JP2007503129A5

JP2007503129A5 -

Info

Publication number: JP2007503129A5
Application number: JP2006533353A
Authority: JP
Filing date: 2004-05-24
Publication date: 2007-05-31

Claims

低温基板の上に磁気メモリ・デバイスを形成する方法であって、
透明基板上に分解可能な材料層を付着するステップと、
前記分解可能な材料層の上に前記磁気メモリ・デバイスを形成するステップと、
前記透明基板に急速加熱を施し前記分解可能な材料層の少なくも一部を分解するステップと、
前記磁気メモリ・デバイスを前記低温基板に移動するステップと、
を含む、方法。
前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気メモリ・デバイスからなる構造体を分離するステップと、
前記構造体を、前記磁気メモリ・デバイスを下にして前記低温基板に接着するステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記低温基板がプラスチック基板およびポリマ基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
前記透明基板がサファイア基板および石英基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
前記磁気メモリ・デバイスを移動するステップは、レーザ光リフトオフ・プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
前記透明基板がレーザ光に対して透過性であり、前記レーザ光が前記分解可能な材料層によって吸収され、これによって前記分解可能な材料層を分解する、請求項５に記載の方法。
前記分解可能な材料層が窒化物材料を含む、請求項１に記載の方法。
前記窒化物材料は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、およびこれらの合金からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
前記透明基板に背面からレーザ光を照射するステップを更に含み、
前記レーザ光が前記分解可能な材料層に吸収されて、前記分解可能な材料層を加熱し、前記分解可能な材料層を分解する、請求項１に記載の方法。
前記分解可能な材料層が窒化物を含み、前記レーザ光による前記窒化物のメタライゼーションによる窒素の放出によって生じる圧力によって、前記透明基板と前記窒化物の剥離が起きる、請求項９に記載の方法。
前記磁気メモリ・デバイスは導電性配線および上部導電性配線を含み、前記上部導電配線を下向きにして前記低温基板に接着される、請求項２に記載の方法。
前記窒化物材料の上にＳｉ層を成長させてトランジスタを形成し、前記磁気メモリ・デバイスを前記トランジスタと一体化させるステップをさらに含み、
前記トランジスタと前記磁気メモリ・デバイスを同時に移動する、請求項７に記載の方法。
前記磁気メモリ・デバイスの移動の前に、前記低温基板上に有機トランジスタを形成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記磁気メモリ・デバイスの移動の後に、前記分解可能な材料層をエッチング除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記分解可能な材料層の厚さを調節することによって、前記透明基板における温度上昇を制御する、請求項９に記載の方法。
低温基板上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを形成する方法であって、
透明基板上に窒化物材料を形成するステップと、
前記窒化物材料の上に前記ＭＴＪデバイスを形成するステップと、
レーザ・リフトオフ・プロセスを用いて前記ＭＴＪデバイスを前記低温基板に移動させるステップと
を含む、方法。
磁気メモリ・デバイスであって、
分解可能な材料で被覆した透明基板の上に形成されたデバイスと、
前記デバイスを受容する低温基板と
を含む、磁気メモリ・デバイス。
前記デバイスが、第１の導電配線と、前記第１の導電配線に結合された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルと、前記透明基板上に製造された第２の導電配線とを含む、請求項１７に記載の磁気メモリ・デバイス。