JP2007288074A - Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2007288074A
JP2007288074A JP2006116194A JP2006116194A JP2007288074A JP 2007288074 A JP2007288074 A JP 2007288074A JP 2006116194 A JP2006116194 A JP 2006116194A JP 2006116194 A JP2006116194 A JP 2006116194A JP 2007288074 A JP2007288074 A JP 2007288074A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
layer
organic electroluminescent
element
electroluminescent device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006116194A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007288074A5 (en )
Inventor
Takashi Hamano
Megumi Sakagami
Shinya Yamamoto
恵 坂上
晋也 山本
敬史 濱野
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence element which stably operates with uniform luminescent characteristics and is excellent in lifetime characteristics. <P>SOLUTION: The organic electroluminescence element is provided with at least a pair of electrodes, and a plurality of function layers formed between the electrodes. The function layers each include a layer consisting of at least one kind of organic semiconductor and having a luminescent function, and a transition metal oxide layer having a film thickness of at least not less than 30 nm. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法にかかり、特に携帯電話用のディスプレイや表示素子、各種光源などに用いられ、低輝度から光源用途等の高輝度まで幅広い輝度範囲で駆動される電界発光素子である有機エレクトロルミネッセント素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent device and a manufacturing method thereof, is driven in particular a display or display devices for cellular phones, used like various light sources, a wide luminance range from a low luminance to high luminance, such as light sources for use relates to an organic electroluminescent device is a light emitting element that.

有機エレクトロルミネッセント素子は固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光デバイスであり、小型のディスプレイとして一部で実用化されている。 The organic electroluminescence element is a light-emitting device utilizing the electroluminescence phenomenon of solid fluorescent material, it is put into practical use in some as small display.

有機エレクトロルミネッセント素子は発光層に用いられる材料によって、いくつかのグループに分類することが出来る。 The organic electroluminescent device depending on the material used for the light emitting layer, several things can be classified into groups. 代表的なもののひとつは発光層に低分子量の有機化合物を用いる低分子有機エレクトロルミネッセント素子で、主に真空蒸着を用いて作製される。 One typical in low-molecular organic electroluminescent device using an organic compound of low molecular weight light-emitting layer, prepared using a predominantly vacuum deposition. そして今一つは発光層に高分子化合物を用いる高分子有機エレクトロルミネッセント素子である。 And one more is polymer organic electroluminescence element using a polymer compound in the light emitting layer.

高分子有機エレクトロルミネッセント素子は各機能層を構成する材料を溶解した溶液を用いることでスピンコート法やインクジェット法、印刷法等による成膜が可能であり、その簡便なプロセスから低コスト化や大面積化が期待できる技術として注目されている。 Polymer organic electroluminescence element is a spin-coating method, an inkjet method by using a solution prepared by dissolving the materials constituting the functional layers, a film can be formed by the printing method or the like, cost reduction from the simple process and a large area has been attracting attention as a technology that can be expected.

典型的な高分子有機エレクトロルミネッセント素子は陽極および陰極の間に電荷注入層、発光層等の複数の機能層を積層することで作製される。 Typical polymeric organic electroluminescence element charge injection layer between the anode and the cathode, is produced by superimposing a plurality of functional layers such as a light emitting layer. 以下に代表的な高分子有機エレクトロルミネッセント素子の構成およびその作製手順を説明する。 Hereinafter will be described a configuration and a manufacturing procedure of a typical polymer organic electroluminescence element.

例えば図22に示すように、まず陽極111としてのITO(インジウム錫酸化物)を成膜したガラス基板100上に電荷注入層126としてのPEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:以下PEDOTと記載する)薄膜をスピンコートなどによって成膜する。 For example, as shown in FIG. 22, first, PEDOT as ITO (indium tin oxide) charge injection layer 126 on the glass substrate 100 which was formed as an anode 111: PSS (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid: and less PEDOT according to) the thin film deposited by spin coating. PEDOTは電荷注入層として事実上の標準となっている材料であり、陽極側に配置されることでホール注入層として機能する。 PEDOT is a material which is a de facto standard as the charge injection layer, which functions as a hole injecting layer be disposed on the anode side.

PEDOT層の上に発光層112としてポリフェニレンビニレン(以下PPVと表す)およびその誘導体、またはポリフルオレンおよびそれらの誘導体がスピンコート法などによって成膜される。 Polyphenylene vinylene (hereinafter referred to as PPV) and its derivatives as a light emitting layer 112 on top of the PEDOT layer or polyfluorene and derivatives thereof, is deposited by spin coating or the like. そしてこれら発光層上に真空蒸着によって陰極としての金属電極113が成膜され素子が完成する。 The metal electrode 113 as a cathode element is deposited is completed by vacuum deposition on those light-emitting layer.

このように高分子有機エレクトロルミネッセント素子は簡易なプロセスで作製することが出来るという優れた特徴を備えており、様々な用途への応用が期待されているが、十分に大きな発光強度を得ることが出来ない点、および長時間駆動に際しては、寿命が十分でない点が改善すべき課題となっている。 The polymer organic electroluminescence element as has a excellent feature that can be produced by a simple process, but is applied to various applications are expected to obtain a sufficiently large emission intensity that can not, and when driven for a long time has been a problem to be solved is a point life is not sufficient.
特に、露光ヘッドにおいて露光用光源として用いられる場合には、高輝度特性が求められており、一方表示装置用の光源として用いられる場合には、長寿命化が求められる。 In particular, when used as a light source for exposure in the exposure head, when the high luminance characteristics has been demanded, whereas that used as a light source for a display device, longer life is obtained. 画素領域、画素面積および画素内の発光特性の制御性においても、更なる制御性の向上を求めて鋭意研究がなされている。 Pixel region, even in the control of the light emission characteristics in a pixel area and the pixel, intensive studies seeking further improvement of controllability have been made.

高分子有機エレクトロルミネッセント素子の発光強度の低下、すなわち劣化は通電時間と素子を流れた電流の積に比例して進行するが、その詳細については未だ明らかになっておらず鋭意研究が進められているところである。 Decrease in emission intensity of the polymer organic electroluminescence element, that is, deterioration proceeds in proportion to the product of the current flowing through the energizing time and the element, extensive research is underway not become clear yet details thereof it is where you are.

発光強度の低下の原因については様々な推測がなされているが、PEDOTの劣化はその主なものの一つとして考えられている。 The cause of decrease in emission intensity have been various speculation, deterioration of PEDOT is considered as one of the main ones. PEDOTは前述したようにポリスチレンスルホン酸とポリチオフェンという二つの高分子物質の混合物であって、前者はイオン性、後者は高分子鎖に局所的な極性がある。 PEDOT is a mixture of two polymeric materials that polystyrenesulfonic acid and polythiophene, as described above, the former ionic, the latter has local polarity polymer chain. このような電荷の異方性に起因するクーロン相互作用により両者は緩やかな結合をし、それにより優れた電荷注入特性を発揮している。 It is both a loose coupling, exhibit thereby superior charge injection properties by Coulomb interaction due to the anisotropy of such a charge.

PEDOTが優れた特性を発揮する為には両者の密な相互作用が不可欠であるが、一般に高分子物質の混合物は溶媒に対する微妙な溶解性の違いにより相分離を起こしやすいものである。 To exert PEDOT excellent characteristics is essential dense interaction therebetween, but mixtures generally polymeric materials are those susceptible to phase separation by subtle differences in solubility in a solvent. これはPEDOTについても例外ではない(。相分離を生じるということは2つの高分子の緩やかな結合は比較的容易に外れてしまうということを意味しており、PEDOTが有機エレクトロルミネッセント素子中にあって駆動される際に不安定である可能性や、相分離の結果、結合に寄与しなかった成分、特にイオン性の成分が通電に伴う電場によって拡散し、他の機能層に望ましくない作用を及ぼす可能性があることを示している。このようにPEDOTは優れた電荷注入特性を持っているが、決して安定な物質であるとは言えない。 This is no exception for PEDOT (. Phase separation that cause has means that the loose coupling of the two polymers resulting in relatively easily disengaged, PEDOT organic electroluminescent in St. element possibilities and unstable when it is driven by a, the results of phase separation, components that did not contribute to the binding, especially ionic components spread by an electric field caused by the current, undesirable other functional layer indicates that there is a possibility to exert effects. Thus PEDOT has excellent charge injection properties, but said to be far from stable substance.

本発明者らは種々の実験の結果から、上述したようなPEDOTに関連する懸念に対し、PEDOTに代えて、酸化モリブデンMoO を形成することにより、良好な注入特性を得ることができることを提案している(特許文献1)。 Proposal inventors from the results of various experiments, to concerns related to PEDOT as described above, instead of PEDOT, by forming the molybdenum oxide MoO 3, that it is possible to obtain good injection properties are (Patent Document 1).
特開2005−203340号公報 JP 2005-203340 JP

上記構造では、膜厚20nm程度のMoO 膜を用いており、この上層に発光層などの機能層を形成している。 In the above structure, and by using the MoO 3 film having a thickness of about 20 nm, to form a functional layer such as a light emitting layer on the upper layer.
従来より、有機半導体は移動度が小さいために,100nm程度の薄膜にしないと、有機エレクトロルミネッセント素子においては、良好な発光を得ることができないとされてきた。 Conventionally, since the organic semiconductor has a small mobility, unless the thin film of about 100 nm, in the organic electroluminescent device, have been that it can not obtain a good emission.
このような薄い発光層を用いる場合、クリーン度の高い部屋に設置された、真空チャンバーでデバイスを作成しても、微細なパーティクルが画素上に存在するとそれがすぐに欠陥となりやすいということが、量産化を阻む深刻な問題となっている。 When using such a thin light emitting layer, disposed on the high cleanliness room, even create a device in the vacuum chamber, it is that likely it immediately becomes defective when fine particles are present on the pixel, It has become a serious problem that prevent mass production.
特にITOからなる透光性電極上には、ITO自体の突起や、付着したダストなどが存在し、これが良品率を低下させる大きな要因となっている。 Particularly on translucent electrode made of ITO, protrusions or ITO itself, such as adhering dust is present, and this is a major factor in lowering the yield rate.

さらにまた、表面にレジストの残渣が残留しこれが、非発光領域を形成することになる場合もある。 Furthermore, the resist residues remaining on the surface which, in some cases that will form the non-light-emitting region.
以上のように、透光性電極自体の表面平滑性の低下、透光性電極への付着物に起因する表面平滑性の低下など、さまざまな原因により、非発光領域を形成することがあり、電流密度を増大しても発光強度の増大を得ることができない領域に入る。 Thus, reduction of surface smoothness of the transparent electrode itself, such as reduced surface smoothness due to the adhesion onto the transparent electrode, a variety of causes, may form a non-light-emitting region, also it increases the current density into the region where it is impossible to obtain an increase in the emission intensity. このため、得られる輝度に限界があり、それ以上高輝度を得ることが出来ず、十分に満足できる輝度レベルに到達するのは極めて困難であり、寿命についても十分ではなかった。 Therefore, there is a limit to obtain luminance can not be obtained any more high brightness, it is very difficult to reach the brightness level sufficiently satisfactory, was not sufficient even for life.
このような状況の中で、特に、露光ヘッドなどにおいて露光用光源として用いられる場合には、高輝度特性が求められており、更なる高輝度化を求めて鋭意研究がなされている。 In such a situation, especially when used as a light source for exposure in an exposure head is high luminance characteristics is obtained, intensive studies seeking further higher luminance have been made.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、均一な発光特性で安定に動作し、かつ寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセント素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, stably operates with uniform emission characteristics, and an object thereof to provide an excellent organic electroluminescent device life property.

本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも1種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、少なくとも膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層とを含むことを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention is used, the number of at least one pair of electrodes, and a plurality of functional layers formed between the electrodes, a light emitting function the functional layer is made of at least one organic semiconductor a layer which is characterized in that it comprises at least more than the thickness 30nm of the transition metal oxide layer.

従来遷移金属酸化物のひとつであるMoO を薄く形成することにより、PEDOTよりも良好な注入特性を得ることができる点については、すでに本発明者等が前述の特許文献1で提案しているが、せいぜい20nm以下である必要があるとされていた。 By forming the thin MoO 3 which is one of conventional transition metal oxides, for that it is possible to obtain good injection properties than PEDOT is already present inventors have proposed in Patent Document 1 above there had been that there needs to be equal to or less than at most 20nm. このような状況の中で種々の実験を行った結果、遷移金属酸化物の厚み特にMoO の膜厚は素子特性に対して非常に鈍感であり、厚膜化しても良好なホール注入特性を維持することができることを発見した。 Results of various experiments in this context, in particular the thickness of the MoO 3 thickness of the transition metal oxide is very insensitive to device characteristics, good hole injection characteristics even thickened It was discovered that it is possible to maintain. そこで本発明者らは、この遷移金属酸化物の膜厚を30nm以上としたとき、画素ショートの改善を図ることができることがわかった。 The present inventors have when the thickness of the transition metal oxide and above 30 nm, it was found that it is possible to improve the pixel short. この構成によれば、少なくとも膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層を含むことにより、ITOなどの透光性電極のパターニング時にレジストが残留していたり、ITO上にパーティクルが付着したりした場合にも、膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層を形成した上に、この上層に形成される発光機能を有した層は膜厚分布を生じることなく、均一に形成される。 According to this configuration, by including at least the film thickness 30nm or more transition metal oxide layer, or have resist remains in the patterning of the transparent electrode such as ITO, if the particle is or deposited on the ITO also, on the formation of the film thickness 30nm or more transition metal oxide layer, the layer having the light emitting function is formed on the upper layer without causing the film thickness distribution is uniform. したがって、非発光領域を形成したりすることもなく、また画素ショートを生じたりすることもなく、均一な発光機能を有した層を形成することができ、良好な発光スペクトルを得ることができる。 Therefore, no or to form a non-light-emitting region and it no to or cause short pixel, it is possible to form a layer having a uniform light emitting function, it is possible to obtain good emission spectra. また、MoO のような比抵抗の小さい遷移金属酸化物を用いることにより、厚膜化しても、大きな電圧降下を生じることなく発光機能を有する層に電界を与えることができる。 Further, by using a small transition metal oxide having specific resistance, such as MoO 3, be thickened, it can give an electric field to the layer capable of emitting light without causing a large voltage drop. ここで遷移金属酸化物としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステンなどが適用可能であるが、酸化モリブデン(MO )はMO に限定されることなく、価数の異なるものも有効である。 Here, as the transition metal oxide, molybdenum oxide, vanadium oxide, but such tungsten oxide can be applied, molybdenum oxide (MO x) is not limited to MO 3, is also effective that different valences . 酸化バナジウム、酸化タングステンについても価数の異なるものも有効である。 Vanadium oxide, is also effective that different valences also tungsten oxide. また、共蒸着により形成した複数の元素を含む酸化物も適用可能である。 The oxide including a plurality of elements formed by co-deposition is also applicable.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記遷移金属酸化物層が、積層方向に沿った比抵抗が、面方向に沿った比抵抗に比べて小さくなるように成膜された膜であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, in the organic electroluminescence element, the transition metal oxide layer, the resistivity along the stacking direction is smaller than the specific resistance along the surface direction so as to include those which are deposited film.
この構成により、横方向すなわち面方向の比抵抗が大きいためにクロストークを防止することができる。 With this configuration, it is possible to prevent crosstalk to the resistivity of the transverse direction or face direction is large. 従って、パターニングすることなく一体的に形成してもクロストークを防ぐことが出来ることから製造が容易となる。 Therefore, the fabrication is easy because it can prevent crosstalk be integrally formed without patterning. また、遷移金属酸化物層によって少なくとも有機エレクトロルミネッセント素子形成領域となる下地全体が覆われることになり、安定で信頼性の高い構造を形成することが可能となる。 Also, will be the entire base composed of at least an organic electroluminescence element forming region by a transition metal oxide layer is covered, it is possible to form a stable and reliable structure. 縦方向すなわち積層方向に沿った比抵抗が小さいため、電圧降下が低減される。 Since the longitudinal direction, that the resistivity along the stacking direction is small, the voltage drop is reduced. 本発明者らは種々の実験の結果、遷移金属酸化物層を発光機能を有する層と電極との間に介在させたときに特性が向上することを発見した。 The present inventors have results of various experiments, and found that characteristics are improved when interposed between the layer and the electrode having a light emitting function a transition metal oxide layer. 本発明は、この点に着目してなされたものである。 The present invention was made in view of this point.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記遷移金属酸化物層は比抵抗が100000オーム/cm 以上であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, in the organic electroluminescence element, the transition metal oxide layer include those resistivity 100000 Ohm / cm 2 or more.
この構成により、画素毎に遷移金属酸化物層を分割形成することなく一体的に形成してもクロストークの発生もない。 With this configuration, there is no occurrence of crosstalk be integrally formed without dividing forming a transition metal oxide layer for each pixel.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記少なくとも一組の電極のうちの少なくとも一方が、主としてインジウムスズ酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)からなるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the organic electroluminescent device, at least one of said at least one pair of electrodes, mainly indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO including those consisting of).

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記少なくとも一組の電極のうちの少なくとも一方が、透光性基板表面に形成されており、前記電極上に前記遷移金属酸化物を形成すると共にその上層に発光機能を有した層を配置したものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, at least one of the at least one pair of electrodes are formed on the surface of a transparent substrate, thereby forming the transition metal oxide on the electrode including those disposing a layer having a light emitting function on the upper layer.
この構成により、基板側から光出射を行ういわゆるボトムエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセント素子の高輝度化および長寿命化が可能となる。 With this configuration, higher brightness and longer life of the organic electroluminescence element of the so-called bottom emission type for performing light emission from the substrate side becomes possible. この遷移金属酸化物層は正孔注入層であるのが望ましい。 The transition metal oxide layer is desirably a hole injection layer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記遷移金属酸化物層と前記発光機能を有した層との間にバッファ層を含む。 The organic electroluminescent device of the present invention includes a buffer layer between the layer having the light emitting function and the transition metal oxide layer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記バッファ層が電子ブロック層である。 The organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer is an electron blocking layer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記バッファ層は高分子化合物を含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer comprises a polymeric compound.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記電極と前記発光機能を有した層との間に前記画素規制層を備え、光出射領域を規定するようにしたものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those provided with the pixel regulating layer between the layer having the light emitting function and the electrode, and so as to define a light emitting region.
この構成により、画素規制層の段差が十分に厚い遷移金属酸化物層によって緩和され、この上層に形成される発光機能を有した層の膜厚をより均一化することが可能となる。 With this configuration, the step of pixel regulating layer is relaxed by sufficiently thick transition metal oxide layer, it is possible to further uniform the film thickness of the layer having the light emitting function is formed on this upper layer. また遷移金属酸化物層の膜厚を本発明のように30nm以上と厚くすることにより、発光プロファイルが良好となる。 Also the thickness of the transition metal oxide layer by increasing the 30nm or more as in the present invention, the light emission profile is improved. ただし、遷移金属酸化物層を厚く形成する場合には、MoO のように比抵抗の余り大きくない材料を用いる必要がある。 However, when forming a thick transition metal oxide layer, it is necessary to use a very no greater material resistivity as MoO 3.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層が絶縁膜であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those wherein the pixel regulating layer is an insulating film.
画素規制層としては遮光膜で構成する方法と、絶縁膜で構成する方法とがあるが、絶縁膜を用いることにより、画素ショートを防止することができる。 And how to configure a light-shielding film as the pixel regulating layer, there are a method of an insulating film by using the insulating film, it is possible to prevent short-circuiting the pixel.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層が酸化シリコン膜であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those wherein the pixel regulating layer is a silicon oxide film.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層が窒化シリコン膜であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those wherein the pixel regulating layer is a silicon nitride film.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層がフォトレジスト材料で構成されたものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those wherein the pixel regulating layer is composed of photoresist material.
フォトレジスト材料を用いることにより、フォトリソグラフィを用いて容易に所望の厚さの画素規制層を形成することができる。 By using a photoresist material, it is possible to easily form the pixel regulating layer of a desired thickness using photolithography.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層表面全体を遷移金属酸化物層で被覆され、この上層に発光機能を有した層が形成されたものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention include those wherein the entire pixel regulating layer surface is coated with a transition metal oxide layer, the layer having the light emitting function on the upper layer is formed.
この構成により遷移金属酸化物層が画素規制層上に形成され、前記光出射領域から前記画素規制層上までを覆っているため、発光機能を有した層はより平滑な表面に形成されることになり、均一な膜厚分布を得ることができ、より長寿命化を図ることが可能となる。 This configuration by a transition metal oxide layer is formed on the pixel regulating layer, since the covering to the pixel regulating layer from the light emitting region, the layer having the light emitting function is to be formed on the smoother surface It becomes, it is possible to obtain a uniform film thickness distribution, it is possible to achieve a longer service life.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記遷移金属酸化物層が前記画素規制層の下層に形成され、前記遷移金属酸化物層が光出射領域でのみ前記機能層と当接したものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention are those wherein the transition metal oxide layer is formed below the pixel regulating layer, the transition metal oxide layer was brought into contact with the functional layer only on the light emission region including.
この構成により、画素規制層の下地を平滑化することができ、その分画素規制層の膜厚を薄くしても、十分な絶縁性あるいは遮光性を維持することができることになり、画素規制層に起因する段差の低減を図ることが可能となる結果、発光機能を有した層の膜厚分布をより均一化することが可能となる。 This configuration makes it possible to smooth the base of the pixel regulating layer, even if reducing the thickness of that amount pixel regulating layer, will be able to maintain a sufficient insulation or light-shielding property, the pixel regulating layer results it is possible to reduce the caused by difference in level, it is possible to further uniform the film thickness distribution of the layer having the light emitting function.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記遷移金属酸化物層が酸化モリブデン(MoO 層などのMoO 層)であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the transition metal oxide layer including those which molybdenum oxide (MoO x layer such as MoO 3 layer).
この構成により、縦方向の比抵抗の増大を招くことなく表面を平坦化、平滑化することが可能となる。 This configuration planarize the surface without causing an increase in vertical resistivity, it is possible to smooth.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記MoO 層の膜厚は40nm以上であるものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the thickness of the MoO 3 layer include those at 40nm or more.
この構成により、MoO 層のような遷移金属酸化物層の場合縦方向の比抵抗が十分に小さいため、40nmと厚くしてもショートの発生を抑制することが可能となる。 By this configuration, when the transition metal oxide layer such as MoO 3 layer vertical resistivity is sufficiently small, it is possible even when the thickness of the 40nm to suppress the occurrence of short circuit.

さらにまた、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層の膜厚は20nm以上100nm以下であるものを含む。 Furthermore, the organic electroluminescent device of the present invention, the thickness of the pixel regulating layer comprises not more 20nm or 100nm or less.
この構成により、遷移金属酸化物層を厚く形成することで、画素規制層が上層にある場合にも下層にある場合にも発光層を形成する際の下地表面としてはより平坦化、平滑化をはかることができることから、画素規制層の膜厚は、他の要因を考慮して広範囲から選択することが可能となる。 With this configuration, by forming a thick transition metal oxide layer, and more flattening as a base surface when also forming the light-emitting layer when the underlying even when the pixel regulating layer is in the top layer, the smoothing because it can be achieved, the thickness of the pixel regulating layer, it is possible to select from a wide range in consideration of other factors.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層が少なくとも1種の高分子発光材料を含むものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function include those containing at least one polymeric light-emitting materials.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含むものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function include those containing a polymer compound having a fluorene ring.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層が下記一般式(I)で表されるポリフルオレンおよびその誘導体(R1、R2はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function includes (representing R1, R2 are each a substituted group) polyfluorene and its derivatives represented by the following general formula (I) the features.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層がフェニレンビニレン基を含むものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function includes those containing a phenylene vinylene group.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層が下記一般式(II)で表されるポリフェニレンビニレンおよびその誘導体(R3、R4はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function comprises a polyphenylene vinylene and derivatives thereof represented by the following general formula (II) (R3, R4 each represent a substituent) the features.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記機能層は、ホール注入側に配置された電荷注入層と、バッファ層と、発光機能を有した層とを順次積層して構成されたものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the functional layer is a charge injection layer disposed on the hole injection side, and the buffer layer, which the layer having the light emitting function is configured by sequentially stacking including.
ここでバッファ層としては、例えば電荷ブロック層のような機能を持たせた層を介在させるのが望ましい。 Examples of the buffer layer, for example, it is desirable to interpose a layer which functions to have a like charge blocking layer. またこのMoO 層はホール注入層としても作用する。 Also this MoO 3 layer acts as a hole injection layer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、樹木状多分岐構造をもつ少なくとも1種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層とを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention includes a layer having the light emitting function of at least one polymeric material having a dendritic multi-branched structure, a charge injection layer composed of at least one kind of inorganic substance .

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐高分子構造体からなる。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function is composed of a dendritic multi-branched polymeric structure with about a structural unit luminescent.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐低分子構造体からなる。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function is composed of a dendritic multibranched low molecular structures having mainly structural units luminescent.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記一組の電極のうちの一方の電極である陽極は透光性基板上に形成されており、前記陽極上に形成された遷移金属酸化物層としてのMoO 層と、ホール注入層と、前記発光機能を有した層と、前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層の上に形成された電子注入層と、前記電子注入層上に配設され前記一組の電極のうち他方の電極である陰極とが順次積層形成されたものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, one of an anode and an electrode is formed on a transparent substrate, a transition metal oxide formed on the anode of said pair of electrodes and MoO 3 layer as a layer, a hole injection layer, the layer having the light emitting function so as to face the hole injection layer, an electron injection layer formed on the layer having the light emitting function, including those wherein and the cathode which is the other electrode of the electron injection is disposed on the layer the pair of electrodes are sequentially stacked.

また、本発明では、上記有機エレクトロルミネッセント素子が二次元に配列形成され、表示装置を構成している。 Further, in the present invention, the organic electroluminescence element is arranged and formed in a two-dimensional, and a display device.

また、本発明では、上記有機エレクトロルミネッセント素子が列状に配列され発光部を構成して、露光装置を構成している。 Further, in the present invention, the organic electroluminescence element is arranged in rows to constitute a light emitting portion, and constitutes an exposure apparatus.

また、本発明では、一組の電極の一方の電極の形成された基板表面に膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層を形成する工程と、この上に発光機能を有した層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 In the present invention, the step of forming a step of forming one transition metal oxide layer of the above thickness 30nm on the substrate surface which is formed of an electrode of a pair of electrodes, the layer having the light emitting function on the characterized in that it comprises and.
この構成により、遷移金属酸化物層の膜厚が大きく形成されるため、発光機能を有した層の形成に際し、表面の平坦化、平滑化をはかることができ、膜厚を均一に形成することができる。 With this configuration, since the thickness of the transition metal oxide layer is larger, upon formation of the layer having the light emitting function, a surface planarization can be achieved smoothing, to uniformly form the thickness can.

また、本発明では、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法において、遷移金属酸化物層の形成に先立ち、画素規制層を形成する工程を含み、前記遷移金属酸化物層上に発光機能を有した層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 Further, in the present invention, chromatic method of manufacturing the organic electroluminescence element, prior to the formation of the transition metal oxide layer includes forming a pixel regulating layer, a light-emitting function to the transition metal oxide layer characterized in that it comprises a step of forming a laminar.
この構成により、画素規制層に起因する段差を、遷移金属酸化物層によってより平坦化された表面に発光機能を有した層が形成されることになり、より膜厚分布の均一な発光機能を有した層を形成することができる。 This configuration, the step caused by the pixel regulating layer, the layer having the light emitting function more flattened surface by the transition metal oxide layer will be is formed, a more uniform light emitting function of the film thickness distribution it is possible to form a layer having.

また、本発明では、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法において、遷移金属酸化物層の形成後に、画素規制層を形成する工程を含み、前記画素規制層上に発光機能を有した層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 Further, in the present invention, in the above-described method for manufacturing the organic electroluminescence element, after the formation of the transition metal oxide layer includes forming a pixel regulating layer, the layer having the light emitting function on the pixel regulating layer characterized in that it comprises a step of forming.
この構成により、画素規制層が、遷移金属酸化物層によってより平坦化された表面に形成されることになり、より膜厚分布の均一な発光機能を有した層を形成することができる。 With this configuration, pixel regulating layer is made to be formed more planarized surface by the transition metal oxide layer, it is possible to form a layer having a more uniform light emitting function of the film thickness distribution.

なおここで、機能層は少なくとも1種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも1種類のバッファ層と、少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層とを含むようにしてもよい。 Incidentally, where the functional layer is a layer having the light emitting function of at least one polymeric material, and at least one buffer layer, it may include a charge injection layer composed of at least one inorganic material.
この構成によれば、電荷注入層として無機物を用いることにより、発光強度が極めて大きく特性の安定な有機エレクトロルミネッセント素子を得ることができる。 According to this configuration, by using the inorganic substance as the charge injection layer may be luminous intensity to obtain a stable organic electroluminescent device very high characteristics. これは、2種類の高分子材料のクーロン相互作用による緩やかな結合が外れ易いPEDOTのように電流密度の増大に際しても、不安定となったりすることなく、安定な特性を維持することができ、発光強度を増大することができるようになったためと考えられる。 This, without loose coupling due to the Coulomb interaction of the two polymeric materials also upon an increase in the current density as likely PEDOT off, or become unstable, it is possible to maintain a stable characteristic, presumably because it has become possible to increase the emission intensity. また、少なくとも1種類のバッファ層を用いることで、例えば電子の陽極への抜けを防止することができ、発光に寄与することなく電流が流れるのを防止することができる。 In addition, by using at least one buffer layer, for example, it is possible to prevent the loss of electrons into the anode, it is possible to prevent the current without contributing to light emission flows. このように少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層を備えることで、広範囲の電流密度に亘って素子の発光強度および、発光効率を高レベルに維持することができ、また、寿命も向上する。 By thus comprising a charge injection layer composed of at least one inorganic material, the emission intensity of the device over a wide range of current density and can maintain the light emission efficiency at a high level, it is also improved lifetime. 従って、高輝度に至るまで、幅広い輝度範囲にわたって安定に動作し、かつ寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセント素子を実現することができる。 Thus, up to a high brightness, stable operating over a wide luminance range, and it is possible to realize an excellent organic electroluminescent device life property. ここで、発光層は共役系高分子であるのが望ましい。 Here, the light emitting layer is desirably conjugated polymer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含むものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the layer having the light emitting function include those containing a polymer compound having a fluorene ring. ここでフルオレン環を含む高分子化合物とは、フルオレン環に所望の基が結合してポリマーを構成しているものをいう。 Here, the polymer compound having a fluorene ring, refers to a desired group in the fluorene ring is to form a join to the polymer. 種々の基を結合した高分子化合物が市販されているが、詳細はわからないものが多いためここでは説明を省略する。 High molecular compound bound the various groups are commercially available, a description thereof will be omitted here because many of them do not know details.

なお、発光機能を有した層とは、単に発光機能のみを有した層に限定されるものではなく、電荷輸送機能など、他の機能を有しているものを含むものとする。 Note that the layer having the light emitting function, not just limited to a layer having only a light emitting function, such as a charge transport function, it is intended to include those having other functions. なお以下実施の形態では発光層と簡略化する。 Note simplified and light-emitting layer in the following embodiments.

本発明の有機エレクトロルミネッセント素子によれば、リークの発生もなく、安定に動作し、かつ寿命特性に優れているため、表示用途の温和な駆動条件域から、強電界、大電流、高輝度という厳しい条件を要する露光装置などの駆動条件下に至るまで安定した電荷注入と発光効率の維持を実現することが可能となる。 According to the organic electroluminescent device of the present invention, no occurrence of leakage, stable operation, and because it is excellent in life characteristics, from mild driving conditions gamut of display applications, a strong electric field, a large current, high it is possible to realize the maintenance of stable charge injection and light emission efficiency up to driving conditions such as an exposure apparatus which requires strict conditions of brightness.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to the drawings, embodiments of the present invention.

(実施の形態1) (Embodiment 1)
図1は、本発明の実施の形態1における画像形成装置の露光部に設けられる光ヘッドに用いられる有機エレクトロルミネッセント素子の構成を示す断面概要図である。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing a structure of an organic electroluminescent device used in an optical head provided in the exposure unit of the image forming apparatus according to the first embodiment of the present invention. このエレクトロルミネッセント素子は、透光性のガラス基板100上に第1の電極111としてITO層からなる陽極と第2の電極113としての陰極と、これら電極間に形成された機能層とを備え、この機能層は、有機半導体高分子層からなる発光機能を有した層すなわち発光層112と、前記電極と前記発光層112との間に遷移金属酸化物層115としての膜厚40nmのMoO 層と、この上層に膜厚50nmの窒化シリコン膜からなる画素規制層114とを備えたもので、遷移金属酸化物層115としてのMoO 層の膜厚を従来では考えられなかった厚さである膜厚40nmとすることにより、厚膜のMoO 層によって表面の平坦化および平滑化をはかった上で、良好に発光領域の面積を規制するように構成したことを特徴 The electroluminescent device includes a cathode as an anode and the second electrode 113 made of ITO layer as a first electrode 111 on a glass substrate 100 of the light-transmitting and a functional layer formed between these electrodes provided, the functional layer includes a layer or light emitting layer 112 having a light emitting function formed of an organic semiconductor polymer layer, MoO of thickness 40nm as the transition metal oxide layer 115 between the light emitting layer 112 and the electrode 3 and layers, which has a pixel regulating layer 114 made of a silicon nitride film having a thickness of 50nm on the upper layer, MoO 3 layer thickness conventional in thickness was not considered as a transition metal oxide layer 115 characterized by a thickness 40 nm, on which to flatten and smooth the surface by MoO 3 layer of thick film, it was configured to restrict the area of good light-emitting region is する。 To. また、MoO のような遷移金属酸化物を成膜する際、この遷移金属酸化物層115は真空蒸着法によって成膜されるが、成膜に際し、蒸発源の組成比、チャンバー内の圧力、温度を制御し、比抵抗が、比抵抗が10MΩcm以上になるように成膜する。 Further, when forming the transition metal oxides such as MoO 3, but the transition metal oxide layer 115 is deposited by a vacuum deposition method, upon deposition, the composition ratio of the evaporation source, the pressure in the chamber, the temperature was controlled, specific resistance, the specific resistance is formed to have a higher 10Emuomegacm. 現在の成膜条件では蒸発源として、99.999%のMoO 3を蒸発源として用いると、比抵抗が10MΩcm以上になる。 As the evaporation source in the current film forming conditions, the use of 99.999% of MoO 3 as the evaporation source, the specific resistance is equal to or greater than 10Emuomegacm. これは成膜の際に、成膜条件に応じて結晶構造が変化し、その結果として比抵抗が10MΩcm以上になったものと思われる。 This is the time of film formation, the crystal structure changes depending on the deposition conditions, specific resistance seems to have become more 10MΩcm as a result.
また、成膜条件を調整することにより、積層方向の比抵抗が面方向の比抵抗の3分の1程度となるようにすることもできる。 Further, by adjusting the film formation conditions, the specific resistance in the stacking direction may be set to be about one third of the resistivity in the surface direction. これは成膜の際に、結晶異方性構造が生じ、その結果として積層方向の比抵抗と面方向の比抵抗の差異が生じているものと考えられる。 This is the time of film formation, the crystal anisotropic structure occurs, it is considered that the specific resistivity of the difference in the laminating direction of the resistivity and the surface direction has occurred as a result. 明確には分かっていないが、このように蒸発源の純度などの条件を選ぶことにより、積層方向の比抵抗が、面方向の比抵抗の3分の1程度の遷移金属酸化物を得ることができる。 Clearly not known to it, by selecting the conditions such as the purity of the thus evaporation source, the specific resistance in the stacking direction, to obtain a transition metal oxide of about one third of the resistivity in the surface direction it can.

ここでは遷移金属酸化物層115としての厚いMoO 層と、陽極である第1の電極111との間にTFBからなる電子ブロック層116を形成している。 This forms an electron blocking layer 116 made of TFB between the thick MoO 3 layer of the transition metal oxide layer 115, a first electrode 111 is an anode. また第2の電極すなわち陰極113は膜厚3nm程度のバリウム電極113aと、この上層に形成された膜厚150nmのアルミニウム電極113bとで構成される。 The second electrode or cathode 113 is composed of a barium electrode 113a having a film thickness of about 3 nm, an aluminum electrode 113b having a film thickness of 150nm formed on the upper layer.

この構成によれば、画素規制層の下地を平滑化することができ、その分画素規制層の膜厚を薄くしても、十分な絶縁性を維持することができることになり、画素規制層に起因する段差の低減を図ることが可能となる結果、発光機能を有した層の膜厚分布をより均一化することが可能となる。 According to this configuration, it is possible to smooth the base of the pixel regulating layer, even if reducing the thickness of that amount pixel regulating layer, will be able to maintain a sufficient insulation, the pixel regulating layer results be reduced due to the step becomes possible, it becomes possible to further uniform the film thickness distribution of the layer having the light emitting function. また画素の短絡を生じることもなかった。 Also it did not have to cause short-circuiting of the pixel. このときの発光特性を測定した結果を図2に示す。 It shows the results of the emission characteristics were measured in this case in FIG. ここで横軸は位置、縦軸は発光強度である。 Here the horizontal axis represents position, the vertical axis indicating the emission intensity. この図から明らかなように矩形の発光スペクトルをもち良好な発光特性を示すことがわかる。 FIG As apparent from it can be seen that the rice good luminous characteristics an emission spectrum of the rectangle. ここで画素規制層は絶縁性材料ではなく遮光性材料であってもよい。 Here pixel regulating layer can be a light-shielding material rather than an insulative material. また遮光性と絶縁性との両方の性質を備えたものであっても光出射領域を良好に規制することができ、画素を規定することが可能となる。 Also be those having properties of both the light-shielding and insulating can also be satisfactorily regulated light emitting region, it is possible to define a pixel.

ところで、比抵抗は、用いた遷移金属酸化物中に含まれる不純物や酸素欠陥をコントロールすることによって変化させることが出来る。 Incidentally, specific resistance, impurities and oxygen defects contained in the transition metal oxide can be varied by controlling the using. 例えば、MoO 3を真空蒸着で成膜する場合は、蒸発源として用いるMoO 3粉末の純度により変化させることが出来る。 For example, to film the MoO 3 in a vacuum vapor deposition can be varied by the purity of the MoO 3 powder used as the evaporation source. 例えば、99.999%のMoO 3を蒸発源として用いると、比抵抗が10MΩcm以上になるが、99.9%のMoO 3を用いると、比抵抗は1MΩcmになる。 For example, using the 99.999% of MoO 3 as the evaporation source, although the specific resistance is equal to or greater than 10Emuomegacm, the use of MoO 3 of 99.9%, the resistivity becomes 1Emuomegacm.
スパッタ法にて成膜する場合は、MoO 3ターゲット材料の場合は同様に純度が影響し、純度が高い方が抵抗値は高くなる。 When forming by sputtering, MoO 3 affect purity as well if the target material, the resistance value is more purer increases. また、スパッタの場合は、Mo金属をターゲット剤として用い、共存するガスを酸素にするか、窒素にするかで大きく変わる。 In the case of sputtering, using a Mo metal as a target agent, or the coexisting gases to oxygen varies greatly or nitrogen. またそれぞれの分圧を変えると膜の酸素欠陥やイオン化ポテンシャルが変わり、比抵抗もコントロールすることができる。 The change of oxygen defects and the ionization potential of the membrane changing the respective partial pressures may be specific resistance control. 上記の方法はMoO 3に限られたものではなく他の元素、例えばタングステンやバナジウムを用いた時も同様である。 The above method is the same even when using other elements not limited to MoO 3, for example, tungsten or vanadium.
比抵抗としては、1MΩから100MΩとするのが、望ましい。 The specific resistance of the 100MΩ from 1MΩ is desirable. 1MΩに満たないと、クロストークを防止することが難しい、一方、100MΩを越えると、電圧降下の防止の両方の条件を満たすことが困難となる。 If less than 1 M.OMEGA, it is difficult to prevent crosstalk, whereas, if it exceeds 100 M.OMEGA, it is difficult to satisfy both the prevention of voltage drop.

(スピンコートによる実験) (Experiments with spin coating)
次にこの有機エレクトロルミネッセント素子においてMoO 層の膜厚による特性変化を観察すべく膜厚を変化させて試料を作成した。 Then we created a sample by changing the film thickness in order to observe the characteristic change due to the thickness of the MoO 3 layer in the organic electroluminescent device. なおここでは発光層112の形成をスピンコートによって行った。 Note here was carried out by spin coating to form a light-emitting layer 112.
各試料については、透光性のガラス基板100表面にスパッタリング法によりITO膜を形成し、第1の電極111を形成した後、MoO 層115を真空蒸着法により所望の膜厚となるように成膜し、高密度プラズマを用いたCVD法により窒化シリコン膜を形成し、フォトリソグラフィにより開口し画素規制層114を形成する。 For each sample, the ITO film was formed by sputtering on a glass substrate 100 surface of the transparent, after forming the first electrode 111, the MoO 3 layer 115 so as to have a desired thickness by a vacuum deposition method deposited, the silicon nitride film formed by a CVD method using a high density plasma, to form openings to the pixel regulating layer 114 by photolithography. そして電子ブロック層116を成膜し、パターニングした後、発光層112を形成する。 And depositing an electron blocking layer 116, after patterning, to form the light-emitting layer 112. 発光層としては高分子層をスピンコートによって形成するが、材料については後述する。 The luminescent layer is formed by spin-coating the polymer layer, but will be described later material.

以上のようにして、MoO の膜厚を変化させて100素子(画素)づつ作成し、10000cd/m の輝度一定の条件下で100素子の寿命測定を行い、寿命のバラツキを評価した。 As described above, by changing the thickness of the MoO 3 prepared 100 elements (pixels) at a time, performs lifetime measurement of 100 elements in the luminance certain conditions of 10000 cd / m 2, to evaluate the variation of the lifetime.
この場合の寿命とは、素子に投入する電流値が初期値の4倍に到達したところまでの経過時間を寿命と定義した。 This and the life of the case, the current value to be introduced into the device was defined as the elapsed time the life up to the point where it reaches the 4 times the initial value.

その結果、図22に示すように第1の電極111上にPEDOT125を使用した試料R101は平均寿命が11hrであり最小値は0.5時間、最大値は18時間であった。 As a result, the minimum value is 0.5 hour sample R101 using PEDOT125 over the first electrode 111 as shown in FIG. 22 is a life expectancy 11Hr, maximum value was 18 hours. 試料R106,R110については、平均寿命がそれぞれ9時間、6時間であり最小、最大値は試料R101と同様なバラツキを示した。 For samples R106, R110, 9 hours life expectancy, respectively, the minimum is 6 hours, the maximum value was the same variations as the sample R101.
一方、遷移金属酸化物層115であるMoO を下地層に用いた試料D102は、平均寿命が110hrでありそのバラツキも90hrから120hrの中に入っていた。 On the other hand, the sample D102 using MoO 3 is a transition metal oxide layer 115 in the base layer, the average life had entered into the 120hr from a and 90hr also the variation 110Hr. その他の試料D103−105についても同様な結果が得られた。 Similar results for the other samples D103-105 were obtained.

さらに100素子それぞれに対応する画素中ショートした素子の数を調べた。 Was examined the number of elements is shorted in pixels corresponding to each further 100 elements. ショートしたかどうかは、寿命評価にかけて10分以内に発光しなくなり、電流が大きく流れた素子をショートしたと定義した。 Whether shorted, longer emission within 10 minutes over the life evaluation was defined as the short element a current flows greater.

試料R101−D115についてのショートした画素数を計測し表に記した。 The number of shorted pixels for samples R101-Dl 15 noted on the measured table.
MoO3を用いた素子はPEDOTを用いた試料よりはショート数が少なく、かつ厚膜化するに従ってショートした数が少なくなることはあきらかである。 The device using the MoO3 small short number than sample using PEDOT, and it is clear that the number of shortcircuit is reduced according thicker. また、図22に示した従来例の素子は画素規制層の厚みが高くなるとショートしやすくなるのに対し、MoO を用いた素子は良好な結果を示すことがわかる。 Further, elements of the prior art shown in FIG. 22 while easily shorted when the thickness of the pixel regulating layer is increased, device using MoO 3 it can be seen that show good results.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
図3は、本発明の実施の形態2における画像形成装置の露光部に設けられる光ヘッドの有機エレクトロルミネッセント素子の構成を示す断面概要図である。 Figure 3 is a cross-sectional schematic view showing a structure of an organic electroluminescent element of the optical head provided in the exposure unit of the image forming apparatus of the second embodiment of the present invention. このエレクトロルミネッセント素子は、前記画素規制層114表面全体を遷移金属酸化物層115としてのMoO 層で被覆され、この上層に発光機能を有した層112が形成された点で前記実施の形態1と異なる。 The electroluminescent device, the covered the entire pixel regulating layer 114 surface MoO 3 layer of the transition metal oxide layer 115, the embodiment in that a layer 112 having a light emitting function on the upper layer is formed form different from the first. 他は前記実施の形態と同様に形成されている。 Others are formed similarly to the foregoing embodiment.

この構成によれば、MoO 層(115)が画素規制層114上に形成され、前記光出射領域となる領域から前記画素規制層114上までを覆っているため、発光機能を有した層はより平滑な表面に形成されることになり、均一な膜厚分布を得ることができ、より長寿命化を図ることが可能となる。 According to this configuration, MoO 3 layer (115) is formed on the pixel regulating layer 114, since the covering up on the pixel regulating layer 114 from a region to be the light emitting region, the layer having the light emitting function is would be formed in a smoother surface, it is possible to obtain a uniform film thickness distribution, it is possible to achieve a longer service life.

このときの発光特性を測定した結果を図4に示す。 Shows the results of the emission characteristics were measured at this time is shown in FIG. ここで横軸は位置、縦軸は発光強度である。 Here the horizontal axis represents position, the vertical axis indicating the emission intensity. この図から明らかなように矩形の発光スペクトルをもち良好な発光特性を示すことがわかる。 FIG As apparent from it can be seen that the rice good luminous characteristics an emission spectrum of the rectangle. 図2に示した実施の形態1と比較して若干発光スペクトルが急峻になっている。 Some emission spectra as compared to the first embodiment shown in FIG. 2 is steeper.

次にこの構造においてMoO の膜厚を変化させて本発明の効果を確認するための実験を行った。 Next experiments were performed to confirm the effects of the present invention by changing the thickness of the MoO 3 in this structure. 本実施の形態ではインクジェット法を用いた。 Using the inkjet method in the present embodiment.
まず、ITO薄膜からなる第1の電極111の形成されたガラス基板あるいはITO基板上に、ポリイミドを成膜し、レジストを用いてフォトリソ工程を行い、一辺が35μmの画素規制層(バンク)をピッチ42μmにて10ドット作製した。 First, the pitch in the first electrode 111 a glass substrate or an ITO substrate formed of an ITO film, a polyimide is formed and subjected to photolithography using a resist, one side 35μm pixel regulating layer (bank) was 10 dots produced in 42μm. ポリイミドのバンク厚は2μmであった。 Bank thickness of the polyimide was 2μm.

このようにして得られた画素規制層114を設けたITO薄膜からなる第1の電極111上にインクジェット法にてPEDOTを約70nmの厚さになるように塗布し、ベークしたあと、電子ブロック層をインクジェット法にて10nm塗布し、ベークした。 Thus it was coated to a thickness of about 70nm to PEDOT in the inkjet method on the first electrode 111 made of ITO thin film having a pixel regulating layer 114 thus obtained, after baking, electron blocking layer was 10nm applied by an ink jet method, and baked. 引き続き高分子型赤色発光材料を同じくインクジェット法にて塗布、ベークした。 Subsequently similarly applied by an inkjet method polymer red light-emitting material, and baked. 更にBaとAlからなる陰極をすべてのドットに共通になるよう抵抗加熱蒸着装置で合計120nmになるように蒸着し、比較例として図22に示したような有機エレクトロルミネッセント素子を形成し試料R201とした。 Further deposition to a total 120nm by resistance heating vapor deposition apparatus so as to be common to all the dots of the cathode consisting of Ba and Al, the sample to form an organic electroluminescent device as shown in FIG. 22 as a comparative example was R201.

次に、同様の基板を用い、PEDOT層125に代えて、MoO を20nm、40nm、80nm、120nmと厚みを変化させて真空蒸着し、その上に同様にインクジェットを用いて電子ブロック層116、発光層112、陰極113を設け、試料D202−205とした。 Then, using the same substrate, in place of the PEDOT layer 125, the MoO 3 20 nm, 40 nm, 80 nm, by varying the 120nm and thickness by vacuum evaporation, electron blocking layer 116 using an inkjet similarly thereon, layer 112, a cathode 113 is provided to prepare a sample D202-205.
得られた試料に直流電圧を負荷し、1ピクセル内の発光分布を高解像度のCCDカメラを用いて測定した。 The resulting DC voltage is loaded to the sample, and the emission distribution within one pixel was measured using a high-resolution CCD camera.

その結果、試料R201では、図23に示したように釣り鐘状の発光プロファイルが得られたのに対し、図6に示したようにMoO を用いた試料では矩形に近い発光プロファイルが得られた。 As a result, in Sample R201, while the bell-shaped emission profile as shown in FIG. 23 were obtained, was obtained emission profiles close to rectangular in samples using MoO 3 as shown in FIG. 6 .

PEDOTで発光プロファイルが釣り鐘型になったのは、PEDOT層、電子ブロック層、発光層にピクセル内の厚みの不均一があったため、結果的に発光効率が変化し、発光プロファイルが変化したものと思われる。 Is the emission profile became bell-shaped with PEDOT, PEDOT layer, an electron blocking layer, because there was a non-uniform thickness in the pixel in the light emitting layer, resulting in light emission efficiency is changed, and that the light emission profile is changed Seem. 一方、MoO を用いたピクセルの発光プロファイルが矩形であったのは膜厚の均一性が向上したものと思われる。 On the other hand, the emission profile of the pixel using MoO 3 were rectangular It is believed that the uniformity of the film thickness is improved.

次に、これらを初期輝度12000cd/m になるように調整して、寿命試験をかけた。 Then adjust these to be the initial luminance 12000 cd / m 2, was subjected to life test. その結果、試料201は、30分で半減したのに対し、MoO を用いた試料は、最大で100hrの半減期を示し厚みの依存性は小さかった。 As a result, the sample 201, while were halved in 30 minutes, samples using MoO 3, the dependence of the thickness indicates a half-life of 100hr at most were small.

このことは、MoO を電子ブロック層に用いるとインクジェット法を用いた場合に、PEDOTとの差がさらに大きくなることを示している。 This means that, when using an ink jet method Using MoO 3 in the electron blocking layer, indicating that the difference between the PEDOT is further increased. これは、PEDOTは水分散系の溶液であり、乾燥後も表面は親水的であるのに対し、ITO表面は親水性、バンク材料はポリイミド等の親油的な表面を持っている。 This, PEDOT is a solution of the aqueous dispersion, after drying also surface whereas a hydrophilic, ITO surface hydrophilic, the bank material has an oleophilic surface, such as polyimide. その結果、PEDOTをインクジェット法で作製すると液滴がバンクに接する部分がはじかれて、薄くなっておるものと考えられる。 As a result, the droplets when making PEDOT by an inkjet method is repelled portion in contact with the bank, it is considered that Nikki thinner.

さらにPEDOT層の上部に有機溶媒に溶解させた(例えばキシレン、トルエン等)電子ブロック層、発光層をインクジェットノズルから吐出させると、PEDOT上には広がりにくく、バンクに接する部分は広がる等の性質のため、これらの層が均一になっていない。 Furthermore dissolved in an organic solvent on top of the PEDOT layer (such as xylene, toluene, etc.) electron blocking layer, when ejecting light-emitting layer from an ink jet nozzle, hardly spread on PEDOT, the nature of such a portion in contact with the bank spread Therefore, these layers are not in uniform. 一方、MoO3層の表面は、PEDOT層ほど親水性でないためインクジェット法を用いても、有機溶剤に溶解させた有機層が均一に広がることが確認でき、少なくとも一方がバンクで囲まれたピクセル内の膜厚を均一にするためには非常に効果的であることがわかる。 On the other hand, the surface of the MoO3 layer, also by using an ink jet method for not hydrophilic enough PEDOT layer, it confirmed that the organic layer dissolved in an organic solvent uniformly spread, at least one of the pixels surrounded by the bank to achieve a uniform film thickness is found to be very effective.

一方、得られた寿命評価の結果、寿命の最大値は、100hr程度であったが、MoO が薄い場合は、寿命途中でショートした素子が多く見られたのに対し、40nm、80nm、120nmの厚みの素子は、ショートした素子は皆無であった。 On the other hand, results of the life evaluation, the maximum value of the lifetime is which was about 100 hr, whereas if MoO 3 is thin, was observed many elements short-circuited midway life, 40 nm, 80 nm, 120 nm the element of thickness, shorted element was none.

この理由は、MoO が薄い場合はITO表面の微結晶による凹凸、プロセス上のダストの影響等があるのに対し、本発明の厚膜MoO を用いた場合はショートの原因となりうる表面の突起やダストをMoO が覆っており、発光特性の変化を生じさせないためだと推測される。 This is because the unevenness due to crystallites of the ITO surface if MoO 3 is thin, whereas there is influence of dust in the process, a thick film MoO 3 of the present invention the surface that may cause a short circuit in the case of using the projections and dust covers are MoO 3, is presumed to be because not to cause a change in the emission characteristics. ただし、本当の要因はまだ不明である。 However, the real factor is still unclear. しかしながら実験事実から見ると厚膜のMoO を用いた試料は、信頼性が高いことは確認できた。 However seen from experimental facts the samples using MoO 3 of a thick film, it is reliable, it was confirmed.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
図5は、本発明の実施の形態3における画像形成装置の露光部に設けられる光ヘッドの構成を示す断面図であり、光源としてのエレクトロルミネッセント素子110およびその周辺を示しており、光検出素子120を構成する各層の上下配置の関係が示されている。 Figure 5 is a sectional view showing a configuration of an optical head provided in the exposure unit of the image forming apparatus of the third embodiment of the present invention shows the electroluminescent element 110 and the periphery thereof as a light source, an optical relationship of the upper and lower arrangement of the layers constituting the detection element 120 is shown. 図6はその要部の上面図である。 6 is a top view of the main part. このエレクトロルミネッセント素子は、第1の電極111としての陽極と第2の電極113としての陰極と、これら電極間に形成された少なくとも1種類の有機半導体からなる発光機能を有した層すなわち発光層112とを備え、前記電極と前記発光機能を有した層との間に遷移金属酸化物層115としての膜厚40nmのMoO3層115と、この上層に膜厚50nmの窒化シリコン膜からなる画素規制層114とを備えたもので、遷移金属酸化物層115としてのMoO 層の膜厚を従来では考えられなかった厚さである膜厚40nmとすることにより、厚膜のMoO 層によって表面の平坦化および平滑化をはかった上で、良好に発光領域の面積を規制するように構成したことを特徴とする。 The electroluminescent device includes a cathode as an anode and the second electrode 113 as a first electrode 111, at least one layer or emission having a light emitting function formed of an organic semiconductor formed between these electrodes and a layer 112, a MoO3 layer 115 having a thickness of 40nm as a transition metal oxide layer 115 between the layer having the light emitting function and the electrode, made of a silicon nitride film having a thickness of 50nm on the upper layer pixel which was equipped with a regulating layer 114, by the thickness of the film thickness 40nm of the film thickness of the MoO 3 layer was not considered in the conventional as transition metal oxide layer 115, the MoO 3 layer of the thick film after having tried to flatten and smooth the surface, characterized by being configured to regulate the area of ​​good emission region.

なおここで画素規制層114としての窒化シリコン膜は高密度プラズマを用いた低温CVD法によって膜厚50nm程度となるように成膜される。 Note here silicon nitride film as the pixel regulating layer 114 is formed to a film thickness of about 50nm by a low temperature CVD method using high-density plasma. そしてフォトリソグラフィによるレジストパターンを形成し、開口形成のためのエッチングを行うが、最初異方性エッチングを行った後、等方性エッチングを行い、エッジの滑らかなパターンを形成する。 And forming a resist pattern by photolithography, but etched for opening forming, after the first anisotropic etching, performs isotropic etching, to form a smooth pattern edges. このときパターンエッジにおける下地とのなす角は3度から10度程度となるようにする。 Angle between the base in this case the pattern edge to be about 10 degrees 3 degrees.

この光ヘッドは、図6に示すように、エレクトロルミネッセント素子110が、基板上に形成された光検出素子120を構成する薄膜トランジスタ(TFT)の上層に積層され、エレクトロルミネッセント素子110の光検出素子120側に位置する第1の電極111としての陽極が光検出素子120の光電変換部全体を覆うように形成されるため、エレクトロルミネッセント素子の第1の電極が、光検出素子の光電変換部全体に対向している。 The optical head, as shown in FIG. 6, electroluminescent device 110 is laminated on the upper layer of the thin-film transistor (TFT) constituting the light-detecting element 120 formed on a substrate, the electroluminescent device 110 since the anode of the first electrode 111 positioned on the light-detecting element 120 side is formed to cover the entire photoelectric conversion portion of the photodetecting element 120, the first electrode of the electroluminescent device, the light detecting element faces of the whole photoelectric conversion unit. この構成により、第1の電極が光検出素子のゲート電極として有効に作用し、安定した電位であるこの第1の電極の電位によって光検出素子のチャネル特性の制御が確実となり、安定した発光特性をもつ光ヘッドを提供することが可能となる。 This configuration, the first electrode effectively acts as a gate electrode of the photodetecting element, the control of the stable is a potential channel characteristics of the light detecting element by the potential of the first electrode becomes ensured, stable emission characteristics it is possible to provide an optical head with. また発光層を挟んで第1の電極に対向するように設けられる第2の電極113としての陰極が上層側に形成される。 The cathode of the second electrode 113 provided so as to face the first electrode sandwiching the light emitting layer is formed on the upper layer side.

また、この光ヘッドでは、光検出素子120の素子領域を構成する多結晶シリコンの島領域121の外縁がエレクトロルミネッセント素子の光出射領域A LEの外側となるように形成されている。 Further, this optical head, the outer edge of the island region 121 of the polycrystalline silicon constituting the element region of the photodetector element 120 is formed such that the outside of the light emission region A LE of the electroluminescent element. このように、段差を形成する結果となる光検出素子120の島領域121すなわちここでは、素子領域A Rの外縁がエレクトロルミネッセント素子の光出射領域A LEの外側となるように形成し、エレクトロルミネッセント素子の光出射領域に相当する領域には段差はなく、発光層の下地は平坦面を構成しており、したがって光ヘッドの有効領域となる光出射領域では光ヘッドの発光層が均一に形成される。 Thus, here namely the island region 121 of the light detecting element 120 result in the formation of the step, formed to the outer edge of the element region A R is the outside of the light emission region A LE of the electroluminescent element, electroluminescent in a region corresponding to the light emission region of St. element stepped rather, underlying light-emitting layer constitutes a flat surface, and thus the emission layer of the optical head on the light emission region to be the effective area of ​​the optical head It is uniformly formed.

図10(a)、図10(b)では、本来画素規制層によって電荷の注入が阻止されるべき部分(すなわち本来発光してはならない部分)で発光していることがわかる。 FIG. 10 (a), the in FIG. 10 (b), it can be seen that the light emission by injection to is prevented in an electric charge by the original pixel regulating layer (ie, the portion that should not be luminescent originally). この異常な発光部分は、まさに画素規制層の真上であって(図9(a)、図9(b)を参照し、図10(a)、図10(b)と比較することで明白である)、画素規制層を介してリーク電流が流れていることを意味する。 The abnormal light emission portion is exactly a right above the pixel regulating layer (FIG. 9 (a), the reference to FIG. 9 (b), FIG. 10 (a), the apparent by comparing FIG. 10 (b) and in a), the more the leakage current flows through the pixel regulating layer. これと比較して図9(a)、図9(b)では発光領域は画素規制層によって設けられた開口と完全に一致している。 In comparison FIG. 9 (a), the light-emitting region in FIG. 9 (b) exactly match the opening provided by the pixel regulating layer.
画素規制層の表面を平滑化した本実施の形態のエレクトロルミネッセント素子によれば、リーク発光もなく明暗比の大きい発光状態を形成することが可能となる。 According to the electroluminescent device of the present embodiment obtained by smoothing the surface of the pixel regulating layer, it is possible to form a large light-emitting state of the leakage light emission even without contrast ratio.
なお、すでに述べたように、図10(a)、図10(b)に示す有機エレクトロルミネッセント素子の画素規制層の表面平均粗さは5.5nmであり、画素規制層の表面の最大山高さと、最大谷深さの絶対値の和は従来例の20.8nmである。 Note that as described above, FIG. 10 (a), the surface roughness of the pixel regulating layer of the organic electroluminescent device shown in FIG. 10 (b) is 5.5 nm, the maximum of the surface of the pixel regulating layer Sato Yamataka, the sum of the absolute values ​​of the maximum valley depth is 20.8nm conventional example. このような条件で作成された有機エレクトロルミネッセント素子を、後に説明する露光装置のような精密機器に採用することは難しい。 It is difficult to employ such an organic electroluminescent device which is created on the condition, the precision equipment such as an exposure apparatus to be described later.
露光装置によって形成される個々の画素には極めて高い均一性が要求される。 Very high uniformity is required for the individual pixels formed by the exposure apparatus. このために発光領域の形状は一定に形成されなければならない。 The shape of the light emitting region for this must be formed to be constant. リークのような不安定な状態が発生すると、この要件を満足し得ないのである。 When unstable state such as leak, it's not satisfy this requirement. この観点から、露光装置のようなアプリケーションにおいては、図9(a)、図9(b)に対応して、画素規制層の表面平均粗さRa≦1.0nm、画素規制層の最大山高さ:Rpと最大谷深さ:Rvの絶対値の和≦10nm程度の精度が要求される。 From this point of view, in applications such as the exposure apparatus, FIG. 9 (a), corresponding to FIG. 9 (b), the maximum peak height of the average surface roughness Ra ≦ 1.0 nm, pixel regulating layer of the pixel regulating layer : Rp and the maximum valley depth: absolute value sum ≦ 10 nm about the accuracy of the Rv is required.
しかしながら、例えば照明装置のように、個々の発光領域の形状に精度を要しないようなアプリケーションにおいては、図10(a)、図10(b)に示すような発光状態であっても特に問題にはならない。 However, for example, as in the lighting device, in the individual light emitting area application that does not require precision in the shape of, FIG. 10 (a), particular problem even in the light emitting state as shown in FIG. 10 (b) It should not be. この場合には画素規制層におけるリークは存在するが、リーク部分における発光輝度は小さなものであり、アプリケーションの使用目的になんら影響を与えず、かつ有機エレクトロルミネッセント素子を破壊に導くようなものでもない。 Although the leak is present in the pixel regulating layer in this case, has an emission luminance smaller ones in the leak portion, without giving any effect on the intended use of application, and like guiding the organic electroluminescence element in the destruction not. この観点から、照明装置のようなアプリケーションにおいては、図9(a)、図9(b)に対応して画素規制層の表面平均粗さRa≦5.0nm、画素規制層の最大山高さ:Rpと最大谷深さ:Rvの絶対値の和≦20nm程度の精度を満たせば十分に実用に供することができる。 From this point of view, in applications such as lighting apparatus, FIG. 9 (a), the average surface roughness of the pixel regulating layer in correspondence to FIG. 9 (b) Ra ≦ 5.0nm, the maximum peak height of the pixel regulating layer: Rp and the maximum valley depth: satisfies the absolute value sum ≦ 20 nm about the accuracy of the Rv can be subjected to sufficient practical use.
そしてこの中間に位置するのが、例えばディスプレイに代表される表示装置のようなアプリケーションである。 And that located in this intermediate, for example an application such as a display device such as a display. 表示装置では中間調(階調)の再現性が重要である。 In the display device reproducibility of halftone (gray level) it is important. 上述してきた画素規制層のリークに起因する発光の有無によって、厳密には各画素の発光輝度は変動する。 The presence or absence of light emission due to the leakage of the pixel regulating layer has been described above, the exact emission brightness of each pixel varies. しかしこの変動範囲が、表示装置の再現可能な輝度範囲(すなわちダイナミックレンジ)における1つの階調ステップ未満であれば、特に問題となることはない。 However, this variation range, is less than one tone steps in reproducible luminance range of the display device (i.e. dynamic range), no particular problematic. 通常の表示装置において、この階調ステップ数は64程度に設定される。 In conventional display devices, the number of gradation steps is set to about 64. この観点から、表示装置のようなアプリケーションにおいては、上述の露光装置と照明機器の中間である、例えば画素規制層の表面平均粗さRa≦2.0nm、画素規制層の最大山高さ:Rpと最大谷深さ:Rvの絶対値の和≦15nm程度の精度を満たせば十分に実用に供することができる。 From this point of view, in applications such as display device, which is an intermediate of the above exposure apparatus and lighting equipment, for example, the surface roughness of the pixel regulating layer Ra ≦ 2.0 nm, maximum peak height of the pixel regulating layer: Rp and maximum valley depth: satisfies the absolute value sum ≦ 15 nm about the accuracy of the Rv can be subjected to sufficient practical use.

なお、画素規制層を所望の表面状態にするためには、窒化シリコン膜を成膜するプラズマCVD装置において例えば低温下で成膜することや、投入パワーを低く設定し、成膜速度を小さくすることや成膜時の導入ガスであるSiH 4とNH 3の混合比を変える具体的にはSiH 4の割合を高くするなど成膜条件を調整することにより、実現可能である。 In order to the pixel regulating layer on the desired surface condition, and be deposited at a low temperature for example in a plasma CVD apparatus for forming a silicon nitride film, set low input power, to reduce the deposition rate Specifically varying the and mixing ratio of SiH 4 and NH 3 are introduced gas at the time of film formation by adjusting the deposition conditions such as a higher proportion of SiH 4, it is feasible. また、画素規制層を成膜し、パターニングした後あるいはパターニングと同時にプラズマ処理などの表面処理を行い、表面粗さを調整することによっても、容易に実現可能である。 Further, by forming a pixel regulating layer, surface treatment was performed, such as at the same time plasma processing or patterning after patterning, by adjusting the surface roughness can be easily realized. また、前記成膜条件は各装置において各々な成膜特性を持ち高温下において成膜速度を大きくし成膜するほうがより平滑な表面状態を形成することもあり、これに限定されるものではない。 Further, the film forming conditions may also be better to increase deposited film formation rate at high temperature has a respective film formation properties in each of the units to form a smoother surface state, it is not limited thereto . また、成膜後にプラズマ処理などにより平滑化することも可能である。 It is also possible to smooth the plasma treatment after deposition. さらにまた、陽極と画素規制層との間に酸化モリブデンなどの無機酸化物層が形成されている場合には、表面処理を行う際に、プラズマ処理を行っても表面の劣化を生じることなく平滑化することが可能となり、画素規制層の端面も無機酸化物層表面とともに良好に平滑化される。 Furthermore, if the inorganic oxide layer of molybdenum oxide between the anode and the pixel regulating layer is formed, when the surface treatment, smooth without causing deterioration of the surface be subjected to plasma treatment it is possible to reduction, the end surface of the pixel regulating layer are also well smoothed with the inorganic oxide layer surface. これに対し、画素規制層の下層が高分子層の場合にはプラズマ処理によって劣化を生じる場合もある。 In contrast, under the pixel restricting layer is in the case of a polymer layer is sometimes caused the deterioration by plasma treatment.

なお前記実施の形態では、画素規制層として開口を有する絶縁層として窒化シリコン膜などの絶縁膜を介在させるという方法を用いているが、タングステンなどの遮光性の金属膜、あるいは遮光膜との積層体で構成してもよい。 Note in the above embodiment uses a method of interposing an insulating film such as a silicon nitride film as the insulating layer having an opening as a pixel regulating layer, light-blocking metal film such as tungsten or a stack of a light shielding film, it may be composed of a body. 遮光性の金属膜を用いた場合には、発光領域はそのままで光出射領域を光学的に規定することになる。 In the case of using a light-blocking metal film, the light-emitting region is to define a light emitting region optically intact.

なお、画素規制層を所望の表面状態にするためには、低温下で成膜するなど成膜条件を調整することにより、実現可能である。 In order to the pixel regulating layer on the desired surface condition, by adjusting the film forming conditions such as film formation at low temperatures, it can be realized. また、画素規制層を成膜し、パターニングした後あるいはパターニングと同時にプラズマ処理などの表面処理を行い、表面粗さを調整することによっても、容易に実現可能である。 Further, by forming a pixel regulating layer, surface treatment was performed, such as at the same time plasma processing or patterning after patterning, by adjusting the surface roughness can be easily realized.

本実施の形態の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドは、図5に示すように、表面に平坦化のためのベースコート層101を形成したガラス基板100上に、光検出素子120と、エレクトロルミネッセント素子110とを順次積層するとともに、光検出素子120の出力に応じて、駆動電流または駆動時間を補正しつつ前記エレクトロルミネッセント素子を駆動するためのスイッチングトランジスタ130としての薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続されたチップICとしての駆動回路(140)を搭載したものである。 An optical head using the organic electroluminescent element of the present embodiment, as shown in FIG. 5, on the glass substrate 100 formed with base coat layer 101 for planarization on the surface, the photodetector element 120, with sequentially stacked and electroluminescent device 110, a thin film transistor as a switching transistor 130 for in accordance with the output of the photodetector element 120, driving the electroluminescent device while correcting the driving current or the driving time it is obtained by mounting the driving circuit of the connected chip IC to the thin film transistor (140). そして、光検出素子120はベースコート層101表面に形成された多結晶シリコン層からなる島領域A Rを帯状のi層からなるチャネル領域を隔てて 所望の濃度にドープすることによりソース領域121S、ドレイン領域121Dを形成し、この上層に形成される酸化シリコン膜からなる第1の絶縁膜122、第2の絶縁膜123を貫通するようにスルーホールを介して形成された多結晶シリコン層からなるソースおよびドレイン電極125S,125Dで構成される。 The photodetector element 120 is the source region 121S by doping the desired concentration at a channel region formed of the island region A R of polycrystalline silicon layer formed on the base coat layer 101 surface of a strip-shaped i layer, a drain forming a region 121D, a first insulating film 122 made of a silicon oxide film formed on the upper layer, made of a polycrystalline silicon layer formed through the through hole so as to penetrate the second insulating film 123 source and drain electrodes 125S, composed 125D. また、この上層に保護層124としての窒化シリコン膜を介して、エレクトロルミネッセント素子110が形成されており、陽極となるITO(インジウム錫酸化物)111、保護膜124、発光層112、陰極113の順に各層が積層形成されている。 Further, through the silicon nitride film as the protective layer 124 in an upper layer, the electroluminescent element 110 is formed, ITO serving as an anode (indium tin oxide) 111, a protective film 124, the light emitting layer 112, a cathode layers are stacked in this order 113.

一方、光検出素子120を構成する各層は、駆動トランジスタとしての選択トランジスタ130と同一の製造工程で形成される。 Meanwhile, each of the layers constituting the light-detecting element 120 are formed in the same manufacturing process and the selection transistor 130 as a drive transistor. すなわちチャネル領域131Cをはさんでソース領域132S,132Dが、光検出素子の半導体島と同一工程で形成され、これにコンタクトするソース・ドレイン電極134S,134Dが積層され、ゲート電極133とで選択トランジスタとしての薄膜トランジスタを構成している。 That source region 132S across the channel region 131C, 132D are formed in the semiconductor island and the same process of the photodetecting element, the source and drain electrodes 134S which contacts thereto, 134D are laminated, the selection transistor by the gate electrode 133 constitute a thin film transistor as.
これら各層は、CVD法による半導体薄膜の形成、フォトリソグラフィによるパターニング、不純物イオンの注入、絶縁膜の形成、など通例の半導体プロセスを経て形成される。 Each of these layers, formation of the semiconductor thin film by the CVD method, patterned by photolithography, implantation of impurity ions, forming an insulating film, etc. is formed at a usual semiconductor process.

ここで、ガラス基板100は無色透明なガラスの一枚板である。 Here, the glass substrate 100 is a single plate of colorless transparent glass. ガラス基板100としては、例えば透明または半透明のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の遷移金属酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス等の無機ガラスを用いることができる。 As the glass substrate 100, for example a transparent or semi-transparent soda lime glass, glass containing barium and strontium, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, transition metal oxide glass such as quartz glass, inorganic fluoride or an inorganic glass such as fluoride glass.

その他の材料をガラス基板100として採用することも可能であり、例えば透明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂ポリシロキサン、ポリシラン等のポリマー材料を用いた高分子フィルム等、あるいは透明または半透明のAs 23 、As 4010 、S 40 Ge 10等のカルコゲノイドガラス、ZnO、Nb 2 O、Ta 25 、SiO、Si 34 、HfO 2 、TiO 2等の金属酸化物および窒化物等の材料、或いは発光領域から出射される光を基板を介さずに取り出す場合には、不透明のシリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウム砒素、 And other materials can also be employed as the glass substrate 100, for example, a transparent or semitransparent polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyether sulfone, polyvinyl fluoride, polypropylene, polyethylene, polyacrylate, amorphous polyolefin , fluororesin polysiloxane polymer film using a polymer material such as polysilane, or a transparent or semi-transparent As 2 S 3, As 40 S 10, S 40 Ge 10 etc. chalcogenide maytansinoid glass, ZnO, Nb 2 O, in the case of taking Ta 2 O 5, SiO, Si 3 N 4 material such as, HfO 2, TiO 2 or the like of metal oxides and nitrides, or light emitted from the light emitting region without passing through the substrate , opaque silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, 化ガリウム等の半導体材料、或いは顔料等を含んだ前述の透明基板材料、表面に絶縁処理を施した金属材料等から適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。 Semiconductor materials such as gallium, or a transparent substrate material described above that contains a pigment and the like, can be appropriately selected from metal materials subjected to insulating treatment on the surface, a laminated substrate formed by laminating a plurality of substrate material it is also possible.

またガラス基板100などの基板の表面あるいは基板内部には、後述するようにエレクトロルミネッセント素子110を駆動するための抵抗・コンデンサ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等からなる回路を集積化して形成しても良い。 The inner surface or the substrate of the substrate such as a glass substrate 100 is also formed by integrated circuit comprising a resistor-capacitor inductor diode transistor or the like for driving the electroluminescent element 110 as described below it may be.

さらに用途によっては特定波長のみを透過する材料、光−光変換機能をもった特定の波長の光へ変換する材料などであってもよい。 Material that transmits only a specific wavelength by further applications, light - may be a particular material to be converted into light of a wavelength having a light conversion function. また基板は絶縁性であることが望ましいが、特に限定されるものではなく、エレクトロルミネッセント素子110の駆動を妨げない範囲或いは用途によって導電性を有していても良い。 Although it is desirable that the substrate is insulating, it is not particularly limited, may have a conductivity by the scope or application does not interfere with the driving of the electroluminescent device 110.

ガラス基板100の上には、ベースコート層101が形成される。 On a glass substrate 100, the base coat layer 101 is formed. ベースコート層101は、例えばSiNから成る第1の層と、SiO から成る第2の層の2つから構成される。 Base coat layer 101 is composed of, for example, a first layer made of SiN, from two of the second layer made of SiO 2. SiN、SiO の各層は蒸着法等によっても形成できるが、スパッタ法により形成することが望ましい。 SiN, although each layer of SiO 2 may also be formed by vapor deposition or the like, it is desirable to form by sputtering.

ベースコート層101の上には、エレクトロルミネッセント素子110の選択トランジスタ130、及び光検出素子120が同一工程で形成される多結晶シリコン層を用いて形成される。 On the base coat layer 101 is formed using a polycrystalline silicon layer selection transistors 130 of electroluminescent device 110 and the light detecting element 120, it is formed in the same step. エレクトロルミネッセント素子110の駆動用回路は、抵抗・コンデンサ・インダクタ・ダイオード・トランジスタ等の回路素子から構成されるが、光ヘッドの小型化を考慮すると薄膜トランジスタを用いることが望ましい。 Driving circuit of the electroluminescent element 110, it is composed of circuit elements such as resistors, capacitors, inductors, diodes, transistors, consider the size of the optical head and it is desirable to use a thin film transistor. 実施の形態3において光検出素子120は、図5から明らかなように発光層112を含むエレクトロルミネッセント素子110と、光の出力面となるガラス基板100の中間に位置しており、且つ光検出素子110の素子領域A は光出射領域A LEよりも大きい。 Light detecting element 120 in the third embodiment, the electroluminescent device 110 including the light emitting layer 112 As is apparent from FIG. 5, is located in the middle of the glass substrate 100 serving as the output surface of the light, and the light element region a R of the detecting element 110 is larger than the light emission region a LE. また光出射領域A LEは、光検出素子120の内側に存在するため、光を透過しない材料を光検出素子120に用いることはできない。 The light emission region A LE is to present inside the light-detecting element 120, can not be used a material which does not transmit light to the light detecting element 120. したがって、発光層112から出力された光を妨げないようにするため、光検出素子120には透明性を有した材料を用いる必要がある。 Therefore, in order not to interfere with the light output from the light-emitting layer 112, the light detecting element 120, it is necessary to use a having a transparent material. 透明性を有した光検出素子120の材料としては、例えば多結晶シリコンを選択することが望ましい。 As the material of the light-detecting element 120 having transparency, it is desirable to select, for example, polycrystalline silicon.

実施の形態3では、ベースコート層101の上に一様な半導体層を形成した後、半導体層に対してエッチング加工を施すことにより、選択トランジスタ130及び光検出素子120を同じ層から形成している。 In the third embodiment, after forming a uniform semiconductor layer on the base coat layer 101, by etching process to the semiconductor layer to form a selection transistor 130 and the light detecting element 120 from the same layer . 同一の金属層から島状に独立した選択トランジスタ130及び光検出素子120の金属層を一括で形成する加工は、製造工数の削減と製造コストの抑制に有利である。 Same processing for forming a metal layer in bulk metal layer independent select transistor 130 and the light detecting element 120 in an island shape is advantageous in suppressing the reduction and manufacturing cost of the manufacturing steps. なお光検出素子120において、光出射領域A LEから出力される光を受ける素子領域A は光検出素子120となる島状に構成された多結晶シリコンまたは非晶質シリコンの表面である。 Note in the photodetector element 120, the element region A R for receiving the light output from the light emission region A LE is the surface of the polycrystalline silicon or amorphous silicon that is configured in an island shape having a light-detecting element 120.

エレクトロルミネッセント素子110の発光層112に電界をかけるための選択トランジスタ130及び光検出素子120の上には、この酸化シリコン膜からなる第1の絶縁層122、第2の絶縁層123と保護層124とが、エレクトロルミネッセント素子の陽極としてのITO111との間でゲート絶縁膜として作用し、この膜厚による電圧降下によってITOの電位からの降下幅が決定される。 On the select transistor 130 and the light-detecting element 120 for applying an electric field to the light-emitting layer 112 of electroluminescent device 110, the first insulating layer 122 made of the silicon oxide film, a protective and a second insulating layer 123 and layer 124 acts as a gate insulating film between the ITO111 as an anode of the electroluminescent device, lowering width from the potential of the ITO by the voltage drop due to this thickness is determined. このゲート絶縁膜3を構成する第1の絶縁層122、第2の絶縁層123と保護層124は、例えばSiO 等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。 The first insulating layer 122 constituting the gate insulating film 3, the protective layer 124 and the second insulating layer 123 is made of, for example, SiO 2, a vapor deposition method, is formed by sputtering or the like.

また、選択トランジスタ130の真上にあるゲート絶縁膜としての第1の絶縁層122の表面にはゲート電極133が形成される。 The gate electrode 133 is formed on the surface of the first insulating layer 122 as a gate insulating film just above the selection transistor 130. ゲート電極133の材料としては、例えばCrが用いられる。 As a material of the gate electrode 133, for example, Cr is used. ゲート電極133は、蒸着法、スパッタ法等により形成される。 The gate electrode 133, a vapor deposition method, is formed by sputtering or the like.

ゲート電極133が形成された基板表面に、第2の絶縁層123が形成される。 The substrate surface on which the gate electrode 133 is formed, the second insulating layer 123 is formed. 第2の絶縁層123は、これまで形成してきた積層体の全表面に渡って形成される。 The second insulating layer 123 is formed over the entire surface of the laminate which has been formed so far. 第2の絶縁層123は、例えばSiN等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。 The second insulating layer 123 is formed of, for example, of SiN or the like, a vapor deposition method, is formed by sputtering or the like.

第2の絶縁層の上には、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dが形成される。 On the second insulating layer, the drain electrode 125D of the light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element grounding electrode, a source electrode 134S and a drain electrode 134D are formed. 光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極としてのソース電極125Sは光検出素子120のソース・ドレイン領域121S,121Dに接続されており、光検出素子120から出力される電気信号の伝達と光検出素子120の接地を行う。 The source electrode 125S as the drain electrode 125D and the light detecting element the ground electrode as a light-detecting element output electrode source and drain regions 121S of the light detecting element 120 is connected to 121D, the electric signal output from the photodetector element 120 performing ground transmission and the light detecting element 120. ソース電極134S及びドレイン電極134Dは、選択トランジスタ130のソース・ドレイン領域132S,132Dに接続されており、ソース電極134Sとドレイン電極134Dの間に所定の電位差を付与した状態で先述したゲート電極133に所定の電位を付与することで、選択トランジスタ130はスイッチング素子としての機能を有するようになり、発光素子としてのエレクトロルミネッセント素子110の駆動を行う回路として動作する。 The source electrode 134S and the drain electrode 134D, the source and drain regions 132S of the selection transistors 130 are connected to 132D, the gate electrode 133 previously described while applying a predetermined potential difference between the source electrode 134S and the drain electrode 134D by applying a predetermined voltage, the selection transistor 130 becomes to have a function as a switching element, which operates as a circuit for driving the electroluminescent element 110 as a light emitting element. 光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dの材料としては、例えばCr等の金属が用いられる。 A drain electrode 125D as a light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element the ground electrode, the material of the source electrode 134S and the drain electrode 134D, for example, a metal such as Cr is used. 図5に示すように、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極は第1の絶縁膜122及び第2の絶縁層123を貫通して光検出素子120の端部と接続されており、ソース電極134S及びドレイン電極134Dも同様に第1の絶縁膜122及び第2の絶縁層123を貫通して選択トランジスタ130の端部に接続されている。 As shown in FIG. 5, the drain electrode 125D and the light detecting element the ground electrode as a light-detecting element output electrode through the first insulating film 122 and the second insulating layer 123 connected to the end portion of the light detecting element 120 It is, are electrically connected to a source electrode 134S and the drain electrode 134D likewise through the first insulating film 122 and the second insulating layer 123 on the end of the selection transistor 130. したがって、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dの形成に先立ち、第1の絶縁膜122及び第2の絶縁層123に対して、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極としてのソース電極125Sと光検出素子120を接続するためのスルーホール、ソース電極134S及びドレイン電極134Dと選択トランジスタ130を接続するためのスルーホールを設ける必要がある。 Accordingly, the drain electrode 125D of the light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element grounding electrode, prior to the formation of the source electrode 134S and the drain electrode 134D, the first insulating film 122 and the second insulating layer 123 against it, connecting the drain electrode 125D and the light detecting element through holes for connecting the source electrode 125S and the light detecting element 120 as the ground electrode, the source electrode 134S and the drain electrode 134D and the selection transistor 130 as a light-detecting element output electrode it is necessary to provide a through-hole for.

このスルーホールは光検出素子120の表面と選択トランジスタ130の表面、即ち光検出素子120と光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極としてのソース電極125Sの接触面と選択トランジスタ130とソース電極134S及びドレイン電極134Dの接触面が露出するまでの深さを持ったものであり、光検出素子120及び選択トランジスタ130の端部の真上にエッチング加工等により設けられる。 The through-hole surfaces of the selection transistor 130 of the photodetector element 120, i.e. the light-detecting element 120 and the contact surface and the selection transistor of the source electrode 125S as the drain electrode 125D and the light detecting element the ground electrode as a light-detecting element output electrode are those 130 and contact surfaces of the source electrode 134S and the drain electrode 134D is with depth to expose, provided by etching or the like immediately above the end of the light-detecting element 120 and the selection transistor 130. エッチングにはハロゲン系のエッチングガスを用いる。 The etching using the etching gas of halogen series. フォトリソグラフィにより、開口を形成したレジストパターンで表面を被覆した状態でエッチングガスを導入し、パターニングする。 By photolithography, and introducing an etching gas in a state in which a surface coated with a resist pattern formed opening is patterned. (第1の絶縁膜122及び第2の絶縁層123のスルーホールを開口する。)このとき、エッチングガスには光検出素子120及び選択トランジスタ130を構成する材料と化学反応を生じないものを選択する。 (To open the through hole of the first insulating film 122 and the second insulating layer 123.) In this case, select the one that does not cause material and the chemical reactions that constitute the light-detecting element 120 and the selection transistor 130 as an etching gas to. 光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極としてのソース電極125Sと光検出素子120の接触面、ソース電極134S及びドレイン電極134Dと選択トランジスタ130の接触面を露出させる加工が終了した後、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dを形成する。 The contact surface of the source electrode 125S and the light detecting element 120 as the drain electrode 125D and the light detecting element the ground electrode, machining to expose the contact surface of the select transistor 130 and the source electrode 134S and the drain electrode 134D is finished as a light-detecting element output electrode after, to form the drain electrode 125D of the light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element grounding electrode, a source electrode 134S and the drain electrode 134D. ソース電極134S及びドレイン電極134Dは、センサ電極となる金属層を第2の絶縁層123の表面、先述したスルーホールの表面及び両センサ電極、光検出素子120の表面及び選択トランジスタ130の接触面の表面に一様に形成した後、この金属層に対してフォトリソグラフィにより形成したレジストパターンをマスクとしてエッチングを施し、一様の金属層を光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dに分割することにより得られる。 The source electrode 134S and the drain electrode 134D, the surface of the metal layer serving as the sensor electrode and the second insulating layer 123, the surface and both sensor electrodes through holes previously described, the contact surfaces of the surface and the selection transistor 130 of the photodetector element 120 after uniformly formed on the surface, the metal layer etched using a resist pattern formed by photolithography as a mask with respect to the drain electrode 125D of the light-detecting element output electrode a uniform metal layer, a light-detecting element the ground the source electrode 125S as electrodes, obtained by dividing the source electrode 134S and the drain electrode 134D.

光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、ソース電極134S及びドレイン電極134Dが形成された後に、保護膜124が形成される。 A drain electrode 125D as a light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element grounding electrode, after the source electrode 134S and a drain electrode 134D are formed, the protective film 124 is formed. 保護膜124は、例えばSiN等から成り、蒸着法、スパッタ法等により形成される。 Protective film 124 is made of, for example, SiN or the like, a vapor deposition method, is formed by sputtering or the like.

保護膜124の上には、陽極111が形成される。 On the protective film 124, the anode 111 is formed. 陽極111は、例えばITO(インジウム錫酸化物)から成る。 The anode 111 is made of, for example, ITO (indium tin oxide). 陽極111の構成材料としてはITOの他にIZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ATO(SbをドープしたSnO 2 )、AZO(AlをドープしたZnO)、ZnO、SnO 、In 等を用いることができる。 IZO (indium zinc oxide) in addition to ITO as the material of the anode 111, (SnO 2 doped with Sb) ATO, (ZnO doped with Al) AZO, using ZnO, the SnO 2, In 2 O 3, etc. be able to. 陽極111は図5のように、光検出素子120に対して真上にあたる保護膜124の表面に形成される。 The anode 111 as shown in FIG. 5, is formed on the surface of the protective film 124 falls just above with respect to the light detecting element 120. 図5に示すように、陽極111は保護膜124を貫通してドレイン電極134Dの端部に接続されている。 As shown in FIG. 5, the anode 111 is connected to an end portion of the drain electrode 134D penetrates the passivation film 124. したがって陽極111の形成の前には、保護膜124に対して陽極111とドレイン電極134Dを接続するためのスルーホールを設ける必要がある。 Prior to the formation of the anode 111 thus, it is necessary to provide a through hole for connecting the anode 111 and the drain electrode 134D the protective film 124. このスルーホールはドレイン電極134Dの表面、即ちドレイン電極134Dと陽極111との接触面が露出するまでの深さを持ったものであり、ドレイン電極134Dの端部に真上にエッチング加工等により設けられる。 The through-holes are those surfaces of the drain electrode 134D, i.e. the contact surface between the drain electrode 134D and the anode 111 with a depth to expose, provided by etching or the like immediately above the edge of the drain electrode 134D It is. このエッチング加工が施された後、陽極111の層が形成される。 After the etching has been performed, the layer of the anode 111 is formed. 陽極111は蒸着法等によっても形成できるがスパッタ法により形成することが望ましい。 It is desirable that although anode 111 may be formed by vapor deposition or the like is formed by sputtering. なお実施の形態3では陽極111としてITOを用いている。 Note ITO is used as the anode 111 in the third embodiment.

陽極111が形成された後、画素規制層としての窒化シリコン膜114が形成される。 After the anode 111 is formed, a silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer is formed. 画素規制層としての窒化シリコン膜114としては絶縁性が高く、絶縁破壊に対して強く、かつ成膜性が良くパターニング性が高いものが望ましい。 High insulating properties as the silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer, resistant to dielectric breakdown and has high good patterning property film forming property is preferable. 実施の形態3では画素規制層としての窒化シリコン膜114を構成する材料として、窒化シリコン、窒化アルミニウムを用いている。 As the material constituting the silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer in the third embodiment, it is used a silicon nitride, aluminum nitride. 画素規制層としての窒化シリコン膜114は、後述する発光層112と陽極111との間に設けられ、光出射領域A LEの領域外にある発光層112を陽極111から絶縁し、発光層112の発光する箇所を規制している。 Silicon nitride film 114 as a pixel regulating layer is provided between the light-emitting layer 112 and the anode 111 to be described later, the light-emitting layer 112 in the area outside of the light emission region A LE insulated from the anode 111, the light-emitting layer 112 It regulates the point that emits light. したがって、画素規制層としての窒化シリコン膜114に重なる発光層112の領域は非発光領域となり、画素規制層としての窒化シリコン膜114に重ならない領域が光出射領域A LEとなる。 Accordingly, the area of the light-emitting layer 112 which overlaps with the silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer becomes non-emitting region, a region that does not overlap the silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer serves as a light emission region A LE. 画素規制層としての窒化シリコン膜114は、発光層112の光出射領域A LEが光検出素子120の素子領域A よりも小さくなるように規制し、且つ光出射領域A LEを光検出素子120の素子領域A の内側に配置するように構成される。 Silicon nitride film as the pixel regulating layer 114 restricts so that the light emission region A LE of the light emitting layer 112 is smaller than the element region A R of the light-detecting element 120, and the light emission region A LE photodetection element 120 configured to be placed inside the element region a R.

画素規制層としての窒化シリコン膜114が形成された後、発光層112が形成される。 After the silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer is formed, the light emitting layer 112 is formed. 発光層112は無機発光材料、若しくは以降詳細に説明する高分子系、あるいは低分子系の有機発光材料から形成される。 Emitting layer 112 is formed of an organic luminescent material of the inorganic luminescent material, or after the polymer system is described in detail, or low molecular weight. 発光層112を形成する無機発光材料としては、チタン・リン酸カリウム、バリウム・ホウ素酸化物、リチウム・ホウ素酸化物等を用いることができる。 The inorganic light emitting material forming the light emitting layer 112, it is possible to use potassium titanium phosphate, barium boron oxide, a lithium-boron oxide. 発光層112を構成する高分子系の有機発光材料としては、可視領域で蛍光または燐光特性を有しかつ成膜性の良いものが望ましく、例えばポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリフルオレン等のポリマー発光材料等を用いることができる。 The organic light emitting material of a polymer system constituting the light-emitting layer 112, desirably have good having and film-forming properties of the fluorescent or phosphorescent properties in the visible region, for example, polyparaphenylene vinylene (PPV), polymers such as polyfluorene it can be used a light-emitting material or the like. また、発光層112を構成する低分子系の有機発光材料としては、Alq 3やBe−ベンゾキノリノール(BeBq )の他に、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾール、4,4'−ビス(5,7−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,4'−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2,5−ビス(〔5−α,α−ジメチルベンジル〕−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル〕−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2 The organic light-emitting material of low molecular weight constituting the light emitting layer 112, in addition to Alq 3 and Be- benzoquinolinol (BeBq 2), 2,5-bis (5,7-di -t- pentyl -2 - benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7 Benchiru 2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di - (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di -t- Benchiru 2-benzoxazolyl) Chiofin, 2,5-bis ( [5-alpha, alpha-dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di - (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] - 3,4-diphenyl thiophene, 2,5-bis (5-methyl-2 −ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4'−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−〔2−〔4−(5−メチル−2−ベンゾオキサイゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、2−〔2−(4−クロロフェニル)ビニル〕ナフト〔1,2−d〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、2,2'−(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、2−〔2−〔4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、2−〔2−(4−カルボキシフェニル)ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ〔f〕−8−キノ - benzoxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2-benzo Oki Saizo Lil) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzo Oki Saizo Lil) phenyl] vinyl] benzo Oki Saizo Lil, 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] benzoxazole or an oxazole, 2, 2 '- (p-phenylene vinylene) - bis-benzothiazole benzothiazole and the like, 2- [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] fluorescent of benzimidazole such benzimidazole etc. brighteners and, tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol ノール)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチル Nord) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol lithium, tris (5-chloro-8 quinolinol) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinol) calcium, poly [zinc - bis (8-hydroxy-5-Kinorinoniru) methane] and the like of the 8-hydroxyquinoline-based metal complexes and the like dilithium et pin Dori dione or a metal chelated oxinoid compound, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1 4- bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethyl スチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)2−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物や、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジン、2,5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。 Styryl) benzene, and 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene, etc. styrylbenzene compounds of 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl ) pyrazine, 2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis or-di still pyrazine derivatives such as [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, and naphthalimide derivatives, and perylene derivatives, and oxadiazole derivatives, and aldazine derivatives, and cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivative or, or coumarin derivatives, aromatic dimethylidyne derivatives, or the like is used. さらに、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用いられる。 Further, anthracene, salicylate, pyrene, coronene, etc. are also used. あるいは、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム等の燐光発光材料を用いることもできる。 Alternatively, fac - tris (2-phenylpyridine) can also be used a phosphorescent material such as iridium. 高分子系材料、低分子系材料から成る発光層112は、材料をトルエン、キシレン等の溶媒に溶解したものをスピンコート法で層状に成形し、溶解液中の溶媒を揮発させることで得られる。 Polymeric material, the light-emitting layer 112 made of a low molecular material is obtained by the material molded toluene, those dissolved in a solvent such as xylene in layers by spin coating, the solvent is volatilized in the lysate .

また、発光層として、樹木状多分岐構造をもつ高分子物質あるいは低分子物質を用いるようにしてもよい。 Further, as a light emitting layer, it may be used polymeric substances or low molecular substances having a dendritic multi-branched structure. 樹木状多分岐構造を持つ物質はいわゆるデンドリマと呼ばれ緑、赤、青など所望の色のりん光を発することから、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子の発光層として有効である。 Substances having a dendritic multi-branched structure green so-called dendrimers, red, to emit phosphorescence of a desired color such as blue, are effective as light emitting layers of the organic electroluminescent device of the present invention.
例えば緑色のりん光を発するデンドリマとしては次式に示すようにイリジウムデンドリマ錯体がある。 For example, as the dendrimers phosphorus emits light in the green it is iridium Den de Lima complexes as shown in the following equation.
例えば赤色のりん光を発するデンドリマとしては次式に示すようにイリジウムデンドリマ錯体がある。 For example, as the dendrimers phosphorus emits light in the red it is iridium Den de Lima complexes as shown in the following equation.
例えば青色のりん光を発するデンドリマとしては次式に示すようにイリジウムデンドリマ錯体がある。 For example, as a dendrimer that emits phosphorescence blue is iridium Den de Lima complexes as shown in the following equation. このデンドリマは深青色の光を発するデンドリマAと青緑色の光を発するデンドリマBとの混合物で構成された錯体である。 This dendrimer is a complex composed of a mixture of dendrimer B for emitting dendrimer A and blue-green light emitting deep blue light.

また実施の形態3では、発光層112を便宜上単一の層として記述しているが、発光層112を陽極111の側から順に正孔輸送層/電子ブロック層/上述した有機発光材料層(ともに図示せず)の三層構造としてもよいし、発光層112を陰極113の側から順に電子輸送層/有機発光材料層(ともに図示せず)の二層構造、あるいは陽極111の側から順に正孔輸送層/有機発光材料層の2層構造(ともに図示せず)、あるいは陰極113の側から順に正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロック層/有機発光材料層/正孔ブロック層/電子輸送層/電子注入層のごとく7層構造(ともに図示せず)としてもよい。 Also in the third embodiment, although describing the light emitting layer 112 for convenience as a single layer, the organic luminescent material layer light-emitting layer 112 hole transport layer / electron blocking layer / above in order from the side of the anode 111 (both may be a three-layer structure of not shown), two-layer structure of the electron-transporting layer / organic luminescent material layer light-emitting layer 112 from the side of the cathode 113 in order (both not shown) or sequentially positive from the side of the anode 111, hole transport layer / two-layer structure of the organic light emitting material layer (not both shown), or a hole injection layer in this order from the side of the cathode 113 / hole transport layer / electron block layer / organic light emitting material layer / hole blocking layer / it may be seven-layer structure as the electron-transporting layer / electron injection layer (both not shown). またはより単純に発光層112が上述した有機発光材料のみからなる単層構造であってもよい。 Or more simply emitting layer 112 may have a single layer structure composed of only an organic light emitting material described above. このように実施の形態3において発光層112と呼称する場合は、発光層112が正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層などの機能層を有する多層構造である場合も含んでいる。 Thus may be called a light-emitting layer 112 in the third embodiment, the light emitting layer 112 is a hole transport layer, an electron blocking layer contains also a multi-layer structure having a functional layer such as an electron-transporting layer. 後に説明する他の実施の形態についても同様である。 The same applies to other embodiments to be described later.

上述した機能層における正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、透明で成膜性の良いものが望ましくTPDの他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、1,1−ビス{4−(ジ−P−トリルアミノ)フェニル}シクロヘキサン、4,4',4''−トリメチルトリフェニルアミン、N,N,N',N'−テトラキス(P−トリル)−P−フェニレンジアミン、1−(N,N−ジ−P−トリルアミノ)ナフタレン、4,4'−ビス(ジメチルアミノ)−2−2'−ジメチルトリフェニルメタン、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノビフェニル、N、N'−ジフェニル−N、N'−ジ−m−トリル−4、4'−ジアミノビフェ The hole transport layer in the above-described functional layer, the hole mobility is high, in addition to the transparent film with good things desirable TPD, porphine, tetraphenylporphine copper, phthalocyanine, copper phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, and the like and porphyrin compounds, 1,1-bis {4- (di -P- tolylamino) phenyl} cyclohexane, 4,4 ', 4' '- trimethyl triphenylamine, N, N, N', N'-tetrakis ( P- tolyl) -P- phenylenediamine, 1-(N, N-di -P- tolylamino) naphthalene, 4,4'-bis (dimethylamino) -2-2'- dimethyl triphenylmethane, N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl, N, N'-diphenyl -N, N'-di -m- tolyl-4,4' Jiaminobife ニル、N−フェニルカルバゾ−ル等の芳香族第三級アミンや、4−ジ−P−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−P−トリルアミノ)−4'−〔4−(ジ−P−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ−3,4エチレンジオ Alkylsulfonyl, N- phenylcarbamate zone - and aromatic tertiary amines such as Le, 4-di -P- tolyl diaminostilbene, 4- (di -P- tolylamino) -4 '- [4- (di -P- tolylamino) styryl] and stilbene compounds such as stilbene, or triazole derivatives, and oxadiazole derivatives, and imidazole derivatives, and polyaryl alkane derivative, and a pyrazoline derivative, and a pyrazolone derivative, phenylenediamine derivatives, and annealing amine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives and, and oxazole derivatives, and styryl anthracene derivative, and a fluorenone derivative, and a hydrazone derivative, and a silazane derivative, or polysilane aniline copolymers, and polymeric oligomers, and styrylamine compounds, and aromatic dimethylidene-based compound, poly-3,4 ethylene Geo キシチオフェン(PEDOT)、テトラジヘクシルフルオレニルビフェニル(TFB)あるいはポリ3−メチルチオフェン(PMeT)といったポリチオフェン誘導体等の有機材料が用いられる。 Carboxymethyl thiophene (PEDOT), organic materials and polythiophene derivatives such as tetra-Hye click sill fluorenyl biphenyl (TFB), or poly-3-methylthiophene (pMET) is used. また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も用いられる。 Further, the organic material for the hole transport layer of small molecules in a polymer such as polycarbonate is dispersed, the hole transport layer of the polymer dispersions may also be used. またMoO 、V 、WO 、TiO 、SiO、MgO等の遷移金属酸化物を用いることもある。 There is also a MoO 3, V 2 O 5, WO 3, TiO 2, SiO, also be used transition metal oxides such as MgO. またこれらの正孔輸送材料は電子ブロック材料として用いることもできる。 It is also possible to these hole transport materials used as the electron blocking material.

上述した機能層における電子輸送層としては、1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレン(OXD−7)等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料等、あるいは、ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−(パラ−フェニルフェノレート)アルミニウム(BAlq)、バソフプロイン(BCP)等が用いられる。 As the electron transporting layer in the above-described functional layer, 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) oxadiazole derivatives such as phenylene (OXD-7), anthraquinodimethane derivatives , diphenyl quinone derivative, a polymeric material such as made of a silole derivative, or bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (para - phenyl phenolate) aluminum (BAlq), Basofupuroin (BCP), or the like is used. またこれらの電子輸送層を構成可能な材料は正孔ブロック材料として用いることもできる。 Can also be used are configurable material these electron transport layer as a hole blocking material.

発光層112が形成された後、陰極113が形成される。 After the light-emitting layer 112 is formed, a cathode 113 is formed. 陰極113は、例えばAl等の金属を蒸着法等によって層状に形成することにより得られる。 Cathode 113 is obtained by forming a layer of metal such as Al by vapor deposition or the like. 有機エレクトロルミネッセント素子110の陰極113としては仕事関数の低い金属もしくは合金、例えばAg、Al、In、Mg、Ti等の金属や、Mg−Ag合金、Mg−In合金等のMg合金や、Al−Li合金、Al−Sr合金、Al−Ba合金等のAl合金等が用いられる。 The organic electroluminescent lower metal or alloy having a work function as the cathode 113 St. element 110, for example Ag, Al, an In, Mg, or a metal such as Ti, Mg-Ag alloy, and Mg alloys such as Mg-In alloy, Al-Li alloy, Al-Sr alloy, Al alloy such as Al-Ba alloy. あるいは、Ba、Ca、Mg、Li、Cs等の金属、あるいは、LiF、CaOといったこれら金属のフッ化物や酸化物からなる有機物層に当接する第1の電極層と、その上に形成されるAg、Al、In等の金属材料からなる第2の電極とからなる金属の積層構造を用いることもできる。 Alternatively, Ba, Ca, Mg, Li, metal such as Cs, or, LiF, a first electrode layer in contact with the organic material layer made of such metal fluorides and oxides such as CaO, is formed thereon Ag It can also be a laminated structure of a metal composed of Al, and a second electrode made of a metal material such as in.

図5に示すような実施の形態3の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドは、有機エレクトロルミネッセント素子の選択トランジスタ130側から光を出力する方式を採用しており、このような有機エレクトロルミネッセント素子の構造をボトムエミッションという。 The organic electroluminescent light head using St. element embodiment 3 as shown in Figure 5 employs a system for outputting light from the selection transistor 130 side of the organic electroluminescent element, like this the structure of the organic electroluminescent element of a bottom emission. ボトムエミッション構造は、ガラス基板100の側から光を取り出すため、既に述べたように光検出素子120は透明度の高い材料、例えば多結晶シリコン(ポリシリコン)で構成される必要がある。 Bottom emission structure, in order to extract light from the side of the glass substrate 100, the light-detecting element 120, as already mentioned must made of a material having high transparency, for example, polycrystalline silicon (polysilicon). 多結晶シリコンで構成された光検出素子120は非晶質シリコン(アモルファスシリコン)で構成したものと比較して光電流の生起能力が低いという問題があるが、例えばコンデンサ(図示せず)を有機エレクトロルミネッセント素子110の近傍に設け、光検出素子120から出力された電流に基づく電荷をコンデンサに所定期間蓄積して、その後に電圧変換を行なうような処理回路を設けることで解決することができる。 The organic light-detecting element 120 made of a polycrystalline silicon amorphous silicon but occurrence capacity of the photocurrent as compared with those constituted by (amorphous silicon) has a problem that low, for example, a capacitor (not shown) provided in the vicinity of the electroluminescent element 110, and the charge based on the current output from the photodetector element 120 and a predetermined time period stored in the capacitor, to be solved by subsequently providing the processing circuit performs the voltage conversion it can. ボトムエミッション構造の場合は、光を取り出す側の電極(陽極)の透明化が容易なため、製造が簡単になる利点がある。 For a bottom emission structure, since transparency of the light is taken out of the negative electrode (anode) is easy, there is the advantage that manufacture is simplified.

図6は、本発明の実施の形態3における有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドの光検出素子近傍の構成を示した構成平面図である。 Figure 6 is a block plan view showing the structure of a photodetector element near the optical head using an organic electroluminescence element according to the third embodiment of the present invention.

図6に示すように実施の形態3の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドは、複数のエレクトロルミネッセント素子110を主走査方向(素子列の方向)に配置して構成されており、1つの発光領域(光出射領域A LE )に対して、1つの光検出素子120を対応させて配置している。 An optical head using an organic electroluminescent device of the third embodiment as shown in FIG. 6 is constituted by arranging a plurality of electroluminescent elements 110 in the main scanning direction (direction of the element row) for one of the light emitting region (light emitting region a LE), they are arranged to correspond to one light-detecting element 120. このような構造とすることで、光検出素子120によって各有機エレクトロルミネッセント素子110の発光光量を独立して計測できる。 With such a structure, it can be measured independently emission quantity of each organic electroluminescence element 110 by the light-detecting element 120. 即ち同時に複数の有機エレクトロルミネッセント素子110の光量を計測することが可能となり、計測時間を大幅に短縮できる。 That same time it becomes possible to measure the quantity of a plurality of organic electroluminescence elements 110, can significantly reduce the measurement time.

図6では、光検出素子120、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D、光検出素子接地電極としてのソース電極125S、光出射領域A LE 、素子領域A 、発光層112の陽極となるITO(インジウム錫酸化物)111、コンタクトホールH 及びドレイン電極134Dの相互関係が示されている。 In Figure 6, the photodetector element 120, the drain electrode 125D of the light-detecting element output electrode, a source electrode 125S as a light-detecting element the ground electrode, the light emission region A LE, the element region A R, ITO as the anode of the light emitting layer 112 (indium tin oxide) 111, interrelationship of the contact hole H D and the drain electrode 134D are shown. 光検出素子120は、光検出素子出力電極としてのドレイン電極125D及び光検出素子接地電極としてのソース電極125Sと接続されている。 Light detecting element 120 is connected to the source electrode 125S as the drain electrode 125D and the light detecting element the ground electrode as a light-detecting element output electrode. 光検出素子出力電極としてのドレイン電極125Dは、光検出素子120が光の補正のために出力する電気信号を補正回路(図示せず)に伝達する電極である。 A drain electrode 125D as a light-detecting element output electrode is an electrode for transmitting electrical signals photodetector element 120 is output for the correction light in the correction circuit (not shown). この電気信号を基に、補正回路が生成するフィードバック信号が決定され、このフィードバック信号を基に光の補正に必要な処理が行われる。 Based on this electrical signal is determined feedback signal correction circuit generates the processing required for correction of the light is performed based on the feedback signal. 実施の形態3ではこのフィードバック信号に基づいて各エレクトロルミネッセント素子110の発光光量を補正するようにしており、図示しないドライバ回路によって各エレクトロルミネッセント素子110を駆動する電流値を制御している。 And so as to correct the amount of light emitted from the electroluminescent element 110 based on the feedback signal in the third embodiment, by controlling the current value for driving each electroluminescent element 110 by a not-shown driver circuit there. このように実施の形態3では光検出素子120の出力に基づいて発光光量を制御しているが、フィードバック信号に基づいて各エレクトロルミネッセント素子110の駆動時間を制御する、いわゆるPWM制御を行なうように構成してもよい。 This way in the third embodiment based on the output of the photodetecting element 120 controls the light emission amount, and controls the drive time of each electroluminescent element 110 based on the feedback signal, it performs so-called PWM control it may be configured to.

光検出素子接地電極としてのソース電極125Sは、光検出素子120の接地を行う電極である。 The source electrode 125S as a light-detecting element the ground electrode is an electrode for performing a ground of the light detecting element 120. 発光素子としてのエレクトロルミネッセント素子110の陽極であるITO(インジウム錫酸化物)111は、選択トランジスタ130のドレイン電極134Dと接続されており、エレクトロルミネッセント素子110はドレイン電極134Dを介して選択トランジスタ130で制御されている。 ITO is an anode of the electroluminescent element 110 as a light emitting element (indium tin oxide) 111 is connected to the drain electrode 134D of the selection transistors 130, electroluminescent element 110 through the drain electrode 134D It is controlled by select transistor 130.

図5、図6に示すように実施の形態3の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドは、島状に形成された多結晶シリコン(ポリシリコン)から構成される光検出素子120を主走査方向に列状に配置し、各有機エレクトロルミネッセント素子110においては画素規制層としての窒化シリコン膜114により光出射領域A LEが制限された発光層112の下部に光出射領域A LEよりも大きな素子領域A を有した光検出素子120を配置したことが分かる。 5, the optical head using the organic electroluminescent device of the third embodiment as shown in FIG. 6, mainly composed of light-detecting element 120 of polycrystalline silicon which is formed in an island shape (polysilicon) arranged in rows in the scanning direction, than the light emission region a LE at the bottom of each organic electroluminescent light emitting layer 112 where the light emission region a LE by silicon nitride film 114 serving as the pixel regulating layer in cents element 110 is limited it can be seen that also arranged a light-detecting element 120 having a large element region a R. 光出射領域A LEよりも光検出素子120の素子領域A (島状に形成された多結晶シリコンの島状部分)を大きくすることで、発光層112の局所的な層厚の変化を抑えることができ、発光層112を流れる電流の偏りを抑えることができる。 By increasing the element area A R of the light detecting element 120 (island shaped portions of the polycrystalline silicon formed in an island shape) than the light emission region A LE, suppressing local thickness variation of the light-emitting layer 112 it can, it is possible to suppress the deviation of the current flowing through the light-emitting layer 112. したがって、均一な発光分布と寿命の向上を実現した光ヘッドを製造することができる。 Therefore, it is possible to manufacture the optical head that achieves improved uniform emission distribution and lifetime.

さらに、実施の形態3の光ヘッドに搭載される島状に構成された光検出素子120の素子領域A は発光領域すなわち光出射領域A LEに比べて大きいため、発光層からの出力光を光の補正に用いる電気信号へと効率的に変換することができる。 Furthermore, since the element region A R of the light-detecting element 120 configured in an island shape to be mounted on the optical head of the third embodiment larger than the light emitting area or the light emission region A LE, the output light from the light-emitting layer It may be converted into an electric signal used for correcting the light efficiently.

次に、本発明の光ヘッドで用いられる光量補正回路について説明する。 Next, a description will be given light amount correction circuit used in the optical head of the present invention. 光量補正回路は、図11に等価回路を示すように、チャージアンプを備えた駆動用IC150と、この駆動用IC150の入力端子に接続されるように前述したガラス基板100に集積化して形成された補正回路部Cとで構成され、この補正回路部Cは前述したスイッチングトランジスタ130と、光検出素子120と、この光検出素子に並列接続され、光検出素子の出力電流をチャージするコンデンサ140とで構成される。 Light amount correction circuit as an equivalent circuit in FIG. 11, a drive IC150 having a charge amplifier, which is formed by integrating the glass substrate 100 described above so as to be connected to the input terminal of the drive IC150 It is composed of a correcting circuit C, and this correcting circuit switching transistor 130 C is described above, the photodetector element 120, connected in parallel to the light detecting element, a capacitor 140 to charge the output current of the photodetecting element constructed. このコンデンサ140は図5の断面図に図示していないが、光検出素子のソース電極134S,ドレイン電極134Dにそれぞれ接続されるようにこれらと同一工程で形成された導電性膜で、第1および第2の絶縁膜122,123を挟むことによって形成されている。 This capacitor 140 is not shown in the sectional view of FIG. 5, the source electrode 134S of the light detecting element, a conductive film formed by these same steps to be connected to the drain electrode 134D, the first and It is formed by sandwiching the second insulating film 122 and 123.

ここで光検出素子は、光検出素子は、エレクトロルミネッセント素子からの光によって多結晶シリコン層121iで光電変換が行われ、ソース領域からドレイン領域に流れる電流を光電流として取り出すことにより、光量を検出するものである。 Here the light detecting element, the light detecting element, photoelectric conversion is performed in the polycrystalline silicon layer 121i by light from the electroluminescent element, by taking out a current flowing from the source region to the drain region as a photoelectric current, the amount of light it is intended to detect. しかしながら、前述したように、エレクトロルミネッセント素子110の陽極であるITO電極111をゲート電極とし、このゲート電極の電位によって光検出素子のチャネル領域である多結晶シリコン層121iに電界がかかり、これにより、ドレイン電流I が流れることになる。 However, as described above, the ITO electrode 111 is an anode of the electroluminescent element 110 as a gate electrode, an electric field is applied to the polycrystalline silicon layer 121i which the potential of the gate electrode is a channel region of the light sensing element, which a result, the drain current I D flows. このドレイン電流I が上記光電変換電流に付加されることになるため、ドレイン電極125Dからセンサ出力として補正回路部C(図11参照)に出力される光電変換電流は実際の光電変換電流にドレイン電流I を加えたものとなる。 Since the drain current I D is to be added to the photoelectric conversion current, the drain in the photoelectric conversion current actual photoelectric conversion current outputted to the correction circuit unit C (see FIG. 11) from the drain electrode 125D as a sensor output the plus current I D. このため光量検出精度が低下するという問題がある。 Therefore the light quantity detection accuracy is lowered. このゲート電圧Vgとドレイン電流IDとの関係を測定した結果を図12に実線で示す。 It is shown by the solid line the results of measurement of the relationship between the gate voltage Vg and drain current ID in FIG. この図から明らかなように、この薄膜トランジスタのドレイン電流が0である領域すなわち、トランジスタの動作がオフとなる領域(OFF領域)で使用するのが望ましい。 FIG As is apparent from the region the drain current of the thin film transistor is zero i.e., the operation of the transistor is desirable for use in the area to be turned off (OFF region).

望ましくは、図12に破線で示すように、ゲート電位をマイナス方向にシフトさせるようにすることにより、薄膜トランジスタをOFF領域で使用することができ、暗電流をほとんど皆無とすることができる。 Desirably, as shown by the broken line in FIG. 12, by so as to shift the gate potential in the negative direction, it is possible to use a thin film transistor in the OFF region, it is possible to almost completely eliminate dark current.
また、この光検出素子を構成する薄膜トランジスタのチャネル領域となる多結晶シリコン層121i全体がエレクトロルミネッセント素子の陽極であるITO電極で完全に覆われている状態が、ゲート電界によってチャネルを制御するのにより有効である。 The state in which polycrystalline entire silicon layer 121i to be the channel region of the thin film transistors forming the light-detecting element is completely covered with the ITO electrode as the anode of the electroluminescent element, controls the channel by a gate electric field more effective in.
本発明では、光検出素子の出力を高精度に検出することは極めて重要であるため、光検出素子を構成する薄膜トランジスタをOFF状態で検出することが重要である。 In the present invention, since it is very important to detect the output of the light detecting element with high precision, it is important to detect the thin film transistors forming the light-detecting element in the OFF state.
また、この光検出素子を構成する薄膜トランジスタのチャネル領域121iとなる多結晶シリコン層全体がエレクトロルミネッセント素子の陽極であるITO電極で完全に覆われている状態が、ゲート電界によってチャネルを制御するのにより有効である。 The state in which the whole polycrystalline silicon layer serving as a channel region 121i of the thin film transistors constituting the light-detecting element is completely covered with the ITO electrode as the anode of the electroluminescent element, controls the channel by a gate electric field more effective in.

そしてこの光検出素子の出力は図13(a)乃至(g)にタイミングチャートを示すように選択トランジスタ130のスイッチングにより、コンデンサ140に所望の回数分の点灯時間分チャージされた電流を取り出すことにより、高精度の光量検出が可能となる。 And by the switching of the selection transistor 130 as shown in the timing chart to the output of the light detection element FIG. 13 (a) to (g), by taking out current that are turned time period charge of a desired number of times the capacitor 140 , it is possible to highly accurate light quantity detection. ここで図13(a)は、チャージの状態を示す図、図13(b)は、選択トランジスタの動作を示す図、図13(c)は、エレクトロルミネッセント素子の点灯タイミングを示す図、図13(d)は、容量素子140の電位を示す図、図13(e)は、オペアンプの出力電圧を示す図、図13(f)は、データの読み出し動作を示す図、図13(g)は、光量検出信号示す図、である。 Here, FIG. 13 (a), shows the state of charge, Fig. 13 (b), shows the operation of the select transistor, FIG. 13 (c), shows the lighting timing of the electroluminescent device, FIG. 13 (d) shows the potential of the capacitor 140, FIG. 13 (e) is a diagram showing an output voltage of the operational amplifier, FIG. 13 (f) is a diagram showing a data read operation, FIG. 13 (g ) is a diagram, showing the light quantity detection signal.
なお、光検出素子の出力を高精度に検出することは極めて重要であるため、光検出素子を構成する薄膜トランジスタをOFF状態で検出することが重要である。 Since it is extremely important to detect the output of the light detecting element with high precision, it is important to detect the thin film transistors forming the light-detecting element in the OFF state. したがって、光検出素子のゲート電位を調整することにより、所望の検出精度を得ることができる。 Therefore, by adjusting the gate potential of the light detecting element, it is possible to obtain a desired detection accuracy.

まず、選択トランジスタ130がONとなり、容量素子140に初期電圧V refをチャージする(S1:リセットステップ)。 First, it charges the initial voltage V ref select transistor 130 ON, and the the capacitor 140 (S1: reset step).
そして、この選択トランジスタ130がOFFとなると、容量素子140にチャージされた電荷は光検出素子120を流れる光電流により減少する(S2:点灯ステップ)。 When the selection transistor 130 is OFF, electric charge charged in the capacitor 140 is reduced by the photocurrent flowing through the light-detecting element 120 (S2: lighting step).
この状態でチャージアンプ150のスイッチSWがOFFとなり、チャージアンプは測定可能な状態となる(S3:測定開始ステップ)。 Switch SW of the charge amplifier 150 is turned OFF in this state, charge amplifier becomes measurable state (S3: measurement starting step).
そして、選択トランジスタ130がONとなり、容量素子140で失われた電荷はチャージアンプの容量素子C refから供給される。 The selection transistor 130 is turned ON, charge lost by the capacitor element 140 is supplied from the capacitor element C ref of the charge amplifier. その結果チャージアンプ150のオペアンプの出力電圧V r0は上昇する。 Output voltage V r0 of the operational amplifier and the resulting charge amplifier 150 is increased. この期間も光検出素子の光電流は流れV r0は上昇する(S4:電荷転送ステップ)。 This period is also photocurrent of the light detecting element is flow V r0 increases (S4: charge transfer step).
そして選択トランジスタ130がOFFとなり、V r0が確定する。 The selection transistor 130 is turned OFF, V r0 is determined. この電圧をADコンバータで取り込み、測光動作が終了する(S5:リードステップ)。 Captures the voltage at the AD converter, the photometry is terminated (S5: read step).

なお本発明の実施の形態3の変形例として、図14に示すように、ガラス基板の裏面側にクロム薄膜からなる遮光膜104を形成し、この開口により第2の光出射領域A LE1を規定している。 Note as a modification of the third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14, thereby forming a light-shielding film 104 made of chromium film on the back side of the glass substrate, defining a second light emission region A LE1 This opening doing. この第2の光出射領域A LE1を前記実施の形態3で説明した画素規定部としての窒化シリコン膜114の開口よりも小さく形成することにより、窒化シリコン膜114に起因する発光層の段差部を光出射領域から除外することができ、発光層をより均一化することが可能となる。 By forming smaller than the opening of the silicon nitride film 114 as a pixel defining section described the second light emission region A LE1 in the third embodiment, the step portion of the light-emitting layer due to the silicon nitride film 114 can be excluded from the light emitting region, it is possible to more uniform light emitting layer. 他の構成については前記実施の形態3と同様である。 The other structure is the same as that of the third embodiment.

なお、上記光ヘッドにおいて、エレクトロルミネッセント素子の第1の電極111としての陽極は、前記チャネル領域121iと同程度の幅を持つように形成するようにしてもよい。 In the above optical head, an anode as a first electrode 111 of the electroluminescent device may be formed to have the channel region 121i and as wide.
この構成により、ゲート電界が高効率で印加される上、エレクトロルミネッセント素子の発光層そのものが平坦面上に形成されることになり、下地の段差に起因する発光層の膜厚のばらつきを回避することが可能となる。 With this configuration, upper gate electric field is applied with high efficiency, results in the emission layer itself of the electroluminescent element is formed on a flat surface, the variation of the thickness of the light-emitting layer due to the step of the base it is possible to avoid. また、このときソース・ドレイン領域上は発光領域とならないため、光出射領域と発光領域をほぼ一致させることもでき、微細なライン状の光出射領域を得ることができる。 Further, at this time the source and drain regions and since they are not light-emitting region, can be substantially matched to the light emitting region emitting region, it is possible to obtain a fine line-shaped light emitting region. 従って、微細化に伴う高ピッチ化に際してもクロストークの回避が可能となる。 Therefore, it is possible to avoid crosstalk during high pitch due to miniaturization. このように副走査方向に小さい露光スポット(ライン)を得ることができるため、面積変調に基づく多値再現に有効となる。 Thus it is possible to obtain a small exposure spot in the sub-scanning direction (line), it is effective for multilevel reproduction based on area modulation.
露光ヘッドと感光体は副走査方向に相対移動しており、この相対移動に伴って、露光面積が変わる。 Exposure head and the photosensitive member are relatively moved in the sub-scanning direction, with this relative movement, the exposure area is changed. 面積変調という面だけから考えると、理想的には露光スポット形状は、副走査方向に幅を持たない一本の線であることが望ましい。 Considering only the terms that the area modulation, ideally exposure spot shape is preferably a single line having no width in the sub-scanning direction. ただし、この場合の発光輝度は無限大でなくてはならない。 However, the light-emitting brightness of this case must be infinite. つまり、この場合は副走査方向の発光領域が小さくなるために、発光面積が小さくなり、露光条件としては、エネルギー的には厳しくなるため、高輝度化を図る必要がある。 That is, since the light emission region in this case is the sub-scanning direction is reduced, the light emitting area is reduced, as the exposure condition, to become stricter in the energy, it is necessary to achieve high brightness.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
次に本発明の図15は、光ヘッドに用いられる有機エレクトロルミネッセント素子をトップエミッション構造で構成した場合の断面図である。 Figure 15 of the present invention then, a cross-sectional view in the case where the organic electroluminescent device used in an optical head constituted by a top emission structure. トップエミッション構造とは、ボトムエミッション構造とは逆に発光層112から出力された光を発光層112の上部にある陰極側に出力する形式のことである。 The top emission structure is that of the type that outputs light output from the light-emitting layer 112 back to the cathode side at the top of the light-emitting layer 112 is a bottom emission structure. 図11の構成では、ガラス基板100の上に金属から成る反射層105を設け、光の出力が陰極側にされる構造になっている。 In the configuration of FIG. 11, a reflective layer 105 made of metal on a glass substrate 100 provided, it has a structure in which the output of light is on the cathode side.

この構造を採用した場合は、図示するように有機エレクトロルミネッセント素子110の発光層112で生起した光のうち、光検出素子120とは反対の方向に出射された光で図示しない感光体(後に説明する図17の28Y〜28Kを参照)を露光することとなる。 If this structure is employed, of the light it occurred at the light-emitting layer 112 of the organic electroluminescent device 110 as shown, not shown in the light emitted in a direction opposite to the light-detecting element 120 photoconductor ( the exposing the reference) to 28Y~28K in Figure 17 to be described later. 一方、発光層112にて生起される光は露光に供する方向とは逆方向、即ち光検出素子120側にも出射されており、この光を光検出素子120で受光することとなる。 On the other hand, light is caused by the light-emitting layer 112 is also emitted in the opposite direction, i.e. the light detection element 120 side of the direction to be subjected to exposure, so that the receiving the light at the light detecting element 120.

トップエミッション構造を採用した場合、露光に供する光は光検出素子120を透過する必要がないため、光検出素子120は透明度の高い多結晶シリコンを敢えて用いる必要はなく、光電流の生起能力が高い非晶質シリコン(アモルファスシリコン)で光検出素子120を構成するとよい。 When employing a top emission structure, light to be subjected to exposure is not necessary to transmit light detecting element 120, the light detecting element 120 is not necessary to use dare high polysilicon transparency, occurrence capacity of photocurrent is higher it may constitute the light-detecting element 120 in the amorphous silicon (amorphous silicon).

さてトップエミッション構造を実施するためには、陰極を透明な金属材料で構成する必要があるが技術的に難しい。 Now in order to implement top-emission structure, it is necessary but difficult technically be composed of a transparent metal material of the cathode. そこで図15のように、ごく薄いAl、Ag等の金属層(薄膜陰極)113aとITOのような透明電極113bとを積層させて陰極として用いている。 Therefore, as shown in Figure 15, it is used as a very thin Al, cathode by laminating a transparent electrode 113b, such as a metal layer (thin film cathode) 113a and ITO such as Ag. 金属層113aはごく薄いため、透光性が確保された陰極が実現できる。 Metal layer 113a is for very thin, cathode translucency is secured can be realized. トップエミッション構造は、ボトムエミッション構造に比べて製造工数が増えるため製造コストは増加するが、発光効率の良い光ヘッドを構成することができる。 Top-emission structure, the manufacturing cost because the number of manufacturing steps is increased as compared with the bottom emission structure is increased, it is possible to construct a good luminous efficiency optical head.

以上詳細に光ヘッドを構成するエレクトロルミネッセント素子110および光検出素子120の構成および作用について説明した。 It has been described structure and operation of the electroluminescent element 110 and the light detecting element 120 included in the optical head in detail above. 実施の形態3では光ヘッドにおける発光素子(エレクトロルミネッセント素子)列を一列として説明したが、これを複数列に構成して発光光量を実質的に高めるように構成してもよい。 Having described the light-emitting element (electroluminescent element) columns in the optical head in the third embodiment as one row, it may be configured to substantially increase the amount of light emitted to configure it in a plurality of rows.

また上述してきたエレクトロルミネッセント素子110と光検出素子120の構造については、これを2次元的に配置して表示装置に応用することももちろん可能である。 With respect to the structure of the electroluminescent element 110 and the light-detecting element 120 that has been described above, it is of course possible to apply to a display device and place it in two dimensions.

なお本発明の実施の形態4の変形例として、図16に示すように、ガラス基板の裏面側にクロム薄膜からなる遮光膜106を形成し、この開口により第2の光出射領域A LE1を規定している。 Note as a modification of the fourth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 16, thereby forming a light-shielding film 106 made of chromium film on the back side of the glass substrate, defining a second light emission region A LE1 This opening doing. この第2の光出射領域A LE1を前記実施の形態3で説明した画素規定部としての窒化シリコン膜114の開口よりも小さく形成することにより、窒化シリコン膜114に起因する発光層の段差部を光出射領域から除外することができ、発光層をより均一化することが可能となる。 By forming smaller than the opening of the silicon nitride film 114 as a pixel defining section described the second light emission region A LE1 in the third embodiment, the step portion of the light-emitting layer due to the silicon nitride film 114 can be excluded from the light emitting region, it is possible to more uniform light emitting layer. 他の構成については前記実施の形態3と同様である。 The other structure is the same as that of the third embodiment.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
図17は本発明の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドを搭載した画像形成装置21の構成を示した図である。 Figure 17 is a diagram showing a configuration of an image forming apparatus 21 equipped with an optical head using an organic electroluminescent device of the present invention. 図17において、画像形成装置21は装置内にイエロー現像ステーション22Y、マゼンタ現像ステーション22M、シアン現像ステーション22C、ブラック現像ステーション22Kの4色分の現像ステーションを縦方向に階段状に配列し、その上方には記録紙23が収容される給紙トレイ24を配設すると共に、各現像ステーション22Y〜22Kに対応した箇所には給紙トレイ24から供給された記録紙23の搬送路となる記録紙搬送路25を上方から下方の縦方向に配置したものである。 17, the image forming apparatus 21 is arranged yellow development station 22Y into the apparatus, the magenta development station 22M, a cyan development station 22C, a development station for four colors of black development station 22K longitudinally stepwise, the upper with arranging the paper feed tray 24 to the recording paper 23 is accommodated in the transport path to become a recording sheet conveyance of the developer is at a position corresponding to the station 22Y~22K paper feed tray 24 paper 23 supplied from the the road 25 from above is obtained by vertically arranged downward.

現像ステーション22Y〜22Kは、記録紙搬送路25の上流側から順に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナー像を形成するものであり、イエロー現像ステーション22Yは感光体28Y、マゼンタ現像ステーション22Mには感光体28M、シアン現像ステーション22Cには感光体28C、ブラック現像ステーション22Kには感光体28Kが含まれ、更に各現像ステーション22Y〜22Kには図示しない現像スリーブ、帯電器等、一連の電子写真方式における現像プロセスを実現する部材が含まれている。 Development station 22Y~22K includes, in order from the upstream side of the recording sheet conveying path 25, the yellow, magenta, cyan, and forms a toner image of black, yellow development station 22Y is a photoreceptor 28Y, a magenta development station 22M is photoreceptor 28M, the cyan development station 22C photoreceptor 28C, the black developing station 22K includes photoreceptor 28K, further developing sleeve (not shown) to each developing station 22Y~22K, charger, etc., a series of electrophotographic method It contains members to realize the development process of.

更に各現像ステーション22Y〜22Kの下部には感光体28Y〜28Kの表面を露光して静電潜像を形成するための露光装置33Y、33M、33C、33Kが配置されている。 Furthermore, each development station 22Y~22K exposure device for forming an electrostatic latent image by exposing the surface of the photoreceptor 28Y~28K the bottom of 33Y, 33M, 33C, 33K are arranged. なお実施の形態3で示した光ヘッドは、露光装置33Y、33M、33C、33Kに搭載されている。 Note optical head shown in the third embodiment, the exposure device 33Y, 33M, 33C, are mounted on 33K.

さて現像ステーション22Y〜22Kは充填された現像剤の色が異なっているが、構成は現像色に関わらず同一であるため、以降の説明を簡単にするため特に必要がある場合を除いて現像ステーション22、感光体28、露光装置33のごとく特定の色を明示せずに説明する。 Now although the developer station 22Y~22K have different colors filled developer, because the configuration is the same regardless of the development color, development station except when particularly necessary in order to simplify the following description 22, the photoconductor 28, is described without explicitly a specific color as the exposure device 33.

図18は本発明の実施の形態5の画像形成装置21における現像ステーション22の周辺を示す構成図である。 Figure 18 is a block diagram showing the periphery of a developing station 22 in the image forming apparatus 21 of the fifth embodiment of the present invention. 図18において、現像ステーション22の内部にはキャリアとトナーを混合物である現像剤26が充填されている。 18, the developer 26 is filled in the inside of the developing station 22 is the carrier and the toner mixture. 27a、27bは現像剤26を攪拌する攪拌パドルであり、攪拌パドル27aと27bの回転によって現像剤26中のトナーはキャリアとの摩擦によって所定の電位に帯電されると共に、現像ステーション22の内部を巡回することでトナーとキャリアが十分に攪拌混合される。 27a, 27b is a mixing paddle for agitating the developer 26, the toner in the developer 26 by the rotation of the stirring paddles 27a and 27b is charged to a predetermined potential by friction with the carrier, the inside of the developing station 22 the toner and the carrier are sufficiently stirred and mixed by cyclically. 感光体28は図示しない駆動源によって方向D3に回転する。 Rotating in the direction D3 by the photosensitive member 28 is not shown drive source. 29は帯電器であり感光体28の表面を所定の電位に帯電する。 29 charges the surface of the charger and are photoreceptor 28 to a predetermined potential. 30は現像スリーブ、31は薄層化ブレードである。 30 the developing sleeve, 31 is a layer-thinning blade. 現像スリーブ30は内部に複数の磁極が形成されたマグロール32を有している。 Developing sleeve 30 has a magnet roll 32 having a plurality of magnetic poles formed therein. 薄層化ブレード31によって現像スリーブ30の表面に供給される現像剤26の層厚が規制されると共に、現像スリーブ30は図示しない駆動源によって方向D4に回転し、この回転およびマグロール32の磁極の作用によって現像剤26は現像スリーブ30の表面に供給され、後述する露光装置によって感光体28に形成された静電潜像を現像するとともに、感光体28に転写されなかった現像剤26は現像ステーション22の内部に回収される。 With a layer thickness of the developer 26 supplied to the surface of the developing sleeve 30 by the layer-thinning blade 31 is restricted, the developing sleeve 30 is rotated in the direction D4 by a driving source not shown, of the magnetic poles of the rotation and the magnetic roll 32 developer 26 by the action is supplied to the surface of the developing sleeve 30, thereby developing the electrostatic latent image formed on the photosensitive member 28 by later-described exposure apparatus, the developer 26 that is not transferred to the photoconductor 28 is developed station It is collected in the interior of the 22.

33は既に説明した露光装置である。 33 is already exposure apparatus described. 実施の形態3の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドを搭載した露光装置33を応用した画像形成装置21は、既に述べたように露光装置33が長期に渡って安定に潜像を形成できるため、製品寿命が長く、さらに実施の形態3の光ヘッドを搭載した露光装置33は所望の形状の静電潜像を長期にわたって得られるために常に高画質の画像を形成することができる。 The organic electroluminescence element image forming apparatus by applying the exposure device 33 equipped with an optical head with 21 of the third embodiment, the exposure device 33 as previously mentioned is formed stably latent image for a long time can therefore, longer product life, further exposure device 33 equipped with an optical head of the third embodiment can always form a high quality image to be obtained over a long period an electrostatic latent image of the desired shape.

さて実施の形態4における露光装置33は有機エレクトロルミネッセント素子を600dpi(dot/inch)の解像度で直線状に配置したもので、帯電器29によって所定の電位に帯電した感光体28に対し、画像データに応じて選択的に有機エレクトロルミネッセント素子をON/OFFすることで、最大A4サイズの静電潜像を形成する。 Now the exposure apparatus 33 according to the fourth embodiment is obtained by placing the organic electroluminescence element to 600dpi linearly at (dot / inch) resolution, the photosensitive member 28 charged to a predetermined potential by the charger 29, by oN / OFF selectively organic electroluminescent element in accordance with image data to form an electrostatic latent image of maximum A4 size. この静電潜像部分に現像スリーブ30の表面に供給された現像剤26のうちトナーのみが付着し、静電潜像が顕画化される。 Only toner adheres of the developer 26 supplied to the surface of the developing sleeve 30 to the electrostatic latent image portion, an electrostatic latent image is the image-forming reduction.

感光体28に対し記録紙搬送路25と対向する位置には転写ローラ36が設けられており、図示しない駆動源により方向D5に回転する。 A position facing the recording paper conveying path 25 to the photoreceptor 28 is provided with a transfer roller 36, it rotates in the direction D5 by a drive source not shown. 転写ローラ36には所定の転写バイアスが印加されており、感光体28上に形成されたトナー像を、記録紙搬送路25を搬送されてきた記録紙に転写する。 The transfer roller 36 has been applied a predetermined transfer bias, the toner image formed on the photoconductor 28 is transferred to the recording paper conveyed through the paper conveying passage 25.

以降図17に戻って説明を続ける。 Referring back to later 17.

これまで説明してきたように、実施の形態4における画像形成装置21は複数の現像ステーション22Y〜22Kを縦方向に階段状に配列したタンデム型のカラー画像形成装置であり、カラーインクジェットプリンタと同等クラスのサイズを目指すものである。 As has been described, the image forming apparatus 21 according to the fourth embodiment is a tandem type color image forming apparatus arranged in stepwise a plurality of developing stations 22Y~22K longitudinally, color inkjet printer and its class it aims to size. 現像ステーション22Y〜22Kは複数のユニットが配置されるため、画像形成装置21の小型化を図るためには現像ステーション22Y〜22Kそのものの小型化と共に、現像ステーション22Y〜22Kの周辺に配置される作像プロセスに関与する部材を小さくし、現像ステーション22Y〜22Kの配置ピッチを極力小さくする必要がある。 For developing station 22Y~22K is disposed a plurality of units, in order to reduce the size of the image forming apparatus 21 together with the size of the development stations 22Y~22K itself, are arranged around the developing station 22Y~22K work to reduce the members involved in the image process, it is necessary to reduce the arrangement pitch of the development stations 22Y~22K as much as possible.

オフィス等においてデスクトップに画像形成装置21を設置した際のユーザの使い勝手、特に給紙時や排紙時の記録紙23へのアクセス性を考慮すると、画像形成装置21の底面から給紙口65までの高さは250mm以下にすることが望ましい。 User friendliness when installed image forming apparatus 21 to the desktop in an office or the like, especially considering the accessibility to the feeding or when the paper discharge time of the recording paper 23, from the bottom of the image forming apparatus 21 to the paper feed port 65 height is desirably set to 250mm or less. これを実現するためには画像形成装置21の全体の構成の中で現像ステーション22Y〜22K全体の高さを100mm程度に抑える必要がある。 It is necessary to suppress the overall height of the development stations 22Y~22K in the overall structure of the image forming apparatus 21 to about 100mm in order to achieve this.

しかしながら既存の例えばLEDヘッドは厚みが15mm程度あり、これを現像ステーション22Y〜22K間に配置すると目標を達成することが困難である。 However existing example LED head thickness located approximately 15 mm, it is difficult to achieve the target when this is placed between the developing station 22Y~22K. 本発明者等の検討結果によれば露光装置33の厚みを7mm以下とすると、現像ステーション22Y〜22K間の隙間に露光装置33Y〜33Kを配置しても現像ステーション全体の高さを100mm以下に抑えることが可能である。 When less 7mm thickness of the exposure apparatus 33 according to the study results of the present inventors, the height of the gap the entire development station be disposed an exposure device 33Y~33K to between the developing station 22Y~22K than 100mm it is possible to suppress.

37はトナーボトルであり、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナーが格納されている。 37 is a toner bottle, yellow, magenta, cyan, and black toner are stored. トナーボトル37から各現像ステーション22Y〜22Kには、図示しないトナー搬送用のパイプが配設され、各現像ステーション22Y〜22Kにトナーを供給している。 Each developer station 22Y~22K from the toner bottle 37, is arranged a pipe for toner conveyance (not shown), and supplies the toner to the developing station 22Y~22K.

38は給紙ローラであり、図示しない電磁クラッチを制御することで方向D1に回転し、給紙トレイ24に装填された記録紙23を記録紙搬送路25に送り出す。 38 is a paper feed roller, and rotates in the direction D1 by controlling the electromagnetic clutch, not shown, feeds the recording paper 23 loaded in the paper feed tray 24 to the recording sheet conveying path 25.

給紙ローラ38と最上流のイエロー現像ステーション22Yの転写部位との間に位置する記録紙搬送路25には、入口側のニップ搬送手段としてレジストローラ39、ピンチローラ40対が設けられている。 The recording sheet conveying path 25 positioned between the sheet feeding roller 38 and the transfer portion of the most upstream of the yellow developing station 22Y is a registration roller 39, a pinch roller 40 pair is provided as a nip conveying means on the inlet side. レジストローラ39、ピンチローラ40対は、給紙ローラ38により搬送された記録紙23を一時的に停止させ、所定のタイミングでイエロー現像ステーション22Yの方向に搬送する。 Registration rollers 39, the pinch roller 40 pair, temporarily stops the recording sheet 23 conveyed by the paper feed roller 38, conveyed in the direction of the yellow development station 22Y at a predetermined timing. この一時停止によって記録紙23の先端がレジストローラ39、ピンチローラ40対の軸方向と平行に規制され、記録紙23の斜行を防止する。 Leading edge of the recording sheet 23 by the pause register roller 39, in parallel to regulation and axially of the pinch roller 40 pair, to prevent skew of the recording sheet 23.

41は記録紙通過検出センサである。 41 is a recording sheet passage detecting sensor. 記録紙通過検出センサ41は反射型センサ(フォトリフレクタ)によって構成され、反射光の有無で記録紙23の先端および後端を検出する。 Recording sheet passage detecting sensor 41 is composed of a reflective sensor (photo-reflector), to detect the leading and trailing edge of the recording sheet 23 in the presence or absence of reflected light.

さてレジストローラ39の回転を開始すると(図示しない電磁クラッチによって動力伝達を制御し、回転ON/OFFを行う)記録紙23は記録紙搬送路25に沿ってイエロー現像ステーション22Yの方向に搬送されるが、レジストローラ39の回転開始のタイミングを起点として、各現像ステーション22Y〜22Kの近傍に配置された露光装置33Y〜33Kによる静電潜像の書き込みタイミングが独立して制御される。 Referring now to start rotation of the registration rollers 39 (controls power transmission by the electromagnetic clutch (not shown), the rotation ON / OFF) the recording paper 23 is conveyed along the paper conveying path 25 in the direction of the yellow development station 22Y but starting from the timing of start of rotation of the registration rollers 39, the write timing of the electrostatic latent image by the exposure device 33Y~33K disposed near the respective development stations 22Y~22K are independently controlled.

最下流のブラック現像ステーション22Kの更に下流側に位置する記録紙搬送路25には出口側のニップ搬送手段として定着器43が設けられている。 The recording paper conveying path 25 located further downstream of the most downstream of the black development station 22K fuser 43 is provided as a nip conveying means on the outlet side. 定着器43は加熱ローラ44と加圧ローラ45から構成されている。 Fixer 43 is composed of a heat roller 44 and the pressure roller 45. 加熱ローラ44は表面から近い順に、発熱ベルト、ゴムローラ、芯材(共に図示せず)から構成されている多層構造のローラである。 Heating roller 44 in order of proximity to the surface, the heat generating belt, a roller having a multilayer structure which is composed of rubber roller, the core material (both not shown). このうち発熱ベルトは更に3層構造を有するベルトであり、表面に近い方から離型層、シリコンゴム層、基材層(共に図示せず)から構成される。 Among heating belt is a belt further having a three-layer structure, the release layer from the side closer to the surface, the silicon rubber layer, and a base layer (both not shown). 離型層は厚み約20〜30マイクロメートルのフッ素樹脂からなり、加熱ローラ44に離型性を付与する。 The release layer is made of a thickness of about 20-30 micrometers of a fluororesin, to impart releasability to the heat roller 44. シリコンゴム層は約170マイクロメートルのシリコンゴムで構成され、加圧ローラ45に適度な弾性を与える。 Silicone rubber layer is composed of silicone rubber of about 170 micrometers, giving appropriate elasticity to the pressure roller 45. 基材層は鉄・ニッケル・クロム等の合金である磁性材料によって構成されている。 Base layer is composed of a magnetic material is an alloy such as iron-nickel-chromium.

26は励磁コイルが内包された背面コアである。 26 is a rear core excitation coil is contained. 背面コア46の内部には表面が絶縁された銅製の線材(図示せず)を所定本数束ねた励磁コイルを加熱ローラ44の回転軸方向に延伸し、かつ加熱ローラ44の両端部において、加熱ローラ44の周方向に沿って周回して形成されている。 Inside the stretched copper wire whose surface is insulated the exciting coil bundled predetermined number (not shown) in the rotation axis direction of the heating roller 44 of the rear core 46, and at both ends of the heating roller 44, heat roller It is formed by circulating along the circumferential direction of 44. 励磁コイルに半共振型インバータである励磁回路(図示せず)から約30kHzの交流電流を印加すると、背面コア46と加熱ローラ44の基材層によって構成される磁路に磁束が生じる。 The application of about 30kHz AC current from the excitation circuit is a half-resonant inverter (not shown) to the exciting coil, the magnetic flux in the magnetic path constituted by the base layer of the heating roller 44 and the back core 46 occurs. この磁束によって加熱ローラ44の発熱ベルトの基材層に渦電流が形成され基材層が発熱する。 The magnetic flux by the base layer eddy current is formed in the base layer of the heating belt of the heating roller 44 generates heat. 基材層で生じた熱はシリコンゴム層を経て離型層まで伝達され、加熱ローラ44の表面が発熱する。 Heat generated in the substrate layer is transferred to the release layer through the silicone rubber layer, the surface of the heating roller 44 generates heat.

47は加熱ローラ44の温度を検出するための温度センサである。 47 is a temperature sensor for detecting the temperature of the heating roller 44. 温度センサ47は金属酸化物を主原料とし、高温で焼結して得られるセラミック半導体であり、温度に応じて負荷抵抗が変化することを応用して接触した対象物の温度を計測することができる。 Temperature sensor 47 is a metal oxide as a main raw material, a ceramic semiconductor obtained by sintering at high temperature, is possible to measure the temperature of the object in contact by applying the load resistor in response to temperature changes it can. 温度センサ47の出力は図示しない制御装置に入力され、制御装置は温度センサ47の出力に基づいて背面コア46内部の励磁コイルに出力する電力を制御し、加熱ローラ44の表面温度が約170゜Cとなるように制御する。 The output of the temperature sensor 47 is inputted to a control device (not shown), the control device controls the electric power to be output to the interior of the exciting coil rear core 46 based on the output of the temperature sensor 47, the surface temperature of the heating roller 44 is about 170 ° controlled to be C.

この温度制御がなされた加熱ローラ44と加圧ローラ45によって形成されるニップ部に、トナー像が形成された記録紙23が通紙されると、記録紙23上のトナー像は加熱ローラ44と加圧ローラ45によって加熱および加圧され、トナー像が記録紙23上に定着される。 The nip this temperature control is formed by the heating roller 44 and the pressing roller 45 was made, the recording paper 23 on which the toner image is formed is fed, the toner image on the recording paper 23 and the heating roller 44 heat and pressure by the pressure roller 45, the toner image is fixed on the recording paper 23.

48は記録紙後端検出センサであり、記録紙23の排出状況を監視するものである。 48 denotes a recording paper trailing edge detection sensor which monitors a discharge condition of the recording paper 23. 52はトナー像検出センサである。 52 is a toner image detection sensor. トナー像検出センサ52は発光スペクトルの異なる複数の発光素子としてのエレクトロルミネッセント素子(共に可視光)と単一の受光素子(光検出素子)を用いた反射型センサユニットであり、記録紙23の地肌と画像形成部分とで、画像色に応じて吸収スペクトルが異なることを利用して画像濃度を検出するものである。 The toner image detection sensor 52 is a reflective sensor unit using the electroluminescent device as a plurality of different light-emitting element emitting spectrum (both visible light) single light receiving element (light detecting elements), the recording paper 23 in the background and the image forming portion, the absorption spectrum in accordance with the image color is used to detect the image density by using different. またトナー像検出センサ52は画像濃度のみならず、画像形成位置も検出できるため、実施の形態3における画像形成装置21ではトナー像検出センサ52を画像形成装置21の幅方向に2ヶ所設け、記録紙23上に形成した画像位置ずれ量検出パターンの検出位置に基づき、画像形成タイミングを制御している。 The toner image detection sensor 52 is not only the image density, the image forming position can also be detected, provided in two locations in the image forming apparatus 21 to the toner image detection sensor 52 in the width direction of the image forming apparatus 21 according to the third embodiment, the recording based on the detected position of the image position shift amount detection pattern formed on the paper 23, it controls the image formation timing.

53は記録紙搬送ドラムである。 53 is a recording paper conveying drum. 記録紙搬送ドラム53は表面を200マイクロメートル程度の厚さのゴムで被覆した金属製ローラであり、定着後の記録紙23は記録紙搬送ドラム53に沿って方向D2に搬送される。 Recording paper conveying drum 53 is a metal roller coated with rubber having a thickness of about 200 micrometers of the surface, the recording sheet 23 after fixing is conveyed in the direction D2 along the recording paper conveying drum 53. このとき記録紙23は記録紙搬送ドラム53によって冷却されると共に、画像形成面と逆方向に曲げられて搬送される。 At this time together with the recording paper 23 is cooled by the recording paper conveying drum 53 is conveyed bent image forming surface opposite direction. これによって記録紙全面に高濃度の画像を形成した場合などに発生するカールを大幅に軽減することができる。 This makes it possible to greatly reduce the curling which occurs like in the case of forming a high density image on the recording sheet over the entire surface. その後、記録紙23は蹴り出しローラ55によって方向D6に搬送され、排紙トレイ59に排出される。 Then be conveyed in the direction D6 by the recording paper 23 is kickout roller 55 is discharged to the paper discharge tray 59.

54はフェイスダウン排紙部である。 54 is a face-down discharge portion. フェイスダウン排紙部54は支持部材56を中心に回動可能に構成され、フェイスダウン排紙部54を開放状態にすると、記録紙23は方向D7に排紙される。 The face-down sheet discharge unit 54 rotatable in the central support member 56, when the face-down discharge portion 54 in an open state, the recording paper 23 is discharged in the direction D7. このフェイスダウン排紙部54は閉状態では記録紙搬送ドラム53と共に記録紙23の搬送をガイドするように、背面に搬送経路に沿ったリブ57が形成されている。 This face-down discharge portion 54 to guide the conveyance of the recording sheet 23 together with the recording paper conveying drum 53 in the closed state, the ribs 57 along the transport path to the rear is formed.

58は駆動源であり、実施の形態3ではステッピングモータを採用している。 58 is a drive source, employs a stepping motor in the third embodiment. 駆動源58によって、給紙ローラ38、レジストローラ39、ピンチローラ40、感光体(28Y〜28K)、および転写ローラ(36Y〜36K)を含む各現像ステーション22Y〜22Kの周辺部、定着器43、記録紙搬送ドラム53、蹴り出しローラ55の駆動を行っている。 By a drive source 58, the paper feed roller 38, registration rollers 39, the pinch roller 40, the peripheral portion of the development stations 22Y~22K including photoreceptor (28Y~28K), and the transfer roller (36Y~36K), fuser 43, recording paper conveying drum 53, is carried out to drive the kicking roller 55.

61はコントローラであり、外部のネットワークを介して図示しないコンピュータ等からの画像データを受信し、プリント可能な画像データを展開、生成する。 61 is a controller for receiving image data from a computer or the like (not shown) via the external network, expand the printable image data, and generates.

62はエンジン制御部である。 62 is an engine control unit. エンジン制御部62は画像形成装置21のハードウェアやメカニズムを制御し、コントローラ61から転送された画像データに基づいて記録紙23にカラー画像を形成すると共に、画像形成装置21の制御全般を行っている。 The engine control unit 62 controls the hardware and mechanisms of the image forming apparatus 21, to form a color image on a recording sheet 23 based on the transferred image data from the controller 61 performs overall control of the image forming apparatus 21 there.

63は電源部である。 63 is a power supply unit. 電源部63は、露光装置33Y〜33K、駆動源58、コントローラ61、エンジン制御部62へ所定電圧の電力供給を行うと共に、定着器43の加熱ローラ44への電力供給を行っている。 Power supply unit 63, an exposure device 33Y~33K, the driving source 58, controller 61, performs power supply of a predetermined voltage to the engine control unit 62, which performs power supply to the heating roller 44 of the fixing device 43. また感光体28の表面の帯電、現像スリーブ(図15における図番30を参照)に印加する現像バイアス、転写ローラ36に印加する転写バイアス等のいわゆる高圧電源系もこの電源部に含まれている。 Also included (Figure No. 30 see in FIG. 15) the developing bias to be applied to the, so-called high-voltage power supply system is also the power supply unit such as a transfer bias applied to the transfer roller 36 surface of the charging, the developing sleeve of the photoconductor 28 .

また電源部63には電源監視部64が含まれ、少なくともエンジン制御部62に供給される電源電圧をモニターできるようになっている。 Also in the power supply unit 63 includes power monitoring section 64, and to be able to monitor the power supply voltage supplied to at least the engine controller 62. このモニター信号はエンジン制御部62おいて検出され、電源スイッチのオフや停電等の際に発生する電源電圧の低下を検出している。 The monitor signal is detected Oite engine control unit 62, and detects the power supply voltage drop generated during the off or power failure of the power switch.

以上の説明においては本発明をカラー画像形成装置に適用した場合について説明したが、たとえばブラックなど単色の画像形成装置に適用することもできる。 The present invention is in the above description has been described as applied to a color image forming apparatus can be applied for example to a monochrome image forming apparatus such as black. また、カラー画像形成装置に適用した場合、現像色はイエロー、マゼンタ、シアンおよびブラックの4色に限定されるものではない。 Also, when applied to a color image forming apparatus, the developing color is yellow, not limited to four colors of magenta, cyan and black.

本発明の画像形成装置21は、発光分布が均一で、耐久性に優れた露光装置33Y〜33Kを搭載しているため、画質と耐久性に優れている。 The image forming apparatus 21 of the present invention, emission distribution is uniform, The mounting of excellent exposure apparatus 33Y~33K durability and excellent in image quality and durability.

(実施の形態6) (Embodiment 6)
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた表示装置について説明する。 Next, the display device will be described using an organic electroluminescent device of the present invention. 本実施の形態の表示装置は、イオン化ポテンシャルが5.6eV程度の遷移金属酸化物層上にバッファ層としてのTFB(図示せず)を介して発光層をインクジェット法により形成するもので、図19にこのアクティブマトリックス型の表示装置の等価回路図、図20にレイアウト説明図、図21に上面説明図を示すように、各画素に駆動回路を形成したアクティブマトリックス型の表示装置を構成するものである。 Display device of the present embodiment, in which ionization potential is formed by an ink jet method a luminescent layer via the TFB (not shown) as a buffer layer on the transition metal oxide layer of about 5.6 eV, 19 equivalent circuit diagram of the active matrix type display device, which constitutes a layout diagram in FIG. 20, as shown in the top diagram in Figure 21, the display device of the active matrix type in which a driver circuit is formed each pixel is there.

この表示装置140は、図19に等価回路図、図20にレイアウト説明図を示すように、画素を形成する有機エレクトロルミネッセント素子(エレクトロルミネッセント)110およびスイッチングトランジスタ130、光検出素子としてのカレントトランジスタ120とからなる2つのTFT(T1,T2)とコンデンサCとからなる駆動回路を上下左右に複数個配列し、左右方向に並んだ各駆動回路の第1のTFT(T1)のゲート電極を走査線143に接続して走査信号を与え、また上下方向に並んだ各駆動回路の第1のTFTのドレイン電極をデータ線に接続し、発光信号を供給するように構成されている。 The display device 140 is an equivalent circuit diagram in FIG. 19, as shown in the layout diagram in FIG. 20, the organic electroluminescent device (electroluminescent) 110 and the switching transistor 130 to form a pixel, as the light detecting element gates of a plurality sequences two TFT consisting of current transistor 120. and (T1, T2) driving circuit consisting of a capacitor C to the vertical and horizontal directions, a first TFT of the driving circuit arranged in the lateral direction of the (T1) given scan signal by connecting the electrodes to the scanning line 143, also connects the first drain electrode of the TFT of the driving circuit arranged in the vertical direction to the data line, and is configured to provide an emission signal. エレクトロルミネッセント素子(エレクトロルミネッセント)の一端には駆動用電源(図示せず)が接続され、コンデンサCの一端は接地されている。 One end of the electroluminescent device (electroluminescent) connected driving power source (not shown), one end of the capacitor C is grounded. 143は走査線、144は信号線、145は共通給電線、147は走査線ドライバ、148は信号線ドライバ、149は共通給電線ドライバである。 143 scanning lines, 144 denotes a signal line, 145 is a common feed line, 147 scan line driver, 148 denotes a signal line driver 149 is a common feeder line driver.

図21はこの表示装置の上面説明図であり、駆動用の薄膜トランジスタ(図示せず)を形成したガラス基板100上に、陽極(ITO)111、イオン化ポテンシャル5.6eVの酸化モリブデン層などからなる遷移金属酸化物層115、電荷ブロック層116、発光層112、陰極113を形成して有機エレクトロルミネッセント素子を形成している。 Figure 21 is a top explanatory view of the display device, on a glass substrate 100 formed with the driving thin film transistor (not shown), made of an anode (ITO) 111, molybdenum oxide layer ionization potential 5.6eV transition metal oxide layer 115, charge blocking layer 116, light emitting layer 112, to form an organic electroluminescent element to form a cathode 113. 構造としては、陽極および電荷注入層は個別に形成されており、バッファ層から発光層は画素規制層114で、陰極はストライプ状に形成されている。 The structure, the anode and the charge injection layer is formed separately, the light emitting layer from the buffer layer in the pixel regulating layer 114, the cathode is formed in a stripe shape. なおこの駆動用の薄膜トランジスタは、例えばガラス基板100上に有機半導体層(高分子層)を形成しこれを、ゲート絶縁膜で被覆しこの上にゲート電極を形成すると共にゲート絶縁膜に形成したスルーホールを介してソース・ドレイン電極を形成してなるものである。 Note thin film transistor for driving is through, for example organic semiconductor layer on a glass substrate 100 formed with this (polymer layer) is coated with a gate insulating film formed on the gate insulating film to form a gate electrode on the those obtained by forming a source and drain electrode through the hole. そして、この上にポリイミド膜などを塗布して絶縁層(平坦層)を形成し、その上部に陽極(ITO)111、酸化モリブデン層,電子ブロック層、発光層などの有機半導体層、陰極115を形成して有機エレクトロルミネッセント素子を形成した構造を有している。 Then, a polyimide film etc. is applied to form an insulating layer (planarization layer) on the anode thereon (ITO) 111, molybdenum oxide layer, an electron blocking layer, an organic semiconductor layer such as a light emitting layer, the cathode 115 formed to have a structure in which an organic electroluminescence element. なお、図21には、コンデンサや配線については省略したが、これらも同じガラス基板上に形成されている。 Incidentally, in FIG. 21, the capacitor and the wiring is omitted, these are also formed on the same glass substrate. このようなTFTと有機エレクトロルミネッセント素子からなる画素が同一基板上に複数個マトリクス状に形成されてアクティブマトリクス型の表示装置を構成している。 Is formed in a plurality a matrix to constitute an active matrix display device in such a TFT and an organic electroluminescent consisting St. element pixel same substrate.

製造に際しては図20に示すように、絶縁層で構成した画素規制層114によって形成された開口部153にインクジェット法により、発光層が形成される。 As in the production are shown in Figure 20, an ink jet method in the opening 153 formed by the pixel regulating layer 114 constituted by an insulating layer, the light emitting layer is formed.

すなわち、製造に際しては、ガラス基板100上に形成された走査線143、信号線144、スイッチングTFT130、画素電極111などの上に画素規制層114を形成し、その後開口部を設ける。 That is, in the production, the glass substrate 100 on which is formed on the scanning lines 143, signal lines 144, switching TFT 130, the pixel regulating layer 114 is formed on such as a pixel electrode 111, then an opening.
そしてこの上層に、全面に遷移金属酸化物層を蒸着によって形成する。 And this upper layer, formed by depositing a transition metal oxide layer on the entire surface.
この後、インクジェット法によって必要に応じてTFBを塗布する。 Thereafter, applying the TFB optionally by an ink jet method. このTFB層は遷移金属酸化物層と同様に全面に塗布してもよいし、開口部に対応する部分だけに塗布してもよい。 The TFB layer may be applied to the entire surface like the transition metal oxide layer may be applied only to a portion corresponding to the opening.
そして、乾燥工程を経て、開口部に対応する位置にインクジェット法によって所望の色(RGBのいずれか)に対応する高分子有機EL材料を塗布する。 Then, a drying step, applying a polymeric organic EL material corresponding to the desired color (either RGB) by an ink jet method in a position corresponding to the opening.
最後に、表示画素141が配置されている領域に対して図示しない陰極を形成する Finally, a cathode is formed (not shown) to a region of display pixels 141 are arranged

この構成によれば、高速駆動が可能で信頼性の高い表示装置を提供することができる。 According to this configuration, it is possible to provide a highly reliable display device can operate at high speed.

次にエレクトロルミネッセント素子1を2次元的に複数配置した照明装置の例を、図21を援用して説明する。 Next, examples of a lighting device in which a plurality placed an electroluminescent element 1 is two-dimensionally will be explained with reference to FIG. 21. 2次元的に配置されたエレクトロルミネッセント素子110について、例えば全てのエレクトロルミネッセント素子1を一斉に点灯/消灯するような構成は極めて容易に実現できる。 About two-dimensionally arranged electroluminescent device 110, for example simultaneously turned on / off so as to constitute all of the electroluminescent device 1 may be realized very easily. ただしこのように一斉に点灯/消灯するような構成であっても、少なくとも一方の電極(例えばITOで構成される画素電極(図1の陽極111参照))は個々のエレクトロルミネッセント素子1単位に分離した構成とすることが望ましい。 However even in this way simultaneously turned on / off as constituting, (pixel electrode formed of, for example, ITO (see an anode 111 of FIG. 1)) at least one of the electrodes individual electroluminescence elements 1 unit it is desirable to separate the configuration. これは何らかの要因によって表示画素141に欠陥があったとしても、欠陥が当該表示画素141に留まるため、照明装置全体の製造歩留まりを向上させることができるからである。 Even this was defective display pixel 141 for some reason, since the defects remain in the display pixel 141 is because it is possible to improve the manufacturing yield of the entire lighting device. このような構成を有する照明装置は、例えば家庭における一般的な照明器具に応用することができる。 Lighting device having such a structure can be applied to general lighting fixtures in for example, a home. この場合に照明装置を極めて薄く構成することができるから、天井のみならず壁面にも容易に設置することができるようになる。 Since it is possible to extremely thin form an illumination device in this case, so it can be easily installed on the wall as well as ceiling only.

また、2次元的に配置されたエレクトロルミネッセント素子1は任意のデータを供給することで、その発光パターンを簡単に制御することができ、かつ本発明に係るエレクトロルミネッセント素子1は、その発光領域を例えば40μm角程度のサイズで構成できるから、照明装置にデータを供給してパネル型の表示装置と兼用するようなアプリケーションを構成できる。 Further, two-dimensionally arranged electroluminescent element 1 by supplying any data, it is possible to easily control the light emission patterns, and electroluminescent element 1 according to the present invention, since the light-emitting region can be constructed in a size of, for example, about 40μm square, it can be constructed application that serves as the feed to the panel-type display device data to the lighting device. もちろんこの場合には表示画素141は位置に応じて赤色、緑色、青色に塗り分けられている必要があるがインクジェット法によれば、極めて容易に多色化が可能となる。 Of course red in accordance with the display pixel 141 is located in this case, green, according to it is necessary to have been painted in blue ink-jet method, it is possible to very easily multiple colors.

従来は照明装置と表示装置を比較したときに、その発光輝度は照明装置の方が大きいものであった。 When the comparing display device and the illuminating device conventionally the emission luminance was intended direction of the illumination device is large. しかしながら本発明に係るエレクトロルミネッセント素子110は極めて高い発光輝度を有しているため、照明装置と表示装置を兼用できるのである。 However electroluminescent device 110 according to the present invention is the order has a very high luminance, it also serves as a lighting device and a display device. この場合、照明装置と表示装置ではその機能の違い(すなわち使用モード)に起因して発光輝度を調整する機構が必要となるが、この機構は例えば前記実施の形態3に示した構成を採用し駆動電流を制御して各エレクトロルミネッセント素子1の発光輝度を調整することで実現できる。 In this case, mechanisms in the lighting device and a display device for adjusting the emission brightness due to the difference of the function (i.e., use mode) but is required, the mechanism adopts the configuration shown in the third embodiment example by controlling the drive current can be realized by adjusting the light emission luminance of each electroluminescent element 1. 即ち照明装置として使用する場合は全てのエレクトロルミネッセント素子1をより大きな電流で駆動し、表示装置として使用する場合は小電流でかつ階調に応じて制御された電流値で(すなわち画像データに応じて)各エレクトロルミネッセント素子1を駆動すればよい。 That is, when used as an illumination device drives all of the electroluminescent device 1 with a larger current, (that is, image data in a controlled current value in response to small current a and the gradation when used as a display device ) may be driven to the electroluminescence element 1 in accordance with the. このようなアプリケーションにおいて、照明装置として機能する場合の電源と、表示装置として機能する場合の電源は単一のものとしてもよいが、駆動電流を制御する、例えばディジタル−アナログ変換器のダイナミックレンジが大きく、表示装置として使用する際の階調数が不足するような場合には、図19および図20に示す共通給電線145に接続された電源(図示せず)を使用モードに応じて切り替えるような構成とすることが望ましい。 In such applications, the power supply when functioning as a lighting device, power may be as a single case of functioning as a display device, and controls the drive current, for example, a digital - the dynamic range of the analog converter large, if such insufficient number of gradations when used as a display device, is switched according to the use mode power supplies connected to the common power supply line 145 shown in FIGS. 19 and 20 (not shown) it is desirable that the Do configuration. もちろん照明装置としての使用モードにおいても、明るさの制御が必要な態様(すなわち調光機能を有する照明装置)にあっては、先に説明した階調に応じた電流値制御によって容易に対応することができる。 Of course even in the mode of use as a lighting device, in the required brightness control mode (i.e. illumination device having a light control function), readily accommodated by the current value control corresponding to the gray level previously described be able to. また本発明のエレクトロルミネッセント素子1は、ガラス基板2の上のみならず例えばPETなどの樹脂基板上にも形成できることから、様々なイルミネーション用の照明装置としても応用することができる。 The electroluminescent device 1 of the present invention, because it can be formed on a resin substrate, such as not only example PET on a glass substrate 2, can be applied as a lighting device for various for illumination.

なお、薄膜トランジスタを有機トランジスタで構成してもよい。 It is also possible to constitute a thin film transistor in the organic transistor. また薄膜トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセント素子を積層した構造、あるいは有機エレクトロルミネッセント素子上に薄膜トランジスタを積層した構造なども有効である。 Also effective structure by stacking the organic electroluminescence element on the thin film transistor, or even such structure obtained by laminating a thin film transistor organic electroluminescent on St. element.

加えて、高画質のエレクトロルミネッセント表示装置を得るために、有機エレクトロルミネッセント素子を形成したエレクトロルミネッセント基板と、TFT、コンデンサ、配線などを形成したTFT基板とを、エレクトロルミネッセント基板の電極とTFT基板の電極とが接続バンクを用いて接続されるように貼り合わせるようにしてもよい。 In addition, in order to obtain the electroluminescent display device of high image quality, and electroluminescent substrate formed with the organic electroluminescence element, TFT, a capacitor, and a TFT substrate to form such wiring, electroluminescent it may be bonded to the St. substrate electrode and the TFT substrate of the electrode is connected with the connection bank.

以上の説明において、有機エレクトロルミネッセント素子は直流駆動としたが、交流電圧または交流電流、あるいはパルス波で駆動してもよい。 In the above description, the organic electroluminescent device has been a DC drive, AC voltage or current or may be driven by a pulse wave.

また、有機エレクトロルミネッセント素子で発光した光は基板側から取り出すようになっているが、基板と反対面(ここでは陰極)側から、あるいは側面から取り出すようにしてもよい。 Although light emitted from the organic electroluminescent device is adapted to retrieve from the substrate side, it may be taken out from the side or sides, (cathode in this case) opposite to the substrate surface.

なお、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子を構成する各層の成膜については上記方法に限定されるものではなく、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、分子線エピタキシー法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、熱CVD法、プラズマCVD法、MOCVD法などの真空法、あるいはゾルゲル法、ラングミュア・ブロジェット法(LB法)、レイヤーバイレイヤー法、スピンコート法、インクジェット法、ディップコーティング法、スプレー法などの湿式法などから適宜選択可能であり、結果的に本発明の効果を奏効し得るように形成可能な方法であれば、いかなるものでもよいことはいうまでもない。 Note that the formation of each layer constituting the organic electroluminescence element of the present invention is not limited to the above method, vacuum deposition, electron beam deposition, molecular beam epitaxy, sputtering, reactive sputtering Law, ion plating method, laser ablation method, thermal CVD method, a plasma CVD method, a vacuum method such as MOCVD method, or a sol-gel method, Langmuir-Blodgett method (LB method), layer-by-layer method, a spin coating method, an inkjet law, a dip coating method can be selected as necessary from such a wet method such as a spray method, if forming possible way so as to respond the effect of resulting in the present invention, to say it may be any Absent.

本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、バッファ層が、バッファ層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値(以下電子親和力と表現する)が前記発光機能を有した層の電子親和力よりも小さい材料を使用してもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer, (expressed as the following electron affinity) the absolute value of the energy value representing an electron affinity of the buffer layer is smaller than the electron affinity of the layer having the light emitting function material it may also be used. この構成により、電荷の抜けをブロックすることができ、電荷が発光層内で有効に発光に寄与するようにすることができる。 This configuration can block the loss of charge, it can charge so as to contribute effectively emitted from the light emitting layer.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、酸化物を含むようにしてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the charge injection layer, may include an oxide.
なお、ここで用いられる酸化物としては、クロム(Cr)、タングステン(W)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、トリウム(Tr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)あるいは、ランタン(La)からルテチウム(Lu)までのいわゆる希土類元素などの酸化物を挙げることができる。 As the oxide used herein, chromium (Cr), tungsten (W), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf) scandium (Sc), yttrium (Y), thorium (Tr), manganese (Mn), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu) , zinc (Zn), cadmium (Cd), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In),: silicon (Si), germanium-(Ge), tin (Sn), lead (Pb), antimony (Sb) , bismuth (Bi) or may include oxides such as so-called rare earth elements from lanthanum (La) to lutetium (Lu). なかでも酸化アルミニウム(AlO)、酸化銅(CuO)、酸化シリコン(SiO)は、特に長寿命化に有効である。 Among these aluminum oxide (AlO), copper oxide (CuO), silicon oxide (SiO) are particularly effective in long life.
例えば遷移金属の化合物は、複数の酸化数をとるため、これにより、複数の電位レベルをとることができ、電荷注入が容易となり、駆動電圧を低減することができる。 For example, the compounds of the transition metals, for taking a plurality of oxidation numbers, which makes it possible to take a plurality of potential level, the charge injection is facilitated, it is possible to reduce the driving voltage.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、遷移金属の酸窒化物を含むようにしてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the charge injection layer, may include an oxynitride of a transition metal. 例えば、ルテニウム(Ru)の酸窒化物結晶Ru4Si 2 O 7 N 2等も極めて耐熱性(1500℃)が高く安定な物質であることから薄く成膜することにより、電荷注入層として適用可能である。 For example, by reducing the film formation since oxynitride crystal Ru4Si 2 O 7 N 2, etc. is extremely heat-resistant ruthenium (Ru) (1500 ℃) is a high and stable material can be applied as the charge injection layer . この場合はゾルゲル法で成膜した後、熱処理を行なうことにより成膜することができる。 After this case was deposited by a sol-gel method, it can be formed by performing the heat treatment.

この他、バリウムサイアロン(BaSiAlON)、カルシウムサイアロン(CaSiAlON)、セリウムサイアロン(CeSiAlON)、リチウムサイアロン(LiSiAlON)、マグネシウムサイアロン(MgSiAlON)、スカンジウムサイアロン(ScSiAlON)、イットリウムサイアロン(YSiAlON)、エルビウムサイアロン(ErSiAlON)、ネオジムサイアロン(NdSiAlON)などのIA、IIA、IIIB族の元素を含むサイアロン、または多元サイアロン等の酸窒化物が適用可能である。 In addition, barium sialon (BaSiAlON), calcium SiAlON (CaSiAlON), cerium sialon (CeSiAlON), lithium sialon (LiSiAlON), magnesium sialon (MgSiAlON), scandium sialon (ScSiAlON), yttrium sialon (YSiAlON), erbium sialon (ErSiAlON) , IA, such as neodymium sialon (NdSiAlON), IIA, sialon containing an element group IIIB or oxynitride, such as multi-sialon, is applicable. これらはCVD法、スパッタリング法などで形成可能である。 These can be formed by a CVD method, a sputtering method. この他、窒化珪素酸ランタン(LaSiON)、窒化珪素酸ランタンユーロピウム(LaEuSi O N )、酸窒化珪素(SiON3)等も適用可能である。 In addition, silicon nitride lanthanum (LaSiON), silicon lanthanum europium nitride (LaEuSi 2 O 2 N 3) , silicon oxynitride (SiON3) etc. are also applicable. これらはおおむね絶縁体であることが多いため、膜厚は1nmから5nm程度と薄くする必要がある。 They are likely to be of generally insulator, the film thickness should be as thin as 5nm order of 1 nm. またこれらの化合物はエキシトンの閉じ込め効果が大であり、電子注入を行なう側に形成してもよい。 Also these compounds are large confinement effect of exciton may be formed on the side to perform the electron injection.

また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、遷移金属を含む複合酸化物を含むようにしてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the charge injection layer may also include a composite oxide containing a transition metal. 理由は明らかではないが、電荷注入層に、遷移金属を含む複合酸化物を用いた場合、発光強度を大きく向上することができた。 Although the reason is not clear, the charge injection layer, when using a composite oxide containing a transition metal, it is possible to improve the emission intensity increases.
また、複合酸化物には非常に多くの種類があり、そのうち多くのものが電子的に興味深い物性を持っている。 Also, there are so many kinds of composite oxide, of which many things have electronically interesting properties. 具体的には以下のような化合物を挙げることができるが、これらはあくまでその一例である。 Specifically it may be mentioned such as the following compounds, which are merely one example.

例えば、チタン酸バリウム(BaTiO 3 )、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )の他、チタン酸カルシウム(CaTiO 3 )、ニオブ酸カリウム(KNbO 3 )、ビスマス酸化鉄(BiFeO 3 )、 For example, barium titanate (BaTiO 3), other strontium titanate (SrTiO 3), calcium titanate (CaTiO 3), potassium niobate (KNbO 3), bismuth iron oxide (BiFeO 3),
ニオブ酸リチウム(LiNbO 3 )、バナジウム酸ナトリウム(Na 3 VO 4 )、バナジウム酸鉄(FeVO 3 )、チタン酸バナジウム(TiVO 3 )、クロム酸バナジウム(CrVO 3 )、バナジウム酸ニッケル(NiVO 3 )、バナジウム酸マグネシウム(MgVO 3 )、バナジウム酸カルシウム(CaVO 3 )、バナジウム酸ランタン(LaVO 3 )、モリブデン酸バナジウム(VMoO 5 )、モリブデン酸バナジウム(V 2 MoO 8 )、バナジウム酸リチウム(LiV 2 O 5 )、珪酸マグネシウム(Mg2SiO4)、珪酸マグネシウム(MgSiO 3 )、チタン酸ジルコニウム(ZrTiO 4 )、チタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )、マグネシウム酸鉛(PbMgO 3 )、ニオブ酸鉛(PbNbO 3 )、ホウ酸バリウム(BaB 2 O 4 )、クロム酸ランタン(LaCrO 3 )、チタン酸リチウム(LiTi 2 O 4 )、銅酸ランタン(LaCuO 4 )、チタン酸亜鉛 Lithium niobate (LiNbO 3), sodium vanadate (Na 3 VO 4), vanadium iron (FeVO 3), titanate vanadium (TiVO 3), chromic acid vanadium (CrVO 3), vanadium, nickel (NiVO 3), magnesium vanadate (MgVO 3), calcium vanadate (CaVO 3), vanadium lanthanum (LaVO 3), molybdate vanadium (VMoO 5), molybdate vanadium (V 2 MoO 8), lithium vanadate (LiV 2 O 5 ), magnesium silicate (Mg2SiO4), magnesium silicate (MgSiO 3), zirconium titanate (ZrTiO 4), strontium titanate (SrTiO 3), magnesium lead (PbMgO 3), lead niobate (PbNbO 3), barium borate (BaB 2 O 4), lanthanum chromate (LaCrO 3), lithium titanate (LiTi 2 O 4), copper lanthanum (LaCuO 4), zinc titanate (ZnTiO 3 )、タングステン酸カルシウム(CaWO 4 )等が可能となる。 (ZnTiO 3), thereby enabling calcium tungstate (CaWO 4) and the like.

これらのいずれを用いることでも本発明を実施することができるが、好ましくはたとえばチタン酸バリウム(BaTiO 3 )を挙げることができる。 Can also implement the present invention by using any of these, it may be preferably mentioned, for example, barium titanate (BaTiO 3). BaTiO 3は代表的な誘電体であって、高い絶縁性を持つ複酸化物であるが、種々の実験を行なった結果から薄い膜で用いられる場合にはキャリア注入を行うことが可能であることがわかった。 BaTiO 3 is a typical dielectric, is a complex oxide with high insulating properties, it is possible to perform carrier injection when used in a thin film from the result of performing various experiments it was found. BaTiO 3やチタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 )は化合物として安定であり、かつ誘電率が非常に大きいので効率的なキャリア注入を行うことが可能である。 BaTiO 3 or strontium titanate (SrTiO 3) it is stable as compound and dielectric constant it is possible to perform efficient carrier injection so large. 成膜に際してはスパッタリング法、ゾルゲル法、CVD法など適宜選択可能である。 Sputtering during deposition, sol-gel method, it can be appropriately selected, such as CVD.

また本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記バッファ層が、ホール注入側に配置された電荷注入層と発光機能を有した層との間に配置されるようにしてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer may be disposed between the layer having the light emitting function and a charge injection layer disposed on the hole injection side. この構成により、電子の抜けをブロックすることができ、電子が発光機能を有した層内で有効に発光に寄与するようにすることができる。 This configuration can block the loss of electrons, electrons can be made to contribute to the effective light emission in the layer having the light emitting function.

また本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記バッファ層が、高分子層で構成されるようにしてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention, the buffer layer may be constituted by a polymer layer. この構成により、バッファ層を塗布法で形成することができるため、真空工程を経ることなく形成することができる。 With this configuration, it is possible to form a buffer layer by a coating method, it can be formed without a vacuum process.

また本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記陽極が透光性基板上に形成されており、前記電荷注入層が、前記陽極上に形成されたホール注入層と、前記発光機能を有した層を介して前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層の上に形成された電子注入層とで構成され、前記電子注入層上には陰極が形成されたものを含むものを含む。 The organic electroluminescent device of the present invention, the anode is formed on a transparent substrate, wherein the charge injection layer, a hole injection layer formed on the anode, having the light emitting function so as to face the hole injection layer via the layer, wherein is composed of an electron injection layer formed on the layer having the light emitting function, wherein the electron injection layer include those cathodes are formed including things. すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子は、透光性基板上に形成された陽極と、前記陽極上に形成されたホール注入層と、前記ホール注入層上に形成されたバッファ層と、前記発光機能を有した層を介して前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層上に形成された電子注入層と、陰極とで構成されるようにしてもよい。 That is, the organic electroluminescent device of the present invention, an anode formed on a transparent substrate, and the hole injection layer formed on the anode, a buffer layer formed on the hole injection layer, so as to face the hole injection layer via the layer having the light emitting function, and an electron injection layer formed on the layer having the light emitting function, it may be constituted by a cathode.
この構成により、電子の抜けを生じ易いホール注入層側に電子ブロック層等のバッファ層が形成されており、かつこれらの層の上に発光機能を有した層が形成されるため、発光機能を有した層がホール注入層の成膜時にダメージを受けるのを防止することができる。 With this configuration, since the buffer layer such as an electron blocking layer tends hole injection layer side results in loss of electrons is formed, and the layer having the light emitting function over these layers are formed, a light-emitting function it can have layers is prevented from being damaged during the formation of the hole injection layer.
ここで陰極としては、電子の注入を容易にするためのカルシウム(Ca)層やバリウム(Ba)層など仕事関数の小さい層を発光層側に配した多層構造体として形成するのが望ましい。 Here, as the cathode, it is desirable to form small layer of calcium (Ca), such as layer or barium (Ba) layer work function to facilitate injection of electrons as a multilayer structure disposed on the light emitting layer side.

本発明で用いる上記化合物においては価数の異なる化合物も存在し易く、例示したもの以外にも価数の異なる化合物の形をとるものも含むものとする。 Easily exist different compounds valences in the compounds used in the present invention, and also includes those in the form of different compounds valence other than those exemplified.

本発明のエレクトロルミネッセント素子は、高輝度化が可能で、幅広い輝度の範囲にわたって安定に動作するとともに、寿命特性に優れているため、フラットパネルディスプレイや表示素子を含む広範な応用、あるいは光ヘッド及び画像形成装置として、複写機、プリンタ、マルチファンクションプリンタ、ファクシミリなどに適用が可能である。 Electroluminescent device of the present invention is capable of high brightness, as well as stable operation over a wide range of luminance and excellent life property, wide range of applications including flat panel displays and display elements, or optical as head and an image forming apparatus, a copying machine, a printer, can be multi-function printer, it applied to a facsimile.

本発明の実施の形態1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子110の断面概要図 Schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device 110 according to the first embodiment of the present invention 同有機エレクトロルミネッセント素子の発光特性を示す図 It shows an emission characteristic of the organic electroluminescence element 本発明の実施の形態2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子110の断面概要図 Schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device 110 according to the second embodiment of the present invention 同有機エレクトロルミネッセント素子の発光特性を示す図 It shows an emission characteristic of the organic electroluminescence element 本発明の実施の形態3に記載の光ヘッドを構成するエレクトロルミネッセント素子110およびその周辺の断面図 Electroluminescent device 110 and a cross-sectional view of the periphery thereof constituting the optical head according to the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に記載の光ヘッドの光検出素子近傍の構成を示した平面構成説明図 Planar configuration explanatory view showing a configuration of a light detecting element near the light head according to Embodiment 3 of the present invention 本発明の実施の形態3に記載の光ヘッドに用いられるエレクトロルミネッセント素子の画素規制層の表面物性を示す写真 Photograph showing the surface properties of the pixel regulating layer of the electroluminescent element used in the optical head according to a third embodiment of the present invention 従来のエレクトロルミネッセント素子の画素規制層の表面物性を示す写真 Photograph showing the surface properties of the pixel regulating layer of the conventional electroluminescent device 本発明の実施の形態3に記載の光ヘッドに用いられるエレクトロルミネッセント素子の発光状態を示す写真 Photograph showing the emission state of the electroluminescent element used in the optical head according to a third embodiment of the present invention 従来の光ヘッドに用いられるエレクトロルミネッセント素子の発光状態を示す写真 Photograph showing the emission state of the electroluminescent element used in the conventional optical head 本発明の実施の形態3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドの光量検出回路の等価回路図 Equivalent circuit diagram of the light quantity detection circuit of the optical head using an organic electroluminescent device according to the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドの光検出素子の特性を示す図 Diagram showing characteristics of the light detecting element of the optical head using an organic electroluminescent device according to the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドの光量検出フローを示す図 It shows a light quantity detection flow of an optical head using an organic electroluminescent device according to the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子を用いた光ヘッドの変形例を示す断面図 Sectional view showing a modification of the optical head using an organic electroluminescent device according to the third embodiment of the present invention 本発明の実施の形態4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子をトップエミッション構造で構成した場合の断面図 Sectional view of the case where the organic electroluminescent device according top emission structure to the fourth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態4に記載の光ヘッドの変形例を示す断面図 Sectional view showing a modification of the optical head according to a fourth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態5の光ヘッドを用いた画像形成装置21の構成図 Configuration diagram of an image forming apparatus 21 using an optical head of the fifth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態5に記載の画像形成装置21における現像ステーション22の周辺を示す構成図 Diagram showing the periphery of a developing station 22 in the image forming apparatus 21 according to the fifth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態6に記載のアクティブマトリックス型の表示装置の等価回路図 Equivalent circuit diagram of an active matrix type display device according to a sixth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態6に記載の表示装置のレイアウト説明図 Layout diagram of a display device according to a sixth embodiment of the present invention 本発明の実施の形態6に記載の表示装置の上面説明図 Top explanatory view of a display device according to a sixth embodiment of the present invention 従来例の有機エレクトロルミネッセント素子110の断面概要図 Schematic cross-sectional view of an organic electroluminescent device 110 in the prior art 同有機エレクトロルミネッセント素子の発光特性を示す図 It shows an emission characteristic of the organic electroluminescence element

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

100 ガラス基板101 オーバーコート層110 エレクトロルミネッセント素子111 陽極112 発光層113 陰極114 画素規制層115 遷移金属酸化物層120 光検出素子121 多結晶シリコン層121S,D ソース・ドレイン領域121i チャネル領域122 第1の絶縁層123 第2の絶縁層124 保護層125S、D ソース・ドレイン電極130 駆動トランジスタ131 活性層132S,D ソース・ドレイン領域133 ゲート電極134S、D ソース・ドレイン電極 21 画像形成装置 22 現像ステーション 22Y 現像ステーション 22M 現像ステーション 22C 現像ステーション 22K 現像ステーション 23 記録紙 24 給紙トレイ 25 記録紙搬送路 26 現像剤 27a 攪拌パドル 27b 攪拌パドル 28 100 glass substrate 101 overcoat layer 110 electroluminescent device 111 anode 112 light-emitting layer 113 cathode 114 pixel regulating layer 115 metal oxide layer 120 photodetector element 121 polycrystalline silicon layer 121S, D source and drain regions 121i channel region 122 the first insulating layer 123 second insulating layer 124 protective layer 125S, D source and drain electrodes 130 drive transistor 131 active layer 132S, D source and drain regions 133 a gate electrode 134S, D drain electrode 21 image forming apparatus 22 developing station 22Y development station 22M development station 22C development station 22K developing station 23 the recording paper 24 paper feed tray 25 paper conveying path 26 developer 27a mixing paddle 27b mixing paddle 28 感光体 28Y 感光体 28M 感光体 28C 感光体 28K 感光体 29 帯電器 30 現像スリーブ 31 薄層化ブレード 32 マグロール 33 露光装置 33Y 露光装置 33M 露光装置 33C 露光装置 33K 露光装置 36 転写ローラ 37 トナーボトル 38 給紙ローラ 39 レジストローラ 40 ピンチローラ 41 記録紙通過検出センサ 43 定着器 44 加熱ローラ 45 加圧ローラ 46 背面コア 47 温度センサ 48 記録紙後端検出センサ 52 トナー像検出センサ 53 記録紙搬送ドラム 54 フェイスダウン排出部 55 蹴り出しローラ 56 支持部材 57 リブ 58 駆動源 59 排紙トレイ 61 コントローラ 62 エンジン制御部 63 電源部 64 電源監視部 65 給紙口 Photoreceptor 28Y photoreceptor 28M photoreceptor 28C photoreceptor 28K photoreceptor 29 charger 30 developing sleeve 31 layer-thinning blade 32 magnetic roll 33 exposure device 33Y exposure device 33M exposure apparatus 33C exposure device 33K exposure device 36 transfer roller 37 the toner bottle 38 feed paper roller 39 registration rollers 40 pinch roller 41 the recording sheet passage detecting sensor 43 fuser 44 heat roller 45 pressing roller 46 rear core 47 temperature sensor 48 recording paper trailing edge detection sensor 52 the toner image detection sensor 53 recording sheet conveyance drum 54 face down discharge portion 55 kick-out roller 56 supporting member 57 rib 58 driving source 59 discharge tray 61 controller 62 engine control unit 63 power supply unit 64 power supply monitoring unit 65 feed port

Claims (31)

  1. 少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、 Comprising at least one pair of electrodes, and a plurality of functional layers formed between the electrodes,
    前記機能層は少なくとも1種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、 A layer wherein the functional layer having a light emitting function of at least one organic semiconductor,
    少なくとも膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element comprising at least more than the thickness 30nm of the transition metal oxide layer.
  2. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 1,
    前記遷移金属酸化物層は比抵抗が100000オーム/cm 以上である有機エレクトロルミネッセント素子。 The transition metal oxide layer is resistivity 100000 Ohm / cm 2 or more organic electroluminescent elements.
  3. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 1,
    前記少なくとも一組の電極のうちの少なくとも一方が、透光性基板表面に形成されており、前記電極上に前記遷移金属酸化物層を形成すると共にその上層に発光機能を有した層 を配置した有機エレクトロルミネッセント素子。 At least one of said at least one pair of electrodes are formed on the surface of a transparent substrate and disposing a layer having a light emitting function on the upper layer thereof and forming the transition metal oxide layer on the electrode The organic electro-luminescent element.
  4. 請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 3,
    前記遷移金属酸化物層と前記発光機能を有した層との間にバッファ層を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element comprising a buffer layer between the layer having the light emitting function and the transition metal oxide layer.
  5. 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 4,
    前記バッファ層は電子ブロック層である有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the buffer layer is an electron blocking layer.
  6. 請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 5,
    前記バッファ層は高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the buffer layer comprises a polymer compound.
  7. 請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 6,
    前記電極と前記発光機能を有した層との間に画素規制層を備え、 Comprising a pixel regulating layer between the layer having the light emitting function and the electrode,
    光出射領域を規定するようにした有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescent device which is adapted to define a light emitting region.
  8. 請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 7,
    前記画素規制層が絶縁膜である有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the pixel regulating layer is an insulating film.
  9. 請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 8,
    前記画素規制層が酸化シリコンである有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the pixel regulating layer is silicon oxide.
  10. 請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 8,
    前記画素規制層が窒化シリコンである構有機エレクトロルミネッセント素子。構有 machine electroluminescent device wherein the pixel regulating layer is silicon nitride.
  11. 請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 7,
    前記画素規制層がフォトレジスト材料で構成された有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the pixel regulating layer is composed of photoresist material.
  12. 請求項7乃至11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent element according to any one of claims 7 to 11,
    前記画素規制層表面全体を遷移金属酸化物層で被覆され、この上層に発光機能を有した層が形成された有機エレクトロルミネッセント素子。 Wherein the entire pixel regulating layer surface is coated with a transition metal oxide layer, the organic electroluminescent element layer having the light emitting function on the upper layer is formed.
  13. 請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 12,
    前記発光機能を有した層はインクジェット法により形成された有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescent element formed by a layer having the light emitting function is an ink jet method.
  14. 請求項7乃至11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent element according to any one of claims 7 to 11,
    前記遷移金属酸化物層が前記画素規制層の下層に形成され、前記遷移金属酸化物層が光出射領域でのみ前記機能層と当接した有機エレクトロルミネッセント素子。 The transition metal oxide layer is formed below the pixel regulating layer, an organic electroluminescent element wherein the transition metal oxide layer was brought into contact with the functional layer only on the light emission region.
  15. 請求項1乃至14のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 14,
    前記遷移金属酸化物層が酸化モリブデン層である有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element wherein the transition metal oxide layer is a molybdenum oxide layer.
  16. 請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 15,
    前記酸化モリブデン層の膜厚は膜厚40nm以上である有機エレクトロルミネッセント素子。 The thickness of the molybdenum oxide layer is a film thickness 40nm or more organic electroluminescent elements.
  17. 請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 9,
    前記画素規制層の膜厚は膜厚20nm以上100nm以下である有機エレクトロルミネッセント素子。 The thickness of the pixel regulating layer is a thickness of 20nm or more 100nm or less organic electroluminescence element.
  18. 請求項1乃至17のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 17,
    前記発光機能を有した層が少なくとも1種の高分子発光材料を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element layer having the light emitting function comprises at least one polymeric light-emitting materials.
  19. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 1,
    前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element layer having the light emitting function comprises a polymer compound containing a fluorene ring.
  20. 請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 19,
    前記発光機能を有した層が下記一般式(I)で表されるポリフルオレンおよびその誘導体(R1、R2はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescent element characterized in that the layer having the light emitting function includes (representing R1, R2 are each a substituted group) polyfluorene and its derivatives represented by the following general formula (I).
  21. 請求項20に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 20,
    前記発光機能を有した層がフェニレンビニレン基を含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescence element layer having the light emitting function comprises a phenylene vinylene group.
  22. 請求項21記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 21, wherein,
    前記発光機能を有した層が下記一般式(II)で表されるポリフェニレンビニレンおよびその誘導体(R3、R4はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 The organic electroluminescent element characterized in that the layer having the light emitting function comprises a polyphenylene vinylene and derivatives thereof represented by the following general formula (II) (R3, R4 each represent a substituent).
  23. 請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 18,
    前記機能層は、樹木状多分岐構造をもつ少なくとも1種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層とを含む有機エレクトロルミネッセント素子。 The functional layer is, dendritic multi the layer having the light emitting function of at least one polymer substance branched structure with an organic electroluminescent element comprising a charge injection layer composed of at least one inorganic material.
  24. 請求項23に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 23,
    前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐高分子構造体からなる有機エレクトロルミネッセント素子。 Wherein the layer having the light emitting function, the organic electroluminescent element comprising a dendritic multi-branched polymeric structure with about a structural unit luminescent.
  25. 請求項23に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 23,
    前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐低分子構造体からなる有機エレクトロルミネッセント素子。 Wherein the layer having the light emitting function, the organic electroluminescent element comprising a dendritic multibranched low molecular structures having mainly structural units luminescent.
  26. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、 An organic electroluminescent device according to claim 1,
    前記一組の電極のうちの一方の電極である陽極は透光性基板上に形成されており、 One electrode is an anode of said pair of electrodes are formed on a transparent substrate,
    前記陽極上に形成された遷移金属酸化物層としての酸化モリブデン層と、 Molybdenum oxide layer serving as a transition metal oxide layer formed on the anode,
    ホール注入層と、 And the hole injection layer,
    前記発光機能を有した層と、 A layer having the light emitting function,
    前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層の上に形成された電子注入層と、 So as to face the hole injection layer, an electron injection layer formed on the layer having the light emitting function,
    前記電子注入層上に配設され前記一組の電極のうち他方の電極である陰極とが順次積層形成された有機エレクトロルミネッセント素子。 The other electrode is a cathode and is sequentially stacked organic electroluminescent device of the electron injection is disposed on the layer the pair of electrodes.
  27. 請求項1乃至26のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子が二次元に配列形成された表示装置。 Display organic electroluminescent devices are arranged and formed two-dimensionally according to any one of claims 1 to 26.
  28. 請求項1乃至26のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子が列状に配列され、発光部を構成した露光装置。 Claim 1 having an organic electroluminescent element according to any one of the 26 are arranged in rows, to constitute a light emitting portion exposure apparatus.
  29. 請求項1乃至26のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、 A method for manufacturing an organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 26,
    前記一組の電極のうちの一方の電極の形成された基板表面に膜厚30nm以上の遷移金属酸化物層を形成する工程と、 Forming a transition metal oxide layer of one of the above film thickness 30nm on the substrate surface formed with the electrode of the pair of electrodes,
    この上にインクジェット法により発光機能を有した層を形成する工程とを含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Method for producing an organic electroluminescence element and a step of forming a layer having the light emitting function by an inkjet method on this.
  30. 請求項29に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、 A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 29,
    遷移金属酸化物層の形成に先立ち、画素規制層を形成する工程を含み、前記遷移金属酸化物層上に発光機能を有した層を形成するようにした有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。 Transition prior to the formation of the metal oxide layer includes forming a pixel regulating layer, method for manufacturing an organic electroluminescent device which is adapted to form a layer having a light emitting function to the transition metal oxide layer.
  31. 請求項29に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、 A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 29,
    遷移金属酸化物層の形成後に、画素規制層を形成する工程を含み、前記画素規制層の形成された遷移金属酸化物層上に発光機能を有した層を形成するようにした有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。 After formation of the transition metal oxide layer includes forming a pixel regulating layer, the pixel regulating layer organic electroluminescent was to form a layer having the light emitting function formed on the transition metal oxide layer of Tsu manufacturing method of St. element.
JP2006116194A 2006-04-19 Withdrawn JP2007288074A5 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006116194A JP2007288074A5 (en) 2006-04-19

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006116194A JP2007288074A5 (en) 2006-04-19
US11733923 US20070241665A1 (en) 2006-04-12 2007-04-11 Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007288074A true true JP2007288074A (en) 2007-11-01
JP2007288074A5 true JP2007288074A5 (en) 2009-05-14

Family

ID=

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009022553A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
WO2009075075A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 Panasonic Corporation Organic el device, el display panel, method for manufacturing the organic el device and method for manufacturing the el display panel
JP2009141077A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof, and display device
JP2009277788A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Panasonic Corp Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same
JP2010010670A (en) * 2008-05-28 2010-01-14 Panasonic Corp Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2010103083A (en) * 2008-09-29 2010-05-06 Toppan Printing Co Ltd Organic el device and method for manufacturing the same
KR100959466B1 (en) * 2008-02-28 2010-05-25 파나소닉 주식회사 Organic EL Display Panel
JP2010129345A (en) * 2008-11-27 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Method of manufacturing organic electroluminescent device
WO2010092798A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, method for manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
JP2010287319A (en) * 2009-06-09 2010-12-24 Toppan Printing Co Ltd Structure and its manufacturing method of organic el display
JP2011181529A (en) * 2011-06-20 2011-09-15 Toshiba Mobile Display Co Ltd Method of manufacturing organic el device
CN102222772A (en) * 2010-04-13 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 Organic-light emitting device and method of manufacturing the same
WO2012004824A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 パナソニック株式会社 Method for manufacturing light-emitting element, organic display panel using light-emitting element, organic light-emitting device, and organic display device
JP5020423B1 (en) * 2011-10-11 2012-09-05 パイオニア株式会社 Organic light-emitting element
WO2012131314A1 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting device and method
US8357997B2 (en) 2009-06-29 2013-01-22 Japan Display Central Inc. Organic EL device and manufacturing method thereof
US8563994B2 (en) 2010-08-06 2013-10-22 Panasonic Corporation Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element
US8664669B2 (en) 2010-06-24 2014-03-04 Panasonic Corporation Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus
US8703530B2 (en) 2010-06-24 2014-04-22 Panasonic Corporation Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device
JP2014160834A (en) * 2009-02-10 2014-09-04 Panasonic Corp Light emitting element, display device, and manufacturing method of light emitting element
US8829510B2 (en) 2011-02-23 2014-09-09 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device
US8852977B2 (en) 2010-08-06 2014-10-07 Panasonic Corporation Method for producing light-emitting elements
US8866160B2 (en) 2009-02-10 2014-10-21 Panasonic Corporation Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance
US8872164B2 (en) 2009-08-19 2014-10-28 Panasonic Corporation Organic el element
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
US8884276B2 (en) 2011-05-11 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL display panel and organic EL display apparatus
US8890129B2 (en) 2010-08-06 2014-11-18 Panasonic Corporation Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device
US8921838B2 (en) 2010-08-06 2014-12-30 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8927975B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8927976B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Organic EL element and production method for same
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
US8999832B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Panasonic Corporation Organic EL element
US9012896B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element
US9012897B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US9048448B2 (en) 2010-08-06 2015-06-02 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9130187B2 (en) 2010-08-06 2015-09-08 Joled Inc. Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9490445B2 (en) 2010-07-30 2016-11-08 Joled Inc. Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element
US9843010B2 (en) 2010-08-06 2017-12-12 Joled Inc. Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009022553A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
JP2009044102A (en) * 2007-08-10 2009-02-26 Sumitomo Chemical Co Ltd Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof
JP2009141077A (en) * 2007-12-05 2009-06-25 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof, and display device
WO2009075075A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-18 Panasonic Corporation Organic el device, el display panel, method for manufacturing the organic el device and method for manufacturing the el display panel
US8310152B2 (en) 2007-12-10 2012-11-13 Panasonic Corporation Organic EL device and EL display panel having a low driving voltage and high light emitting frequency, and method for manufacturing
US7812345B2 (en) 2008-02-28 2010-10-12 Panasonic Corporation Organic EL display panel
KR100959466B1 (en) * 2008-02-28 2010-05-25 파나소닉 주식회사 Organic EL Display Panel
US8529308B2 (en) 2008-05-13 2013-09-10 Panasonic Corporation Organic electroluminescence element with enhanced electron blocking characteristics and manufacturing method thereof
JP2009277788A (en) * 2008-05-13 2009-11-26 Panasonic Corp Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same
JP2010010670A (en) * 2008-05-28 2010-01-14 Panasonic Corp Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2010103083A (en) * 2008-09-29 2010-05-06 Toppan Printing Co Ltd Organic el device and method for manufacturing the same
JP2010129345A (en) * 2008-11-27 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd Method of manufacturing organic electroluminescent device
US8822246B2 (en) 2009-02-10 2014-09-02 Panasonic Corporation Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer
US8890173B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer having a recess portion for accumulating ink, and display device and method for manufacturing thereof
US8890174B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer that includes a dissolvable metal compound, and display device and method for manufacturing thereof
US8866160B2 (en) 2009-02-10 2014-10-21 Panasonic Corporation Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance
JP2014160834A (en) * 2009-02-10 2014-09-04 Panasonic Corp Light emitting element, display device, and manufacturing method of light emitting element
WO2010092798A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, method for manufacturing light-emitting device, and light-emitting device
JP5336524B2 (en) * 2009-02-10 2013-11-06 パナソニック株式会社 Manufacturing method and light-emitting elements of the light emitting element, and a method of manufacturing the light emitting device and light emitting device
JP2010287319A (en) * 2009-06-09 2010-12-24 Toppan Printing Co Ltd Structure and its manufacturing method of organic el display
US8357997B2 (en) 2009-06-29 2013-01-22 Japan Display Central Inc. Organic EL device and manufacturing method thereof
US8872164B2 (en) 2009-08-19 2014-10-28 Panasonic Corporation Organic el element
CN102222772A (en) * 2010-04-13 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 Organic-light emitting device and method of manufacturing the same
KR101213493B1 (en) * 2010-04-13 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 The organic light emitting device and a method of manufacturing the same
US8633476B2 (en) 2010-04-13 2014-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic-light emitting device and method of manufacturing the same
US8703530B2 (en) 2010-06-24 2014-04-22 Panasonic Corporation Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device
US8664669B2 (en) 2010-06-24 2014-03-04 Panasonic Corporation Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus
WO2012004824A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-12 パナソニック株式会社 Method for manufacturing light-emitting element, organic display panel using light-emitting element, organic light-emitting device, and organic display device
US8642360B2 (en) 2010-07-05 2014-02-04 Panasonic Corporation Method for manufacturing light-emitter, organic display panel using light-emitter, organic light-emitting device and organic display device
US9490445B2 (en) 2010-07-30 2016-11-08 Joled Inc. Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element
US8999832B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Panasonic Corporation Organic EL element
US8852977B2 (en) 2010-08-06 2014-10-07 Panasonic Corporation Method for producing light-emitting elements
US9048448B2 (en) 2010-08-06 2015-06-02 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9012897B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9130187B2 (en) 2010-08-06 2015-09-08 Joled Inc. Organic EL element, display device, and light-emitting device
US8890129B2 (en) 2010-08-06 2014-11-18 Panasonic Corporation Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device
US9012896B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element
US8921838B2 (en) 2010-08-06 2014-12-30 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8563994B2 (en) 2010-08-06 2013-10-22 Panasonic Corporation Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element
US8927976B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Organic EL element and production method for same
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US8927975B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US9843010B2 (en) 2010-08-06 2017-12-12 Joled Inc. Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
US8829510B2 (en) 2011-02-23 2014-09-09 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
WO2012131314A1 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting device and method
US8884276B2 (en) 2011-05-11 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL display panel and organic EL display apparatus
JP2011181529A (en) * 2011-06-20 2011-09-15 Toshiba Mobile Display Co Ltd Method of manufacturing organic el device
JP5020423B1 (en) * 2011-10-11 2012-09-05 パイオニア株式会社 Organic light-emitting element
WO2013054392A1 (en) * 2011-10-11 2013-04-18 パイオニア株式会社 Organic light emitting element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020038998A1 (en) Luminescent display device of active matrix drive type and fabrication method therefor
US20060017375A1 (en) Organic light emitting element, display device including the same and method for manufacturing organic light emitting element
US6633121B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6805979B2 (en) Transfer film and process for producing organic electroluminescent device using the same
US20020047567A1 (en) Organic led display device of active matrix drive type and fabrication method therefor
US20080231179A1 (en) Organic Electroluminescence Element and Display Using the Same
US20060081840A1 (en) Organic electronic device and method for producing the same
US6538374B2 (en) Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof
JP2004235128A (en) Organic el element and its manufacturing method
JP2005285708A (en) Organic light emitting element, picture display device, and its manufacturing method
JP2000182768A (en) Organic el element
WO2009110186A1 (en) Light-emitting element and display device
JPH10189252A (en) Organic active electroluminescent light emitting device
JP2009277788A (en) Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same
US20070290604A1 (en) Organic electroluminescent device and method of producing the same
US7158161B2 (en) Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
JPH08279394A (en) Multicolor light emitting device and its manufacture
JP2007220656A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP2010021138A (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing method
US20100164364A1 (en) Light emitting device
JP2006134624A (en) Electro-optical device and electronic apparatus using it
US20050195318A1 (en) Organic information reading unit and information reading device using the same
JP2004134395A (en) Organic electroluminescence element, exposure device using the same, and image forming apparatus
JP2004031335A (en) Light-emitting device and method of fabricating the same
US7504616B2 (en) Exposure device and image forming apparatus using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090311

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090311

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090327

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090327

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090327

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100602