滴発生及び照準システムを含む液滴送出システムは、液滴が望ましいプラズマ開始サイトを構成するスポットを通じて投射されるか又はそのスポットを通じて落下する(重力供給の場合)ように整列させる必要があり、このスポットは、レーザ生成プラズマから発生したEUVが、依然としてシステムの中間焦点、すなわち、望ましいプラズマ開始サイト周りのいわゆる望ましいプラズマ開始領域に適度に集束されることになる集光器の焦点及びこの焦点周りの小さな区域、例えば±10μmに対応するものである。 Further, as described in application currently patent pending cited above, for example, a droplet delivery system comprising a droplet generator and aiming system is projected through spot droplets constitute a desired plasma initiation site must be aligned to fall (for gravity feed) that through Luke or spot, the spot, EUV generated from the laser produced plasma is still an intermediate focus of the system, i.e., so-called surrounding desired plasma initiation site focus and small area around the focal point of the collector which will be appropriately focused on the desired plasma initiation region, for example, which corresponds to ± 10 [mu] m. 同じく要求されるのは、レーザを発射して望ましいプラズマ開始サイトで、すなわち、液滴が正確に望ましい開始サイトに到着した時点に駆動レーザビームをターゲット液滴と交差させることができることである。 Is also being required, in the desired plasma initiation site by firing a laser, that is, to be able to cross the target droplet drive laser beam at the time the droplets arrive exactly desired start site. 上述のように、望ましい開始サイトは、例えば、直径約10μmから40μmの液滴に対して約10μmだけ、例えば、光源システムの中間焦点を含む第2の焦点を有する楕円集光ミラーの第1の焦点での集光器の正確な焦点から僅かに変動する場合があり、かつ依然として適度な集光に十分なほど集束していることが理解されるであろう。 As described above, desired initiation site, e.g., by about 10 [mu] m relative to 40μm droplet diameter of about 10 [mu] m, for example, a first of the elliptical condensing mirror having a second focal point, including an intermediate focus of the light source system It may vary slightly from the exact focus of the collector at the focus, and it will be appreciated that focused enough to still moderate condenser. 従って、追跡サブシステムの機能は、レーザ発射時期を判断するだけではなく、望ましいプラズマ開始サイトでない場合にどの選択プラズマ開始サイトにおいて真の焦点であるか、かつ一方で、ターゲット送出を望ましいプラズマ開始サイトにもたらすために送出システムに必要な補正を判断することである。 Thus, the function of tracking subsystem not only determines the laser firing time, desirable or in which selection plasma initiation site when not plasma initiation site is a true focus, and on the other hand, the desired plasma initiation site targeted delivery it is to determine the correction required for the delivery system to bring the. システムはまた、ターゲット液滴が望ましいプラズマ開始サイトに到着する進路上になく、従って、中間焦点に到達するいかなるEUV光の有効な発生もないことになり、従って、望ましいEUVプラズマ開始サイトと交差するために液滴が適正なターゲット進路に戻る間はレーザを発射すべきではないと判断することができる。 The system also not in the path of the target droplets arriving at the desired plasma initiation site, therefore, would be no effective generation of any EUV light reaching the intermediate focus, therefore, intersect the desired EUV plasma initiation site while the droplets return to the correct target path it can be determined that should not be emitted laser for. 代替的に、ターゲットの位置決めが進行中に適切なEUV光が集光されてなくても、レーザ発射の継続を許容することができるであろう。 Alternatively, even without it suitable EUV light is focused on the target positioning in progress, it will be able to permit the continuation of laser firing.

「望ましいプラズマ開始サイト」は、本明細書で使用される場合に集光器の焦点であるが、集光器焦点から若干外れたいわゆる選択プラズマ開始サイトに駆動レーザビームの照準が行われる集光器の焦点周りの一部の区域が、中間焦点での有効なEUV光量を発生するのに依然として有効である可能性がある(「望ましいプラズマ開始領域」)ことが理解されるであろう。 "Desired plasma initiation site" is the focus of the collector when used herein, light collection sighting of driving the laser beam to a so-called selective plasma initiation sites that deviate slightly from the condenser focus is performed some of the area around the focal point of the vessel there is a possibility still effective in generating an effective EUV light intensity at intermediate focus ( "desired plasma initiation region") it will be appreciated. 以下に定めるように、x及びy平面の両方において満足できる距離誤差を有する、集光器焦点上ではないが望ましいプラズマ開始領域内である「選択プラズマ開始サイト」が発生する場合がある。 As defined below, having a distance error satisfactory in both the x and y plane, not on the collector focus is a desirable plasma initiation region "selected plasma initiation site" may occur. 選択プラズマ開始サイトが望ましいプラズマ開始領域の外側にあってもレーザが引き続き発射されることになる場合、選択プラズマ開始サイトは、望ましいプラズマ開始領域の外側にも発生すると考えられる。 If even outside the selection plasma initiation site is desirable plasma initiation region will be the laser is subsequently fired, selected plasma initiation site is believed to be occurring outside the desired plasma initiation region.

これらの機能を実行する態様は、先に引用した現在特許出願中の出願に説明されている。 Manner of performing these functions is described in Applicant currently patent pending cited above. 本出願人は、これらの機能を達成するためのある一定の改良型機器及び方法を提案する。 Applicants propose certain improved apparatus and method that for achieving these functions.
本出願人は、本発明の実施形態の態様によりEUVのLPP光源の作動をより良く有効にするために、液滴位置にレーザビームを照準して適正な瞬間にレーザを発射し、ターゲット、例えば、個々のLi液滴ターゲットを3D空間の適正な位置に配置する独特な手法を開発した。 The Applicant, in order to enable better operation of the EUV the LPP light source according to aspects of an embodiment of the present invention, the laser emits a proper moment to aim the laser beam on the droplet position, target, e.g. have developed a unique approach to place individual Li droplet targets in the proper position in 3D space. ターゲット、例えばターゲット液滴の照射により、例えば蒸発/溶発を通じてプラズマの形成を引き起こすのに十分に液滴が加熱され、レーザビーム内の光子によって電子が除去されて、蒸発ターゲット金属原子のイオンがプラズマ内で形成され、その意味では、ターゲットは、プラズマ開始サイトで着火されるが、着火する又は着火という意味は、ターゲットに非常に強い熱及び/又は加熱又は励起を受けさせることを意味するのに使用しており、一般的に、EUV放射線を次に生成する得られるプラズマを形成するためにターゲットと交差してターゲットに着火する駆動レーザビームからの熱(エネルギ)の付与による照射ターゲットからのプラズマの形成を一般的に意味している。 Target, for example, by irradiation of the target droplet, e.g., sufficiently droplets is heated to cause the formation of plasma through evaporation / ablation, electrons are removed by the photons in the laser beam, ions of vaporized target metal atom formed in the plasma, in this sense, the target of it is ignited by the plasma initiation site, meaning that ignition is or ignition means be subjected to very strong heat and / or heating or excitation to the target It is used to generally from driving the laser beam for igniting a target to intersect the target to form a plasma obtained then generating EUV radiation heat application from irradiation targets due to the (energy) and generally it refers to the formation of the plasma. 先に引用した出願での着火という用語の使用は、上述の意味を有するものであることが理解されるであろう。 Ignition use of the term in the application cited above, will be one having the abovementioned meanings are understood. 着火に関する別の意味は、核融合を持続させるのに十分に高い温度までのプラズマの加熱である。 Another meaning of the ignition is the plasma heating to a temperature sufficiently high to sustain fusion. このような温度は、恐らく本発明の態様によるプラズマ形成で達成されるが、これには、本発明の態様によってそのように形成されたプラズマを、融合を誘発及び/又は持続するのに十分なほど閉じ込める試みが一切伴っておらず、本発明の態様によるプラズマの着火の概念は、先に引用した出願で使用されるのと類似の意味を有するものである。 Such temperature is possibly achieved with plasma formation according to aspects of the present invention, the this, the so-formed plasma by aspects of the present invention, sufficient to elicit and / or sustain the fusion confining attempt is not accompanied at all as the concept of plasma ignition in accordance with aspects of the present invention has a meaning analogous to that used in the applications cited above. 本出願においては、同じ概念を「プラズマ開始」及び「プラズマ開始サイト」という用語で表しており、これは、ターゲットの照射が、プラズマに「プラズマ開始」を形成させることを意味しており、これは、何らかの「プラズマ開始サイト」で発生するか又は発生することが望ましい。 In the present application, represents the same concept with the term "plasma start" and "plasma initiation site", which is the irradiation of the target, which means that the formation of "plasma start" in the plasma, which is, it is desirable to or generated occur in some "plasma start site".

先に引用した現在特許出願中の出願に説明されているようなターゲットとして使用されるリチウムは、恐らく、少なくとも幾らかの不純物を含むことになる。 Lithium is used as a target, as described in the application of the current patent pending, cited above, probably, it will include at least some of the impurities. 不純物のレベルが百万分の1の範囲であっても、時間と共に、LPPのEUVチャンバ内、例えば、集光器光学器械及び/又は様々なチャンバウィンドウ上の不要かつ損傷を引き起こす堆積物を生じる可能性がある。 Also occurs in a range level of parts per million of impurities, over time, the EUV chamber of LPP, for example, unwanted and deposits cause damage on the collector optics, and / or various chamber window there is a possibility. 液体リチウムのLPPターゲット液滴内に含有されたこれらの不純物は、プラズマ開始後に、例えば集光器ミラー上に堆積することになる。 These impurities contained in LPP target-liquid droplets of the liquid lithium, after the plasma start, for example, will be deposited on the collector mirror. これらの不純物の多くは、例えばリチウム自体の堆積物を蒸発させるのに提案された、例えば400℃から500℃の集光器温度よりも遥かに高い沸点を有するので、先に提案した蒸発技術を用いてこれらの不純物を集光器から除去することがより困難である。 Many of these impurities, such as lithium itself deposits have been proposed to vaporize, for example, because it has a much higher boiling point than the concentrator temperature of 500 ° C. from 400 ° C., the evaporation technique previously proposed it is more difficult to remove these impurities from the condenser using. 本出願の出願人は、先に提案したLPP及び/又はDPPのEUVチャンバ構成要素、例えば光学構成要素内でこの問題に対処する方法を提案するものである。 Applicant of the present application is intended to propose EUV chamber components of the LPP previously proposed and / or DPP, how to deal with this problem in the optical components for example.

上記で引用した先の現在特許出願中の出願に説明されているように、集光器は、例えばLiをその反射面から蒸発させてその反射率を維持するために高温(例えば、少なくとも約400℃から500℃の範囲)で作動すべきである。 As described in the application in the current patent application previously cited above, concentrator, high temperature (for example to maintain its reflectance is evaporated for example Li from the reflecting surface, at least about 400 ° C. from should be operated at 500 range ° C.). 本出願人は、所要の仕様、例えば、高温の維持による集光器の歪の回避を満足することができる性能のために集光器の光学器械にわたって安定して均一な温度範囲を維持するための機器及び方法を本出願において提案する。 The applicant has the required specifications, for example, to maintain a stable and uniform temperature range across optics of the collector for the performance capable of satisfying the avoidance of distortion of the collector due to high temperature maintenance of the device and method proposed in the present application.

1064nmレーザ光が多くの場合に2倍にされたLPPのEUV光源を駆動するための半導体レーザ、例えばNd:YAGレーザの利用には、2倍、3倍などの周波数を用いて、場合によっては第1調波発生(FHG)及び第2調波発生(SHG)時に生成される波長が小さいほど高い変換効率を達成することが公知である。 A semiconductor laser for 1064nm laser light drives many LPP EUV light source that is doubled when, for example, Nd: The use of the YAG laser, doubled, with the frequency of such triple, in some cases it is known to achieve a higher conversion efficiency wavelength is less generated at the first harmonic generator (FHG) and second harmonic generation (SHG). これは、励起及びその後の放出により多くのソース原子が利用可能であるように、波長が短い高調波を有する高密度プラズマ層へのアクセスに基づくものである。 This is because, as many sources atom by excitation and subsequent release is available is based on access to the high density plasma layer having the shorter wavelength harmonics. しかし、生成するレーザ調波がより高くなる場合には、多くの部分(恐らく、SHGに対して30%から50%、FHGから266nmに対して80%)は、それが非線形結晶に変換されないために失われる。 However, when the laser harmonics generated by the higher, the number of parts (perhaps 50% to 30% relative SHG, 80% with respect to 266nm from FHG), because it is not converted into a nonlinear crystal It lost.

本出願人はまた、本発明の実施形態の態様により、EUV放射線に変換されたレーザエネルギからのより高い変換効率を達成する方法を開発し、これは、初期密度スケール長の極めて正確な制御を可能にし、それは、変換エネルギ出力比の改善に対してターゲット、例えば液滴内へのエネルギのレーザ堆積の正確な最適化を可能にすることになる。 The applicant also according to aspects of an embodiment of the present invention to develop a method to achieve higher conversion efficiency from laser energy which is converted to EUV radiation, this is a very accurate control of the initial density scale length possible, and it would allow accurate optimization of laser deposition of energy in the target with respect to improvement of the conversion energy output ratio, to for example, a droplet in.
Li又は同様の元素を用いたEUVのLPP光源用の集束光学器械の問題の1つは、Li又は他の元素によって引き起こされる汚染による光学器械の汚染及び劣化である。 One of Li or similar elements the EUV focusing optic problems for LPP light source used was a contamination and deterioration of the optics due to contamination caused by Li or other elements. 本出願人は、本発明の実施形態の態様により、変換効率の改善を目指した斜入射光学器械又は他のEUV放射線集光光学器械の利用を開発した。 The Applicant has according to aspects of an embodiment of the present invention was developed to use the oblique incidence optics or other EUV radiation collector optics instrument aimed at improving the conversion efficiency.
また、本発明の実施形態の態様の形式のシステムにおける問題は、例えば、EUV光源生成チャンバ内に駆動レーザビームを導入する際に組み合わせることができる集光器以外の光学器械、例えばウィンドウ及び集束光学器械を保護する必要性に関するものであり、これは、本出願で対処する。 Moreover, problems in the form system of the embodiment of the present invention is, for example, optics other than the collector that can be combined in introducing driving the laser beam to the EUV light source generating chamber, for example, window and focusing optics It relates the need to protect the instrument, which is addressed in the present application.

米国特許出願出願番号第10/803,526号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 803,526 米国特許出願出願番号第10/798,740号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 798,740 米国特許出願出願番号第10/900,839号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 900,839 米国特許出願出願番号第10/742,233号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 742,233 米国特許出願出願番号第10/409,254号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 409,254 米国特許出願出願番号第10/189,824号 U.S. Patent Application Serial No. 10 / 189,824

移動プラズマ形成ターゲットを送出するようになったターゲット送出システムと、望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するEUV光集光光学器械とを含むレーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源制御システムを含むことができるEUV光生成のための機器及び方法を開示し、レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源制御システムは、ターゲット追跡及びフィードバックシステムを含み、これは、少なくとも1つの撮像装置、例えば、出力としてターゲットストリーム進路の画像を供給するデジタルビデオ又は撮影カメラと、集光器の焦点及びEUV光出力においてプラズマ開始が依然として満足できるレベルのEUV光を生成することができるその焦点付近の区域、例えば楕円集光器ミラーシステム Including a target delivery system adapted to deliver a moving plasma formation target, a laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source control system including a EUV collector optics having a focal defining a desired plasma initiation site discloses an apparatus and method for EUV light generation capable, laser-produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source control system includes a target tracking and feedback system, which includes at least one imaging device, for example, a digital video or photographic camera supplying an image of the target stream path as an output, the area of ​​the near focus can generate EUV light levels in focus and EUV light output of the concentrator satisfactory plasma initiation is still, For example elliptical concentrator mirror system の中間焦点を含むことができる、望ましいプラズマ開始サイトからターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも1つ軸線内でターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出するストリーム進路誤差検出器とを含む。 It may include the intermediate focus, and a stream path error detector for detecting a position error of the target stream path in a substantially vertical at least one axis to the target stream path from the desired plasma initiation site. 少なくとも1つのターゲット横断検出器は、ターゲット進路に照準し、ターゲット進路内の選択スポットを通るターゲットの経路を検出することができる。 At least one target cross detector, to aim at the target track, it is possible to detect the path of the target through selected spots in the target path. 駆動レーザトリガ機構は、ターゲット横断検出器の出力を利用し、駆動レーザ出力パルスが望ましいプラズマ開始領域内でターゲット進路に沿って選択プラズマ開始サイトでターゲットと交差するように駆動レーザトリガのタイミングを判断する。 Drive laser trigger mechanism utilizes the output of the target cross detector, determining the timing of driving the laser trigger so as to intersect with the target at a selected plasma initiation site along the target path by driving the laser output pulse is desired plasma initiation region to. プラズマ形成検出器は、ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対して実際のプラズマ開始サイトの位置、及び例えば駆動レーザビームの焦点に相対する位置を検出することができる。 Plasma formation detector can be aimed to the target track, for detecting the actual position of the plasma initiation site, and for example, a position corresponding to the focal point of the drive laser beam to each target. 中間焦点照明器は、中間焦点に形成された開口を照らし、開口を少なくとも1つの撮像装置内で撮像することができる。 Intermediate focus illuminator illuminates an aperture formed in the intermediate focus, it is possible to image the aperture of at least one in the imaging device. この少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つ撮像装置とすることができ、各々は、少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものの画像の分析に基づいて集光器焦点での望ましいプラズマ開始サイトからのターゲット進路の分離に関係する誤差信号を供給する。 The at least one imaging device may be at least two imaging devices, each of the target from the desired plasma initiation site at concentrator focus based on the analysis of each one of the image of the at least two imaging devices supplying an error signal relating to the separation of the path. ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、ターゲット送出ユニットと、少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線においてターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構とを含むことができる。 Target delivery feedback and control system, a target delivery unit, at least a first first and in the axial line corresponding to the displacement error signal at least a second image in the image pickup device derived from the analysis of the image in the imaging apparatus It may include a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the axial line corresponding to the second displacement error signal derived from the analysis. EUV出力光エネルギ検出機構は、各々がそれぞれのEUV光エネルギ検出器で検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する、プラズマ開始サイトから始まるEUV光エネルギを測定するように配置された複数のEUV光エネルギ検出器と、各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、それぞれのEUV光エネルギ検出器の出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器とを含むことができる。 EUV output light energy detection mechanism, a plurality of each of which is arranged to measure the EUV light energy starting from respective supplies an output signal representing the amount of EUV light energy detected by the EUV light energy detector, a plasma initiation site and the EUV light energy detector, receives the output of the EUV light energy detector, EUV light energy to determine the EUV light energy error signal based on a comparison of each value of the respective output signals of the EUV light energy detector It may include an error signal generator. レーザ照射タイミング誤差検出機構は、少なくともプラズマ開始時のターゲット液滴位置に相対するレーザビームの位置決め誤差のタイミング係数を判断するためのEUV光エネルギ誤差信号の使用を含むことができる。 Laser irradiation timing error detecting mechanism may include the use of the EUV light energy error signal to determine when the coefficient of the positioning errors of the opposing laser beam into at least a plasma at the start of the target droplet position. プラズマ生成極紫外線(EUV)光源集光器は、プラズマ開始チャンバと、集光器焦点を有する集光器形状の形態である、プラズマ開始チャンバ内のシェルとを含むことができ、シェルは、多層反射体から離れて作動熱を担持し、かつ集光器焦点から反対側のシェルの側面上でシェルの表面から熱を放射するのに十分な大きさ及び熱質量を有している。 Plasma generating extreme ultraviolet (EUV) light source collector comprises a plasma initiation chamber, in the form of a concentrator shape having a concentrator focus, can include a shell of the plasma start in a chamber, the shell multilayer It carries the operating heat away from the reflector, and has sufficient size and thermal mass to radiate heat from the surface of the shell on the opposite side of the shell from the condenser focus. シェルの材料は、炭化珪素、シリコン、「Zerodur」又は「ULE」ガラス、アルミニウム、ベリリウム、モリブデン、銅、及びニッケルを含む群から選択することができる。 Shell material, silicon carbide, silicon, can be selected "Zerodur" or "ULE" glass, aluminum, beryllium, from the group comprising molybdenum, copper, and nickel. シェルの隣接面から放射された熱を吸収する、焦点から反対側のシェルの側面上にあるシェルに隣接する放熱板を設けることができる。 It absorbs heat radiated from the adjacent surface of the shell may be provided with a heat radiating plate adjacent to the shell is on the opposite side of the shell from the focal point. レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源は、駆動レーザ出力パルスビームを生成する駆動レーザと、駆動レーザ出力パルスビーム誘導システムと、焦点を有するEUV光集光器とを有することができ、かつ集光器焦点の周辺の選択位置に出力レーザパルスビームを集束させるように作動する、ビーム誘導システムと集光器焦点の中間にあるビーム集束システムを含むことができる。 Laser-produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source may have a drive laser for generating a driving laser output pulse beam, and driving the laser output pulse beam guidance system, and EUV light collector having a focal, and it operates so as to converge the output laser pulse beam in a selected position near the collector focus, may comprise a beam focusing system in the middle of the beam guidance system and the condenser focus. ビーム集束システムは、集束レンズと、集束レンズと集光器焦点の中間にあって集束レンズとの中間に集束レンズ焦点を有する反射集束要素とを含むことができ、反射集束要素は、ビームを選択位置に集束させるものである。 Beam focusing system comprises a focusing lens, can include a reflective focusing elements having an intermediate focusing lens focal point matching the focusing lens in the middle of the focusing lens and the condenser focus, reflective focusing elements, selects the beam position it is intended to focus on. このようなシステムにおける光学要素デブリの緩和をもたらすことができる。 It can provide for relief of the optical element debris in such systems.

本発明の実施形態の態様により、本出願人は、例えばプラズマ形成/EUV光源チャンバ64(図1には図示せず)におけるターゲット、例えば質量を制限することができる液体金属、例えばリチウムの移動液滴(図2に示すように20)に向けられたEUVプラズマ開始駆動レーザ及びプレパルスレーザの位置、照準、及び集束の能動制御の態様が可能な図1に概略的に示すEUV光源システム10の各部分を提案する。 Embodiments aspect of the present invention, the applicant has, for example, plasma formation / target the EUV light source chamber 64 (not shown in FIG. 1), the liquid metal can be limited, for example, mass, for example the movement of the lithium drop EUV plasma start drive laser and the position of the pre-pulse laser directed at the (so 20 as shown in FIG. 2), aiming, and each of the EUV light source system 10 shown schematically in Figure 1 capable aspect of active control of the focusing propose a part.

本発明の実施形態の態様による一部の一般要件には、本出願人が目下プラズマ生成EUV光の集光の約5πsrの立体角の必要性を企図している、可能な限り多くのEUV光をLPPから集光する必要性が含まれる。 As part of the general requirements according to aspects of an embodiment of the present invention, the Applicant presently plasma generating EUV light contemplates the need for a solid angle of about 5πsr condenser, as much EUV light as possible that is included is a need for collecting light from the LPP. 更に、中間焦点42(IF)での受光に向けた正しい立体角、例えば約0.038srの必要性と共に、集光器に対して適合角度をもたらすことを企図している。 Furthermore, the correct solid angle for the light in the intermediate focus 42 (IF), along with the need for example about 0.038Sr, contemplates bringing adapted angle with respect to the collector. 集光器40に対する幾何学形状として楕円の使用を目下企図しており、この形状は、プラズマ形成点からの作用距離と関連付けることができ、例えば、選択プラズマ開始サイトにおいて、例えば集光器40の焦点32、集光器40の直径D、又はLPPの望ましいプラズマ開始サイトとIFの間の選択距離、又はその組合せである。 Contemplates presently the use of ellipse geometry for concentrator 40, this shape may be associated with working distance from the plasma formation point, for example, in selecting a plasma initiation site, e.g., the collector 40 focus 32, the diameter D of the collector 40, or desired plasma initiation site and select the distance between the IF of the LPP, or a combination thereof. 例えば、主集光器40にこのような楕円設計を用いると、作用距離を、例えば20mmとすることができ、外径は、例えば受光角によって駆動することができ、5sr集光角度/200mm作用距離の場合、これは、例えばこのような例示的な038sr受光角に対しては、例えば622mmの基板ODの必要性を意味する場合がある。 For example, the use of such oval designed main condenser 40, the working distance, for example, be a 20 mm, an outer diameter, for example, can be driven by the acceptance angle, 5SR collection angle / 200 mm action for distance, which, for example, with respect to such exemplary 038sr acceptance angle, for example, may refer to a need for substrate OD of 622 mm. また、熱的及びオプトメカニカル的設計に関する考察事項をより容易にするモノリシック基板を使用した単一のシェル設計を現在企図しているが、概念試験以外に関しては、より複雑な構成及び外径形状が必要であると考えられる。 Although currently contemplates single shell design using a monolithic substrate easier considerations regarding thermal and opto-mechanical design, with respect to other concepts testing, more complex configuration and outer shape is it is considered to be necessary.

ここで図1及び図2を参照すると、本発明の実施形態の態様が示されている。 1 and FIG. 2, and aspects of the embodiments of the present invention is shown. 本出願人は、レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源のターゲット、例えば、10000から20000/秒の速度又はそれよりも大きい速度で、例えば約20m/secの速度で移動し、直径が約10μm又は場合によってはそれよりも大きい、例えば約40μmの大きさの液体リチウムの液滴20を、ターゲット20の直径未満の精度で追跡し、選択開始サイト30で(例えば、ターゲット液滴20の進路上で実際の望ましい開始サイトの近く、例えば集光器ミラー40の焦点32で、特定の時間に駆動レーザ50(図示せず)を発射させるために)駆動レーザビーム52を生成し、約50nsから100nsのタイミング許容誤差で選択開始サイトでターゲット液滴20と交差するようにその位置を特定するように計算す Applicants laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source on the target, for example, in the 10000 20000 / sec rate or more greater speed, moving, for example a speed of about 20 m / sec, the diameter about it is greater than the 10μm or, for example, the size of the droplets 20 of liquid lithium to about 40 [mu] m, to track with a precision of less than the target 20 diameter, in selection start site 30 (e.g., a target droplet 20 near the actual desired start sites on route, for example at the focus 32 of the collector mirror 40, to produce a) driving the laser beam 52 in order to fire the drive laser 50 (not shown) at a particular time, about 50ns It is calculated to identify the location to intersect the target droplet 20 at 100ns selection start site at a timing tolerance from ることができるシステムを提案する。 To propose a system that can Rukoto. 望ましいプラズマ開始サイトは、集光器の焦点32に対応するが、例えば集光器焦点周りの約10μmの半径の範囲(望ましいプラズマ開始領域)内のある程度の誤差によって依然として中間焦点42で有効量のEUV光が生成される場合があることが理解されるであろう。 Desired plasma initiation site is corresponding to the focus 32 of the collector, for example, the still effective amount of the intermediate focus 42 by some errors in the radius range of about 10 [mu] m (preferably plasma initiation region) around the collector focus it will be appreciated that if there is the EUV light is generated is understood. 従って、最終的には、望ましいプラズマ開始サイト32で、すなわち、集光器40の焦点になるような選択プラズマ開始サイトで、ターゲットの進路及び駆動レーザビームの位置決めを同時に補正すると共に、レーザビームを望ましいプラズマ開始サイトではなくこの満足できる位置決め誤差領域、すなわち、望ましいプラズマ開始領域内である選択プラズマ開始サイトに照準するためのシステム10を構成することができる。 Therefore, ultimately, a desirable plasma initiation site 32, i.e., the selection plasma initiation site such that the focal point of the collector 40, as well as correcting the positioning of the target path and driving the laser beam at the same time, the laser beam the satisfactory positioning error region rather than the desired plasma initiation site, i.e., it is possible to configure the system 10 for aiming the selected plasma initiation site is desirable plasma initiation region. ターゲット進路に、望ましいプラズマ開始領域内のプラズマ開始を可能にしないほどどの軸線においても十分な誤差がある場合、システム10は、この状態がシステム10によって補正されるまでレーザのトリガを阻止するか、又は選択プラズマ開始サイトを望ましいプラズマ開始領域内、最終的には望ましいプラズマ開始サイトに配置するようにターゲット進路及びレーザ照準を移動させながら、望ましいターゲット開始領域の外側にある選択プラズマ開始サイトでのレーザの連続発射を可能にすることができることが理解されるであろう。 If the target course, there is also enough errors in any axis so as not to allow the plasma start of the desired plasma initiation region, the system 10 determines this state prevents the triggering of the laser to be corrected by the system 10, or selected plasma initiation site desired plasma initiation region, while moving the target path and the laser sighting to place the ultimately desired plasma initiation site, a laser at a selected plasma initiation sites outside of the desired target initiation region it will be appreciated that it is possible to allow the continuous firing is understood.

これらの要件を達成するために、本出願人は、撮像器具、例えばデジタルビデオ又は撮影器具、例えば2台の撮像装置60、62を設けることを提案するものであり、この2台の撮像装置は、カメラ視野での各ピクセルの映像強度を表すデジタル出力を有するデジタルカメラとすることができ、例えば、グレースケールで0と256の間である。 To achieve these requirements, the applicant has an imaging device, for example a digital video or photographic equipment, for example, proposes a provision of the two imaging devices 60 and 62, the two imaging devices video intensity of each pixel in the camera view can be a digital camera having a digital output representative of, for example, between 0 and 256 gray scale. カメラ60、62は、CCDカメラとすることができる。 The camera 60, 62 can be a CCD camera. カメラ60、62は、現在のビデオカメラでは一般的であるフレーム率、例えば30フレーム/秒を有することができるが、本発明の別の態様により、他のフレーム率も利用することができる。 The camera 60, 62 in the current video camera common is the frame rate, for example, can have a 30 frames / sec., According to another aspect of the present invention, another frame rate can be utilized. カメラ60、62は、図2に示すように、例えばターゲット送出システム80出口82で解放点からターゲット液滴20の飛行線(例えば、図3に示すターゲット送出ストリーム92)と交差する2つの面を成す例えば円筒形レンズ(図示せず)を使用してピントを合わせることができ、又は他の方法でカメラ撮影をすることができる。 The camera 60, 62, as shown in FIG. 2, for example, line of flight of the target droplets 20 from the release point in the target delivery system 80 outlet 82 (e.g., target delivery stream 92 shown in FIG. 3) the two surfaces intersecting the formed for example using a cylindrical lens (not shown) can focus, or to a camera imaging in other ways. 2つのカメラ60、62の各々は、例えば液滴20の進路に沿って送出システム80から選択開始サイト30まで見るために視野内に望ましいプラズマ開始サイト32を含めて配置し、例えば、互いに対して90°で配向してターゲット送出システム80から望ましいプラズマ開始サイト32周りの望ましいプラズマ開始領域まで、それぞれのターゲット進路92にほぼ直交するそれぞれx軸及びy軸においてそれぞれのターゲット進路92の位置を検出することができる。 Each of the two cameras 60, 62, for example, arranged to include a plasma initiation site 32 desirable in the field of view in order to see from the delivery system 80 along the path of the droplet 20 to select the start site 30, for example, with respect to each other oriented at 90 ° to the desired plasma initiation region around the plasma initiation site 32 desirable from the target delivery system 80, for detecting the position of the respective target track 92 in each x-axis and y-axis substantially perpendicular to each target path 92 be able to.

これを図3により詳細に示しており、それぞれのカメラ、例えばカメラ60の視野には、ターゲットストリーム92(望ましいプラズマ開始サイト32の上方)及び望ましいプラズマ開始サイト32の下方にある92'の画像が含まれ、これらのターゲットストリームの各々は、ストリーム92の方が、液滴20の一部によるプラズマ形成前には液滴20によるプラズマ形成後のストリーム92'よりも液滴20が多いために、強度(例えば、灰色の濃さ)が若干異なる場合がある。 This shows in more detail in Figure 3, each camera, the field of view of a camera 60, an image of the target stream 92 (upper desired plasma initiation site 32) and the desired 92 at the bottom of the plasma initiation site 32 ' included, each of these targets streams, for towards the stream 92, prior to the plasma formation by some of the liquid droplet 20 droplet 20 is larger than the stream 92 'after the plasma forming by the droplet 20, intensity (e.g., gray density) may vary slightly.

上方及び下方、水平方向及び垂直方向という用語は、本出願では例示用に限り使用されており、目的例証に限って図面で示す方向と一致することが理解されるであろう。 The terms upper and lower, horizontal and vertical, in the present application are used only for illustration, it will be understood to be consistent with the direction indicated in the drawings purposes only illustrative. 方向及び方位は、実際の作業では異なる場合があり、例えば液滴の方向付けは、ストリームが「垂直方向」でなくてもよい純粋な重力供給の利用とは対照的に、ターゲット供給82時に速度を液滴20に与えて望ましいプラズマ開始サイト32でターゲット20を照射することにより、望ましいプラズマ開始サイト32に行うことができる。 Direction and orientation, may vary in actual work, for example, the orientation of the droplets, as opposed to the use of the stream which may pure gravity feed not be "vertical direction", the speed at the target feed 82 the by irradiating the target 20 by the plasma initiation site 32 preferably gives the droplet 20, it is possible to perform the desired plasma initiation site 32. また、円又は楕円90として示すカメラ60の中間焦点の視野内の画像を図3の概略図に示している。 Also shows an image of the field of view of an intermediate focus of the camera 60 shown as circles or ellipses 90 in the schematic diagram of FIG. 図3に示すように、ストリーム92、92'は、望ましいプラズマ開始サイト32の通過からそれぞれの水平軸において若干ずれている場合があり、それぞれのカメラ60、62の画像データからのその検出及び定量化を利用すると、ターゲット送出システムを方向付けてターゲット送出ストリーム92を再方向付けすることができ、また、その検出及び定量化を利用すると、液滴20の実際の飛行進路に従って、かつその進路が集光器40の焦点にある望ましいプラズマ開始サイト32周りの望ましいプラズマ開始領域を通るか否かを問わず、照射液滴20になるべき次のものに対して選択プラズマ開始サイトに駆動レーザを向けることができることが分る。 As shown in FIG. 3, the stream 92, 92 'are, might be slightly shifted in the respective horizontal axes from the passage of desired plasma initiation site 32, the detection and quantification of the image data of each camera 60, 62 utilizing reduction, direct the target delivery system can redirect target delivery stream 92, also, the use of the detection and quantification, according to the actual flight path of the droplets 20, and its path regardless of whether passing through the desired plasma initiation region of the desired plasma initiation site 32 around at the focal point of the collector 40 directs the drive laser to a selected plasma initiation site to that of the next to be irradiated droplets 20 it can be seen that it is possible. 同様に、第2の軸線、例えばx軸におけるストリーム進路92の制御に第2のカメラ62の画像を使用すると、選択開始サイト30を例えば楕円集光器ミラー40の焦点と一致する望ましい開始サイト32に移動させることにより、選択プラズマ開始サイト30でターゲット照射によって生成されたEUVの楕円集光器ミラー40からの反射を楕円集光器40ミラーシステムの第2の焦点にあるIFに集束させて選択プラズマ開始サイト30を望ましいプラズマ開始サイト32に移動可能であるようにすることができることが理解されるであろう。 Similarly, the second axis, for example by using the image of the second camera 62 to control the stream path 92 in the x-axis, desirable start site coincides with the focal point of the selection start site 30 for example elliptical concentrator mirror 40 32 by moving, by focusing on the IF with reflections from EUV ellipse collector mirror 40 that is generated by the target irradiation at a selected plasma initiation site 30 to a second focal point of the elliptical concentrator 40 mirror system selected it will be understood that it is possible to be movable plasma initiation site 30 to a desired plasma initiation site 32.

また、図3には、ターゲット送出システム80と望ましいプラズマ開始サイト32との中間にあるターゲット進路92内の選択位置を通過時に液滴20を照らすための一対の連続波、例えばHeNeレーザの利用を示している。 Further, in FIG. 3, a pair of continuous wave to illuminate the droplet 20 when passing through the selected position in the target track 92 in the middle of the target delivery system 80 and the desired plasma initiation site 32, for example, the use of HeNe laser shows. HeNeレーザからのレーザビーム108を例えば円筒形レンズ104、106によって選択面に確実に集束させることができ、それぞれ、例えば集束レンズ110、112を通じて、例えば光検出器120、122により、まずレーザ100からのビーム、次にレーザ102からのビームとの液滴20の交差を検出することができる。 By the laser beam 108, for example, cylindrical lenses 104, 106 from the HeNe laser can be reliably focused on the selected face, respectively, for example, through the focusing lens 110 and 112, for example by the photodetector 120, 122, first, the laser 100 beam can then be detected intersection of the droplet 20 of the beam from the laser 102. このようにして、それぞれの液滴交差点94及び94'を示す連続的な閃光をそれぞれ検出器120及び122による光の閃光として検出することができる。 In this way, it is possible to detect each of the successive flash showing the droplet intersections 94 and 94 'as the light of the flash by the detector 120 and 122, respectively. 例えば、レーザ110及び102が集束する分離距離は、例えば、異なる液滴20の液滴交差を区別するように適切に時間調節された液滴20の分離又は検出回路に等しいものとすることができることが理解されるであろう。 For example, the separation distance of the laser 110 and 102 is focused, for example, that may be equal to the separation or detection circuit of appropriately timed droplets 20 so as to distinguish the droplets crossing of different drop 20 There will be appreciated. また、公知又は実験的に判断された液滴速度を想定すれば、それぞれの駆動レーザ発射の時間調節のためにそれぞれの液滴20の選択プラズマ開始サイト到着タイミングを判断するには、レーザ1つ、例えばレーザ100と検出器1201つがありさえすればよいことが理解されるであろう。 Further, assuming a drop velocity that is known or experimentally determined, to determine the selected plasma initiation site from the timing of each of the droplets 20 for the time adjustment of the respective drive laser firing, one laser 1 it will for example be a laser 100 may be a detector 1201 one but even be understood.

カメラ62の他方は、第1のカメラ60に垂直な平面に配向された視界を有することができる。 Other camera 62 may have a field of view oriented in a plane perpendicular to the first camera 60. 従って、2つのカメラ60、62を使用すると、移動ターゲット液滴90の位置を3次元で三角測量することができる。 Thus, using two cameras 60 and 62, it can triangulate the three dimensional position of the moving target droplet 90. 2つのカメラ60、62の各々は、その視界内に、CCDカメラ画像上に楕円90によって表された集光器ミラー40によって作り出された中間焦点の画像を有することができる。 Each of the two cameras 60, 62 within its field of view can have an image of the intermediate focus, produced by the collector mirror 40 represented by an ellipse 90 on the CCD camera image. この楕円90の中心は、望ましいプラズマ開始サイト32、すなわち、理想的にはプラズマ開始が発生すべきである場所、すなわち、集光器ミラー40の焦点32と一致すると考えることができる。 The center of the ellipse 90 is preferably plasma initiation site 32, i.e., ideally place should occur plasma start, i.e., it can be considered to coincide with the focal point 32 of the collector mirror 40. 例えば、30フレーム/秒で機能するカメラ60、62では、これは、液滴速度及び液滴繰返し数、例えば10,000/秒から100,000/秒と比較すると比較的遅い速度であり、カメラ60、62では、上述の液滴20は、図3に示すように一続きのストリームに見えることになる。 For example, the camera 60, 62 to function at 30 frames / sec, which is the droplet velocity and droplet repetition rate, a relatively slow rate when compared for example to 10,000 / sec and 100,000 / sec, the camera in 60 and 62, the droplets 20 of the above would appear to a series of streams as shown in FIG.

液滴ストリーム92上でのこれらのレーザ100、102のアラインメントは、2つのCCDカメラ60、62を用いて行うことができ、例えば、HeNeレーザ光が正しくストリーム92上に照らされた時に、カメラ60、62では、ストリーム92の中心に位置する明るい点がストリーム92上に見える。 Alignment of these lasers 100, 102 on the droplet stream 92 can be carried out using the two CCD cameras 60 and 62, for example, when a HeNe laser light is illuminated to properly stream 92 on the camera 60 in 62, a bright spot in the center of the stream 92 is visible on the stream 92. それぞれのレーザ100、102からのレーザビームが若干ずれていた時、この明るい点94、94'もずれることになる。 When the laser beam from each laser 100, 102 is deviated slightly, the the bright spot 94 and 94 'also deviate it.

2つの光検出器120、122は、各々、例えば液滴20から反射されたそれぞれのレーザ100、102からの光を、それらがこれらの2つのHeNeレーザ100、102の例えば確実に集束させたビームを通過する時に見るのに使用することができる。 Two photodetectors 120 and 122, respectively, for example, light from the respective laser 100, 102 reflected from droplet 20, and they were for example reliably focusing these two HeNe laser 100 and 102 beams it can be used to look when you pass through the. これらの検出器120、122の各々は、次に、対応するHeNeレーザ100、102のそれぞれのタイミング点94、94'を液滴20が通過する度にパルスを生成することができる。 Each of these detectors 120, 122, then the respective timing points 94, 94 'of the corresponding HeNe laser 100, 102 may generate a pulse each time the droplet 20 passes. また、これらの検出器は、フィルタ及びそれぞれ閃光における点94、94'の区別を助けるために異なる波長で作動するレーザ100、102を有することができる。 Also, these detectors may have a laser 100, 102 operating at different wavelengths to help distinguish between points 94 and 94 'filter and, respectively, in the flash. 次に、これらの光検出器120、122によって生成されたパルスを用いると、例えば、液滴20の速度及びストリーム92沿いにある選択プラズマ開始サイト30への予想到着タイミングを計算することができる。 Then, using the pulses generated by these photodetectors 120 and 122, for example, it is possible to calculate the expected arrival time of the selected plasma initiation site 30 is located along the speed and stream 92 of droplets 20. 次に、例えば、まだ望ましいプラズマ開始領域内にある例えばストリーム92沿いの選択プラズマ開始サイト30に照準して、選択プラズマ開始サイト30への液滴の計算到着時間に選択プラズマ開始サイト30で液滴20と交差するようにレーザ50を発射することができる。 Then, for example, by aiming is for example selected plasma initiation site 30 along the stream 92 still desired plasma initiation region, a droplet at the selected plasma initiation site 30 to calculate the time of arrival of the droplets to a selected plasma initiation site 30 it is possible to fire the laser 50 so as to intersect with the 20.

次に、駆動レーザ50からのレーザビームパルス52内のエネルギの液滴20による吸収のために選択プラズマ開始サイト30で液滴ターゲット20の照射によって作り出されたプラズマは、カメラ60、62のCCD画像上の明るいプラズマ開始画像スポット96として見える。 Next, the plasma created by irradiation of the laser beam selected for absorption by the liquid droplets 20 of the energy in the pulse 52 plasma initiation site 30 droplet target 20 from the drive laser 50, CCD image of the camera 60, 62 It appears as a bright plasma start image spot 96 on the. 適切なフィルタを使用すると、CCDカメラ60、62上のこのプラズマ開始画像スポット96の強度を調節することができる。 Using an appropriate filter, it is possible to adjust the intensity of the plasma start image spot 96 on CCD camera 60, 62. このプラズマ開始画像スポット94は、駆動ビームレーザビーム52がターゲット液滴20上に集束した場所を示すものとすることができる。 The plasma opening image spot 94 can be assumed to indicate where the drive beam laser beam 52 is focused onto a target droplet 20.

駆動レーザビーム52の水平方向アラインメントは、例えば駆動レーザビーム52プラズマ形成面(レーザビーム52のプラズマ形成面の選択によって影響される作動パラメータ要件に従ってレーザビーム52の焦点面の前又は焦点面の後になるように選択することができる)を照準し、例えば望ましいプラズマ開始領域内の選択プラズマ開始サイト30の水平面内で行うことができる。 Horizontal alignment of the drive laser beam 52 will then before or focal plane of the focal plane of the laser beam 52, for example, according to operating parameters requirements that are affected by the drive laser beam 52 plasma-forming surface (the choice of plasma-forming surface of the laser beam 52 and aiming the can) be selected so that can be done, for example, desirable choice of plasma initiation region plasma initiation site 30 in the horizontal plane. 選択開始サイト30でのこの明るい点は、その中心位置を液滴20のストリーム92の真ん中とすることができる。 The bright spots in the selection start site 30 can be the center position and the middle of the stream 92 of droplets 20. 例示を目的としてここでもまた水平方向及び垂直方向は例示用にすぎず、かつ図面の矢視と一致することを認識すると、水平面は、ターゲット液滴20供給から望ましいプラズマ開始サイト30に向けてターゲット移動方向にほぼ直交する座標系のx軸とy軸を含むと考えることができ、一方、z軸は、この進行方向に整列し、いかなる場合でも水平面と直交する。 Also the horizontal and vertical directions here for purposes of illustration is only for illustration, and recognizes that the matching and arrow figures, the horizontal plane, towards the plasma initiation site 30 desirable from the target droplets 20 supplied target It can be considered to include x and y axes of the coordinate system that is substantially perpendicular to the moving direction, whereas, z-axis is aligned in the traveling direction, perpendicular to the horizontal plane in any case. 本発明の実施形態の態様では、駆動レーザ52を全ての液滴20に照準することはできないので、ここでもまた、選択ターゲット点30の下流側にも液滴20のストリーム92'がある場合がある。 In aspects of embodiments of the present invention, because it is not possible to aim the drive laser 52 to all of the droplet 20, Again, if there is stream 92 'of the droplet 20 to the downstream side of the selective target point 30 is there. 駆動レーザ52のこの垂直方向アラインメントが、あらゆる所定のx−y軸に対して、例えばIF画像楕円/円90の真ん中、すなわち、水平軸に明るい点94を配置することによって行われると、集光器ミラー40の焦点での望ましい開始サイト32に対する選択ターゲット点30の位置の誤差は、液滴20がストリーム92の経路沿いにかつ望ましいプラズマ開始サイト32周りの望ましいプラズマ開始領域内で望ましい開始サイト32に接近することになる最も近い点になることになる。 The vertical alignment of the drive laser 52, for any given x-y-axis, for example the middle of the IF picture ellipse / circle 90, i.e., when carried out by placing a bright point 94 on the horizontal axis, the condenser instrumental error in the position of the selected target point 30 relative to the desired initiation site 32 at the focal point of the mirror 40, preferably starting site droplet 20 is in the desired plasma initiation region of the path along the and desirable plasma initiation site 32 around the stream 92 32 It will be the closest point will be close to.

フィードバック制御ループを用いると、選択ターゲット点30を望ましいプラズマ開始サイト30に移動させるために、例えばターゲット送出システム80の水平面のx軸及びy軸での水平平行移動によって2つのカメラ60、62の各々を中間焦点開口の想像上の中心軸に中心配置するように、例えば2つのカメラ60、62によってそれぞれ見える2つのストリーム92を辿ることができる。 With feedback control loop, each of the two cameras 60, 62 by a horizontal translation in order to move the selected target point 30 in the desired plasma initiation site 30, for example, in x-axis and y-axis of the horizontal plane of the target delivery system 80 the so that centering the central axis of the intermediate focus aperture imagined, can be traced to two streams 92 seem respectively, for example by the two cameras 60, 62. すなわち、撮像されたストリーム92をx−y面で移動させて各々が望ましいプラズマ開始サイト32としかも同時に交差するために、本発明のシステムは、レーザ照準点を移動させて、例えばストリーム92の画像沿いの選択プラズマ開始サイトでストリームと交差して選択プラズマ開始サイトで液滴と交差させることができる。 That is, a stream 92 which is captured in order to intersect the x-y plane is moved each desired plasma initiation site 32 and moreover simultaneously, the system of the present invention, by moving the laser aiming point, for example, an image of the stream 92 It crosses the stream may intersect the droplets selected plasma initiation site selected plasma initiation site along.

駆動レーザ50発射時間のより正確なタイミング調整を行うと、例えば各プラズマ形成で生成されたEUV電力を最適化するフィードバックループにより、例えばターゲット液滴20の照射の最大化に対して、ターゲット液滴20が完全にビーム内にある状態で駆動レーザ50からの駆動レーザ52内のパルスの到着を選択(かつ最終的に望ましい)開始サイト30、32に配置することができる。 Doing more accurate timing adjustment drive laser 50 firing time, by a feedback loop to optimize e.g. EUV power generated by each plasma formation, for example with respect to maximizing the illumination of the target droplet 20, the target droplet 20 can be arranged to completely select the pulse arrival of the drive laser 52 from the drive laser 50 in the state in the beam (and the final desired) start site 30,32. ディザリング技術を用いて、例えば最大EUVプラズマ出力に集まるように、例えばトリガ信号タイミングをディザリング処理することができる。 Using dithering techniques, for example, up to gather EUV plasma output may be dithered, for example, trigger signal timing. 例えば、望ましいプラズマ開始サイト32周りの一平面において、望ましいプラズマ開始サイト32を取り囲み、スポットでのEUV放射線の均衡を測定するEUV検出器の使用も、例えばプラズマ開始サイト30、32に向う液滴ストリーム経路92に沿ったターゲット液滴の進行にレーザ発射タイミング(トリガ信号タイミング)を合わせる際に入力に対して可能である。 For example, in one plane of the desired plasma initiation site 32 around, desirably surrounds the plasma initiation site 32, the use of EUV detector for measuring the balance of EUV radiation in spots, for example toward droplet stream to the plasma initiation site 30,32 it is possible for the input when aligning the laser firing timing (trigger signal timing) in the progression of the target droplets along the path 92.

正確なレーザタイミング調整及び水平アラインメントを対象とした代替的な又は補足的手法では、例えば集光器ミラー40の外側に配置された4つのEUV検出器154を使用することができる。 In an alternative or supplemental approach targeting the correct laser timing adjustment and horizontal alignment can be, for example using four EUV detector 154 disposed outside the collector mirror 40. 本発明のこの実施形態の態様では、例えばレーザビームが選択/望ましいプラズマ開始サイトに対して水平方向及び垂直方向に整列かつ正確に時間調節される時、4つの検出器154の全てからの信号は、同じものになり、レーザビーム52とのターゲット液滴全体の交差が発生していることを示し、従って適正に時間調節される。 In aspects of this embodiment of the present invention, for example, when the laser beam is adjusted aligned and accurately time the horizontal and vertical directions with respect to the selected / desired plasma initiation site, the signals from all four detectors 154 , be the same as, it indicates that the target of the whole droplet crosses the laser beam 52 is generated, thus properly adjusted time. 駆動レーザ50又は複数の駆動レーザ50のそれぞれのトリガ時期を判断する際に、図3Aに関するより詳細な説明に従ってこれらの検出器の出力を利用すると、ターゲット液滴20の照射を最適化することができる。 In determining the respective trigger timing of driving the laser 50 or more drive laser 50, utilizing the output of these detectors in accordance with a more detailed description of FIG. 3A, to optimize the irradiation of the target droplets 20 it can.

ここで図3Aを参照すると、本発明の実施形態の態様による例示的方法によるシステム150が概略ブロック図で示されている。 Referring now to FIG. 3A, an exemplary method system 150 according to according to aspects of an embodiment of the present invention is shown in a schematic block diagram. システム150は、例えば他のカメラ、例えばカメラ62の画像から独立してカメラ60からの画像を処理することができる、入力を画像処理モジュール152にデジタル形式で供給するカメラ60、62を含むことができる。 The system 150, for example, other cameras, for example, it is possible to process the image from the camera 60 independently of the image of the camera 62, it may include a camera 60, 62 supplied in digital form to the image processing module 152 input it can.
画像処理モジュール152は、HeNe強度を例えばHeNeポインティング制御モジュール170に供給することができ、HeNeポインティング制御モジュール170は、それぞれのHeNeレーザ102、104を水平方向に移動させてフィードバック制御でカメラ画像内で検出された閃光の強度を最大化し、例えばHeNeレーザをストリーム92に適正に向けることができる。 The image processing module 152 can supply the HeNe strength for example HeNe pointing control module 170, HeNe pointing control module 170, each of the HeNe laser 102 and 104 are moved in the camera image in the feedback control in the horizontal direction maximize the intensity of the detected flash can properly orient it for example a HeNe laser a stream 92.

画像処理モジュール152はまた、例えば実際のプラズマ開始サイト32とIF開口画像の中心の間に、例えば想像上の水平及び/又は垂直面に位置誤差信号を各カメラ画像に対して光源レーザ制御モジュール172に供給することができる。 The image processing module 152 may also, the light source laser control module 172 between the centers of example actual plasma initiation site 32 and IF opening image, for example, a position error signal in the horizontal and / or vertical plane of the imaginary for each camera image it can be supplied to. 光源レーザ制御モジュールは、それぞれカメラ60とカメラ62からのこの情報を例えばy軸及びz軸における光源レーザ照準制御に利用することができる。 Source laser control module may utilize this information from each camera 60 and the camera 62 to the source laser aiming control in e.g. y-axis and z-axis.

画像処理モジュール152は、x軸とy軸の各々におけるIF開口画像の想像上の垂直方向の中心線に対して、それぞれ、一方はカメラ60、他方はカメラ62の画像から示すように、すなわち、望ましいプラズマ開始サイト32を通じて例えばそれぞれのカメラ60、62のストリーム経路92間の誤差を示す液滴ストリーム誤差信号も供給することができる。 The image processing module 152, to the imaginary vertical center line of the IF opening image in each of the x and y axes, respectively, one camera 60, as the other shows the image of the camera 62, i.e., droplet stream error signal indicating an error between the stream path 92 of the desired plasma initiation site 32 through for example the cameras 60 and 62 may also be provided. 次に、これを液滴制御モジュール174が利用し、x軸、y軸フィードバック制御信号をターゲット送出システム80に生成することができる。 It was then utilized droplet control module 174, x-axis, a y-axis feedback control signal can be generated to target delivery system 80.

光検出器120、122の出力を利用すると、入力信号をレーザトリガ制御モジュール154に供給することができる。 Utilizing the output of the photodetector 120, 122, it is possible to provide an input signal to the laser trigger control module 154. レーザトリガ制御モジュール154は、選択開始サイト30の方に経路92に沿って、かつ経路92に沿って、上述のように例えば可能な限り望ましいプラズマ開始サイト32の近傍になるように、液滴20速度を示すものとしてそれぞれ検出器120及び122からの検出閃光間のタイミングを利用することができる。 Laser trigger control module 154 along path 92 towards the selection start site 30 and along path 92, so that in the vicinity of as long as desired plasma initiation site 32 capable for example, as described above, the droplets 20 it can be utilized timing between detection flash from each detector 120 and 122 as an indication of speed. 次に、これを利用すると、光源レーザ50を発射して液滴20が望ましいプラズマ開始サイト32周りの望ましいプラズマ開始領域内の選択プラズマ開始サイト30に到着すると同時に経路92沿いの選択プラズマ開始サイト30へのレーザビームパルス52到着のタイミングを取るために、トリガ信号をソース駆動レーザ制御モジュール180に対して生成することができる。 Then, the use of this selective plasma initiation site of the light source laser 50 firing to droplet 20 is desired plasma initiation site 32 desired selectivity of plasma initiation region around the plasma initiation site 30 simultaneously along route 92 when arriving at the 30 to time the laser beam pulses 52 arriving to, it is possible to generate a trigger signal to the source driver laser control module 180.

EUV光源機器及び方法の態様としては、とりわけ、光学的設計、オプトメカニカル設計、熱エンジニアリング、基板選択及び作製、多層反射コーティング開発及び作製がある。 The embodiment of the EUV light source device and methods, inter alia, optical design, opto-mechanical design, thermal engineering, substrate selection and fabrication, there is a multilayer reflective coating development and production. 上述の現在特許出願中の出願で説明するように、例えば駆動レーザを用いて生成したプラズマからの生成EUV放射線の集光に対して、例えば集光器40の入射EUV反射ミラーの近直角角度を形成するミラー多層反射スタックの反射特性を維持するために、例えば液体リチウムターゲットシステム内のリチウムを蒸発させることを目的として約400℃から500℃の間の温度でEUV生成チャンバ64の内側で集光器ミラーを作動させることが現在企図されている。 As described in the application of the current patent pending described above, for example with respect to the condenser of generating EUV radiation from plasma generated by using the drive laser, for example, a near-perpendicular angle of incidence EUV reflective mirror of the collector 40 to maintain the reflective properties of the formed mirror multilayer reflector stack, for example, condensing the evaporating lithium in liquid lithium target system at a temperature between about 400 ° C. of 500 ° C. for the purpose inside the EUV generation chamber 64 operating the vessel mirror are currently contemplated. 近直角入射角としては、入射EUV放射線とミラー面に対する法線との間の0°から45°の角度が含まれ、このミラー面に対しては、例えば数十層から100層ほどのスタックによって形成された多層反射コーティングが、例えば13.5nmのEUV波長での光の反射を可能にし、一方で未被覆材料から成るか又は僅かに例えば2層の反射コーティングを有する反射面を使用するとEUV波長の光を反射することができるが、当業者は、波長、反射材料、及びコーティングなどによっては約70°から90°までと理解されるいわゆる入射グレージング角に限られることを理解するであろう。 The near-normal incidence, include an angle of 45 ° from 0 ° between the normal to the incident EUV radiation and the mirror surface, for the mirror surface, the stack of several tens of layers of about 100 layers e.g. the formed multilayer reflective coating, for example to allow the reflection of light at the EUV wavelength of 13.5 nm, while the EUV wavelength by using the reflecting surface having a reflective coating or made of uncoated material or slightly e.g. 2-layer can be reflected light, one skilled in the art, the wavelength, reflective material, and in some such coating would understand to be limited to the so-called incident grazing angle which is understood from about 70 ° to 90 °.

例えばEUV光生成器10から利用ツール、例えばEUV集積回路リソグラフィツール内へのエントリ点を含み、例えば楕円の一方の焦点に焦点が望ましいプラズマ開始サイト32を、かつ楕円の他方の焦点に集光器ミラー40の中間焦点42を有する単純な楕円ミラーを含む集光器ミラー40に対するいくつかの企図された設計が存在する。 For example utilization tool from the EUV light generator 10, for example, EUV integrated circuit lithography tool includes an entry point into, for example, collector plasma initiation site 32 while focusing the focal point of the desired ellipse, and the other focal point of the ellipse some contemplated designed for collector mirror 40 that includes a simple elliptical mirror having an intermediate focus 42 of the mirror 40 is present. この設計では、とりわけ、駆動レーザ照射幾何学形状及び実際に使用される技術を考慮すると、プラズマが光子に入る方向を含むいくつかの要素によっては、プラズマから放出された光子のかなりの部分を集光することはできない場合がある。 In this design, among other things, current considering the driving laser irradiation geometry and techniques that are actually used by several factors, including the direction in which the plasma enters the photons, a significant portion of the photons emitted from the plasma there is a case that can not be light. 別の可能性としては、球形一次集光器ミラー又はグレージング入射二次集束ミラーを有する楕円一次集光ミラーがある。 Another possibility is elliptical primary focusing mirror having a spherical primary collector mirror or a grazing incidence secondary focusing mirror.
集光器光学器械にどれが選択されるかに関係なく、同じく先に引用した現在特許出願中の出願で説明したように、EUVプラズマ形成容器/チャンバ64内で生成されたデブリから光学器械を保護するために何らかの準備を設ける必要があることになる。 Regardless any are selected collector optics, as also described in the application of the current patent pending cited above, the optics from debris generated by the EUV plasma formation vessel / chamber 64. so that it is necessary to provide some sort of preparation to protect.

本出願人は、本出願において本発明の実施形態の態様を説明するものであり、これらの態様は、例示する上で便宜上例示的な集光器形状を想定し、すなわち、例えば. Applicants are intended to illustrate aspects of embodiments of the present invention in the present application, these embodiments are assumed for convenience exemplary concentrator shapes in order to illustrate, i.e., for example. 03から. From 03. 20srのIFに対する立体角、45cmの最大集光器ミラー40外径(OD)、25cmの最小集光器40OD、及び5πsrから2πsrの集光角度を有する球形一次集光器ミラー40を参照して説明する。 Solid angle for IF of 20SR, maximum collector mirror 40 the outer diameter of 45cm (OD), with reference minimum collector 40OD of 25 cm, and a spherical primary collector mirror 40 having a collection angle 2πsr from 5πsr explain. 最終的にどの集光器形状が選択されたかに関係なく、集光器光学器械(ミラー40及び他の考えられる要素)は、作動温度で形状を維持すべきである。 Finally no matter what collector shape is selected, the collector optics (mirrors 40 and elements other possible) should maintain the shape at operating temperature. また、例示上、これを400℃から500℃又はそれよりも高い、例えば最大約700℃までの範囲になるように選択する。 The example on which higher than 500 ° C. or from 400 ° C., is selected to be in a range of, for example, up to about 700 ° C.. 球形形状を選択すると、多少は本発明で言及する例示的計算が単純になるが、本出願で挙げた原理は、楕円又は他の例えば双曲線及び他の円錐幾何学形状にも適用可能である。 Selecting spherical shape, although somewhat becomes simpler exemplary calculation mentioned in the present invention, the principles mentioned in the present application is also applicable to an ellipse or other eg hyperbolic and other conical geometry. 表1は、例えばEUV光源チャンバ集光器40の例示的な熱管理システムの設計に関係する他の例示的な要素及び仮定事項を含む。 Table 1, for example, include other exemplary elements and assumptions relating to exemplary thermal management system design of the EUV light source chamber collector 40.

(表1) (Table 1)











(表2) (Table 2)

集光器40本体220の材料選択は、超高真空(UHV)適合性、500℃を超える温度での有用性、良好な熱安定性、高い伝導率、低い熱膨張率、高い強度、特に高い作業温度での良好な寸法安定性、及び例えば直角又はグレージング入射角反射に対して極めて高品質の面形状精度及び仕上げに研磨する機能の配慮が伴っている。 Material selection of the collector 40 the body 220 is an ultra-high vacuum (UHV) compatible, usefulness at temperatures above 500 ° C., good thermal stability, high conductivity, low coefficient of thermal expansion, high strength, particularly high good dimensional stability at working temperature, and for example, consideration of functions of polishing the extremely high quality surface shape accuracy and finish against right angle or grazing incidence angle reflection is accompanied. このようなものとしては、例えば高空間周波数粗面化装置(HSFR)を用いた高品質の面形状精度及び仕上げ、例えば4Åの取得を含むことができる。 Such examples include for example high spatial frequency roughening device (HSFR) high quality surface shape accuracy and finishing with, for example, it can include 4Å acquisition. また、他の材料に結合する機能も重要である可能性がある。 Further, it may function also important to bind to other materials. 表2は、一部の材料及び例示的特性を示している。 Table 2 shows a portion of the material and exemplary characteristics.

直角入射角反射を対象とした多層反射コーティングスタックに関しては、以下の考察事項、すなわち、Liを用いたLPPに必要される高温安定性、高温での多層の層間拡散、高温での反射率劣化、Li及びLi化合物への露光の影響、高エネルギLi粒子衝突又は他の材料、例えば高エネルギイオン及び他のデブリからのスパッタリング、多層へのLiの移植及び拡散、障壁としてのキャップ層の選択、ミラー表面上の他の汚染物質、及びチャンバ内側の他の汚染物質からの他の材料のスパッタリングを考慮すべきである。 For the multilayer reflective coating stack intended for the normal incidence reflection, the following considerations, i.e., high temperature stability that is required to LPP with Li, multilayered interlayer diffusion at high temperature, the reflectance degradation at elevated temperatures, effect of exposure to Li and Li compounds, high energy Li particle bombardment or other materials, such as high energy ions and sputtering from other debris, transplantation and diffusion of Li into the multi-layer, the selection of the cap layer as a barrier, a mirror other contaminants on the surface, and it should be considered sputtering other materials from other contaminants inside the chamber.

本発明の実施形態の態様によれば、本発明は、例えばEUVプラズマ開始サイト32から反射多層反射コーティングで構成された集光器40反射面まで200mmの作業距離を有することができる楕円一次集光器40を含むことができる光学的設計を含むことを当業者は理解するであろう。 According to aspects of an embodiment of the present invention, the present invention is, for example, EUV plasma initiation may have a working distance of 200mm from the site 32 to the collector 40 is a reflecting surface a reflecting multilayer reflective coating elliptical primary light-condensing those skilled in the art to include an optical design that may include a vessel 40 will understand. 集光器40の外径の大きさは、例えば5sr集光角度/200mm作業距離に対して例えば集光及び受光角度によって駆動することができ、約622mmの基板外径が、例えば. The size of the outer diameter of the collector 40 is, for example, can be driven against 5sr collection angle / 200 mm working distance, for example by condensing and receiving angle, a substrate outside diameter of about 622 mm, for example. 038sr受光角度に対して必要になる可能性があると考えられる。 Believed may be required with respect 038sr acceptance angle.

より複雑になる場合がある効率改善及びトレードオフ、及び例えば複雑性が増す場合がある補助集光器の設計を含むことなく、本発明の実施形態の態様により単一シェル設計を考えると、本発明は、例えばモノリシック基板を利用するように考えることができる。 Without containing the more it may be complicated efficiency and tradeoffs, and for example, the auxiliary collector which case there is the complexity increases design, according to aspects of an embodiment of the present invention Considering the single shell design, the invention, can be considered for example to use a monolithic substrate.
これは、評価する目的に対して、例えば表2の先に引用した材料を、例えばSiC又はNi又は他の材料、例えばMO、Be、及びSiと共に利用するより容易な熱及びオプトメカニカル設計を可能にすることができる。 This is for the purpose of assessing, for example, the materials cited above in Table 2, for example, SiC or Ni, or other materials, for example MO, Be, and allows for easy thermal and opto-mechanical design than utilized with Si it can be.

本発明の実施形態の態様によると、図5に示すように、EUV光を第2又は「中間」焦点42に集光しかつ再方向付けすることができる光学シェル220を提供する。 According to aspects of an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, to provide an optical shell 220 that can be redirected One only focuses the EUV light to the second or "intermediate" focus 42. シェル220は、例えば大きな熱質量を有するように構成することができる適切な材料で作ることができる。 Shell 220 may be made of suitable material can be configured to have, for example, large thermal mass. 熱質量は、所定の材料の構造体の熱容量及び伝導率の両方の関数である。 Thermal mass is a function of both the heat capacity and conductivity of the structure of a given material. 熱容量は、異なる種類の材料がどれだけの熱を保持することができるかの尺度である。 Capacity is a measure can be different types of material to hold the how much heat. 所定の材料の所定の構造的要素に対して、材料密度x全厚x比熱によって熱容量を求める。 For a given structural element of a given material, determine the heat capacity of a material density x total thickness x specific heat. 比熱は、材料が質量単位当たりに保持することができる熱である。 Specific heat is a heat capable material held per mass unit. 例えば大型の重量材料の場合、表面を加熱するには相当量の熱が必要であろう。 For example, in the case of large weight material, to heat the surface will be required a substantial amount of heat. これは、エネルギの大部分が実際に材料内により深く吸収されてより広い容積にわたって分布されるからである。 This is because is distributed over a wider volume is deeply absorbed by most actually within the material of the energy. 表面に入射するエネルギの多くに対して、この吸収は、全幅に伝わって温度上昇として内面に出現するまで続くことができる。 For many of the energy incident on the surface, the absorption may be followed up transmitted to the entire width appearing on the inner surface as the temperature rises. この伝導過程は、相当量の時間が掛かる場合がある。 The conduction process may a substantial amount time consuming. 片面の表面に入射するエネルギが変動した場合、それによって材料の中を流れる温度の「波」を発生させる可能性がある。 If energy incident on one side of the surface is varied, there is a possibility to thereby generate a "wave" of temperature flowing through the material.

適切な材料としては、以下に限定されるものではないが、炭化珪素、シリコン、「Zerodur」又は「ULE」ガラス、アルミニウム、ベリリウム、モリブデン、銅、及びニッケルを含むことができる。 Suitable materials include, but are not limited to, silicon carbide, may comprise silicon, "Zerodur" or "ULE" glass, aluminum, beryllium, molybdenum, copper, and nickel.
集光シェル220は、レーザ生成プラズマからの熱流束に露出される恐れがあり、その結果、表1で先に引用したものなどの放射性熱負荷が発生する。 Condensing shell 220, there is a risk of being exposed to the heat flux from the laser-produced plasma, as a result, radioactive heat load, such as those cited above in Table 1 is generated. このような熱負荷は、シェル220の熱質量と組み合わされると、シェル220の定常状態温度になり、例えば集光器40の反射面からのソース元素(Li)デブリを蒸発させるのに必要とされる作動温度よりも小さい場合がある。 Such thermal load, when combined with the thermal mass of the shell 220, becomes a steady state temperature of the shell 220, is required, for example, to evaporate the source element (Li) debris from the reflective surface of the collector 40 it is smaller than the working temperature that. これがそうである理由は、温度と組み合わせた光学器械40の放熱面の放射率が、レーザ生成プラズマによって堆積されるよりも大きい熱エネルギを放射する機能をもたらすことができるからである。 Why this is so, the heat radiating surface of the emissivity of the optic 40 in combination with temperature, because thermal energy greater than that deposited by the laser produced plasma can result in function of radiation.

次に、光学器械40の所要作動温度を維持する付加的な熱流束を、例えば補助放射加熱器230によって設ける必要がある場合がある。 Next, there is a case where the additional heat flux to maintain the required operating temperature of the optics 40, for example, it is necessary to provide the auxiliary radiation heater 230. これらの放射加熱器230を集光器40の本体220の前又は後で適切な位置に配置することができ、集光器40上で又は集光器40表面のある一定の区域で、例えば方向付け放射線量を調節する必要性に対応するように方向制御機構(図示せず)を用いて方向線機能を有する必要がある場合もある。 These radiant heater 230 can be placed before or later the appropriate position of the body 220 of the collector 40, in certain areas of the collector 40 on or collector 40 surface, for example the direction If you need to have a direction line function using the direction control mechanism so as to correspond to the need to adjust the radiation dose with (not shown) also. 現在、本出願人は、集光器本体220上で約500℃の定常状態温度を維持するには約5kW又はそれ未満の電力ではないかと考えている。 Currently, the Applicant, in order to maintain the steady state temperature of about 500 ° C. on the collector body 220 believes that it is the about 5kW or less power. また、2℃以内又はそれを越える温度均一性を維持する機能を現在企図している。 Moreover, the ability to maintain 2 ℃ within or temperature uniformity beyond that currently contemplated.

集光器40の望ましい作動温度の制御を維持するために、冷却装置232を含むことができる冷却システム250も必要であると考えられる。 To maintain control of the desired operating temperature of the collector 40, it is considered to be necessary cooling system 250 which may include a cooling device 232. この冷却装置232は、例えば集光器40の集光器本体220の後部側からの放射熱を吸収するのに利用することができる。 The cooling device 232 can be utilized, for example, to absorb the radiant heat from the rear side of the collector body 220 of collector 40. この冷却装置232は、集光器40の集光器本体220の後部面234の後部にある単純な開放ループ冷間表面とすることができ、かつ例えばヘリウム又は水などで気体又は液体冷却式としてかつ何らかの公称温度で維持することができることが可能である。 The cooling device 232, it can be a simple open-loop cold surface at the rear of the rear surface 234 of the collector body 220 of collector 40, and as a gas or liquid cooled, such as for example helium or water and it is possible can be maintained by some nominal temperature. 電力レベルが十分に低い場合、例えば冷却装置232用熱交換器(図示せず)からの例えば液体又は気体冷媒の必要なく全く放射性とすることができることが可能になるように現在企図されている。 If the power level is sufficiently low, and is at present contemplated so it becomes possible can be, for example, you need not at all radioactive e.g. liquid or gas refrigerant from the heat exchanger for cooling devices 232 (not shown). 次に、集光器40の集光器本体220の後部面234の放射率を必要に応じて高く(1に近い)又は低くなるように設計によって修正することができる。 Then, it is possible to modify the design to be higher (closer to 1) or lower if desired emissivity of the rear surface 234 of the collector body 220 of collector 40. 集光器40の幾何学形状に対して行う設計上の選択は、例えば、この冷却システム250の詳細に相当の影響を与える可能性がある。 Selection of design to be performed on the geometry of the collector 40 is, for example, can affect the considerable detail of the cooling system 250. しかし、基本的な概念は、集光器40の本体220が、重要な表面上の実際に達成可能な放射率値で入射熱負荷を再放射するのに十分に大きいと仮定して、多くの設計変更に適応させることができる。 However, the basic concept, the main body 220 of the collector 40, assuming sufficiently large to re-emit the incident thermal load actually achievable emissivity values ​​on critical surfaces, many it can be adapted to design changes.

また、LPPプラズマ形成時の又はそれからのプラズマ放射は、不均一であることが本出願人によって理解されている。 The plasma emission from the or at LPP plasma formation, it is uneven is understood by the applicant. 本出願人は、現在、放射が等方的分布ではなく、余弦又は同様の分布の形であると考えている。 The Applicant has now radiation rather than isotropic distribution, are considered to be in the form of cosine or similar distribution. 本出願人はまた、現在、熱放射エネルギ分布も非等方的であり、場合によっては光放出の形状、例えば上述のように余弦であると理解している。 The Applicant has also currently thermal radiation energy distribution is also anisotropic, and understand the shape of the light-emitting, and for example, a cosine, as discussed above in some cases. このような非等方性分布は、例えば、集光器40、及び例えばより詳細には集光器本体220及び集光器40反射光学面を差別的に加熱する可能性があり、これは、例えば集光器40の光学器械上に温度関連の変形又は面形状精度誤差をもたらす可能性がある。 Such non-isotropic distribution, for example, the collector 40, and for example, more likely to differentially heat the collector body 220 and a condenser 40 reflective optical surface, which, for example it can result in deformation or surface shape precision error of the temperature associated with the optics of the collector 40. 反射光学面にわたって大幅な温度変化が発生すると、集光器40光学器械の投射に及び/又は例えば光を利用するツールに焦点誤差が発生する可能性がある。 If significant temperature change occurs over reflective optical surface, the focus error tools that utilize and / or in e.g. an optical projection of the collector 40 optics may occur. 本出願人は、集光器40を例えばゾーン型加熱器で差別的に加熱することによって反射光学器械にわたる温度変化を補正しかつ管理することにより、この問題を解決することを提案する。 The Applicant, by correcting and managing the temperature change across reflecting optics by differentially heating the collector 40 for example in the zone heater, it is proposed to solve this problem. このような加熱器は、例えば、集光器の反射光学器械の個別の区域に対して異なる熱量を放射するように差別的に電力供給及び制御することができる。 Such heaters, for example, can be differentially power supply and control to emit heat different for the individual areas of the reflective optics of the collector. すなわち、熱に誘発された変形によって集光器40光学面上で面形状精度誤差の差別的分布が発生した場合、これらは、適切な加熱器アレイで集光器40を差別的に加熱することによって補正することができる。 That is, when the differential distribution of surface shape accuracy error on the collector 40 the optical surface by the induced deformations heat is generated, which is to differentially heat the collector 40 with a suitable heater array it can be corrected by.

図5Aには、本発明の実施形態の態様による例示的加熱器アレイ及び集光器冷却システム250を例示的かつ概略的に示している。 Figure 5A is an exemplary heater array and a condenser cooling system 250 according to aspects of an embodiment of the present invention exemplary and schematically illustrated. 図5Aによる実施形態は、必要に応じて、また差別的に、例えば図5B及び図5Cで以下により詳細に説明するようにゾーン別に集光器本体220を加熱する役目をするように、集光器本体220と冷却要素232の中間に幾何学的に形成された表面242に例えば位置決めされた例えば加熱器要素ワイヤの断面として概略的に示された加熱器要素240を示している。 Embodiment according to Figure 5A, if necessary, also to serve to heat the differentially, for example, FIG. 5B and collector body 220 by zone as described in more detail below in FIG. 5C, the condenser vessel and shows the body 220 with the intermediate geometrically heater element 240 shown schematically in forming surface 242, for example, as a cross-section of the positioned example heater element wires of the cooling element 232.

ここで図5及び図5Cを参照すると、例えばC110銅で形成された例えば銅基板から製作され、かつ例えば継手(図示せず)で互いに蝋付けすることができる第1の薄いプレート252と第2の厚いプレート254から形成することができる冷却要素/内部熱交換器232のそれぞれ斜視図と斜視断面図が示されており、第2の厚いプレート254は、半径方向の冷却ギャラリーに機械加工され、半径方向の冷却ギャラリーは、それぞれのギャラリーの間に流体経路ができるように相互接続することができるが、必ずしも必要ではない。 Here, FIG. 5 and Referring to FIG. 5C, for example, be fabricated from a copper substrate, for example formed by C110 copper, and for example, the joint between the first thin plate 252 (not shown) may be brazed to each other second are shown respectively a perspective view and a perspective sectional view of a thick plate 254 can be formed from the cooling element / internal heat exchanger 232 of the second thick plate 254 is machined in the radial direction of the cooling galleries, radial cooling gallery, can be interconnected to allow fluid path between the respective gallery, not always necessary. 蝋付け継手(図示せず)は、銅自体よりも強いものとすることができる。 Brazing joints (not shown) can be made stronger than the copper itself. また、他の形式の結合、例えば拡散接合が可能である。 Further, other types of bonds, such as can be diffusion bonded. 次に、組合せプレートアセンブリ232は、例えば打抜き又はダイ圧下により、集光器本体220の裏側の全体的形状に合うような適切な形状に形成するように成形することができる。 Next, the combination plate assembly 232, for example by stamping or die pressure, can be shaped to form the appropriate shape to fit the overall shape of the back side of the collector body 220.

C110は、388W/mKの熱伝達率及び10ksiの降伏応力を有するほぼ純粋な銅であり、そのためにC110は、比較的延性を有し、かつ集光器本体220の後部側に適合する形状に比較的容易に形成される。 C110 is a nearly pure copper having a yield stress of the heat transfer coefficient of 388W / mK and 10 ksi, for its C110 is relatively ductile, and shaped to conform to the rear side of the collector body 220 It is relatively easily formed. アセンブリにおいては、例えば、全ての真空湿式継手は、例えば一体性の高い蝋付け継手とすることができる。 In the assembly, for example, all of the vacuum wet joint, for example, can have high integrity brazing joint. 図5Bに示すように、このように形成された冷却要素232は、半径方向に延びるセラミックスペーサ244上に加熱器要素240、240'を取り付けるための構造を形成することができる。 As shown in FIG. 5B, the cooling element 232 thus formed is capable of forming a structure for attaching the heater element 240, 240 'on the ceramic spacer 244 extending radially.

ここで図5Cを参照すると、本発明の実施形態の態様による集光器及び温度制御アセンブリ222が断面斜視等方図で示されている。 Referring now to FIG. 5C, condenser and temperature control assembly 222 according to aspects of an embodiment of the present invention is shown in a cross-sectional perspective, such as Hoes. 温度制御アセンブリ222は、加熱器アセンブリ238と共に、例えば、集光器本体220及び冷却要素232を含むことができる。 Temperature control assembly 222, with the heater assembly 238, for example, can include a collector body 220 and cooling element 232. アセンブリ222は、図示のように、円形とすることができ、かつ、側壁取り付けリング(図示せず)によってLPPチャンバの側壁に取り付けることができる密封ブラケット262を含むことができる。 Assembly 222, as shown, can be circular, and may include a sealing bracket 262 can be attached by a side wall mounting ring (not shown) on the side wall of the LPP chamber. 密封ブラケット262には、密封リング260上に密封フランジ264を受け止めるための円形密封スロット265がその中に形成されており、これらは、例えば、リチウム又は他のプラズマソース媒体材料、又は他のデブリが冷却要素232の銅に到達しないようにシール、例えばラビリンスシールを互いに形成する役目をすることができる。 The sealing bracket 262, the circular seal slot 265 for receiving a sealing flange 264 on the sealing ring 260 is formed therein, which are, for example, lithium or other plasma sources media material, or other debris copper so as not to reach the seal of the cooling element 232 can be, for example, serves to form a labyrinth seal together.

密封リング260は、取り付けナット272によって取り付けリング270に取り付けることができる。 Sealing ring 260 may be attached by a mounting nut 272 in mounting ring 270. 取り付けリング270は、例えば、取り付けリングナット274によって少なくとも1つの駆動レーザビーム入口通路282(図5Cでは図示せず)の終点に形成された取り付けフランジ(図示せず)に取り付けることができる。 Mounting ring 270 may, for example, may be attached to at least one drive laser beam inlet passage 282 (not shown in FIG. 5C) mounting flange formed at the end of the by a mounting ring nut 274 (not shown). 駆動レーザビーム入口通路282(図5Cでは図示せず)の終点での取り付けフランジ(図示せず)近くの密封リング(図示せず)は、取り付けリング270上の環状棚部276と取り付けフランジ(図示せず)との間で冷却要素232上の環状リング236を所定の位置に保持する役目をすることができる。 Driving the laser beam inlet passage 282 mounting flange (not shown) (not shown) near the sealing ring, the flange mounting an annular ledge 276 on the mounting ring 270 (Figure at the end point (not shown in FIG. 5C) it can serve to hold the annular ring 236 on the cooling element 232 in place between the Shimese not).

加熱器アセンブリは、離間した四分円グループを形成する加熱器要素240及び/又は円形要素を形成する加熱器要素240'で形成することができる。 Heater assembly can be formed in the heater element 240 'to form the heater element 240 and / or circular elements forming the quadrant groups spaced. 要素240、240'の各々は、配線(図示せず)を流れる電流で別々に作動され、望ましい差別的加熱、例えばゾーン別加熱を達成するようにコントローラ(図示せず)で制御される。 Each element 240, 240 'are separately actuated by a current flowing through wiring (not shown), it is controlled by a controller (not shown) so as to achieve desired differential heating, for example by zone heating. セラミックスペーサ244は、加熱器要素240、240'を集光器本体220と冷却要素232の間の空間に、かついずれとも接触しないように保つことができる。 Ceramic spacer 244, the heater element 240, 240 'in the space between the collector body 220 and the cooling element 232, and can be kept out of contact with any.

集光器本体220は、集光器本体220円周の周りに間隔の空いた複数の保持アセンブリによって所定の位置に保持され、かつ一対の圧縮ボールで形成された環状外側保持リングを有するように形成することができ、一対の圧縮ボールの一方は、例えば取り付けリング270において、バネ268でバネ付勢されて集光器本体220を例えば密封リング260と取り付けリング270の間の定位置に固く保持することができるが、集光器本体220の比較的脆い、例えばガラス材料に過度に圧力を加えないものである。 Collector body 220 is held in position by a plurality of retaining assemblies spaced around the circumference collector body 220, and to have an annular outer retaining ring formed by a pair of compression ball can be formed, one of the pair of compression ball, for example, in mounting ring 270, tightly in place between the rings 270 attached, for example, sealing ring 260 of the collector body 220 is spring biased by a spring 268 holding it can be, but relatively brittle concentrator body 220, but not overly apply pressure for example, a glass material. 集光器40光学器械、例えば反射光学器械を形成する多層スタックは、環状保持リング288の内方に離間した集光器本体220上に形成するか又は取り付けることができることが理解されるであろう。 Concentrator 40 optics, for example, the multilayer stack forming the reflecting optics would be able to mount or form on the collector body 220 spaced inwardly of the annular retaining ring 288 is understood .

図5B及び図5Cに例示的に示す設計の利点の一部は、集光器40本体220の高放射率裏面の加熱が図5に示す設計で企図された加熱よりも効率的であると考えられる点である。 Some of the design of the advantages illustrated in the exemplary FIG. 5B and 5C, considered heating of high emissivity rear surface of the collector 40 the body 220 is more efficient than heating contemplated in the design shown in FIG. 5 in that is it. 更に、赤外線に対する集光器40光学器械の反射率は、光学器械がもしあっても、図5Aから図5Cで提案するようなアセンブリでは問題ではない。 Furthermore, the reflectivity of the collector 40 optics for infrared, even optic is if not a problem at assembly as proposed in Figure 5C from Figure 5A. 更に、LPPプラズマ形成チャンバ64からの冷却要素232の密封により、加熱器要素240、240'及び/又は冷却要素232を例えばプラズマソース媒体金属、例えばリチウムから保護するという問題が排除される。 Moreover, the sealing of the cooling element 232 from LPP plasma forming chamber 64, heater element 240, 240 'and / or cooling element 232, for example, a plasma source medium metals, for example the problem of protecting the lithium is eliminated. 差別的に制御可能な加熱器要素、及び同心円的及び/又は半径方向及び/又は方形配置のその位置決め、及び選択的な要素の通電は、必要に応じて集光器本体220の加熱の均一性をより良好に制御し、並びに必要に応じて集光器40のプラズマ生成側からの集光器本体220の差別的加熱に対して差別的に補正するように機能することができる。 Differentially controllable heater element, and concentrically and / or radially and / or positioning of the rectangular arrangement, and selective energization of elements, the uniformity of heating of the collector body 220 as needed It was better controlled, and can function to differentially corrected for differential heating of the collector body 220 from the plasma generation side of the concentrator 40 as needed. 更に、加熱器要素240、240'は、EUV光集光経路内の空間に関して競合せず、また、例えばターゲット液滴分布及び/又は追跡、又はプラズマ形成追跡、又は同様の器具及びサブシステムの配置を妨げるものでもない。 Moreover, heater element 240, 240 'do not compete for space EUV collector path, also for example the target droplet distribution and / or tracking, or plasma formation tracking, or similar arrangement of instruments and subsystems nor interfere with. また、アセンブリ222全体は、オプトメカニカル構成要素をプラズマ形成チャンバ内の高温から遮蔽する役目をすることができる。 Moreover, the entire assembly 222 may serve to shield the optomechanical components from the high temperature of the plasma formation chamber.

本出願人は、例えば反射性多層コーティングとの熱膨張係数(CTE)不適合の危険性が低いと考えられるので、表2に示すような何らかの形態のSiCが、集光器本体220基板に対する特性の最良の混合を有する場合があると現在考えている。 The Applicant has, for example, is considered to be low risk coefficient of thermal expansion (CTE) mismatch between the reflective multilayer coating, in some form, such as shown in Table 2 SiC is characteristic for the collector body 220 substrate it is presently considered to be the case with the best mixing. しかし、SiCは、硬質材料であり、従って研磨には時間が掛かるが、それをSi被覆及びダイヤモンド旋盤に掛け、次に研磨することができる。 However, SiC is a hard material, thus it takes time to polishing, it subjected to Si coatings and diamond turning may then be polished. しかし、例えば作製上の考慮により、Ni、例えば他のより軽量材料上のNiメッキ、Mo、Be、又は未加工Siのような他の材料が有用である場合がある。 However, for example, by making the considerations, there is a case Ni, for example, other lighter material on the Ni plating, Mo, Be, or other materials, such as raw Si are useful. しかし、このような他の材料の一部又は全てでは、CTEの問題が支配的になるであろう。 However, in some or all of such other materials would CTE problem becomes dominant.

図7から図9は、本発明の実施形態の態様によるLPPのEUV光源集光器40の熱管理システムの設計に関係するグラフを示している。 Figure 7-9 shows a graph relating to the embodiment aspect by thermal management system design of the LPP of the EUV light source collector 40 of the present invention.
図6に示すような本発明の実施形態の態様によれば、LPPのEUV光源に対するターゲット照明のための放射源として使用されるLPP駆動レーザビーム52は、真空チャンバ64内で使用することができると考えられる。 According to aspects of an embodiment of the present invention as shown in FIG. 6, LPP driving the laser beam 52 used as a radiation source for target illumination for the EUV light source of the LPP can be used in the vacuum chamber 64 it is conceivable that. このチャンバ64は、例えばビーム52のためのウィンドウを有することができ、このウィンドウ284は、例えば望ましい開始サイト32を含むレーザターゲット相互作用ゾーンから遠く離れた位置に配置することができる。 The chamber 64 is, for example, it can have a window for beam 52, the window 284 may be located far away from the laser target interaction zone including the start site 32 for example desirable. 例えばRu又はその他のような反射性金属で作られた集束光学器械300、例えばグレージング入射光学器械302は、望ましいプラズマ開始サイト32周りの相互作用ゾーンの望ましいプラズマ開始領域(すなわち、望ましいサイト32と異なるが、上述のように望ましいプラズマ開始領域内であれば、選択プラズマ開始サイト30[図6Aには図示せず]を含む)上にビーム52を集束させる役目をすることができる。 For example Ru or other focusing optic 300 made of a reflective metal as, for example, grazing incidence optics 302, preferably plasma initiation region of the interaction zone of the desired plasma initiation site 32 around (i.e., different from the desired site 32 but, if the desired plasma initiation region as described above, may serve to focus the beam 52 onto the selected plasma initiation site 30 [in FIG. 6A not shown] containing). 集束光学器械300は、例えば、当業技術で示されているような入れ子状のそのような表面を含む集束光学器械300の表面、例えば楕円面302に沿った点にビーム52の光線が入射するように、焦点がレンズ54と集束光学器械52の間にある集束レンズ54をビーム52が例えば通った後にビーム52を集束させることができる。 Focusing optic 300, for example, the surface of the focusing optic 300 that includes a nested such surfaces as shown in the art, the light beam 52 in that example along the elliptical surface 302 is incident as such, it is possible to focus the beam 52 after the focusing lens 54 passes through beam 52, for example, between the focal point of the lens 54 and the focusing optic 52. 従って、グレージング光学器械300表面302に到達する光は、集束レンズ54とグレージング入射光学器械300との中間にある集束レンズ54の焦点にある光源から来たように見えるであろう。 Thus, the light reaching the glazing optics 300 surface 302 will appear to come from the light source at the focal point of the converging lens 54 in the middle of a focusing lens 54 and the grazing incidence optics 300. また、グレージング入射光学器械300の代わりに、直角入射反射光学器械も使用することができる。 Instead of grazing incidence optics 300 can also be used normal incidence reflection optics. 光学要素302は、楕円、双曲面、卵形、放物線、又は球形など、又はその組合せとすることができ、チャンバ64の内側にある相互作用ゾーン内のプラズマ開始サイト32、30にビーム52をより良く集束させるように機能する。 The optical element 302 is elliptical, hyperbolic surface, oval, parabolic, or spherical etc., or can be a combination thereof, more beam 52 to a plasma initiation site 32, 30 within the interaction zone on the inside of the chamber 64 It may serve to focus. 直径が約1mmとすることができる例えば分離壁304内の小さな開口を用いると、例えばターゲットデブリ材料及び他のデブリ材料が集束レンズ54に到達するのを阻止することができる。 With a small opening in diameter in example separation wall 304 may be approximately 1 mm, it is possible to prevent for example the target debris material and other debris materials from reaching the focusing lens 54.
従って、本発明の実施形態の態様によれば、EUV光集光光学器械の態様は、レーザ放射線を例えば望ましいプラズマ開始サイト周りの望ましいプラズマ開始領域内の選択プラズマ開始サイト30に集束させるようになっている。 Therefore, according to aspects of an embodiment of the present invention, aspects of the EUV collector optics is adapted to focus on the selected plasma initiation site 30 of the desired plasma initiation region around the laser radiation for example, desirable plasma initiation site ing. こうして、加熱及び蒸発などの全ての保護手法及び以下に説明するものを含む他のものは、この光学器械300に対しても使用することができる。 Thus, the heating and evaporation others, including those described all protection measures and following such, can also be used for this optic 300.

図6Bに示す本発明の実施形態の態様によれば、反射体300'シェルを形成する放物線反射体表面310を使用してビーム52を集束させることができる。 According to aspects of an embodiment of the present invention shown in FIG. 6B, it is possible to focus the beam 52 using the parabolic reflector surface 310 to form a reflector 300 'shell. 図6Cに示すように、表面の組合せを使用して、例えば、直列の楕円、又は放物面320続いて共焦及び同軸放物面322の組合せを含む「Wolter」反射体を使用して、集光器40(図6Aから図6Dでは図示せず)の焦点付近に、すなわち、望ましいプラズマ開始領域内の選択プラズマ開始サイトにビーム52を集束させることができる。 As shown in FIG. 6C, using a combination of surface, for example, using a series of elliptical, or followed paraboloid 320 comprising a combination of confocal and concentric paraboloid 322 "Wolter" reflector, the focal point near the condenser 40 (not shown in FIG. 6D Figures 6A), i.e., it is possible to focus the beam 52 to a selected plasma initiation site of the desired plasma initiation region. 図6Dにおいては、ビーム52は、平坦又は曲面光学器械330を通過させて平坦又は曲面反射面332に当てて集光器焦点32で集束する。 In Figure 6D, the beam 52 is focused by concentrator focus 32 against a flat or curved reflecting face 332 by passing through a flat or curved optics 330. 例えば、曲面光学器械330に対しては、例えば、平坦光学器械反射面332が光学器械330の焦点と光学器械330自体の間にあり、平坦光学器械332は、集光器焦点32上に集束する。 For example, for the curved optics 330, for example, flat optics reflective surfaces 332 is between the focus and the optical instrument 330 itself optics 330, flat optics 332 is focused on the concentrator focus 32 . 平坦光学器械332は、例えば円錐レーザビーム入力通路(図12に示す)の一部とすることができる。 Flat optics 332, for example, may be part of the conical laser beam input path (shown in FIG. 12).

ここで図10A及び図10Bを参照すると、それぞれ、図10Bの断面線10Aに沿った側面断面図、及び集光器40のデブリ遮蔽体を有する集光器40及びデブリ遮蔽体内の箔セパレータ500、502の正面図が概略的に示されている。 Referring now to FIGS. 10A and 10B, respectively, a side cross-sectional view taken along section line 10A of FIG. 10B, and a condenser 40 and debris shield body of the foil separators 500 having a debris shield of the collector 40, front view of 502 is shown schematically. 一例として、集光器40は、回転軸に関して対称の楕円反射面を形成することができ、デブリ遮蔽体の箔セパレータ500、502は、この楕円反射面の焦点32の中間にある。 As an example, the concentrator 40 may form an elliptical reflecting surface symmetrical about the axis of rotation, the foil separators 500, 502 of the debris shield, in the middle of the focus 32 of the ellipsoidal reflective surface. 箔セパレータ500、502は、例えば、本質的に集光器40と残材遮蔽体の駆動レーザビーム開口部からデブリ遮蔽体の半径範囲まで延びることができる交互する長い箔セパレータ500と、例えば、半径範囲から半径範囲の中間の位置まで延びる短い箔セパレータ502と、駆動レーザビーム52開口部とを含むことができる。 Foil separators 500 and 502, for example, an essentially longer foil separators 500 alternating may extend from the drive laser beam aperture of the collector 40 and the remainder shield to a radius range of the debris shield, for example, the radius short foil separator 502 that extends from the range to the intermediate position of the radial extent, may include a drive laser beam 52 opening. 薄い箔セパレータ500は、同じくできるだけ薄い短い箔シート502と共に、構造的にできるだけ薄い箔シートを含むことができ、すなわち、焦点32から集光器40反射面まで、更に中間焦点42までのEUV光線経路に整列した光通路を形成することができる。 Thin foil separator 500, like with the thinner shorter the foil sheet 502, structurally may comprise as much as possible thin foil sheet, i.e., EUV light path from the focal point 32 to the collector 40 the reflecting surface, to further intermediate focus 42 it is possible to form a light path that is aligned. 長い箔セパレータ500と短い箔セパレータ502との混合は、例えば、構造的一体性又は箔シート500、502のデブリ除去機能を著しく落とすことなく光通路開口部を大きくする役目をすることができる。 Mixing of the long foil separator 500 and short foil separator 502 can, for example, serve to increase the light passage opening without reducing significantly the debris removal function of structural integrity or foil sheet 500, 502. また、箔シートは、複数の長さとすることができ、すなわち、短い箔自体を異なる長さとし、かつ介在する長い箔シートセパレータと共に何らかのパターンで回転軸に関して分布させるか、又は代替的なランダムにそのように分布させることができることも企図されている。 Further, the foil sheet may be a plurality of lengths, i.e., the short foil itself different lengths Satoshi, and in some pattern with long foil sheet separator interposed or are distributed about the axis of rotation, or alternative random it is also contemplated that can be distributed as.

箔シート500、502は、そうでなければ集光器40に到達すると考えられる、ターゲット材料自体を有する化合物であるか否かを問わず例えばリチウムターゲット材料内に導入された不純物の化合物を含むリチウム又は他のターゲット金属及び/又はその化合物をメッキする役目をすることができることが理解されるであろう。 Foil sheets 500 and 502 is believed to reach the collector 40 otherwise, lithium containing compound of impurities introduced into the compound at which whether the matter without example in lithium target material having a target material itself or other target metals and / or compounds thereof that it is possible to serve to plating will be appreciated. また、箔シートセパレータ500、502は、他のデブリ緩和の影響を有することができる。 Further, the foil sheet separator 500 and 502 may have the effect of other debris mitigation. 更に別の到達材料、例えばリチウム及びリチウムイオンは、箔セパレータシート500、502から材料をスパッタリングすることができる。 Further reach materials, such as lithium and lithium ion can be sputtered material from the foil separator sheet 500 and 502. 集光器デブリ遮蔽体セパレータ箔シート500、502を加熱すると、セパレータ箔シート500、502上のメッキ後にセパレータ箔シート500、502上にメッキされた材料の一部を蒸発させることができる。 Heating the collector debris shield separator foil sheets 500 and 502, it can be evaporated portion of the plated material on the separator foil sheets 500 and 502 after the plating on the separator foil sheets 500, 502.

RFコイル510は、デブリ遮蔽体と焦点32のプラズマ開始との中間にプラズマ障壁を形成し、例えば高速移動イオン及び/又は他の形態のデブリを例えば減速させて散乱させ、そのためにこのようなイオン又はデブリは、最終的に箔シート500、502上に堆積する。 RF coil 510, a plasma barrier formed intermediate the plasma start of the debris shield and the focus 32, for example fast moving ions and / or debris other forms, for example, slowing scatter, such ions to the or debris, finally deposited on the foil sheet 500, 502. 例えば永久磁石又は電磁石とすることができるステアリング磁石512、514により作り出された磁場は、例えばLPPプラズマによって又はRF誘導プラズマによって生じたイオンをデブリ遮蔽体の区域の前に及び/又はその区域内に誘導され、集光器40及びその敏感な多層反射面から遠ざける役目をすることができる。 For example magnetic field produced by the steering magnets 512, 514 which may be a permanent magnet or an electromagnet, for example an ion caused by or RF induction plasma by LPP plasma and / or in the zone prior to the zone of the debris shield induced, it can serve away from the condenser 40 and its sensitive multilayer reflective surface.

ここで図11を参照すると、例示的なEUVエネルギ検出システム及び集光器効率計測システムが概略的に横断面で示されており、これらは、例えばシャッタ520の作動により、望ましいプラズマ開始サイト32周りの望ましいプラズマ開始領域内のプラズマ開始サイトで例えば始まるEUV光に例えば間欠的に露光させることができるEUV基準測定アーム518内のEUV電力検出器(電力計)162'を含むことができる。 Referring now to FIG. 11, an exemplary EUV energy detection system and collector efficiency measurement system is shown in cross section schematically, they are, for example by the operation of the shutter 520, the desired plasma initiation site 32 around it can contain the desired plasma initiation region of EUV power detector in the EUV reference measurement arm 518 to the plasma initiation site, for example, starting EUV light can for example be intermittently exposed (power meter) 162 '. また、EUV光集光器効率計測システムの一部は、チャンバ64内で集光器40(図11では図示せず)からの光通路を著しく阻止しないような場所に配置されるが、例えば集光器40上の実際の多層反射面と比較的同じ量でプラズマデブリを受けるように位置決めされ、例えば、同じ材料で作られた例えば集光器サンプル530とすることができる。 Part of the EUV light collector efficiency measurement system, but is positioned in a location so as not to significantly block the light path from the condenser 40 (in FIG. 11 not shown) in the chamber 64, for example, collecting positioned to receive plasma debris in relatively the same amount as the actual multilayer reflective surfaces on the optical device 40, for example, can be, for example, collector sample 530 made of the same material. 集光器サンプル530はまた、実際の集光器40反射面を保護し、及び/又は実際の集光器40反射面のものに対するデブリ露光の差異に対処する何らかの方法で較正するために実施された同じ保護をそれがもしあれば模擬する方法でデブリから保護することができる。 Collector sample 530 may also be performed to calibrate the actual concentrator 40 to protect the reflective surfaces, and / or some way to deal with differences in the debris exposure to what the actual concentrator 40 the reflecting surface and the same protection can be protected from debris in a manner that simulates if it it.

集光器効率計測システムは、例えばシャッタ520を開き、同時にEUV測定アーム522端部のEUV電力計162''を読み取ることにより、EUV基準測定アーム518内のEUV電力計162'をプラズマ開始サイト32でプラズマから発するEUVに露光させることによって作動させることができることが理解されるであろう。 Collector efficiency measurement system, for example, opens the shutter 520 'by reading, EUV power meter 162 in EUV reference measurement arm 518' EUV power meter 162 'of EUV measuring arm 522 end at the same time the plasma initiation site 32 in it it will be understood that can be activated by exposing the EUV emitted from the plasma. これは、例えば、プラズマ開始サイト32で生成されたEUVと集光器サンプル530から検出器162''に反射されたEUVとの間の差異を与えることができる。 This, for example, can give a difference between EUV reflected to the detector 162 '' from the EUV and collector samples 530 generated by the plasma initiation site 32. これは、集光器自体が反射する光の量が集光器40反射面に到達するプラズマ開始サイトから放出された光の全てよりも少ないのと同様に、例えば集光器サンプル530上の多重反射コーティングの反射率損失により初めから異なる値である場合がある。 This is just as less than all of the light amount of light emitted from the plasma initiation site reaching the collector 40 the reflecting surface where the condenser itself is reflected, for example, multiple on the collector samples 530 it may be a different value from the beginning by the reflectivity loss of the reflective coating. しかし、時間と共に、この差異の変化は、集光器40の作動、例えばそこでのデブリ形成の悪影響を反映する場合がある。 However, with time, the change in this difference, operation of the collector 40, for example, may reflect a negative impact of the debris formation therein. これを利用すると、例えばEUV検出器162'及び162''で感知されたEUV光間の差異の経時的な変化から、例えば集光器40性能により、例えばIFで又はリソグラフィツール内で受け取られたEUVにより、システム全体の計量測定の他の面を較正することができる。 That way, for example, from changes over time differences between sensed EUV light in EUV detector 162 'and 162' ', for example by collector 40 performance, for example, received by the IF or the lithography tool the EUV, it is possible to calibrate the other aspects of the overall system weighing measurement. また、それぞれのターゲット、例えばそれぞれのターゲット20を照射する例えば駆動レーザタイミング間違いを検出する目的でプラズマ開始サイト32、30で生成されたEUVエネルギの例えば幾何学的均衡を検出するために、検出器162'は、上述のように、図1に示す検出器162のアレイの一部の役目をすることが理解されるであろう。 Further, each target, for example, to detect for example geometrical balance of EUV energy generated by the plasma initiation site 32, 30 in irradiating each target 20 for example the purpose of detecting the driving laser timing error, the detector 162 ', as described above, it will be provided in part of the role of the array of detector 162 shown in FIG. 1 will be understood.

ここで図12を参照すると、例えば、駆動レーザ集束光学器械を保護する1つの形態のデブリ管理システムが概略的に横断面で示されており、これは、例えば駆動レーザビーム入力通路282内の駆動レーザ入力ウィンドウ54を形成することができる。 Referring now to FIG. 12, for example, debris management system of one embodiment for protecting the drive laser focusing optic is shown in cross section schematically, which, for example, driving in the drive laser beam input path 282 it is possible to form the laser input window 54. 駆動ビーム入力通路282は、それを取り囲んで、EUVプラズマ開始サイト32に向かって一端にプラズマ形成機構、例えばプラズマ形成RFコイル540を有することができ、これは、作動中に、レーザビーム入力通路282を例えば集光器の駆動レーザビーム開口部を通じてレーザビーム入力通路282に入るデブリ、例えばプラズマソース媒体、例えばターゲット金属、原子、及び/又はイオン、例えばリチウム及びリチウム化合物及びリチウム不純物化合物、原子、及び/又はイオンを例えばイオン化又は更にイオン化する役目をすることができる。 Drive beam input path 282 surrounds it, the plasma forming mechanism at one end toward the EUV plasma initiation site 32 may have, for example, plasma formation RF coil 540, which, during operation, the laser beam input path 282 debris entering the laser beam input path 282, for example via drive laser beam aperture of the collector, for example, a plasma source media, for example the target metal, atoms, and / or ions, such as lithium and lithium compounds and lithium impurities compounds, atoms and, / or example ionized or even can serve to ionize. EUVプラズマ開始サイトで形成され、及び/又はRFコイル540によってレーザビーム通路282内に形成されたプラズマ開始RF場で形成又は更に通電されたイオンは、次に、ステアリング磁石550によって誘導することができる。 Formed by EUV plasma initiation site, and / or ions formed or is further energized by the plasma initiation RF field formed in the laser beam path 282 by the RF coil 540, then, it can be induced by the steering magnet 550 . また、コイル540によって形成されたRF場は、EUVプラズマ開始領域から通路282に入るイオンを減速する役目をする。 Also, RF field formed by the coil 540 serves to decelerate the ions to enter the passage 282 from the EUV plasma initiation region. ステアリング磁石550は、レーザビーム入力通路282内のプラズマを曲げて、ある一定の角度で例えばレーザビーム入力通路282に直交して延びるデブリトラップ523に入れるステアリング磁場を形成することができる。 Steering magnets 550 can bend the plasma in the laser beam input path 282, to form a steering magnetic field to take into debris trap 523 extending perpendicular to the predetermined angle, for example, a laser beam input path 282 in. そのように誘導されたデブリの流れは、例えば、何らかの電圧−Uまで負に帯電してデブリの流れ534に含まれたデブリ材料をメッキすることができる帯電板552に入射することができる。 Its derived debris flows as, for example, can be incident on the charge plate 552 may be plated a debris material contained in debris flow 534 charged negatively to some voltage -U.

例えば、ウィンドウ/レンズ54によって形成された光学器械の保護を更に高めるのは、駆動レーザ入口通路282を通じたパージガス入口560からパージガス出口562までのパージガス、例えばヘリウムの流れであろう。 For example, increase the protection of the optics formed by the window / lens 54 further purge gas from the purge gas inlet 560 through the drive laser inlet passage 282 to the purge gas outlet 562 will flow, for example helium. 代替的に、パージガスは、図12に例示的に示すように、パージガス入口560の代わりに又はパージガス入口560に加えて、円錐レーザビーム入口管570を通じてパージガスをチャンバ64に排気することができる。 Alternatively, the purge gas, as exemplified in FIG. 12, instead of or in addition to the purge gas inlet 560 of the purge gas inlet 560, a purge gas can be evacuated to the chamber 64 through the conical laser beam inlet pipe 570.

ここで図13を参照すると、例えば、駆動レーザ入口通路282のウィンドウ/レンズ54の保護のための別の形式のデブリ管理システムが概略的に横断面で示されている。 Referring now to FIG. 13, for example, another format debris management system for the protection of the window / lens 54 of the drive laser inlet passage 282 is shown in cross-section schematically. 図13のこのシステムは、駆動レーザ入力通路282内で例えば駆動レーザ集束レンズ300に向かう途中に駆動レーザビーム52を集束させることができる開口582を有する例えば遮蔽板を含むことができ、パージガス入口560は、遮蔽板580の駆動レーザビーム入力側にあり、パージガス出口562は、遮蔽板580の集光器40側にある。 The system of Figure 13 may include, for example, shielding plate having an opening 582 capable of focusing the drive laser beam 52 on the way to drive laser input passage 282 within, for example, driving a laser focusing lens 300, a purge gas inlet 560 is in the drive laser beam input side of the shielding plate 580, the purge gas outlet 562 is on the condenser 40 side of the shielding plate 580. また、図13のシステムは、EUVプラズマ開始領域から通路に入るイオンを減速させる役目をすることができ、例えば、RFコイル540を含むことができる。 The system of Figure 13 may serve to decelerate the ions to enter the passage from the EUV plasma initiation region, for example, it may include an RF coil 540.

駆動レーザ入力通路282内のプラズマ集束光学器械300は、例えば図12の実施形態では駆動レーザ入口通路282のEUVプラズマ開始端と光学器械54との間は300mmであるのに対して、より長い駆動レーザ入力通路、例えば駆動レーザ入口通路282のEUVプラズマ開始端と遮蔽板580の間で1000mmを可能にするように、例えば駆動レーザビーム52をターゲットプラズマ開始サイト32に再集束させる役目をすることができることが理解されるであろう。 Plasma focusing optic 300 in the drive laser input passage 282, for example, whereas in the embodiment of FIG. 12 between the EUV plasma initiation end and the optics 54 of the drive laser inlet passage 282 is 300 mm, the longer the drive laser input path, for example to allow 1000mm between the shield plate 580 and EUV plasma initiation end of the drive laser inlet passage 282, that serve to refocus example the drive laser beam 52 to the target plasma initiation site 32 It could be understood. これは、例えば、駆動レーザビーム入口通路282のEUVプラズマ開始サイト32端と遮蔽板580の間でのデブリのより多くの消散及び収集を可能にすることができ、少なくともデブリが開口582で最小に維持され、開口582を通るデブリの通過を阻止して開口582を通るパージガスの流れを促進する。 This, for example, can allow for more dissipation and collection of debris between the EUV plasma initiation site 32 end and the shielding plate 580 of the drive laser beam inlet passage 282, at least debris to a minimum at the aperture 582 It is maintained, to facilitate the flow of purge gas through the opening 582 to block the passage of debris through the opening 582. 開口582は、約1mmの開口部を有し、かつ光学器械54の焦点に配置することができる。 Opening 582 has an opening of about 1 mm, and can be arranged at the focal point of optics 54. 次に、レーザビーム56は、光学器械54によって開口582のオリフィスの近くの焦点590に集束させられる。 Then, the laser beam 56 is focused by optics 54 in the vicinity of the focal point 590 of the orifice of the opening 582. 次に、ミラー302は、ビーム54をプラズマ開始サイト32に再集束させる。 Then, the mirror 302 is re-focus the beam 54 to a plasma initiation site 32. 駆動レーザ入口通路282の側壁は、負の電圧に維持することができ、及び/又は磁場を利用してデブリが通路282のEUVプラズマ開始サイト端と遮蔽板580との中間にある駆動レーザ入口通路282の内部壁に流れて堆積するのを容易にすることができる。 Side wall of the drive laser inlet passage 282 may be maintained at a negative voltage, and / or drive laser inlet passage intermediate the EUV plasma initiation site end and the shielding plate 580 of the debris passage 282 by utilizing a magnetic field from being deposited flows inside wall 282 can be facilitated.

駆動レーザ集束光学器械300はまた、コイル540からのあらゆるRF加熱に加えて、電気接続部(図示せず)によって電気的に加熱することができ、グレージング入射角でさえもEUVではなく、例えば駆動レーザビーム52のDUVに対して反射性であるから、EUV又はデブリを開口580に再度集束させない。 Drive laser focusing optic 300 also includes, in addition to any RF heating coil 540, electrical connections (not shown) by can be electrically heated, rather than EUV even at grazing angles of incidence, for example driving because it is reflective to DUV laser beam 52, not focused again EUV or debris into the opening 580. レーザ集束光学器械300は、金属ミラー302を有することができる。 Laser focusing optic 300 may have a metal mirror 302.
以上により、本発明の態様を説明した。 Thus it has been described the embodiments of the present invention.

本発明の実施形態の態様の概略図である。 It is a schematic diagram of aspects of an embodiment of the present invention. 図1に概略図で示す本発明の態様の側面図である。 It is a side view of the embodiment of the present invention shown schematically in Figure 1. 図1及び図2に示す本発明の実施形態の態様の概略図の更に別の詳細を示す図である。 It is a diagram illustrating still another detailed schematic diagram of aspects of an embodiment of the present invention shown in FIGS. 本発明の実施形態の態様によるEUV方法システムのブロック図である。 It is a block diagram of an EUV process system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様による原位置リチウム純化システムの概略図である。 It is a schematic diagram of situ lithium purification system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態による集光器の実施形態の態様を示す図である。 It shows an aspect of an embodiment of the collector according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様による図5の変形を示す図である。 According to aspects of an embodiment of the present invention is a diagram showing a modification of FIG. 本発明の実施形態の態様による図5の変形を示す図である。 According to aspects of an embodiment of the present invention is a diagram showing a modification of FIG. 本発明の実施形態の態様による図5の変形を示す図である。 According to aspects of an embodiment of the present invention is a diagram showing a modification of FIG. 本発明の実施形態の態様によるLPPのEUVシステムの実施形態の更に別の態様を示す図である。 Is a diagram illustrating still another aspect of an embodiment of a LPP EUV system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様によるLPPのEUVシステムの実施形態の更に別の態様を示す図である。 Is a diagram illustrating still another aspect of an embodiment of a LPP EUV system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様によるLPPのEUVシステムの実施形態の更に別の態様を示す図である。 Is a diagram illustrating still another aspect of an embodiment of a LPP EUV system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様によるLPPのEUVシステムの実施形態の更に別の態様を示す図である。 Is a diagram illustrating still another aspect of an embodiment of a LPP EUV system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 450mm(5πsr集光角度)と250mm(2πsr集光角度)の集光器直径に関する照明器入力立体角の関数としての本発明の態様によるレーザ生成プラズマと中間焦点の間の距離関係の図である。 A diagram of the distance relationship between by the laser-produced plasma and an intermediate focal aspect of the present invention as a function of the illuminator input solid angle about the concentrator diameter of 450mm (5πsr collection angle) and 250mm (2πsr collection angle) . W/cm 2の熱負荷と5πsr集光器に対する集光器ミラー直径との間の関係、及び地球上に入射する太陽放射線、すなわち、≒14W/cm 2からの概算熱負荷との比較の図である。 The relationship between the collector mirror diameter and for W / cm 2 of the heat load and 5πsr collector, and a solar radiation incident on the earth, namely, a diagram of comparison of the estimated heat load from ≒ 14W / cm 2 it is. 400℃及び500℃でのミラー直径の関数としての放射率の図である。 It is a diagram of the emissivity as a function of the mirror diameter at 400 ° C. and 500 ° C.. 本発明の実施形態の態様による3次元物理的デブリ遮蔽体を有する集光器の概略図である。 It is a schematic view of a collector having a three-dimensional physical debris shield according to aspects of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様による3次元物理的デブリ遮蔽体を有する集光器の概略図である。 It is a schematic view of a collector having a three-dimensional physical debris shield according to aspects of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様による方法システムの概略横断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a method system according to an aspect of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様によるデブリからシステム光学器械を保護するための機器及び方法の概略横断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of the apparatus and method for protecting the system optics from debris according to aspects of an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の態様による図12のものに対する代替的な実施形態の概略横断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of an alternative embodiment for that of Figure 12 according to an aspect of an embodiment of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

32 望ましいプラズマ開始サイト 92 ターゲットストリーム 104、106 円筒形レンズ 108 レーザビーム 110、112 集束レンズ 32 desired plasma initiation site 92 target stream 104 cylindrical lens 108 laser beam 110 focusing lens

Claims (109)

  1. プラズマ開始ターゲットを送出するようになったターゲット送出システムと、望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するEUV光集光光学器械とを含むレーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源制御システムであって、 A target delivery system adapted to deliver plasma start target, a laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source control system including a EUV collector optics having a focal defining a desired plasma initiation site ,
    ターゲット追跡及びフィードバックシステム、 Target tracking and feedback system,
    を含み、 It includes,
    前記ターゲット追跡及びフィードバックシステムは、 Said target tracking and feedback system,
    ターゲットストリーム進路の画像を出力として供給する少なくとも1つの撮像装置と、 At least one imaging device for supplying an image of the target stream path as an output,
    望ましいプラズマ開始サイトと交差する望ましいストリーム進路からの前記ターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも1つ軸線における該ターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出するストリーム進路誤差検出器と、 And stream path error detector for detecting an error in the position of the target stream path in at least one axis substantially perpendicular to the target stream path from the desired stream path intersecting the desired plasma initiation site,
    を含む、 including,
    ことを特徴とするシステム。 System, characterized in that.
  2. 前記ターゲット進路に照準し、かつ前記ターゲット進路内の選択スポットを通るターゲットの通過を検出する少なくとも1つのターゲット横断検出器、 It said to aim at the target track, and at least one target cross detector for detecting the passage of a target through selected spots in the target path,
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の機器。 The apparatus of claim 1, further comprising a.
  3. 前記少なくとも1つのターゲット横断検出器は、少なくとも第1のターゲット横断検出器及び第2のターゲット横断検出器である、 Wherein the at least one target cross detector is at least a first target cross detector and the second target cross detector,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項2に記載の機器。 Equipment according to claim 2, characterized by further comprising.
  4. 駆動レーザ出力パルスが、前記ターゲット進路に沿って前記望ましいプラズマ開始サイトへのほぼその最も近い接近時に選択プラズマ開始サイトで前記プラズマ開始ターゲットと交差するために、前記ターゲット横断検出器の出力を利用して駆動レーザトリガのタイミングを判断する駆動レーザトリガ機構、 Driving the laser output pulses, in order to cross the plasma start target substantially to its closest approach at the selected plasma initiation site to the target course the desired plasma initiation site along, using the output of the target cross detector drive laser trigger mechanism for determining the timing of driving the laser trigger Te,
    を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の機器。 Further device according to claim 2, characterized in that it comprises a.
  5. 前記ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対してプラズマ開始サイトの該ターゲット進路に沿った位置を検出するプラズマ開始検出器、 Said to aim at the target track, the plasma start detector for detecting the position along the target path of a plasma initiation site for each target,
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の機器。 The apparatus of claim 1, further comprising a.
  6. 前記ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対してプラズマ開始サイトの該ターゲット進路に沿った位置を検出するプラズマ開始検出器、 Said to aim at the target track, the plasma start detector for detecting the position along the target path of a plasma initiation site for each target,
    を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の機器。 Further device according to claim 2, characterized in that it comprises a.
  7. 前記ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対してプラズマ開始サイトの該ターゲット進路に沿った位置を検出するプラズマ開始検出器、 Said to aim at the target track, the plasma start detector for detecting the position along the target path of a plasma initiation site for each target,
    を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の機器。 Equipment according to claim 3, further comprising a.
  8. 前記ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対してプラズマ開始サイトの該ターゲット進路に沿った位置を検出するプラズマ開始検出器、 Said to aim at the target track, the plasma start detector for detecting the position along the target path of a plasma initiation site for each target,
    を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の機器。 Further device according to claim 4, characterized in that it comprises a.
  9. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の機器。 The apparatus of claim 1, further comprising a.
  10. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の機器。 Further device according to claim 2, characterized in that it comprises a.
  11. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の機器。 Equipment according to claim 3, further comprising a.
  12. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の機器。 Further device according to claim 4, characterized in that it comprises a.
  13. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の機器。 Equipment according to claim 5, further comprising a.
  14. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の機器。 The apparatus of claim 6, further comprising a.
  15. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の機器。 The apparatus of claim 7, further comprising a.
  16. 中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも1つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、 Intermediate focus illuminator for imaging the opening to the at least one imaging device against an aperture formed in the intermediate focus,
    を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の機器。 The apparatus of claim 8, further comprising a.
  17. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項9に記載の機器。 The apparatus of claim 9, further comprising the.
  18. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項10に記載の機器。 The apparatus of claim 10, characterized by further comprising.
  19. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項11に記載の機器。 The apparatus of claim 11, further comprising the.
  20. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項12に記載の機器。 The apparatus of claim 12, further comprising the.
  21. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項13に記載の機器。 The apparatus of claim 13, further comprising the.
  22. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項14に記載の機器。 The apparatus of claim 14, further comprising the.
  23. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項15に記載の機器。 The apparatus of claim 15, further comprising the.
  24. 前記少なくとも1つの撮像装置は、少なくとも2つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも2つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、 Wherein at least one imaging device is at least two imaging devices, each said at least on the basis of the analysis of the image in a respective one of the two imaging devices, said target from the vertical central axis of the intermediate-focus image supplying an error signal associated with the separation of the path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項16に記載の機器。 The apparatus of claim 16, further comprising the.
  25. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項17に記載の機器。 The apparatus of claim 17, wherein the.
  26. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項18に記載の機器。 The apparatus of claim 18, characterized in that.
  27. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項19に記載の機器。 The apparatus of claim 19, wherein the.
  28. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項20に記載の機器。 The apparatus of claim 20, wherein the.
  29. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項21に記載の機器。 The apparatus of claim 21, wherein the.
  30. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項22に記載の機器。 The apparatus of claim 22, characterized in that.
  31. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項23に記載の機器。 The apparatus of claim 23, wherein the.
  32. ターゲット送出フィードバック及び制御システム、 Target delivery feedback and control system,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、 The target delivery feedback and control system,
    ターゲット送出ユニットと、 And target delivery unit,
    少なくとも第1の撮像装置内の画像の分析から導出された第1の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第2の撮像装置内の画像の分析から導出された第2の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、 In at least a first axis corresponding to the first displacement error signal derived from the analysis of the image in the imaging device, and at least a second displacement error signal derived from the analysis of the second image in the image pickup apparatus a target delivery displacement control mechanism for displacing the target delivery mechanism in the corresponding axis,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項24に記載の機器。 The apparatus of claim 24, wherein the.
  33. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項25に記載の機器。 The apparatus of claim 25, wherein the.
  34. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項26に記載の機器。 The apparatus of claim 26, wherein the.
  35. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項27に記載の機器。 The apparatus of claim 27, wherein the.
  36. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項28に記載の機器。 The apparatus of claim 28, wherein the.
  37. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項29に記載の機器。 The apparatus of claim 29, characterized in that.
  38. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項30に記載の機器。 The apparatus of claim 30, characterized in that.
  39. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項31に記載の機器。 The apparatus of claim 31, characterized in that.
  40. EUV出力光エネルギ検出機構、 EUV output light energy detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記EUV出力光エネルギ検出機構は、 The EUV output light energy detection mechanism,
    前記中間焦点に到達するEUV光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したEUV光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のEUV光エネルギ検出器と、 Wherein is arranged to measure the EUV light energy reaching the intermediate focus, and each respective of the plurality of providing an output signal representative of the amount of the EUV light energy detected by the detector EUV light energy detector,
    各EUV光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのEUV光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてEUV光エネルギ誤差信号を判断するEUV光エネルギ誤差信号発生器と、 It receives the output of the EUV light energy detector, and the EUV light energy error signal generator for determining the EUV light energy error signal based on the comparison of the respective values ​​of the output signal of each of the EUV light energy detector ,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする請求項32に記載の機器。 The apparatus of claim 32, characterized in that.
  41. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    画像データを供給する前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 One of said at least two imaging apparatus supplies image data,
    を含み、 It includes,
    前記画像データから、前記少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける該画像データの分析に基づく望ましいプラズマ開始サイトからの実際のプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく前記中間焦点の前記画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を判断することができる、 From the image data, in the separation of the first axis of the actual plasma initiation site from the desired plasma initiation site based on the analysis of the image data in one said each of the at least two imaging devices, said each of the imaging apparatus to determine a first error signal associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image it is,
    ことを特徴とする請求項33に記載の機器。 The apparatus of claim 33, characterized in that.
  42. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項34に記載の機器。 The apparatus of claim 34, wherein the.
  43. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項35に記載の機器。 The apparatus of claim 35, characterized in that.
  44. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項36に記載の機器。 The apparatus of claim 36, characterized in that.
  45. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項37に記載の機器。 The apparatus of claim 37, characterized in that.
  46. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項38に記載の機器。 The apparatus of claim 38, characterized in that.
  47. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項39に記載の機器。 The apparatus of claim 39, wherein the.
  48. 開始サイト誤差検出機構、 Start site error detection mechanism,
    を更に含み、 Further comprising a,
    前記開始サイト誤差検出機構は、 The start site error detection mechanism,
    前記少なくとも2つの撮像装置の1つ、 Wherein one of the at least two imaging devices,
    を含み、 It includes,
    前記少なくとも2つの撮像装置は、該少なくとも2つの撮像装置の前記それぞれのものにおける前記画像の分析に基づく前記中間焦点の該画像の垂直中心軸からのプラズマ開始サイトの第1の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく該中間焦点の該画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第1の軸線と直交する第2の軸線における分離とに関連する第1の誤差信号を供給する、 Said at least two imaging devices, and the separation in the first axis of the at least plasma initiation site from the vertical center axis of said image of said intermediate focus based on the analysis of the image in one of said each of the two imaging devices, first associated with the separation in the second axis perpendicular to the first axis of the plasma initiation site from the horizontal center axis of the image of the intermediate focus based on the analysis of the images in the respective image pickup device and it supplies the error signal,
    ことを特徴とする請求項40に記載の機器。 The apparatus of claim 40, characterized in that.
  49. プラズマ生成極紫外線(EUV)光源集光器であって、 A plasma generating extreme ultraviolet (EUV) light source collector,
    プラズマ形成チャンバと、 And plasma formation chamber,
    焦点を有する集光器形状の形態での前記プラズマ形成チャンバ内のシェルと、 A shell in the plasma formation chamber in the form of a concentrator shape having a focus,
    を含み、 It includes,
    前記シェルは、多層反射体から作動熱を運び去りかつ前記焦点から反対の該シェルの側で該シェルの表面から該熱を放射するのに十分な大きさ及び熱質量を有する、 The shell has a sufficient size and thermal mass to radiate heat from the surface of the shell at the opposite side of the shell from the left and the focal carries operating heat from the multilayer reflector,
    ことを特徴とする集光器。 Collector, characterized in that.
  50. 前記シェルの材料は、炭化珪素、シリコン、「Zerodur」又は「ULE」ガラス、アルミニウム、ベリリウム、モリブデン、銅、及びニッケルを含む群から選択される、 Material of the shell, silicon carbide, silicon, "Zerodur" or "ULE" glass, aluminum, beryllium, is selected from the group comprising molybdenum, copper, and nickel,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項49に記載の機器。 The apparatus of claim 49, characterized by further comprising.
  51. 前記シェルの定常状態温度を作動温度の選択された範囲内に維持するように該シェルに向けられた少なくとも1つの放射加熱器、 At least one radiant heater directed at the shell so as to maintain the selected range of operating temperature to a steady state temperature of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項49に記載の機器。 The apparatus of claim 49, further comprising a.
  52. 前記シェルの定常状態温度を作動温度の選択された範囲内に維持するように該シェルに向けられた少なくとも1つの放射加熱器、 At least one radiant heater directed at the shell so as to maintain the selected range of operating temperature to a steady state temperature of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項50に記載の機器。 The apparatus of claim 50, further comprising a.
  53. 前記温度範囲内の前記温度は、前記集光器上にメッキされるプラズマ発生ターゲット材料を蒸発させるのに十分である、 The temperature within said temperature range is sufficient to evaporate the plasma generating target material to be plated on said collector,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項51に記載の機器。 The apparatus of claim 51, characterized by further comprising.
  54. 前記温度範囲内の前記温度は、前記集光器上にメッキされるプラズマ発生ターゲット材料を蒸発させるのに十分である、 The temperature within said temperature range is sufficient to evaporate the plasma generating target material to be plated on said collector,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項52に記載の機器。 The apparatus of claim 52, characterized by further comprising.
  55. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項49に記載の機器。 The apparatus of claim 49, further comprising a.
  56. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項50に記載の機器。 The apparatus of claim 50, further comprising a.
  57. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項51に記載の機器。 The apparatus of claim 51, further comprising a.
  58. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項52に記載の機器。 The apparatus of claim 52, further comprising a.
  59. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項53に記載の機器。 The apparatus of claim 53, further comprising a.
  60. 前記焦点から反対の前記シェルの側の該シェルに隣接し、該シェルの隣接面から放射された熱を吸収する放熱板、 Wherein adjacent the shell side opposite the shell from the focus, the heat radiating plate to absorb the heat radiated from the adjacent surface of the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項54に記載の機器。 The apparatus of claim 54, further comprising a.
  61. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項55に記載の機器。 The apparatus of claim 55, characterized by further comprising.
  62. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項56に記載の機器。 The apparatus of claim 56, characterized by further comprising.
  63. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項57に記載の機器。 The apparatus of claim 57, characterized by further comprising.
  64. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項58に記載の機器。 The apparatus of claim 58, characterized by further comprising.
  65. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項59に記載の機器。 The apparatus of claim 59, characterized by further comprising.
  66. 前記放熱板は、前記チャンバの外部から供給された熱伝導流体に熱を移す熱交換器の一部を形成する、 The heat sink forms a part of the heat exchanger to transfer heat to the supplied heat transfer fluid from the outside of said chamber,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項60に記載の機器。 The apparatus of claim 60, characterized by further comprising.
  67. 駆動レーザ出力パルスビームを生成する駆動レーザと、駆動レーザ出力パルスビーム誘導システムと、集光器焦点を有するEUV光集光器とを有するレーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光源であって、 A drive laser for generating a driving laser output pulse beam, and driving the laser output pulse beam guidance system, a laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light source having a EUV light collector having a concentrator focus ,
    ビーム誘導システムと集光器焦点の中間にあり、選択されたプラズマ開始サイトを定める集光器焦点の該焦点の近傍の選択位置に前記出力レーザパルスビームを集束させるように作動するビーム集束システム、 Halfway between the beam guidance system and the condenser focus, the beam focusing system which operates to focus the output laser pulse beam selected position in the vicinity of the focal point of the concentrator focus defining a selected plasma initiation site,
    を含むことを特徴とする光源。 Light source, which comprises a.
  68. 前記ビーム集束システムは、集束レンズと、該集束レンズと前記集光器焦点の中間にある反射集束要素とを含み、かつ該集束レンズと該反射集束要素の中間にある集束レンズ焦点を有し、 The beam focusing system comprises a focusing lens, and a reflective focusing elements in the middle of the concentrator focus and said population bundle lens, and has a focusing lens focal intermediate the said population bundle lens and said reflective focusing elements,
    前記反射集束要素は、前記ビームを前記選択位置に集束させる、 The reflective focusing element focuses the beam to the selected position,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項67に記載の機器。 The apparatus of claim 67, characterized by further comprising.
  69. 前記ビーム集束システムは、移動可能であり、該ビーム集束システムの移動は、該ビーム集束システムの焦点を前記選択位置に配置するように作動する、 The beam focusing system is movable, the movement of the beam focusing system operates the focus of the beam focusing system to be placed in the selection position,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項67に記載の機器。 The apparatus of claim 67, characterized by further comprising.
  70. 前記集束レンズと前記反射集束要素の少なくとも一方は、移動可能であり、該集束レンズと該反射集束要素の間の相対移動は、少なくとも部分的には前記ビームの焦点を前記選択位置に配置するように作動する、 Wherein at least one of the focusing lens and the reflective focusing element is movable, relative movement between said population bundle lens and said reflective focusing elements, as at least partially to place the focus of the beam in the selected position It operates,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項68に記載の機器。 The apparatus of claim 68, characterized by further comprising.
  71. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a grazing angle of incidence reflective element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項67に記載の機器。 The apparatus of claim 67, characterized by further comprising.
  72. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a grazing angle of incidence reflective element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項68に記載の機器。 The apparatus of claim 68, characterized by further comprising.
  73. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a grazing angle of incidence reflective element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項69に記載の機器。 The apparatus of claim 69, characterized by further comprising.
  74. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a grazing angle of incidence reflective element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の機器。 The apparatus of claim 70, characterized by further comprising.
  75. 前記反射集束要素は、直角入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項67に記載の機器。 The apparatus of claim 67, characterized by further comprising.
  76. 前記反射集束要素は、直角入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項68に記載の機器。 The apparatus of claim 68, characterized by further comprising.
  77. 前記反射集束要素は、直角入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項69に記載の機器。 The apparatus of claim 69, characterized by further comprising.
  78. 前記反射集束要素は、直角入射角反射要素を含む、 The reflective focusing element comprises a normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の機器。 The apparatus of claim 70, characterized by further comprising.
  79. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素と直角入射角反射要素の組合せを含む、 The reflective focusing element comprises a combination of grazing incidence angle reflecting element and normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項67に記載の機器。 The apparatus of claim 67, characterized by further comprising.
  80. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素と直角入射角反射要素の組合せを含む、 The reflective focusing element comprises a combination of grazing incidence angle reflecting element and normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項68に記載の機器。 The apparatus of claim 68, characterized by further comprising.
  81. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素と直角入射角反射要素の組合せを含む、 The reflective focusing element comprises a combination of grazing incidence angle reflecting element and normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項69に記載の機器。 The apparatus of claim 69, characterized by further comprising.
  82. 前記反射集束要素は、グレージング入射角反射要素と直角入射角反射要素の組合せを含む、 The reflective focusing element comprises a combination of grazing incidence angle reflecting element and normal incidence reflection element,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項70に記載の機器。 The apparatus of claim 70, characterized by further comprising.
  83. 集光器ミラーの第1の焦点から放射されて該集光器ミラーの第2の焦点に反射される光に整列した複数の光路、 A plurality of optical paths aligned to the light emitted from the first focal point of the collector mirror is reflected to the second focal point of the condenser reflector,
    を含み、 It includes,
    前記光路は、隣接する薄い箔セパレータによって形成され、その箔セパレータの少なくとも一部は、該箔セパレータの他のものよりも短い距離で半径方向に延びている、 The optical path is formed by a thin foil separators adjacent at least a portion of the foil separators extend radially shorter distance than other ones of said foil separator,
    ことを特徴とするEUV光源集光器デブリ遮蔽体。 EUV light source collector debris shield, characterized in that.
  84. EUV光源EUVプラズマ発生チャンバと、 And the EUV light source EUV plasma generation chamber,
    EUVプラズマ内に生成されたEUV光によって照射される反射部分を有するEUV光集光器と、 And the EUV light collector having a reflective portion which is illuminated by the EUV light generated within the EUV plasma,
    前記EUV光集光器反射部分と同じ材料から成る反射部分を有するEUV光集光器サンプルと、 And the EUV light collector sample having a reflected portion of the same material as the EUV light collector reflected portion,
    EUV光源プラズマ内に生成されたEUV光を検出するEUV検出器と、 And EUV detector for detecting the EUV light generated in the EUV light source in the plasma,
    前記EUV光集光器サンプルから反射するEUV光を検出するEUV検出器と、 And EUV detector for detecting the EUV light reflected from the EUV light collector samples,
    を含むことを特徴とするEUV光源。 EUV light source, which comprises a.
  85. 前記EUV光集光器は、前記EUVプラズマ発生チャンバに形成されたデブリが該EUV光集光器の反射率を損なうことを阻止するデブリ緩和機器を含み、 The EUV light collector includes a debris mitigation device formed in said EUV plasma generation chamber debris prevents damaging the reflectance of the EUV light collector,
    EUV光集光器サンプルデブリ緩和機器が、デブリが前記EUV光集光器の前記反射率を損なうことを阻止する前記デブリ緩和機器と本質的に同じ方法及び程度で、前記EUVプラズマ生成チャンバに形成されたデブリが前記EUV光集光器サンプルの反射率を損なうことを阻止する、 EUV light collector sample debris mitigation device, in the debris mitigation device and essentially the same way and extent of debris to prevent compromising the reflectivity of the EUV light collector, formed on the EUV plasma generating chamber been debris prevents damaging the reflectance of the EUV light collector samples,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項84に記載の機器。 The apparatus of claim 84, characterized by further comprising.
  86. EUVプラズマ生成チャンバ内に開口している入力光路と、 An input optical path that opens to the EUV plasma generating chamber,
    前記入力光路内の光学要素と、 An optical element of the input optical path,
    前記プラズマ生成チャンバと前記光学要素の中間にあって、かなりのデブリが前記光学要素に到達するのを防止するデブリ緩和機構と、 In the middle of the optical element and the plasma generating chamber, a debris mitigation mechanism considerable debris from reaching the optical element,
    を含むことを特徴とするEUV光源。 EUV light source, which comprises a.
  87. 前記プラズマ生成チャンバと前記光学要素の中間にあって、該プラズマ生成チャンバから前記入力光路に入るデブリを活性化するデブリ活性化機構と、 In the middle of the optical element and the plasma generating chamber, and debris activation mechanism for activating the debris entering the input optical path from the plasma generating chamber,
    前記デブリ活性化機構と前記光学要素の中間にあって、前記活性化されたデブリを該光学要素から離れるように誘導するデブリステアリング機構と、 And debris steering mechanism wherein said debris activation mechanism In the middle of the optical element, induces the activated debris away from the optical element,
    を更に含むことを特徴とする請求項86に記載の機器。 The apparatus of claim 86, further comprising a.
  88. 前記デブリ活性化機構は、前記入力光路に入る前記デブリにエネルギを導入するための機構である、 The debris activation mechanism is a mechanism for introducing energy into the debris entering the input optical path,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項87に記載の機器。 The apparatus of claim 87, characterized by further comprising.
  89. 前記デブリ活性化機構は、RFエネルギインデューサである、 The debris activation mechanism is an RF energy inducer,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項87に記載の機器。 The apparatus of claim 87, characterized by further comprising.
  90. 前記デブリ活性化機構は、RFエネルギインデューサである、 The debris activation mechanism is an RF energy inducer,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項88に記載の機器。 The apparatus of claim 88, characterized by further comprising.
  91. 前記デブリステアリング機構は、磁場を含む、 The debris steering mechanism includes a magnetic field,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項87に記載の機器。 The apparatus of claim 87, characterized by further comprising.
  92. 前記デブリステアリング機構は、磁場を含む、 The debris steering mechanism includes a magnetic field,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項88に記載の機器。 The apparatus of claim 88, characterized by further comprising.
  93. 前記デブリステアリング機構は、磁場を含む、 The debris steering mechanism includes a magnetic field,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項89に記載の機器。 The apparatus of claim 89, characterized by further comprising.
  94. 前記光学要素は、前記入力光路内に焦点面を有する第1の集束光学器械であり、 It said optical element is a first focusing optic with a focal plane on said input optical path,
    第2の集束光学器械が、前記第1の集束光学器械と前記プラズマ生成チャンバの中間にあり、 Second focusing optic is located between the first focusing optic in the middle of the plasma generating chamber,
    デブリ阻止板が、前記第1の集束光学器械の前記焦点面に位置決めされた開口を含む、 Debris blocking plate includes an opening positioned in said focal plane of said first focusing optic,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項90に記載の機器。 The apparatus of claim 90, characterized by further comprising.
  95. 移動プラズマ形成ターゲットを送出するターゲット送出システムと望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するEUV光集光光学器械とを含む制御システムを使用する段階を含む、レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光を生成する方法であって、 Comprising the step of using a control system including a EUV collector optics having a focal point defining the target delivery system with the desired plasma initiation site for delivering moving plasma formation target, the laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light a method of generating a,
    ターゲット追跡及びフィードバック方法を利用する段階、 The step of utilizing the target tracking and feedback methods,
    を含み、 It includes,
    前記方法は、 The method,
    少なくとも1つの撮像装置を用いて、ターゲットストリーム進路の画像を準備する段階と、 Using at least one imaging device, the method comprising: preparing an image of the target stream path,
    ストリーム進路誤差検出器を用いて、望ましいプラズマ開始サイトと交差する望ましいストリーム進路からの前記ターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも1つの軸線内の該ターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出する段階と、 Using stream path error detector, and detecting the error in the position of the target stream path within the at least one axis substantially perpendicular to the target stream path from the desired stream path intersecting the desired plasma initiation site,
    を含む、 including,
    ことを特徴とする方法。 Wherein the.
  96. 集光器を利用する段階を含むレーザ生成極紫外線(EUV)光源を生成する方法であって、 A method for generating a laser generating extreme ultraviolet (EUV) light source includes the step of utilizing a concentrator,
    プラズマ形成チャンバを準備する段階と、 Preparing a plasma formation chamber,
    焦点を有する集光器形状の形態で前記プラズマ形成チャンバ内にシェルを位置決めする段階と、 The method comprising positioning a shell in the plasma formation chamber in the form of a concentrator shape having a focus,
    前記焦点に面する前記シェルの側で該シェルと物理的かつ熱的に連通する直角入射角反射体又はグレージング入射角反射体を形成する多層スタックを利用する段階と、 A method that utilizes a multi-layer stack to form a normal incidence reflector or grazing incidence angle reflector communicated to the shell physically and thermally by the side of the shell facing the focal point,
    前記多層反射体から作動熱を運び去りかつ前記焦点から反対の前記シェルの側で該シェルの表面から該熱を放射するのに十分な大きさ及び熱質量を該シェルに含める段階と、 The method including a sufficient size and thermal mass to radiate heat from the surface of the shell to the shell side opposite the shell from left and the focal carries operating heat from the multilayer reflector,
    を含むことを特徴とする方法。 Wherein the containing.
  97. 駆動レーザ出力パルスビームを生成する駆動レーザと、駆動レーザ出力パルスビーム誘導システムと、焦点を有するEUV光集光器とを利用する段階を含む、レーザ生成プラズマ(LPP)極紫外線(EUV)光を生成する方法であって、 A drive laser for generating a driving laser output pulse beam, and driving the laser output pulse beam guidance system, comprising the step of utilizing the EUV light collector having a focal, laser produced plasma (LPP) extreme ultraviolet (EUV) light generated by a method of,
    出力レーザパルスビームを集光器焦点の近傍の選択位置に集束させる集束光学器械を利用して、該ビームをビーム誘導システムと該集光器焦点の中間に集束させる段階、 Step of focusing the output laser pulse beam by utilizing the focusing optic which focuses the selected position in the vicinity of the collector focus the beam in the middle of the beam guidance system and the condenser unit focus,
    を含むことを特徴とする方法。 Wherein the containing.
  98. プラズマ形成チャンバと、 And plasma formation chamber,
    焦点を有する集光器形状の形態での前記プラズマ形成チャンバ内のシェルと、 A shell in the plasma formation chamber in the form of a concentrator shape having a focus,
    前記焦点に面する前記シェルの側で該シェルと物理的かつ熱的に連通する直角入射角反射体又はグレージング入射角反射体を形成する多層スタックと、 A multilayer stack that forms the normal incidence reflector or grazing incidence angle reflector communicated to the shell physically and thermally by the side of the shell facing the focal point,
    前記焦点から反対の前記シェルの側で該シェルに隣接し、該シェルと熱放射的に連通している放熱板と、 Adjacent the shell side of the shell opposite from the focal point, and the heat radiating plate in communication the shell and the heat radiatively communicating,
    を含むことを特徴とするプラズマ生成極紫外線(EUV)光源集光器。 Plasma generating extreme ultraviolet (EUV) light source collector which comprises a.
  99. 前記シェルは、前記多層スタックのための基板を含む、 Wherein the shell comprises a substrate for said multi-layer stack,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項98に記載の機器。 The apparatus of claim 98, characterized by further comprising.
  100. 前記シェルは、前記多層反射体から作動熱を運び去りかつ前記焦点から反対の該シェルの側で該シェルの表面から該熱を放射するのに十分な大きさ及び熱質量を有する、 The shell has a sufficient size and thermal mass to radiate heat from the carry away the working heat from the multilayer reflector and the surface of the shell at the opposite side of the shell from the focal point,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項98に記載の機器。 The apparatus of claim 98, characterized by further comprising.
  101. 前記シェルは、前記多層反射体から作動熱を運び去りかつ前記焦点から反対の該シェルの側で該シェルの表面から該熱を放射するのに十分な大きさ及び熱質量を有する、 The shell has a sufficient size and thermal mass to radiate heat from the carry away the working heat from the multilayer reflector and the surface of the shell at the opposite side of the shell from the focal point,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項99に記載の機器。 The apparatus of claim 99, characterized by further comprising.
  102. 前記シェルと前記放熱板の中間にある加熱要素、 Heating elements in the middle of the heat radiating plate and the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項98に記載の機器。 The apparatus of claim 98, further comprising a.
  103. 前記シェルと前記放熱板の中間にある加熱要素、 Heating elements in the middle of the heat radiating plate and the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項99に記載の機器。 The apparatus of claim 99, further comprising a.
  104. 前記シェルと前記放熱板の中間にある加熱要素、 Heating elements in the middle of the heat radiating plate and the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項100に記載の機器。 Further apparatus of claim 100, which comprises a.
  105. 前記シェルと前記放熱板の中間にある加熱要素、 Heating elements in the middle of the heat radiating plate and the shell,
    を更に含むことを特徴とする請求項101に記載の機器。 The apparatus of claim 101, further comprising a.
  106. 前記加熱要素は、前記シェルを差別的に加熱する帯状加熱器を含む、 Said heating element comprises a strip heater for differentially heating said shell,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項102に記載の機器。 The apparatus of claim 102, characterized by further comprising.
  107. 前記加熱要素は、前記シェルを差別的に加熱する帯状加熱器を含む、 Said heating element comprises a strip heater for differentially heating said shell,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項103に記載の機器。 The apparatus of claim 103, characterized by further comprising.
  108. 前記加熱要素は、前記シェルを差別的に加熱する帯状加熱器を含む、 Said heating element comprises a strip heater for differentially heating said shell,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項104に記載の機器。 The apparatus of claim 104, characterized by further comprising.
  109. 前記加熱要素は、前記シェルを差別的に加熱する帯状加熱器を含む、 Said heating element comprises a strip heater for differentially heating said shell,
    ことを更に含むことを特徴とする請求項105に記載の機器。 The apparatus of claim 105, characterized by further comprising.
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